仪器简介:全球专业的沉积设备制造商,为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案:电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等;电子束蒸发系统:1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System5.离子电镀系统Ion Plating System6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System技术参数:1.电子束源&电源 单个或者可自由切换换电子束源: --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量:7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) --标准:25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) --最大:200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 --偏转角度:180o, 270o --输出功率:6, 10, 15, 20 kW --支持两个或者三个电子束源在一个系统上 --可连续或者同时沉积两种或三种材料 --高速率沉积 2.薄膜沉积控制: IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积:测量波长范围350-2000 nm,分辨率1 nm --薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 --薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸:20~100英寸 --薄膜均匀性 ±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体: --圆柱形腔体 --直径:φ500 ~ 1,500 mm --高度:800 ~ 1500 mm --方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置: --低真空:干泵和convectron真空规 --高真空:涡轮分子泵,低温泵和离子规 --超高真空:双级涡轮分子泵,离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机: --硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD --自动和手动程序控制 --程序控制:加载,编辑和保存 --程序激活控制: --泵抽真空,蒸发沉积,加热, 旋转等 --膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 --系统状态,数据加载等 --问题解答和联动状态扩展功能:1、质量流量控制器:反应和等离子体辅助惰性气体控制 2、离子源和控制器:等离子体辅助沉积 3、射频电源:基底预先处理 4、温度控制器:基底加热 5、热蒸发器:1 or 2 boat 6、蒸镀源cell:1 or 2 for doping 7、冷却器:系统冷却
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