电路接地仪

近日，深圳检验检疫局机电实验室在国际权威能力验证机构澳大利亚IFM质量服务有限责任公司(简称IFM)组织的接地电阻能力验证中获得满意结果，标志着该局机电实验室接地电阻的检测能力达到国际领先水平。此次能力验证既证实了该局机电实验室接地电阻试验的出色检测能力，也为该局机电实验室明确自身在全球检测机构中定位及未来发展方向提供了平台。 　　IFM是国际电工委员会电工产品安全认证体系(IECEE)指定的能力验证机构。此次能力验证检测涵盖范围广，样品包含了3个电阻，并且分别要求在3个电流状态下进行测量，至少需要测量9组，共18个数据，基本覆盖了日常检测工作中的各种情况 此次能力验证参与实验室数量多。全球共有302家实验室参加本次验证，其中231家实验室获得满意结果，占76%，参加实验室多为国际电工委员会授权认可的国际技术领域最具权威的检测机构。此次能力验证引入了实验室间环境控制、仪器设备先进性水平的比较。通过实验室间环境温度控制的数据，横向比较了实验室的环境控制能力，并且分析了不同环境控制能力下的检测数据。

衡器接地仅仅是个小问题么？不！当今时代，我们都越来越关注衡器的准确性与可靠性。试想一下，如果一台重要的称量设备突然发生故障，备件和维修都需要时间，尤其是当前疫情的影响下，物流和人员调动都有很大的不确定性，这往往会令设备管理者措手不及。因此，提高称量设备的可靠性，减少意外停机就很重要。造成设备故障的原因虽然有很多，但有些问题是可以通过日常的检查与维护来预防的。 本期小梅直播将与梅特勒托利多资深服务专家马伟康一起，看看如何正确处理衡器电源与接地问题，避免对衡器准确性与可靠性造成不良影响。 直播时间：2022年 5月 25日（周三），15:00 – 16:00主讲人：马伟康，梅特勒托利多资深服务专家如您有更多关于产品检测设备预防性维护的服务需求，请长按识别下方二维码留下信息，我们将有专业服务支持团队在 10个工作日与您联系，为您解答。您还可以搜索关注“梅特勒托利多服务在线”公众号，或拨打免费服务咨询热线 400-8878-989，时刻获取前沿资讯和精选培训课程。

为促进电子显微学研究、电镜应用技术交流，打破时空壁垒，仪器信息网邀请电子显微学领域研究、技术、应用专家，以约稿分享形式，与大家共享电子显微学相关研究、技术、应用进展及经验等。同时，每期约稿将在仪器信息网社区电子显微镜版块发布对应互动贴，便于约稿专家、网友线上沟通互动。专家约稿招募：若您有电子显微学相关研究、技术、应用、经验等愿意以约稿形式共享，欢迎邮件投稿或沟通（邮箱：yanglz@instrument.com.cn）。本期将分享张承青老师为大家整理的关于电镜实验室环境对电镜的影响的系列约稿经验分享，以下为系列之七，以飨读者。（本文经授权发布,分享内容为作者个人观点, 仅供读者学习参考,不代表本网观点）系列之七 谈谈电子显微镜的接地众所周知电器设备都需要安全接地保护。各种设备的外壳或外露金属部分，都要与大地直接连接，以保证在万一短路漏电时，还能够使外壳或外露金属部分的电压保持在人体能够容忍的范围内（我国现行规定安全电压为不超过24V），以确保人身安全。电子显微镜也不例外，同样需要安全接地保护，万一系统发生漏电时提供一个泄放回路，确保操作人员或维修人员的人身安全。不过另外还有一个特殊的地方就是，电子显微镜的地线同时还是电子显微镜内各个分系统（如探测器、信号处理放大、电子束控制等等）的共同“零电位”端，必须保持电压稳定在“零”。理论上地线端是一个电压为零的参照点，但是实际上，当地线回路上存在电流时（这个电流通常称为漏电流或接地电流，由各用电设备分别产生，其大小为各漏电电流的矢量和），在这个地线回路上的任何一个接地端都有接地电压存在（因为任何地线的接地电阻R尽管很小但不可能为零，根据欧姆定律V=IR，接地电压V在漏电电流I不为零的情况下不会为0），尽管这个接地电压很小以至于我们时常忽略它。但在电子显微镜系统里，这个接地电压使得“零电位”端的电压不能稳定在“零”，这样就会使得电子显微镜不能保持在最好的工作状态下。因为总漏电电流不可能为恒定值，所以接地电压的大小是无规则变化的。即便是一般认为小到微不足道的接地电压，对于经常需要把图像放大几万到一百多万倍的电子显微镜来说，所产生的影响也往往是不可忽视的。接地电压的变化，直接致使SEM模式的图像垂直边缘产生类似磁场和振动干扰的毛刺，严重时还会使图像抖动。解决这个问题的方法很简单，就是专门为电子显微镜设置一个单独的接地回路，我们称之为“独立地线（single earth loop）”。这样就排除了同一供电回路中其它用电设备的漏电流对电子显微镜的干扰。注意，必须从接地体到接地线到接地端子都是独立且不与任何导电体相连接的，这样才能保证该地线的完全独立。必须防止以下几种常见错误：1）没有埋设完全独立的接地体，只是单独布放一根地线联接到公共接地体；2）虽然有单独的接地体但是接地线或接地端子与公共地线或其它用电设备相联接；3）尽量不要接“等电位端子盒”，那玩意儿一般都是接公共地线或者与轻钢龙骨短接的；4）独立地线尽量不要两台或更多的电镜合用（有些有好几台电镜的用户，实在不情愿给每个电镜配一套独立地线啊）；5）注意不可以利用现成地下金属导体做独立地线的接地体，像是大楼底梁阀板里的钢筋什么的，那都是公用的；也不要借用弱电系统的接地体，那些都不可靠；6）与电镜信号系统连接的设备（如波谱能谱计算机显示器等，它们的地线必须与公共地线分离，这点实践中经常被疏忽）。电子显微镜对独立地线的接地电阻要求实际不高，前些年某品牌要求是100欧姆以下即可。目前一般各家厂商都只是要求在1～10欧姆即可（小于0.1欧姆的地线成本急剧上升，并且有些土质环境很难做到）。地线制作一般有“深井式”和“浅坑式”两种（参见图一和图二）。注意无论那种方法，都要与地下任何金属物保持四米以上直线距离以防干扰。深井式制作说明（供参考）：1．钻深孔：直径约50～100毫米，深度约为3～20米，达到到潮湿土层即可。2．接地体：铜管壁厚2毫米（铜棒亦可，多花些银子就是）直径约30毫米、长约0.5米，由接地线焊牢（三点以上）引出到电子显微镜附近。3．接地线：4～10平方毫米橡胶或塑料多股铜芯线。4．降阻剂：盐、小块木炭各约2～3公斤。5．施工工艺：将接地体吊放到孔的底部，准备一细长工具（钢筋、水管等），将逐渐放入的降阻剂由下而上地捣实，然后继续回填捣紧，特别注意在接地体周围一定要捣实捣紧，同时注意不要把接地线碰断。图一 深井式示意图浅坑式制作说明（供参考）：1．挖浅坑：深度约为0.5～2米，达到潮湿土层即可。2．接地体：铜板约0.5×0.5米，厚度2～3毫米，由接地线焊牢（三点以上）引出到电子显微镜附近。3．接地线：4～10平方毫米橡胶或塑料多股铜芯线。4．降阻剂：盐、小块木炭各约2.5～5公斤。5．施工工艺：将铜板垂直放到坑的底部，周围先以降阻剂覆盖，并捣实捣紧，然后继续回填捣紧，注意不要把接地线碰断。 图二 浅坑式示意图 “深井式”适合地面难以开挖或地下水位很深的某些地方。比较而言，“浅坑式”是更为常见的做法。无论是“深井式”或是“浅坑式”，按照此工艺施工，接地电阻都可以达到4～10欧姆（单接地体）。接地线与接地体的连接如果不便焊接的话，也可以钻孔用螺栓连接。注意必须用铜螺栓铜垫圈铜螺母，不要用哪怕是不锈钢的来代替。这不仅是防锈，还是防止产生化学电势、防止产生电腐蚀。特别需要注意，板型接地体或者条带型接地体必须垂直埋下及回填捣实，这很重要的哦!在土壤电阻很大的地方，为降低接地阻抗，还可以将两个以上的接地体连接起来构成一个小型接地系统，此时各接地体间距0.3～0.5米即可（深井式可以使用同一钻孔）。经实测，一般一个接地体接地电阻可达4欧姆左右，两个个接地体接地电阻可达3欧姆左右，三个接地体接地电阻可达2欧姆左右，六到十个接地体接地电阻可达1欧姆以下（视土壤电阻率而定）。因为不会有“跨步电压”的危险,所以不需要参照防雷电格栅式地线网的做法。同时为减少附近地下其它导体的影响，这个小型接地系统也应尽量少占用地下面积。为防止意外短路，接地线进入室内后应直接与电子显微镜的接地线（或电子显微镜内部的地线汇流排）连接，而不要配置一般常见的地线盒或地线端子箱等，不要进入其它等电位端子箱或开关箱，不要与其它汇流排相连。道理很简单，说穿不值钱。不过因为地线属于地下隐蔽工程，做好后很难判断它的独立性究竟好不好。曾经多次碰到磁场好，振动噪声都没问题，电镜本身也是正常的，就是偏偏图像有毛刺，最后临时断开所有接地线毛刺就大为改善，问题所在很清楚了吧。还有市售UPS的接地制式，基本都是不符合单独接地要求的。UPS主机一般共有八个桩头、进出八根线，除两个接电池组外，另有相零地三进三出。要知道：进来的地线桩头在UPS主机内部是与输出的地线桩头完全相通的！UPS厂商工程师按照标准作业规范，把八个头八根线一个一个接好，开机、正常、走人。可是说好的独立地线呢？没啦，在UPS的鼎力相助下，和公共地线网连起来了。呜呜！怎么办？断开就是，两个都断开？显然不对。好，再问，（卖个关子）应该断开哪一个？临时断开地线时必须注意是断开所有的接地线，包括附属设备如能谱波谱拉伸台等等，还包括插在墙上电源插座的显示器，扒拉扒拉一堆呢。包括三个爪子的电源插头，可以拔的都拔掉。如果疏忽漏掉一个没有断开，后面都是做无用功。噢，不，算上误导，就是做负功，不如不做。还有一点需要注意，有时电镜会有循环冷却水箱、空压机、UPS等一大堆附属设备，这些设备也需要接地，但必须和电镜的独立地线分开（有些电镜厂商有明确说明，有些没有），可以使用另一个独立地线，也可以接入公共地线。真空泵由于是从电镜取电（其开启和停止由电镜端控制），一般出厂配置就是用三芯电缆（相、零、地）与电镜相连，曾有人画蛇添足，再给它外壳接个地（说是保险一些），这个地线很自然就接到等电位端子箱、接到公共地线去了。哦噢，独立地线又没有啦！有时图像不好，排查电镜自身原因后,地线就是最可疑的（磁场振动都可以测出来，地线的独立性没法测）。所以，提高对地线的认识，事先与用户（可能还有用户单位电务管理人员）有明确沟通，是很重要的。不幸也是最容易被疏忽的一个方面，唉。2020.11张承青作者简介作者张承青，退休前在某电镜公司工作多年，曾经做过约两千个（次）电镜环境调查、测试，参与多个电镜实验室设计及改造设计规划，在低频电磁环境改善和低频振动改善等方面有些体会，迄今仍在这些方面继续探索。附1：张承青系列约稿互动贴链接（点击留言，与张老师留言互动）： https://bbs.instrument.com.cn/topic/7655934_1附2：张承青系列约稿发布回顾拟定主题发布时间文章链接序言 电镜实验室环境对电镜的影响2020年10月13日链接系列之一 电子显微镜实验室环境调查的必要性2020年10月15日链接系列之二 电镜实验室的电磁环境改善2020年10月20日链接系列之三 低 频 电 磁 屏 蔽 实 践2020年10月22日链接系列之四 主动式低频消磁系统2020年10月27日链接系列之五 几种改善电磁环境方法比较2020年10月29日链接系列之六 低频振动环境改善2020年11月3日链接系列之七 谈谈电子显微镜的接地2020年11月5日链接系列之八温度湿度和风速噪声2020年11月11日链接… … … … … … 附3：相关专家系列约稿安徽大学林中清扫描电镜系列约稿

药品质量与安全直接关系到公众的健康，是重要的民生问题。保证药品的质量与安全不仅是监管部门的责任，更是药品生产经营者的责任和法定义务。&ldquo 药品质量安全大会&rdquo 执着于推动我国药品质量与安全水平的不断提升，通过搭建 &ldquo 高水平、专业化&rdquo 的平台，宣传药品质量与安全的先进理念，分析医药产业发展的状况，探讨保证和提高药品质量与安全的方法和途径，推动产、学、研之间的交流与沟通，促进我国药品质量与安全水平的不断提升。 　　己连续成功举办了4届的药品质量安全大会，坚持&ldquo 求真、务实、接地气&rdquo 的宗旨，已成为全国药品质量安全领域规模最大的专业性会议，是制药行业有广泛影响的质量安全保障技术交流平台。 &ldquo 第五届药品质量与安全大会&rdquo 将于2015年4月16&mdash 17日在杭州召开，大会邀请了多位著名的权威专家学者和企业药品质量与安全管理的高层管理者，通过多个专场专题会议，深入细致的讨论、分析、交流，使参会者有所收获、大有收获。

X荧光分析是一种快速、无损、多元素同时测定的分析技术，已广泛应用于材料、冶金、地质、生物医学、环境监测、天体物理、文物考古、刑事侦察、工业生产等诸多领域，可为相关生产企业提供一种可行的、低成本的、及时的检测、筛选和控制有害元素含量的有效途径。 以冶金行业为例，X荧光分析在对原料的选择，冶炼前的炉料计算，冶炼工艺流程的控制，产品的检验、废料的回收处理等诸多方面发挥着重要的作用。可能是因为上述这些原因吧，2014国际冶金及材料分析测试学术报告会特别为&ldquo X射线荧光光谱&rdquo 单独组织了一个分会场。数十位来自冶金、地矿企业的分析工作者以及相关生产厂商的代表齐聚一堂，分享各自所带来的新技术、新方法以及新标准。 与笔者参加的以往大多数学术会议有所不同的是，在该分会上所宣读的大多数报告并不是聚焦在那些&ldquo 高、大、上&rdquo 的科技前沿课题，而主要是为了解决在生产过程中所遇到的实际问题，很具有现实意义。可以说是相当地&ldquo 接地气儿&rdquo 。同时，据笔者的观察，对于X荧光仪器生产厂家而言，围绕用户实际问题进行解决方案的开发（包括硬件配置、软件功能乃至标准样品），细分不同行业的应用已成为它们开拓市场的重要手段之一。 现场讨论

电 路 研 发电路研发工程师利用热像仪根据电路中元器件发热、电路板热分布情况，可以 分析出电路原设计存在的不足或隐患，能够避免许多潜在的风险。这将能够大 大提高产品研发成功率和产品稳定性。 电路研发温度分析1. 电路元器件温度分析 当前，电子设备主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备失效有55％是温度超过规定值引起，随着温度增加 ，电子设备失效率呈指数增长。一般而言电子元器件的工作可靠性对温度极为敏感，器件温度在70-80℃水平上每增 加1℃，可靠性就会下降5%。2. 负载分析 在电路研发过程中，可以除了常规的测试（如示波器、万用表等）手段外，还可以用热像仪对电路板进行检测， 通过显示出的不同温度点，对元器件所承受的电流，电压等情况进行了解，工程师根据所检测的温度点，完善电路， 提高转换效率、减少功耗、减少电路内部温升，提高电路的可靠性。 3. 整个电路温度场分布分析 采用合理的器件排列方式，可以有效的降低印制电路的温升，从而使器件及设备的故障率明显下降。 4. 快速分析问题 在某些研发维修场合，如对短路板的快速检修时，通过热像仪无须使用线路图即可快速定位板内短路点在何处， 以便进一步处理。红外热像仪为什么能进行温度分析？电路元器件在工作时，由于通过元器件的电流的不同，各个器件之间的差异等原因，而产生的热量也会随之 不同，体现在元器件表面特征就是温度差异。红外热像仪就是利用各个元器件温度之间差异，分析出电路的不同 性能特点。热像仪检测独特优势1. 现有的温度分析工具 许多工程师都会抱怨现有的手段难以支持他们进行一个细致而全面的温度场描绘，同时操作不方便、而且可能 改变原温度场分布，如： a）数据采集器 使用接触式数据采集器可能会遇到如下问题：电路板断电，贴片热电偶不够多，操作不方便，反应时间较慢（ 30秒至1分钟），同时使用接触式数据采集器还将改变所测器件的散热状况等。 b）红外点温仪 外点温仪只能测量一个区域的平均温度，无法检测较小的目标，无法得到电路整体温度分布。 2. 热像仪温度分析优点 红外热像仪和数据采集器、红外点温仪相比较，有自身的优点： a）通过红外线热像仪检测目标电路时，不需要断电，操作方便，同时非接触测量使原有的温度场不受干扰；b）反应速度较快，小于1秒； c）选用合适的红外镜头，能够检测出较小目标； d）利用红外分析软件对所获得的电路温度数据进行全面分析。拍摄时可能会遇到哪些问题？1. 电路板上有部分器件（如电解电容顶面、电源模块背面及其它芯片光洁面），其发射率比较低，所以检测出的温 度差异较大。在拍摄此类器件时，要将其表面用黑笔或黑漆涂黑，然后进行测温等操作。 2. 当用标准镜头无法分辨小目标时，可以更换10.5mm广角镜。如何才能拍摄优质电路红外热像？现代电路微型化，组件高密度集中化的趋势正在迅速普及，所以在使用红外热像进行拍摄时，若要得到一幅清 晰的红外热图，我们建议：1. 尽量选择热灵敏度较高的热像仪； 2. 拍摄焦距应尽量对准，使热像仪红外镜头面轴线与所要拍摄的电路板垂直； 3. 先使用自动模式测量的温度范围；然后手动设置水平及跨度，将温度范围设置在最小，并包含有先前测量的温度 范围。

2021年2月20日，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院正式成立集成电路工艺与装备系。集成电路是信息技术产业的基础和核心，而解决我国集成电路核心技术受制于人的关键在于人才。为此，在2020年8月4日发布的公布的《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》明确要求进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。2020年12月30日，国务院学位委员会发布《国务院学位委员会 教育部关于设置“交叉学科”门类、“集成电路科学与工程”和“国家安全学”一级学科的通知》。而本次北航集成电路工艺与装备系的成立是北航高水平建设“集成电路科学与工程”一级学科的关键一步，将大大加快北航在集成电路制造领域服务国家战略需求、解决卡脖子难题及培养输送紧缺高层次人才的体系建设步伐。图源 北航官网据了解，2015年，包括北航在内的17家高校获批筹建示范性微电子学院，加快集成电路全链条学科建设和人才培养。2018年，北航微电子学院独立运行，开展集成电路材料与器件、工艺与装备、设计与工具等全层面学科体系建设，形成较完整的人才培养方案；与此同时，我院负责筹建北航校级微纳公共创新中心，该中心为集成电路工艺开发及国产装备研发验证提供一流的公共实验平台和产教研融合基地。2020年，国务院正式批准设立“集成电路科学与工程”一级学科，以此为契机，北航微电子学院正式更名为北航集成电路科学与工程学院，并在之前基础上筹建“集成电路工艺与装备系”。图源 北航官网

近日，国务院学位委员会教务部正式下达文件，设集成电路专业为一级学科。原文如下：“决定设置“交叉学科”门类（门类代码为“14”）、“集成电路科学与工程”一级学科（学科代码为“1401）和“国家安全学”一级学科（学科代码为“1402）。 此前集成电路是属于电子科学与技术（一级学科）下面的专业（二级学科），学科独立性也成问题，本科会受到原微电子专业课程设置和培养方案的制约，研究生师资师则分布在各个学科中。经笔者查阅，此前一共有13个学科门类，其中工学门类当中的一级学科包括电子科学与技术，接着集成电路在此下面为二级学科。集成电路变化一级学科后，相当于增加了第14个学科门类，即交叉学科。集成电路是该门类下类的一级学科。其重要程度已经提到相当高的地位。也有利于高校在集成电路方面的招生和人才培养。

浅谈仪器仪表雷电防护的必要性 静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）X寸仪器仪表系统会产生不同程度的危害。静电放电在5 ~20tMHz的频率范围内产生强烈的射频辐射。 此辐射能量的峰值经常出现在35~45MHz之间发生自激振荡。许多信息传输电缆的谐振频率也通常在这个频率范围内，结果电缆中便串入了大量的静电放电辐射能量。电快速瞬变脉冲群也产生相当强的辐射发射，从而耦合到电缆和机壳线路。当电缆暴露在4 ~8kV静电放电环境中时，信息传输电缆终端负载上可以测量到的感应电压可达到600V这个电压远远超出了典型数字仪器仪表的门限电压值0~4V典型的感应脉冲持续时间大约为400ns仪器仪表在使用中经常会遇到意外的电压瞬变和浪涌，从而导致电子设备的损坏，损坏的原因是仪器仪表中的半导体器件（包括二极管、晶体管、可控硅和集成电路等）皮烧毁或击穿。据统计仪器仪表的故障有75%是由于瞬变和浪涌造成的。电压的瞬变和浪涌无处不在，电网、雷击、爆破，就连人在地毯上行走都会产生上万伏的静电感应电压，这些，都是仪器仪表的隐形致命杀手。因此，为了提高仪器仪表的可靠性和人体自身的安全性，必须对电压瞬变和浪涌采取防护措施。 防雷端口根据仪器仪表应用的工程实践，仪器仪表受雷击可大致分为直击雷、感应雷和传导雷。但不论以哪一种形式到达设备都可归纳为从以下4个部位侵入的雷电浪涌，在此把这些部位称为防雷端口，并以仪器仪表举例说明。 外壳端口比如说，我们可以把任何一个大的或小的仪器仪表或系统视为一个整体的外壳，如传感器、传输线、信号中断、现场仪表、DCS系统等，它们都有可能完全暴露在环境中受到直接雷击，造成设备损坏。 标准规定，当设备外壳受到4kV的雷电静电放电时，都会影响仪器仪表或系统的正常运行。例如放置于室外的传感器端子箱有可能受到雷电接触放电；位于机房内的DCS机柜有可能受到大楼立柱泄流时的空气放电。 信号线端口含天馈线、数据线、控制线等。 在控制系统中，为了实现信号或信息的传递总要有与外界连接的部位，如过程控制系统的信号交接端的总配线架、数据传输网的终端、微波设备到天线的馈线口等等，那么这些从外界接收信号或发射信号出去的接口都有可能受到雷电浪涌冲击。因为从楼外信号端口进来的浪涌往往通过长电缆，所以采用10/7（0Fs波形，标准规定线到线间浪涌电压为05kV，线到地间浪涌电压为1kV.而楼内仪器仪表之间传递信号的端口受到浪涌冲击相当于电源线上的浪涌冲击，采用1.2/50（8/20）Ms组合波，线到线、线到地浪涌电压限值不变。一旦超过限值，信号端口和端口后的设备有可能遭受损坏。 电源端口电源端口是分布最广泛也最容易感应或传导雷电浪的部位，从配电箱到电源插座这些电源端口可以处在任何位置。标准规定在L 2/50（8/20）Ms波形下线与线之间浪涌电压限值为Q 5kV线到地浪涌电压限制为1kV但这里的浪涌电压是指明工作电压为220V交流进入的，如果工作电压较低则不能以此为标准，电源线上受较小的浪涌冲击不一定立即损坏设备，但至少寿命有影响。 接地端口尽管在标准中没有专门提到接地端口的指标，实际上信息技术设备地端口是非常重要的。在雷电发生时接地端口有可能受到地电位反击、地电位升格地满□高影响，或者由于接地不良、接地不当使地阻过大达不到电位要求使设备损坏。接地端口不仅对接地电阻接地线极（长度、直径、材料）、接地方式、地网的设置等有要求，而且还与设备的电特性、工作频段、工作环境等有直接的关系。同时从接地端还有可能反击到直流电源端口损坏直流工作电压的设备。综上所述，信息技术设备的防雷可以考虑从四个关键的端口入手，如所示。 仪器仪表防雷的四个关键的端口，仪器仪表的端口保护外壳端口仪器仪表的外壳端口保护不仅仅是建筑物外壳，也应当包括某个设备的外壳或者某套系统的外壳，比如说机柜、计算机室等。按照EC 1312-1雷电电磁脉冲的防护第一部分（一般原则）的适用范围为：建筑物内或建筑物顶部仪器仪表系统有效的雷电防护系统的设计、安装、检查、维护。其保护方法主要有三种：接地、屏蔽及等电位连接。 接地EC1024-1已经阐述了建筑物防雷接地的方法，主要通过建筑物地下网状接地系统达到要求。仪器仪表系统防雷时还要求对相邻两建筑物之间通过的电力线，通信电缆均必须与建筑物接地系统连接起来（不能形成回路）以利用多条并行路径减少电缆中的电流。 仪器仪表系统的接地更应当注意系统的安全性和防止其它系统干扰。一般来说工作状态下仪器仪表系统接地不能直接和防雷地线相连，否则将有杂散电流进入仪器仪表系统引起信号干扰。正确的连接方式应当在地下将两个不同地网，通过放电器低压避雷器连接，使其在雷击状态下自动连通。 屏蔽从理论上考虑，屏蔽对仪器仪表外壳防雷是非常有效的。但从经济合理角度来看，还是应当从设备元器件抗扰度及对屏蔽效能的要求来选择不同的屏蔽方法。线路屏蔽，即在仪器仪表系统中采用屏蔽电缆已被广泛应用。但对于设备或系统的屏蔽需要视具体情况而定。EC提出了采用建筑物钢筋连到金属框架的措施举例。 表系统的主要电磁干扰源是由一次闪击时的几个雷击的瞬时电流造成的瞬态磁场。如果包含仪器仪表系统的建筑物或房间，用大空间屏蔽，通常在这样的措施下瞬时电场被减少到一个足够低的值。 等电位接连等电位连接的目的是减小仪器仪表之间和仪器仪表与金属部件之间的电位差。在防雷区的界面处的等电位连接要考虑建筑物内的仪器仪表系统，在那些对雷电电磁脉冲效应要求最小的地方，等电位连接带最好采用金属板，并多次与建筑物的钢筋连接或连接在其它屏蔽物的构件上。对于仪器仪表系统的外露导电物应建立等位连接网，原则上一个电位连接网不需要直接连在大地，但实际上所有等电位连接网都有通大地的连接。 信号线端口信号线端口保护现在已经有许多类型的较为成熟的保护器件，比如仪器仪表信号网络不同接口保护器、天馈线保护器、终端设备的保安单元等。在保护器选择时除了保护器本身的性能外，应该注意保护设备的传输速率、插入衰耗限值、驻波比、工作电压、工作电流等相关指标，如果在同一系统（或网络）使用多级保护还应该考虑相互配合问题。值得提出的是，当前由于商业因素，在同一网络中有过多使用保护器的倾向，其反而带来降低速率、增大衰耗、传输失真、信息丢失等问题。因此对某一网络的信号端口保护应在网络信号进出的交界面处安装合适的保护器即可。 在信号端口窜入的瞬态电流最容易损坏信号交换或转换单元及过程控制计算机，如主板、并行口、信号接口卡等。事实上瞬态电流或浪涌可能通过不同途径被引入到信号传输网络中，EEE 802-3以太网标准中列出了四种可能对网络造成威胁的情况。（1）局域网络元件和供电回路或受电影响的电路发生直接接触。（2）局域网电缆和元件上的静电效果。（3）高能量瞬态电流同局域网络系统耦合曲网络电缆附近的电缆引入）（4）彼此相连的网络元件的地线电压间有细小差别（例如两幢不同建筑的安全地线电压就有可能略有不同）。 以数据通信线为例，在R-232的串、并行口的标准中，用于泄放高能浪涌和故障电流的地线同数据信号的返回路径共享一条线路，而小至几十伏的瞬态电压都有可能通过这些串、并行口而毁坏计算机及打印机等设备，信号传输线也能直接将户外电源线上的瞬态浪涌传导进来，而信号接口能够传导由闪电和静电泄漏引起的浪涌电压。 用户应当对数据线保护器慎重选择有些保护器虽然起到了“分流”作用，但常常是将硅雪崩二极管（SAD）接在被保护线路和保护器外壳之间，测试表明SAD的钳位性能很好，但它电涌分流能力有限。同时压敏电阻（MOV池不能在数据线保护器上使用。先进的过程控制系统的信号接口防雷保护装置无论是R-232串等通信接口还是计算机同轴网络适配器接口）目前均采用瞬态过电压半导体放电管，其冲击残压参数指标很重要。有条件能够采取多级保护设计电路效果更佳。 天馈线保护器基本采用波导分流原理，其中发射功率400W，额定测试放电电流（8/20s）5kA传输频率25GH插入损耗08响应时间100ns 23电源端口原则上采用多级SPD做电源保护，但信息系统的电源保护由于其敏感性必须采用较低的残压值的保护器件，且此残压应当低于需要保护设备的耐压能力。同时还必须考虑到电磁干扰对仪器仪表系统的影响，因此带过滤波的分流设计应当更加理想。 所以对于仪器仪表系统电源保护特别注意的两点是：前两级采用通流容量大的保护器，在仪器仪表终端处则采用残压较低的保护器。最后一级的保护器中最好有滤波电路。对仪器仪表系统电源端口安装SPD时应注意以下问题。 多级SPD应当考虑能量配合、时间配合、距离配合。如果配合不当的话，效果将适得其反。 （2）连接防雷保护器的引线应当尽量粗和短。 （3）全保护时尽可能将所有连接线捆扎在一起。内容来自看仪器网

习近平总书记指出，关键核心技术是国之重器，对推动我国经济高质量发展、保障国家安全都具有十分重要的意义，必须切实提高我国关键核心技术创新能力，把科技发展主动权牢牢掌握在自己手里，为我国发展提供有力科技保障。集成电路产业作为现代信息产业的基础和核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是培育战略性新兴产业、发展数字经济的重要支撑。当前和今后一段时期正是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期。而另一方面，中国集成电路人才短缺是不争的事实。中国半导体行业协会首任秘书长徐小田曾说：“科技是第一生产力，人才是第一资源，创新是第一动力。目前各大国都把芯片作为战略性产业支撑国家发展与竞争，颇为需要一本全面、易懂的科普读物，来满足社会不同层面、不同人群了解半导体、集成电路行业的迫切需求。半导体、集成电路行业也需要更多的英才献身和投入。”在《走向芯世界》一书里，作者徐步陆站在全局立体视角，从产业链整体角度，对集成电路设计、制造、封测、装备材料、政策、人才和投资等十大类、近百个小专题进行全方位解读，从4个方面带领读者走向“芯”世界：● 一是探究芯片的前世今生和未来趋势。这一部分对国内外集成电路发展的来龙去脉、未来的走向趋势进行了概括。● 二是探查芯片的“秘密”，芯片的工作原理是什么，“黑壳子”里面有什么？● 三是探讨芯片产业链的各个环节和关联性以及有代表性的产品。这一部分对芯片设计、制造、封测、装备材料、EDA、IP等诸多产业分支，结合CPU处理器、鳍式场效应晶体管（FinFET）、光刻机等典型产品和代表性企业，逐章进行了深入浅出的介绍。● 四是探索芯片产业发展的规律和芯片对社会发展不可替代的支撑作用。这一部分结合芯片发展的一些热点，探讨了人工智能、汽车电子、硅知识产权、人才教育、资本政策等话题。可以说，这是一本内行不觉浅、外行不觉深的，系统介绍集成电路产业的科普读物，让人读后豁然开朗，可以帮助让政府、企事业单位、投融资机构的读者加深对产业的了解；可以激发青少年科研报国的热情，让更多国人了解集成电路对支撑两个强国建设的重大意义；同时给社会大众提供一个了解行业发展现状和前景的渠道。在当今纷繁复杂的国际关系和数字经济大潮中，集成电路产业的战略性、基础性、先导性地位进一步凸显。半导体产业的塔尖之争，不仅是一个产业的突围，更是中国迈向制造强国的通行证，是争夺第四次工业革命胜利果实的“芯希望”。

p style=" text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em " 9月15日，记者从合肥市高新区获批：集成电路产业园二期项目-集成电路总部基地已正式开建，目前项目桩桩基及地下室施工，计划2022年10月竣工交付。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em " 据悉，项目位于高新区长宁大道与柏堰湾路交口，总建筑面积33.4万平方米，总投资18亿元，由合肥高新股份开发建设，主要内容为独栋总部，标准化厂房，公共服务平台，孵化器及综合配套用房等。建成投用后将重点引入集成电路芯片和传感器等设计研发类，封装测试类，以及智能手机，物联网等终端应用类上下游产业链相关企业，力争打造成为国内先进的集成电路产业基地。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em " 集成电路产业园一期项目集成电路封装测试产业园总建筑面积7.8万平方米，总投资2.83亿美元，目前总体收尾工作，已吸引合肥睿合科技，世纪精光，圣达电子等集成集成电路相关企业签约入驻。 /p

近日，西安电子科技大学集成电路研究院成立大会暨揭牌仪式在北校区举行。陕西省教育厅一级巡视员朱征南、陕西省科技厅副厅长韩开兴、陕西省科技厅高新技术处处长崔海龙、陕西省教育厅科技处处长朱晓冬出席仪式，中国工程院院士郑南宁、中国科学院院士郝跃等嘉宾参加仪式并讲话。中国工程院院士吴汉明、中国科学院院士黄如、中国科学院院士刘明线上致辞，10余所兄弟高校领导专家线上参会。学校全体校领导、相关职能部门、学院负责人、相关一级学科及学科方向负责人、教师和学生代表共同参加了仪式。仪式由校党委副书记杨银堂主持。黄如院士、刘明院士、吴汉明院士和郑南宁院士分别对学校集成电路研究院的成立表示祝贺，对学校在集成电路领域所取得的成就给予了充分肯定和高度认可。希望研究院在关键共性技术、前沿引领技术、颠覆性技术上取得更大突破，加快科技成果转化应用，为集成电路科学与工程一级学科建设和国家集成电路产业贡献更大力量。郝跃院士表示，成立集成电路研究院是学校发展历程和国家集成电路产业发展进程上的重要一步。研究院在人才培养、原始创新、技术突破等方面责任重大、任务艰巨。要实现集成电路“做大、做好、做强”，需在“抓科学、抓工程、抓落实、抓交叉”四个重点上持续发力：一是重视解决科学问题，强化基础研究；二是广泛联合电子信息活跃区域和业内优秀企业，加快成果转化和应用；三是探索建立科学的管理运行模式和全新的体制机制，确保发展目标任务落实；四是以重大任务为基础推动交叉学科建设，加快提升集成电路核心技术攻关能力和原始创新水平。集成电路研究院院长朱樟明在发言中表示，研究院将坚决落实立德树人根本任务，培养行业高层次人才，瞄准“卡脖子”难题、聚力特色研究，助力中国集成电路产业发展，为学校“双一流”建设积极贡献力量。查显友代表学校对前来参加大会的各位来宾、领导和专家学者表示热烈欢迎，向他们长期以来对西电事业发展的关心、帮助和支持表示衷心的感谢。他表示，党中央、国务院高度重视集成电路产业发展和专业人才培养，加快集成电路发展已经成为我国实现高水平科技自立自强的核心技术突破点，以及高水平研究型大学打造国家战略科技力量的目标路径切入点。学校决定成立集成电路研究院，既是贯彻落实习近平总书记关于科技创新重要论述、服务创新型国家建设、强化国家战略科技力量的关键举措，也是深刻把握创新性变革机遇，提升集成电路学科的交叉创新能力，加快建设特色鲜明世界一流大学的现实需要。查显友对集成电路研究院的建设发展提出三点要求和希望。一是积极探索学科交叉融合创新机制，推动重大成果产出。要充分发挥制度创新优势，建立具有西电特色的多学科交叉融合发展创新机制；要重点突破“卡脖子”关键技术，加快提升共性技术研发能力，为彻底解决我国“缺芯少魂”之痛做出“西电贡献”。二是努力打造集成电路一流师资队伍，培育高端创新人才。要建立一支具有一流学术水平、勇于创新突破、善于带队伍打硬仗的高水平师资队伍，为国家培养一大批学科素养深厚、专业知识扎实、创新能力突出的高层次人才，为实现我国高水平科技自立自强贡献“西电智慧”。三是紧密对接服务产业转型升级需求，加快科技成果转化。要推进创新链和产业链深度融合，努力把科研成果应用到国家、区域、行业、产业发展的实践中，更好地发挥科技成果对经济发展的支撑作用，在集成电路科技创新与成果转化方面走出一条差异化、特色化发展的“西电道路”。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，山西省人民政府印发《山西省人民政府关于印发山西省新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（以下简称《通知》）。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 《通知》中明确指出将提升技术创新能力，聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发。同时，《通知》中还指出将加大财政支持力度，对企业和相关科研成果等给予一次性奖励，最高可达1000万元。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 以下为通知原文连接： a href=" http://www.shanxi.gov.cn/sxszfxxgk/sxsrmzfzcbm/sxszfbgt/flfg_7203/szfgfxwj_7205/202011/t20201124_866422.shtml" 山西省人民政府关于印发山西省新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知 - 山西省人民政府门户网站 (shanxi.gov.cn) /a /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " br/ /p

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“一种集成电路的制造工艺”的专利，授权公告号为CN113506731B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2016年10月8日。背景技术在集成电路制造工艺领域，目前通常使用硅基材料制造集成电路，硅 (或者多晶硅)在空气中放置的情况下表面会自然氧化形成一层致密的二氧化硅(SiO2)层。在有些工艺中，例如，在金属硅化物(Silicide) 工艺中，金属镍铂(NiPt)薄膜要与硅衬底直接接触，如果衬底表面有一层 SiO2，则会增加电阻率，影响器件性能，因此，制造后续工艺前需要去除这层SiO2。而在去除这层SiO2的同时，必须保护其他薄膜/结构不能被去除或者损伤，隔离层(Spacer，由氮化硅(Si3N4)材料制成)的线宽尺寸会影响器件电性，如漏电(leakage)增加等。因此，需要在去除 SiO2的同时尽量保持隔离层(Spacer，Si3N4)不被去除。现有工艺多采用湿法刻蚀、等离子体干法刻蚀等方法去除SiO2，其对Si3N4的刻蚀选择比低，对隔离层去除过多，造成隔离层尺寸缩小，增大漏电，从而影响器件性能。因此，有必要开发一种应用于集成电路制造工艺中的高选择比、高效率的去除晶片上的二氧化硅的方法。公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。发明内容公开了一种集成电路的制造工艺，包括：去除晶片上的二氧化硅的方法，该方法可包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。根据本发明的集成电路的制造工艺中，去除晶片上的二氧化硅的方法通过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反应，并在反应后将反应产物抽出，实现高选择比、高效率地去除二氧化硅。

p 　　企查查信息显示，1月7日，睿励科学仪器(上海)有限公司投资人发生变更，国家集成电路产业投资基金股份有限公司(下称：大基金)成为其新增投资人，持股比例为12.12%，认缴出资额为3758.24万元，为前者第四大股东。 /p p 　　除此之外，该公司新增投资人还包括上海同祺投资管理有限公司和海风投资有限公司。 /p p 　　同时，该公司注册资本由原来的约1.2亿人民币新增至约3.1亿人民币。黄晨、朱民等多位董事退出，新增董事为傅红岩、杨征帆、干昕艳等人。 /p p 　　睿励科学仪器(上海)有限公司是睿励科学仪器的运营主体，成立于2005年6月，法定代表人为睿励创始人吕彤欣，公司经营范围为研制、生产半导体设备，销售自产产品，提供相关的技术服务。 /p p 　　自2005年公司成立以来，睿励一直致力于研发、生产和销售具有自主知识产权的集成电路生产制造工艺装备产业中的工艺检测设备。经过多年的发展，睿励目前已经成长为国内技术领先的集成电路工艺检测设备供应商，申请国内外专利130余项，其中已授权发明专利63项，获得软件著作权登记30余项。公司自主研发设计的用于集成电路前道生产工艺的光学薄膜测量设备已经被国内外多家知名300mm芯片生产企业采购并上线使用。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202001/uepic/cebd84ea-44ad-4a44-a5c0-b46ef051e021.jpg" title=" 2b5a-imvsvza2832231.jpg" alt=" 2b5a-imvsvza2832231.jpg" / /p p 　　该公司最大股东为上海浦东新兴产业投资有限公司(由上海市浦东新区国有资产监督管理委员会全资持股)，持股比例为20.75%。 /p p 　　大基金成立于2014年9月，为促进集成电路产业发展而设立，由国开金融、中国烟草、中国移动等企业共同发起，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理等。 /p p 　　该基金的投资总期限计划为15年，分为投资期(2014~2019年)、回收期(2019~2024年)、延展期(2024~2029年)。 /p p 　　根据其股权结构，财政部为该公司大股东，持股36.47%，认缴金额为360亿人民币。 /p

2月28日，上海自贸区临港新片区“东方芯港”集成电路项目集中签约，22个项目涵盖高端芯片设计、重点装备材料、先进封装测试等全链环节，涉及投资额达233亿元，其中临港产业区8家落地项目参加本次签约。据“上海临港产业区”消息，上述8个项目分别是弥费自动物料传送系统设备研制项目、芯畀半导体湿制成设备研制项目、新昇集成电路硅材料工程研发中心项目、上海临港新片区集成电路材料研究院项目、芯谦集成电路和大硅片用抛光垫产业化项目、芯密全氟醚橡胶密封圈研制基地项目、昂瑞微4英寸滤波器芯片研制基地项目、华岭集成电路技术研发与产业化应用基地建设项目。作为东方芯港的核心区域，临港产业区已集聚了中芯国际、积塔、格科、鼎泰匠心等晶圆项目，同时，也吸引了盛美、理想万里晖、芯密、弥费、芯畀、芯谦等集成电路产业新星落地发展。据介绍，截至目前，临港新片区已落地集成电路企业超150家，签约投资额超2000亿元。2021年，集成电路产业规模首破百亿。临港新片区正着力布局国内最先进工艺制程、打造最齐全装备材料、集聚最活力设计企业、构建最开放合作平台、形成最完善产业生态，努力构建“全国五大之最”。根据十四五规划，到2025年，临港新片区集成电路产业规模将突破1000亿元，基本形成集成电路综合性产业创新基地的基础框架。到2035年，力争建成安全、自主、可控的产业体系和具有全球影响力的集成电路创新高地，承担起中国改革开放、引领经济全球化的重担。

5月19日，科创板上市委公告，上海伟测半导体科技股份有限公司首发5月26日上会。与此同时，上海伟测披露了招股说明书（上会稿）。招股说明书显示，本次上海伟测拟向社会公众公开发行人民币普通股（A股）股票不超过 2,180.27 万股，占发行后总股本的比例不低于 25%，其中公开发行新股不超过 2,180.27 万股，募资总额为61195.74万元。募集资金扣除发行费用后的净额将由董事会根据项目的轻重缓急情况安排投资，具体用于其中，无锡伟测半导体科技有限公司集成电路测试产能建设项目投资明细如下，近四亿元将用于硬件设备购置。集成电路测试研发中心建设项目投资明细如下，将购置五千万元的硬件设备。此外，招股说明书还披露了现有设备采购合同情况如下，

8月9日，广东省人民政府发布通知，《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》（粤府〔2021〕53号，以下简称“《规划》”）正式印发。根据《规划》制定的主要发展目标，到2025年，全省制造强省建设迈上重要台阶，制造业整体实力达到世界先进水平，创新能力显著提升，产业结构更加优化，产业基础高级化和产业链现代化水平明显提高，部分领域取得战略性领先优势，培育形成若干世界级先进制造业集群，成为全球制造业高质量发展典范。展望2035年，制造强省地位更加巩固，关键核心技术实现重大突破，率先建成现代产业体系，制造业综合实力达到世界制造强国领先水平，成为全球制造业核心区和主阵地。《规划》提出巩固提升战略性支柱产业、前瞻布局战略性新兴产业、谋划发展未来产业三大重点发展方向，大力实施制造业高质量发展“强核”、“立柱”、“强链”、“优化布局”、“品质”、“培土”六大工程。其中，战略性支柱产业具体包括新一代电子信息、绿色石化、智能家电、汽车、先进材料、现代轻工纺织、软件与信息服务、超高清视频显示、生物医药与健康、现代农业与食品。新一代电子信息方面，着力突破核心电子元器件、高端通用芯片，提升高端电子元器件的制造工艺技术水平和可靠性，布局关键核心电子材料和电子信息制造装备研制项目，支持发展晶圆制造装备、芯片/器件封装装备3C自动化、智能化产线装备等。加快建设新一代信息通信基础设施，推进5G商用普及，推动5G产业集聚发展。加快触控、体感、传感等关键技术联合攻关，提升终端智能化水平。加速推动信息技术应用创新，推进计算机整机、外部设备及耗材产品的研发和产业化，强化协同攻关和适配合作。推进人工智能芯片、算法框架等基础软硬件产品研发及行业应用，构建数字经济自主可控技术底座。到2025年，新一代电子信息产业营业收入达到6.6万亿元，形成世界级新一代电子信息产业集群。新一代电子信息重点细分领域发展空间布局包括半导体元器件、新一代通信与网络、智能终端、信息技术应用创新硬件，其中半导体元器件方面，以广州、深圳、珠海为核心，打造涵盖设计、制造、封测等环节的半导体及集成电路全产业链。支持广州开展“芯火冶双创基地建设，建设制造业创新中心。支持深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州建设新型电子元器件产业集聚区，推进粤港澳大湾区集成电路公共技术研究中心建设。推动粤东粤西粤北地区主动承接珠三角地区产业转移，发展半导体元器件配套产业。战略性新兴产业具体包括半导体及集成电路、高端装备制造、智能机器人、区块链与量子信息、前沿新材料、新能源、激光与增材制造、数字创意、安全应急与环保、精密仪器设备。其中半导体及集成电路方面，推进集成电路EDA底层工具软件国产化，支持开展EDA云上架构、应用AI技术、TCAD、封装EDA工具等研发。扩大集成电路设计优势，突破边缘计算芯片、储存芯片、处理器等高端通用芯片设计，支持射频、传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、RISC-V(基于精简指令集原则的开源指令集架构)等专用芯片开发设计，前瞻布局化合物半导体、毫米波芯片、太赫兹芯片等专用芯片设计。布局建设较大规模特色工艺制程和先进工艺制程生产线，重点推进模拟及数模混合芯片生产制造，加快FDSOI(全耗尽型绝缘层上硅)核心技术攻关，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化，重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件，发展光刻机、缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备以及精密陶瓷零部件、射频电源等设备关键零部件研制。到2025年，半导体及集成电路产业营业收入突破4000亿元，打造我国集成电路产业发展第三极，建成具有国际影响力的半导体及集成电路产业聚集区。半导体及集成电路重点细分领域发展空间布局：1.芯片设计及底层工具软件。以广州、深圳、珠海、江门等市为核心，建设具有全球竞争力的芯片设计和软件开发聚集区。广州重点发展智能传感器、射频滤波器、第三代半导体，建设综合性集成电路产业聚集区。深圳集中突破CPU(中央处理器)/GPU(图形处理器)/FPGA(现场可编程逻辑门阵列)等高端通用芯片设计、人工智能专用芯片设计、高端电源管理芯片设计。珠海聚焦办公打印、电网、工业等行业安全领域提升芯片设计技术水平。江门重点推进工业数字光场芯片、硅基液晶芯片、光电耦合器芯片等研发制造。2.芯片制造。依托广州、深圳、珠海做大做强特色工艺制造，广州以硅基特色工艺晶圆代工线为核心，布局建设12英寸集成电路制造生产线；深圳定位28纳米及以下先进制造工艺和射频、功率、传感器、显示驱动等高端特色工艺，推动现有生产线产能和技术水平提升。珠海重点建设第三代半导体生产线，推动8英寸硅基氮化镓晶圆线及电子元器件等扩产建设。佛山依托季华实验室推动建设12英寸全国产半导体装备芯片试验验证生产线。3.芯片封装测试。以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与集成电路封装测试。广州发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术，鼓励封装测试企业向产业链的设计环节延伸。深圳集中优势力量，增强封测、设备和材料环节配套能力。东莞重点发展先进封测平台及工艺。4.化合物半导体。依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造，培育壮大化合物半导体IDM(集成器件制造)企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，推动化合物半导体产品的推广应用。5.材料与关键元器件。依托广州、深圳、珠海、东莞等市加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器件关键材料的研发及产业化。依托广州、深圳、汕头、佛山、梅州、肇庆、潮州、东莞、河源、清远等市大力建设新型电子元器件产业集聚区，推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关，建设高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件以及高端印制电路板生产线，提升国产化水平。6.特种装备及零部件配套。依托珠三角地区，加快半导体集成电路装备生产制造。支持深圳加大集成电路用的刻蚀设备、离子注入设备、沉积设备、检测设备以及可靠性和鲁棒性校验平台等高端设备研发和产业化。支持广州发展涂布机、电浆蚀刻、热加工、晶片沉积、清洗系统、划片机、芯片互连缝合机、芯片先进封装线、上芯机等装备制造业。支持佛山、惠州、东莞、中山、江门、汕尾、肇庆、河源等市依据各自产业基础，积极培育特种装备及零部件领域龙头企业及“隐形冠军冶企业，形成与广深珠联动发展格局。

4月15日，山东淄博市（临淄区）招商引资项目集中签约活动暨电科北方集成电路材料产业基地项目开工仪式举行。据“淄博新闻”报道，电科北方集成电路材料产业基地项目计划总投资90亿元，一期项目计划投资50亿元，依托中电科十二所引进了半导体陶瓷材料、磁功能材料、协作机器人等项目，打造国内先进的集成电路新材料产业基地。2019年8月21日，中国电子科技集团公司第十二研究所和晨鸿公司在淄博签订合作协议，在淄博打造国内首个集成电路材料产业基地，总规划占地1100亩，主要功能分为三个部分：半导体材料园、封测产业园、综合服务园。据电科北方山东分公司总经理韩永光此前介绍，项目一期用地350亩，将有七个项目入园，经过两年建设期后，可在五年内可达产约100亿元。2021年5月31日，电科北方（山东）半导体科技有限公司集成电路材料产业基地项目正式开工值得一提的是，电科北方(山东)半导体科技有限公司集成电路材料产业基地项目被列入淄博市2022年重大项目。

&mdash &mdash &ldquo 国产好仪器&rdquo 活动约稿 　　曾看到一个故事：魏文王问名医扁鹊说：&ldquo 你们家兄弟三人，都精于医术，到底哪一位最好呢?&rdquo 扁鹊答：&ldquo 长兄最好，中兄次之，我最差。&rdquo 文王再问：&ldquo 那么为什么你最出名呢?&rdquo 扁鹊答：&ldquo 长兄治病，是治病于病情发作之前。由于一般人不知道他事先能铲除病因，所以他的名气无法传出去 中兄治病，是治病于病情初起时。一般人以为他只能治轻微的小病，所以他的名气只及本乡里。而我是治病于病情严重之时。一般人都看到我在经脉上穿针管放血、在皮肤上敷药等大手术，所以以为我的医术高明，名气因此响遍全国。&rdquo 这则故事叙述了一个道理：事后控制不如事中控制，事中控制不如事前控制。所谓的事前控制其实就是要做好预防工作，而产品品质的成功之道就是在于预防。 　　我国静电防护普及教育相对滞后、普及率较低，而对于静电防护工作，有很多企业几乎没做或处于刚刚起步阶段。我公司在成立之初，主要精力放在产品研发和量产上，对静电防护工作做得不到位。随着产品的推陈出新、设计和制造经验的不断积累，公司产品线上静电防护措施在逐渐完善，目前已建立较完备的电路板静电防护机制，从电子部件生产环节进行全方位地有效控制。虽然经历了一段曲折的过程，但结果是喜人的，而这一过程给每位参与人员都留下一段难忘的回忆。 　　早在十年前，公司推向市场的产品已基本形成完整的系列，从生产能力到性能指标在国内同行业里已具有一定的影响力，但产品的防护措施做得不到位，品质难以保证。从客服中心整理报出的数据中可以看出，当时保内产品的返修率一直居高不下，问题多出自电路板。按照当时的技术水平，对电路板进行故障排查和维修并不成问题，只要参照电路原理图查出故障电子元器件并更换即可。但这样治标不治本，&ldquo 为什么测试正常的电路板在使用一段时间后故障率如此之高&rdquo 成为当时困扰产品研发和生产制造人员最大的问题。经过对故障电子元器件和电路系统反复比对试验、查阅资料，最终发现是由于操作不当造成电子元器件被静电损坏，从而留下质量隐患。 　　原因找到了，下一步就要采取相应措施以避免问题再次发生。从哪里着手、控制哪些环节、如何有效控制? 　　在整改之前，由技术人员组成的工作小组到现场，对电子元器件使用的全过程展开分析。我们发现，进口厂商提供的电子元器件采用防静电包装物进行包装，而从国内电子市场采购回来的电子元器件多为散装或采用普通塑料材质包装物进行包装 贮存在原材料库中的电子元器件虽已分类，但没有进行有效的防护，出库时更是没有采取相应措施而是直接用手拿取 在电路板焊接、测试及安装现场没有有效防护措施 整机测试和产品使用人员同样静电防范意识淡薄，诸如机壳未有效接地和带电插拔通讯线都是非法操作。可以说任何一个不经意的操作都有可能将携带的静电释放到元器件上，导致其不同程度受损，每一道没有相应防护措施的工作环节都有可能留有质量隐患。 　　电子元器件向着体积小、集成度高的方向发展，芯片内部导线间距越来越小，绝缘膜越来越薄，致使耐击穿电压也越来越低。而电子元器件在采购、检验、进库、贮存、发料、焊接、调测和安装等过程中所产生的静电电压却远远超过导致其击穿的阈值电压，这就可能造成器件受损或失效，影响产品的技术指标，降低其可靠性。 　　由此可见，静电隐患无处不在，静电防护工作刻不容缓。公司对此非常重视，邀请专家对全体员工进行静电防护常识的培训，使大家了解到静电产生的机理和静电防护的相关知识，以提高全员的静电防范意识。公司对电子元器件供货厂商提出严格的储运、包装要求，在源头上控制电子元器件质量。同时，对公司内部原材料库和电路板加工过程实施严格管理。目前已建成较完备的防静电接地系统 工作区域的地面、工作台、座椅、货架及中转箱、中转车均按照专业的静电防护要求进行配备 对于接触电子元器件和电路板的操作人员，从着装、腕带佩戴、静电测试与释放到操作工具等方面均提出严格要求，并不定期抽查、监管。对于测试通过的待入库电路板类产品，全部采用标准防静电材料封闭包装并粘贴防静电标识。 　　随着静电防护工作的开展，莫名损毁的电子元器件大幅减少，电路板耐用性得以保证，产品质量稳步提高。全员静电防范意识的增强、防护设施设备的配备加之合理的监管，为电子电路类产品的可靠耐用打下坚实的基础。虽然对于同一块电路板而言，其设计原理、焊接方式、测试方法、使用强度等都没有改变，但经过全方位地静电防护后，其故障比率降低了、可靠程度提高了 维修数量降低了、工作效率提高了 维护成本降低了、客户满意度提高了。 　　静电防护工作仅仅是提高产品品质和可靠性的诸多工作中的一种，而员工的静电防范意识是质量意识的一个方面。&ldquo 防&rdquo 不代表保守，是为更快更稳地前行做好准备、打好基础，正所谓&ldquo 治病于病情发作之前&rdquo 才是最高境界。预防是提高产品质量的唯一途径。在依利特公司，这样的实例数不胜数，每一件事情背后都有一段故事，正是这一件件看似平凡的小事推动着企业的进步，为公司产品的质量奠定基础、为公司事业的腾飞保驾护航! 　　作者：大连依利特分析仪器有限公司产品部 副部长 刘凯

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 9月24日，上海市经济和信息化委员会等部门发布关于印发《临港新片区创新型产业规划》（以下简称《规划》）的通知。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 同日，上海举行新闻发布会，介绍《规划》有关情况，据上海市经信委总工程师刘平介绍，目前整个临港新片区产业发展尤其是招商引资的势头非常强劲。例如在集成电路领域，前期已经签约和落地的集成电路产业的项目总投资就达到1600亿。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 上海临港承载大国重器的国家名片。着力提升新片区在大国重器领域的基础优势，大力推动产业基础高级化和产业链现代化，加快向极端制造、精密制造、集成制造、智能制造等高附加值环节升级，摘取更多制造业的“皇冠明珠”，成为引领我国制造业高端跃升、承载大国重器的国家名片。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 《规划》指出，临港将围绕国家战略需要、国际市场需求大、对外开放度要求高的重点领域，集聚发展集成电路、人工智能、生物医药、民用航空等前沿产业集群，提升发展新型国际贸易、跨境金融、高能级航运、信息服务、专业服务等高端服务功能，培育发展离岸经济、智能经济、总部经济、蓝色经济等创新经济业态，建设具有国际市场影响力和竞争力的开放型产业体系。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 其中，在集成电路产业方面，临港将聚焦重点突破，带动全链提升，建设国家级集成电路综合性产业基地和具有国际影响力的核心产业集聚区。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 加快核心技术源头创新。聚焦高端芯片、关键器件、特色工艺、核心装备和关键材料领域，推进EDA工具、新型存储、功率器件、汽车电子等一批核心产品技术突破，加快特色工艺研发和产业化，加强薄膜、湿法、掺杂、检测等设备、核心零部件和光刻胶、硅材料、化合物半导体等关键材料协同研发。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 提高产业集聚度显示度，加快发展集成电路高端装备、先进材料、特色工艺等领域，吸引国内外一流企业落地，鼓励跨国公司设立区域总部、离岸研发中心和制造中心，联动张江构建结构优化、技术领先的集成电路产业链，全面提升产业综合竞争力。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 建设开放合作的研发、制造、贸易平台，建设化合物半导体量产线，推进以射频、毫米波、光电、电力电子为代表的核心器件研发与产业化，研究设立国产设备材料验证中心，探索打造辐射亚太的集成电路芯片、装备及零部件贸易平台。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 此外，临港还围绕高端制造功能，聚焦关键核心技术、过硬质量品质、优势集群创建，建设卓越制造基地。依托临港前沿产业园、生命科技产业园、综合区先行区等区域，重点布局集成电路等新一代信息技术、生物医药、高端装备产业。建设集成电路产业化承载区，集聚发展特色工艺、关键装备、基础材料、高端封测等产业项目。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 《规划》提出， 到2035年，新片区生产总值达到1万亿元，发展质量和效益显著提高，产业结构优化升级，前沿产业集中度和显示度大幅提升，集成电路、生物医药、人工智能、民用航空等重点领域产业竞争力国际领先，现代服务业水平高度发达，形成更加成熟定型的制度成果，打造全球高端资源要素配置的核心功能，建成具有较强国际市场影响力和竞争力的特殊经济功能区，成为我国深度融入经济和产业全球化的重要载体。 /p

20日晚上8时45分左右，天河区暨南大学生科院312实验室发生火灾，迅速被学生和保安合力扑灭。据了解，火灾疑因实验室学生用来做实验的仪器电路老化而引发。 　　南方日报记者晚上9时许赶到现场时，火灾已被扑灭，现场仍有大量浓烟冒出，三楼走廊里也灌满了烟雾，非常呛人。发生事故的实验室内不少化学品被烧焦，所幸无人员伤亡。实验室的玻璃窗多处被砸碎，以疏散烟雾。 　　记者向一名学生了解到，这间实验室是属于暨南大学生科院水生生物研究所，火灾可能是由于做实验用的紫外分光光度计或者细胞培养箱电线线路老化起火。火灾发生时，实验室内有三四名学生。配电箱产生火苗后，实验室内的一名学生立即将电闸关闭，学生与保安合力用走廊里的灭火器灭火。此时，有学生报了火警。2辆消防车赶到时，明火已经被扑灭。

分析仪器在集成电路技术发展中具有非常重要的地位。它们在材料分析、工艺监控、失效分析和研发支持等方面都发挥着不可或缺的作用，为推动集成电路技术的进步提供了强有力的支持。随着技术的不断发展，分析仪器的种类和性能也在不断提高和完善，为集成电路技术的持续创新提供了有力保障。2023年11月30日，第八届分析仪器学术大会（ACAIC 2023）同期将特别举办“集成电路技术发展与分析仪器创新论坛”，诚挚邀请关心集成电路技术发展与分析仪器创新的业内外人士参会。组织机构中国仪器仪表学会分析仪器分会中国科学院半导体所集成技术中心冠名赞助上海精测半导体技术有限公司报告日程主持人：中国科学院微电子研究所李超波研究员、中国科学院半导体研究所王晓东研究员报告人简介刘慧勇，杭州士兰微电子股份有限公司先进功率系统研究院院长，在芯片行业有22年从业经验，工作内容涉及芯片的设计、制造与封装。王轶滢，上海集成电路材料研究院性能实验室总监，从事光电半导体与集成电路领域技术研发、战略研究与规划工作多年，获得多项发明专利与软件著作权。曾带领团队完成我国首款国产商用皮秒全光纤激光器，以及多款国内领先的超短脉冲光纤激光器的开发。后从事科技战略研究，研究范围包括半导体技术与产业研究、宏观及科技政策分析、科技管理机制创新等等，曾完成多项中科院、上海市及其他单位战略研究课题。现作为科研支撑骨干参与国家重大项目实施，并承担负责上海市及国家集成电路材料重大项目测试平台课题，具体筹划、组建及运营集成电路材料分析公共服务平台，支持各项技术攻关任务实施，推进集成电路材料测试的科学评价体系建设，加速促进国产化替代。郑琦，博士，毕业于江苏大学材料科学与工程学院，主要研究方向为耐热合金成分设计及高温氧化性能研究，主要运用TEM、FIB/TKD和SEM等显微表征技术研究其机制，在《MSEA》、《Rare Metals》等期刊发表论文近10篇。毕业后加入上海精测半导体技术有限公司，目前主要负责公司自研聚焦离子束/电子束双束显微镜产品应用、培训、市场推广和部分研发工作，参与国家基础科研条件与重大科学仪器设备研发项目：聚焦离子束/电子束双束显微镜，对电子显微镜的相关应用有多年的实操经验。闫方亮，中科院半导体所博士，米格实验室创始人，宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长，全国科技装备业商会半导体专委会副秘书长、中关村芯学院高级讲师、国际半导体协会SEMI化合物半导体分技术委员会委员。曾参与多项国家973课题，重点研发计划及青年基金项目，2016年毕业后投身至半导体行业，专注半导体行业第三方共享实验室平台的建设。颜伟，来自于中国科学院半导体研究所集成技术与工程研究中心，高级工程师。2007年在南开大学物理学院取得理学学士学位，2013年在中国科学院半导体研究所取得工学博士学位。主要科研方向是：氮化镓基射频及太赫兹器件。博士毕业后在一直半导体所集成中心工作。负责包括电子束曝光系统和时域热反射测试系统在内的近10台套设备和系统的管理、维护、工艺开发和对外加工服务工作。承担国家级项目3项，参与6项。发表论文20余篇，申请专利10项。屈芙蓉，中国科学院微电子研究所高级工程师，毕业于于北京理工大学光电工程系。长期从事微电子工艺和装备研发相关工作，成功研制多台套集成电路装备，如：ICP、RIE、PECVD、ALD、PVD、超高真空系统及桌面式曝光机等。作为项目负责人/课题负责人，主持中科院重大科研仪器研制项目、国家重点研发、基金重大仪器等项目研制，主要从事微纳加工新原理设备与材料制备的研究。先后获得中科院集成电路系列科教融合设备研发及实践教育教学成果特等奖、北京市科技三等奖。关于ACAIC 2023第八届中国分析仪器学术大会（ACAIC 2023）定于2023年11月28-30日在浙江杭州召开。主题为“分析仪器创新进展、挑战及对策”，将邀请科技管理人员、院士、知名学者和青年科技工作者参会并作学术报告。会议包括：大会特邀报告、分会邀请报告、专题报告与讨论、论文墙报展讲、仪器展商/公司交流会等。同期还将举行分析仪器、关键部件展览。会议规模预计超过500人。主办单位：中国仪器仪表学会分析仪器分会承办单位：浙江大学生物医学工程与仪器科学学院中国计量大学计量测试工程学院专题论坛：1、体外诊断仪器创新论坛2、质谱仪器创新论坛3、色谱仪 器创新 论坛 4、热分析与量热仪器创新论坛 5、集成电路技术发展与分析仪器创新论坛6、科研仪器技术创新与标准化论坛7、电子显微镜创新论坛8、生命科学仪器创新论坛 9、生物光学成像技术创新论坛10、科学仪器在临床中的转化应用论坛11、分析仪器关键部件创新进展论坛详细信息请见：第八届中国分析仪器学术大会（ACAIC 2023）通知（第二轮） 报名参会点击或扫描二维码报名参会会议地址杭州太虚湖假日酒店参会赞助联系孙立桐（电话：15801142901，微信同号；邮箱：slt@fxxh.org.cn）

2月3日，北京经济技术开发区(简称“北京亦庄”)举办项目集中签约活动，共129个重点项目通过现场签约、5G云签约的方式，签署了“入区协议”，总投资额近4000亿元，签约项目涉及汽车及智能装备、集成电路、信创园等9个领域。图片来源：北京日报据北京日报报道，集成电路相关项目投资总额超2000亿元。其中，单体投资76亿美元的中芯京城项目落地建设，施耐德公司设立研发中心。据集微网此前报道，企查查显示，2020年12月7日，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司（简称“中芯京城”）成立，股东包括：中芯国际控股有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司。2020年12月4日，中芯国际发布公告称，中芯控股、国家集成电路基金II和亦庄国投订立合资合同以共同成立合资企业。据当时公告披露，该合资企业由中芯国际负责发展和营运，合资企业的总投资额为76亿美元，注册资本为50亿美元。而在汽车及智能装备领域，国汽智联、通敏科技等新能源智能汽车项目签约，鸿霁科技、中航天宇等一批高端装备、航空航天、新材料领域的项目落地，此外，小马智行决定进一步升级在经开区的发展规模。据悉，除建设整车自动驾驶研发中心、自动驾驶体验中心，小马智行还将成立首个完整的自动驾驶运营车队，2021年将在经开区公开道路投入一支全新的自动驾驶车队，为市民提供安全、便捷、经济的接驳及出行试运行服务。值得一提的是，在信创产业板块，32个“四梁八柱”企业落地发展，实现信创产业链核心环节全覆盖。

p 　　今日，国务院发布《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》，将从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策八个方面给予集成电路产业和软件产业全力支持。此外，凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业，不分所有制性质，均可享受该政策。该政策彰显出国家大力发展集成电路产业的决心和信心。可以预见，该政策不仅会推动集成电路产业的发展，同时也会带动半导体仪器设备的需求。 /p p 　　 strong 财税政策 /strong 方面，在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除相关不予免税的进口商品目录所列商品外，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。 /p p 　　 strong 投融资政策 /strong 方面，鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制，支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用，积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务 鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务，加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度，积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品，在风险可控、商业可持续的前提下，加大对重大项目的金融支持力度 引导保险资金开展股权投资 支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。 /p p 　　 strong 研究开发政策 /strong 方面，聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施，积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。 /p p 　　 strong 进出口政策 /strong 方面，在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件，符合规定的可办理暂时进境货物海关手续，其进口税收按照现行法规执行。 /p p 　　 strong 人才政策 /strong 方面，进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。 /p p 　　 strong 知识产权 /strong strong 政策 /strong 方面，鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权，对符合有关规定的，可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。 /p p 　　 strong 市场应用 /strong strong 政策 /strong 方卖弄，推进集成电路产业和软件产业集聚发展，支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设，支持软件产业园区特色化、高端化发展。 /p p 　 strong 　国际合作 /strong strong 政策 /strong 方面，深化集成电路产业和软件产业全球合作，积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作，鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流，支持国内企业在境内外与国际企业开展合作，深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。 /p p 　　该政策体现了国家对于国内集成电路产业发展和自主创新的全力支持，对于国内集成电路的产业的迅速发展无疑将起到至关重要的推动作用，可以预见国内半导体产业将在未来几十年内迎来飞速发展的机遇期，而对于半导体仪器设备和检测的需求将大大增加，半导体仪器设备或将迎来新的爆发式增长。 /p p 　　 strong 《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》 /strong 全文如下： /p p style=" text-align: center " 　　国发〔2020〕8号 /p p 　　各省、自治区、直辖市人民政府，国务院各部委、各直属机构： /p p 　　现将《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》印发给你们，请认真贯彻落实。 /p p style=" text-align: right " 　　国务院 /p p style=" text-align: right " 　　2020年7月27日 /p p style=" text-align: right " 　　(此件公开发布) /p p 　　 strong 新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策 /strong /p p 　　集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)印发以来，我国集成电路产业和软件产业快速发展，有力支撑了国家信息化建设，促进了国民经济和社会持续健康发展。为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，制定以下政策。 /p p 　　 strong 一、财税政策 /strong /p p 　　(一)国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于65纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路线宽小于130纳米(含)，且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的线宽小于130纳米(含)的集成电路生产企业纳税年度发生的亏损，准予向以后年度结转，总结转年限最长不得超过10年。 /p p 　　对于按照集成电路生产企业享受税收优惠政策的，优惠期自获利年度起计算 对于按照集成电路生产项目享受税收优惠政策的，优惠期自项目取得第一笔生产经营收入所属纳税年度起计算。国家鼓励的集成电路生产企业或项目清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。 /p p 　　(二)国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业条件由工业和信息化部会同相关部门制定。 /p p 　　(三)国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按10%的税率征收企业所得税。国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业清单由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。 /p p 　　(四)国家对集成电路企业或项目、软件企业实施的所得税优惠政策条件和范围，根据产业技术进步情况进行动态调整。集成电路设计企业、软件企业在本政策实施以前年度的企业所得税，按照国发〔2011〕4号文件明确的企业所得税“两免三减半”优惠政策执行。 /p p 　　(五)继续实施集成电路企业和软件企业增值税优惠政策。 /p p 　　(六)在一定时期内，集成电路线宽小于65纳米(含)的逻辑电路、存储器生产企业，以及线宽小于0.25微米(含)的特色工艺集成电路生产企业(含掩模版、8英寸及以上硅片生产企业)进口自用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电路生产设备零配件，免征进口关税 集成电路线宽小于0.5微米(含)的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。企业清单、免税商品清单分别由国家发展改革委、工业和信息化部会同相关部门制定。 /p p 　　(七)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业，以及第(六)条中的集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用设备，及按照合同随设备进口的技术(含软件)及配套件、备件，除相关不予免税的进口商品目录所列商品外，免征进口关税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。 /p p 　　(八)在一定时期内，对集成电路重大项目进口新设备，准予分期缴纳进口环节增值税。具体政策由财政部会同海关总署等有关部门制定。 /p p 　　 strong 二、投融资政策 /strong /p p 　　(九)加强对集成电路重大项目建设的服务和指导，有序引导和规范集成电路产业发展秩序，做好规划布局，强化风险提示，避免低水平重复建设。 /p p 　　(十)鼓励和支持集成电路企业、软件企业加强资源整合，对企业按照市场化原则进行的重组并购，国务院有关部门和地方政府要积极支持引导，不得设置法律法规政策以外的各种形式的限制条件。 /p p 　　(十一)充分利用国家和地方现有的政府投资基金支持集成电路产业和软件产业发展，鼓励社会资本按照市场化原则，多渠道筹资，设立投资基金，提高基金市场化水平。 /p p 　　(十二)鼓励地方政府建立贷款风险补偿机制，支持集成电路企业、软件企业通过知识产权质押融资、股权质押融资、应收账款质押融资、供应链金融、科技及知识产权保险等手段获得商业贷款。充分发挥融资担保机构作用，积极为集成电路和软件领域小微企业提供各种形式的融资担保服务。 /p p 　　(十三)鼓励商业性金融机构进一步改善金融服务，加大对集成电路产业和软件产业的中长期贷款支持力度，积极创新适合集成电路产业和软件产业发展的信贷产品，在风险可控、商业可持续的前提下，加大对重大项目的金融支持力度 引导保险资金开展股权投资 支持银行理财公司、保险、信托等非银行金融机构发起设立专门性资管产品。 /p p 　　(十四)大力支持符合条件的集成电路企业和软件企业在境内外上市融资，加快境内上市审核流程，符合企业会计准则相关条件的研发支出可作资本化处理。鼓励支持符合条件的企业在科创板、创业板上市融资，通畅相关企业原始股东的退出渠道。通过不同层次的资本市场为不同发展阶段的集成电路企业和软件企业提供股权融资、股权转让等服务，拓展直接融资渠道，提高直接融资比重。 /p p 　　(十五)鼓励符合条件的集成电路企业和软件企业发行企业债券、公司债券、短期融资券和中期票据等，拓宽企业融资渠道，支持企业通过中长期债券等方式从债券市场筹集资金。 /p p 　　 strong 三、研究开发政策 /strong /p p 　　(十六)聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、基础软件、工业软件、应用软件的关键核心技术研发，不断探索构建社会主义市场经济条件下关键核心技术攻关新型举国体制。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门做好有关工作的组织实施，积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持。 /p p 　　(十七)在先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等领域，结合行业特点推动各类创新平台建设。科技部、国家发展改革委、工业和信息化部等部门优先支持相关创新平台实施研发项目。 /p p 　　(十八)鼓励软件企业执行软件质量、信息安全、开发管理等国家标准。加强集成电路标准化组织建设，完善标准体系，加强标准验证，提升研发能力。提高集成电路和软件质量，增强行业竞争力。 /p p 　 strong 　四、进出口政策 /strong /p p 　　(十九)在一定时期内，国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业需要临时进口的自用设备(包括开发测试设备)、软硬件环境、样机及部件、元器件，符合规定的可办理暂时进境货物海关手续，其进口税收按照现行法规执行。 /p p 　　(二十)对软件企业与国外资信等级较高的企业签订的软件出口合同，金融机构可按照独立审贷和风险可控的原则提供融资和保险支持。 /p p 　　(二十一)推动集成电路、软件和信息技术服务出口，大力发展国际服务外包业务，支持企业建立境外营销网络。商务部会同相关部门与重点国家和地区建立长效合作机制，采取综合措施为企业拓展新兴市场创造条件。 /p p 　　 strong 五、人才政策 /strong /p p 　　(二十二)进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作，紧密结合产业发展需求及时调整课程设置、教学计划和教学方式，努力培养复合型、实用型的高水平人才。加强集成电路和软件专业师资队伍、教学实验室和实习实训基地建设。教育部会同相关部门加强督促和指导。 /p p 　　(二十三)鼓励有条件的高校采取与集成电路企业合作的方式，加快推进示范性微电子学院建设。优先建设培育集成电路领域产教融合型企业。纳入产教融合型企业建设培育范围内的试点企业，兴办职业教育的投资符合规定的，可按投资额30%的比例，抵免该企业当年应缴纳的教育费附加和地方教育附加。鼓励社会相关产业投资基金加大投入，支持高校联合企业开展集成电路人才培养专项资源库建设。支持示范性微电子学院和特色化示范性软件学院与国际知名大学、跨国公司合作，引进国外师资和优质资源，联合培养集成电路和软件人才。 /p p 　　(二十四)鼓励地方按照国家有关规定表彰和奖励在集成电路和软件领域作出杰出贡献的高端人才，以及高水平工程师和研发设计人员，完善股权激励机制。通过相关人才项目，加大力度引进顶尖专家和优秀人才及团队。在产业集聚区或相关产业集群中优先探索引进集成电路和软件人才的相关政策。制定并落实集成电路和软件人才引进和培训年度计划，推动国家集成电路和软件人才国际培训基地建设，重点加强急需紧缺专业人才中长期培训。 /p p 　　(二十五)加强行业自律，引导集成电路和软件人才合理有序流动，避免恶性竞争。 /p p 　　 strong 六、知识产权政策 /strong /p p 　　(二十六)鼓励企业进行集成电路布图设计专有权、软件著作权登记。支持集成电路企业和软件企业依法申请知识产权，对符合有关规定的，可给予相关支持。大力发展集成电路和软件相关知识产权服务。 /p p 　　(二十七)严格落实集成电路和软件知识产权保护制度，加大知识产权侵权违法行为惩治力度。加强对集成电路布图设计专有权、网络环境下软件著作权的保护，积极开发和应用正版软件网络版权保护技术，有效保护集成电路和软件知识产权。 /p p 　　(二十八)探索建立软件正版化工作长效机制。凡在中国境内销售的计算机(含大型计算机、服务器、微型计算机和笔记本电脑)所预装软件须为正版软件，禁止预装非正版软件的计算机上市销售。全面落实政府机关使用正版软件的政策措施，对通用软件实行政府集中采购，加强对软件资产的管理。推动重要行业和重点领域使用正版软件工作制度化规范化。加强使用正版软件工作宣传培训和督促检查，营造使用正版软件良好环境。 /p p 　 strong 　七、市场应用政策 /strong /p p 　　(二十九)通过政策引导，以市场应用为牵引，加大对集成电路和软件创新产品的推广力度，带动技术和产业不断升级。 /p p 　　(三十)推进集成电路产业和软件产业集聚发展，支持信息技术服务产业集群、集成电路产业集群建设，支持软件产业园区特色化、高端化发展。 /p p 　　(三十一)支持集成电路和软件领域的骨干企业、科研院所、高校等创新主体建设以专业化众创空间为代表的各类专业化创新服务机构，优化配置技术、装备、资本、市场等创新资源，按照市场机制提供聚焦集成电路和软件领域的专业化服务，实现大中小企业融通发展。加大对服务于集成电路和软件产业的专业化众创空间、科技企业孵化器、大学科技园等专业化服务平台的支持力度，提升其专业化服务能力。 /p p 　　(三十二)积极引导信息技术研发应用业务发展服务外包。鼓励政府部门通过购买服务的方式，将电子政务建设、数据中心建设和数据处理工作中属于政府职责范围，且适合通过市场化方式提供的服务事项，交由符合条件的软件和信息技术服务机构承担。抓紧制定完善相应的安全审查和保密管理规定。鼓励大中型企业依托信息技术研发应用业务机构，成立专业化软件和信息技术服务企业。 /p p 　　(三十三)完善网络环境下消费者隐私及商业秘密保护制度，促进软件和信息技术服务网络化发展。在各级政府机关和事业单位推广符合安全要求的软件产品和服务。 /p p 　　(三十四)进一步规范集成电路产业和软件产业市场秩序，加强反垄断执法，依法打击各种垄断行为，做好经营者反垄断审查，维护集成电路产业和软件产业市场公平竞争。加强反不正当竞争执法，依法打击各类不正当竞争行为。 /p p 　　(三十五)充分发挥行业协会和标准化机构的作用，加快制定集成电路和软件相关标准，推广集成电路质量评价和软件开发成本度量规范。 /p p 　　 strong 八、国际合作政策 /strong /p p 　　(三十六)深化集成电路产业和软件产业全球合作，积极为国际企业在华投资发展营造良好环境。鼓励国内高校和科研院所加强与海外高水平大学和研究机构的合作，鼓励国际企业在华建设研发中心。加强国内行业协会与国际行业组织的沟通交流，支持国内企业在境内外与国际企业开展合作，深度参与国际市场分工协作和国际标准制定。 /p p 　　(三十七)推动集成电路产业和软件产业“走出去”。便利国内企业在境外共建研发中心，更好利用国际创新资源提升产业发展水平。国家发展改革委、商务部等有关部门提高服务水平，为企业开展投资等合作营造良好环境。 /p p 　 strong 　九、附则 /strong /p p 　　(三十八)凡在中国境内设立的符合条件的集成电路企业(含设计、生产、封装、测试、装备、材料企业)和软件企业，不分所有制性质，均可享受本政策。 /p p 　　(三十九)本政策由国家发展改革委会同财政部、税务总局、工业和信息化部、商务部、海关总署等部门负责解释。 /p p 　　(四十)本政策自印发之日起实施。继续实施国发〔2000〕18号、国发〔2011〕4号文件明确的政策，相关政策与本政策不一致的，以本政策为准。 /p p br/ /p

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 5月14日，河北省政府办公厅发布《河北省人民政府办公厅关于加快集成电路产业发展的实施意见》(以下简称《意见》)。《意见》提出发展目标为，到2020年，全省集成电路产业主营业务收入年均增速30%以上，引进5-10家集成电路上下游企业，培育3-5家具有国内领先水平的集成电路设计服务及集成电路专用材料企业。新建3-5家省级以上重点实验室、企业技术中心、工程(技术)研究中心、工程实验室等研发平台。力争打造全球集成电路创新高地、国内最大的电子特气研发生产基地、带动作用明显的集成电路产业军民融合示范基地。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/4c144f88-0ff4-472e-b5c4-1a8dee83709b.jpg" title=" 1.png" / /p p 　　《意见》详细列举了雄安新区管委会，石家庄、邯郸、保定、廊坊市政府等地区的重点任务及发展目标，其中，雄安新区拟布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批集成电路领域国家级创新平台，聚集全球集成电路产业高端人才，开展集成电路芯片关键工艺技术研发设计，核心装备与新型材料研发及产业化，努力打造全球集成电路创新高地。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/fb4b56ea-d536-420a-8abe-306f29d4784a.jpg" title=" 2.png" / /p p 　　《意见》也是继河北省财政厅4月13日发布《转发关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题通知的通知》后，又一次官方对集成电路产业发展的政策支持及强化，也足显政府对布局集成电路产业的决心。 /p p 　　集成电路作为一个装备与工艺高度融合的产业，设计、制造、封测、材料设备等每个环节都至关重要。同时具有高风险、高投入、长周期的资本投入与技术密集型产业等特点，投资一个芯片厂的资金往往以数十亿、数百亿美元计。 /p p 　　参考3月底本网报道的 a style=" color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " title=" " target=" _self" href=" http://www.instrument.com.cn/news/20180330/243354.shtml" span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 福建省晋华集成电路有限公司的一次系列招标新闻 /span /a 。该公司用于新建12寸内存晶圆厂一条生产线——FAB1生产线的采购仪器设备，不完全统计，包括电镜15台，检测设备等80余包。具体包括聚焦离子束显微镜、聚焦离子束显微镜、球差校正穿透式电子显微镜、扫描式电子显微镜等各种电镜15台，电感耦合等离子体串联质谱仪2台、全反射X射线荧光分析仪1台，以及其他半导体晶圆检测仪器设备如蚀刻系统等，共计80余包(具体见附2)。此次机遇下，河北集成电路产业建设初期，势必为相关仪器商带来新的商机。 /p p style=" text-align: center " ---------------------------------------------- br/ /p p 　　 strong 附1 /strong strong 《意见》原文 /strong /p p style=" text-align: center " 　　 strong 河北省人民政府办公厅关于加快集成电路产业发展的实施意见 /strong /p p 　　各市(含定州、辛集市)人民政府，雄安新区管委会，省政府各部门： /p p 　　集成电路产业是支撑国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业。为贯彻落实国家集成电路产业发展战略部署和《河北省人民政府关于印发河北省战略性新兴产业发展三年行动计划的通知》(冀政发〔2018〕3号)精神，抢抓机遇，培育壮大我省集成电路产业，经省政府同意，提出如下实施意见。 /p p 　 strong 　一、前景与基础 /strong /p p 　　当前，全球大数据、云计算、物联网、移动互联网、人工智能等新业态快速发展，集成电路技术演进呈现新趋势，虚拟现实/增强现实、可穿戴设 备、智能机器人、智能网联汽车、智能手机、智能移动终端及芯片呈爆发式增长。在市场拉动和政策支持下，我国集成电路产业快速发展，整体实力显著提升，集成电路设计、制造能力与国际先进水平差距不断缩小，封装测试技术逐步接近国际先进水平，部分关键装备和材料被国内外生产线采用，区域集聚发展效应更加明显。 2017年，我国集成电路产量为1565亿块，同比增长约18.2%，实现销售收入5412亿元(设计业占38.3%、制造业占26.7%、封装测试业占 35%)，同比增长24.8%，预计到2020年，销售收入将达到10000亿元。2017年，我省生产集成电路460万块，专用集成电路设计、基础材料 特色突出，在国内具有一定竞争优势，拥有一批半导体领域一流科研机构和优势企业。 /p p 　 strong 　二、总体要求 /strong /p p 　　(一)发展思路。以习近平新时代中国特色社会主义思想为指引，深入贯彻党的十九大、全国“两会”、全国网络安全和信息化工作会议精神，全面 落实省委九届五次、六次、七次全会和省“两会”部署要求，牢牢把握历史性窗口期和战略性机遇期，按照高质量发展要求，以“固基强芯”为总体思路，补短板、 强弱项，实施集成电路产业聚集工程、集成电路产业“固基”工程、专用集成电路设计“强芯”工程、集成电路军民融合发展工程，着力培育引进发展专用集成电路 制造和封装测试，着力超前布局前沿技术，加强技术协同创新，推进科研成果转化，加大招商引资力度，完善产业配套体系，延伸集成电路产业链条，提升产业竞争力，加快推动全省工业转型升级。 /p p 　　(二)发展目标。到2020年，全省集成电路产业主营业务收入年均增速30%以上，引进5-10家集成电路上下游企业，培育3-5家具有国 内领先水平的集成电路设计服务及集成电路专用材料企业。新建3-5家省级以上重点实验室、企业技术中心、工程(技术)研究中心、工程实验室等研发平台，六 氟化钨、硅外延片、碳化硅晶片、氮化镓等基础材料技术继续保持国内领先水平，北斗导航、卫星通信等重点领域集成电路设计技术达到国内领先水平，在微机电系统(MEMS)、高端传感器、系统级封装、智能计算芯片等领域取得突破。力争打造全球集成电路创新高地、国内最大的电子特气研发生产基地、带动作用明显的集成电路产业军民融合示范基地。 /p p 　 strong 　三、重点任务 /strong /p p 　　(一)实施集成电路产业聚集工程。雄安新区认真落实中共中央、国务院批复的《河北雄安新区规划纲要》精神，按照国家科技创新基地总体部署，积极引进京津及国内外科研单位、高等学校和知名企业，在雄安新区布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批集成电路领域国家级创新平台，聚 集全球集成电路产业高端人才，围绕下一代通信网络、北斗导航、物联网、人工智能、工业互联网、网络安全等开展集成电路芯片关键工艺技术研发设计，核心装备与新型材料研发及产业化，努力打造全球集成电路创新高地。石家庄重点发展微波集成电路设计、射频集成电路设计、微机电系统(MEMS)器件、光电模块等，加快科研成果孵化转化，打造全国领先的专用集成电路设计制造基地。邯郸依托骨干企业，进一步提升电子特气技术水平和国内外市场占有率，巩固国内领先地位， 打造国内技术最先进、规模最大的集成电路用电子特气生产基地。保定以太赫兹产业基地建设为依托，加快发展太赫兹芯片、关键器件以及太赫兹安检仪、光谱分析仪、药品检测仪等应用终端，推动太赫兹军民融合产业发展。廊坊依托中科院半导体研究所廊坊基地，开展光电子器件工程化研究，加快推进成果转化，积极发展砷 化镓、氮化镓等半导体材料，建设国内有较强影响力的砷化镓单晶生产基地。鼓励石家庄、保定、廊坊等条件适宜地区积极引进国内外专用集成电路芯片制造、封装测试企业，承接北京、雄安新区科研成果孵化转化，构建专用集成电路设计、制造、封装测试产业链条。(责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技 厅、省商务厅、雄安新区管委会，石家庄、邯郸、保定、廊坊市政府) /p p 　　(二)实施集成电路产业“固基”工程。以高性能化、绿色化发展为主攻方向，推进具有自主知识产权的8英寸硅外延片、4英寸碳化硅规模化发 展，持续提升良品率和市场导入率 加快12英寸硅外延片、6英寸碳化硅、氮化镓、陶瓷管壳和陶瓷新材料等关键材料研发与产业化，到2020年，形成年产碳 化硅单晶衬底10万片生产能力。加快三氟化氮、六氟化钨等基础材料技术改造步伐，提升产品技术水平和质量档次，扩大生产规模，到2020年，形成年产三氟 化氮12000吨、六氟化钨2000吨、三氟甲磺酸1000吨生产能力，进一步巩固国内市场优势地位。推进第五代移动通信用钇铁石榴石晶体材料的研发与产业化，打破国外技术垄断，到2020年，实现年产1-2万粒规模。积极引进发展高端靶材、专用抛光液、专用清洗液、半导体光刻胶等集成电路电子材料，不断提升行业配套能力。(责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市(含定州、辛集市，下同)政府) /p p 　　(三)实施专用集成电路设计“强芯”工程。支持提升现有双模导航接收芯片、多模式卫星导航射频接收芯片、多模式卫星导航低噪声放大器芯片、射频识别(RFID)芯片、电源管理芯片、微机电系统(MEMS)芯片等设计水平，推进向高端化、微型化、长寿命、低功耗发展。推动第三代北斗导航高精度芯片、太赫兹芯片、第五代移动通信基站宽带高频段功率放大器和射频前端芯片、卫星移动通信射频终端芯片研发及产业化。支持开发设计面向移动智能终端、网络 通信、智能可穿戴设备等芯片，面向云计算、物联网、车联网、大数据等新兴领域的信息处理、传感器、新型存储等关键芯片，面向智能网联汽车、工业控制、金融电子、医疗电子等行业芯片。引导芯片设计企业与汽车、智能仪器仪表、机器人、物联网、轨道交通、第五代移动通信等领域整机企业合作开发和应用，实现自主芯 片行业规模应用。力争到2020年，培育孵化芯片设计企业10家以上。(责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市政府) /p p 　　(四)培育发展专用集成电路制造业。支持专用集成电路优势企业根据自身发展需求，推进芯片设计与制造一体化发展。改造提升现有模拟及数模混合、微机电系统(MEMS)、高压电子、微波射频集成电路等特色专用工艺生产线，不断扩大生产规模。加快推进高端传感器、微机电系统(MEMS)器件、光 电器件、半导体激光器、高端射频芯片、探测器芯片、高端晶体振荡器、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等产品研发和产业化，壮大功率器件和微波集成电路产 业，支持嵌入式CPU、智能计算芯片，以及卫星通信、卫星导航一体化芯片研发与产业化，为天地一体化星基通信导航联合应用夯实基础，加快推进8英寸集成微 机电系统(iMEMS)研发制造基地、特种气体新材料产业化、碳化硅单晶及外延片产业化、大电流高可靠中低压碳化硅功率器件封装线等重点项目建设。开展半导体内圆切片机、面向先进工艺的刻蚀机、离子注入机等关键设备研发和产业化。(责任单位：省工业和信息化厅、省发展改革委、省科技厅、省商务厅，各市政 府) /p p 　　(五)引进发展集成电路封装测试业。突破高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的封装技术瓶颈，实现高端绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)封装模块的产业化，推进陶瓷件精密制造工艺、精密组装工艺等技术研发及产业化，提高封装外壳一致性水平，满足第四代、五代移动通信需要。面向京津冀地区集成电路企业高端封装测试需求，引进一批国内外知名集成电路封装测试企业，加快推进芯片测试、检测、封装等生产线建设，支持高端多层陶瓷封装外 壳及陶瓷基板生产线扩能升级，稳步扩大市场占有率。大力发展圆片级封装、系统级封装、芯片级封装、硅通孔、三维封装、真空封装等，加快封装测试工艺技术升级和产能提升，推动集成电路封装设备及材料产业化，形成与制造、设计环节发展相适应的配套能力，尽快形成集群优势。(责任单位：省工业和信息化厅、省发展 改革委、省科技厅、省商务厅，各市政府) /p p 　　(六)提升集成电路技术创新能力。巩固提升通信软件与专用集成电路设计国家工程研究中心、砷化镓集成电路和功率器件国家重点实验室、高密度集成电路封装技术国家地方联合工程实验室等国家级研发创新平台建设水平。支持企业加强与国内外集成电路领域知名科研院所及企业合作，建设省级以上重点实验 室、企业技术中心、工程(技术)研究中心、工程实验室等研发平台，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，围绕第五代移动通信、北斗导航、卫星通信、人工智能、量子通信等关键核心芯片，以及第三代半导体材料、高端封装测试材料与设备等关键技术、前沿技术开展研发攻关，突破一批核心技 术。(责任单位：省科技厅、省发展改革委、省工业和信息化厅，各市政府) /p p 　　(七)实施集成电路军民融合发展工程。加快建设邯郸(军民融合)国家级新型工业化产业示范基地和石家庄军民融合产业示范园，积极推进“军转 民”，加快省内军工科研单位民品产业化，重点推进电子特气、微机电系统(MEMS)器件、高端传感器及太赫兹芯片、模块，以及第三代北斗导航与位置服务产 业链应用等科技成果产业化步伐，积极推动微机电系统(MEMS)器件及高端传感器在汽车电子、工业控制、物联网、智慧城市等领域的应用，第三代北斗导航在 雄安新区、2022年冬奥会开展应用。鼓励“民参军”，支持芯片设计、第三代半导体材料等领域具有先进技术的民口单位承担军工科研生产任务，建设带动作用明显的集成电路产业军民融合发展基地。(责任单位：省发展改革委、省科技厅、省工业和信息化厅，各市政府) /p p 　 strong 　四、保障措施 /strong /p p 　　(一)加强组织领导。充分发挥各级“大智移云”发展领导小组及其办公室的作用，强化制度设计，明确责任分工，加强部门、行业、区域间合作，协调解决集成电路产业发展的重大问题，统筹政策、资金、人才等要素资源供给，向集成电路产业倾斜支持。省有关部门要按照职责分工，加强指导和督导检查，做 好本实施意见的组织实施，扎实推进各项工作。(责任单位：省直有关部门，各市政府) /p p 　　(二)持续扩大对外开放合作。积极推动京津冀协同发展，推动北京制造、河北封装测试。加强与国内知名晶圆制造企业和封装测试龙头企业战略对接合作，在我省建立集成电路封装测试基地。深化与中国半导体行业协会等国家和地方重点协(学)会的战略合作，实施联合招商、产业链招商、精准招商。搭建合 作交流平台，支持集成电路优势企业参加中国电子信息博览会、美国光通信展、韩国电子展等国内外知名展会，借助中国国际数字经济博览会、中国· 廊坊国际经济 贸易洽谈会等平台，组织举办集成电路领域高级别峰会、论坛等宣传推介活动，营造产业发展良好氛围。(责任单位：省工业和信息化厅、省商务厅、省发展改革委，各市政府) /p p 　　(三)加大财税支持力度。统筹省战略性新兴产业发展、工业转型升级、科技创新等专项资金及相关基金，把集成电路技术研发及产业化、重大技术改造项目作为重点予以优先支持。鼓励省、市政府产业基金与社会资本合作共同设立省集成电路产业投资引导基金，推动参与国家集成电路产业投资基金(二期)募 集，主动对接支持我省集成电路产业重大项目。对在我省新落地的国内外知名集成电路企业、产业化项目按照“一企一策”“一项一议”原则，通过贴息、股权投资、事后奖补等方式给予支持。贯彻执行国家关于集成电路企业所得税政策、集成电路重大技术装备和产品关键零部件及原材料进口免税政策，以及有关科技重大专 项所需国内不能生产的关键设备、零部件和原材料进口免税政策。积极落实国家高新技术企业所得税优惠政策。(责任单位：省财政厅、省发展改革委、省工业和信息化厅、省科技厅、省国税局、省地税局，各市政府) /p p 　　(四)完善投融资机制。支持符合条件的集成电路企业通过在境内外挂牌上市、公开发行股票、发行债券等多种方式筹集资金，拓宽直接融资渠道，鼓励市场主体通过并购、融资租赁等方式发展壮大。鼓励银行业等金融机构面向集成电路企业创新金融产品和服务，加大信贷支持和政策倾斜力度，提升综合服务质 量。(责任单位：省金融办、省财政厅、河北银监局、河北证监局、人行石家庄中心支行，各市政府) /p p 　　(五)大力引进培养高端人才。结合省“巨人计划”“百人计划”“外专百人计划”“三三三人才工程”等，在集成电路技术领域着力引进一批海内 外高层次人才和创新团队 紧紧抓住疏解北京非首都功能这一“牛鼻子”，落实省委、省政府人才引进各项优惠政策，鼓励采用兼职、短期聘用、定期服务等方式，吸引北京集成电路技术人才来河北创新创业。支持省内高校加强集成电路专业人才培养，鼓励与国内知名院校联合办学，加大集成电路技术、管理人才的培养力度， 支持高等职业院校培养更多专业化高端蓝领。(责任单位：省人力资源社会保障厅、省教育厅、省财政厅，各市政府) /p p 　　(六)优化发展环境。深入开展“双创双服”活动，推进简政放权，提升工作效率，清理废除妨碍统一市场和公平竞争的各种规定和做法，激发市场主体活力，营造良好的市场发展环境。坚持依法行政，加强行业管理，落实国家和省支持集成电路产业发展的各项政策措施，营造良好政策环境。建立省、市、县领 导干部重点企业、重点项目联系服务机制，实行领导包联、结对帮扶、精准服务，坚持问题导向，从手续审批、要素保障、基础设施、政策扶持等方面扎实开展帮扶，服务企业发展和项目建设。(责任单位：省直有关部门，各市政府) /p p style=" text-align: right " 　　河北省人民政府办公厅 /p p style=" text-align: right " 　　2018年5月13日 /p p 　　 strong 附2 /strong strong 3月份福建省晋华集成电路有限公司新建12吋内存晶圆厂生产线FAB1招标产品中部分常见科学仪器及相关检测设备 /strong /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/3ffd7e32-a214-4b34-8c81-9489bb33c424.jpg" style=" " title=" 3.jpg" / /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/0a0ba21e-3b1c-4cae-ae5a-abe52fdea6e6.jpg" style=" " title=" 4.jpg" / /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/2874f252-f562-4b17-8a29-fb4bc24c2245.jpg" style=" " title=" 5.jpg" / /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/40ba0e9f-a0ef-404b-8ce8-75ccf3f3379c.jpg" style=" " title=" 6.jpg" / /p

4月22日，清华大学集成电路学院成立仪式在主楼接待厅举行。工业和信息化部副部长王志军，北京市委常委、教工委书记夏林茂，清华大学党委书记陈旭，校长邱勇，副校长杨斌、尤政共同为清华大学集成电路学院揭牌。中科院副院长、国科大校长李树深院士，国家自然科学基金委员会副主任陆建华院士，国家自然科学基金委员会信息学部主任郝跃院士，军委科技委常任委员廖湘科院士，复旦大学、中科院微电子研究所刘明院士，武汉大学徐红星院士，清华大学南策文院士、戴琼海院士、吴建平院士，工信部电子信息司司长乔跃山，科技部重大专项司副司长邱钢，国家发改委高技术司二级巡视员肖晶出席仪式。新成立的集成电路学院将瞄准集成电路“卡脖子”难题，聚焦集成电路学科前沿，打破学科壁垒，强化交叉融合，突破关键核心技术，培养国家急需人才，实现集成电路学科国际领跑，支撑我国集成电路事业的自主创新发展。由此，清华大学学科布局将进一步完善。与会嘉宾为学院揭牌仪式上，王志军、夏林茂、陈旭、邱勇、杨斌、尤政共同为清华大学集成电路学院揭牌。陈旭宣布成立决定并致辞陈旭宣布成立决定并表示，4月19日，习近平总书记来到清华大学考察并发表重要讲话，高度肯定了学校110年来的办学成果，对学校一流大学建设，广大教师和青年学生提出了明确要求和殷切期望，为学校未来发展指明了前进方向，提供了根本遵循。今天学校正式成立集成电路学院，是贯彻落实总书记重要讲话精神、服务国家战略的坚决行动，也是加强集成电路学科建设，奋力迈向世界一流大学前列的关键部署。陈旭强调，国家的需要就是清华的行动，能够与祖国共进，与时代同行，这是清华的使命，更是清华的光荣。希望集成电路学院坚持正确办学方向，坚守立德树人初心，牢记报国强国使命，努力为党培育时代新人，为国培养栋梁之才，着力提升创新能力，勇于攻克“卡脖子”关键核心技术，加强产学研深度融合，建设国际一流的集成电路学科。希望各高校、科研院所、创新企业和研发单位携手共建共促，为推动我国集成电路事业发展、实现科技自立自强，为中华民族伟大复兴的中国梦作出应有的贡献。王志军致辞王志军代表工业和信息化部对清华大学集成电路学院的成立表示祝贺。他表示，党的十八大以来，我国集成电路产业迎来重要战略机遇期和攻坚期，当今集成电路技术和产业已成为大国战略竞争和博弈的焦点，希望清华大学集成电路学院着力办好集成电路科学与工程一级学科，着力加强基础研究和原始创新，努力在关键共性技术、前沿引领技术颠覆性技术上取得更大突破，加快科技成果转化应用，助力集成电路产业创新发展。郝跃致辞郝跃表示，清华大学在全国率先成立集成电路学院，充分展示了清华的担当和责任，创新和魄力。希望未来集成电路学院在加速科技创新、推动学科交叉、攻克科研难题、深化产教融合、培养一流人才等方面做出更大成绩，为我国集成电路事业发展作出新的贡献。刘明致辞刘明表示，清华大学在集成电路领域积累了丰富的人才培养经验，希望清华大学集成电路学院在学科交叉融合的规划下，进一步加强前瞻性基础研究，产出重大原始创新成果，拓展全新发展空间，为我国集成电路事业发展赢得主动权。蔡一茂致辞北京大学微纳电子学系主任蔡一茂表示，北京大学微纳电子学系与清华微纳电子学系有着长久深入的合作基础，希望未来能与清华大学集成电路学院持续深入合作交流，为中国集成电路人才培养与核心科技攻关作出更大贡献，为实现科技强国的民族伟大复兴大业共同努力。张昕致辞中芯国际资深副总裁、中芯北方总经理、清华无线电系82级校友张昕表示，集成电路领域的发展需要人才培养和产学研用的深度结合，中国集成电路产业正面临前所未有的磨难和考验，也有着前所未有的前景和光明，希望清华集成电路学院勇担使命、创造辉煌。吴华强发言清华大学集成电路学院院长吴华强回顾了清华大学面向国家战略需求，建设一流学科、培养一流人才的历史传承，并表示，清华大学成立集成电路学院，符合当下技术发展、产业变革的大趋势，与党和国家重大战略丝丝相扣。集成电路学院将以更创新、更开放、更坚定的步伐迈向新征程，肩负时代使命，贯彻“三位一体”教育理念，为党育人、为国育才，勇于攻克强国关键核心技术，为清华大学“双一流”建设，为我国集成电路事业发展，为人类社会进步作出更大贡献。邱勇致辞邱勇在总结中表示，4月19日，习近平总书记来校考察并发表重要讲话，全校师生深受鼓舞。总书记强调，要把服务国家作为最高追求，把学科建设作为发展根基。要想国家之所想、急国家之所急、应国家之所需。要勇于攻克“卡脖子”的关键核心技术，加强产学研深度融合。总书记的重要讲话为我国高等教育实现高质量发展指明了前进方向，为在新发展阶段建设中国特色世界一流大学提供了重要遵循，对清华大学的办学发展具有深刻而长远的指导意义。邱勇强调，大学是国家的大学，服务国家是大学最崇高的使命。要自强、要奋斗，要让国家强大起来，这是清华人最朴素的信念、最执着的追求。对于大学来说，心怀“国之大者”，就是要树立主动请缨、铸就大国重器的雄心壮志，就是要增强追求卓越、打造强国之“芯”的使命担当。清华大学成立集成电路学院，就是要集中精锐力量投向关键核心技术主战场，加快培养国家急需的高层次创新人才，为实现集成电路学科国际领跑、支撑我国集成电路事业自主创新发展作出关键贡献，努力建设又一个新时代的“200号”。邱勇指出，“乘骐骥以驰骋兮，来吾道夫先路。”清华要在更高的起点上建设集成电路一流学科，必须坚持服务国家重大战略需求的价值导向，通过深化改革激发学科建设活力。要以更大的力度推进学科深度交叉融合，以更大的力度深化人才培养改革，以更大的力度推进产教融合，以更大的力度推动与兄弟单位的合作。邱勇强调，集成电路学院要不辱使命，打造自强之“芯”，培养具有原始创新能力的高端人才，引领产业跃升的关键技术，探索出一条实现中国集成电路科学原创突破的自主路径，为国家实现科技自立自强提供战略支撑。要培养具有原始创新能力的高端人才，要引领产业跃升的关键技术。打造自强之“芯”就是以自强的心打造强国的“芯”，永葆清华人自强不息的精神底色，矢志不渝地坚持自主创新，培养可堪大任的高层次创新人才，为社会主义现代化强国建设奠定坚实可靠的科技根基。邱勇指出，清华大学110周年校庆主题是“自强成就卓越，创新塑造未来”。创新精神是自强精神在新时代的最好体现。今天的清华人已经征服了一座又一座科学高峰，未来仍将以矢志不渝的创新精神、以永不懈怠的拼搏精神，向着一座又一座新的科学高峰继续进发。成立仪式上，集成电路产业界校友通过视频对清华大学集成电路学院的成立纷纷送上祝福。来自兄弟高校集成电路和微电子学院的代表、集成电路产业代表、集成电路学院和校内各院系、部处代表参加仪式。仪式现场集成电路是电子信息系统的核心，深刻影响着经济发展、社会进步和国家安全，是大国竞争的战略必争之地。发展集成电路已上升为国家重大战略，习近平总书记近年来多次对发展集成电路作出重要指示、发表重要讲话。2020年，清华大学按照学位授权自主审核的办法与程序，同意自主审核增设集成电路科学与工程一级学科博士硕士学位授权点。清华大学此次成立集成电路学院，是新形势下积极响应国家战略需求、敢于责任担当的重要举措，是创新探索交叉学科建设、勇于改革进取的核心载体，努力成为服务国家科技自立自强、甘于为国奉献的战略力量。借鉴世界一流大学经验，结合中国学科特色，清华大学集成电路学院在国内首次提出1+N联合机制，致力于成为清华做实学科交叉、创新引领发展的一面旗帜；贯彻“三位一体”教育理念，坚持为党育人、为国育才，致力于培养一批能够承担起我国集成电路科技和产业发展重任的卓越创新人才；聚焦集成电路全产业链，布局纳电子科学、集成电路设计方法学与EDA、集成电路设计与应用、集成电路器件与制造工艺、MEMS与微系统、封装与系统集成、集成电路专用装备、集成电路专用材料等研究方向，致力于在破解当前“卡脖子”难题的同时让未来不再被“卡脖子”。

哎呀，我的气相色谱进样后咋不出色谱峰？咦，怎么气相色谱基线又出现漂移问题了？气相色谱出了小故障，维修工程师不愿来，我这实验数据得马上出，咋办？ 　　&hellip &hellip 　　各位是不是快被各种莫名其妙的气相色谱故障逼疯了?别发愁了，快来看看这篇《气相色谱仪维修手册》吧。它几乎囊括了气相色谱所有的常见故障，每种故障还列出了5种以上的排除方法；同时还包括N多种图谱分析方法，这可是从事色谱实验室分析工作的同学们必看的&ldquo 红宝书&rdquo 啊! &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr 故障分析方法(一) 　　▲故障分析的基础： 　　组成：由哪些部分组成? 　　作用：各部分起什么作用? 　　原理：各部分的工作原理是怎样的? 　　判别：如何判别工作正常与否? 　　注意事项：检修过程中哪些方面必须注意? 故障分析方法(二) 　　▲故障分析的思路： 　　注意事项： 　　1.保护人体，安全第一，防止事故发生。 　　2.保护设备，避免故障扩大、转移。 　　确定范围： 　　确定与该故障有关的部分和相关因素。 　　故障检查： 　　1.顺序推理法：根据工作原理顺序推理，检查、寻找故障原因。 　　2.分段排除法：逐个排除，缩小范围，检查、寻找故障原因。 　　3.经验推断法：根据经验积累，检查、寻找故障原因。 　　4.比较检查法：参照工作正常的仪器，检查、寻找故障原因。 　　5.综合法：综合使用上述各种方法，检查、寻找故障原因。 故障分析方法(三) 　　▲GC故障的种类： 　　气路部分故障：气体输入不正常、气体品种不对或纯度不够、气路泄漏、气路堵塞、气路污染、气路部件故障、流量设置不正常、色谱柱问题、等等。 　　主机电路部分故障：启动或初始化不正常、温度控制部分故障、键盘或显示部分故障、开关门不正常、点火不正常、电流设置不正常、量程或衰减设置不正常、其他功能性故障、等等。 　　检测器输出信号不正常：无信号输出、输出信号零点偏离、输出信号不稳定、输出信号数值不对、等等。 　　其他故障：气源不正常、电网电压不正常、二次仪表不正常、机械类故障、等等。 故障分析方法(四) 　　▲故障的判别： 　　基础：检查、寻找故障原因的基础是掌握故障判别的方法。掌握故障判别方法的基础是熟悉和了解仪器各部分的组成、作用、工作原理。 　　输入与输出：通常仪器的每个部分、部件、甚至零件都有它的输入和输出，输入一般是指该部分正常工作的前提，输出一般是指该部分所起的作用或功能。 　　举例：例如FID放大器，它的输入是FID检测器通过离子信号线传送过来的微电流信号、放大器的工作电源、以及放大器的调零电位器，它的输出是经过放大并送到二次仪表的电信号。判别FID放大器是否工作正常的方法是：A.如果输入正常而输出不正常，则放大器故障。B. 如果输入输出均正常，则放大器正常。C.如果输入不正常，则放大器是否正常无法判定。 　　收集与积累：积极收集、认真记录、不断积累仪器各个部分工作正常与否的各种判别方法，并了解、熟悉、掌握、牢记这些故障判别方法。 &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr 故障分析举例(一) 　　▲气路部分不正常。 　　⊙指气路系统出现堵塞、泄漏、无压力指示、无气体输出等故障。 　　A.检查气源部分(气瓶、气体发生器等)是否正常。 　　B.利用输入气体压力表检查气体输入是否正常，否则检查净化器等外部气路及稳压阀等是否正常。 　　C.如果是载气流路，则可在色谱柱前后检查进样器的气体输出是否正常，否则检查稳压阀至色谱柱这一段。 　　D.如果是氢气或空气流路，则可利用仪器顶部的气路转接架检查气体输出是否正常，否则检查稳压阀至气路转接架这一段。 　　E.检查检测器的气体输入、输出是否正常。 　　F.在气路系统的适当地方进行封堵，并观察相应压力表的指示变化，是检查漏气的常用方法。 　　G.安全起见，可以利用氮气对氢气流路进行检查。 故障分析举例(二) 　　▲仪器启动不正常。 　　⊙指接通电源后，仪器无反应或初始化不正常。 　　A.关机并拔下电源插头，检查电网电压以及接地线是否正常。 　　B.利用万用表检查主机保险丝、变压器及其连接件、电源开关及其连接件、以及其他连接线是否正常。 　　C.插上电源插头并重新开机，观察仪器是否已经正常。 　　D.如果启动正常，而初始化不正常，则根据提示进行相应的检查。 　　E.如果马达运转正常，而显示不正常，则检查键盘/显示部分是否正常。 　　F.如果显示正常，而马达运转不正常，则检查马达及其变压器、保险丝等是否正常。 　　G.必要时可拔去一些与初始化无关的部件插头，并进行观察。 　　H.如果初始化仍不正常，则基本上可确定是微机板故障。 故障分析举例(三) 　　▲温度控制不正常。 　　⊙指不升温或温度不稳定。 　　A.所有温度均不正常时，先检查电网电压及接地线是否正常。 　　B.所有温度均不稳定时，可降低柱箱温度，观察进样器和检测器的温度，如果正常，则是电网电压或接地线引起的故障。 　　C.如果电网电压和接地线正常，则通常是微机板故障，一般来说各路温控的铂电阻或加热丝同时损坏的可能性极下。 　　D.如果是某一路温控不正常，则检查该路温控的铂电阻、加热丝是否正常。 　　E.如果是柱箱温控不正常，还要检查相应的继电器、可控硅是否正常。 　　F.如果铂电阻、加热丝等均正常，则是微机板故障。 　　G.在上述检查过程中，要注意各零部件的接插件、连接线是否存在断路、短路、以及接触不良的现象。 故障分析举例(四) 　　▲点火不正常。 　　⊙指FID、NPD、FPD检测器不能点火或点火困难。 　　A.检查载气、氢气、空气是否进入检测器，否则检查气路部分。 　　B.检查各种气体的流量设置是否正确，否则重新设置。 　　C.观察点火丝是否发红，否则检查点火丝是否断路或短路、接触不良，以及检查点火丝形状是否正常。 　　D.点火丝正常的情况下，FID、FPD检测器观察点火继电器吸合是否正常，点火电流是否加到点火丝上，否则检查相应的电路部分。 　　E.NPD检测器在确认铷珠正常的前提下，观察电流调节是否正常，否则检查相应的电路部分。 　　F.检查检测器是否存在污染、堵塞现象。 　　H.检查检测器内部是否存在漏气现象。 故障分析举例(五) 　　▲出部分反峰： 　　⊙指大部分峰为正向出峰，但一部分峰为反向出峰，或基线往负方向偏移。 　　A.使用空气压缩机时，检查确认反向出峰或基线往负方向偏移是否与空气压缩机的动作(空气压力不足时空气压缩机自动动作)在时间上是否同步。 　　B.较多水份进入离子化检测器时，火焰的燃烧状态短时间会起变化，伴随出现反峰(这不是异常)。 　　C.检查各种气体的流量设置是否正常，以及是否存在漏气现象。 　　D.检查载气的纯度，如果载气里面有微量不纯物，而样品的纯度如果比载气的纯度高，就会出反峰。 　　E.气路切换时有压力冲击，也会出现反峰，此时气路中应加接稳压装置。 　　F.使用TCD时，如果载气和样品的热导系数过于接近，也会出现一部分或全部的反峰。 故障分析举例(六) 　　▲出峰后零点偏移： 　　⊙指样品出完溶剂峰等平顶峰后基线不能回到原来的零点。 　　A.各气体流量是否正常(数值、稳定)。 　　B.柱箱、检测器的温度是否正常(数值、稳定)。 　　C.检测器是否被污染，如果污染进行清洗或更换零件 　　D.必要时在通入载气的情况下，将检测器的温度设置在200℃以上进行数小时的老化。 　　E.色谱柱是否老化不足，必要时在载气进入色谱柱的情况下，将色谱柱箱的温度设置在色谱柱的最高使用温度下30度左右进行10小时以上的老化，或用程序升温方式进行老化。 　　F.减少进样量。 　　G.使用TCD时，如果大量的氧成分注入TCD，会引起TCD钨丝的阻值发生变化，使得基线无法回零，钨丝的寿命也会减短。 故障分析举例(七) 　　▲基流过大、无法调零(1)： 　　⊙指对基线进行调零时，发现基流增大，零点与平时相比有偏离或无法调零。 　　A.将火焰熄灭或关闭电流之后基线还是无法回零时，要考虑是否电路系统的故障或接触不良、绝缘退化等因素： 　　1).检查检测器和离子信号线是否有接触不良、绝缘退化等现象。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　3).检查检测器温度是否正常，必要时对检测器进行老化。 　　4).检查是否离子信号线故障、放大器电路板故障、输出信号线故障、积分仪/工作站故障。 　　5).使用TCD时，检查TCD钨丝电流的设定是否太大。 　　B.色谱柱箱温度冷却到室温，调零还是不正常时，要考虑检测器自身的原因： 　　1).检查各种气体是否污染或流量不正常、漏气。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 故障分析举例(八) 　　▲基流过大、无法调零(2)： 　　C.降低进样口温度后基始电流也不减少时： 　　1).检查载气是否污染或流量不正常。 　　2).检查色谱柱安装连接部分或进样垫部分是否有漏气现象。 　　3).检讨是否色谱柱老化不足，比要时在载气进入色谱柱的情况下对色谱柱进行老化。 　　D.降低进样器温度后基始电流有缩减少时，可以判定是进样口、进样垫或进样衬管等有污染现象，应对进样器部分进行清洗。 故障分析举例(九) 　　▲基线扭动(1)： 　　⊙指基线上下扭摆不停超出标准范围、无法走直稳定。 　　注意：发现基线扭动时，请先检查电网电源是否有异常波动或突变，特别是在同一电网电源上接有大功率装置时，更要注意。同时检查仪器的接地是否正确并且良好。 　　A.将火焰熄灭之后基线如果还是扭动： 　　1).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　2).检查检测器的温度是否正常，必要时检测器进行老化。 　　3).检查是否离子信号线故障、放大器电路板故障、输出信号线故障、积分仪/工作站故障。 　　B.将火焰熄灭之后基线停止扭动，降低色谱柱箱的温度扭动幅度却不变小： 　　1).检查使用的空气是否有污染现象，注意更换气体过滤器的过滤剂，及对空气压缩机进行放水。 　　2).检查空气压缩机的起动与基线扭动有没有关系，否则维修空气压缩机。 　　3).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　4).检查检测器的温度是否正常，必要时检测器进行老化。 故障分析举例(十) 　　▲基线扭动(2)： 　　C.降低色谱柱温度后基线扭动减少，但降低进样器温度扭动幅度却不变小，则基线扭动的原因与色谱柱或载气有关： 　　1).检查载气是否污染或流量不正常。 　　2).检查色谱柱安装连接部分或进样垫部分是否有漏气现象。　　3).检讨是否色谱柱老化不足，必要时对色谱柱进行老化。 　　D.降低进样口温度之后基线扭动减少，要考虑是否进样口有污染现象： 　　1).如果确认进样器污染，请进行清洗。 　　2).更换新的进样垫。 　　3).检查进样器温度是否波动。 故障分析举例(十一) 　　▲基线漂移过大(1)： 　　⊙仪器刚启动、色谱柱更换后不久，基线的漂移是正常现象。基线漂移过大是指基线的漂移比正常的标准高很多，并且始终无法稳定下来。 　　A.将火焰熄灭之后如果基线还是漂移很大，要考虑是否电路系统的故障或接触不良、绝缘退化等因素： 　　1).检查检测器和离子信号线是否有接触不良、绝缘退化等现象。使用TCD时，检查TCD的钨丝及引线是否接触不良。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　3).检查检测器的温度是否正常，必要时对检测器进行老化。 　　4).检查是否离子信号线故障、放大器电路板故障、输出信号线故障、积分仪/工作站故障。 　　B.将火焰熄灭之后基线不再漂移，降低色谱柱箱的温度漂移幅度却不变小，这种情况是色谱柱之后的部分有问题： 　　1).检查各种气体是否污染或流量不正常。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　3).检测器的使用温度在350℃以上时，某些毛细管色谱柱外侧的树脂成分可能受热分解引起基线漂移，这种情况请把FID温度降到350℃以下。 　　4).检查检测器温度是否波动。 　　5).使用TCD时，检查TCD钨丝电流的设定是否太大。 故障分析举例(十二) 　　▲基线漂移过大(2)： 　　C.降低色谱柱温度后基线漂移减少，但降低进样口温度漂移幅度却不变小，这种情况基线漂移的原因与色谱柱或载气有关： 　　1).检查载气是否污染或流量不正常。 　　2).检查色谱柱安装连接部分或进样垫部分是否有漏气现象。 　　3).是否色谱柱老化不足，必要时对色谱柱进行老化。 　　4.检查检测器温度是否波动。 　　D.降低进样口温度之后如果基线漂移减少，要考虑是否进样口有污染现象，请进行下列项目的检查： 　　1).如果确认进样器污染，请进行清洗。 　　2).更换新的进样垫。 　　3).检查进样器温度是否波动。 故障分析举例(十三) 　　▲进样不出峰(1)： 　　⊙指进样后没有峰被检测出来，基线只画一条直线。 　　注意：发现进样不出峰时，首先要考虑载气是否进入仪器(包括色谱柱、检测器)，否则可能会造成色谱柱的损伤或检测器的污染。因此发现进样不出峰时，应立即降低色谱柱恒温槽的温度让色谱柱冷却。使用TCD时，必须先将钨丝电流关闭。在确定载气系统正常之后方能进行其他项目的检查。 　　A.检查检测器的火焰是否熄灭，如果熄灭请重新点火 如果点不着火或者点着后又很容易熄灭时，请进行下列项目的检查： 　　1).检查点火线圈是否发红，如果不发红应该是点火极部分故障。 　　2).检查各种气体的流量是否正常，适当加大氢气流量试试。 　　3).使用TCD时，检查TCD钨丝及钨丝电流的设置是否正常。　　B.检查离子信号线与检测器、放大器电路板的连接，以及输出信号线与仪器、积分仪/工作站的连接是否正常可靠。 故障分析举例(十四) 　　▲进样不出峰(2)： 　　C.调零也不正常时，要考虑是否电路系统的故障，请检查是否信号线的故障、放大器电路板的故障、输出信号线的故障、积分仪的故障。 　　D.如果进甲烷等常规溶剂还是不出峰或保留时间变慢时，在确认了色谱柱箱的温度降到了室温左右后，请进行下列项目的检查： 　　1).检查色谱柱是否存在折断现象。 　　2).检查载气流量是否正常，并进入色谱柱、FID检测器等部分。 　　E.其他不出峰的原因，请按照下列项目进行检查： 　　1).注射器不正常。 　　2).检查色谱柱温度、进样器温度、检测器温度、量程设定等分析条件是否合适。 　　3).检查样品浓度、样品进样量是否正确。 　　4).检查样品的取用、色谱柱的选择有没有错误。 故障分析举例(十五) 　　▲噪声过大(1)： 　　⊙气相色谱仪启动后不久或色谱柱更换后不久，噪声是不可避免的，这是正常现象。噪声过大是指比正常的标准高得多的噪声或某些不正常的突变。 　　注意：发现噪声过大时，请先检查气相色谱仪和积分仪使用的电网电源是否有异常波动或突变，特别是在同一电网电源上接有大功率装置时，更要注意。此外，请检查仪器的接地是否正确并且良好。 　　A.改变量程范围，噪声的大小还是基本不变时，要考虑是否信号线的故障、放大器电路板的故障、输出信号线的故障、积分仪的故障。 　　B.将火焰熄灭之后噪声如果还是很大，要考虑从检测器到放大器电路板这一段是否存在问题，请进行下列项目的检查： 　　1).检查检测器的喷嘴、收集极、离子信号线插座、点火线等部分是否固定可靠，请排除接触不良的可能。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　3).要考虑是极化电压、放大器电路板、工作电源的故障。 故障分析举例(十六) 　　▲噪声过大(2)： 　　C.将火焰熄灭之后噪声如果降低或消失，要考虑是否检测器本身产生过大噪声： 　　1).检查是否使用的气体纯度太低，请更换气体或使用气体过滤器去除气体中的杂质。 　　2).检查检测器是否被污染，如果污染请进行清洗。 　　3).检查空调器等冷暖设备的排风是否正对着气相色谱仪，请改变风向或更换仪器的位置。 　　D.降低进样口温度后如果噪声变小，要考虑是否进样口有污染现象。 　　E.降低色谱柱温度后如果噪声变小，要考虑是否载气纯度不够或色谱柱的老化不足，请更换载气或使用气体过滤器去除载气体中的杂质，并对色谱柱进行老化。 故障分析举例(十七) 　　▲全部出反峰 　　⊙指所有样品均反向出峰。 　　A.检查气相色谱仪相应检测器的信号输出线与积分仪或记录仪、色谱工作站的信号输入端的连接是否正确，将信号输出线的正负两端对换即可。 　　B.对于具有极性切换功能的检测器，检查其输出信号的正负极性设置是否正确，必要时更改正负极性的设置即可。 &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr 维修注意事项(一) 　　▲关于人体安全与环境保护： 　　⊙在维修仪器的过程中，首先一定要注意安全和注意保护环境。GC维修中可能造成安全事故与环境污染的因素大致如下所述： 　　A.氢气泄漏造成爆炸、燃烧等安全事故。 　　B.电子捕获放射源造成人体伤害、环境污染事故。 　　C.易燃易爆、有毒、腐蚀性等危险性样品造成安全事故、人体伤害、环境污染事故。 　　D.高电压、大电流造成触电事故。 　　E.高温造成的烫伤事故。 　　F.其他说明书上已有描述的相关注意事项。 　　上述各项在维修仪器的过程中必须认真对待，例如严密仔细地进行氢气的漏气检查；热导检测器用氢气做载气的情况下，未安装色谱柱或未使用热导检测器时必须关闭气源；避免打开电子捕获检测器 按规范取用危险性样品；可以断电检修的部分尽量断电检修，并在检修时将电源插头拔掉；必须通电时应避开高电压、大电流部分；避免接触高温部分或先将温度降低，等等。 维修注意事项(二) 　　▲关于仪器的保护： 　　⊙在维修仪器的过程中，还要注意按规范认真仔细地操作，避免损坏仪器，造成新的故障或将故障扩大。应该注意的内容如下所述： 　　A.已安装色谱柱的仪器，在通电之前应先通入载气，一般来说，载气对保护仪器是有利的。 　　B.热导检测器必须先通载气，然后才能加电流，否则可能烧断钨丝。热导检测器还必须防止氧气、空气进入，否则可能造成钨丝氧化。 　　C.电子捕获检测器必须防止氧气、空气、杂质进入，否则极易污染。 　　D.热导检测器和氮磷检测器的电流不能加得太大，否则可能烧断钨丝和铷珠。氮磷检测器的氢气也不能开得太大，否则也会烧断铷珠。 　　E.火焰光度检测器的光电倍增管必须避免长时间的强光照射。 　　E.检修时，在仪器通电之前，必须仔细确认各个接插件已正确地插好。 　　F.任何时候都要避免污染仪器的气路系统、进样及检测系统、色谱柱。 　　G.柱箱温度的设置不得大于色谱柱允许的最高温度。 　　H.其他说明书上已有描述的相关注意事项。 维修注意事项(三) 　　▲关于老化。 　　⊙在很多情况下，所谓的故障是由于老化不充分引起的，所以在必要的时候(例如一段时间未用或更换色谱柱后)应该进行老化，避免出现不必要的所谓故障。各种老化的方法如下所述：(注：老化时应适当增加载气流量) 　　A.色谱柱的老化：在载气进入色谱柱的情况下，将柱箱温度设置在色谱柱允许的最高温度以下30℃，或正常使用温度以上30℃，进行十小时以上的恒温老化；或设置3-5℃/min的升温速率， 40~60℃ 的起始温度，色谱柱允许的最高温度以下30℃的终止温度，进行一阶程序升温老化。 　　B.进样器/检测器的老化：在载气进入进样器/检测器的情况下，将进样器/检测器温度设置在200℃以上进行数小时的老化。 　　C.电子捕获检测器的老化：在载气进入电子捕获检测器的情况下，将电子捕获检测器温度设置在200℃以上进行十小时以上的老化。 　　D.热导钨丝的老化：在载气进入热导检测器的情况下，将热导电流设置在使用值以上10-20mA，进行数小时的老化。 　　E.氮磷检测器铷珠的老化：在载气进入氮磷检测器的情况下，将铷珠电流设置在使用值以下0.4A和0.2A，各进行二十分钟左右的老化。 &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr &hArr 谱图分析(一) 　　▲保留时间重现性差： 　　⊙指仪器工作条件和样品分析条件等均没有变化的情况下，保留时间变化较大、重现性较差。 　　A.色谱柱的一部分是否与柱箱内壁的金属面存在接触现象。 　　B.进样垫、色谱柱、过渡衬管的安装连接处是否存在漏气现象。 　　C.载气的输入压力是否正常。 　　D.载气流量是否正常或出现变化。 　　E.进样器、柱箱、检测器等的温度是否稳定。 　　F.如果保留时间与峰高/峰面积的重现性同时变差，则进行了上述检查后再参照[峰高/峰面积重现性差]中的各项进行检查。 　　注意：如果载气的流量、分流比、色谱柱温度等有变动时，保留时间或峰高/峰面积一定会起变化。 谱图分析(二) 　　▲峰高/峰面积重现性差： 　　⊙指仪器工作条件和样品分析条件等均没有变化的情况下，峰高/峰面积变化较大、重现性较差。 　　A.注射器的性能是否正常以及进样时是否存在操作失误。 　　B.样品浓度(特别是挥发性样品)是否因放置时间过长而起变化。 　　C.各种气体的输入压力是否正常。 　　D.各种气体的流量是否正常或出现变化。 　　E.进样器、柱箱、检测器等的温度是否稳定。 　　F.如果峰高/峰面积与保留时间的重现性同时变差，在进行了上述检查后再参照[保留时间重现性差]中的各项进行检查 　　注意：如果载气的流量、分流比、色谱柱温度等有变动时，保留时间或峰高/峰面积一定会起变化。 谱图分析(三) 　　▲出刀形峰： 　　⊙指样品出峰时上升缓慢而下降迅速，形如刀状。 　　A.减少样品的进样量。 　　B.提高色谱柱箱的温度。 　　C.改用较大内径的色谱柱。 　　D.增加固定液的涂层的厚度。 　　E.选用样品的溶解度较高的固定液。 　　F.尝试提高进样器的温度，改善峰的形状。

10月29日上午，华润微电子深圳12英寸集成电路生产线项目开工仪式在深圳市宝安区举行。项目一期总投资220亿元，聚焦40纳米以上模拟特色工艺。项目建成后，将形成年产48万片12英寸功率芯片的生产能力，产品将广泛应用于汽车电子、新能源、工业控制、消费电子等领域。　　华润集团总经理王崔军介绍，项目建成后将与集成电路设计、封装、测试等产业链上下游形成联动集聚效应，加快实现半导体关键领域和技术的自主创新突破和商业化运作，满足粤港澳大湾区经济高速发展对半导体产品的巨大市场需求。　　据悉，华润微电子是华润集团旗下在国内最早布局特色工艺平台技术研发的综合性半导体企业。截至目前，华润微电子已成为具有掩模制造、产品设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营的IDM半导体企业。2022年1月，华润微电子在深圳宝安区设立华润微南方总部暨全球创新中心，并开始启动12英寸特色工艺集成电路生产项目。　　“目前，广东正在加快构建集成电路产业‘四梁八柱’。此次华润微电子有限公司在深圳建设12英寸集成电路生产线，必将进一步增强广东集成电路产业的核心竞争力。”省工业和信息化厅厅长涂高坤表示，接下来广东将加快推进硅基芯片生产线、第三代半导体、封测产线，打造国家制造业创新中心、国家技术创新中心，带动产业链上下游协同发展。　　今年以来，广东工业投资稳定增长，制造业充分发挥了“压舱石”作用。今年1—9月，全省完成工业投资同比增长15.6%，工业投资占固定资产投资比重为27.2%，比去年同期(23.3%)提高3.9个百分点。其中，广东高技术制造业投资增长35.0%，先进制造业投资增长27.3%，投资结构进一步优化。　　粤芯半导体三期项目、TCL华星光电广州t9项目、华润微电子深圳12英寸集成电路生产线项目一期……一个个广东制造业重大项目正在加快建设。为此，广东建立了“省市联动，分级负责”的制造业指挥部项目跟踪服务机制，投资50亿元以上项目由省级负责跟踪服务，实施“日跟踪、周报告、月调度”机制，并开展“挂图作战”，逐一项目制定“作战图”，及时协调项目建设中存在的困难和问题。　　目前，广东制造业重大项目总体进展顺利。记者从省工业和信息化厅获悉，今年1—9月广东制造业重大项目投资进度达到100.1%，已提前完成全年投资计划。

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 8月20日，首届G60科创走廊集成电路科技创“芯”大会在上海松江佘山茂御臻品之选酒店圆满召开。本次大会得到了上海市松江区投资促进服务中心的大力支持。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C4/C3/o4YBAF9DemyACMJzAATpsZbvyNQ751.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 会议期间，来自全国的三百多位集成产业重量级嘉宾、企业高管、投资人相聚佘山，共同探讨产业发展机遇，交流市场走向，为松江集成电路产业发展、打造具有国内外竞争力的集成电路产业集群献言献策。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C5/3D/pIYBAF9DeouASQ6QAAV_wVmb4oU571.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 上午九点半，大会在万业企业副总经理周伟芳女士和金浦投资合伙人侯昊翔先生的主持下准时开启。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C4/C3/o4YBAF9DepeAVYjMAAP6J_YKO5o364.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中国半导体行业协会副理事长、上海集成电路行业协会秘书长徐伟先生首先登台为大会致辞。他表示，疫情得到控制之后，集成电路产业界的韧性、活力，在整个经济恢复过程中表现的淋漓尽致。当前中美关系的剧变，给集成电路带来了巨大的影响。尤其是先进的、尖端的技术，包括装备材料等都将面临更加严峻的局面。G60创新经济带的大力发展，将进一步加强整个长三角地区产业协同发展，进一步完善集成电路产业链。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C5/3D/pIYBAF9DeqGAbgE6AANBIxELALU276.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 紧接着登台的是上海市松江区经济委员会、商务委员会、投资促进服务中心主任陈容女士，她与大家分享了G60科创走廊建设和先进制造业发展规划，并从历史、人文、产业环境等方面介绍松江。她表示，松江拥有“上海之根”、“沪上之颠”、浦江之首”、“花园之城”、“大学之府”等美誉，是一个非常宜居宜业的城市。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C4/C3/o4YBAF9DeqyAPcHHAAMBnuMuTPI216.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 关于集成电路产业，她表示，到2019年底，松江区已有100多家集成电路产业的企业，涉及到设计、制造、封装测试、材料和装备五大领域，并拥有台积电、上海新阳、上海超硅等一批龙头企业。未来，松江将继续将集成电路产业作为松江发展的重中之重，希望广大的企业家和优秀人才能够多多支持松江的发展！ /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 随后，在各位领导、嘉宾和观众的共同见证下，“松江集成电路产业联盟”正式成立。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 高峰论坛阶段首先登台的是璞华资本/元禾璞华投委会主席陈大同先生，他表示，我们中国半导体产业发展现在已经进入2.0时代。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C5/3D/pIYBAF9DesGALl-_AAM5CnvSmwc075.png" / /p p style=" text-align: justify " strong 他认为，2.0时代有四个特点： /strong /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 1、创新创业形态。很多创业公司的团队都是由龙头企业培养出来的，他们管过事业部、管过产品，拥有非常丰富的产业创业经验，而且拥有很多客户资源，发展都很快。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 2、国产替代。由于国际形势的变化，国产替代关系到产业安全，关系到企业的生死问题。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 3、产业并购。在5年-10年之后整个形态一定是几十家、上百家的龙头企业，周围围绕几百家或者几千家的创业公司。创业公司主要是开发新技术和新产品，创新的东西他们来做，做到一定时候龙头企业高价收购，然后再利用自己的品牌、技术渠道、生产能力，把市场迅速打开，这种情况是必然要发生的，是一个规律。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 4、政府和民间互助。企业利用政府资源使得自己迅速扩大。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " “面向智能化系统设计的EDA解决方案”是第二个分享嘉宾Cadence全球副总裁/南京凯鼎电子科技有限公司总经理王琦先生的分享主题，他表示，智能化系统升级方面，芯片要继续加强、投入要加大。关于智能化是从应用层面，从芯片设计、从系统设计层面，把这些智能化的技术第一个运用到芯片设计，再结合人工智能。同时也很看好本土的EDA发展，国内市场庞大，划分很细，有高端、中端、低端，希望可以和国内本土企业一起做芯片设计的产业，共同为国内半导体产业起到推动作用。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C5/3D/pIYBAF9Des2AAFLrAAPJZD1-UGY808.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 上海知识产权交易中心副总经理仲登祥先生讲解了知识产权运营交易促进集成电路产业发展。他表示，集成电路产业与知识产权有非常大的关系，高新技术企业一定要拥有核心自主知识产权，知识产权不仅仅是产业发展核心要素，而且还是企业竞争的利器，所以我们要建立知识产权的思维。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C4/C3/o4YBAF9DetWAZp1vAAMd6n7b88U054.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 高峰论坛在工业和信息化部赛迪研究院/赛迪顾问股份有限公司集成电路产业研究中心总经理滕冉先生的演讲中完美收官。他对疫情影响下国内外集成电路市场最新展望进行了分析与预测。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://file.elecfans.com/web1/M00/C5/3D/pIYBAF9Det6ALVj-AAJipTqng_A624.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 滕总给大家总结出四点：第一，全球半导体市场驱动因素由计算机、移动智能终端向云计算、大数据和物联网转变，发展新动力正在加速形成。第二，市场应用呈现加速融合发展的势头，抢占新制高点成为业界竞争的共识。第三，国际贸易环境存在不确定性，对半导体行业产生比较大的冲击，构建开放、和谐的环境体系对于目前国内集成电路产业显得尤为重要。第四，中国目前还是作为全球最大的半导体的市场，不管是在产业的增速还是在市场的增速都是，我们相信未来也将在很长的一段时间内保持势头，也将不断为全球半导体产业注入新的活力。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 下午，新基建“芯”发展、制造封测、投融资路演三个专场论坛同时开展，二十多位嘉宾从车规级AI芯片、5G射频、AIoT、SIP及MENS封装、半导体投资机会、智慧工地、模拟小芯片等多个方面向大家分析了各自领域当前的市场状况以及未来走向。他们的观点，让参会者收获颇丰，现场精彩纷呈。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 一天的时间，二十六位嘉宾的精彩分享，三百多位产业同仁的参会交流，G60科创走廊集成电路科技创“芯”大会圆满落下帷幕。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " br/ /p