离子强定仪

RBD 仪器提供各种溅射离子枪，用于样品清洁和深度剖析。无论何种应用，RBD 都能以最低的价格提供最高的性能。溅射速率标准也可从RBD获得。IG2 2kV backfill 离子源RBD的低成本溅射离子源封装IG2是在UHV条件下溅射清洗样品的理想解决方案。IG2离子源套件由 04-165 型 2 kV 回填离子源和 32-165 型离子源控制组成。这些装置可分别与 PHI 04-161 和 04-162 离子源以及 PHI 20-045 对照互换。 3kV离子源RBD提供3 kV离子源溅射，包括电子放电源、电源和电缆。3 kV 离子源设计工作电压低至 100 eV，提供 10 mm 的大光斑尺寸，与所有惰性气体兼容，不需要差分泵抽气。该套件包括离子源、电子控制单元、采样电流计、电缆、操作手册和备用灯丝组件。 高性能离子源和控制器1401 型离子枪非常适合用于表面化学实验，例如使用俄歇和 XPS 进行样品制备和深度剖析。它可以与大多数惰性气体一起使用。1402 型离子枪在非常低的光束能量下具有高光束电流。 它也可以在远光灯能量（高达 3 keV）下运行，以提供额外的深度剖析和样品清洁能力1407 型离子枪在电子冲击电离离子枪中具有双等离子体性能。通过光学柱中的可变孔径，可以获得广泛的光束电流和光斑尺寸。在5 keV的光束能量下，光束电流可以从2 uA调节到直径为20 um的光斑，从20 uA调节到直径为100 um的光斑。

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

Hiden IG5C 铯离子枪（Ion Gun），先进的离子枪，配合SIMS进行材料表面和深度的分析。具备低功耗、高亮度表面电离离子源，并耦合到一个紧凑的高性能组合中。 稳定的离子源 精巧便于安装的法兰部件 离子源：易于安装、能自我校准 离子源寿命长 不同的泵强有力地保证了超高真空的腔室压力 双灯丝容量设计 在光栅应用中，束消隐装置可以快速进行束的转换 能量范围： 500eV ~ 5KeV 最大电流： 200nA 最小光斑尺寸： 20μm 离子源寿命： 一般在500小时 法兰规格： 斜楔法兰DN-35-CF 功率： 8 W IG5C Caesium Ion Gun (840 KB)

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

华品计量仪器校准公司欢迎来电咨询主要从事：质量传递和对称重仪器的检定与校准。现开展的项目有：标准砝码（E2等级及以下，可测量能力：1 t）、各种专用砝码、电子天平、机械天平、质量比较器、架盘天平、扭力天平、液体比重天平、汽车（摩托车）轴（轮）重仪、标准测力杠杆、电子秤、大型电子汽车衡（可测量能力：200 t）、电子皮带秤、定量包装秤、定量自动衡器、核子秤、机械秤、其他称重设备等。东莞仪器校准检测服务机构，第三方仪器校准机构，找华品计量检测有限公司，华品计量检测出具的检测报告通用认可。资质齐全的机构出具的报告才是有效用，无资质或是资质不齐全的机构出具的检测报告都是无效的，不可用于审厂，检查认证的，如需要仪器仪表校准找世通仪器校准，资质齐全国认可。能力范围具备几大计量领域（无线电、电磁、几何量、 热工、力学、时间频率、声学、光学、化学和电离辐射）的一千多个认可项目的计量及检测能力。拥有国际计量标准和精密仪器多台套。仪器校准公司服务范围：化学类仪器校准：光泽度计、光密度计、移液器、玻璃量具、RoHS检测仪、气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)、液相色谱-质谱联用仪(LC-MS)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP-AES)等。几何量类仪器校准：卡尺类、指示表类、千分尺类、角度规、水平仪、水平仪、平板、平尺、平晶、激光径孔仪、光学计、投影仪、测长机、显微镜、影像测量仪、二次元等。力学类仪器校准：材料试验机、电子式试验机、电动抗折试验机、机械式拉力表、工作测力仪、张拉机（千斤顶）、扭矩扳子检定仪、扭矩扳子、各种硬度计等。热工类仪器校准：数字温度计、恒温箱、恒温恒湿箱（房）、各类培养箱、干燥箱、养护箱（室）、老化箱（房）、快煮箱、盐雾试验箱、交变试验箱、环境试验箱等。电学类仪器校准：静电离子风机、手机综合测试仪、网络分析仪、电能（功率）质量分析仪、谐波分析仪、功率表（计）、静电场强（电压）表、表面电阻测试仪等。技术优势根据校准情况提供实测值使用、限用等报告。提供验厂报告证书，可查询、方便保存。 进口高准确度标准器测量稳定，实现测量标准化、溯源化。具有、高效、稳定的校准队伍，高水平、高严谨的工作作风和丰富的校准经验。校准参数齐全。为行业提供全方位定制化服务。智能办公系统，保障证书出具速度2个工作日，降低录入出错率。服务优势实验室仪器校准综合实力强 提供一站式服务：通过强大的仪器设备全生命周期服务，广阔的项目覆盖范围和全国服务网络布局，充分实现跨地区、跨部门、跨领域协作服务，共享资源，满足您“一站到底”、“整体解决”的需求。便捷服务 全国网点：服务范围覆盖全国及东南亚地区，服务网点遍布20多个城市，就近提供服务，高效便捷，节约您的成本。个性化定制 跨省服务：为您量身定制个性化技术解决方案（服务、技术、证书）； 凭借多年积累的技术经验及稳定的人才队伍，有足够实力、 资质可以提供跨省、多维度的复杂综合系统解决方案。快速响应 查询方便：30分钟内响应您的询价；2个工作日出具证书；方便查询保存。智慧计量 可靠保障：运用信息化手段，提高了服务全过程的质量和效率： 仪器设备自动化校准、智能工作平台、标签、仪器人员等资源的动态调度。智慧计量， 流程突破，质量、效率双重保障。行业服务 深度聚焦：拥有丰富的行业服务技术经验，合作客户超万家， 涵盖了信息技术、航空航天、汽车及零配件、机械制造、轨道交通、电力、医疗卫生、生物制药、食品、能源等行业。维修维保1、以修复仪器并达到原厂技术指标或客户要求为目标，用规范的流程和校准确保服务质量和维修质量，并获得修理计量器具许可证。2、具备电磁、无线电类常规仪器、环境试验设备的维修能力，基本具备对手机综测仪、频谱分析仪、网络分析仪、信号源等无线电类仪器和电磁兼容测试仪器的维修能力。3、具备良好的静电防护条件和措施（防静电地板、防静电操作台、防静电服、防静电手腕、防静电接地系统等），并拥有多台套计量检测仪器以及深圳市华品计量检测有限公司强大支持，为各种仪器维修提供强有力的技术保障和质量保证。4、与多家国外仪器制造厂商就仪器维修进行多种形式的合作。如：成立了维修站，广州B & K技术服务部、德士（Texio）仪器广州维修、日本无线公司（JRC）中国南方维修服务、目黑电波（MEGURO）广州仪器维修等。如：维修合作，安捷伦科技（中国）有限公司等。5、拥有一支综合素质高、维修能力强的技术团队，其中有5年以上仪器和设备维修经验的工程师10名，有10年以上仪器维修经验的工程师6名。计量科学是整个科学技术体系的前沿，是国民经济和社会发展的重要技术基础，也是现代工业发展的三大支柱之一。计量是实现单位统一、保证量值准确可靠的活动，关系国计民生。它涉及各行各业所有领域，并按法律规定，对测量起着指导、监督、保证作用。计量检测水平高低是衡量企业市场竞争能力的重要因素。一个企业的计量检测水平决定了其产品技术水平和质量控制能力。实验室地址：广东省深圳市光明新区公常路837号天浩商务

1 产品概述: 新型离子枪结合了空心阳极离子枪和磁控管离子枪的优势，通过独特的结构设计和技术集成，实现了对材料表面高效、精确的处理能力。该设备集成了离子源、加速电极、聚焦透镜和控制电源等关键部件，能够产生并发射高能量、高密度的离子束，满足各种复杂工艺需求。2 设备用途：薄膜沉积：新型离子枪可用于在基材上沉积各种金属、非金属及合金薄膜，如钨超细结构薄膜。这些薄膜在电子器件、光学元件、太阳能电池等领域具有广泛应用。表面清洁与刻蚀：通过离子束的轰击作用，可以去除材料表面的污染物、氧化物等杂质，实现表面清洁。同时，离子束还能对表面进行精细刻蚀，形成所需的微纳结构。深度分析：在样品表面分析中，新型离子枪可用于表面刻蚀和深度剖析，揭示材料内部的成分和结构信息。涂层与改性：利用离子束的沉积和改性作用，可以在材料表面形成具有特定功能的涂层，如防腐、耐磨、导电等涂层。3 设备特点 高效性：新型离子枪结合了空心阳极离子枪和磁控管离子枪的优点，具有更高的离子束能量密度和更快的物料反应速度，从而提高了处理效率。 精确性：通过精确控制离子束的能量、束斑大小和扫描路径，可以实现对材料表面的精细处理，满足高精度加工需求。 多功能性：该设备不仅可用于薄膜沉积、表面清洁与刻蚀等传统应用，还可拓展至表面改性、深度分析等新兴领域。4 技术参数和特点：可以简单地进行粒径1nm以下的钨超微粒子的包覆。 通过使用Ar离子的离子束溅射法沉积的钨膜的粒径为0.2nm～0.5nm。即使在700,000倍SEM观察中也没有观察到颗粒感，非常适合高倍率观察。样品表面温度在50℃以下，因此可以进行热损伤小的涂层。可以在短时间内涂层。（真空度达到1Pa后所需时间3～5分钟） 可以绕入，狭窄的间隙也可以进行涂层和附着力优良的涂层。可以得到不易附着污染的涂膜。目标，标准准备了钨，根据您的要求可以换成各种目标材料。 可选：也可以蚀刻。离子枪外加电压200 V目标施加电压1.4 kV工作电流20mA工作真空度1 Pa目标尺寸50 mm试样尺寸Φ32 ｘ t15 mm 以内

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德国Sentech 集成多腔等离子刻蚀和沉积机 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。

SePdd（可扩展的增强型等离子体放电检测器）不仅仅是一个检测器，还是在增强型等离子体放电技术专利基础上，为OEM和系统集成商设计的可充分扩展的开发套件。用这个扩展平台可以针对目标应用的简单或复杂程度来选择所需要的模块和检测方式（发 散，示踪，能量平衡），从而配置一个定制化，低成本的检测器解决方案。检测器由光波长测量模块、增强等离子体放电发生器模块、数字信号处理器（DSP）组成。 “用氩做载气替代用氦气做载气的氦离子色谱”【产品特点】1、能够在载气是氩，氦，氮，氧，氢的载气情况下运行2、用于本底校正的差异化检测模式3、等离子体可以随时开／关，允许反应背景气流过而没有任何负面影响4、替代DID,PDID,ECD,FPD,FID和TCD检测器，多种检测模式5、ppb 到百分比检测范围6、简单而且容易和任何过程或实验室色谱集成在一起7、即插即用理念，RS-485 和USB 数字通讯8、以太网通讯端口 9、物联网

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

Simcoion TOP Gun离子风枪免持TOP Gun离子风枪TOP Gun高性能离子风枪，为广泛的工业应用而设计。具有低耗气量，高吹扫力的特点，提供有效清洁和大程度的静电中和。特点及优势过滤器确保吹向目标物的为洁净气流；重量轻，人体工程学设计，使用舒适；气流控制阀调节不同应用所需的气流量；电离指示灯，显示输出电离状态 可选脚踏操控型，免提操作。TOP Gun脚踏操控型的特点及优势万向节颈管，解放了操作者的双手，适合装配及制造过程。灵活固定的离子风枪使操作员可以将离子气流聚焦在任意需要的地方。一个脚踏开关控制电离和气流，减少压缩空气成本并延长离子发生器的寿命。支架包含一个钢架，便于固定在工作台上。脚踏操控型套件包括：• TOP Gun离子风枪；• 18"万向节软管；• 脚踏开关；• 固定支架。TOP Gun系列离子风枪离子风枪枪身重量轻却耐用，轻触开关，延伸使用时也非常舒适。所有的功能都集中在风枪上，包括气流控制阀，平衡调节，一个显示电源及电离的两级指示灯。风枪及线缆均为静电消散材质。离子风枪附有挂座，方便放置。

Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA™ 等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多ding 级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够zui大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是zui敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。PICOPLASMA™ 源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为yi个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™ 集成在PICOPLATFORM™ 集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA™ 远程等离子体系统技术参数 对衬底无等离子损伤 导电材料不会产生短路现象 无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同yi沉积腔室中进行成为可能 应用领域部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™ 设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”)材料非均匀性(1σ)AI2O3 0.50%AlN0.62%In2O30.87%SiO2 (low-T)1.10%SiN (low-T)1.58%TiN2.16%ZnO2.64%TiAlN2.87%

1. 用于高研究的先进能力我们的 Fiji® 系列是一种先进的模块化、高真空热原子层沉积（ALD）系统，专为满足当今快速发展的技术需求而设计。该系列系统以其灵活的架构著称，能够支持多种驱体和等离子体气体配置，使用户能根据具体的沉积要求进行精确调整。这种适应性使得 Fiji® 系列在各种薄膜材料的沉积应用中表现出色，特别适合于半导体、太阳能电池、光电器件以及纳米技术等领域。作为该系列的最新产品，Fiji G2 是一款下一代 ALD 系统，以其卓越的性能和创新的技术再次提升了原子层沉积的标准。Fiji G2 不仅能够执行热成像沉积，还支持等离子体增强沉积（PEALD），为用户提供更广泛的沉积模式选择。这一特性使得该系统在处理对膜质量和厚度要求极高的应用时，具有更大的灵活性和优势。Fiji® 系列的直观用户界面使得操作和监控过程变得简单方便，用户可以随时轻松地监控系统状态，并根据需要实时调整配方和处理流程。这种直观性不仅降低了操作复杂度，还大大提高了生产效率，帮助用户快速响应市场需求变化。2. FIJI的高功能包括：有的腔室涡轮增压泵系统改进的等离子体设计符合人体工程学的操作界面原位椭圆偏振仪原位石英晶体微天平综合臭氧手套箱接口Fiji® 提供多达 6 条驱体管线，可容纳固体、液体或气体驱体，以及 6 条等离子气体管线，在紧凑且经济的占地面积中提供了显着的实验灵活性。

一、氯氟离子自动电位滴定仪产品概述：IN-LZ2氯离子自动电位滴定仪采用全自动控制程序，仪器自动完成全部滴定过程。试验过程中仪器自动提示操作步骤，整个试验过程符合标准要求，操作简便。此设备适用以下标准:GB/T 176-2017《水泥化学分析方法》中所规定的氯离子测定——（自动）电位滴定法；GBT 50344-2004《建筑结构检测技术标准混凝土》——混凝土中氯离子含量测定；JGJT 322-2013《混凝土中氯离子含量检测技术规程》——混凝土中氯离子含量测定；JGJ52-2006《普通混凝土用砂、石质量及检验方法标准》——砂中氯离子含量试验；JTS/T 236-2019《水运工程混凝土试验检测技术规范》；GBT 8077-2012 《混凝土外加剂匀质性试验方法》——氯离子含量电位滴定法；GB/T 5484-2012《石膏化学分析方法》——（自动）电位滴定法。GB/T37785-2019《烟气脱硫石膏》——（自动）电位滴定法。GB 11896《水质 氯化物的测定》——硝酸银滴定法；GBT 3558-2014《煤中氯的测定方法》 ——电位滴定法；GBT 7484-1987《水质氟化物的测定》——离子选择电极法T/QGCML 609—2023《新型氯离子自动电位滴定仪》二、氯氟离子自动电位滴定仪性能特点：l 7寸彩色触摸屏显示操控；l 试验软件中文显示（可支持英文版本）；l 实时显示日期和时间；l 温度精度0.1℃；l 定时屏保功能，省电节能；l 氯氟离子自动电位滴定仪自动校准出水体积；l 测量电极电位分辨率0.01mV；l 滴定管控制分辨率1/12288；l 电极支架可自动升降，高度自由调节；l 实时动态显示试验曲线，自动计算测量点及氯离子含量；l 内置存储芯片，可记录250条试验过程数据；l 可自动配置标准溶液，一键设置；l 自动清洗功能；l 磁力搅拌功能；l 带打印机，直接打印试验结果；三、氯氟离子自动电位滴定仪主要参数：1. 氯离子浓度范围：10-1～5×10-5（mol/L）2. 氟离子浓度：10-1～1×10-6（mol/L）3. pH使用范围：2～12pH4. 精度级别：0.05级5. 电计输入阻抗：3×10126. 滴定体积：25ml7. 滴定管分辨率：1/122888. 电位测量范围：0～3000mV9. 电位分辨率：0.01mV10. 温度测量范围：-55～+125℃11. 温度分辨率：0.1℃12. 电源电压：220V±10% 50Hz13. 电源功率：25w14. 试验温度：0～40℃（推荐10～30℃）15. 储存环境：温度（-30～+65）℃，湿度≤95%RH16. 打印功能：自带微型打印17. 主机尺寸：390×300×300mm18. 包装尺寸：450×385×500mm19. 仪器净重：约14.5kg20. 设备毛重：约17.0kg

1. 产品概述PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µ m）。PD-100ST具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。2. 设备用途/原理塑料材料上保护膜的沉积。在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。光波导的制造（光纤芯/包层）。制造用于微型机械生产的面罩。覆盖高纵横比结构，如MEMS器件。SAW设备的温度补偿膜和钝化膜。3. 设备特点沉积物达ø 100 mm（4"）。阴耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（300 nm/min）沉积。通过低温沉积，可以在塑料表面上沉积薄膜。高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率，使用锗、磷、硼液源控制折射率。PD-100ST设计时尚、紧凑，只需要小的洁净室空间。

Femto Science等离子清洗枪 等离子清洗枪是一种全新的高科等离子表面处理仪，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果、或者进行表面改性及灭菌，还可以应用于伤口、组织器官、3D图案等。相对于等离子清洗机不仅使用广泛，而且具有小巧轻便、使用便捷、价格低廉的特点。技术规格材料：塑料，金属（内部）电源：DC 5V(2A)容量：1800mAh充电时间：2h时长：40min气体：Ar气体导管：OD.4mm管尺寸：52(W) x 76(D) x 270(H) mm包装尺寸：310(W) x 80(D) x 85(H)mm重量：120g产品特点Stork:S型3种尖端选择特点 ：*主要使用氩气。 *可在5％范围内按需与O2、N2、He、NH3混合。*具有高渗透性，它不仅可以处理表面处理，还可以处理培养皿，微通道等。*为了您的安全，请不要在导体或半导体上使用它。Fox:F型1种尖端，无其他选择特点 ：*主要使用氩气。 *可在5％范围内按需与O2、N2、He、NH3混合。*它可以在所有材料上执行。*它的渗透性比S型薄。IP - 专利 : 在韩国，中国，美国，欧盟注册 - 设计 : 国内和海外分别登记了2例 （《海牙公约》，包括日本和中国） - 商标 : 国内受理3例，欧盟受理1例 申请书（马德里协定，包括日本）- 产品于2019年7月1日正式推出认证

工作原理离子迁移谱（IMS）是一种基于均匀电场中离子-分子相互作用的分析技术。该技术的主要优点是：结构紧凑、灵敏度高（ppb-ppt级）、响应速度快（毫秒范围）、常压操作和分离异构体的能力。传统的IMS仪器主要由电离区、反应区和漂移管三部分组成。特点优势l 晶圆厂AMC监控l 环境空气ppb级别检测l TA、HCl、HF、NH3、VOCl 非放射性等离子体电离源l 高灵敏度l 与猎户座3100结合，可以监控45个端口l 实时图形软件离子迁移谱技术具有灵敏度高（ppb范围）、响应速度快（毫秒范围）、结构紧凑、可在大气压下操作以及能分离异构体等优点。在这篇简短的报告中，我们展示了使用IMS检测氯化氢（HCl）和氟化氢（HF）的灵敏度和快速响应。HCl和HF是摩尔质量为36.46 g/mol（HCl）和20 g/mol（HF）的小分子。盐酸和氢氟酸是医药、高分子、石油化工等工业中的重要化合物。这两种化学物质在半导体工业中也很重要。在许多半导体应用中，需要在低ppb水平下监测HCl和HF的存在。

1. 产品概述PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µ m）。该系统通过采用大气盒装载和ø 300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。2. 设备用途/原理塑料材料上保护膜的沉积在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。光波导的制造（光纤芯/包层）。制造用于微型机械生产的面罩。覆盖高纵横比结构，如MEMS器件。TCSAW器件的温度补偿膜和钝化膜。3. 设备特点沉积范围达ø 300 mm（12"）。阴耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（300 nm/min）沉积。通过低温沉积，可以在塑料表面上沉积薄膜。高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率。使用锗、磷、硼液源控制折射率。优异的工艺均匀性和可重复性。

1. 产品概述PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µ m）。该系统通过采用大气盒装载和ø 236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø 4英寸的晶圆。2. 设备用途/原理塑料材料上保护膜的沉积在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。光波导的制造（光纤芯/包层）。制造用于微型机械生产的面罩。覆盖高纵横比结构，如MEMS器件。SAW设备的温度补偿膜和钝化膜。3. 设备特点大加工尺寸为ø 236mm的托架（ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1）。阴耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（300nm/min）沉积。通过低温沉积，可以在塑料表面上沉积薄膜。高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率。使用锗、磷、硼液源控制折射率。优异的工艺均匀性和可重复性。

1. 产品概述PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源，以低应力沉积SiO2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100μm）。PD-200STL具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。2. 设备用途/原理塑料材料上保护膜的沉积在3D LSI的通孔侧壁上沉积绝缘膜。光波导的制造（光纤芯/包层）。制造用于微型机械生产的面罩。覆盖高纵横比结构，如MEMS器件。SAW设备的温度补偿膜和钝化膜。3. 设备特点加工范围达Ø 200毫米（8"）。阴耦合自偏析沉积技术可以实现低应力薄膜的高速（300nm/min）沉积。通过低温沉积，可以在塑料表面上沉积薄膜。高纵横比结构的优秀阶梯覆盖率，使用锗、磷、硼液源控制折射率。PD-200STL设计时尚、紧凑，只需要小的洁净室空间。

电镜原位等离子清洗源RPS50概述 RPS50 SEM扫描电镜清洗仪适用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物（有机污染物）的清洗。采用远程ICP 射频离子源清洗，高效、低等离子体轰击损伤。核心部件采用国际一线品牌，保证设备具有优异的质量与稳定可靠性。标配一路清洗气体流量控制器。触摸屏控制，即插即用。现象描述： 样品在电镜中长时间成像，或进行EDX成分分析过程中，可能会在测试区域形成“黑色方框”，这通常是由聚合物碳沉积引起。成因分析： 当高能电子撞击样品表面时，它们产生大量低能二次电子（SE）。SE由于其较低的速度而与环境污染物气体分子具有高得多的相互作用面。它们分解有机污染，并在成像区域周围造成“碳沉积”（碳氢化合物或烃）。当表面被薄层烃覆盖时，二次电子产率将降低。负面影响： 由于积碳影响，电子暴光区域将比周围的未曝光区域更暗，减少了电子显微镜图像中的材料对比度。研究表明，导电性越好，二次电子产额越高的样品，其发生碳沉积也越快。原因在于，对于这类观察样品，表面碰撞出SE越多，所以导致相互作用在表面生成的烃也越多越快。甚至随碳积影响，表面会累积电荷导致无法清晰成像。更有甚者，碳氢化合物污染严重的时候，可能会导致电子光学成像部件及探测器等污染，使电子束及成像漂移。 电镜原位等离子清洗源RPS50清洗原理 RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部， O活性自由基与SEM腔室内碳氢化合物反应生成CO2，CO及H2O等被真空机组抽走，最终实现SEM腔室/样品积碳清洗之目的，同时提高SEM成像分辨率及衬度，缩短电镜抽真空时间。电镜原位等离子清洗源RPS50清洗效果

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

产品概述　　三强低温等离子过氧化氢灭菌器适用于医院手术室、消毒供应中心各类医用手术器械做快速灭菌处理。微电脑控制，触控操作，全自动升降门。　　三强低温等离子过氧化氢灭菌器是在低温、真空状态下，在消毒室中通过高频电场作用产生等离子体，其中活性物质与微生物体内的蛋白质和核酸发生化学反应，摧毁微生物和扰乱微生物的生存功能，再以H?O?为媒质，作用于微生物细胞，进一步对微生物实施灭杀。　　可以灭菌的物品和材质　　宫腔镜、腹腔镜、喉镜、探头、硬性内窥镜、软管内窥镜、眼科镜片、纤维光缆、颅压传感器、冷疗探子、前列腺切除器、食管扩张器、电灼器械、除颤电机、激光机头、金属类、玻璃类、硅胶类、橡胶类等。　　耗材：过氧化氢灭菌剂、等离子生物指标剂、等离子化学指示卡（标签）、等离子指标胶带、无纺布、等离子医用包装袋等。

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。 下图是ALD与PEALD的沉积结果对比

产品详情Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。 高产量的多腔系统ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。 用于研发的多腔系统ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。

Simcoion Cobra Gun离子风枪大风量Cobra Gun大风量离子风枪Cobra Gun除静电风枪提供比普通离子风枪更强大的冲击气流来清除大面积产品表面灰尘及静电，适合恶劣的工业环境。特点及优势• 防止清洁面二次吸附灰尘及毛绒，减少返工，降低成本；• 重量轻，抗冲击塑料枪体，坚固耐用，；• 人体工程学手柄，允许操作者调节气流；• 便于存放的挂环。Cobra大风量离子风枪利用气流放大原理，产生强大空气冲击流来中和静电并有效吹除灰尘及污物。风枪包含一个独特的风嘴，用来产生扇形冲击气流，扩大了有效范围，适合大面积或狭小空隙、不规则产品的静电消除及除尘使用，适用于汽车表面，塑料板，及家具品。G系列高压电源Cobra离子风枪标配一根20英尺（6m）线缆，用以连接电源。也供应40英尺（12m）长线缆。• 电源包括ON/OFF开关及电源指示霓虹灯。• 电源型号G265，230VAC。• 每件G265电源可连接一件或两件Cobra离子风枪。

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

等离子体增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System，PEALD)产地：美国埃米 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

系统配置：■赛默飞LTQFTUltra增强线性离子阱回旋组合质谱仪这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：1.线性多级离子阱LTQ和FTICR组合高分辨质谱仪，接合了线性离子阱高通量、MSn能力、易用的特点和傅立叶回旋共振技术超高分辨率、精确质量测定的特点，把超高性能和易用性结合。