凸焊机

自2006年汽车产业率先突破千亿大关后，湖北的千亿产业一路小跑，划出一道靓丽的上升曲线。截至2012年底，汽车、钢铁、石化、电子信息、食品、纺织、机械、电力、建材、有色金属等十大“台柱”产业支撑湖北经济快速发展。肩负工业强省重任，走新型工业化道路，湖北哪些产业将策动经济实现弯道超车? 　　为此，记者多方探寻未来助力湖北经济快速发展的源动力。 　　作为中国激光技术的发源地、先行者、排头兵，湖北汇聚了大批激光领域的优秀技术人才和研究成果，但在激光业的产值上，湖北激光业先后被广东、江浙和环渤海地区超越。用“起了个大早，赶了个晚集”这句俗语来形容湖北激光产业，再恰当不过。 　　在新一轮竞争中，如何发挥湖北激光技术优势，向激光产业大省迈进? 　　“成为下一个千亿产业，激光业有很大的潜力”。全国政协常委，湖北省工商联主席赵晓勇去年曾对湖北激光业的发展有过深入的调研，日前在接受记者采访时感叹：我省激光业在经历了萌芽、突破性、规模化发展阶段后，目前已经进入进阶发展阶段，只要打通全产业链的发展链条，激光业将有望实现千亿产业的大跨越。 　　竞争比拼日趋激烈 　　赵晓勇提供给本报的一份《关于推动湖北千亿元激光产业建设的建议》的调研报告显示：经过十多年的发展，截至2011年底，武汉地区规模以上(产值1000万以上)激光企业仅26家，其中包括，产值规模过亿元以上企业7家、5亿以上企业3家、10亿以上企业2家、15亿以上企业1家(团结激光) 在全国规模以上激光企业数量占比25%左右，其中，激光装备制造规模以上企业占比40%左右，全国第一。 　　而深圳大族激光一家以民用激光为主营方向企业，2011年的营收总额就超过36亿元，远远超过湖北相关激光企业的营收。 　　不仅在单个企业的比拼上，湖北不如外省，在全省或地区激光产业的产值上，截至2011年，约150亿元产值的湖北，也远远落后于国内相关省份，处于“抱着技术、却饿肚子”的尴尬境地：数据显示，2011年，广东地区激光设备产值虽然仅35亿元，但激光加工及激光制品产值达到260亿元以上，在激光应用领域排在全国第一位。 　　不仅广东的激光业产值后来居上，长三角、环渤海湾地区特别是辽宁依托庞大的经济规模和快速的产业升级，激光产业发展大有后来居上之势。去年初，辽宁省在鞍山市规划建设我国首个以激光技术为特色的产业园辽宁(鞍山)激光科技产业园，最终打造成集激光技术研发、应用和生产为一体的国家级激光产业基地，目标产值1000亿元。 　　“广东等华南地区激光业后来居上，源于其先天优势。”华工科技常务副总裁、华工激光董事长、总经理闵大勇分析，最近10年，当地企业承接了来自世界的代加工服务，要求其适合激光产业的应用，所以激光加工及其制品的产值比较大。这既是区位优势使然，也是市场资源配置的结果。 　　有望彰显集群效应 　　后来者居上，激光产业的竞争日趋激烈，在技术上更占优势的湖北，怎样才能立于不败之地?记者在多日的调研中获悉，湖北已悄然擂响了“打造激光千亿产业”的战鼓：相关部门已为激光产业的发展筹划并完善产业规划。 　　借助东部产业转移，以及中部崛起等外围政策和环境的变化，湖北激光业也正在迎接着“美好时光”。 　　面对这样的机遇，赵晓勇建议：目前仅依靠单个企业自发的发展壮大的动力还不足，还要把分散的动力集合起来，推动其发展。延伸产业的覆盖面，使企业合作，产业合作，区域合作，技术合作有效地结合起来。逐步完善激光产业的产业链条。 　　闵大勇也表示：“政府搞好产业规划、引导及招商，可以极大促进武汉激光产业。” 　　公开资料显示，东湖高新技术开发区拟在左岭新城筹建目前国内最大的激光产业基地。根据武汉官方说法，该基地一期工程预计5年建成，届时，园区科工贸年生产总值可达300亿元，创税25亿元并间接带动相关产业生产总值500亿元左右，最终基地将打造千亿激光产业链。 　　据了解，正是基于光谷激光产业的这种集群效应，截至2012年底，仅华工科技就将国家千人计划人才徐进林等12位全球顶尖激光人才收入麾下。如今，华工激光从上游激光器到下游激光先进精密微细加工装备、大功率数控激光加工系统、激光再制造系统，已形成完整的产业链。 　　湖北优势下的“加速度” 　　闵大勇估算，激光产业链产业规模往下游成几何级数放大增长，1个单位的激光材料产值，将产生约10倍的激光器产值、约5—10倍的激光系统集成产值、约20倍激光应用产值。 　　“激光产业特征就是规模不大，所有新的市场开拓都是基于不断发现新的应用领域。”闵大勇称。 　　去年6月，华工科技公司与武钢研究院历时两年合作，开发出了国内首套激光拼焊机组，并将投入使用。武钢将在全国建20条激光拼焊设备生产线，建成后年产值将达百亿元。 　　不仅华工激光，在湖北规模最大的团结激光、产业品类最全的楚天激光也都拥有自身的拳头产品。 　　楚天激光2007年底与欧洲一流的激光系统制造商—意大利ELEN集团合资组建武汉奔腾楚天激光公司，专业生产经营中高功率激光切割设备，如今在国内占有重要市场份额，还实现批量出口，该公司已成为我国航天器精密加工装备的供应商。 　　而团结激光下属武汉科威晶激光公司2007年产值仅1000万，得益于国际合作，2011年产值突破2亿元。 　　“我感觉，5年左右，中国将取代日本，在激光产业与美国、德国形成三强鼎立的格局。”闵大勇称。 　　他山之石 　　在美国，受激光技术应用影响和推动的国民经济年产值约为7.5万亿美元，涉及生物与国民健康、交通与能源、通信与IT业、文学艺术与制造业等。 　　在我国，激光技术在国民经济中逐步显现放大效应。 　　2011年，全国激光产业总产值约1100亿元。其中，激光设备销售收入约300亿元，产业链下游的激光加工服务业约350亿元，激光制品约450亿元。

近日，德州仪器半导体制造（成都）有限公司凸点加工及封装测试生产扩能项目（二期）竣工验收。该二期工程建设内容包括：在集成电路制造厂（FABB）新增凸点加工产能18.7975万片/年（全为常规凸点产品），在封装测试厂（AT）新增封装测试产能 10 亿只/年（均为常规QFN产品）。二期工程建设完成后，扩能项目新增凸点加工产能33.3975万片/年（全部为常规凸点33.3975万片/年），新增封装测试产能 21.48 亿只/年（其中常规QFN 15.48 亿只/年，WCSP 6 亿只/年）。仪器信息网通过公开文件查阅到该项目的相关仪器设备配置清单和工艺流程。FABB 集成电路制造厂主要生产设备清单.封装测试厂（AT）主要生产设备清单生产工艺:1、凸点加工晶圆凸点是在封装之前完成的制造工艺，属于先进的封装技术。该工艺通过在晶圆级器件上制造凸点状或球状结合物以实现接合，从而取代传统的打线接合技术。凸点加工制程即从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积，此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。 扩能项目凸点包括普通凸点和 HotRod 凸点两种，其主要区别在于凸点制作所采用的焊锡淀积技术不同，普通凸点采用植锡球工艺，工艺流程如下图所示，Hot Rod 凸点采用电镀锡银工艺，工艺流程如下图所示。扩能项目凸点包括 RDL(Redistribution Layer)、BOP-on-COA(Bump on Pad – Copper on Anything)、BOP(Bump on Pad)、BOAC (Bond Over Active Circuit)、 BOAC PI (Bond Over Active Circuit with Polyimide)、Pb-free HotRod，上述各类凸点结构如下图所示，主要区别为层次结构和凸点类型不同。扩能项目各类凸点结构示意普通凸点加工主要工艺流程及产污环节注：普通凸点产品中的 BOAC 不含灰化、回流焊与助焊剂去除工艺Hot Rod 凸点加工主要工艺流程及产污环节凸点加工的主要工艺流程简述如下：（1）晶圆检测分类(wafer sorting)：对来料晶圆进行检测，主要是检测晶圆有无宏观缺陷并分类。（2）晶圆清洗(incoming clean)：由于半导体生产要求非常严格。扩能项目清洗工艺分为两种工艺，第一种仅使用高纯水，另一种使用 IPA 清洗，清洗后再用纯水进行清洗。IPA 会进入废溶剂作为危废收集，清洗废水进入中和废水系统进行处理。（3）烘干(Dehydration bake)：将清洗后的晶圆烘干。该工序产生的烘干废气通过一般废气排气系统排放。 （4）光刻（Photo）扩能项目采用光刻机来实现电镀掩膜和PI（聚酰亚胺）层制作，包括涂胶、曝光，EBR和显影。涂胶是在晶圆表面通过晶圆的高速旋转均匀涂上光刻胶（扩能项目为光阻液和聚酰亚胺（PI））的过程；曝光是使用曝光设备，并透过光掩膜版对涂胶的晶圆进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影之前，需要使用EBR对边缘光阻进行去除。显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。通过曝光显影后再进行烘干，晶圆表面可形成绝缘掩膜层。扩能项目该制程使用了各类光阻液、聚酰亚胺、EBR、显影液及纯水，完成制程的废液统一收集，作为危废外运处置。显影液中由于含有四甲基氢氧化铵，将产生少量的碱性废气，由于其浓度很低，扩能项目将其通入酸性废气处理系统进行处理；显影液及显影液清洗水排入中和废水处理系统。光刻工艺示意图（5）溅射（SPUTTER）溅射属于物理气相沉积（PVD）的一种常见方法，即金属沉积，就是在晶圆上沉积金属。UBM（凸点底层金属）是连接焊接凸点与芯片最终金属层的界面。UBM 应在芯片焊盘与焊锡之间提供一个低的连接电阻。为了形成良好的 UBM，一般采用溅射的方法按顺序淀积上需要的金属层。扩能项目采用 Ti:W 合金-Cu 的顺序进行溅射。溅射示意图（6）电镀（Plate）凸点电镀根据需求，可单纯镀铜，也可镀铜、镍、钯或镀铜、锡银，镀层厚度也有差异，可为铜膜或铜柱。扩能项目普通凸点电镀工艺包括镀铜膜、镀镍和镀钯。扩能项目 HotRod 凸点电镀工艺包括电镀底层铜（plateCOA，Copper on Anything）、电镀铜柱（plate Cu POST）、电镀锡银。基本的电镀槽包括阳极、阴极、电源和电镀液。晶圆作为阴极，UBM的一部分作为电镀衬底。在电镀的过程中，铜、锡银溶解在电镀液中并分离成阳离子。加上电压后，带正电的 Cu2+、Sn2+、Ag+迁移到阴极（晶圆），并在其表面发生电化学反应而淀积出来。电镀工艺原理示意图如下：电镀工艺示意图扩能项目采用的铜、镍阳极为颗粒状，会全部消耗，不产生废阳极；扩能项目使用的镀钯、锡银阳极是镀铂钛篮，呈网状支架作为电镀阳极，不消耗也不更换，镀银采用烷基磺酸盐无氰镀银工艺。 阳极金属如下图所示：电镀阳极实物图b.电镀操作过程进机台→将每片晶圆上到杯状夹具上→用超纯水预湿→镀铜→清洗→镀锡银（或镀镍→清洗→镀钯）→清洗→甩干→出机台。c.电镀清洗扩能项目电镀清洗采用单槽快速喷洗，清洗水直接排入废水处理系统，不重复利用，清洗废水排入 FABB 一楼电镀废水处理系统进行处理，保证处理设施出口一类重金属排放达标。清洗过程中产生有机废气排入有机废气处理系统统一处理。d.电镀槽液更换项目对电镀槽中电镀液离子浓度定期检测，适时添加化学药剂，保证电镀液可用。使用一段时间后，因电镀液中悬浮物浓度升高，需对电镀液进行更换。扩能项目依托 FABB 一层现有的2个2m³的电镀废液收集槽将电镀废液全部收集暂存，委托有资质的危废处理公司外运处置。电镀废液约半年排放一次，年排放量约为 3.5m³，因此收集槽的容积可满足废液收集需求。（7）去光阻（Resist stripping）电镀完成后，利用光阻去除剂去除电镀掩膜光阻，依次使用 NMP 与 IPA 进行湿式清洗，最后用纯水进行清洗，清洗后进行干燥。干燥通过自燃烘干或者 IPA吹干。（8）蚀刻(ETCH) 将凸点间的 UBM 刻蚀掉。扩能项目采用湿法腐蚀。湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的材料。扩能项目采用过氧化氢作为 Ti-W 合金的腐蚀材料，普通凸点采用硫酸腐蚀铜，含锡银凸点采用磷酸腐蚀铜，产生的含磷的酸性废水排入 CUB5c 氢氟废水处理系统进行处理，不含磷的酸性废水排入中和系统进行处理。蚀刻完成后，使用气体吹扫晶圆表面进行去杂质。（9）灰化(Ash)剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’），即用氧 等离子体轰击光掩膜并与之反应生产二氧化碳、水等物质使其得以剥离。该过程 产生一般热排气，排入一般排气。（10）凸点制作晶圆凸点工艺最主要的 3 种焊锡淀积技术是电镀、焊锡膏印刷以及采用预成 型的焊锡球进行粘球。RDL、BOP、BOAC 等凸点采用粘球工艺(Ball place)，粘 球的一般操作过程为，首先在晶圆表面涂抹一层助焊剂，然后将预先成型的焊锡 球沾在助焊剂上，接着进行检查，确保每个晶粒都沾有焊锡球。Hot Rod 等凸点 焊锡淀积技术采用电镀锡银工艺。回流(reflow)，该过程将焊料熔化回流，使凸点符合后续封装焊接要求。最 后，再使用纯水对助焊剂进行清洗去除（Flux wash）。助焊剂清洗废水排入中 和废水系统进行处理。（11）自动检测(AVI) 对凸点加工完的晶圆进行自动检测，确认是否有缺陷。至此，晶圆上的凸点 制作完成。 （12）晶圆针测(Probe)在凸点完成后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。针测（Probe）是对每个晶粒检测其导电性，只进行通电检测操作，没有任何化学过程。不合格晶粒信息将被电子系统记录，在接下来的封装和测试流程中将不被封装。扩能项目晶圆针测工序全部在 OS5 进行。（13）包装(Packing)：利用塑料盒、塑料袋等对完成凸点的晶圆进行简单包装，然后进入AT厂房进行封装（后工序）。2、封装测试QFN 封装测试QFN 封装即倒装式四周扁平无引脚封装(QFN，Quad Flat No lead Package)，扩能项目 QFN 封装包括传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装（Flip Chip on Lead frame QFN Package，框架上倒装芯片封装）。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装的结构如图所示。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装结构对比覆晶框架QFN在工艺流程上相较传统QFN主要区别在芯片与载板框架的连接方式，传统 QFN 通过金属导线键合，覆晶框架 QFN 通过芯片倒装凸点键合，相比传统工艺新增助焊剂丝网印刷、覆晶结合、助焊剂清洗、等离子清洗等工艺，以下对 QFN 封装的工艺及产污进行表述。贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保 护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（1）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（2）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。 （3）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（4）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（5）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（6）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（7）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）或激光将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒（die）。刀片的金刚石颗粒 大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。激光划片属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性 参数优于机械切割方式，用超纯水进行硅屑冲洗。（8）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射使粘结剂失去黏性达到去膜的目的。（9）点银浆：将银浆点到框架上以备粘合用；（10）粘片：将芯片置入框架点银浆处；（11）银浆固化：在氮气保护环境下烘干固化，将芯片牢固的粘结在框架上；（12）引线键合：使用金线或铜线将芯片电路 Pad 与框架引脚 Lead 通过焊接的方法连接起来，实现电路导通，焊接采用超声波焊接，无焊接烟尘产生，主要产污为废引线。（13）助焊剂丝网印刷：在密闭机台内用丝网将助焊剂印刷到引线金属框架上，无排气。丝网采用 IPA 清洗，清洗有有两种情况，一种是用设备自动清洗，IPA 会喷到丝网上，然后用棉布擦拭，擦拭布吸收 IPA 及丝网上的脏物后就当作 危废处理，没有废液，设备是密闭的，不连接排气；另外一种是人工擦拭，会在 化学品通风橱内操作，也是用棉布擦拭，没有废液产生，通风橱连的一般排气。（14）覆晶结合：将晶圆 IC 反扣在引线金属框架上，让锡银铜柱对准丝网印刷的助焊剂。（15）回流焊：将覆晶结合后的芯片放在氮气保护的回焊炉内按一定的温度曲线通过该炉，使用回流焊的方式实现晶圆 IC 与引线金属框架的焊接，该过程使用的助焊剂无挥发性物质，后续使用专用清洗剂进行清洗。（16）助焊剂清洗：使用助焊剂清洗剂洗掉回流焊残留的助焊剂并用水冲洗干净。设备自带清洗废气冷凝装置，冷凝液进入废水处理系统，不凝气接入现有一般排气系统。（17）等离子清洗：使用等离子清洗剂激发氧氩等离子体实现更高级别的彻 底清洗，将残留的微量氧化层清洗干净，清洗废气接入现有一般排气。 （18）塑封固化：使用环氧树脂对 IC 进行外壳封装。（19）去毛刺：去除塑封外壳毛刺并进一步烘烤固化成型将塑封固化好的芯片置入有机盐溶液中去除塑封外壳毛刺及溢出料，产生去毛刺废水。（20）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商 的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将 产生打印粉尘和硅粉。（21）切带：切开胶带使单个晶粒分离。（22）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（23）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（24）终检：使用最终检测设备进行终检。（25）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。传统 QFN 工艺流程及产污环节FCOL QFN 工艺流程及产污环节2、WCSP 封装WCSP 封装（Wafer Chip Scale Packaging，晶圆级封装），即在晶圆片未进 行切割划片前对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸相同。此外，WCSP 封装无需载板框架，可直接焊接在 PCB 印制线路板上使用。凸点和针测完成后，晶圆即进入封装测试厂 AT 厂房进行 WCSP 封装及测试，主要工艺流程如下：（1）贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过 程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（2）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（3）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。（4）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀 +中和处理。（5）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面 被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（6）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（7）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（8）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的 履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（9）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。（10）激光切片：首先进行晶圆黏片，即在晶圆背面贴上水溶性保护膜然后进行切割。激光切割属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式；激光可以切割任意形状，如六角形晶粒，突破了钻石刀只能以直线式加工的限制，使晶圆设计更为灵活方便。切割过程中使用超纯水进行硅屑冲洗。 （11）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射去膜。（12）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（13）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（14）终检：使用最终检测设备进行终检。（15）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。WCSP 工艺流程及产污环节

山东英大招标有限公司受山东省产品质量监督检验研究院委托，就其所需实验室仪器、设备发布采购招标公告，本次招标分三次进行采购，分28个包项，招标仪器设备总量为127台/套。详情如下： 山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购招标公告 　　一、采购人：山东省产品质量监督检验研究院 　　地 址：经十东路31000号 　　联系方式：0531-89701975 　　二、采购代理机构：山东英大招投标有限公司 　　地 址：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　三、政府采购计划编号：406011201200029,406011201200022,406011201200012 　　四、项目名称及编号： 　　项目名称：山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购 　　项目编号：SDYD2012-208-1 　　五、采购内容及分包情况： 　　本项目为山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购，共分3个包，分包情况详见附件，详细技术要求详见招标文件。 　　六、获取招标文件地点：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　时间：2012年7月26日开始至2012年8月14日止，上午8:30到下午17:30(北京时间，节假日除外)。购买招标文件时请携带营业执照副本原件(或复印件加盖公章)，若要以邮寄方式获取招标文件，请加邮寄费50元，连同招标文件费用汇至我方(开户单位：山东英大招投标有限公司，开户银行：中国银行济南趵突泉支行，帐号：242913021560)。招标文件售出不退。 　　售价：200元/包 　　七、投标截止日期：2012 年8月16日上午9：00-9：30(北京时间) 　　八、开标日期：2012 年8月16日上午9：30(北京时间) 　　开标地点：省级政府采购招标大厅开标会议室(五) 　　地址：济南高新技术产业开发区伯乐路316号(省级机关政府采购中心办公楼)。 　　九、本项目联系人：邓惠真、常威 　　联系电话：0531-85198189、0531-85198109 　　传 真：0531-85198109 　　十、其他：届时请参与投标的供应商代表出席开标仪式，逾期递交或不符合规定的投标文件恕不接受。 包号 序号 设备名称 单位 数量 1 1 建筑构配件耐火性能水平试验炉 台 1 2 1 全谱直读型电感耦合等离子体发射光谱仪（可采进口） 台 1 3 1 采样环境试验舱 套 1 山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购招标公告 　　一、采购人名称： 山东省产品质量监督检验研究院 　　地 址：经十东路31000号 　　联系方式：0531-89701975 　　二、采购代理机构名称：山东英大招投标有限公司 　　地址：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　三、政府采购计划编号:406011201200009/10/11/13/17/14/15/16/23/24 　　四、项目名称：山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购 　　项目编号：SDYD2012-208-2 　　五、采购内容及分包情况： 　　本项目为山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购项目，共分10个包，分包情况详见附件，具体参数详见招标文件第三章项目说明部分。 　　六、投标企业资格要求：在中国境内注册、具有独立法人资格，并具备本采购文件要求的提供货物能力的供应商，详细资质要求见采购文件。 　　七、获取招标文件： 　　地点：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　时间：2012年8月2日开始，至2012年8月14日截止，每日上午8:30到下午17:30(北京时间，节假日除外) 　　方式：购买招标文件时请携带营业执照副本原件(或复印件加盖公章)，若要以邮寄方式获取招标文件，请另加邮寄费50元，连同招标文件费用汇至我方(开户单位：山东英大招投标有限公司，开户银行：中国银行济南趵突泉支行，帐号：242913021560)，招标文件售出不退 　　售价：200元/包。 　　八、投标截止日期：2012 年8月16日上午9：00-9：30(北京时间) 　　开标日期：2012 年8月16日上午9：30(北京时间) 　　开标地点：省级政府采购招标大厅开标会议室(五) 　　地 址：济南高新技术产业开发区伯乐路316号(省级机关政府采购中心办公楼)。 　　九、本项目联系人：邓惠真、常威 　　联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　传真：0531-85198109 　　十、其他：届时请参与投标的供应商代表出席开标仪式，逾期递交或不符合规定的投标文件恕不接受。 包号 序号 设备名称 单位 数量 1 1 气相色谱仪（可采进口） 台 1 2 气相色谱仪（可采进口） 台 1 2 1 高频往复试验机 台 1 3 1 煤油烟点测定仪 台 1 4 2 煤油燃烧性测定仪 台 1 3 赛波特颜色比色计 台 1 4 液化气硫化氢检测仪（乙酸铅） 台 1 5 苯类蒸发残余物测定仪 台 1 6 苯类结晶点测定仪 台 1 7 砷含量测定仪 台 1 8 硫磺有机物测定仪 台 1 9 石油和添加剂产品机械杂质测定仪 台 1 10 汽油饱和蒸气压测定仪 台 1 11 低温箱 台 1 12 全自动生物柴油氧化安定性测定器 台 1 13 柴油氧化安定性测定器 台 1 14 电热恒温鼓风干燥箱 台 1 15 石油产品饱和蒸气压测定仪（微量法） 台 1 16 润滑脂漏失量测定器 台 1 17 润滑脂氧化安定性测定器 台 1 18 润滑脂蒸发度测定器 台 1 19 盐雾实验箱 台 1 20 湿热试验箱 台 1 21 镜面光泽仪 台 1 22 杯突试验仪 台 1 23 涂料闪点测定仪 台 1 24 数显式拉开法附着力试验仪 台 1 1 露点仪（可采进口） 台 1 5 1 制动片压缩热膨胀系数试验机 台 1 2 简支梁冲击试验机 台 1 3 全站仪 套 1 4 泄漏电流测试仪 台 1 5 交直流绝缘耐压测试仪 台 1 6 智能接地导通测试仪 台 1 7 交流弧焊机 台 1 8 直流弧焊机 台 1 9 CO2气体保护焊机 台 1 10 氩弧焊机 台 1 11 埋弧焊机 台1 12 电子吊秤 套 1 13 电动式标距划线机 台 1 14 声级计 台 1 15 电子台秤 台 1 6 1 水冷散热器热工试验台（同时满足欧标的） 套 1 7 1 微波消解仪（可采进口） 台 1 8 1 火焰/石墨炉原子吸收分光光度计（可采进口） 台 1 山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购招标公告 　　一、采购人名称： 山东省产品质量监督检验研究院 　　地 址：经十东路31000号 　　联系方式：0531-89701975 　　二、采购代理机构名称：山东英大招投标有限公司 　　地址：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　三、政府采购计划编号:406011201200018/19/20/21/25/26/27/28 　　四、项目名称：山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购 　　项目编号：SDYD2012-208-3 　　五、采购内容及分包情况： 　　本项目为山东省产品质量监督检验研究院实验室仪器、设备采购项目，共分8个包，分包情况详见附件，具体参数详见招标文件第三章项目说明部分。 　　六、投标企业资格要求：在中国境内注册、具有独立法人资格，并具备本采购文件要求的提供货物能力的供应商，详细资质要求见采购文件。 　　七、获取招标文件： 　　地点：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室 　　时间：2012年8月2日开始，至2012年8月21日截止，每日上午8:30到下午17:30(北京时间，节假日除外) 　　方式：购买招标文件时请携带营业执照副本原件(或复印件加盖公章)，若要以邮寄方式获取招标文件，请另加邮寄费50元，连同招标文件费用汇至我方(开户单位：山东英大招投标有限公司，开户银行：中国银行济南趵突泉支行，帐号：242913021560)，招标文件售出不退 　　售价：200元/包。 　　八、投标截止日期：2012 年8月23日下午13：00-13：30(北京时间) 　　开标日期：2012 年8月23日下午13：30(北京时间) 　　开标地点：省级政府采购招标大厅开标会议室(五) 　　地 址：济南高新技术产业开发区伯乐路316号(省级机关政府采购中心办公楼)。 　　九、本项目联系人：邓惠真、常威 　　联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　传真：0531-85198109 　　十、其他：届时请参与投标的供应商代表出席开标仪式，逾期递交或不符合规定的投标文件恕不接受。 包号 序号 设备名称 单位 数量 1 1 锥形量热仪气体分析系统）（可采进口） 套 1 2 1 标准烟箱（可采进口） 台 1 2 标准温箱（可采进口） 台 1 3 1 可燃性试验炉 台 1 2 单体燃烧试验装置 台 1 4 1 建筑构配件耐火性能垂直试验炉 台 1 2 直流电动叉车 辆 1 5 1 阻燃材料调制试验室 间 1 6 1 多用途耐火性能试验炉 台 1 7 1 温湿度记录仪 台 10 2 水带试验台 台 1 3 水带磨耗试验机 台 1 4 数字式扭力测试仪 台 1 5 消火栓压力损失测试装置 套 1 6 灭火器水压、爆破实验装置 套 1 7 超声波测厚仪 台 2 8 涂层测厚仪 台 1 9 绝缘耐压测试仪 台 1 10 振动试验台 台 1 11 样品架 个 32 12 试验台 米 12 8 1 可燃气体探测器温湿试验箱 台 1 9 1 冰箱试验测试系统 套 1 10 1 太阳能热水系统现场检测设备 套 1 2 测试用辅助装备 套 1 3 太阳能热水系统电参数测量设备 套 1