注入系统

技术指标震动隔离：气垫隔离固有频率：（垂直/水平）1.5-2.0Hz衰减方式：孔式空气阻尼Roll-off Rate[10Hz]: -32~-35dB水平方式：由3个自动调平阀自动调平系统水平复位精度：± 0.05/± 0.1工作条件：4-6kg / 压缩空气或瓶装液氮 用途1.x-y 布置系统2.精密测量仪坐标测量仪半导体制造检测设备裂变产物探测装备检查设同位检测仪器精密检测设备 型号选择产品型号DVIM-T-500DVIM-T-1000DVIM-T-1500DVIM-T-2500DVIM-T-3500DVIM-T-4500DVIM-T-6000长，宽，高210× 210× 220260× 260× 220310× 310× 220340× 340× 220380× 380× 220430× 430× 220490× 490× 220固定孔距180230280280330380440直径￠12￠14￠14￠14￠14￠14￠14承重量(Kg)500100015002500350045006000自重(Kg)37427285100125180

量子和纳米级材料工程的先进平台Q-One&trade 是最先进的聚焦离子束平台，用于先进的器件制造和纳米级材料工程。Q-One具有确定性单离子注入功能，是世界上第一台专门为满足量子研究的苛刻要求而设计的仪器。主要特点：高分辨率质量过滤聚焦离子束确定性单离子检测，检测效率高达98%可选择液态金属或等离子离子源一流的离子选择和广泛的植入物种类飞安级光束电流，可实现精确的单离子事件纳米级精密载物台，可处理高达 6 英寸的晶圆专有的注入和光刻软件确定性植入确定性单离子注入意味着以令人难以置信的精度将单个离子放入底物中，并知道已经发生了注入。Q-One使用超灵敏植入后检测系统技术来检测每次离子撞击时产生的信号。种类繁多Q-One提供广泛的植入元件。液态金属离子源（LMIS）技术在单个源中产生不同元素的多个离子，包括团簇和多电荷物种。有几种合金成分可供选择，包括硅、铒、钕、金和铋。利用我们多年的专业知识，我们确保每个源头都以最佳方式流动，以实现最大的稳定性。单独的等离子体离子源也可用于氢、氮、氧和其他气态元素。应用量子技术嵌入半导体矩阵中的单个杂质原子作为量子比特（量子比特）显示出巨大的前景。单离子注入能够产生大量相同的量子比特阵列，是可重复制造这些和其他量子器件的关键途径。然而，公差是极端的——每个原子必须非常精确地放置，有时距离其邻居只有20纳米。Q-One是唯一针对此应用而设计的工具，其规格针对这些极端要求。应用掺杂纳米材料Q-One不仅限于注入单个离子。将任何所需的离子剂量植入任何位置，甚至可以使用专有软件植入自定义区域或形状。掺杂纳米材料，如纳米线或具有不同元素的量子点，可以改变其性质。Q-One通过允许您靶向单个纳米材料并使用各种掺杂剂探索不同的行为，开辟了一个充满可能性的世界。应用离子光刻Q-One允许用户执行直接写入光刻，就像普通FIB一样，但种类范围更广，离子剂量控制更好。使用铋等重元素进行高效溅射，或使用氢等轻元素进行基于光刻胶的离子光刻，甚至包括单离子事件。如果没有检测每个注入事件的方法，就不可能精确地注入单个离子。系统提供速度和可扩展性，不需要复杂的预制。因此，您可以不受阻碍地选择植入物种类和目标材料。

三为科技致力于高压中压化学注入泵开发，为美国仪器公司提供高压化学注入泵OEM方案，是国内少数能生产高精度低脉冲耐腐蚀流体高压注入泵的高科技企业。产品广泛应用于化工、环境、质检、石化、生命科学、食品、制药、精细化工、能源工业、高分子、制造业、材料化学、蛋白组学、食品饮料、化妆品等领域。高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)产品特点：流量精度高 运用微处理器控制、双驱动的平行泵头设计，溶剂压缩补偿，多点流量曲线校正技术，实现从低流速到高流速的宽动态范围内的高精度流体输送；梯度设计 高压输液泵运用全新梯度设计，通过将等度、线性和阶梯梯度进行组合，衍生出无数具有不同形状的梯度曲线，极大增加您的分离条件；压力脉冲低 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，有效控制流体压力脉冲；质量优异 浮动柱塞设计，减少高压密封圈的磨损，提高 密封圈的使用寿命，凸轮传动设计，瑞士原装进口单向阀，品质保证，故障率低；操作界面人性化 内置10个用户程序，可实现流量、梯度编程，人性化的人机界面；反控程序 泵的计算机反控通讯协议是开源的，你也可以使用其它常用的工作站控制泵的操作；高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)技术参数： 序号描述指标1输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计2流量范围0.01-50.00/min3增量0.01ml/min4流量准确度± 0.5%5流量重复性≤ 0.1%6压力范围≤ 30Mpa7压力脉动≤ 0.2Mpa8流路材料316L不锈钢、红宝石、PTFE、陶瓷9管路链接1/16"标准管路链接10显示参数256*64点液晶显示，自发光显示屏11控制方式手动面板控制或计算机反控12电源85 ～ 264VAC,50Hz13尺寸370×240×152 mm3 更多高压输液泵、色谱泵、中压平流泵、恒流泵、化学注入泵、注射泵近40个型号详见官网流量：10ml/min----10000ml/min 压力范围：2Mpa---42Mpa材料：不锈钢泵、钛泵、聚四氟泵（PTFE泵）、PCTFE泵、哈氏合金泵、peek泵输送方式：恒压输送液体 恒流输送液体

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。 4 技术参数和特点： &bull 基板尺寸：Max200mm枚叶式可对应薄片Wafer&bull 非质量分离机的对比优点1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备2)相比过去约一半的低价3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：基板尺寸：Max200mm大能量：2400 keV枚叶式可对应薄片Wafer平行Beam

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点：精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：可适用于晶圆尺寸8inch等，搭载了可对应不定形基板的台板。离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。可大范围对应从试作到量产的各类需求。

百及纳米ParcanNano 单离子注入系弘SII（纳米级定位单离子注入系统SII） 单离子注入系统（纳米级定位单离子注入系统SII）产品简介公司中德技术团队家研发了一款基于新型扫描探针精准定位的离子注入 系统，能有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置，实现多种离 子（如 H、N、O、Si、P、B、As、Te、Ar 等）的精准定位定量掺杂注入。该 系统可以满足量子比特阵列,金刚石中的氮空位中心（NV 色心）以及单原子 器件的工艺精度要求，研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系 统和量子信息处理器电路的开发。 公司的一项革 命性发明专利，解决了注入离子由于晶格散射带来的位置 不确定性问题，颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到 10nm 以 下，实现纳米级精确定位注入掺杂离子。技术特点：• 精准确定位定量离子注入• 针尖悬臂上的小孔小于50nm• 锥形电场稀释和准直离子束• 横向电场形成离子闸门应用领域：• 功能材料定位掺杂• 纳米尺度功能器件制备• 固态量子信息技术相关图片

1. 产品概述离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。2. 设备特点单价离子大加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子注入剂量精准度≤1.5%离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入离子注入倾斜角度在0°和7°室温台：0°和7°；高温台：0°束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器 真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元真空度：Ion Source真空度：≤7×10-4PaBeam Line真空度：≤7×10-5PaEnd Station真空度：≤7×10-5Pa

新产品气体注入系统OmniGIS II，具有一套单端口、气体源注入系统(GIS)。该系统可以允许用户在SEM和FIB里构建纳米结构，以达到以前所未有的精度、速度和可用性。在扫描电镜或聚焦离子束样品室中，气体注入系统(GIS)直接在样品上引入了可控制的流动气体方案。气体与显微镜的电子束或离子束相互作用，可以在材料表面进行刻蚀或沉积。应用范围包括样品制备和纳米焊接，以及采用直写式光刻技术建立纳米结构，从而实现无掩模纳米图案。OmniGIS II，牛津仪器的第二代气体注入系统，具有独特的特性，相比同行业的同类产品，它能使控制水平和准确性达到前所未见的高度。通气口可以自动识别气体源并快速进行气体源更换，同时可以安装三种气体源和另外两种气体。设备采用“流通式”载体的方法能促进高效元素传送并快速处理，并且压力反馈控制会自动调整到大范围真空室压力，以实现高压力下的快速处理或低压力下的高分辨率纳米图案成形。

车载电子BCI大电流注入测试系统BCI-4012产品简介BCI-4012大电流注入测试系统完全符合ISO11452-4标准，并且支持开环测试法与闭环测试法，100kHz的起始频率，足以满足全球车企的测试要求，内置3通道功率计，可利用定向耦合器实时监测正向及反向功率，中英文界面测试软件，设计上更符合中国人的操作习惯。 符合标准ISO11452-4 GB/T17619 GB/T33014.4 技术特点■ 上位机控制，标配中英文版专业测试软件，功能完整，可扩展性好；■ 功率计及电流注入和校准探头均为国际知名厂商配套产品，测试准确性有保证； ■ 全系统频率范围：100kHz～400MHz，可扩展到100kHz~1GHz； ■ 内置信号源频率范围：9kHz～3GHz；■ 内置功率放大器频率范围：100kHz～400MHz，125W可选，可扩展到100kHz~1GHz；■ 内置功率计：9kHz～3GHz；■ 全自动校准，全自动测试及测试过程中输出功率监测；■ 可外部扩展测试，支持开环注入法和闭环测试法。 技术参数规格型号BCI-4012测试电流开环法测试（替代法测试）≥300mA，闭环法测试≥200mA输出阻抗50Ω电压驻波比≤1.2信号源频率9kHz～3GHz输出电平-60～10dBm非调制信号连续波调制模式幅度调制: 调制频率：0.1Hz～500kHz 调制深度：0～100%脉冲调制: 调制频率：0.1Hz～20kHz 占空比： 1～100%功率放大器输出频率 100kHz～400MHz（可扩展至1GHz）最大输出功率125W（线性功率）谐波＜15dBc功率计输入频率9kHz～3GHz输入功率-40dBm～+30dBm系统整体配置软件支持Windows 系统控制接口USB输出接口N型接头尺寸19' ' /4U重量40kg

1 产品概述: SiC用高温离子注入设备，如爱发科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC（静电吸附卡盘），能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入，有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。2 设备用途： SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生产工艺中，特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备，可以实现高温下的高能离子注入，控制注入离子的浓度和深度，从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。3 设备特点 高温处理能力：设备能够在500℃的高温下进行离子注入，有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。 高能粒子注入：支持高能量的离子注入，如1价离子可注入至350keV（Option: 430keV），2价离子可注入至700keV（Option: 860keV），满足SiC晶圆对注入能量的高要求。 高吞吐量：通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构，实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理，将吞吐量提升至30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），满足量产需求。 自动化与智能化：设备具备自动连续高温处理注入的功能，减轻了操作员的负担，同时提高了生产效率和一致性。 4 技术参数和特点：&bull 可实现自动连续高温处理注入&bull 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）&bull 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）&bull 可减轻操作员的负担，紧凑式设计&bull 可大范围对应从试作到量产的各类需求

产品信息受益于包括光收集或注入模式的多功能系统。揭示样品的前所未有的特征：成分、 结构或缺陷。充分利用具有大收集角度的优化系统。 激发样品以揭示光/热激发下的局部行为。产品优点如下：a、独立于样品架的镜子，可实现完美和优化的对准b、绝对编码系统，确保高对准精度和再现性（100nm精度）c、能够在自由空间或通过光纤注入/收集光产品还有如下特点：1、光收集模式：a、独特的抛物面收集镜，设计用于安装极靴间隙小至4.5mm；b、具有亚微米精度的定位系统，用于将镜子与样品完美对齐；c、 NA0.4的高曲率抛物面镜；d、工作距离减小到300µ m，以最大化光收集/注入效率；e、 专利不对称光纤，旨在保持亮度和光谱分辨率。f、 使用了一种非对称光纤，光纤束从圆形到平行于成 像光谱仪的入口狭缝重新排列。这使得即使当狭缝展开并 且光斑由于扫描而在狭缝的入口处移动时，也能够保持恒 定的光谱分辨率。2、光注入模式：a、对于样品的局部光或热激发，光束尺寸减小到几微米；b、能够同时进行注入和光收集测量。3、STEM兼容性: a、 和大部分的(S)TEM型号兼容 : JEOL, TFS/FEI, Hitachi, Nion VG… b、极靴距离 : 最小 4.5mm c、PPG平面中有一个可用端口产品参数 镜子1、专有抛物面反射镜 ；2、厚度：2.0 mm（根据要求提供其他厚度）；3、光收集和注入模式兼容 ；4、样品至镜面距离：300µ m ；5、镜子反射性能：从200nm到1.7µ m，高达90%。 微定位系统1、行程: 30mm (X), +/-1.5mm (Y), +/-1.5mm (Z) ；2、自动伸缩式镜子 ；3、精度为300nm的绝对编码器 ；4、样品台触碰报警，以避免损坏极靴或样品架；5、外形尺寸161mm x 210mm x 133 mm与Thorlabs笼式系统兼容。 光收集注入接头1、带适配插入槽的光纤 ；2、自由空间，以避免空间相干性损失和信号功率密度下降，在两种模式之间切换仅需要几秒钟。 系统控制1、外部扫描卡，4个输入（12位），用于附加单通道探测器 （PMT…）；2个输出，用于控制STEM扫描；1输出，用于光束阻断器。2、最快测量速度：900Hz（128x128图像用时18s） 软件1、臂/镜控制软件（Windows10或更高版本，64位）；2、Gatan Digital Micrograph的采集/可视化模块 ；3、可选项：Python API加密。 选配件 色散光谱仪：1、两个成像出口 (320 mm 焦距) 2、多种光栅转台 检测器1、高速紫外可见光CCD相机 (200 nm–1100 nm) ；2、InGaAs近红外相机(900 nm–1700 nm)；3、全色检测器 (PMT 200 nm–900 nm)。应用领域1、电子 & 光电子 (GaN, InP, SiC...) 2、光伏电池 (GaAs, CdTe, Perovskites…) 3、发光二极管 (LEDs) 4、2D材料(Graphene, BN, WS2, diamond…) 5、贵金属(plasmonic) 6、光子晶体7、量子阱 & 量子点8、矿物、玻璃、陶瓷和宝石9、无机涂层10、有机物, 聚合物样品

真空注入机 VEU简介真空注入机用于对多孔性及脆性岩样进行粘合剂的注入，以填充其孔隙，裂缝，并防止岩样的二次断裂。参数旋转圆盘直径： 200mm标准模具数量： 10重量： 20kg整体尺寸： 440x300x450mm腔室尺寸： 200φx150mm(Height)电源： 220V，50/60Hz

法国IBS IMC210中束流离子注入机 离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。 离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。 特点：l精确控制离子束流l精确控制加速电压l占地小, 操作简单, 运行成本低l特别适合于研发应用l适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）l4”热注入模式，最高温度可达600度l2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度l1个Bernas离子源l非凡的铝注入能力l一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路l高价样品注入能力l注入角0~15度lIBS特有的矢量扫描系统l手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室l远程操作控制接触屏（5米链接线缆）l辐射低于0.6usv/hour 工艺性能

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC” 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求 产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。 研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500中电流离子注入装置IMX-3500为最大能量200keV、对应最大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。 产品特性 / Product characteristics• 最大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。 产品应用 / Product application • 教育、研究开发等 高能对应离子注入设备SOPHI-400最大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片Wafer• 平行Beam产品应用 / Product application • 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30低加速、高浓度对应的离子注入设备。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片• 非质量分离机的对比优点 1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备 2)相比过去约一半的低价 3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计 产品应用 / Product application• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺 产品参数 / Product parameters • 基板尺寸：Max200mm

一、产品简介对于部分波段（主要是短波端），目前没有合适的TA芯片可供选择；可采用注入锁定放大器来实现较高功率输出。注入锁定激光器包括一个种子激光和一个腔式放大器，要求放大腔和种子腔相互锁定。MOGLabs ILA系列注入锁定放大器采用了自行开发的自动跟踪技术，避免了温度、准直或电流的微小变化导致的失锁。ILA为短波长原子冷却提供了紧凑、低成本的方案，替代造价高昂、体积巨大的二倍频固体激光器；同时，ILA输出光束质量优于TA放大器。二、特性和应用特性l波长范围：370 ~ 1080nml最高功率可达1W，取决于所需波长l高稳定性线切割挠性装载机构，简便优化调节l用户可更换放大芯片l像散矫正透镜选项l多级光隔离器l单模光纤耦合输出l双光束输出（自由光或光纤）l集成光束整形，降低椭圆度应用l激光冷却与陷俘l玻色-爱因斯坦凝聚l陷俘离子量子计算l量子光学：压缩光场l场致透明与满光速l时间频率基准l精密测量l精密激光光谱l物理教学研究如有其它需求，请联系我们。

气体注入系统GIS是FIB-SEM的基本配置之一，它在FIB-SEM中起到两种非常重要的作用，一种是材料沉积功能，一种是辅助刻蚀功能。 Dalex-100气体注入系统提供了截面和TEM样品制备时用于沉积保护的Pt、W和C，用于电路修补的Pt、W和SiO2 ，以及用于提高Si切割速率的XeF2。此外，它可以提供其它特殊前驱气体，用于某些材料的铣削或气体干法蚀刻。

产品负责人：姓名：魏工(David)电话：（微信同号）邮箱：MOGLabs开发了一种用于法布里-珀罗(FP)激光二极管稳定注入锁定的新技术。注入锁定传统上一直受到对环境漂移极度敏感的困扰:温度、对准或电流的微小变化都可能导致从二极管漂移出锁。我们开发了一个自动跟踪系统，可以持续监控激光，并对从二极管电流进行微小调整，以保持锁定。与我们的稳定种子激光器相结合，ILA注入锁定放大系统可提供超过1W@461nm和400mW@399nm分别用于Sr冷却和Yb原子冷却。这些系统提供了一个紧凑和低成本昂贵SHG系统替代品，且光束质量优于TA系统。我们已经证明了的注入锁定系统: 370nm/100mW (Yb+)399nm/400mW (Yb)461nm/1000mW (Sr)496nm/200mW (Ba+)509nm/300mW (Cs Rydberg)689nm/100mW (Sr MOT)698nm/100mW (Sr clock)典型特征：波长范围：370-1080nm输出功率可达1W，取决于波长高稳定性线切割柔性对准与简单的优化程序用户可自行置换的奴隶二极管像散校正可选项：多级光学隔离单模输出光纤耦合双光束输出(自由空间或光纤耦合)集成光束整形，减少散光多功能平台提供多种配置 请与MOGLabs联系，以获得关于这种新的经济有效的替代方案的更多信息。

Double Laser Microscope Station双束激光显微镜平台——for ic security evaluation - fault injection用于芯片安全评估 - 故障注入

三为科学锂电池电解液注入用高压计量泵、恒压高压柱塞泵，公司高压柱塞泵技术采用溶剂压缩补偿、浮动柱塞、多点流量曲线校正、凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，sanotac系列高压柱塞泵具有高精度、压力稳定、耐强酸强碱腐蚀等优点，产品线覆盖从实验室到工业级别含不锈钢泵、聚四氟泵、哈氏合金泵、纯钛泵、peek泵，三为科学产品广泛应用于化工、石化、生命科学、食品、制药、精细化工、能源工业、高分子、制造业、材料化学、等领域。三为科学可提供的泵种类 共计90个型号：SS316L高压柱塞泵(0.001-10000ml/min，0-42mpa，10种型号) PEEK高压柱塞泵(0.001-1000ml/min，0-30mpa，8种型号)纯钛高压柱塞泵（0.001-1000ml/min，0-42mpa，8种型号)哈氏合金高压柱塞泵（0.001-1000ml/min，0-30mpa，7种型号)氟树脂中压柱塞泵（0.001-100ml//min，0-2mpa，3种型号）恒压恒流双模输液泵（0.001-1000ml//min，0-42mpa，7种型号）防爆柱塞泵（0.001-100ml//min，0-42mpa，3种型号）微型高压柱塞泵（0.001-100ml//min，0-42mpa，3种型号）FLASH旋钮高压柱塞泵（0.01-200ml//min，0-30mpa，3种型号）MP系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-20mpa，12种型号）MPK系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-10mpa，10种型号）MPT系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-10mpa，12种型号）MPF系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-2mpa，4种型号） DJ1020高压柱塞泵(100ml泵头20Mpa)产品特点：流量精度高 运用微处理器控制、双驱动的平行泵头设计，溶剂压缩补偿，多点流量曲线校正技术，实现从低流速到高流速的宽动态范围内的高精度流体输送；梯度设计 高压输液泵运用全新梯度设计，通过将等度、线性和阶梯梯度进行组合，衍生出无数具有不同形状的梯度曲线，极大增加您的分离条件；压力脉冲低 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，有效控制流体压力脉冲；质量优异 浮动柱塞设计，减少高压密封圈的磨损，提高 密封圈的使用寿命，凸轮传动设计，瑞士原装进口单向阀，品质保证，故障率低；操作界面人性化 内置10个用户程序，可实现流量、梯度编程，人性化的人机界面；反控程序 泵的计算机反控通讯协议是开源的，你也可以使用其它常用的工作站控制泵的操作； DJ1020高压高精度双柱塞输液泵(100ml泵头20Mpa)技术参数： 序号描述指标1输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计2流量范围0.01-100.00/min3增量0.01ml/min4流量准确度± 0.5%5流量重复性≤ 0.1%6压力范围≤ 20Mpa7压力脉动≤ 0.2Mpa8流路材料316L不锈钢、红宝石、PTFE、陶瓷9管路链接1/16"标准管路链接10显示参数256*64点液晶显示，自发光显示屏11控制方式手动面板控制或计算机反控12电源85 ～ 264VAC,50Hz13尺寸370×240×152 mm3

JL-A301 休止角（安息角）测试仪产品介绍JL-A301安息角/休止角测试仪 粉体物性测试仪器，采用注入限定底面法测定粉尘休止角，操作方便，经久耐用。满足国家标准GB/T 16913-2008/GB和GT /T 31057.3-2018。产品参数项目JL-A301参数符合标准GB/T 16913-2008GB/T 31057.3-2018漏斗锥度60°±0.5°60°±0.5°60°±0.5°漏斗出口直径5mm（可定制10mm）5mm10mm接粉盘直径80mm80mm80mm漏斗与粉盘高度80mm°±2mm80mm°±2mm80mm°±2mm量角器10cm7.5cm-10cm/塞棒不锈钢材质//测试原理将粉末颗粒材料从一定高度通过漏斗落在水平的金属板上，形成一个圆锥体，测量圆锥体的锥面和底面的夹角，可得出休止角。也可由所得到的圆锥体的直径和高度计算出休止角。休止角是表现粉体的动力特性的物理参数之一，是设计除尘设备和输料设备的重要依据，休止角的大小能反映粉体的流动性， 休止角越小，粉体的流动性越好。操作步骤1.将测定装置各部件组装于试验台上，使装置呈水平状态，拨动量角器使其处于垂直位置。2.将粉末装入100ml的盛样量杯，用塞棒塞住漏斗流出口，将量杯内的粉末全部缓慢倒入漏斗中。3.抽出塞棒，使粉末从漏斗孔流出；对于流动性不好的粉末，可以通过敲击漏斗或使用棒针搅动粉末，使粉末通过漏斗连续下落到水平接粉盘上形成锥体。4.待粉尘全部流出后，旋转量角器测量粉末锥体母线与水平面所成夹角并记录。连续测定3次，求出算术平均值作为测定结果。

泰思曼TD2202系列是高性能19"标准机架式高压电源。采用数字化控制方式，可满足客户的多种控制功能需求，纳秒级电弧响应能力确保电源无故障运行，满载效率达到90%以上。该系列产品功能齐全，输出范围宽，还可通过软件加入自定义功能。典型应用：离子注入；静电喷涂；静电驻极；耐压测试；粒子加速； 静电场；离子束电源；电子束电源；加速器电源；绝缘测试； 深海观测网岸基；高压电容充电；高压取电；科学研究等产品规格输入AC220V±10%，50/60Hz，16A。输出1kV至150kV等多种最高输出电压可选，最大输出功率2kW。0到最高电压连续可调，输出正负单一极性。前面板状态指示高压开、高压关，电压电流显示，过压、过流、短路、电弧和过温保护，电源还具有错误代码显示功能。电压控制 电源内部电源自带旋转编码器可将输出电压设置在0到最高电压之间。电压控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出从0调到最高输出电压。电压控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准Modbus通信协议可将输出从0调到最高电压。电流控制 电源内部电源自带旋转编码器可将输出电流设置在0到最高电流之间。电流控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出从0调到最大电流。电流控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准Modbus通讯 协议可将输出从0调到最大电流。电压调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电压调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。电流调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电流调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。纹波电压额定输出条件下，纹波电压的峰峰值为最高输出电压的1%（更小纹波可选）。环境温度工作时0℃到+50℃。储存时-20℃到+80℃。温度系数每摄氏度0.01%。稳定度开机0.5小时后每8小时小于0.1%。电压电流指示四位LED数码管，额定输出条件下准确度为±1%。外形尺寸1kV 至50kV宽482mm，高 133.5mm，深320mm。51kV至 100kV宽482mm，高 133.5mm，深 500mm。101kV至 130kV宽 482mm，高 133.5mm，深 650mm。131kV至 150kV宽482mm，高 178mm，深660mm。连接器凹进的塑料绝缘导管和探入的高压电缆通过直径16mm/28mm金属连接器连接。标准高压电缆长为1米。重量10至20kg。

泰思曼 TP3011 系列是一款结构紧凑的高性能高压脉冲电源，能输出近乎标准的方波，输出固定的脉冲电压值，其最高输出电压可达 6kV。这款脉冲电源的标准型号是通过外部的光触发信号来控制电压输出的，触发延时小于 300 纳秒，抖动小于 100纳秒。除此之外这款电源还接受定制，更改触发方式、输出连续脉冲或可调的脉宽。典型应用：等离子体注入；耐压测试；脉冲电场； DBD 介质阻挡放电等产品规格输入DC24V±10%。输出脉冲电压1kV-6kV固定电压可选，可微调。脉冲宽度1μ s-100μ s固定宽度可选。瞬时最大脉冲电流大于400A。脉冲电流大于 150A。瞬时脉冲功率大于2.4MW。脉冲功率大于 60kW。脉冲上升时间小于200ns。脉冲下降时间小于200ns。输出频率单次（重频可选）。脉冲控制方式外触发模式，触发电平为5V，光触发或电平触发可选。脉冲电压波动额定输出条件下小于 2%。连接器高压输出连接器高压电源通过BNC接头输出高压，带BNC接头的高压电缆长为1 米。环境温度工作时0℃到+45℃。存储时-20℃到+80C。外形尺寸宽75mm，高35mm，深 364mm。重量约 1.5kg。光纤接口可通过外部光信号触发脉冲开和脉冲关。

TT8010 系列高压电源提供功率高达 2kW，最高输出电压可达 450kV，全范围可调。电源采用专有控制的高频谐振逆变器，使其可以在极端环境下可靠运行。高压倍压单元采用了固体封装和空气绝缘的混合设计，减少了整体尺寸。 典型应用：离子注入；粒子加速器；电子枪产品规格输入（标准）220VAC±10%，16A，单相，50/60Hz。输出200kV 至 450kV 等多种最高输出电压可选，最大输出功率 2kW。0到最高电压连续可调，输出正负单一极性。 悬浮电源模块（可选）前面板状态指示高压开、高压关，电压电流显示，过压、过流、短路、电弧和过温保护，电源还具有错误代码显示功能。电压调整率相对负载0.01%（空载到额定负载）。相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。电流调整率相对负载0.01%（空载到额定负载）。相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。纹波电压额定输出条件下，纹波电压的峰峰值为最高输出电压的 0.004%（更低纹波可选）。环境温度工作时 0℃到+50℃。储存时 -20℃到+80℃。温度系数25ppm/℃。稳定度0.5 小时预热之后，每小时小于 0.01%。每 8 小时小于0.05%。电压电流指示四位 LED数码管，额定输出条件下准确度为±1%。慢启动标准6秒。保护过压、过流、电弧、过温保护。尺寸（逆变器驱动机架）宽482mm，高133.5mm，深320mm。倍压单元见外形尺寸附表。通讯接口DB25、RS-232、RS-485和网口。

泰思曼TD2200系列是高性能19"标准机架式高压电源。采用数字化的控制方式，可满足客户的多种控制设定的功能需求，纳秒级的电弧保护响应能力确保电源无故障运行，內建的PFC电路使功率因数达到0.99以上。采用空气自然对流冷却方式散热。该系列产品功能齐全，输入输出范围宽，还可通过软件加入客户需要自定义的功能。典型应用：离子注入；静电喷涂；离子束电源；电子束电源；加速器电源；Hi-POT测试；高压电容充放电；其他科学研究等产品规格输入AC220V±10%，50/60Hz，最大16A。输出1kV至100kV等多种最高输出电压可选，最大输出功率600W。0到最高电压连续可调，输出正负单一极性。电压控制 电源内部电源自带旋转编码器可将输出电压设置在0到最高电压之间。电压控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出从0调到最高输出电压。电压控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准Modbus通信协议可将输出从0调到最高电压。电流控制 电源内部电源自带旋转编码器可将输出电流设置在0到最高电流之间。电流控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出从0调到最大电流。电流控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准Modbus通讯协议可将输出从0调到最大电流。前面板状态指示高压开、高压关，电压电流模式，输出正负单一极性，过压、过流、过温、电弧保护，记忆、复位、实际值、设定值、保护值、自定义功能按键状态指示，错误代码显示功能。电压调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电压调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。电流调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电流调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。纹波电压额定输出条件下，纹波电压的峰峰值为最高输出电压的0.5%（0.1%可选）。环境温度 工作时0℃到+50℃。环境温度 储存时-20℃到+80℃。温度系数每摄氏度0.01%。稳定度开机0.5小时后每8小时小于0.1%。电压电流指示四位LED数码管，额定输出条件下准确度为±1%。外形尺寸宽482mm，高88mm，深320mm。连接器凹进的塑料绝缘导管和探入的高压电缆通过直径16mm/28mm金属连接器连接。标准高压电缆长为1米。重量约18kg。

可调谐THz波在DAST晶体的高频转换区域通过微分差频非线性过程实现。系统包括光学头、激光/DFG控制器与冷却器。用户可以通过计算机软件轻松选择或扫描THz频率（可根据客户要求订制） 基本参数频率范围： 2.5~35 THz尺寸： 600 x 500 x 150 (mm)电源： 100V, 5A * 泵浦激光需单独提供** 技术参数依赖于泵浦激光*** 技术参数仍在更新中

泰思曼TPS7001系列是一款低纹波精密高压电源，采用5位表显示，在额定电压下纹波电压小于0.001％RMS。采用数字化控制方式，可满足客户的多种控制功能需求，满载效率达到70%以上。该系列产品功能齐全，输出精度高，输出范围宽，纹波小，还可通过软件加入自定义功能。典型应用：高能粒子注入；静电喷涂；离子束电源；电子束电源；加速器电源；Hi-POT测试；高压电容充电；科学研究等产品规格额定输入电压AC220V±10%，50Hz。额定输出电压10kV。额定输出电流5mA。额定输出功率50W。纹波电压额定电压下,优于0.001%RMS。前面板状态指示高压开、高压关，恒压、恒流，正极性、负极性，过压、过流，设定值、保护值、复位灯指示，电源还具有状态异常代码显示功能。电压控制 电源前面板电源自带旋转编码器可将输出电压设置在0至额定电压。电压控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出设置在0至额定电压。电压控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准通信协议可将输出设置在0至额定电压。电流控制 电源前面板电源自带旋转编码器可将输出电流设置在0至额定电流。电流控制 外部模拟控制外部0到10V控制信号可将输出设置在0至额定电流。电流控制 数字通信控制可通过RS-485通信接口，按标准通信协议可将输出设置在0至额定电流。电压调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电压调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化±10%）。电流调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电流调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化±10%）。环境温度工作温度0℃至50℃。储存温度-20℃至80℃。温度系数通常每摄氏度100ppm。稳定度开机预热半小时后，每8小时优于0.05%。湿度10-90%无结露。电压电流指示五位LED数码管，额定输出条件下，误差为1%±1字。保护电源具有过压、过流等基本保护功能，其他所需求保护功能可定制。高压线缆由电源内部伸出40kV高压线。标准高压电缆总长为2m。外形尺寸宽218.5mm，高44.5mm，深269.5mm。重量2.7kg~2.8kg。

顺序微流体注入应用包是法国Elveflow提供用于多种流体切换的系统，在控制流速下对12种或者更多液体或气体进行快速切换。可实现多种流体的注入，具有很高的稳定性和准确度，属于微流体工作流程的自动化，该系统通用性强，可使用多种类型流体。Elveflow的一体式流量控制系统，用于在维持流量的同时快速切换流体。一次可使用一个系统执行多个实验或检测，以实现多液体注入/测试的自动化并节省时间。Elveflow的顺序流体注入系统用于需要在多个流体之间快速交换，同时保持准确流速的系统。尤其适合复杂的有机化学反应、有机合成、生物传感器、生化传感器或电化学传感器、测试台、流动化学、Seq- Fish实验、分析化学装置、药物和毒性测试、微球合成、有机催化实验、以及用于抗生素耐药性测试的仪器等。该应用系统用于生物和化学实验，如液体的多次灌注开关和自动化顺序试剂注射，通过采用计算机控制的12/1 MUX分配双向阀、高精度OB1流量控制器和直观的ESI控制软件，以全自动方式顺序注入12种或更多溶液。该系统可提供大流量范围（从7 nL/min到30+mL/min）和容量（100μL到几升）。典型的顺序流体注射系统使用单个压力通道将多个溶液按顺序注入微流控系统。然后，MUX分配旋转阀作为选择器轻松进行流体更换，实现液体的快速切换和选择。OB1流量控制器与MFS或BFS流量传感器相结合，可实现非常稳定的液体注入（低至流速的0.006%）。这些操作都可以使用ESI软件界面执行。该软件允许您微调流量参数，并使用我们直观的调度程序自动化您的实验。顺序流体注入的应用系统具有以下优势：w 大量样本：可在系统中顺序注入多达12种或更多溶液w 稳定无脉冲流量：压力驱动流量控制器实现稳定的流体输送并获得最准确的结果w 高通用性：用于多种类型流体系统，如微流控芯片、传感器测试台、流动化学配置w 在流体介质之间执行快速切换：切换时间低于150毫秒w 适用于小体积和大体积的长期实验：液体从几微升到几升的容量w 同时控制压力和流量：为您的流体注入提供通用性w 流量范围广泛：从7nL/min到30+mL/min，准确度低至0.2%w 设计流动注射序列：创建复杂的模式并完全自动化您的系统，可在数小时或数天内测试任何工作条件w 高度并行化：使用一种设置测试多个设备w 软件开发工具包：使用C、LabView、Matlab和Python集成到您的平台中。我们的顺序流体注入系统可适用于更复杂的实验，如使用20种或更多的溶液、去除气泡、集成到更大的系统或同时测试多个芯片/设备等。顺序流体注入的应用系统包括：w 压力和流量控制器（OB1）w 旋转阀（MUX distributor）w 微流体流量传感器（MFS）或高精度BFS传感器w 储液管w 分压多岐管w 管线和连接器w 软件和SDK库（C++、Python、MATLAB、LabVIEW）可选项包括：w 额外的泵用通道w 额外的流量传感器w 微流控芯片w 计算机w 多岐管

该装置使用纳米移液器在单个细胞的目标位置注入基因和药物等物质，并抽吸细胞内物质。在癌症和免疫学研究领域，人们对于使用单细胞分析来阐明疾病原因和研究病理状况有着浓厚的兴趣，这有望促进药物发现研究的进步、以及精准医学和再生医学的发展。为促进智能细胞产业发展，横河电机开发了SU10供研究人员用于单细胞分析。移液器是用于注入和抽吸微量物质的注射器。纳米移液器是针头直径为1纳米(nm)至小于1,000 nm的注射器。1 nm等于十亿分之一米，纳米移液器这一术语还指注射/抽吸体积为纳米级的注射器。我们的纳米移液器技术由总部位于美国的BioStinger, Inc.开发，横河电机于2019年11月收购了该公司。实现高成功率的单细胞微创高速自动选择性注射！微创-使用吸头直径最小几十纳米的玻璃吸管(纳米吸管) 自动穿刺-自动进行细胞表面检测和穿刺(Z轴方向移动) 自动注入-根据电渗现象自动进行注入操作，可更改注入量 高成功率-注射成功率约为95%选择性注入-在显微镜观察下可向特定细胞注射 高速注入-每个细胞只需约10秒即可完成注射横河电机实验特点微创纳米移液器SU10能在单个细胞的目标位置注入基因和药物等物质，并抽吸细胞内物质。与用于执行此类任务的微米级移液器相比，SU10采用的纳米移液器针头外径约100纳米(nm)，是生物学研究领域可用的最小移液器之一。该纳米移液器的针头比SU10所分析的细胞小得多，只有微小的侵入性，因此可实现活细胞的单细胞分析。通过自动化分析提高效率SU10属业界首创，可自动执行一系列步骤，从检测细胞表面开始，一直到细胞表面穿透，再到将物质注入细胞或从细胞中抽吸，所有这些步骤迄今为止仍需由熟练的研究人员手工操作。使用SU10，就能轻松进行活细胞注射和抽吸操作。主要应用 细胞分析主要目标客户从事生命科学研究的大学、学院和研究机构制药和食品公司