明晶体量仪

Eutech TDS 6+便携式总溶解固体量测量仪可测量：总溶解固体量（TDS）/ 温度TDS 6+经济实用，操作简单，性能优异。该系列掌上仪表符合IP54防水等级，附带具有自动温度补偿功能的电导率 / TDS电极，适于野外工作，性价比高。&bull 自动识别缓冲液，多达5点校正，快速、简单、准确&bull 精度高达± 1%&bull 可选自动 / 手动温度补偿功能&bull Eutech TDS 6+ TDS因子可调，直接得出结果&bull 20分钟无操作自动关机，延长电池寿命&bull 自诊程序代码，便于清除故障技术参数TDS 量程（取决于TDS系数）：0-9.99 ppm 10.0-99.9 ppm 100-999 ppm 1.00-9.99 ppt 10.00-99.9 ppt分辨率：全量程0.05%相对精度：全量程± 1%+1 LSDTDS系数：0.40-1.00温度 量程：0 - 100.0℃ 分辨率：0.1℃ 相对精度：± 0.5℃ 温度补偿方式：自动/手动（0-80℃）标准温度：20.0或25.0℃操作温度：0-50℃仪表功能温度补偿系数：0.0 - 3.0%电极常数：0.1，1.0，10.0LCD显示：单行LCD（4.5× 2.3 cm）自动关机：20分钟不操作自动关机输入：BNC，2.5mm phono sockets电源：4× 1.5 V 'AAA' 碱性电池电池寿命：＞100小时仪表尺寸/重量单机：15.7× 8.5× 4.2 cm / 255 g包装：36× 28× 8 cm / 1555 g

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h光路透射和反射双光路，可切换 光谱范围200-900nm（可扩展近红外）监视器内置监视器方便观察样品发光，可拍照快门可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023）样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机（同时获得光谱和寿命）示波器瞬时饱和计数率：100Mcps 时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps， 2.19s@33554432ps 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及 低频触发模式；系统光谱分辨率：0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20KgTFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64， 像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存）辐射剂量测定辐射计量表探测器：塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下：碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV 光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供：0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V0.025%噪声：增益 100 时，等效输入噪声 5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声 4.5uV rms；或者自动模式下，增益 100 时，等效输入噪声 6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 +0.005%/'C，双极输出：增益为 +0.07%/'C，直流电 平为 +30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架

货期：30天 品牌：北斗仪器 型号：CA200P产地：广东东莞 名称：制药型光学接触角测量仪 接触角（Contact angle）是指在气、液、固三相交点处c作的气-液界面的切线，此切线在液体一方的与固-液交界线之间的夹角θ，是润湿程度的量度。是现今表面性能检测的主要方法。采用光学成像的原理-图像轮廓分析方式测量样品表面的接触角、润湿性能、表界面张力、前进后退角、表面能等。主要由光源、注射单元、样品台、采集系统、分析软件等组成。设备采用全自动进液装置，性价比高、拓展性强、功能全面、可满足各种常规测量需求，目前已经广泛使用在众多高校院所及企业。测量方法 接触角测量仪可以用来研究药物与不同材料表面之间的相互作用的接触，这对于药物的溶解性、吸附性以及药物管道等方面都具有重要的意义。可用于制药/仿制药/微针药物等行业的研究。1.药物溶解性测试：用来研究药物在固体载体上的溶解性和湿润性，这对于药物制剂的研发和优化非常重要。2.药物释放性能评估：制药过程中，药物需要从固体药物制剂中释放出来。帮助评估药物颗粒或载体材料的湿润性，从而影响药物释放的速率和方式。3.药物吸附性能研究：用于研究药物在固体表面的吸附行为，这对于药物传递、释放和稳定性的理解至关重要。4.药物晶体学研究：药物晶体的形态和结构与药物的性能和稳定性密切相关。可以帮助了解晶体表面的湿润性和晶体与溶液之间的相互作用。5.药物包覆和涂层研究：制药领域常常需要对药物颗粒进行包覆或涂层处理，以改善其生物利用度或稳定性。接触角测量可以用来评估涂层的湿润性和附着性能。设备整体参数型号CA200P名称制药型光学接触角测量仪类型制药型机身材质航空铝输入电源220V 50-60Hz功率10W仪器尺寸约655mm（W）*180mm(L)* 500mm(H)仪器重量约14KG样品平台系统左右X移动手动：行程30mm,精度0.1mm前后Y移动手动：行程50mm,精度0.1mm上下Z移动手动：行程30mm,精度0.1mm水平调整整机水平调整，摄像头水平调整（配送专业级XY水平仪）样品台尺寸130*150mm（可定制）可放置最大样品200（W）*∞(L)*30(H)mm样品台材质航空铝注射系统注液移动行程Y行程：40mm Z行程：35mm，精度0.1mm（针头对中及液滴转移）滴样控制移动行程：60mm,精度：0.01mm滴样方式自动滴样速度0.01-25ul/s滴液精度0.01ul加液方式自动（配送5ml玻璃烧杯加液）微量进样器容量：500ul（全自动液位实时检测）针头标配0.5mm不锈钢针头（可替换）10个、超疏水针头0.25mm（可替换）10个采集系统相机日本SONY原装进口高速工业级芯片(Onsemi行曝光)镜头0.7x-4.5x传感器类型1/2.7英寸全局扫描CMOS分辨率1280×1024焦距±2.5mm可调图像拍摄方法单张、间隔、连续拍摄间隔时间500-3600000ms视频录制方式录像、回播、合成清晰度测量全自动软件对焦最大拍摄速度400帧/s光源系统光源美国进口工业级蓝色冷光源（有效避免因光源散发热量蒸发液滴）组合方式采用日本进口石英扩散膜使得亮度更均匀，液滴轮廓更清晰使用寿命5万小时以上亮度调节PWM无极调节+软件调节亮度识别通过北斗独家算法自动识别亮度保证最佳亮度光源波长465nm功率1W接触角测量接触角测量方法悬滴法、座滴法等测量软件CA V2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件软件操作系统要求windows 10(64位)接触角测量方式自动与手动接触角计算方法（static contact angle）自动拟合法（ms级别一键全自动拟合，不存在人工误差）、三点拟合、五点拟合、自动测量（包括圆拟合法/斜圆拟合法（Circle method/ Oblique Circle）、椭圆拟合法/斜椭圆拟合法(Ellipse method /Oblique Ellipse)、B-Snake拟合法、凹凸面测量等动态接触角测量（Dynamic contact angle）前进角（Advancing angle），后退角（receding angle），滞后角（hysteresis angle）(可批量拟合多张图片或视频连续拟合计算Video analysis)基线拟合自动与手动角度范围0°＜θ＜180°精度0.1°分辨率0.001°表面能表面能测量方法Fowks法，OWRK法，Zisman法，EOS法，Acid-Base Theory法,Wu harmonic mean法,Extended Fowkes法（软件中预装37种液体数据库，可自行建立液体性能参数）数据可直接调入用于表面能估算，液体库数据可自行添加、删除和修改。可分别得到固体表面能、色散力、极性力、氢键力、范德华分量、路易斯酸分量、路易斯碱分量等表面能单位mJ/m² 表界面张力测量方法自动拟合+手动拟合精度0.01 mN/m测量范围0.1mN/m-2000mN/m润湿性分析粘附功一键自动分析铺展系数一键自动分析粘附张力一键自动分析精度0.001 mN/m单位mN/m审计追踪修改与编辑禁止记录导出格式PDF溯源系统标配入口单独是否可关闭禁止权限分级角色试验员、技术员、管理员自定义定时登出可自定义时间权限编辑允许权限状态激活与冻结用户管理标配用户数量99个众所皆知，软件是一台仪器的灵魂所在，组成系统的硬件虽为测量提供了基础，但只有在软件的支持下，才能完美地实现硬件的功能，充分发挥其潜力，使系统的总体功能和性能如虎添翼。本公司研发定制的CA 2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件专用测控软件自2010年开始就面向客户提供使用，经过多年来各行业客户的使用反馈、使用要求、国家标准和国外标准的融合，已经达到一个很成熟稳定的状态。拥有自主知识产权的软件控制系统（行业内极少），在对以后软件升级，新标准更换的时候起到一个很大的优势。软件著作权静动态接触角测量软件版权声明：广东北斗精密仪器有限公司拥有光学静动态接触角分析测量仪CA 2.0软件的所有知识产权，本计算机程序受版本法/著作权法和国际公约保护，未经书面授权擅自传播本程序部分或者全部可能遭受严厉的民事刑事制裁，并将在法律允许的范围内受到最大可能的起诉测试报告1.精细机械：系统的框架选用高质量的进口高强度氧化保护铝型材并烤漆处理，所有的其它主要组件也都是由铝合金，不锈钢和铜合金通过精密制作而成。保证仪器极强的稳定性。2.精密定位：系统所有的线性移动单元，包括三维样品台（xy-轴），(Z-轴)注射器/针头的移动调节，均是由直线铜齿条和精密燕尾槽驱动，确保传动平稳、轻松和精细。3.配置齐全的进样器与针头选择：提供数十种不同规格的进样器供使用者选择，如不同规格（25ul/50ul/100ul/250ul/500ul/1000ul….）,不同材质（气密玻璃进样器/塑料进样器），不同品牌（Hamilton/boli….）以满足不同客户需求。提供各种规格（10-34#）以及不同材质（不锈钢/聚四氟乙烯/pp挠性针头）以及特殊针头（弯曲针头），可用于常规接触角测量，也可用于超疏水、超亲水、高粘度等特殊液体的进样、液滴转移等。4.成像系统：采用了行曝光（Rolling Shutter）高分辨率CMOS图像传感器配合pomeas0.7-4.5远心轮廓镜头。保证最佳的成像效果。同时亮度连续数字可调的高强度背光冷光源为成像提供了均匀的背景照明。优质镜头和高分辨率相机能够以理想的尺寸和亮度在图像中显示出液滴，即使是非常小的液滴。5.领 先 的 软 件 平 台 ：软 件 是 整 个 测 量 系 统 的 灵 魂 和大 脑 。 CA 2.0软件 为用户 提 供 了 范 围 广 泛 的功 能 和 特 性 ，而 且 其 中 的 许 多 项目 在 这 一 领 域 均是 出类拔萃 。作 为 一 光 学 方 法 ，测 量 的 精 度 取 决于 成 像 的 质 量 和 后 着 的 处 理 、 分析 和 计 算 方 法 。 其 中 采 用 的 亚 像 素 （ sub-pixel） 液 滴 坐标 检 测 ，自 动 液 /固 /流 -三 相 接 触 线 识 别 ， 液 滴 全 轮 廓 分析 ，和 基 于 连 续 信 息 反 馈 的 液 滴 监 视 功能 等构成了 软 件 的 核 心 组 件 ， 而且 这 一 切 又 都 能 实 时 完成。具备双边接触角自动测量快速拟合功能，分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况。6.软件自动生成报告，其中涵盖word、excel、PDF图文、谱图等多种数据报告。7.基线自动倾斜功能，可修正由于样品倾斜或机台倾斜时的差异。8.分级管理系统，权限管理。分实验员与管理员。避免人为数据的改动影响测试结果。9.具备双边接触角测量快速拟合功能，更全面量分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况；10.动态拍摄、视频快速测试数据，可以连续性记录测试接触角的变化，再由软件自动批量拟合；11.具备历史数据库功能，记录每一次的测试结果，可追溯历史测试结果。1.usb2.0数字CCD摄像头 1个2.连续变倍光学系统 1个3.手动加样系统 1套4.手动CCD倾斜系统 1套5.表界面分析测量系统应用软件 1套6.说明书纸质一份及说明书电子版 1份7.保修卡及合格证1份8.亲水进样针10个，疏水进样针10个9.500ul进样器1个10.电源线及数据线1条11.XY专用水平仪1个配置清单物料名称数量规格描述主机框架1高强度进口欧标航空铝合金结构搭配模块化设计相机1USB2.0接口， SONY 1/1.8" MT9M001 Rolling shutter CMOS，分辨率H1280×V1024，帧率80fps镜头1对焦距离90mm光源1日本CCS工业级深度定制单波长LED轮廓冷光源，120个密集光源点，配合美国进口柔光板与均光板，亮度连续可调，12V安全电压支撑脚1铝合金+减震胶垫结构，配合减震系统，可调节机台水平与防震效果俯仰调整滑台1螺杆控制，调整范围±1°滴液驱动模块1电机驱动，超细牙丝杆转动，移动行程60mm，导程1mm，重复定位精度±0.01μl滴液升降模块1旋钮驱动，丝杆转动，重复定位精度±1mm样品台升降滑台1齿轮齿条控制，移动行程30mm，分辨率0.1mm样品台平移滑台1齿轮齿条控制，移动行程X30×Y50mm，分辨率0.1mm固定件和连接件1AL6061铝合金数控加工而成，表面烤漆处理控制器1微机控制系统，发送指令控制滴液系统电气控制单元1集成了包括电路、电位器、开关、电源等测量软件1包括接触角测量、表面张力测量、表面能估算和润湿性分析微量进样器1500uL，分辨率0.001ul耗材1亲水进样针，疏水进样针,500ul进样器电脑（选配）1如下配置物料名称品牌物料名称品牌CPU英特尔i3处理器鼠标键盘力拓主板英特尔H61主板机箱金和田内存华硕 8G DDR3 1600电源长城硬盘七彩虹 250G显示器HUYINIUDA 19寸(电脑为选配件 客户可以自配)

气体量测定仪产地：德国简介：测定在燃烧过程中，产生的气体量。 仪器包括：? 支架；? 容积为3000ml的玻璃容器；? 数字真空计；? 25ml燃烧容器支撑装置（用于 燃烧量热计MS10HE，确定爆炸过程中产生的热量）； 事实上，气体量是通过测量前和测量后压力变化值得到的。测得压力之后，通过下式计算得到气体量值：

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h光路透射和反射双光路，可切换 光谱范围200-900nm（可扩展近红外）监视器内置监视器方便观察样品发光，可拍照快门可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023）样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机（同时获得光谱和寿命）示波器瞬时饱和计数率：100Mcps 时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps， 2.19s@33554432ps 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及 低频触发模式；系统光谱分辨率：0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20KgTFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64， 像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存）辐射剂量测定辐射计量表探测器：塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下：碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV 光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供：0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V0.025%噪声：增益 100 时，等效输入噪声 5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声 4.5uV rms；或者自动模式下，增益 100 时，等效输入噪声 6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 +0.005%/'C，双极输出：增益为 +0.07%/'C，直流电 平为 +30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架

静息式人体能量代谢测量仪静息式人体能量代谢测量仪用于测量能量代谢，测量精度较高。在测量时，受试者佩戴面罩，可以进行高精度、实时的测量安静状态下的指标，主要指标有基础代谢率、静息代谢率、呼吸率、耗氧量、CO2产生量等。能量代谢是生命的基本形式与特征，在广泛的临床和研究中，间接量热法仍然是测量能量消耗和底物氧化的金标准。人体能量代谢舱采用间接量热法，通过测量在代谢舱气体中O2（氧气）和CO2（二氧化碳）浓度改变和气体量变化，计算受试者O2的消耗量和CO2产生量。系统可无扰、连续、实时计算人体能量代谢消耗及三大供能营养物质(糖、脂肪、蛋白质)消耗速率。测量指标：■ 基础代谢率■ 静息代谢率■ 呼吸率■ 久坐活动最大耗氧量及二氧化碳量 人体能量代谢舱应用肥胖和2型糖尿病 运动生理学和运动科学 营养学 年龄、性别和寿命的代谢研究 临床调查 食物心理学 制药 儿童的新陈代谢和能量消耗 睡眠 昼夜节律 热调节

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

货期：30天 品牌：北斗仪器 型号：CA200P产地：广东东莞 名称：制药型光学接触角测量仪 接触角（Contact angle）是指在气、液、固三相交点处c作的气-液界面的切线，此切线在液体一方的与固-液交界线之间的夹角θ，是润湿程度的量度。是现今表面性能检测的主要方法。采用光学成像的原理-图像轮廓分析方式测量样品表面的接触角、润湿性能、表界面张力、前进后退角、表面能等。主要由光源、注射单元、样品台、采集系统、分析软件等组成。设备采用全自动进液装置，性价比高、拓展性强、功能全面、可满足各种常规测量需求，目前已经广泛使用在众多高校院所及企业。测量方法 接触角测量仪可以用来研究药物与不同材料表面之间的相互作用的接触，这对于药物的溶解性、吸附性以及药物管道等方面都具有重要的意义。可用于制药/仿制药/微针药物等行业的研究。1.药物溶解性测试：用来研究药物在固体载体上的溶解性和湿润性，这对于药物制剂的研发和优化非常重要。2.药物释放性能评估：制药过程中，药物需要从固体药物制剂中释放出来。帮助评估药物颗粒或载体材料的湿润性，从而影响药物释放的速率和方式。3.药物吸附性能研究：用于研究药物在固体表面的吸附行为，这对于药物传递、释放和稳定性的理解至关重要。4.药物晶体学研究：药物晶体的形态和结构与药物的性能和稳定性密切相关。可以帮助了解晶体表面的湿润性和晶体与溶液之间的相互作用。5.药物包覆和涂层研究：制药领域常常需要对药物颗粒进行包覆或涂层处理，以改善其生物利用度或稳定性。接触角测量可以用来评估涂层的湿润性和附着性能。设备整体参数型号CA200P名称制药型光学接触角测量仪类型制药型机身材质航空铝输入电源220V 50-60Hz功率10W仪器尺寸约655mm（W）*180mm(L)* 500mm(H)仪器重量约14KG样品平台系统左右X移动手动：行程30mm,精度0.1mm前后Y移动手动：行程50mm,精度0.1mm上下Z移动手动：行程30mm,精度0.1mm水平调整整机水平调整，摄像头水平调整（配送专业级XY水平仪）样品台尺寸130*150mm（可定制）可放置最大样品200（W）*∞(L)*30(H)mm样品台材质航空铝注射系统注液移动行程Y行程：40mm Z行程：35mm，精度0.1mm（针头对中及液滴转移）滴样控制移动行程：60mm,精度：0.01mm滴样方式自动滴样速度0.01-25ul/s滴液精度0.01ul加液方式自动（配送5ml玻璃烧杯加液）微量进样器容量：500ul（全自动液位实时检测）针头标配0.5mm不锈钢针头（可替换）10个、超疏水针头0.25mm（可替换）10个采集系统相机日本SONY原装进口高速工业级芯片(Onsemi行曝光)镜头0.7x-4.5x传感器类型1/2.7英寸全局扫描CMOS分辨率1280×1024 焦距±2.5mm可调图像拍摄方法单张、间隔、连续拍摄间隔时间500-3600000ms视频录制方式录像、回播、合成清晰度测量全自动软件对焦最大拍摄速度400帧/s 光源系统光源美国进口工业级蓝色冷光源（有效避免因光源散发热量蒸发液滴）组合方式采用日本进口石英扩散膜使得亮度更均匀，液滴轮廓更清晰使用寿命5万小时以上亮度调节PWM无极调节+软件调节亮度识别通过北斗独家算法自动识别亮度保证最佳亮度光源波长465nm功率1W接触角测量接触角测量方法悬滴法、座滴法等测量软件CA V2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件软件操作系统要求windows 10(64位)接触角测量方式自动与手动接触角计算方法（static contact angle）自动拟合法（ms级别一键全自动拟合，不存在人工误差）、三点拟合、五点拟合、自动测量（包括圆拟合法/斜圆拟合法（Circle method/ Oblique Circle）、椭圆拟合法/斜椭圆拟合法(Ellipse method /Oblique Ellipse)、B-Snake拟合法、凹凸面测量等动态接触角测量（Dynamic contact angle）前进角（Advancing angle），后退角（receding angle），滞后角（hysteresis angle）(可批量拟合多张图片或视频连续拟合计算Video analysis)基线拟合自动与手动角度范围0°＜θ＜180°精度0.1°分辨率0.001°表面能表面能测量方法Fowks法，OWRK法，Zisman法，EOS法，Acid-Base Theory法,Wu harmonic mean法,Extended Fowkes法（软件中预装37种液体数据库，可自行建立液体性能参数）数据可直接调入用于表面能估算，液体库数据可自行添加、删除和修改。可分别得到固体表面能、色散力、极性力、氢键力、范德华分量、路易斯酸分量、路易斯碱分量等表面能单位mJ/m² 表界面张力测量方法自动拟合+手动拟合精度0.01 mN/m测量范围0.1mN/m-2000mN/m润湿性分析粘附功一键自动分析铺展系数一键自动分析粘附张力一键自动分析精度0.001 mN/m单位mN/m审计追踪修改与编辑禁止记录导出格式PDF溯源系统标配入口单独是否可关闭禁止权限分级角色试验员、技术员、管理员自定义定时登出可自定义时间权限编辑允许权限状态激活与冻结用户管理标配用户数量99个众所皆知，软件是一台仪器的灵魂所在，组成系统的硬件虽为测量提供了基础，但只有在软件的支持下，才能完美地实现硬件的功能，充分发挥其潜力，使系统的总体功能和性能如虎添翼。本公司研发定制的CA 2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件专用测控软件自2010年开始就面向客户提供使用，经过多年来各行业客户的使用反馈、使用要求、国家标准和国外标准的融合，已经达到一个很成熟稳定的状态。拥有自主知识产权的软件控制系统（行业内极少），在对以后软件升级，新标准更换的时候起到一个很大的优势。软件著作权静动态接触角测量软件版权声明：广东北斗精密仪器有限公司拥有光学静动态接触角分析测量仪CA 2.0软件的所有知识产权，本计算机程序受版本法/著作权法和国际公约保护，未经书面授权擅自传播本程序部分或者全部可能遭受严厉的民事刑事制裁，并将在法律允许的范围内受到最大可能的起诉测试报告1.精细机械：系统的框架选用高质量的进口高强度氧化保护铝型材并烤漆处理，所有的其它主要组件也都是由铝合金，不锈钢和铜合金通过精密制作而成。保证仪器极强的稳定性。 2.精密定位：系统所有的线性移动单元，包括三维样品台（xy-轴），(Z-轴)注射器/针头的移动调节，均是由直线铜齿条和精密燕尾槽驱动，确保传动平稳、轻松和精细。3.配置齐全的进样器与针头选择：提供数十种不同规格的进样器供使用者选择，如不同规格（25ul/50ul/100ul/250ul/500ul/1000ul….）,不同材质（气密玻璃进样器/塑料进样器），不同品牌（Hamilton/boli….）以满足不同客户需求。提供各种规格（10-34#）以及不同材质（不锈钢/聚四氟乙烯/pp挠性针头）以及特殊针头（弯曲针头），可用于常规接触角测量，也可用于超疏水、超亲水、高粘度等特殊液体的进样、液滴转移等。4.成像系统：采用了行曝光（Rolling Shutter）高分辨率CMOS图像传感器配合pomeas0.7-4.5远心轮廓镜头。保证最佳的成像效果。同时亮度连续数字可调的高强度背光冷光源为成像提供了均匀的背景照明。优质镜头和高分辨率相机能够以理想的尺寸和亮度在图像中显示出液滴，即使是非常小的液滴。5.领 先 的 软 件 平 台 ：软 件 是 整 个 测 量 系 统 的 灵 魂 和大 脑 。 CA 2.0软件 为用户 提 供 了 范 围 广 泛 的功 能 和 特 性 ，而 且 其 中 的 许 多 项目 在 这 一 领 域 均是 出类拔萃 。作 为 一 光 学 方 法 ，测 量 的 精 度 取 决于 成 像 的 质 量 和 后 着 的 处 理 、 分析 和 计 算 方 法 。 其 中 采 用 的 亚 像 素 （ sub-pixel） 液 滴 坐标 检 测 ，自 动 液 /固 /流 -三 相 接 触 线 识 别 ， 液 滴 全 轮 廓 分析 ，和 基 于 连 续 信 息 反 馈 的 液 滴 监 视 功能 等构成了 软 件 的 核 心 组 件 ， 而且 这 一 切 又 都 能 实 时 完成。具备双边接触角自动测量快速拟合功能，分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况。6.软件自动生成报告，其中涵盖word、excel、PDF图文、谱图等多种数据报告。7.基线自动倾斜功能，可修正由于样品倾斜或机台倾斜时的差异。8.分级管理系统，权限管理。分实验员与管理员。避免人为数据的改动影响测试结果。9.具备双边接触角测量快速拟合功能，更全面量分析液体与固体的表面润湿性能、更准确的分析表面的实际润湿情况；10.动态拍摄、视频快速测试数据，可以连续性记录测试接触角的变化，再由软件自动批量拟合；11.具备历史数据库功能，记录每一次的测试结果，可追溯历史测试结果。1.usb2.0数字CCD摄像头 1个2.连续变倍光学系统 1个3.手动加样系统 1套4.手动CCD倾斜系统 1套5.表界面分析测量系统应用软件 1套6.说明书纸质一份及说明书电子版 1份7.保修卡及合格证1份8.亲水进样针10个，疏水进样针10个9.500ul进样器1个10.电源线及数据线1条11.XY专用水平仪1个配置清单物料名称数量规格描述主机框架1高强度进口欧标航空铝合金结构搭配模块化设计相机1支撑脚1铝合金+减震胶垫结构，配合减震系统，可调节机台水平与防震效果俯仰调整滑台1螺杆控制，调整范围±1°滴液驱动模块1电机驱动，超细牙丝杆转动，移动行程60mm，品牌物料名称品牌CPU英特尔i3处理器鼠标键盘力拓主板英特尔H61主板

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

产品名称：硫化镉(CdS)晶体基片产品简介：II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。技术参数：晶体名称CdS生长方法PVT结构六方晶系晶格常数(A)a=4.1367 c=6.7161密度 ( g/cm3)4.821熔点 (oC)1287热容 (J /g.k)0.3814 热膨胀系数(10-6/K)4.6 // a 2.5 // c导热系数( W /m.k at 300K )2.7透明波长 ( um)2.5 ~ 15 (71%)折射率1.708 (o) 1.723 (e)产品规格：尺寸：25x25x15 mm注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

一． 结构原理 ZMP9 60 晶体出现率分析仪是工作原理是通过专用高分辨率 CCD 线性传感器和显微光学扫描平台，将颗粒图像信息采集下来并传输到计算机中，用专门的颗粒图像分析软件对颗粒图像进行分析。结合智能的背景分离及超强的颗粒边界搜索算法，将目标颗粒与背景分离，分析出各种测量参数，并通过显示器和打印机输出。 该仪器具有超大测量范围及高分辨率，同时具有直观、可视、准确、操作简单、测量参数全面等特点。能够同时测量颗粒粒度、形状及表面颜色的新型颗粒分析仪器。 二. 产品介绍 ZMP960晶体出现率分析仪，可以直接对透明贴剂中析出的晶体进行扫描，按照规定扫描范围进行扫描一定的面积，将其中的晶体识别出来并做数量统计。软件可以内置公式得出晶体出现率。 三．性能指标 1. 测量范围：1μm ～ 100mm 2图像分辨率：900万像素 3.光学平台：100mm * 120mm 4 背景光源：反射光

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

中长波激光增益介质及非线性晶体可提供Tm、Ho、Cr、Er、Fe、Dy等透明陶瓷/晶体等激光增益介质，以及超低损耗ZnGeP2、GaSe、AgGaS2、BaGa2GeSe6、AgGaGeS4、AgGaGe5Se12等中长波非线性晶体。详情请见官网

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性，红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性，接收光谱和接收角度宽，透光范围广，对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求，非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um，其中有用的透过范围为1.9um至8.6um，以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域： 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO，CO2，DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬，铥，铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜，并且具备超低的吸收损耗，2.05-2.1um泵浦波长下，吸收系数为α 0.05 cm-1；2.5-8.2um范围吸收系数为：α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um，这个范围具有非常宽的相位匹配能力，对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦，也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小，但其透明波长短波边缘至550nm，因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用；同时也被大量应用于利用二极管，钛宝石，Nd:YAG，以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验；还可以直接应用于红外对抗系统，以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS（AGS）薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频；脉冲式CO、CO2和DF激光（λ = 2.36 μm）的二倍频；CO和CO2激光到可见光的上转换；Nd激光与燃料激光器或（F-）-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲；3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然，由于材料结构（沿(001)平面解理）的特殊性，无法获得特定的相位匹配角度，也限制了其应用的领域

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射，并通过成像板进行实时成像，从而达到快速定向。产品特点定向时间：1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中，大大增加研发的速度。

劳厄晶体衍射仪产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射，并通过成像板进行实时成像，从而达到快速定向。产品特点定向时间：1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中，大大增加研发的速度。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

河北华凯光子科技有限公司 河北华凯光子科技有限公司于2017年6月由北京市海淀区迁至河北省保定市，公司主要经营溴化镧闪烁晶体与探测器的研发、生产和销售，我公司为国内首个成功研制并稳定量产大尺寸溴化镧闪烁晶体的公司，也因此打破了美国独家垄断地位，使我国成为世界上除美国外，第二个能工业化生产溴化镧晶体的国家。 目前公司是国家认定的科技型中小企业、河北省认定的科技型中小企业、河北省军民融合型企业、研发生产基地被评选为“保定市溴化镧闪烁晶体与探头工程技术研究中心”， 溴化镧闪烁晶体与探头研发及产业化”项目获批河北省发改委战略性新兴产业发展项目，并在第七届中国双创大赛中荣获20强，是河北省新材料领域唯一进入国家优秀企业的项目。2018年2月我公司已完成环保验收，目前正在积极申请国家高新技术企业。 公司拥有中国发明专利《溴化镧铈闪烁晶体》，及其它38项相关专利。 通过不断的自主研发创新，目前我们拥有溴化镧晶体生长、加工和封装的非专利技术、自主研发的晶体生长设备、以及集长晶、切割、研磨、抛光、封装为一体的完整的溴化镧探测器生产线。目前公司拥有55台长晶炉，2019年计划年产500件溴化镧探测器。 溴化镧闪烁晶体具有光产额高、能量分辨率好、衰减时间短、非线性响应小等优点，目前我公司能生产各种规格的晶体以及探测器，主要有1英寸、1.5英寸、2英寸、3英寸及不规则形定制产品。 溴化镧探测器被称为“高能射线的眼睛”， 是射线探测仪器的关键组成部分，主要进行材料元素种类与含量的分析。我们的产品也可以说是一件有关国计民生的产品，现已被应用于军工、安全检查、环境监测、核医学、工业计量、石油测井等国民经济的各个领域。目前比较成熟的客户重庆建安仪器有限公司（国营759厂）也在批量采购我公司探测器，另外在边境探测无人机上也应用过溴化镧探测器。 公司产品供不应求，目前我们也在积极进行二期生产基地建设的相关工作，新基地计划年产3000件探测器与核仪器仪表设备，总用地40000平方米，预计总投资为2-2.5亿元。同时也在进行例如溴化铈、溴化镧锂铯等更高性能晶体的研发。目前产品销售主要集中在国内市场，计划于2021年全面进入国际市场。未来将打造中国核探测新技术研发基地、中国核探测技术人才培训基地、中国新型核探测器制造基地，建立国际型的企业及研发基地。