浪涌试验仪

一、 包装尺寸及存放要求 根据贵单位的合同配置，您可能收到数个包装箱。通常情况下最大的质谱仪外包装 尺寸为 133cm（长）× 90cm（宽）× 120cm（高），重约 225kg（仪器净尺寸参见工 作台要求）。请确认您的安装场地所有的走道，电梯以及实验室门宽等具备通行条件。 仪器到货后请确保将所有包装箱正立于洁净的室内,并保持环境湿度小于 50% RH。 我公司工程师到达现场前请勿自行打开仪器外包装，如到货时已有破损请立即通知我公司。二、 实验室要求 实验室应具备恒温（18°C~25°C）,恒湿（40% ~ 70% RH）和防尘的功能，并且远 离可能的震动源，强磁场等。为满足以上条件： 1. 应配备独立控制的空调 (面积 20-30 平方米时，功率为 3 匹。) 和除湿机。特 别注意：此型仪器为具备精确质量数测定功能的高分辨质谱，需要将室温变化幅度 控制在 1°C/10 分钟以内以保证仪器性能。变频空调有利于保持温度稳定。 2. 实验室向室外的窗户要密封防尘 (如无法密封应加装双层窗) 。室内需要安装 具有遮阳功能的窗帘。3. 实验室应具备一个直径大于 3cm 通向室外的机械泵排气孔和一个直径大于 3cm 通向室外的废溶剂蒸汽排气孔。建议两排气孔间距不小于 20cm，距地面 10-20cm。 开孔不宜过高，以免排气不畅。 4.实验室应具备通风用换气扇，以保证室内空气流通。三、 供电要求 1．仪器系统要求 AC 230V ±10%，负载总电流大于等于 40A 的单相供电线路。其中， 质谱仪主机和机械泵各需一条 16A 供电线路。仪器自带两条 2 米左右的电源线（ 插座置于预安装包中单独发给用户）其余所有线缆以及开关面 板等需用户自行准备。2．请用户为仪器配备具有滤波净化功能的单相 10kVA 稳压电源。如经费允许，推 荐使用不间断电源（UPS）替代稳压电源，功率要求同样为 10kVA。 3．断电后再次供电产生的浪涌极易损伤仪器，在仪器前端的供电线路上安装 50~60A 交流接触器可以使仪器免受浪涌冲击。如仅配备稳压电源，请务必安装交流接触器。 对于配备不间断电源（UPS）的用户，我们同样建议安装交流接触器。 4．请为仪器准备接地电阻 R1Ω 的独立地线。同时使用万用表交流电压档测量供电 线路零线（N）和地线（G）间电压差值。

浅谈仪器仪表雷电防护的必要性 静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）X寸仪器仪表系统会产生不同程度的危害。静电放电在5 ~20tMHz的频率范围内产生强烈的射频辐射。 此辐射能量的峰值经常出现在35~45MHz之间发生自激振荡。许多信息传输电缆的谐振频率也通常在这个频率范围内，结果电缆中便串入了大量的静电放电辐射能量。电快速瞬变脉冲群也产生相当强的辐射发射，从而耦合到电缆和机壳线路。当电缆暴露在4 ~8kV静电放电环境中时，信息传输电缆终端负载上可以测量到的感应电压可达到600V这个电压远远超出了典型数字仪器仪表的门限电压值0~4V典型的感应脉冲持续时间大约为400ns仪器仪表在使用中经常会遇到意外的电压瞬变和浪涌，从而导致电子设备的损坏，损坏的原因是仪器仪表中的半导体器件（包括二极管、晶体管、可控硅和集成电路等）皮烧毁或击穿。据统计仪器仪表的故障有75%是由于瞬变和浪涌造成的。电压的瞬变和浪涌无处不在，电网、雷击、爆破，就连人在地毯上行走都会产生上万伏的静电感应电压，这些，都是仪器仪表的隐形致命杀手。因此，为了提高仪器仪表的可靠性和人体自身的安全性，必须对电压瞬变和浪涌采取防护措施。 防雷端口根据仪器仪表应用的工程实践，仪器仪表受雷击可大致分为直击雷、感应雷和传导雷。但不论以哪一种形式到达设备都可归纳为从以下4个部位侵入的雷电浪涌，在此把这些部位称为防雷端口，并以仪器仪表举例说明。 外壳端口比如说，我们可以把任何一个大的或小的仪器仪表或系统视为一个整体的外壳，如传感器、传输线、信号中断、现场仪表、DCS系统等，它们都有可能完全暴露在环境中受到直接雷击，造成设备损坏。 标准规定，当设备外壳受到4kV的雷电静电放电时，都会影响仪器仪表或系统的正常运行。例如放置于室外的传感器端子箱有可能受到雷电接触放电；位于机房内的DCS机柜有可能受到大楼立柱泄流时的空气放电。 信号线端口含天馈线、数据线、控制线等。 在控制系统中，为了实现信号或信息的传递总要有与外界连接的部位，如过程控制系统的信号交接端的总配线架、数据传输网的终端、微波设备到天线的馈线口等等，那么这些从外界接收信号或发射信号出去的接口都有可能受到雷电浪涌冲击。因为从楼外信号端口进来的浪涌往往通过长电缆，所以采用10/7（0Fs波形，标准规定线到线间浪涌电压为05kV，线到地间浪涌电压为1kV.而楼内仪器仪表之间传递信号的端口受到浪涌冲击相当于电源线上的浪涌冲击，采用1.2/50（8/20）Ms组合波，线到线、线到地浪涌电压限值不变。一旦超过限值，信号端口和端口后的设备有可能遭受损坏。 电源端口电源端口是分布最广泛也最容易感应或传导雷电浪的部位，从配电箱到电源插座这些电源端口可以处在任何位置。标准规定在L 2/50（8/20）Ms波形下线与线之间浪涌电压限值为Q 5kV线到地浪涌电压限制为1kV但这里的浪涌电压是指明工作电压为220V交流进入的，如果工作电压较低则不能以此为标准，电源线上受较小的浪涌冲击不一定立即损坏设备，但至少寿命有影响。 接地端口尽管在标准中没有专门提到接地端口的指标，实际上信息技术设备地端口是非常重要的。在雷电发生时接地端口有可能受到地电位反击、地电位升格地满□高影响，或者由于接地不良、接地不当使地阻过大达不到电位要求使设备损坏。接地端口不仅对接地电阻接地线极（长度、直径、材料）、接地方式、地网的设置等有要求，而且还与设备的电特性、工作频段、工作环境等有直接的关系。同时从接地端还有可能反击到直流电源端口损坏直流工作电压的设备。综上所述，信息技术设备的防雷可以考虑从四个关键的端口入手，如所示。 仪器仪表防雷的四个关键的端口，仪器仪表的端口保护外壳端口仪器仪表的外壳端口保护不仅仅是建筑物外壳，也应当包括某个设备的外壳或者某套系统的外壳，比如说机柜、计算机室等。按照EC 1312-1雷电电磁脉冲的防护第一部分（一般原则）的适用范围为：建筑物内或建筑物顶部仪器仪表系统有效的雷电防护系统的设计、安装、检查、维护。其保护方法主要有三种：接地、屏蔽及等电位连接。 接地EC1024-1已经阐述了建筑物防雷接地的方法，主要通过建筑物地下网状接地系统达到要求。仪器仪表系统防雷时还要求对相邻两建筑物之间通过的电力线，通信电缆均必须与建筑物接地系统连接起来（不能形成回路）以利用多条并行路径减少电缆中的电流。 仪器仪表系统的接地更应当注意系统的安全性和防止其它系统干扰。一般来说工作状态下仪器仪表系统接地不能直接和防雷地线相连，否则将有杂散电流进入仪器仪表系统引起信号干扰。正确的连接方式应当在地下将两个不同地网，通过放电器低压避雷器连接，使其在雷击状态下自动连通。 屏蔽从理论上考虑，屏蔽对仪器仪表外壳防雷是非常有效的。但从经济合理角度来看，还是应当从设备元器件抗扰度及对屏蔽效能的要求来选择不同的屏蔽方法。线路屏蔽，即在仪器仪表系统中采用屏蔽电缆已被广泛应用。但对于设备或系统的屏蔽需要视具体情况而定。EC提出了采用建筑物钢筋连到金属框架的措施举例。 表系统的主要电磁干扰源是由一次闪击时的几个雷击的瞬时电流造成的瞬态磁场。如果包含仪器仪表系统的建筑物或房间，用大空间屏蔽，通常在这样的措施下瞬时电场被减少到一个足够低的值。 等电位接连等电位连接的目的是减小仪器仪表之间和仪器仪表与金属部件之间的电位差。在防雷区的界面处的等电位连接要考虑建筑物内的仪器仪表系统，在那些对雷电电磁脉冲效应要求最小的地方，等电位连接带最好采用金属板，并多次与建筑物的钢筋连接或连接在其它屏蔽物的构件上。对于仪器仪表系统的外露导电物应建立等位连接网，原则上一个电位连接网不需要直接连在大地，但实际上所有等电位连接网都有通大地的连接。 信号线端口信号线端口保护现在已经有许多类型的较为成熟的保护器件，比如仪器仪表信号网络不同接口保护器、天馈线保护器、终端设备的保安单元等。在保护器选择时除了保护器本身的性能外，应该注意保护设备的传输速率、插入衰耗限值、驻波比、工作电压、工作电流等相关指标，如果在同一系统（或网络）使用多级保护还应该考虑相互配合问题。值得提出的是，当前由于商业因素，在同一网络中有过多使用保护器的倾向，其反而带来降低速率、增大衰耗、传输失真、信息丢失等问题。因此对某一网络的信号端口保护应在网络信号进出的交界面处安装合适的保护器即可。 在信号端口窜入的瞬态电流最容易损坏信号交换或转换单元及过程控制计算机，如主板、并行口、信号接口卡等。事实上瞬态电流或浪涌可能通过不同途径被引入到信号传输网络中，EEE 802-3以太网标准中列出了四种可能对网络造成威胁的情况。（1）局域网络元件和供电回路或受电影响的电路发生直接接触。（2）局域网电缆和元件上的静电效果。（3）高能量瞬态电流同局域网络系统耦合曲网络电缆附近的电缆引入）（4）彼此相连的网络元件的地线电压间有细小差别（例如两幢不同建筑的安全地线电压就有可能略有不同）。 以数据通信线为例，在R-232的串、并行口的标准中，用于泄放高能浪涌和故障电流的地线同数据信号的返回路径共享一条线路，而小至几十伏的瞬态电压都有可能通过这些串、并行口而毁坏计算机及打印机等设备，信号传输线也能直接将户外电源线上的瞬态浪涌传导进来，而信号接口能够传导由闪电和静电泄漏引起的浪涌电压。 用户应当对数据线保护器慎重选择有些保护器虽然起到了“分流”作用，但常常是将硅雪崩二极管（SAD）接在被保护线路和保护器外壳之间，测试表明SAD的钳位性能很好，但它电涌分流能力有限。同时压敏电阻（MOV池不能在数据线保护器上使用。先进的过程控制系统的信号接口防雷保护装置无论是R-232串等通信接口还是计算机同轴网络适配器接口）目前均采用瞬态过电压半导体放电管，其冲击残压参数指标很重要。有条件能够采取多级保护设计电路效果更佳。 天馈线保护器基本采用波导分流原理，其中发射功率400W，额定测试放电电流（8/20s）5kA传输频率25GH插入损耗08响应时间100ns 23电源端口原则上采用多级SPD做电源保护，但信息系统的电源保护由于其敏感性必须采用较低的残压值的保护器件，且此残压应当低于需要保护设备的耐压能力。同时还必须考虑到电磁干扰对仪器仪表系统的影响，因此带过滤波的分流设计应当更加理想。 所以对于仪器仪表系统电源保护特别注意的两点是：前两级采用通流容量大的保护器，在仪器仪表终端处则采用残压较低的保护器。最后一级的保护器中最好有滤波电路。对仪器仪表系统电源端口安装SPD时应注意以下问题。 多级SPD应当考虑能量配合、时间配合、距离配合。如果配合不当的话，效果将适得其反。 （2）连接防雷保护器的引线应当尽量粗和短。 （3）全保护时尽可能将所有连接线捆扎在一起。内容来自看仪器网

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

为了解中国科学仪器的市场情况和应用情况，同时将好的检测机构及其优势检测项目推荐给广大用户，“仪器信息网”与“我要测”自2011年9月1日开始，对不同领域具有代表性的实验室进行走访参观。近日，“我要测”工作人员参观访问了本次活动的第八十九站：天津天维移动通讯终端检测有限公司(天津市移动通讯终端产品质量监督检验站)。该公司经理马强先生和市场部负责人朱长娥女士热情地接待了“我要测”到访人员。 　　天津天维移动通讯终端检测有限公司(以下简称“天维检测”)位于天津东丽开发区东丽检测中心内，是由天津市质量技术监督局、国家无线电频谱监测和检验中心、天津市无线电监测站于 2006 年 7 月共同建立的第三方检测机构，公司通过了CMA计量认证和CAL资质认可，能够保证出具数据的准确性与公正性，检测报告的公信力与权威性。 中心外景 　　天维检测拥有一支高学历、高素质、经验丰富的专业检测(科研)队伍，现有人员22人，其中博士1名，硕士5名 中高级职称14名，占职工人数的64%。实验室面积3000余平方米，按国际先进标准配备了一个10米法半电波暗室、一个5米法全电波暗室和6个测试屏蔽室，并经德国TUV安全认证机构认证合格。实验室配置了R/S —ESI-26测量接收机、R/S —CMU-200通信综合测试仪、R/S —UPV音频分析仪、哈弗莱PSURGE4.1浪涌测试仪、安捷伦E4440A频谱分析仪、温湿振三综合试验箱、热老化试验箱、盐雾箱、高低温冲击箱等百余台(套)仪器设备、测试系统。 　　利用上述仪器设备，公司主要对“无线电设备、电信设备、信息技术设备、工科医疗设备、照明设备、汽车行业、音频、视频及类似设备、家用电器”等开展“EMC测试、电气安全测试、GSM/CDMA移动台性能测试、环境可靠性试验、机械性能试验、物理性能试验、力学性能检测”等测试业务。 10米法半电波暗室(外景) 10米法半电波暗室(内景) 　　10米法半电波暗室(EMCT-10)，是按照10m测试距离设计的，主要由主暗室、控制室和功放室组成(可选择传导测试室)，用于10m或者3m距离的辐射抗扰度测试和辐射发射的符合性测试。10米法半电波暗室是最具普及性的标准测试环境，主要是为了满足大尺寸电子系统的测试需求以及一些电子产品的行业测试标准之要求，同时也可以进行3m法的测试，静区可扩大至5米甚至8米直径或者更大，广泛应用于IT产品，家用电器，医疗器械，汽车整车和零部件，大型军工电子系统，工业电子系统，通信领域等电磁兼容测试。加配转鼓系统等可以完成道路车辆的电磁兼容测试项目。典型屏蔽内尺寸：21m(长)×12m(宽)×9m(高)。 　　5米法半电波暗室(EMCT-5)，是按照5m测试距离设计的，主要由5米法主暗室、操作控制室和功放室组成(可选择传导测试室)，用于3m距离的辐射抗扰度测试和5m或者3m距离的辐射发射的符合性测试。5米法电波暗室主要是为了解决大尺寸电子产品的测试需求，在确保3m法全部功能的基础上，将静区可扩大至3米直径或者更大，可广泛应用于IT产品，家用电器，医疗器械，汽车零部件，小型军工电子产品，工业电子用品，通信领域等电磁兼容测试。加配特殊接口后可以进行特殊产品的测试，如水表，燃气表，电能表等。 　　屏蔽室安规设备，主要有：R/S —ESI-26测量接收机、R/S —CMU-200通信综合测试仪、R/S —UPV音频分析仪、哈弗莱PSURGE4.1浪涌测试仪、安捷伦E4440A频谱分析仪等。 　　以上设备配套使用，主要开展“静电放电、射频电磁场辐射抗扰度、电快速瞬变脉冲群、浪涌冲击、射频场感应传导骚扰抗扰度、工频磁场、电源端子骚扰电压、骚扰功率、喀呖声测试(断续骚扰)、辐射骚扰”等电磁兼容测试项目。 电痕划指数试验仪和灼热丝试验仪 温湿振三综合试验箱 拉力扭转试验机 跌落试验机 老化试验箱箱 盐雾箱试验箱 　　以上仪器设备主要开展环境可靠性测试。 　　据朱女士介绍，天维检测不仅致力于为企业提供一站式的检测服务，在专利发明方面也有突出的成绩，目前已是天津市专利试点单位，至今已经成功的申请了6项实用新型专利，被评为“天津市科技型中小企业”，未来天维会继续走科技型发展路线，一方面为企业提供更优质更快捷的服务，另一方面也会不断的提高自身的技术实力，为社会贡献更多的科研成果。

1范围本标准规定了拉曼光谐仪的术语和定义,分类,要求,试验方法,检验规则,标志,包装、运输和贮存。本标准适用于采用激光为激发光源的拉曼光谱仪(以下简称仪器),其他光源的仪器可参考执行。规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T191—2008包装储运图示标志GB/T 2829—2002周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)GB 4793.1-2007测量﹑控制和实验室用电气设备的安全要求﹑第1部分:通用要求GB 7247.1—2012激光产品的安全第1部分:设备分类,要求GB/T 11606—2007分析仪器环境试验方法GB/T13384—2008机电产品包装通用技术条件GB/T13966—2013分析仪器术语GB/T17626.2—2018电磁兼容﹑试验和测量技术﹑静电放电抗扰度试验GB/T 17626,3—2016电磁兼容﹐试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术﹑电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GB/T 17626.5—2019电磁兼容﹑试验和测量技术﹑浪涌(冲击)抗扰度试验GB/T 18268,1—2010测量,控制和实验室用的电设备﹑电磁兼容性要求﹑第Ⅰ部分:通用要求GB/T 34065—2017分析仪器的安全要求3术语和定义GB/T13966—2013界定的及下列术语和定义适用于本文件。3.1拉曼散射Raman scattering单色人射光与介质相互作用后产生不同于原入射光频率的散射光,并且相对频移对称分布于人射光频率两侧的现象。3.2拉曼位移Raman shift入射光绝对波数与散射光绝对波数的差值。注:单位为cm-' 。3.3拉曼光谱Raman spectrum拉曼散射强度对于拉曼位移的分布。3.4拉曼光谱仪Raman spectrometer用于收集试样的拉曼光谱,并进行检测和分析的仪器。3.5拉曼谱峰强度peak intensity of Raman scattering拉曼光谱仪测量得到的某个拉曼谐峰的信号强度﹐为该峰最高点到该点对应的背景基线的计数差值。3.6半高宽full width at half maximum FWHM以谱峰强度的一半作平行于基线的直线﹐该直线与谱峰两侧所形成交点之间的波数差值。见图1。注:单位为cm-' .3.7光谱分辨率spectral resolution拉曼光谱仪分辨两相邻谮峰的能力,以所测得的元素灯谱线的半高宽表示。注:单位为cm-' .4分类仪器按使用环境分为:a)实验室拉曼光谱仪 b)便携式拉曼光谱仪。5要求5.1仪器正常工作条件5.1.1实验室拉曼光谱仪实验室拉曼光谐仪在下列条件下应能正常工作:a)环境温度:5 ℃~35 ℃ b)相对湿度 20%~80% c)交流供电电源 电压220 V士22 V.频率50 Hz士1 Hz d)室内清洁无尘,避光,排风良好,能平稳地放在工.作台上，周围无强烈机械振动和电磁干扰源，无强气流影响 e）接地良好。5.1.2便携式拉曼光谱仪便携式拉曼光谐仪在下列条件下应能正常工作:a)环境温度:O℃~40 ℃ b)相对湿度:20%~85% c)供电电源:交流电源电压220 V士22V,频率50 Hz士1 Hz,直流电源电压变化在±20%以内 d)使用环境无强光直射。5.2功能仪器至少应具有下列功能:a)激发光开启和关闭功能﹔b)准确显示所采集拉曼光谱图.读取拉曼位移坐标及强度示值等功能﹔c)原始光谱数据导出功能,至少包含以下数据导出格式之一 " .txt , ".Excel或" .csv。5.3性能指标仪器性能指标要求见表1。5.4安全要求5.4.1防电击要求应符合GB/T 34065—2017中第6章要求。5.4.2激光安全制造商提供的说明书.警示措施﹑防护措施应符合GB7247.1—2012的要求。5.5外观仪器外观应满足下列要求 a)仪器所有表面不应有脱皮现象﹔b)表面应色泽均匀,不应有明显擦伤﹑露底,裂纹﹑气泡现象﹔c〉外露零部件结合处应整齐,无粗糙不平现象﹔d面板上的文字.符号.标志应端正清晰耐久。5.6环境适应性按GB/T 11606—2007中2.7环境条件分组,实验室仪器按照Ⅱ组,便携式仪器按照Ⅲ组的条件，分别对仪器进行温度上限﹑温度下限的试验后,其光谱分辨率和位移准确度应满足5.3的要求。便携式仪器耐振动试验后应满足5.3的要求。便携式仪器的静电放电抗扰度、射频电磁场辐射抗扰度,电快速瞬变脉冲群抗扰度,浪涌(冲击)抗扰度应符合GB/T 18268.1—2010中表1的要求。5.7运输.运输贮存仪器在运输包装状态下,应根据GB/T 11606—2007中表1环境条件分组的要求选取运输,运输贮存的试验条件,并按6.12试验后,包装不应有较大变形和损伤,仪器不应有变形松脱,涂覆层剥落等机械损伤,其光谐分辨率和位移准确度应满足5.3的要求。6试验方法6.1试验前准备根据仪器说明书的要求设置仪器参数,如激光波长和功率,物镜,狭缝宽度和光栅刻线等相关条件，激光功率为标称功率或仪器说明书的推荐值。仪器测试时,应注明环境温度﹑仪器声明的波数测量范围,激发光波长和功率,狭缝大小,分光系统的光栅刻线数和焦长,采样积分时间等仪器设置条件。对于共焦显微拉曼光谱仪,还应注明显微物镜.针孔大小等与共焦性能密切相关的仪器参数。如无特别说明,以下6.2~～6.8 的测试方法要求在上述同等设置条件下进行。6.2试验条件仪器经试验前准备工作后,在下列试验条件下开始性能检验:a)除非另有规定,试验均应在5.1所规定的条件下进行,温度波动不应超过士2℃ b)仪器在试验前应按照仪器说明书要求进行预热﹔c)试验用品:元素灯:氖灯、氩灯、汞灯及其他波段的元素灯等 d试验样品 单品硅(111) 单质硫(分析纯),萘(分析纯),聚苯乙烯片。6.3功能检查按照5.2规定,逐条目测和手感检查。6.4光谱分辨率关闭激光器。在仪器可测量光谐范围内,分别在下限、上限和中间附近选取适当的元素灯特征谱线(参见附录A示例) 将元素灯输出的光经强度衰减后,引入光谐仪的测量光路 近等分选择三条强信号的特征谱线进行测量。测量并记录元素灯各谱峰的半高宽,重复测量6次,取平均值作为在相应激发波长下各波段的分辨率,取其最大值作为仪器的光谱分辨率。6.5位移准确度6.9.2激光安全按照GB 7247,1—2012的有关试验方法。6.10外观检查按照5.5规定,逐条目测和手感检查。6.11环境适应性试验6.11.1温湿度试验按照GB/T 11606——2007中第4章,第5章和第7章进行试验。6.11.2振动试验按照GB/T 11606——2007中第9章进行试验。6.11.3电磁兼容性6.11.3.1静电放电抗扰度按照GB/T17626.2—2018规定的接触放电试验程序试验。6.11.3.2射频电磁场辐射抗扰度按照GB/T 17626.3—2016规定的程序试验。6.11.3.3 电快速瞬变脉冲群抗扰度按照GB/T 17626.4—2018规定的程序试验。6.11.3.4 浪涌(冲击)抗扰度按照GB/T 17626.5—2019规定的程序试验。6.12运输,运输贮存试验仪器在包装状态下,按GB/T11606—2007中第8章,第15章,第16章,第17章和18章的方法进行试验。7检验规则7.1检验分类仪器检验分出厂检验和型式检验。7.2出厂检验7.2.1 出厂检验的项目类别见表2。7.2.2每台仪器应经检验合格,出厂检验不合格或有不合格项目应返工然后复验。复验全部项目合格后,方可出厂8标志,包装,运输及贮存8.1标志8.1.1佼器标志仪器标志应包括:a)制造厂名称及地址 b)仪器名称﹔仪器型号 d商标 e〉制造日期.出厂编号 f其他重要标志。8.1.2包装标志仪器包装标志应包括:a)制造厂名称及地址 b)仪器名称 c型号规格 d商标 e)仪器质量(单位:kg) 体积(长×宽×高,单位 mm) )符合GB/T 191—2008规定的“易碎物品”“向上”“怕雨”等包装储运图示标志 g〉发货,收货单位名称及地址。8.2包装8.2.1佼器包装应符合GB/T 13384——2008中防潮﹑防振包装规定。8.2.2随机文件仪器的随机文件应包括:a装箱单。b)产品合格证。

实验人员正在做产品实验的部分照片 　　7月18日，经过技术人员紧张的调试，中国首家家用太阳能热水系统控制器电子检测实验室，即德州赛佳技术检测中心正式成立并投入使用。 　　08年经德州市政府批准，赛佳电子建立了行业内目前唯一的市级工程技术研究中心后，09年赛佳电子又投资兴建了赛佳技术检测中心。本中心可以对太阳能仪表在性能、安全、精度及使用条件等方面进行全方位的检测。性能方面主要包括：静电放电、电快速瞬变、雷击浪涌、群脉冲等各项EMC指标进行检测，有力的保障了产品的性能方面的要求。安全方面主要包括：耐压、接地电阻、泄露电流等安全指标进行检测，有力的保障了产品安全性能方面的要求。精度发面主要包括：温度精度(恒温槽设备)、环境温度及湿度(恒温恒湿器)等指标进行检测，有力的保障了产品的精度及在恶劣的使用环境下的正常运行。 　　赛佳技术检测中心的建立有力的为赛佳产品在性能、安全、精度等几方面提供了保障，从而使赛佳电子在技术检测方面又走在了行业的前面，使赛佳电子的产品的质量又向前迈进了一大步并成为赛佳电子快速发展史上的一个新的里程碑。

多年的积累沉淀，多年的努力奋斗，YANKON照明电器实验室经受住了多重考验和评审，怀着激动和喜悦的心情在共和国60周年大庆的前夕，近日迎来了翘首已盼的CNAS认可证书。 　　 　　 　　CNAS 中文 TUV IEC60968认可证书 　　YANKON照明电器实验室初建与2002年，为了与国际接轨，提升公司的技术持续发展的需要，表明具备了按相应认可准则开展检测服务的技术能力增强市场竞争能力，赢得政府部门、社会各界的信任使实验室的报告获得签署互认协议方国家和地区认可机构的承认　提高YANKON的知名度。2007年5月公司决定正式成立浙江阳光集团股份有限公司照明电器实验室，受公司最高管理层直接领导，独立于公司的其他部门。从实验室成立之日起，公司就明确要求实验室以CNAS CL01/ISO 17025《检测和校准实验室的通用要求》来开展实验室的所有活动，并在短时间内获得CNAS的认可。 　　YANKON实验室总投资1000万元，占地面积近880平方米。按照CNAS规定配置了管理和检测技术工作人员，其中高、中级技术人员占60%。配备有用于照明电器产品的安全、性能及EMC检测的各类高精度检测仪器设备100余套，其中引进的德国R&S的EMI测试系统和瑞士EM-TEST的EMS 测量仪器、英国VOLTECH高频功率分析仪和电源阻抗网络、日本YOKOGAWAR数字功率计、美国LeCroy示波器、德国PTL冲击试验仪、浙江大学光谱分析仪、北京电光源灯具分布光度测试系统、日本ESPEC潮湿试验箱等设备，具有国际领先水平。 　　 　　寿命试验室 　　YANKON实验室本着国内一流、国际先进的理念，建立了内部局域网，实行网络管理、网上办公，实现了办公自动化。 　　YANKON作为国家标准的起草单位之一，YANKON实验室参与制定GB 7000系列灯具国家标准、GB 19510系列灯的控制装置国家标准、电光源系列国家标准和国家标准宣贯材料的编写工作。 　　YANKON实验室与国家电光源质量监督检验中心、国家灯具质量监督检验中心、国外实验室、复旦大学、浙江大学、成都电子科技大学等大专院校建立了广泛的信息沟通平台，保证了检测技术的先进性。 　　YANKON实验室是国内照明企业为数不多的经中国合格评定国家认可委员会CNAS认可的实验室之一(认可证书号CNAS L4205)，是目前国内照明行业检测设备最先进、检验项目最齐全的检测机构之一。 　　YANKON实验室同时还是德国TUV-Rheinland认可的CB-TMP实验室和法国BV技术合作实验室。 　　YANKON实验室按国际标准ISO/IEC 17025《检测和校准实验室能力的通用要求》建立了完整的管理体系，并已通过中国合格评定国家认可委员会CNAS的认可。YANKON实验室始终坚持：“恪守标准、客观公正、科学正确、优质高效”的质量方针，做到规范管理、要求严格，保证了测试数据和结果的准确、可信。 　　YANKON实验室具有完善的管理体系，以及过硬的检测技术队伍，在认证、检测技术方面积累了丰富经验。发展至今，实验室已在检测领域获得了多项资质，具有了一定的声誉和地位。作为企业代表参与了国家认证政策、技术标准、检测规范的制定。 　　YANKON实验室的主要职责之一是：承担公司技术部门研发产品验证工作。随着各国作为技术壁垒的认证制度的不断健全，以及海外新兴市场范围的不断扩大，给认证工作带来了很大难度。YANKON实验室充分认识到，实验室获得CNAS认可资质，是保证认证工作的顺利进行必要条件。YANKON实验室将通过规范化的建设，依据国际标准ISO/IEC17025《检测和校准实验室能力的通用要求》建立了实验室质量控制体系，确保了检测数据的准确性、可信性，得到客户广泛的认可。利用CNAS的双边协议，获认可实验室出具的检测报告将会得到协议国的认可，为公司节约认证费用，简化认证流程。 　　YANKON实验室的另一项重要工作是接受公司内外客户的委托检测，利用实验室提供的精确测试数据，可以大大缩短研发设计周期和产品的质量控制，从时间、效率、质量等方面提升公司的研发设计水平，从而保证新产品的市场竞争力。 　　YANKON实验室下设5个部门：1、灯具检验室 主要从事灯具的安全试验和灯的光学性能检测2、灯的控制装置和附件检验室主要从事电子镇流器为代表的灯的电子电器领域及灯座等附件的试验和检测3、光源光学性能检验室主要从事电光源的光学性能和安全性能的试验和检测4、EMC检验室主要从事照明电器的传导、辐射、谐波、电压波动和跌落、浪涌等EMI和EMS的试验和检测5、综合管理室主要是实验室的日常管理工作，如样品、检测工作的安排，文件的管理等。 　　YANKON实验室的远期目标是成为国内领先国际一流的照明专业实验室，为社会提供权威、准确的检测服务。目前的主要检测项目涵盖通用照明电器产品的三大门类(电光源、电器附件、灯具)的性能要求、安全要求以及电磁兼容测试，下一步我们将拓展在其他照明领域(如航空、运输照明设备)、照明工程检测(现场检测)、LED(固态照明)的检测项目，成为全方位的照明测试方案解决者。

梅特勒托利多汽车衡配套件更新通知梅特勒托利多关于Powercell PDX/GDD汽车衡配套件更新的官方声明浪涌保护器更新配套Powercell PDX/GDD车辆衡的浪涌保护器于2018年8月1日在中国市场全面切换！防雷指标范围更大，专业机构认证。 总部件(带不锈钢外壳)BOM：30408737主要技术参数a)型号：CJPSb)接多功能电源插座，接交流电源；适用电源：220VACc)波形：8/20uS脉冲波形保护电压：≤1.0KV（L-N）；≤1.5KV（L-G，N-G）d)保护电流：3kA；负载电流：6Ae)保护方式：L-N，L-G，N-Gf)防雷等级：III级（D）(GB50057-94)外形及安装尺寸a)外形尺寸：247（长）X121（宽）X76.1（高）mmb)安装尺寸：安装孔；2-Φ6，安装孔中心距：225mmc)重量：1.3kg POWERCELL PDX车辆衡的电缆更新 配套Powercell PDX车辆衡的电缆于2018年8月1日在中国市场全面提升性能！整体不锈钢材料，防腐能力更强，满足广泛行业应用！ 整体不锈钢材料，防腐能力更强，满足化工、海边等严酷的安装和使用环境!主要改进如下: 优质不锈钢材料接头PMSS六角外形更方便服务安装满足ATEX全球防爆新的认证要求更强的环境适应能力 关于梅特勒-托利多Powercell PDX汽车衡 梅特勒-托利多现在推出了卓越的POWERCELL® PDX® 称重传感器，并且具有无与伦比的10年保修。 提供行业领先的准确性和可靠性，较低的总拥有成本，现在又有全面的10年保修作为支撑。 如果您要购买新的汽车衡或者只是希望升级地磅-POWERCELL® PDX® 是您的最终选择。

防雷这事儿，距离普通市民似乎挺远的，除了建筑施工单位，一般人很少会接触到。不过，雷电事故，却与每栋建筑物里的每个人都息息相关。因此按规定，几乎所有建筑物上都需要安装防雷装置。那么，问题来了，这些装置安装后是需要出具检测报告的，否则建筑无法竣工验收。而多年以来，具有检测资质的，都是气象局下属的事业单位性质的检测机构。 　　进入6月，多雷雨的季节到来。气象防雷检测最近也被炒得很热。江苏宿迁一年1000多万元的&ldquo 防雷减灾&rdquo 气象技术服务收费，将已争论多年的&ldquo 防雷检测垄断&rdquo 问题再次推到风口浪尖。紧接着，5月26日，中国气象局办公室下发《关于取消第一批行政审批中介服务事项的通知》，取消&ldquo 雷电灾害风险评估&rdquo 、&ldquo 防雷产品测试&rdquo 等4项行政审批中介服务事项。 　　防雷检测市场的放开，是大势所趋。&ldquo 现在国家层面正在制定具体办法，或许今年就能放开。&rdquo 相关人士称。有分析人士认为，对于气象来说，这是一个开始 对于诸多其他的公共领域简政放权、深化改革来说，也将是一个新的起点。一家建筑单位的诉说 　　10万平方米大楼 检测费10余万很正常 　　徐重(化名)是一家建筑公司的工作人员。他说，就济南来说，除了附近区县，有3家气象局认可、有资质的机构可供选择，一是山东省雷电防护技术中心，二是济南市长清区雷电防护技术中心，三是山东省气象局大气探测技术保障中心(目前这家已不做了，改为泰安的一家检测机构)。 　　涉及防雷的，他会与其中一家签一个协议，大致内容是对方对该项目的防雷设计图纸进行技术评价、雷电防护装置进行检测验收。&ldquo 通俗点说，施工前，他们负责设计图纸中防雷这方面，看是否有不合理的地方 施工中，他们会在一些节点进行分段检测，比如&lsquo 正负零&rsquo 、&lsquo 封顶&rsquo 等 完工后，他们还要出一个验收报告。&rdquo 他说，没有这个报告，这栋楼的竣工验收就做不了。 　　根据2013年10月1日起执行的《山东省物价局关于防雷减灾技术服务收费有关问题的复函(鲁价费函〔2013〕81号)》，按照新建、改建和扩建建筑物的建筑面积，防雷设计图纸审核每平方米0.1元，再加上防雷装置施工质量及竣工验收检测每平方米0.9元，其中一、二类加收25%。&ldquo 这可不是一个小数目。新建小区从10多万平方米到几十万平方米、甚至数百万平方米的，仅检测就得花一大笔。&rdquo 徐重说，还有雷电浪涌保护器(又称避雷器，适用于家庭住宅、第三产业以及工业领域电涌保护的要求，一般大楼配电柜的设计里就有)的检测，一台100元，&ldquo 一个10多万平方米的小区，检测个两三百台是很正常的，两三万就花出去了。&rdquo 　　徐重的朋友张新(化名)也是干建筑的。他所负责的项目在上述检测基础上，还做了一个&ldquo 雷电风险评估&rdquo ，这个与投资额有关，他们花了10多万元，还是优惠以后的。根据规定，要求做这个评估的，一般是大型建设工程、重点工程、爆炸和火灾危险环境、人员密集场所等等。 　　张新说，现在有些价格有时也可商量，但多数还都比较硬气。&ldquo 若是检测市场放开了，参与的机构多了，再没有背后的&lsquo 官帽&rsquo 做支撑，我们在讨价还价、服务质量要求等方面，会更有勇气的。&rdquo 他说。 　　一个防雷企业的企盼 　　&ldquo 目前济南市场近千万，今后潜力更大&rdquo 　　与徐重、张新这些建筑商相比，济南一家防雷企业的负责人郑利(化名)对市场开放的期盼更为强烈。&ldquo 5月26日，关于取消4项审批的通知我看了，上面写到了第一批，我估计还会有第二批、第三批&hellip &hellip &rdquo 郑利琢磨着词语里的含义，揣测着政策的走向。 　　在济南摸爬滚打多年，郑利的公司有防雷设计、施工资质。&ldquo 我们是专业防雷的。&rdquo 他说，大家口中的避雷针，其实学名叫接闪杆接闪小针。它起到的作用就是当雷电流打下来的时候，它接闪，接闪通过引下线传输到大地，传输到所谓的地网上面，从而保护建筑物和建筑物内部的人员和设备安全。 　　现在一些楼体防雷的活儿，比较基础，都是土建层面上的，施工单位自己就做了。比如，加工或购买一些成品的镀锌钢筋，做成避雷针，在楼顶打上一圈，然后用线通过大楼的主体结构，将其引到地面上。而专业公司做的是综合防护，比如楼内人员、电器、智能化设备等的防护。再比如，机房、信息系统、电力、通信、石化等方面复杂一些的防雷，从设计到施工，就得他们做了。 　　&ldquo 我们现在还有一块，就是产品的销售，比如浪涌保护器。&rdquo 郑利认为，现在一些防雷企业已经比较成熟，对避雷针、避雷带以及浪涌保护器等安装有丰富经验，也能操作接地电组测试仪等，检测市场放开后，会降低成本，提升服务质量。这也是个倒逼的过程，会进一步激发设计、施工这一块的活力和竞争力。 　　他更希望能从检测市场的蛋糕中分一杯羹，&ldquo 我们现在有这个优势，关键看政策怎么建准入机制。&rdquo 　　他和几个朋友曾做过一个粗略的估算，&ldquo 目前长清、平阴、济阳、商河、章丘都有检测中心，但除了长清也参与市区外，其他都只在自己的那个区域打转转，总的算起来，估计一年不会超过1000万元。跟江苏宿迁差不多，不过咱是省会，人家才是个地级市啊。所以，这个市场的潜力还是很大的。&rdquo 对于该数据，一相关人士则称&ldquo 大体差不多&rdquo 。 　　专家说法公共安全领域的深改这只是一个开始 　　&ldquo 涉及公共安全领域的改革，气象应该只是一个开始。按此前释放的政策信号，今后包括人防、消防等在内的很多项目都可能会深化改革。&rdquo 济南市社科院经济研究所所长王征说，同样是公共安全领域，浙江省的建设、消防、公共卫生等领域检测事项早已走向市场，自2006年以来，已有200余家民营企业取得了建设工程检测资质、100余家获得了消防工程检测资质、25家获得了公共卫生工程检测资质。 　　国务院日前出台《2015年推进简政放权放管结合转变政府职能工作方案》里明确提出，推进收费清理改革，取消政府提供普遍公共服务的行政事业性收费，清理规范具有强制垄断性的经营服务性收费，不得将政府职责范围内的事项交由事业单位或中介组织承担并收费，实行收费目录清单管理。 　　王征认为，这是给政府划界限，也是给事业单位、企业松绑。权利清单之外的，该放的必须放，责任清单之内的，该管的一定要管。这样的市场才能是有序的、有活力的，经济蛋糕也能做得更足、更细，分得更多。比如韩国，防雷设备检测，不仅是大型研究所在做，也有私营企业做，竞争非常激烈。为了竞争，甚至还有企业为用户提供上限在10亿韩元(折合570万人民币)至30亿韩元的避雷产品保险。随着韩国社会防雷意识的提高，很多高层建筑、化工厂等也会根据自身需要委托相关机构和企业做定期的精密防雷检测。 　　此外，还有专业人士认为，对于防雷来说，不仅是设计、安装、检测的事，还有后期定期维护的问题。这些都需要市场的介入加以开发、提升，也需要政府部门的后期监管、督促。 　　开放市场是趋势&ldquo 民企&rdquo 准入尚待国家办法 　　对于防雷检测市场放开问题，省气象局政策法规处相关负责人表示，这肯定是一个大趋势。 　　目前，中国气象局正在加快推进《防雷装置检测资质管理办法》制定等工作。待《办法》颁布后，他们将严格按要求制定我省相关的资质认定流程和实施细则，并开展资质认定等相关工作。这有三方面工作要做：一是有序放开。让更多企业依法参与竞争，激发市场活力，促进市场发育，他们会更好地履行防雷服务监管责任 二是加强日常监督和过程监管，建立公示制度和退出机制 三是引导行业自律，比如行业协会的建立等。 　　该负责人说，目前山东有近30家检测机构，都是事业单位性质，今后更多参与了，机构肯定会更多。&ldquo 这些机构除了检测这块，还承担着包括预警预报、科研科普、基础调研分析等在内的诸多公益事项，这块能占到一半还多。&rdquo 　　至于大家比较关注的、5月26日下发的《关于取消第一批行政审批中介服务事项的通知》，该负责人也作了详细解释。他们已要求全省气象部门修订行政许可场所和本单位气象网站公示的服务指南等内容，落实《通知》。他说，《通知》中提到的&ldquo 防雷产品测试&rdquo ，与目前经物价部门审批的1台100元的浪涌保护器检测费并非一个概念。而是指该产品在流动到市场之前，在北京、上海等测试中心所做的一个抽样检测，山东一直没有这块收费。目前的浪涌保护器检测费，是指安装之后的检测。 　　至于&ldquo 雷电灾害风险评估&rdquo ，简称&ldquo 雷评&rdquo ，并非所有建筑都做。根据《防雷减灾管理办法》，一些大型工程、重点工程、易燃易爆及人员密集场所等工程项目会要求做。至于山东一年做&ldquo 雷评&rdquo 的比例，该负责人表示尚不掌握这个实际数据，不过2014年，大约有10%-15%。&ldquo 山东目前的收费标准，在全国属于偏低水平。&rdquo 他称。气温超22℃，啤酒劲销 气温再每升1℃，啤酒多销230万瓶。 　　价值百亿的&ldquo 气象经济&rdquo 你知道多少 　　&ldquo 改革最好的境界是什么?伴随着行政审批改革，会产生一个新的经济形态，会有一个新的改革路径，会产生新的经济增长点。&rdquo 市社科院经济发展研究所所长提到了&ldquo 气象经济&rdquo 。在他看来，目前行政审批的改革背后，是远非增强检测市场活力等所能&ldquo 探底&rdquo 的。 　　据《彭博商业周刊》报道，中国目前没有一家私营的商业气象公司，气象服务一直是政府机构垄断，若能够放开，可能会带来一个价值百亿的空白市场。 　　什么是气象经济?防雷检测市场的放开?设计、施工企业的增多?远非如此。 　　气温超过22摄氏度，啤酒开始劲销，气温再每上升1摄氏度，大瓶装的啤酒每天会多销230万瓶，德国气象公司由此开发了&ldquo 啤酒指数&rdquo 。此外，还有乘车指数、冰激凌指数、泳装指数、食品霉变指数等，商家可据此提前制订生产营销计划。 　　在一天的不同时段、不同天气下，哪种商品卖得最好?零售业是看天吃饭的行业，气温相差两三摄氏度，某些商品的销量就会相差一两倍。因此，在日本很多门店都会定制精准天气，从而准确订货、减少库存、提高销售。 　　气候变化，影响了咖啡作物。一些咖啡运营就需要根据天气情况，提前做准备，比如对采取额外措施防止生态脆弱地区水土流失的农户给予奖励。 　　再举一些距我们更近的例子。天气一凉，许多人的反应就是添置衣物。所以在很多门店里，夏装疯狂打折，而秋装则是全面闪亮登场。连续几天降雨，蔬菜采摘会受到影响，导致价格小幅上扬。也许天气预报会告诉你，过几天降雨会停，菜价还会回落&hellip &hellip 　　除了&ldquo 靠天吃饭&rdquo 的农业外，航空、航海、商业零售、快递物流业、建筑业等，都对天气颇为敏感。 　　实际上，气象服务是一个大产业。美国和日本是全世界商业气象服务发展最好的国家，酝酿出多个世界顶尖的商业气象服务公司。比如天气经济咨询公司，一是为企业服务，主要提供预测咨询、天气风险系数分析系统以及商品销售预测分析 二是为媒体服务，以提供天气资讯为主 三是以天气风险管理为主，包括风险评估、精算天气保险、天气衍生性商品等。这样的咨询公司美国有500家、日本有80家。 　　我国气象经济的发展还处于起步阶段。比如，知名度颇高的天气产品是墨迹天气，一款天气类App应用。截至2014年6月，其装机量已达到2.7亿，在中国市场占据天气类App超过50%的份额，位列第一。在上海，也有了气象经纪人，负责把经过深加工的个性化气象产品带给企业，送入市场的每个角落。 　　据有关资料显示，在经济学界有个著名的德尔菲气象定律，即企业在气象预测方面投入1元，可得到98元的经济效益。目前在上海，气象经济的年产值已达上千万元，花钱购买气象比较积极的除交通企业、大项目工程外，就是一些大商场、超市了。

近些时期以来，科学仪器生产、研发过程中如何应用可靠性工程，以达到提高科学仪器质量，满足用户对仪器可用、耐用的目标，已经越来越为行业所重视。科技部条财司，根据仪器专项的现状和特点编制了《科学仪器设备开发可靠性工作指南》 科技部条财司委托组织重大专项项目参与单位进行免费的可靠性工程相关培训 近日，工业和信息化部电子第五研究所与钢研纳克检测技术有限公司在钢研纳克永丰产业基地举行了仪器设备可靠性提升工程战略合作协议&hellip &hellip 在科学仪器开发中如何具体开展可靠性工程，越来越为众人所关注。近日，PConline记者受邀参观联想研发实验室以及云计算方案的实验室，其中有关&ldquo 联想的可靠性测试实验室&rdquo 大量照片，亦可为科学仪器行业学习、借鉴。 　　全文如下： 　　记者亲身探秘 联想实验室高清大图全流出 　　从收购IBMPC事业部，再到对IBM x86服务器业务的收购，业内对联想的关注也越来越高。有人说联想是在有步骤的下一盘大旗，也有人说联想的步子迈的有点大。略掉外界的评价，不得不承认的是得联想在技术研发上是下了一番苦功夫的。 　　近日，PConline记者受邀参观联想研发实验室以及云计算方案的实验室。在这次参观中，记者跟着联想的工作人员详细参观了联想的各个实验室，并进一步从服务器研发、方案实验室中体验到联想的技术实力。每个企业都有自己的特点和自己的企业文化。通过对企业的参观，相信大家也会对联想这家企业会有进一步的了解： 　　记者首次看到了联想的可靠性测试实验室，涉及产品检测的方方面面、包括温度、湿度、电压、电磁辐射、噪声、摔落，长时间满负载负荷等等一系列可靠性测试。 联想可靠性实验室 　　测试标准力争高于业界标准，为用户提供最可靠的保障。 联想可靠性实验室 　　联想可靠性实验室是第一次正式对外。 联想可靠性实验室 联想可靠性实验室 联想可靠性实验室 联想可靠性实验室 联想可靠性实验室 联想可靠性实验室 　　联想可靠性实验室包含MTBF实验室(测试平均无故障时间)、高低温测试、电磁兼容、传导骚扰测试、浪涌抗扰度测试、电压暂降与短时中断抗扰度测试、电快速瞬变脉冲群抗扰度测试、散热开发、噪音测试、安规实验等在内的若干实验室。 　　联想测噪音实验室 　　联想噪声测试实验室，该实验室是用来进行产品噪声特性测试和评估的实验室。 噪声测试实验室 　　为了避免地板等固体所带来的噪音波动，噪声实验室建立在建造在200多个半米高的弹簧上。 噪声测试实验室 　　进入实验室后，大家都在议论，耳朵感觉非常不舒服。实验室工作人员讲解，说是正常办公环境为40分贝，而次实验室只有12分贝，所以到这种环境中会感觉到很不舒服。 噪声测试实验室 　　为了营造足够安静的环境以测试产品，实验室不光墙面做了吸音和隔音处理，悬空以隔绝外部振动的声学影响。跺一跺脚，整个房间都在晃悠。 噪声测试实验室 噪声测试实验室 　　在进行吸音测试时，噪音只有12分贝。噪音实验室为避免地面的低频噪音，采用了整体悬空状态，所以是可以活动的。 　　联想电磁兼容实验室 　　联想电磁兼容实验室是进行产品电磁干扰性能评估，保证产品向空间和电网的干扰在控制范围内。 电磁兼容实验室 电磁兼容实验室 　　实验室为标准3米实验室，测试一台机器约40分钟。 电磁兼容实验室 电磁兼容实验室 　　通过吸波材料，模拟开阔场地中的直射波环境，使得联想服务器正常工作时(比如大数据分析、VIDIO、硬盘读写、网络等等典型环境)不会影响其他设备的工作，其他设备也不会影响服务器的工作。 电磁兼容实验室 　　采用西门子技术，共测试八个指标，需全部符合国家标准。 　　联想威睿技术联合实验室 　　联想威睿技术联合实验室是由全球顶级硬件厂商和云计算软件厂商共建的联合实验室。 联想威睿技术联合实验室 　　作为联想和VMware战略合作的重要部分，该联合实验室承载了云计算方案开发、方案展示、测试验证、人才培训等平台功能。 联想威睿技术联合实验室 　　联想威睿技术联合实验室旨在为客户合作伙伴进行云计算的测试，通过把联想硬件和VMware软件部分结合，然后加以开发。 联想威睿技术联合实验室 　　作为方案展示中心，联合实验室通过可视化的演示和互动，让客户感受到云计算带来的技术革新及其与业务应用深度融合所产生的巨大价值。 联想威睿技术联合实验室 　 联想威睿技术联合实验室 　　此外，联合实验室还能为客户快速搭建集成测试环境，加速客户信息系统从传统模式到云计算模式的转换。 　　联想云计算方案实验室 　　联想云计算方案实验室，该实验室隶属联想企业业务集团，主要工作目的是为了在云计算方面进行方案开发。 联想云计算方案实验室 　　实验室左侧为基于IT基础架构平台方案展示。 联想云计算方案实验室 联想云计算方案实验室 　　实验室右侧为行业方案展区，演示了平台方案如何落地为行业应用。 联想云计算方案实验室 　　在当天的解决方案实验室，媒体记者也在不经意之间见到了联想的天蝎计划1.0整机柜，这是一套按照天蝎计划1.0规划设计制造的整机柜交付产品。 联想云计算方案实验室 　　机柜融合了服务器、存储、网络。 联想云计算方案实验室 　　据透露，联想会在2014年针对天蝎计划2.0推出新的产品，而上一代天蝎1.0机柜&ldquo 去年在腾讯也做了部署&rdquo 。 联想云计算方案实验室 联想云计算方案实验室 　　据了解，在过去的一年半时间里面，联想由原来的北京研发中心扩充为一个全球开发的布局，包括北京、台北、美国的罗利和巴西四地的研发。 联想云计算方案实验室 　　研发团队整个人员规模翻了两翻，由原来了70多人，现在达到了300人以上，这300人平均行业的经验超过10年，其中有50位顶尖的专业人士。 　　联想实验室拍摄花絮 联想实验室 联想实验室 联想实验室 联想实验室 　　联想集团企业产品集团全球服务器研发中心高级&rdquo 总监王化冰表示：&ldquo 实验室不只是最后的一个验证的手段，对于前期的开发也是至关重要的。特别是对于一些领先产品的原形设计，都是在我们实验室里面经过缜密的测试以后，才真正形成原形，最后进入开发阶段。 　　目前联想在全球有53个顶级的实验室，这些实验室通过了各项的专业认证。除了人员，联想在整个实验室建设有很大的投入。在用技术实力说话的今天，联想要进入全球服务器厂商前面的名词，技术研发就是必须拿得出手的硬实力，而联想的稳扎稳打相信会给他们赢得更多的机会和掌声。

2010年05月04日，北京信测科技有限公司与Narda意大利PMM公司成为合作伙伴。作为一级代理商和售后服务中心，北京信测负责Narda意大利PMM公司的电磁兼容（EMC）测试产品在中国的销售及售后服务。 品牌介绍： Narda意大利（暨PMM）是设计、制造EMC（电磁兼容）设备和系统市场的领导者。 公司理念是同客户建立一种真实的合作关系，解决客户在EMC方面任何可能遇到的问题。 除了生产、销售EMC产品，自从1980，PMM开始提供测试以及计量服务。服务对象覆盖EMC领域、通用产品以及无线电领域。 PMM位于Albenga的开阔场测试场地得到意大利国家电子技术协会"Galileo Ferraris" 的认可，它可以完成任何EMC和RF测试和计量。 1981年， PMM获准成为意大利计量系统的下属计量中心，SIT号码08/E。可计量射频功率、电场、频率和电压。 1985年， PMM成为意大利科技部授权实验室 (LIGURIA - II list N. 159)； 按照意大利相关法律法规# 46/1982,要求，对科技研发工作给予协调支持及实践。 自从1991年以来，PMM参与了EMC的标准制定，从国内标准到国际标准： 目前PMM已经成为多个协会如CISPR, IEC, CENELEC以及意大利国家委员会的重要成员。 1992年， PMM开始在意大利销售和分销EMC产品，并通过全球分销商将PMM生产的产品销往世界各地。 1995年12月22日 ，PMM被意大利通信部"Direzione Generale per la regolamentazione e la qualità dei servizi (ex I.G.T. Ispettorato Generale delle Telecomunicazioni)" 授权为许可实验室，检测无线电传输设备和无线电接收设备。 1996年1月， PMM被意大利通信部授予EMC"胜任实体(Competent Body)"，符合EEC89/336指令。于 1996年2月29日 颁布(G.U. N° 50)。 1998年10月 ，PMM质量控制系统通过Det Norske Veritas鉴定，电子测试设备的设计、生产和贸易，无线电电气的测试和计量符合UNI EN ISO 9001质量控制标准。 标准号# CERT-03564-98-AQ-GEN-SINCERT. 2002年， PMM电磁场场强项目的SIT计量中心认证，依据标准EN17025。 2003年 ，PMM的质量管理系统进一步提高，通过 ISO 9001:2000 认证。 Narda意大利（暨PMM） 主要业务 - 设计、研发和生产EMC和射频设备 ；客户特殊要求项目 - 销售EMC设备和系统 - EMC技术及标准的培训和课程 SIT 计量中心 - 测试服务和咨询服务 - 静电、电快速瞬变脉冲群、浪涌、天线的计量校准中心 *注：PMM公司现已更名为Narda意大利公司，由Narda德国负责管理，PMM品牌不变

2023年3月28日，德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码：TXN)宣布推出业内先进的独立式有源电磁干扰 (EMI) 滤波器集成电路 (IC)，能够帮助工程师实施更小、更轻量的 EMI 滤波器，从而以更低的系统成本增强系统功能，同时满足 EMI 监管标准。随着电气系统变得愈发密集，以及互连程度的提高，缓解 EMI 成为工程师的一项关键系统设计考虑因素。得益于德州仪器研发实验室 Kilby Labs 针对新概念和突破性想法的创新开发，新的独立式有源 EMI 滤波器 IC 产品系列可以在单相和三相交流电源系统中检测和消除高达 30dB 的共模 EMI(频率范围为 100kHz 至 3MHz)。与纯无源滤波器解决方案相比，该功能使设计人员能够将扼流圈的尺寸减小 50%，并满足严苛的 EMI 要求。更多有关德州仪器新的电源滤波器 IC 产品组合的信息，请参阅TI.com/AEF。 　　德州仪器开关稳压器业务部总经理 Carsten Oppitz 表示："为了满足客户对更高性能和更低成本系统的需求，德州仪器持续推动电源创新，从而以具有成本效益的方式应对 EMI 设计挑战。我们相信，新的独立式有源 EMI 滤波器 IC 产品组合将进一步助力工程师解决他们所面临的设计挑战，并大幅提高汽车、企业、航空航天和工业应用中的性能和功率密度。" 　　显著缩减系统尺寸、重量和成本，并提高可靠性 　　如何实施紧凑和高效的 EMI 输入滤波器设计是设计高密度开关稳压器时的主要挑战之一。通过电容放大，这些新的有源 EMI 滤波器 IC使工程师能够将共模扼流圈的电感值降低多达 80%，这将有助于以具有成本效益的方式提高机械可靠性和功率密度。 　　新的有源 EMI 滤波器 IC 系列包括针对单相和三相商业应用的 TPSF12C1 和 TPSF12C3，以及面向汽车应用的 TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1。这些器件可有效降低电源 EMI 滤波器中产生的热量，从而延长滤波电容器的使用寿命并提高系统可靠性。 　　新的有源 EMI 滤波器 IC 包括传感、滤波、增益、注入阶段。该 IC 采用 SOT-23 14 引脚封装，并集成了补偿和保护电路，从而进一步降低实施的复杂性并减少外部组件的数量。 　　减轻共模发射以满足严格的EMI标准 　　国际无线电干扰特别委员会 (CISPR) 标准是限制电气和电子设备中 EMI 的全球基准。TPSF12C1、TPSF12C3、TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1 有助于检测、处理和降低各种交流/直流电源、车载充电器、服务器、UPS 和其他以共模噪声为主的类似系统中的 EMI。工程师将能够应对 EMI 设计挑战，并满足 CISPR 11、CISPR 32 和 CISPR 25 EMI 要求。 　　德州仪器的有源 EMI 滤波器 IC 满足 IEC 61000-4-5 浪涌抗扰度要求，从而大幅减少了对瞬态电压抑制 (TVS) 二极管等外部保护元件的需求。借助 PSpice® for TI 仿真模型和快速入门计算器等支持工具，设计人员可以轻松地为其系统选择和实施合适的元件。 　　德州仪器始终致力于通过持续的突破性成果进一步推动电源发展，例如，低 EMI 电源创新可帮助工程师缩减滤波器尺寸和成本，同时显著提高设计的性能、可靠性和功率密度。 　　封装及供货情况 　　车规级TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1 现已预量产，仅可从 TI.com.cn 购买，采用 4.2mm x 2mm SOT-23 14 引脚封装。2023 年 3 月底，商用级 TPSF12C1 和 TPSF12C3 的预量产产品将可通过 TI.com.cn 购买。TPSF12C1QEVM 和 TPSF12C3QEVM 评估模块可在 TI.com.cn 上订购。TI.com.cn 提供多种付款方式和配送选项。德州仪器预计各器件将于 2023 年第二季度实现量产，并计划在 2023 年晚些时候发布另外的独立式有源 EMI 滤波器 IC。

近日，广东省计量科学研究院公开招标，购买精密露点仪标准温度计、空气离子测量仪等多台仪器，预算784.35万元。　　项目编号：CLF0121GZ02ZC99　　项目名称：2021年度国产计量检测仪器设备采购项目(第一批)　　采购方式：公开招标　　预算金额：7,843,500.00元　　采购需求：　　合同包1(比对类检测设备):　　合同包预算金额：678,500.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1试验仪器及装置精密露点仪标准温度计1(套)详见采购文件--1-2试验仪器及装置高精度直流标准表1(套)详见采购文件--1-3试验仪器及装置一般压力表15(个)详见采购文件--1-4试验仪器及装置高精密数字测温仪4(台)详见采购文件--1-5试验仪器及装置温湿度巡检仪1(套)详见采购文件--　　本合同包不接受联合体投标　　合同履行期限：自签订之日起至所有设备质保期满后 。　　合同包2(财政专项类检测设备):　　合同包预算金额：4,421,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)2-1试验仪器及装置气体活塞式压力真空计1(套)详见采购文件--2-2试验仪器及装置三相电能表检定装置1(套)详见采购文件--2-3试验仪器及装置直流电能表综合检测装置1(套)详见采购文件--2-4试验仪器及装置三相电能表耐久性试验装置1(台)详见采购文件--2-5试验仪器及装置磁场标准装置1(套)详见采购文件--2-6试验仪器及装置高精度直流测试系统(标准表)1(套)详见采购文件--2-7试验仪器及装置全自动活塞式压力计1(套)详见采购文件--2-8试验仪器及装置温湿度标准箱1(套)详见采购文件--2-9试验仪器及装置直流电压传感器校准装置1(台)详见采购文件--2-10试验仪器及装置高低温湿热试验箱3(套)详见采购文件--2-11试验仪器及装置双通道高精度直流多用表1(套)详见采购文件--2-12试验仪器及装置交流电压传感器校准装置1(台)详见采购文件--2-13试验仪器及装置单相电能表耐久性试验装置1(台)详见采购文件--2-14试验仪器及装置三相电能表检定装置1(套)详见采购文件--　　本合同包不接受联合体投标　　合同履行期限：自签订之日起至所有设备质保期满后　　合同包3(监督抽查类检测设备):　　合同包预算金额：1,585,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)3-1试验仪器及装置膜式燃气表温度适应性装置1(套)详见采购文件--3-2试验仪器及装置直流高压浪涌耦合/去耦合网络1(台)详见采购文件--3-3试验仪器及装置紫外线耐气候试验箱1(套)详见采购文件--3-4试验仪器及装置电子式交流电能表射频电磁场感应的传导骚扰抗扰度试验装置1(套)详见采购文件--3-5试验仪器及装置电能表继电器负载测试台1(套)详见采购文件--3-6试验仪器及装置三相耐久性程控源5(台)详见采购文件--3-7试验仪器及装置三相电能表检定装置1(套)详见采购文件　　本合同包不接受联合体投标　　合同履行期限：自签订之日起至所有设备质保期满后　　合同包4(化学省站建设项目检测设备):　　合同包预算金额：1,159,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)4-1试验仪器及装置30m3环境测试舱（玻璃舱体）2(套)详见采购文件--4-2试验仪器及装置高纯气体脱氧、脱水系统1(套)详见采购文件--4-3试验仪器及装置气体标准物质自动配气装置1(套)详见采购文件--4-4试验仪器及装置3m3环境测试舱（玻璃舱体）1(套)详见采购文件--4-5试验仪器及装置1m3环境测试舱（玻璃舱体）2(套)详见采购文件--4-6试验仪器及装置空气消毒机消毒效率检测系统1(套)详见采购文件--4-7试验仪器及装置空气离子测量仪1(台)详见采购文件--　　本合同包不接受联合体投标　　合同履行期限：自签订之日起至所有设备质保期满后　　开标时间：2021年05月20日 09时30分00秒(北京时间)委托协议.pdf2021年度国产计量检测仪器设备采购项目（第一批）招标文件（2021042903）.pdf

33台梅特勒托利多汽车衡，守护港珠澳大桥 ? 2018年10月24日上午9点，历时9年建造的港珠澳大桥正式通车。 港珠澳大桥是超级跨海工程，主体工程集桥、岛、隧于一体，是世界最长的跨海大桥，总长约55公里，西接广东珠海和澳门，将从珠海、澳门到香港的距离大幅缩短，通车后，港珠澳将形成“一小时生活圈”，广阔的伶仃洋，将由天堑变为通途。 120秒航拍带你了解港珠澳大桥： https://v.qq.com/x/cover/qb819fknvr5kmcl/v07601n4r2t.html?start=4 港珠澳大桥与梅特勒托利多 在港珠澳大桥成功通车的背后，有许许多多默默无闻建设者的辛劳付出。很荣幸，梅特勒托利多也参与其中。作为全球领先的车辆称重设备及系统制造商，梅特勒托利多为港珠澳大桥提供了33台最大称量80吨的汽车衡，这些汽车衡将会支撑起每一道车辆查验通道，确保所有车辆的高效称重和验放。 每辆汽车的过桥收费，尤其是货柜车辆，都是以梅特勒托利多汽车衡的称重结果作为结算标准，我们的汽车衡分布在珠海关口、澳门关口、检验场、货柜车辆X光查验通道等多个岗位，精确称量每一辆车的重量。 梅特勒托利多VTS系列数字式汽车衡POWERCELL PDX® 数字式称重传感器 梅特勒托利多服务数据表明，PDX 传感器的性能高出大多数旧式传感器的 10%。不仅消除了对接线盒的使用，而且经过密封，可在最恶劣的环境中使用。 坚固耐用的秤台结构由梅特勒托利多率先采用的正交各向异性设计与世界上一些车流量最大的高速公路采用的设计类似，可很好的应对大量车辆造成的压力，与标准工字梁平台结构相比，可更有效地分布重量。 超强防雷击通过国际权威机构的测试验证，能够承受高达80k安培的浪涌电流，内置式防雷系统为数字称重传感器和称重仪表提供保护，抵御二次雷击侵害，消除因此而增添的计划外维护费用。 经验证的性能 梅特勒托利多独有的疲劳试验机对每一款新产品都进行了整秤满负荷的寿命测试，这模拟了 20 年期间汽车衡承受的巨大车流量，以确保长久的操作性能。 梅特勒托利多的产品和服务将会在未来几十年中为港珠澳大桥保驾护航，当您通过港珠澳大桥过关通道时，欢迎低头看向地面，那里朴实无华，却有来自梅特勒托利多的力量！ 在港口、自贸区、高速公路、桥梁等各类大型工程项目中，MT一直都在，感恩客户信任，梅特勒托利多产品和服务必将不负所托！

功率器件可靠性研究和失效分析的基本介绍邓二平（合肥工业大学 电气与自动化工程学院 230009）摘要：功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的，也是特性参数测试无法评估的，失效分析则是分析器件封装缺陷、提升器件封装水平和应用可靠性的基础。可靠性测试项目的规范性、严谨性和可追溯性，对于功率器件可靠性评估和失效分析至关重要，也是保障分析结果全面性、准确性和有效性的基础。本文结合团队多年的可靠性和失效分析研究的相关经验，对研究步骤等进行了基本介绍，旨在为行业的发展提供可能的参考。1、引言功率器件近年来在国内得到了大力发展，尤其是第三代半导体器件SiC MOSFET与新能源汽车应用的结合，迎来了功率器件国产化的重大发展机遇，包括芯片、封装、测试和设备等。而可靠性研究和失效分析则是器件封装后评估器件长期稳定运行的基础，对器件封装改进、可靠性评估等具有重要意义。本文结合团队多年的可靠性研究经验，主要介绍了进行功率器件可靠性研究和失效分析的一些基本步骤、原理和需要注意的事项等，具体测试电路请参考相应的测试标准（如IEC、MIL、JESD和AGQ等测试标准）。功率器件主要包括：Si IGBT/diode, Si MOSFET/diode, SiC MOSFET/diode, GaN器件，目前市场上比较成熟的产品还是以硅基为代表的IGBT器件，电压等级最高可到6500V，电流目前最大到3600A。随着使用开关频率的提升、能耗要求和基础材料的发展，SiC基的功率器件己逐渐成熟，典型的代表是SiC MOSFET，新能源汽车的800V平台正大量使用1200V的SiC MOSFET。进一步地，GaN工艺的不断成熟以及在射频领域的发展经验，目前600V左右的高频开关领域GaN器件非常有优势，尤其是车载充电机(OBC)。不同类型的功率器件具有不同的特性，因此在测试方法和细节上要有所区分，如SiC器件由于栅极的不稳定性以及GaN动态的快速性需要重点关注。2、测试项目分类功率器件的测试一般分为基本特性测试来表征器件性能优良、极限能力测试来评估器件的鲁棒性、可靠性测试来评估器件长期运行稳定性以及失效分析助力器件改进和优化升级，具体如下。2.1 基本特性测试主要包括：静态特性测试（以IGBT为例一般指饱和压降Vces，阈值电压Vgeth，集-射极漏电流Ices，栅-射极漏电流Iges，稳态热阻Rth等静态参数）和动态特性测试（一般指双脉冲测试，包括开通延时时间td(on)，下降时间tf等动态参数），其中动态特性测试还可包括安全工作区SOA的测试，有RBSOA和SCSOA。静态特性主要表征模块的一些基本性能参数，是表征模块优良的重要指标，如饱和压降Vces表征器件的导通能力，Vces越小，模块工作过程中的导通损耗越小，相同条件下温升越小。器件加速老化可靠性实验前必须进行模块的基本特性测试，尤其是静态特性测试，一方面确保被测器件功能的完整性，另一方面可用于老化后的对比分析，助力器件失效模式的分析。但一般在可靠性老化测试中不进行器件的动态特性测试，即使是进行栅极老化的高温栅偏实验，一方面是动态特性测试时间很短，封装的老化并不会影响器件的动态特性，另一方面器件的部分动态特性可通过Iges和Vgeth表征，甚至可进行栅极电容的测试来表征。2.2极限能力测试主要包括：短路能力测试、浪涌能力测试和极限关断能力测试，考核的是器件在极端工况下的能力，尤其是关断能力。如短路能力测试主要考核器件在短路(一般有3类短路情况)条件下器件的极限关断能力，一般为10µs能关断电流的数值，主要考核芯片的能力。浪涌能力则是考核反并联二极管抗浪涌能力，一般是10ms正弦半波的冲击，尤其是SiC MOSFET的体二极管非常重要，可能还会影响栅极的可靠性，由于时间较长，主要考核封装的水平。极限关断能力则是考核器件饱和状态下在毫秒级的关断能力，如电网用的直流断路器需要在3ms关断6倍的额定电流。从物理和传热学理论来看，短路测试虽然会有大量的能量产生，最终也是由于能量超过芯片极限而损坏，但由于测试时间非常短，反复的短路测试不会引起封装的老化，而浪涌能力和极限能力测试则将进一步影响封装的老化，是加速老化测试未来应该重点关注的测试。进一步地，极限能力是特种电源等极端应用时需要重要关注的测试。2.3可靠性测试主要包括：功率循环、温度循环、温度冲击、机械冲击、机械振动、高温栅偏、高温反偏、高温高湿反偏和高低温存储等，额外的还包括盐雾等测试。按照应力的来源区分其实可分为电应力加速老化和环境应力加速老化，从器件研发到量产以及应用过程中，需要经过大于10项可靠性测试，机械冲击、机械振动、温度存储等主要考核的是器件在运输或者存储过程中的可靠性，而最重要的测试主要有高温栅偏、高温反偏、高温高湿反偏、温度循环和功率循环。这些实验也是工业界和学术界研究最多，最复杂的测试，尤其是功率循环测试。通过上述加速老化实验，提前暴露器件在芯片设计、封装工艺、样品制备、运输存储、实际应用过程中可能存在的问题，一方面可为器件厂商提供改进建议，优化器件的性能并提高器件可靠性，另一方面可为器件的应用方提供技术指导以及实际产品设计和可靠性验证提供数据支撑。2.4失效分析主要包括：SAM超声波扫描分析、X-ray材料损伤检测分析、SEM电子显微镜分析、光学显微镜分析和有限元仿真分析。SAM超声波扫描分析主要是通过超声波对器件内部各层材料进行探伤，尤其是材料的界面处，当存在一个空洞时，返回的超声波能量和相序发生了变化，即可进行定位。X-ray则更多是用于材料本体探伤研究，多用于材料级的失效分析，SEM电子显微镜和光学显微镜也是一样，但光学显微镜需要打开模块才能对相应的位置进行深入探究。有限元仿真分析是一个除实验外最好的检测、分析和研究手段，通过实验测量数据的对比和修正，完全重现实验过程中器件内部的细节和薄弱点，也是失效分析最难和最为重要的环节。3、可靠性研究步骤可靠性研究的基本步骤如下图1所示，一般需要在可靠性测试前进行一些基本特性测试确保器件的性能以及方便与老化后的进行对比分析，然后进行加速老化等可靠性测试，再进行基本特性测试和失效分析，探究器件的失效模式和失效机理。为了进一步深入探究器件内部各层材料在可靠性测试过程中的应力分布情况，可采用SAM超声波扫描以及有限元分析方法配合进行相应的失效分析。上述可靠性测试中高温栅偏100%与芯片有关、高温反偏约80%情况与芯片有关，也有因为封装老化导致的退化、高温高湿反偏测试也是类似的情况，其他所有可靠性测试均与封装有关，尤其是热特性和机械特性有关。图1所示的基本步骤也只是通用的研究过程，对于具体的问题还需要进行特定的对待和分析。比如大部分情况在可靠性研究中是不会进行极限能力测试的，但如果要研究器件老化对极限能力的影响，则需要进一步考虑，包括多应力的耦合测试。图1 功率器件可靠性测试基本流程这里以Si基IGBT器件的功率循环为例简单介绍一下可靠性加速老化的基本流程和各项参数测试的必要性，如下图2所示。以Infineon公司1200V, 25A Easypack封装的IGBT器件为例进行功率循环的老化测试、寿命评估和失效机理研究等。第I步：确定研究对象，也就是FS25R12W1T4，此封装内有6个开关组成的三相全桥，如下图3所示。上桥臂的IGBT开关共用一个上铜层，下桥臂的IGBT开关均是独立的，这里以U相的下桥臂开关S2为例，减小热耦合影响。S2的上铜层面积与芯片面积相当，热扩散角小，导致散热条件相对较弱，热量会更集中于芯片焊料层。第II步：器件基本特性测试，包括常温下饱和压降Vces (@VGE=15V，Ic=25A，Tvj=25ºC)，阈值电压Vgeth (@VGE= VCE，Ic=0.8mA，Tvj=25ºC)，集-射极漏电流 Ices (@ VGE=0V，VCE=1200V， Tvj=25ºC)，栅-射极漏电流 Iges (@VCE=0V，VGE=20V，Tvj=25ºC)，具体条件来源于器件的数据表datasheet。需要说明的是，这里只测试了器件常温下的基本特性，一方面是用于判断器件的性能与好坏，另一方面用于老化后进行对比，常温下的数据即可满足要求。若测试过程中发现某个器件的某个参数超过datasheet里的规定值，则说明此器件是不良品，需要更换新的器件进行测试。进一步地，还可通过此数据来评估各器件间的一致性。第III步：SAM超声波扫描，通过专有设备如SAM301进行器件封装内部各层材料连接状态的检测和参照，将模块倒置于装有去离子水的设备中，超声波从器件的基板开始向下探测，可得到器件各层材料的二维平面图，如下图4所示。此模块没有系统焊接层，因此只展示了器件最薄弱的，也是可靠性测试最为关注和重要的芯片焊料层和芯片表面键合线连接状态，对于新器件而言，各层的连接状态良好。做完SAM后还有一个非常重要的一步，尤其是对于硅胶封装的模块，将模块拿出后必须倒置放置24小时以上，以充分晾干模块内的水分 。进一步地，还需要通过加热板或者恒温箱将器件放置在85ºC环境中至少半小时以上，更加充分的挥发模块内的残余水分以不影响模块的性能。对于TO封装的器件来说，尤其有环氧树脂的充分保护以及环氧树脂吸水性差等特点，加上放置时间很短以及没有高温作用等，可不进行此步骤，但做电学特性实验前必须保证器件表面己无明显水分。在进行热阻等测试前，还需要进行连线，最好通过焊锡连接，以确保连接的可靠性。图2 Si基IGBT器件功率循环测试基本流程 (a) 内部结构 (b) 等效电路图3 FS25R12W1T4模块的内部结构(a) 芯片焊料层 (b) 芯片表面键合线图4 FS25R12W1T4模块SAM超声波扫描结果第IV步：温度关系校准，对于功率器件而言，器件的结温是评估模块电学特性和热学特性最重要的参数，结温不仅可反映模块的散热能力，还可影响器件的电学特性，甚至是可靠性。现在方法中，只有电学参数法测量结温适用并广泛应用于器件可靠性测试中，如热阻测试、功率循环、高温反偏等测试。一般来说，对于低压器件，测量电流选择合适的话，温度校准曲线将呈现完美的线性关系，如下图5所示。可以看到4个器件的曲线均呈现很好地线性关系，虽然在截距上存在一定的差异，但斜率几乎一样，说明芯片的一致性好，此微小差异一般来源于热电源的位置或者加热源的差异，但这种小差异可忽略。图5 FS25R12W1T4的温度校准曲线@IM=100mA第V步：瞬态热阻抗Zth测试，在进行功率循环测试之前，一般为了获得模块内部芯片PN结到散热器甚至环境的热路径情况，以及用于与老化后的状态进行对比，以定位模块失效位置，需要进行瞬态热阻抗Zth测试。通过两次不同散热条件下Zth的测试，也称为瞬态双界面法，可直接获得模块结到壳的热阻值Rthjc，以评估模块的整体性能。将被测器件按功率循环测试的要求安装到测试设备的水冷散热器上，放置好热电偶以以测量相应位置的温度，如壳表面，散热器或环境温度。瞬态热阻抗测试其实相当于一次功率循环，通过给被测器件通过相应的测试电流以加热器件至热平衡状态，降温过程测量器件的结温变化。这里需要注意的是，测试电流越大，测量电路的信噪比越大，测试结果越好，但要保证器件的最大结温不能超过器件允许的最大结温。此器件测量得到的Zthjs如下图6所示，测试条件为升温时间ton=5s, 降温/测量时间toff=40s, 测试电流IL=25A, 水冷温度Tinlet=58ºC, 测量延时tMD=200µs。图6 FS25R12W1T4的瞬态热阻抗曲线，#40器件在功率循环前的结果第VI步：功率循环加速老化测试，做完Zth测试和所有准备工作后，即可进行功率循环的测试，本实验室的测试设备有3条测试支路，每条支路可串联4个器件，共计12个通道，实验过程可以用2条支路或者3条支路。本次测试的器件为4个，每条支路串联2个被测器件，先通过调节测试电流，使得所有器件的结温差在目标温度范围左右，然后再通过控制各个器件的栅极电压来达到精细化和逐点调节。进一步地，通过控制外部水冷的入口温度调整所有器件的最大结温在目标温度范围左右，然后再通过安装条件的修正来达到各个器件的精细化和逐点调节。最终得到的测试条件为升温时间ton=2s, 降温时间toff=2s, 测试电流IL=29.7A, 水冷温度Tinlet=58ºC, 最大结温Tjmax≈150ºC，结温差ΔTj≈90K，测量延时tMD=200µs。功率循环条件设置完成后，只需要在程序中设定相应的保护即可实现完全无人值守运行，保护变量一般应该包括电压Vce保护，电流IL保护，热阻Rth保护，结温Tj保护，水温Tc保护，电源输出保护等。设置完成后的程序运行界面如下图7所示，可看到4个器件的测试条件相应比较接近。值得注意的是，上述测试过程中设置了测量延时，这是由于在半导体器件电流关断时，载流子复合需要时间，尤其是双极性器件。在这个延时时间里，芯片的结温其实是持续下降的，这就导致我们在延时时间tMD后测量的结温并不是器件真正的最大结温，而存在一定的误差，需要通过一些方法进行修正，如根号t方法，具体这方面的内容需要参考相关论文。而此结温的误差将会导致器件的寿命数据存在一定的差异，需要通过现有的模型进行相应的修正。进一步地，我们也看到不可能使得所有器件的数据完全一致，达到我们的想要的测试条件，最终在进行寿命对比时，需将所有器件的条件均归一到同样的条件以保对比的公平性和数据的正确性，如下图8所示。图7 功率循环运行界面示意图图8 功率循环寿命数据第VII步：瞬态热阻抗Zth测试，当模块老化到一定程度或者达到失效判定条件后，需要停止功率循环测试，对其进行瞬态热阻抗测试，进一步准确定位老化位置。测试条件与功率循环前一致，下图8列举了#40器件在不同功率循环次数条件下的测试结果，可以看到，随着老化程度的增加，器件的热阻增加。进一步地，可以看到在模块功率循环前没有经过老化(No.68)时，整个曲线均较小，当老化到一定程度后(No.76888)，热阻增加不是非常明显，可以理解为裂纹的形成过程。当功率循环加速老化持续进行(No.91522)，这个过程为焊料裂纹生长过程，热阻增加非常明显。图9 #40器件功率循环前后Zthjs结果对比第VIII步：SAM超声波扫描，将功率循环测试后的器件，利用原有的参数设置进行SAM超声波扫描，通过对比可得到器件芯片焊料层和键合线的老化状态，利于器件的失效模式和失效机理研究。下图10展示的是#40功率循环老化后IGBT芯片焊料层和芯片表面键合线的连接状态，可以看到芯片焊料层出现了白点，有严重老化的迹象，这也与图9的结果相吻合。而键合线的状态由于焊料的老化，改变了超声波的路径，使得键合线的状态很难识别，从实验结果来看并没有发生严重的老化。(a) 芯片焊料层 (b) 芯片表面键合线图10 #40器件功率循环老化后的SAM结果值得说明的是，图中的S3和S6也出现了老化是因为之前做过不同ton的实验，但也可以看到S2和S6的老化程度和现象比较一致，更集中于中心区域，而S3则比较均匀，这是由于S3具有更大的散热面积，使得S3焊料的温度分布更均匀。这里想给大家展示的是如何通过SAM图来获得相应的老化信息，要有全局观念，要知道整个实验的计划、过程、细节和数据等，才能给出更为准确的结论。第IX步：器件特性参数测试，完成器件的SAM测试后，仍然要将器件放置干燥处理后才能进行相应的电气特性测试，采用相同的实验条件对上述参数进行测量。一般情况下，上述参数在功率循环老化后不会发生变化，SiC MOSFET由于栅极可靠性问题可能会存在一定程度的阈值电压偏移。同时，Si IGBT一般也会存在轻微的阈值电压偏移，而且是负偏移，但一般在5%以内，这也侧面说明利用阈值电压作为温敏参数可能存在的误差。一般器件的温敏关系约为-2mV/ºC，假定器件的初始阈值电压为5V，则电压偏移25mV，最终导致约12 ºC的误差。第X步：有限元仿真分析，没有仿真解释和验证的实验数据是不可信的，因为实验数据很大程度依据于测试人员、经验、测试方法、测试条件等各方面因素；而没有实验验证的仿真分析也是不可信的，能否解释实际现象很关键。因此，有限元仿真分析其实与实验是相辅相成的，仿真的第一步必然是建立仿真模型，并修正和验证仿真模型的有效性。对于功率循环来说，考核的主要是器件封装在往复周期性温度变化过程中的热应力，因此，模块的热流路径至关重要，可通过瞬态热阻抗来修正模型。下图11为仿真和实验获得的模块S2瞬态热阻抗曲线，仿真与实验结果有非常高的吻合度，最后的些许差异来源于不同的安装条件，从两个实验结果也可看到。图11 S2的瞬态热阻抗曲线对比实验验证后的有限元仿真模型就具备与真实器件相同的热流路径了，可以用来进行功率循环仿真分析。这里值得一提的是，对于功率循环的功率循环仿真分析，必须使用电-热耦合仿真，一方面是纯热仿真没有芯片的电热耦合作用，另一方面是纯热仿真没有键合线的自发热现象，这会导致仿真结果的偏差。这里以S2和S3的有限元仿真来进行说明，下图12为功率循环仿真的结温变化曲线，芯片的结温提取的是芯片表面平均温度，这是与VCE(T)方法获得的值最接近的表征。仿真所用的条件均来源于实验测量结果，仿真过程与实验测试过程一样，通过调整芯片的电导率来获得不同的功率最终达到相同的结温差，调整环境温度来达到相应最大结温。(a) S2在不同ton条件下仿真的结温曲线 (b) S3在不同Tjmax条件下仿真的结温曲线图12 仿真得到的结温曲线获得与实验相同的结温后就可以进行器件内部更为细致和全面的分析，下图13为S2和S3在相同的功率循环条件下芯片表面的温度分布，由于铜散热面积的差异，导致温度分布有所差异，最终导致失效位置发生了变化，如图10所示。因此，通过电气参数的测试可以知道器件的整体变化情况，但无法定位到具体位置，而通过SAM超声波扫描则可获得基本位置信息，但无法准确分析其原因以及产生的机理。最终通过有限元仿真可以得到器件内部更为细节的信息，实现对器件的失效机理研究和封装结构优化。但最为根本的是要把握器件的所有信息，结果能进行相互验证，缺一不可。(a) S2, ton=2s, ΔTj=89.5K和Tjmax=147.7˚C (b) S3, ton=2s, ΔTj=90.9K和Tjmax=152.1˚C图13 芯片表面温度分布4、总结上述以功率循环为例详细描述了需要进行的哪些实验、步骤和原理，严格按照上上述实验步骤再加上一些经验基本上就具备了全面分析功率器件老化失效的能力。但要达到更高水平，尤其是能在做实验过程中主动解决所有遇到的问题，还需要更为细致和深入的学习，其中最最最为核心的就是要把握每个测试的基本原理。只有把握了这些参数、测试的基本测试原理，逻辑思路和功率器件的基本物理过程，才能更深刻的理解一些问题，并解决实际中遇到的问题。主要参考文献[1] MIL-STD-883G, United State420_20220614.jpg" style="margin: 0px padding: 0px border: 0px max-width: 100% color: rgb(51, 51, 51) font-family: " hiragino="" sans="" microsoft="" helvetica="" text-align:="" text-indent:="" white-space:="" background-color:="" max-height:=""/

近日，由中国科学院深海科学与工程研究所主持的中科院A类先导项专项研发的深海底多功能移动作业系统在我国南海进行了海上试验。中国科学院宁波材料技术与工程研究所精密驱动与智能机器人团队参与了该项目，并提供了2套水下矢量推进器，实现了深海底爬行式多功能移动作业平台的入水出水定向、海水中调姿和海底爬行辅助推进等多项功能，顺利完成预定的各项任务和考核指标。 　　深海底爬行式多功能移动作业系统设计最大工作水深4500米，可在深海底实现爬行作业，属于有缆深海作业装置。该装置由光电缆提供电源动力和长距离通信，然而在作业装置的下放和回收过程中易由于海流和浪涌影响而产生不可控的旋转，不仅有损坏光电缆的风险，而且可能导致作业装置无法回收等严重问题。因此需要调姿系统时刻保持作业装置的准确航向，避免其翻转、倾覆。 　　为保证深海底多功能作业系统在布放与回收时的姿态控制，宁波材料所精密驱动与智能机器人团队将推进和姿态调整功能集成到一个系统，研制了基于对转双转子电机的水下矢量推进器。该推进器使用永磁同步双转子电机直接驱动对转螺旋桨，可解决传统推进装置重量大、效率低、噪声大、易侧翻或侧滚等问题，提高了水下作业装置的平稳性；矢量调姿系统采用三自由度并联机构和直线驱动系统改变推进方向，可显著增强水下作业装置的调姿灵活性和机动性。 　　该团队成功研发了深海电动推杆、新型矢量调节机构、对转双转子直驱电机及基于碳化硅的高效率电机控制器等功能部件，攻克了深海环境下并联机构及推进器的耐压、防腐、密封等技术难题，完全实现了推进器的国产化。研制的矢量推进器额定功率3kW，额定输出推力800N，电机效率达到82%以上；推进器的矢量姿态调节角度最大达到±30°，通过调节左右2套推进器的推力，可实现水下作业装置的定向精度优于0.1°。与传统的单桨推进器相比，该矢量推进器具有效率高、推力大、可调姿、噪音低等优点，可广泛应用于水下潜航器、作业装置等的推进和调姿。 　　此次海试由探索二号试验船担任母船，宁波材料所精密驱动与智能机器人团队2名科研人员参航。水下矢量推进器搭载于深海底爬行式多功能作业系统，完成了一系列功能与性能验证测试，达到了4500米级深海装备标准，通过了现场海试专家组的考核，圆满完成了试验任务。

2021年6月8日，岛津（上海）实验器材有限公司（以下简称“SGLC”）主题为“津心匠造，慧启未来”的新品发布会在线上举行，全新的液相色谱柱ShimNex系列揭开了神秘面纱。那么，本次发布的新品有哪些独特之处？未来SGLC在耗材领域又将如何布局？近期，仪器信息网编辑就以上问题采访了岛津（上海）实验器材有限公司总经理福岛宏郎。岛津（上海）实验器材有限公司总经理 福岛宏郎ShimNex系列液相色谱柱——“新、全、专”“ShimNex系列液相色谱柱完全由岛津研发和生产，其中‘Shim’传承了岛津（SHIMADZU）精心打磨的匠心品质和历久弥新的集团基因。而‘Nex’则有两层不同的含义。” 福岛宏郎说，“Nex”首先代表了色谱柱的新时代，SGLC以打造一款引领未来，更尖端更智慧的液相色谱柱为追求；其次，该系列产品也与岛津Nexera系列液相色谱仪一脉相承。因此命名为“ShimNex”。ShimNex系列色谱柱与Nexera系列液相色谱系统据了解，ShimNex系列液相色谱柱是SGLC为顺应客户的多方位需求，投入两年时间，开发而成的。谈到产品的亮点，福岛宏郎用“新、全、专”三个关键字进行了概括。他解释道，“新”指的是本次新品能够尽可能满足客户新项目的新需求；“全”即“全面”，这款色谱柱包括6大系列41种固定相，其应用项目囊括了中药、化药、生物药、食品、化妆品等，可满足教育科研、医药、食品环境、公安司法等多领域要求。而“专”则表示除了传统的液相色谱应用方法外，也可以为一些特殊难题提供专用的解决方案。“我们的新产品才刚推出，品类还有很大的扩充空间，之后我们会不断研发新产品，ShimNex系列将会越来越丰富，今年，我们还有核酸分析色谱柱、SPE产品正在研发中。”福岛宏郎如是说。事后我们也通过SGLC的产品负责人了解到，这次新品色谱柱的研发，注入了SGLC非常多的心血。以最具代表性的ShimNex CS C18为例，SGLC从最上游的填料开始严格质控，每批填料经过7项多个指标的层层把关，以保证基质的金属残留更低、机械强度更高、非特异性吸附更低，硅球表面也经过多次封端处理，使得产品稳定性更佳，并且每根色谱柱出厂前用更严格的指标进行质控，以保证产品的重现性更做好。其中专用柱系列增加了实际样品作为质控指标之一，力求每支专用柱都可满足客户的项目要求。福岛宏郎与新产品合影SGLC核心竞争力——“满足客户需求”一直以来，耗材都是分析实验室不可或缺的一部分，在这个赛道上竞争者众多。其中，SGLC激流勇进，表现一直不俗，进入中国市场十多年，其业务已经覆盖了中国大陆和香港地区，并创下了液相色谱柱连年高速增长的佳绩。2020年，新冠疫情弥漫全球，与很多公司一样，SGLC的销售活动以及推广工作都无法正常进行，拜访客户也成了难题，营收一度锐减。不过，随着中国疫情的良好控制，SGLC第二季度的业绩开始迅速提升。福岛宏郎告诉我们，从去年4月到今年3月的2020财年，SGLC营收实现了两位数增长。能取得如此好的成绩，得益于SGLC对客户需求的高度重视。“无论是耗材还是仪器，最重要的就是要满足客户的需求。”作为岛津的全资子公司，SGLC始终致力于为每一位液相色谱客户提供合适的技术和服务。事实上，由于每位客户的需求都不尽相同，且每种样品都有不同的特点，因此“满足所有客户需求”实施起来是有一定难度的。尽管如此，当用户提出定制需求时，即使只有一小部分客户，SGLC也会尽量满足。可以说 ，SGLC的业务是“为客户而生”。以为客户更高效地解决问题为初心，近年来SGLC与北京大学、上海熙华检测、北京新领先等多家高校或企业成立了合作实验室，与专业的研发团队开展合作实验室项目，共同攻坚克难。这也保证了SGLC的产品和服务经过了实践检验，有着强大的技术力量支撑。近年来，为了满足各类客户的不同需求，并为客户提供综合的解决方案，SGLC陆续推出了如2020药典综合解决方案、中药农残耗材方法包等一系列专项方法包。同时，SGLC也在不断拓宽产品类别，除了色谱柱外，还推出纯水机、洗瓶机等多品类产品。此外，为了完善产品线，2018年SGLC收购了法国试剂公司Alsachim，开始为客户提供标准物质。据了解，Alsachim的标准物质尤其是同位素内标以产品种类齐全且具有极高的稳定性和灵敏度而著称，由于产品技术过硬，一经推出便在生物分析和临床检测领域受到广泛欢迎。因为原产地在法国，为了解决供货时间的问题，SGLC还专门在中国设立了标准品仓库，以便更迅速地为客户提供产品。谈到未来发展，福岛宏郎充满信心。“新冠疫情的爆发，使公共卫生再一次刺痛人们的神经，医药领域也成为了市场热点。后疫情时代，中国政府对医药等健康相关项目将更加重视，也将会投入更多的人力物力，因此SGLC也将继续在该领域深耕，更快速地为医药行业的化学分析提供产品及服务。”此外，他还谈到，未来中国分析仪器前端的样品前处理设备及耗材产品的本地化生产将是发展趋势，岛津的一部分仪器主机已实现国内生产，现在SGLC也计划将日本岛津的原材料、技术、生产线引入国内，并建立日本、中国跨国配合的研发团队，生产、定制专注于国内用户研发需求的耗材产品。这样一定程度上可以解决疫情大背景下，货物进口物流时间长、供应链遇到突发状况弹性不足的问题。岛津中国创新中心一隅后记本次采访地点选在了岛津中国创新中心，这是岛津公司全球范围内第四个创新研发中心。一进门我们就被这里时尚且科技感十足的设计所吸引，中心被分割成四个区域，每个区域都配置了岛津的先进仪器。福岛宏郎告诉我们，这里除了与外部专家和研究院所等机构合作开发新的应用，还结合中国用户的实际需求进行系统、产品、软件等开发。“满足客户的需求”已经成为岛津的立身之本！

作为世界上第一台闭环控制的电子万能试验机和第一个应变片式载荷传感器的研制者，美国英斯特朗(INSTRON)公司创建于1946年，是一家专注于研发和生产材料试验机的全球知名跨国公司；2005年加入ITW(依工)集团，是ITW测试测量部营业规模最大的子公司，年销售额超过4亿美元。 　　&ldquo 2013年，英斯特朗推出了针对质量控制领域的中高端&lsquo 本地化&rsquo 解决方案&lsquo 致承(Legend)&rsquo 系列试验机新品。&rdquo 这句话的信息很丰富，有很多值得解读的关键词：&ldquo 致承&rdquo 、本地化、中高端、质量控制&hellip &hellip 　　一直坚持走高端路线的英斯特朗为何会推出一款中高端产品，并且宣称是针对中国质控领域的&ldquo 本地化&rdquo 解决方案？中国市场中的试验机类型之多、之杂可以说是&ldquo 世界之最&rdquo ，&ldquo 致承&rdquo 如何从激烈竞争中脱颖而出？其差异化优势是什么? 　　据悉，2013年ITW测试测量部高层王志勇加入英斯特朗任中国区要职，&ldquo 新官上任&rdquo 适逢新品上市，英斯特朗接下来的中国市场拓展战略将如何制定？为此，仪器信息网(以下简称：Instrument)编辑特别采访了英斯特朗中国区业务发展和运营总经理王志勇，请其就上述问题一一进行了回答。 英斯特朗中国区业务发展和运营总经理王志勇 　　&ldquo 致承&rdquo 系列专为中国质控领域用户打造的&ldquo 本地化&rdquo 解决方案 　　Instrument：近70年来，英斯特朗推出的试验机产品无一不是高端定位，是什么契机促使英斯特朗推出了这款中高端的&ldquo 致承&rdquo 系列? 　　20年前的中国企业多属于劳动密集型，主要通过低成本的劳动力参与国际竞争。然而，近几年来随着中国制造业水平的快速提升，越来越多的企业希望通过品质提升国际竞争力。王志勇表示：&ldquo 这其中就包括英斯特朗的很多用户。我们发现，越来越多的用户除了在产品研发方面对高端材料测试设备的需求外，对品质控制的需求也在不断提升，他们希望中国市场中有一款技术先进，测试精确，重复性和可靠性高以及操作友好的试验机产品。&rdquo 　　王志勇介绍，英斯特朗长期定位于高端材料测试设备领域，其产品不仅适用于研发，也同样适用于质量控制领域。&ldquo 由于材料研发和质量控制对测试的需求有一定的差异，广大的用户期望有一款恰到好处的产品来满足质量控制领域的需求。假设一台高端试验机有100项测试功能，其中可能有60项在质控领域完全用不到，那我们就简而化之，将这些&lsquo 无用&rsquo 功能去掉。这样一来，产品价格下降，进一步提升了产品的性价比；还简化了操作培训，提升测试效率；更重要的是整个试验机的产品技术与品质完全不受影响。&rdquo 　　基于这样的产品思路，同时为了满足用户需求以及响应高速增长的中国市场，2013年英斯特朗推出了这款定位中高端的&ldquo 致承&rdquo 系列。王志勇多次强调：&ldquo &lsquo 致承&rsquo 的技术、性能与英斯特朗高端产品毫无差别，只是去除了质量控制领域所不需要的一些冗余功能，也许更应该说，&lsquo 致承&rsquo 系列是英斯特朗针对质控领域用户专门定制而成。&rdquo 　　Instrument：&ldquo 致承&rdquo 系列宣称为&ldquo 本地化&rdquo 解决方案，其&ldquo 本地化&rdquo 的概念体现在哪些方面? 　　&ldquo 事实上，&lsquo 致承&rsquo 系列只是在中国组装，严格按传统定义来说，这并不属于&lsquo 本地化&rsquo 。&rdquo 王志勇解释到：&ldquo 但是，&lsquo 致承&rsquo 系列是英斯特朗专门针对中国质控领域用户打造的一款&lsquo 本地化&rsquo 解决方案。同时，&lsquo 致承&rsquo 系列在中国组装完成，这可以大大缩短我们的交货时间，在技术支持和售后服务上能够更快速地响应用户需求。&rdquo 　　至于&ldquo 致承&rdquo 系列今后的&ldquo 本地化&rdquo 进程，王志勇表示：&ldquo 今年下半年，英斯特朗将在中国新加坡苏州工业园区投资建设生产基地，这是一项针对英斯特朗中国市场的战略投资计划，新工厂预计将于明年下半年正式投入运营。中国工厂的设立是使我们能够更加接近我们的用户，从而为其提供不断优化的服务。&rdquo 　　&ldquo 未来我们会逐渐实现一些非关键性零部件的&lsquo 本地化&rsquo ，如增加钣金、包装等外围零部件在中国的采购比例。但&lsquo 致承&rsquo 系列仍将不会成为完全的中国制造产品，其核心控制元器件，如控制器、传感器、传动部件、液压控制系统、夹具和软件等仍会坚持全球集中采购，这主要是为了确保产品品质的统一，不论是过去、现在还是未来，英斯特朗永远不会以牺牲技术、品质和服务来换取市场份额，而这也恰恰是英斯特朗成为行业领导者的重要原因。&rdquo 英斯特朗&ldquo 致承&rdquo 系列产品 　　&ldquo 致承&rdquo 系列不是价格竞争，借三大市场战略首攻4个细分领域 　　Instrument：中国市场中的试验机类型与种类相当多，&ldquo 致承&rdquo 如何能在激烈的市场竞争中胜出?其在价格方面有无优势? 　　&ldquo 英斯特朗近70年来一直专注于材料力学性能试验机的技术研发与生产制造，技术基础雄厚；同时，英斯特朗近70年积累起来的产品解决方案是一笔巨大的财富，而这些方案均适用于&lsquo 致承&rsquo 。&rdquo 王志勇补充到：&ldquo &lsquo 致承&rsquo 这个名字来源于&lsquo 卓越品质、精致传承&rsquo ，这是一种传承，是其他任何品牌的试验机产品所无可比拟的。从品牌到技术，从性能到应用，我们希望致承是一款高品质的产品。&rdquo 　　对于&ldquo 价格优势&rdquo 这个比较敏感的话题，王志勇则给出了这样的回答：&ldquo 英斯特朗的产品不需要依靠价格竞争。我们被用户认可的也不是产品的价格，而是产品的价值。如果我们为了得到价格优势而牺牲品质，那我们就不再是英斯特朗。&rdquo 　　&ldquo 我们通过提供高品质的产品，专业的应用支持和完善的售后服务取得客户的信任，客户认可的是我们为其带来的长期价值。牺牲品质和服务，不重视技术研发投入的价格竞争无疑是&lsquo 杀鸡取卵&rsquo 的短期行为，最终也一定会损害客户的利益。当然技术和品质并不只是愿望和口号，更是企业本身是否具备这样的能力，比如管理水平、人才资源、财务能力等。&rdquo 　　&ldquo 而且，&lsquo 致承&rsquo 的价格定位是目前中国试验机市场中的一个空白价格区间，此前该市场中没有这样一款同等价位的高品质试验机产品，我们希望向中国质控领域的用户提供一款&lsquo 恰到好处&rsquo 的产品&mdash &mdash 高品质满足用户质控测试高需求，产品价位还得承受得起。&rdquo 　　Instrument：&ldquo 新官上任&rdquo 适逢新品上市，接下来您将如何制定英斯特朗的中国市场拓展战略? 　　王志勇谈到：&ldquo 目前我国越来越多用户意识到产品品质的重要性，质量控制市场的需求在大幅提升，可以说&lsquo 致承&rsquo 是适时推出，目前我们的用户对&lsquo 致承&rsquo 的接受度和关注度很高，接下来我们希望&lsquo 致承&rsquo 能从生物医疗、质检机构、汽车、电子产品4个细分领域获得突破。&rdquo 　　&ldquo 至于如何实现突破，接下来我们将会采取更加积极主动的市场行为，增加与用户之间的互动交流，希望能够纠正一些市场不对称信息；同时，我们正在大规模增加市场团队建设，过去英斯特朗只在北京、上海、广州、西安建有办事处，接下来我们会在重庆、武汉、沈阳等中国主要中型城市都建立办事处，大范围拓展地理覆盖；再者，苏州工业园区制造基地的建立，将会给英斯特朗针对用户需求快速提供个性解决方案提供很大的便利条件。&rdquo 　　&ldquo &lsquo 致承&rsquo 系列的推出在一定程度上说明，中国市场在英斯特朗全球市场中占举足轻重的地位。2013年英斯特朗全球业绩超过4亿美元，中国占比超过10%，是我们全球第二大单一市场。我们会继续投入更多资金和精力拓展中国市场，包括推出&lsquo 致承&rsquo 、苏州建厂等，就目前来看，2014年英斯特朗中国市场发展很符合我们的预期。&rdquo 英斯特朗&ldquo 致承&rdquo 系列提供适合各种拉伸，压缩和弯曲等试验的夹具选择 　　笔者手记： 　　曾几何时，&ldquo Made in China&rdquo 风靡全球，如今&ldquo Made in China&rdquo 在全球消费者眼里却成为了廉价的标志。&ldquo 便宜&rdquo 本身没有错，企业在保证产品品质的基础上能够降低成本当然是最好的，但如果以价格为前提牺牲产品品质，这却是大错特错。 　　中国试验机行业中存在着大量的小微企业，产品关键部件通过进口、外购等方式获得，不少企业采用低价策略抢市场。&ldquo 竞争&rdquo 本身也没有错，它是一种很好的市场行为，能够导致创新、带来优化，但不健康的竞争却会伤害整个行业。 　　对此，王志勇认为：&ldquo 目前中国试验机行业存在着一些不健康的现象，相当多的企业并不十分重视在技术和研发领域的投入，在生产过程的各个环节缺乏系统的管理和精益求精的精神。技术上的差距和对细节的疏忽注定了这一行业的发展任重道远，我们需要从根源上做出改变，我愿意与同行、用户共同去努力纠正。希望业内同行以更严谨的态度对待技术与品质。也许这个行业再经过5-10年时间会有很大改变，无论洗牌或改革，我都希望变得更健康。&rdquo 采访编辑：刘玉兰 　　王志勇个人简介 　　王志勇先生毕业于中欧国际工商管理学院 工商管理硕士，大学主修流体传动与控制专业。2009年加入ITW测试测量部担任总经理，2013年开始担任英斯特朗中国区业务发展和运营总经理。之前曾在多个欧美跨国公司从事制造运营的高级管理工作近15年，是认证的精益生产和六西格玛黑带。 　　英斯特朗致承系列官方网站：www.legend.instron.com　　英斯特朗致承系列仪器信息网展台：www.instrument.com.cn/netshow/SH103292/ 　　英斯特朗官方网站：www.instron.cn 　　英斯特朗仪器信息网展台：www.instrument.com.cn/netshow/SH100637/

沈阳科晶海上平台项目顺利通过答辩2018年10月18日沈阳科晶总经理带领公司研发团队前往中国地质科学院参加海上平台项目答辩并顺利通过考核。 参加此次答辩的有国家海洋局第二研究所、中国科学院海洋研究所、中国地质科学院地质研究所及沈阳科晶自动化设备有限公司的相关技术研究人员与专家。 我公司研发的海上平台项目与以往的以海底为固定基础的平台有所不同，我们所研发的平台主要应用于在海上运动的船只、潜艇等交通工具上。海上交通工具在运动时由于浪涌作用会发生一定的晃动，科学家在进行海上科研时会使用到许多先进的分析测试仪器，这些精密仪器的传动机构、锁紧机构和框架的重心也会随着船只姿态的变化而发生复杂的变化，变化过程中就会使仪器的精密部件产生微小的位移，反馈到仪器工作中心就会产生较大的偏差，对分析结果造成很大的干扰，得不到所要的检验结果，这也是长期困扰各位海上科考人员的难题，因此急需一款平台设备使这些科研仪器在工作过程中不随船只的晃动而晃动。 我公司历时半年时间，首先提出个人理念，然后构思设备基本框架，再逐渐增添设备细节，最后付诸实践，设计出设备的雏形，再对设备进行实践检验，现已取得喜人的成果。在答辩过程中，我公司的产品研发人员一一回答了各位高校及科研机构的专家、科学家们提出的问题，并阐述了个人的基本观点，得到了包括中国地质科学院、清华大学、中国航空航天大学等的各位科学家、专家们的一致好评，大家对科晶的成果感到惊叹，同时决定对科晶海上平台研究项目进行资助，希望科晶的研发团队继续努力，让此海上平台设备更完善，更能适应海上的恶劣科研环境，早日登上海上科考的船只。不久以后，沈阳科晶的海上平台设备及其它各种科研设备将会出现在各个海上科考调查船上。 科晶的设备，凝聚着科学技术的结晶，凝聚着每位科晶人的心血，我们一直致力于为中国的广大科研事业而服务，希望我们会随着我国的科研事业一起不断前行，走在科研事业的前端，我们相信我国的科研事业一定会蒸蒸日上，这也是我们科晶人的共同梦想！

国际电工委员会（IEC）是制订电子电工仪器仪表国际安全标准的权威性的国际电工标准化机构之一，它制定和分发电气技术的国际标准，包括用于识别、测试和测量带电电路的设备。这种分类方法被称为测量类别，它检查电路中任何一点可用的总连续能力，包括可能使电压尖峰远远超过正常水平的瞬态电压的潜力。瞬态电压可能由雷击、起拱或其他自然发生的电气现象引起，这些现象可能对在电气设备上或周围工作的人员构成重大危险。CAT等级的分类根据IEC61010-1:2001测量、控制和实验室用设备安全通用要求，一般把电气工作人员工作的区域（或电子电气测量仪器的使用场所）分为四个类别，分别为 CATⅠ、CAT Ⅱ、CAT Ⅲ和CAT Ⅳ， 它严格规定了工作人员在不同类别的电气环境中可能遇到的电气设备类型，以及在这样的区域中工作所使用的电子电气测量仪器使用场所的安全规定，它描述了测量仪器在所测量的电路中可执行的测量，划定了测量仪器所属的“安全区域”。CAT等级是向下单向兼容的，也就是说，一块CAT IV的万用表在CAT I，CAT II和CAT III下使用是完全安全的，但是一块CAT I的万用表在CAT II，CAT III，CAT IV的环境下使用就不保证安全了。了解电压额定值CAT等级又称为测量类别、测量种类、过电压种类、过压等级或设备类型等，其中CAT是category的缩写，在CAT评级系统中，罗马数字（即I到 IV）指的是电路相对于电源的位置，根据总潜在瞬态电压危险进行定义。★ CAT I：不打算连接到主电源的二次电路，如电子设备，包括典型的笔记本电脑，以及由调节低压电源供电的电路；★ CAT II：本地级配电，例如标准电源插座和插入式负载，此类别包括家用电器，例如洗衣机和便携插入式电动工具；★ CAT III ：建筑物的电气装置，包括断路器、接线、开关和工业设备；★ CAT IV：低压电力装置的来源，主要是电网基础设施，例如地下公用设施保险库或室外电力线。然而，确定合适的电压类别只是成功的一半。简单地将假定电压与测试和测量装置匹配也不能提供足够的安全保证。发生故障的电气单元可能会承受特定电动工具额定值数倍的脉冲或瞬态电压。例如，某条线路的电压通常可能为120或240，但雷击会产生瞬态电压，可能是几千伏，这会导致短路和电弧，可能严重伤害设备不足的电力基础设施测试人员。从本质上讲，工具不仅必须具有适合应用的CAT额定值，设备还必须具有高于给定环境的电压的额定电压，以承受潜在的危险电压浪涌。值得庆幸的是，IEC提供了一个快速参考图表来确定给定电动工具是否适合手头的任务。选择合适的工具如果给定规范要求工具的额定值为CAT III 600V和 CATII 1000V，则模块可以承受高达6000V的脉冲或瞬态电压。这种类型的规范会另外告知用户该设备不得与电压可能升至6000V以上的电源CAT III类电路一起使用。相反，在任何情况下，以这种方式评定的工具或设备都不应与CAT IV电路一起使用，即使特定场景不需要超过 6000V。以 FLIR VS290-32红外内窥镜套件为例，它主要设计用于检查难以到达的地下公用设施等地方。该设备提供热成像、可见光成像或两者结合（MSX模式）的图像。该设备具有CAT IV 600V的额定值。因此，只要瞬态或脉冲电压不会超过8000V，它就是检查公用电力设备是否存在潜在故障（例如地下公用设施金库）的理想选择。在探索FLIR万用表、钳形表和其他电气测试和测量设备时，请检查每个产品规格中的安全等级，以确保特定设备符合计划的使用场景。FLIR的万用表、钳型表经过上万次的安全测试，保证符合所注标称，保证在标称的CAT环境下使用的安全性，保证能够承受所标称的高压冲击，且不会对人体产生任何伤害。FLIR CAT等级意味着对客户的人身安全的承诺！它不仅仅是的耐高压，CAT等级还严格规定了电气工作人员在不同级别的电气环境中可能遇到的电气设备的类型以及在这样的区域中工作所使用的测量工具必须要遵循的安全标准。所以说，选择FLIR产品，是你安全工作的一种保障！

9月22日，佛山市联动科技股份有限公司（简称：联动科技）成功登陆创业板。公司本次公开发行股票1160.0045万股，占发行后总股本的比例为25.00%。本次募集资金项目包括半导体封装测试设备产业化扩产建设项目、半导体封装测试设备研发中心建设项目、营销服务网络建设项目、补充营运资金。其中半导体封装测试设备产业化扩产建设项目达产后将具备年产1180台/套半导体自动化测试系统和 340 台/套激光打标及其他机电一体化设备的生产能力。联动科技成立于1998年，专注于半导体行业后道封装测试领域专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体自动化测试系统、激光打标设备及其他机电一体化设备。据招股书披露，半导体自动化测试系统主要用于检测晶圆以及芯片的功能和性能参数，包括半导体分立器件（功率半导体分立器件和小信号分立器件）的测试、模拟类及数模混合信号类集成电路的测试，广泛应用于半导体产业链从设计到封测的主要环节，包括芯片设计验证、晶圆制造中的晶圆检测和封装完成后的成品测试；激光打标设备主要用于半导体芯片的打标，应用于半导体后道封装环节。招股书显示，联动科技自成立以来，一直坚持自主创新，旗下产品填补国内技术空白。在集成电路测试领域，公司 QT-8200 系列产品是国内少数能满足Wafer level CSP（晶圆级封装）芯片量产测试要求的数模混合信号测试系统之一，能提供高质量的系统对接和测试信号，具备256工位以上的并行测试能力和高达 100MHz 的数字测试能力，产品性能和指标与同类进口设备相当。在功率半导体分立器件测试领域，公司近年来推出的 QT-4000 系列功率器件综合测试平台，能满足高压源、超大电流源等级的功率器件测试要求，测试功能涵盖直流及交流测试并能够进行多工位测试的数据合并，包括但不限于直流参数测试（DC）、热阻（TR）、雪崩（EAS）、RG/CG（LCR）、开关时间（SW）、 二极管反向恢复时间（TRR）、栅极电荷测试（Qg）以及浪涌测试等，是目前国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一。在小信号分立器件测试领域，公司旗下 QT-6000 系列产品是国内较早实现自主研发、生产的高速分立器件测试系统之一，能够满足小信号器件多工位并行测试要求，具有较高的测试效率。QT-6000 系列产品的测试的 UPH 值可达 60k，达到国际先进水平。联动科技深耕半导体后道封装测试专用设备领域 20 余年，目前在国内半导体分立器件测试系统市场占有率在20%以上。在模拟及数模混合集成电路测试领域的市场开拓情况良好，2019年-2021年营业收入分别为1.48亿元、2.02亿元、3.44亿元，实现净利润分别为3174.01万、6076.28万、1.28亿，保持较快增长。近年来随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，先进封装技术越来越受到半导体行业的关注，成为行业的研究热点，基于此，仪器信息网联合电子工业出版社特在“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会上设置了“封装及其检测技术”，众多行业大咖将详谈封装工艺与技术。主办单位：仪器信息网电子工业出版社直播平台：仪器信息网网络讲堂平台会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/semiconductor20220920/会议形式：线上直播，免费报名参会（报名入口见会议官网或点击上方图片）点击图片免费报名抢位

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 苏州浪声科学仪器有限公司(简称“苏州浪声”)是一家专业制造、生产和销售便携式X荧光分析仪器的省级高新技术企业。公司拥有国内具备X荧光分析技术领域专业的专家队伍，具有资深的技术实力、先进的技术、服务理念和优越的管理模式，是集产品设计、开发、制造、销售及服务为一体的科技实体。 /p p 　　在ACCSI 2019年会上，仪器信息网采访了苏州浪声科学仪器有限公司总经理杜亚明。 /p p 　　采访视频如下： /p p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=C7ADEDB93C7A89429C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=5B1BAFA93D12E3DE& playertype=2" type=" text/javascript" /script br/ /p p 　　苏州浪声多年来致力于打造“便携式实验室”概念。自2012年成立以来，专注于手持式X射线荧光光谱仪研发，获得了30多个发明专利，产品的应用领域涵盖了矿山、地质、环保、合金材料等。 /p p 　　苏州浪声在2018年推出了新的便携式油品分析仪器。之前的油品分析仪器主要是实验室使用，苏州浪声将实验室使用的设备拓展了现场分析。该产品的定位是70%的时间在野外使用，30%的时间在实验室使用。设备小而轻，方便移动。2018年国内标准正式推出：标准要求硫含量(如汽油、柴油)在10个ppm以下，而该设备的硫含量检出限为0.9ppm，因此在海事系统被大量使用。同时，该设备在石油原油分析、成品油分析和润滑油分析中都可以使用。 /p p 　　苏州浪声初次尝试开发的台式设备与其他产品差异较大，产品继承了公司理念，遵循了手持-便携-台式的整体设计风格。该产品主要在实验室使用，具有高精度和高准确性。 /p p 　　2019-2020年，苏州浪声的主要市场还是立足于X射线光谱分析领域，未来在高精尖光谱分析仪、XRD设备、光谱晶体学等方面可能会有更多产品应用以及更多元部件的开发。 /p p & nbsp /p

2021年5月29日，日本工程院外籍院士陈飞勇教授一行莅临朗石调研交流。总经理严百平和副总经理李劲松热情接待了陈飞勇教授，并与陈飞勇教授就水质监测行业发展问题进行了深入探讨。与会人员合影会上，朗石产品经理张依凡首先介绍了朗石的发展概况、创新理念及成果，详细阐述了公司主营产品的核心技术和竞争优势，并汇报了朗石产品在各行业的应用情况。认真听取了朗石的汇报后，陈飞勇教授对朗石强大的创新精神和产品研发能力给予了充分肯定。陈飞勇教授（左三）听取朗石报告严百平总经理表示，现阶段朗石不仅能为客户带来数据可靠、运行稳定的仪器，凭借在水质监测行业深耕十余年的经验积淀，朗石更能为行业带来从仪器到系统集成，再到智慧应用、智慧运维等全链条、全生态的水质监测整体解决方案，希望能推动行业朝更智慧、更科学、更经济方向发展。严百平总经理为陈飞勇教授介绍朗石智慧水站陈飞勇教授表示，希望未来朗石也能在水质监测行业常葆激流勇进的精神，聚焦行业痛难点，通过持续的技术创新，解决更多客户问题，引领行业发展。

随着2024年我国推出的一系列政策支持措施，大规模设备更新和消费品以旧换新行动不断深入，以加快构建新发展格局、推动高质量发展，促进投资和消费，既利当前、更利长远。其中，设备更新计划覆盖了教育、科研、工业等多个领域，尤其强调了对高端、智能、绿色仪器的升级。在这一背景下，拥有百年历史的岛津制作所及其旗下的试验机产品，迎来了新一轮的发展机遇。岛津企业管理（中国）有限公司岛津制作所，成立于1875年，已历经149年。期间，岛津试验机的发展紧跟人类四次产业革命的浪潮。从第一次产业革命的蒸汽机时代，到第二次产业革命的电器和发电、第三次产业革命的计算机，再到智能化制造的第四次产业革命。岛津试验机始终按照产业变革与客户需求进行产品迭代与升级，不断进步。面对此次市场机遇，岛津企业管理（中国）有限公司市场专员毕梦园在接受仪器信息网采访时，详细介绍了岛津试验机的特色机种与技术优势，设备更新政策的应对方案，以及未来的发展目标和规划。仪器信息网：岛津试验机领域的特色机种有哪些？毕梦园：岛津试验机的产品线丰富，目前已形成了以电子万能材料试验机、液压万能材料试验机、疲劳试验机、硬度计、粘度计等为主体的多品种、多机型的试验机产品体系。特别是USF-2000A超声波疲劳试验系统，循环频率高达20 kHz，可以在6天内完成1010个测试周期，实现了超高效率的疲劳测试，为材料科学研究提供了强大支持。针对电池材料的MCT系列微小压缩试验机，以高精度电磁力加载方式，可满足微小部件和粉末颗粒的压缩测试需求，十分适用于新能源汽车行业。此外，SEM-SERVO带扫描电子显微镜的高温原位疲劳试验机，实现了材料疲劳试验过程中的原位观察，对结构材料疲劳破坏机理的研究与寿命预测具有重要作用。岛津SEM-Servo高温疲劳试验系统仪器信息网：岛津试验机的主要优势是什么？毕梦园：从1917年制造的第一台材料试验机至今，岛津在材料测试和试验机制造方面均积累了丰富的经验。岛津试验机能够提供从5mN到30MN的广泛载荷容量，这一特点在业内是非常独特的。这种广泛的载荷范围使得它们能够适用于多种不同的测试需求。不同于其他厂商的试验机，岛津试验机不仅可以做拉伸、压缩、三点弯曲的测试，还有一些综合的解决方案，如塑料、橡胶制品的检测。在夹具的选择和数据解析方面，岛津都会提供解决方案。除此之外，智能化和自动化是现代工程和制造的两个关键技术趋势。岛津Autograph AGX-V2系列精密万能试验机是世界上首个配备语音操作装置的试验机，支持日语、英语和中文语音命令，可用于25种常见操作，提高了测试的准确性和安全性。岛津自动化试验机型SAGX-V Series，是在进口机型AGX-V系列的基础上进一步开发的，能够高效完成全自动拉伸测试，兼容多种容量主机，并提供一对一或一对二系统的配置选项，以适应不同实验室的需求，可用于多种材料测试，特别是在质量控制、研究与开发以及工业生产过程中进行标准化的物理性能测试。岛津全自动试验机系统仪器信息网：岛津试验机可以应用于哪些行业？毕梦园：在应用领域上，岛津试验机同样展现出了广泛的适应性和创新性。从传统的金属、树脂、陶瓷到新兴的复合材料、纤维和汽车部件，乃至食品行业，岛津试验机都能找到用武之地。车身钢板拉伸测试除了一些大家熟知的传统制造业，试验机也能用在一些比较有趣的领域中，比如创口贴。众所周知，撕下创口贴的快慢不同，人的感觉不同。邦迪厂家利用岛津试验机检测不同力度撕下创口贴时人体的感觉，以研发儿童和成人不同黏贴力的创口贴。岛津质构仪具对多种材料进行测试自创立以来，岛津制作所始终坚持“以科学技术向社会做贡献”， 我们会向新领域、新行业不断探索，满足顾客对于岛津公司及其附属公司生产的高科技分析和测试仪器、医疗器械及工业设备等产品日益增长的需要，更加有效、及时地提供优质的服务。仪器信息网：为迎接新政策下的发展机遇，贵公司做了哪些工作？毕梦园：岛津公司积极响应国家创新驱动发展战略，与高校、研究所合作，建立合作实验室。利用高校实验室的前沿技术和研究成果，加快自身产品的技术升级和研发进程，高校实验室的研究成果也能为新产品开发提供灵感和方向。岛津公司在中国设有3个研发中心、7个分析中心，在进行分析测试工作的同时，也为用户提供材料测试的解决方案，满足客户的测试需求。除了日本的紫野工厂外，岛津公司在苏州设有生产基地，不仅生产常规试验机，还可定做试验夹具，通过10多年的积累，设计、销售了上千种客户定做夹具。日本和苏州生产的设备都面向全球市场，保证了产品质量的一致性。岛津试验机工厂（左：日本紫野工厂；右：苏州工厂）仪器信息网：贵公司未来在试验机领域的发展目标和规划是什么？毕梦园：随着技术的发展，岛津试验机也在不断向智能化和网络化方向发展。要开发利用互联网的试验机，比如中国和日本互联网的连接，让岛津的试验机和用户的生产设备联系起来，让岛津试验机和办事处联系起来。试验机和其它技术的融合是当前岛津试验机的一大战略。目前，岛津试验机已实现同其它仪器联用的技术，这得益于岛津极其丰富的产品线。如试验机与无损检测仪联用，实现了边做实验边观察透射影像；试验机压鸡蛋等食品，测试食品弹性口感的同时，将食品散发的气体送入气相色谱做气味检测；试验机检测汽车的锂电池，先做压缩实验，再用气相色谱检测排放气体等。未来，岛津也将考虑试验机与其它仪器联用的一体机。除此之外，市场的拓展也是重中之重。现阶段，岛津试验机的第一大市场是汽车行业，因为汽车行业使用很多材料，如金属、树脂、电器、电线等，供应商比较多；其次是新材料行业，如复合材料、铝合金等。未来，岛津也将进一步探索与拓展更多新兴领域。

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 在最近大热的科幻电影《流浪地球》中，科学家们发现太阳急速衰老膨胀，包括地球在内的整个太阳系都将被太阳所吞没。为了自救，人类提出一个名为“流浪地球”的大胆计划，用2500年的时间推动地球离开太阳系，奔往另外一个栖息之地。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 为了延续人类文明，联合政府同时配备了“火种计划”。在“领航员”号空间站冷藏了30万人类受精卵、1亿颗基础农作物的种子，储存着全球已知的动植物DNA图谱，并设有全部人类文明的数字资料库，确保在地球到达新的家园后，能够重建完整的人类文明。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 地表的“大冰箱” /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/36d846eb-a596-40cd-bb76-7c4cbbc1c6f3.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" width=" 633" height=" 458" style=" width: 633px height: 458px " / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 在流浪的过程中，地球逐渐远离太阳，地表成为一个“大冰箱”，从人类生存的地下城乘坐升降梯回到地表，温度将会直降到-80℃以下，极低的温度环境里，世界万物都被冻在冰雪中，相貌依旧。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 回到现实，赛默飞从1938年开始生产冷冻产品线，是最早的生产厂家，目前全球有超过50亿份样本储存在Thermo Scientific超低温冰箱、冰箱和液氮中。2015年，赛默飞首推具有专利技术的变频超静音超低温冰箱：Thermo Scientific TSX 变频超静音超低温冰箱，其把完美的样品保护与节能环保融为一体。专利的V-drive 技术为箱体内部提供无以伦比的温度均一性，并能节省能耗50%。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 现实中的“MOSS”？ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/cb8dc5e5-5c2a-42f1-9aea-47147e8f72ac.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 影片中最让大家感到神奇的就是人工智能“moss”了，拥有自由思维的moss是未来先进科技的集大成者，这项人工技术在现代也可窥见其发展的踪迹。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 来自赛默飞最新一代360度自由旋转的实验室专用的智能化协作式机械臂：Spinnaker是全球在生命科学领域唯一内置成像系统，自动定位外周设备，自动修复，自动读码和追踪的机械臂。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 细胞是怎么存储的呢？ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/7d0c483a-e315-4027-8690-be8c0d0fda43.jpg" title=" 5.jpg" alt=" 5.jpg" / /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/16367265-e442-4182-b067-54ab3c53475f.jpg" title=" 3.jpg" alt=" 3.jpg" width=" 573" height=" 424" style=" width: 573px height: 424px " / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " “火种计划”中保存的生物样本无疑是全人类的希望，虽然电影中没有直接给出生物样本库的镜头，但是小编可以给大家分享下现今大多细胞样本的长期保存其实是保存在-196℃的液氮中。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 现代生物样本库 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 是怎样建成的呢？ /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 赛默飞作为科学服务领域的领导者，能够提供样本库所需的所有设备、耗材、软件、服务，并且自建有第三方样本保存库、为样本库行业持续服务三十年，并获全球样本库行业最佳实践奖。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/a0fad8ea-8f6c-4776-be93-4499d999e977.jpg" title=" 4.jpg" alt=" 4.jpg" width=" 623" height=" 365" style=" width: 623px height: 365px " / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 赛默飞为客户提供生物样本库包括场地规划设计、基建实施、设备耗材的配备等一站式解决方案，涵盖样品采集、样品制备、样品储存、样品分析、样品运输五个部分，全方位解决您的后顾之忧。 /p p br style=" text-indent: 2em text-align: left " / /p

4月17-20日，CHINAPLAS 2023国际橡塑展在深圳国际会展中心举办，携手逾3,900家全球高质量展商，吸引超240000名海内外观众，上演了一场先进科技的“塑”度与激情。 作为行业广泛认可的力学试验设备制造商，英斯特朗（INSTRON）携新款熔融指数仪、热变形维卡软化点温度测定仪、动静态测试系统、自动化试验系统等多款产品盛装亮相CHINAPLAS 2023国际橡塑展。“力学试验技术与工业4.0有着密切关联，整个行业正朝着更智能、更安全和更便捷的方向发展。”英斯特朗副总裁兼中国区总经理王志勇在展会现场谈到，“所以，英斯特朗新产品的开发也始终向着智能化、安全化和操作便捷化的角度不断开拓。”英斯特朗本次展出的系列产品中，有两款重磅新产品亮相——MFi系列熔融指数仪、CAT-6自动化试验系统，便是“智能与便捷”的充分体现。 英斯特朗 MFi系列熔融指数仪全新MFi系列熔融指数仪不仅具有更高的测试温度（标配的测试温度提升至 450℃），更快的流动速率测试能力（重新设计了砝码升降装置），并且采用了Bluehill-Melt测试软件，配合采用7寸触摸屏，可实时显示图标，观看实时曲线，实现异常值自动检测等功能，用户仅需三步即可完成试验参数设置。同时，更高的位移精度测量及更稳定的温度控制系统，确保了测试结果的可靠性。英斯特朗 CAT-6自动化试验系统CAT-6自动化试验系统利用全新开发IA自动化控制软件，实现完全自动化的金属、塑料碳纤维的强度、模量、伸长率等材料性能测定。设备采用了协作式机器人、实时样品夹持监测、直观的测试状态显示、隔离防护栏等安全设计，最大程度保障测试安全性；高度一致性的测试流程和试样夹持过程，大大降低了人为因素的干扰，提高了测试结果的准确性和可重复性。MFi系列熔融指数仪卓越的性能优势、CAT-6自动化试验系统挥舞翻转的机械臂不仅引来一波又一波观众驻足了解，也成为了本次展会现场一道亮丽景象。智能化和便捷化之风，已经吹到了仪器设备行业，而英斯特朗，正引领着力学试验设备的创新发展。

美国英斯特朗是全球领先的设计评估材料及构件力学性能的检测设备供应商。近期发布了针对塑料的最新自动化测试系统：TM AT3（做拉伸试验）和TM AT3+（做拉伸、弯曲试验）。这些系统的设计是为了满足ASTM D638和D790，ISO 527和178以及其它测试标准的测试要求。该系统为英斯特朗全自动 AT6机器人系统提供的许多便利，仅占很小空间，但是却明显降低了成本。优点如下： 存储架可存放80个 试样（可基于样品的尺寸和几何结构调整） 每个系统可配置多个机架，在系统运行时允许操作者预先加载试样 当载物器异常，转换超时时，该系统可以手动操作 兼容AutoX750引伸计，应变测量时用户可选择自动、直接接触式引伸计，而不是使用不精确的横梁位移 标准选项有试样条形码的读取能力和自动双轴试样的测量 可连续性测试自动试样加载功能提高了测试和测试结果的重复性和再现性，使人为影响及人为误差最小化。 安全性&工效AT3和AT3+自动化测试系统通过保持操作者与试验区的距离来提高安全性，通过消除大量人工测试的重复运作来提高工效。 节省操作时间可节省机械测试时自动试样测量和处理的操作时间。操作者只需要连续装载托盘，运行系统。根据测试材料和准确测试操作，操作者可以节省多达75%的时间，所节省的时间可以做别的更有价值的工作。 以下是视频链接请观赏AT3/AT3+ Video:http://v.youku.com/v_show/id_XMTI5MjI2Nzg0OA==.html?from=y1.7-2 关于英斯特朗：英斯特朗(INSTRON )是全球领先的材料和构件物性测试试验机制造商，美国五百强公司ITW集团旗下品牌，从基本的软组织到先进的高强度合金材料，其产品被广泛运用于测试各种材料,组件和结构在不同环境下的力学性能和特性。 自1946年英斯特朗成立并研制了世界上第一台闭环控制的电子万能材料试验机和第一个应变片式载荷传感器以来，英斯特朗以成为公认的力学性能测试设备世界领导者为使命，通过提供最高品质的产品，专业的技术支持和世界水平的服务，从而使用户获得拥有英斯特朗产品的最佳体验。 更多新闻垂询请联系：英斯特朗市场部Kelly Jiang Tel: +86 21-62158568* 8301E-Mail: jiang_min-hua@instron.com或者您可访问英斯特朗官方网站： www.instron.com用手机扫一扫，关注英斯特朗微信账号，获取更多英斯特朗的产品信息和测试tips

河耿月凉时，牵牛织女期。 ——卢殷《七夕》金风玉露一相逢，便胜却人间无数。——秦观《鹊桥仙纤云弄巧》古代诗人用各种优美的文字描绘了对七夕佳节的祝福，奈何牛郎和织女这对CP，一年只重逢一次。但在我们工作的实验室，有多对CP，却日日相互扶持，携手完成各种实验对他们的挑战。01比如这对CPWelPrep2000和WelPacker DAC在这对CP中：WelPrep2000制备液相色谱仪负责对溶剂和样品的定时定量输送，以及目标物的检测和收集。WelPacker DAC动态轴向压缩柱负责对化合物进行分离，将目标物与杂质分开，以便收集到更纯，更高产的目标物。WelPrep 2000制备液相色谱仪：应用广泛，配置灵活，小到10mL/min以下的流速，中到3L/min，大到50L/min的流速，只要WelPacker DAC有需要，都可以选配。优化的光路制备最小检出限可达微克级，分析可达纳克级。不同光程流通池可选，以及可编程波长技术，满足您在分析、半制备到制备过程中的多种应用场景。GMP版色谱数据处理系统具有审计追踪功能，数据处理和存储安全有效，符合GLP和FDA法规要求。具有按时间、峰、斜率等多种馏分收集方式可选，可选配36位，100位，120位，以及大流量8通道等收集器。搭配自动进样器，可选25位或45位样品连续进样制备。WelPacker DAC动态轴向压缩柱：采用进口的气动液压泵、阀等关键部件，产品符合FDA要求和ICH, ISPE, GAMP, EHS的相关要求。柱管内径从DAC50 ~DAC800多种标准规格可选 ，其它内径规格和柱长可以定制。采用先进的柱管珩磨技术，内壁粗糙度≤0.2μm，减小磨损，提高寿命，降低柱壁效应，提高色谱柱性能。筛板编织工艺制成，不容易堵塞，也更容易清洁，3μm孔径筛板，可装填最小5μm的填料。具有配套使用的翻转支架、匀浆罐、过滤器、收集器等组件可选。WelPrep2000和WelPacker DAC这对CP，完美搭配，适用于大多数分离纯化的应用场景，展现了高效、可靠、专业的特点。心动关键词：更高效制备 更多样化选择 更多应用领域02科学之源，永恒净化，继续推荐Watbule Q超纯水机和C系列进样小瓶清洗机Watbule Q超纯水机和C系列进样小瓶清洗机这对CP，也是实验室里的绝佳拍档：Watbule Q系列超纯水机负责供应清洁的水，Watbule C系列进样小瓶清洗机负责采用Watbule Q的水进行最后的漂洗和净化，确保器皿的清洗效果。Watbule Q系列超纯水机：采用离子交换法、紫外氧化法、反渗透法（RO）对水质进行处理，水质符合法规要求，可壁挂安装，节省台面空间，具有RFID功能，水质可以溯源。不仅可以为Watbule C系列进样小瓶清洗机供水，也可以为仪器提供分析用水，如 HPLC、IC、AAS、ICP、UV-Vis、LC-MS、ICP-MS 等；试剂、缓冲液、标准溶液和空白溶液配制；微生物、动物培养等等。Watbule C系列进样小瓶清洗机：解决了瓶口小，容积小，不易进水；手工清洗，只能一个个洗，效率低；超声清洗，操作繁琐，无法保证每个进样瓶都充满水；消耗清洗剂和水资源；和清洗方法无规范等等小型实验室器皿的清洗问题。每个进样小瓶都有单独的可替换支架和清洗针，确保清洁干净。智能感应式舱门确保开关门风险。底面具有倾斜度设计，最低处有收集槽，防止管路堵塞。双层HEPA过滤网棉，保证烘干过程中空气的纯度。心动关键词：水质好 即用即取 清洗效果佳03再来推荐的是免疫亲和柱与衍生的CP——免疫亲和柱和WelView光化学衍生器免疫亲和柱与WelView光化学衍生器这对CP，是新的一对实验室搭档：免疫亲和柱负责对样品进行高效前处理，WelView光化学衍生器负责对提取的样品进一步衍生化处理，便于准确检测，使各类毒素无处遁形，守护食品安全。光化学衍生器：是一种柱后衍生装置，安装于色谱柱和检测器之间，用于提高检测器对待测物的灵敏度或选择性。典型应用：黄曲毒霉素检测，增强黄曲毒霉素G1和B1的信号强度。WelView光化学衍生器，增添了彩色屏幕用于显示仪器状态。增加了异常报警功能。提高了衍生性能和紫外灯使用寿命。黄曲霉毒素检测一站式服务解决方案中，可用到以下更多拍档：PN：01140-00031 黄曲霉毒素总量免疫亲和柱（B1、B2、G1、G2）1mL，25支 粮油、饲料、中药材、调味品等。PN：01140-00032 黄曲霉毒素总量免疫亲和柱（B1、B2、G1、G2） 3mL，15支 粮油、饲料、中药材、调味品等。Ultimate® ODS-3等色谱柱。心动关键词：简单易用 多毒素同时检测 衍生效果佳

武钢计控公司是国家一级计量单位。该公司以“在科学的道路上永无止境地探索”为企业理念，注重发挥各类人才积极性和创造性。通过建立现代企业制度，实施管理创新，形成较强的高新技术产品开发能力。该公司向我公司聚光科技提供了详细工况，让我公司根据现场工艺来设计，对其电捕焦油器O2浓度进行连续、实时的监测和记录、分析，给武钢计控公司的工艺控制提供依据。据该公司O2含量检测要求，我公司采用LGA-4100型探头式激光过程气体分析系统来进行测量。LGA-4100激光过程气体分析系统是结合多年的激光气体分析产品的开发和应用经验，集成半导体激光吸收光谱、激光器波长自适应、、蓝牙无线通讯等多项创新技术，推出的新一代激光过程气体分析产品。该系统的发射和接收单元直接安装在工业管道上。整个系统由于无预处理及运动部件，使得其相对于传统红外等分析系统，运行的稳定性和可靠性大大增强，并且维护标定工作量和运行费用大大降低。 LGA-4100半导体激光气体分析系统基于国际领先的半导体激光吸收光谱技术（DLAS），即“单线光谱”测量技术。具体来说，就是通过测量具有某一特定吸收谱线的激光束在穿过被测气体时发生的衰减信息，并根据激光强度衰减与被测气体含量间的正比关系，分析获得被测气体的浓度。与非分光红外气体分析技术相同,DLAS技术也是一种吸收光谱技术，它利用Beer-Lambert关系来定量分析半导体激光能量被被测气体选择吸收产生的衰减来获得气体的浓度。与传统非分光红外分析技术使用谱宽很宽且固定波长的红外光源不同，DLAS技术使用谱宽非常小(也就是单色性非常好) 且波长可调谐的半导体激光器作为光源。 因此，DLAS技术具有传统非分光红外分析技术无法实现的一些性能优点： 1. 不受背景气体交叉干扰。半导体激光器发射的激光谱宽小于0.0001nm，是红外光源谱宽的1/106，远小于红外光源谱宽和被测气体单吸收谱线宽度，其频率调制扫描范围也仅包含被测气体单吸收谱线（半导体激光吸收光谱技术也因此被称为单线光谱技术），因此成功消除了背景气体交叉干扰影响。 2. 不受粉尘和视窗污染干扰。非分光红外气体分析仪在分析粉尘含量较大的气体时，粉尘和被污染的光学元件会引起气室透光率的变化，而固定波长的光源又无法区别气体和粉尘的吸收，因此无法自动修正粉尘对光学元件的污染影响。而半导体激光的波长可通过调制工作电流而被扫描，使激光波长既扫描过有气体吸收的区域，也扫描过没有气体吸收的区域。当波长位于吸收区域时可测得包含气体和粉尘在内的总透光率T总，当波长位于无气体吸收区域时可以测得粉尘透光率T粉尘，从而可以准确获得被测气体的透光率T气体 =T总/ T粉尘。DLAS技术通过激光波长扫描技术修正了粉尘和视窗污染对测量的影响。 3. 不受被测气体环境参数变化干扰。被测气体环境参数—温度或压力变化通常导致谱线强度和展宽发生变化，对温度或压力信号不加修正就会影响测量结果。而DLAS技术是对被测气体单一吸收谱线进行分析，因此可较容易地对温度、压力效应进行修正。为此LGA-4100系统内置了温度和压力自动修正功能，能根据实际测量得到的被测气体温度和压力对气体成分测量值进行自动修正，从而可实现精确的在线气体分析。 综上所述，单线光谱技术、激光波长扫描技术和环境参数自动修正技术使DLAS技术可以被用于实现气体的原位分析，因此比非分光红外等传统采样气体分析系统具备更强的环境适应性。并且由于激光气体分析系统省却了采样预处理装置，结构简单、无运动部件，维护标定方便、可靠性高，响应速度快而准确，大大提升了在线过程气体检测的水平。 该系统特点： 1.无需采样，现场测量。 2.响应速度快（1秒）。 3.测量精度高（≤ ± 1%）。 4.不受背景气体交叉干扰。 5.自动修正粉尘及光学视窗污染影响。 6.结构简单紧凑、可靠性高，操作维护方　　便，运行费用低。 7.一体化正压防爆技术，模块化设计，可　　现场更换所有功能模块。 聚光科技在产品核心及关键技术领域拥有自主知识产权，现已申请并拥有多项发明专利、实用新型专利和软件著作权。其研发生产的激光现场在线气体分析系统于2003年经国家法定检测部门检测，精度达到1级。系统能够在高温、高粉尘、高流速、强腐蚀等恶劣环境下现场分析气体浓度和热值等。为各行业提供迫切需要的非接触、实时、远程、多点连续的自动监测解决方案，并为优化生产工艺、节能降耗、能源气回收、安全及环保监测等提供了有效保障。 那么为什么武钢计控公司会选择聚光科技呢？ 除了聚光科技，还没有一家公司有实力去研发生产激光现场在线气体分析系统。作为全球不多的激光在线气体分析系统的开发和供应商，聚光科技解决了以下技术难点： 第一，半导体激光吸收光谱技术。解决包括半导体激光波长锁定技术（使激光频率长时间稳定在吸收谱线频率处）、高灵敏度的调制光谱检测技术、光学Etalon噪音有效抑制方法等，并建立和完善了重要工业气体成分的吸收光谱数据库（吸收谱线位置、不同温度下的压力展宽、吸收谱线线强及其与温度的关系等）等。 第二，高性能半导体激光电流源技术。半导体激光器非常容易被浪涌电流和高频电磁辐射损坏，为此聚光科技开发了用于各工业现场的低噪音半导体激光电流源技术，在半导体激光电流源电路中设计大量保护电路模块来抑制各种原因产生的浪涌电流和电磁辐射。同时，还通过降低激光电流源的噪音来降低激光强度噪音，从而提高系统的检测灵敏度。 第三，微弱信号检测技术和电磁兼容技术。为了提高检测灵敏度，除了降低上面提到的光学Etalon噪音外，还要降低各种电磁干扰噪音。为此研发了高性能的微弱信号检测技术（低噪音设计、采用锁相放大技术）和电磁兼容技术（如良好接地、电缆线屏蔽等）。第四，吸收光谱信号分析算法。激光在线气体分析系统实现了从测量获得的调制光谱信号中直接提取谱线展宽的数字信号处理方法，从而可以准确修正气体组分变化对气体浓度测量的影响。很多时候，光学Etalon噪音或其他噪音的频率与信号频率接近，而聚光科技研发的、适用于这种情况下的噪音抑制算法，大大提高了恶劣工况下激光在线气体分析系统的检测灵敏度和可靠性。 聚光科技不仅掌握世界尖端科技——激光吸收光谱技术，可以解决和突破以上难点，而且与现有其他分析系统相比，聚光科技研发生产的激光在线气体分析系统还实现了以下技术创新： 第一，开发的半导体激光在线气体分析系统实现了气体浓度的现场、连续测量，避免了背景气体的交叉干扰，自动修正粉尘、视窗污染所带来的数据误差。由于采用非接触式光学测量而适用于强腐蚀、高温、高压、高粉尘的恶劣环境，解决了现有常用采样方式“在线”分析系统的弊病。该技术创新点经鉴定为国内首创、国际先进。 第二，在使用光谱技术测量气体成分时，如果气体组成、温度和压力发生了变化，则气体的谱线展宽就会相应变化，从而影响测量的准确性。国外同类产品都是通过测量气体温度、压力，并且估计测量环境中的气体组成来计算谱线展宽，从而对测量气体成分进行修正。这种修正策略的难点在于无法准确估计测量环境中的其他气体组成，从而造成测量误差。对于此难点，聚光科技在国际上率先实现了通过数字信号处理的方法直接从检测的调制光谱信号中准确提取谱线展宽，从而避免了谱线展宽变化导致的测量误差。 第三，国际上现有同类产品一般都只有4-20mA电流、RS232等数据输出方式，聚光科技的激光现场在线气体分析系统除了以上方式外，还开发了可选配的无线数据传送模块，使本产品具有无线网络传输功能。该无线数据传输模块可以实现：对仪器内嵌程序版本实现无线远程升级；分析信息、数据的远程传输；远程收集系统工作状态，实时设置仪器参数等。这是国际上首次在半导体激光在线气体分析系统上实现无线数据传送。 与国外同类产品相比，LGA系列激光在线分析系统在软硬件方面也具有明显优势： 首先，它具有自动谱线展宽修正功能，分析气体浓度时不受被测气体环境中气体组成变化的影响，可应用于气体组成有较大变化的场合。 其次，LGA系列产品可选配GPRS无线数据传输模块，通过该模块，聚光科技可为用户提供远程程序升级、设置和优化分析系统参数等服务。而且，国外引进关键技术和部件，国内进行研发并量身定制，充分考虑了国内用户的现场工况和供货需求，为项目的按期、顺利实施也提供了有效保障。 聚光科技为武钢计控公司此项目解决了一些关键的工艺需求。 首先是响应速度。气体分析的重要因素是分析仪器的响应速度，激光在线气体分析系统实现“在位”测量和毫秒级响应，响应时间1s，避免了采样预处理响应滞后带来的安全隐患。 其次是样气排放。工艺管道中有大量有毒、有害气体，传统分析系统的尾气排放不仅会造成环境污染和爆炸，对操作人员身体也有害处。激光在线气体分析系统无需抽气检验，没有样气排放问题。 第三是测量精确度。测量的准确性关系到对安全隐患判断的准确性问题，激光现场在线气体分析对原始气体进行分析，不改变气体成份，测量准确度为± 1%。第四是维护、标定。系统维护和标定的工作量不仅牵涉人力物力，而且降低了开表率。激光在线气体分析系统的年维护和标定次数2次/年；且维护标定非常方便。 最后是运行费用。设备的选型不仅考虑一次性投资，还要考虑将来的运行和维护成本。激光在线气体分析系统无需备品备件，运行成本仅为电费、气源费和标定气费用。

伊朗半导体科学家埃塔洛蒂近日在美国旧金山一家联邦地区法庭接受审理。他涉嫌试图将购自美国的高技术实验室设备带回伊朗，据信受控违反美国出口规定。 　　埃塔洛蒂现年54岁，是微芯片专家，在伊朗知名高校谢里夫大学担任助理教授。他去年12月7日在洛杉矶下飞机后被捕，随后遭拘押在加利福尼亚州都柏林一座监狱。旧金山一家联邦地区法庭26日举行针对埃塔洛蒂的闭门听证会，持续10分钟。 　　埃塔洛蒂的家人告诉媒体记者，埃塔洛蒂将获保释，但须佩戴电子监控设备。法庭之所以允许埃塔洛蒂保释，部分原因是考虑到他的身体状况。埃塔洛蒂过去14个月两次接受心脏手术。 　　埃塔洛蒂的律师科恩说，埃塔洛蒂受拘押期间没有遭受虐待，监狱看守关注他的健康状况。 　　设在巴基斯坦驻美国大使馆内的伊朗利益代表处说，已经得知埃塔洛蒂遭逮捕的消息。 　　伊朗谢里夫大学一名发言人说，埃塔洛蒂受控从美国购买科学仪器。