二次离子仪

PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

MAXIM 二次离子溅射中性粒子质谱仪可分析二次阴、阳离子动态和中性粒子，所具备的的30°接受角可形成样品粒子平面，应用于SIMS和SNMS的光学采样。 光栅控制，增强深度分析能力 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器质量数范围： 300amu，500amu，1000amu 检测器： 离子计数探测器、正负离子探测器、107 cps 质量过滤器： 3F四级杆 杆直径： 9mm 最高加热： 250℃ 离子源： 电子轰击，可用于SNMS和RGA的单根灯丝

Kore SurfaceSeer I是一款高灵敏度的TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪，具有高通量分析功能，可用于绝缘、导电表面的成像分析与化学成分分析。SurfaceSeer I 是研究表面化学的理想选择，适用于研发和工业质量控制应用。TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析。SurfaceSeer I 使用与 SurfaceSeeer S 相同的 TOF-MS 技术，但配备了高亮度、高空 间分辨率的 25kV 液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源。LMIG 的探头尺寸≤ 0.5µ m，可实现高分析空间分辨率。全自动计算机控制，允许在质谱采集期间扫描离子枪，从而可以收集到化学图像或图谱。另外还提供了一个二次电子探测器（SED），用 于调谐初级电子束和 SED 图像捕获。带有12.7µ m重复单元的铜格栅SurfaceSeer I 仪器特点：配备25KV液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源，检测能力更强，质量分辨率更高；具备表面成像和深度剖析功能；提供的SIMS材料谱库包含上千种材料的质谱数据，可识别未知的化合物和材料；可同时分析所有元素及有机物，可消除有机物和元素干扰，使谱图更清晰，检测限更低，能更有效地分析材料样品。专用数据处理软件允许分析数据和样品的化学构成信息进行全面的交互提取，其所有储存的数据都能用于溯源性分析。表面分析灵敏度高达 1x109 atoms/cm2SurfaceSeer I 应用领域:表面涂层和处理电子元件和半导体电极与传感器润滑剂催化剂粘合剂薄膜等包装材料腐蚀研究大学教学与科研

飞行时间二次离子质谱（TOF- SIMS）是一种表面敏感的技术，提供表面分子，元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素，包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上，该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率（在实践中通常是大约 10000amu）。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪（三次对焦飞行时间）是一种高传输、并行检测仪器，其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态，并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计，允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器，该仪器具有独特的专利时间飞行（TOF）分析仪，它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准，实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力，可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。

仪器简介：EQS 是差式泵式二次离子质谱（SIMS-Secondary Ion Mass Spectrometer ‘Bolt-On’ probe），可分析来自固体样品的二次阴、阳离子和中性粒子。采用最新技术的SIMS 探针，便于连结到现有的UHV表面科学研究反应室。 技术参数：应用： 静态 /动态SIMS 一般目的的表面分析 整体的前端离子源，便于RGA和 SNMS 兼容的离子枪/ FAB 枪 成分/污染物分析 深度分析 泄漏检测 与Hiden SIMS 工作站兼容主要特点： 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 SIMS 成像，分辨率在微米以下 光栅控制，增强深度分析能力 45°静电扇形分析器, 扫描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 Penning规和互锁装置可提供过压保护 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

Kore SurfaceSeer S在飞行时间二次离子质谱仪 （TOF-SIMS） 系列中，是一款高性价比且经久耐用的产品。它是研究样品表面化学成分的理想选择，适用于研发和工业质量控制应用。飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能，广泛应用于医学、细胞学、地质矿物学、半导体、微电子、物理学、材料化学、纳米科学、矿物学、生命科学等领域。Kore SurfaceSeer S型号的飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）使用的是5keV Cs+离子束（可选惰 性气体Ar+），该离子束是脉冲式的，以限度地减少连续离子束可能造成的表面损伤。 在每100µ s TOF 循环中，该离子枪的脉冲时间仅为60ns，因此，主光束提供的电流比连续打开时少1000倍以上。典型的10s实验时间所产生的电流仅相当于几毫秒的连续光束电流。 要达到所谓的“静态SIMS”极限，需要在一个点上进行几分钟的分析，在这个点上，表面损伤在数据中变得清晰可见(取决于焦点和光 束电流)。尽管离子剂量较低，这款TOF分析仪还是非常高效的，这就说明了它具有较高的二次离子数据速率（即使在离子产率相对较低 的聚合物上，也通常为5000 c/s）。SurfaceSeer S 仪器特点：配备5keV Ar+/Cs+脉冲式离子束，以限度地减少连续离子束可能造成的表面损伤，实现样品“无损”分析；针对工业领域的低成本TOF-SIMS仪器；均适用于导电物体表面和绝缘物体表面的分析 ；可在1~2min内实现高速率的正负质谱分析；质量分辨率可达 2,500 m/δm (FWHM)；适用于导电物体表面和绝缘物体表面的分析。SurfaceSeerS应用领域:表面化学黏附力分层印刷适性表面改性等离子体处理痕量分析（表面ppm）催化剂同位素分析表面污染

PHI nanoTOF3+特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度飞行时间二次离子质谱仪最新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子枪先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合高强度离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：最大样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子枪获得专利的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子枪 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子枪FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子枪具备 FIB功能， 可以使用单个离子枪对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据（专利）在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

仪器简介：1. 适合做多层薄膜的深度分析。2. 很好的、耐用的、普通目的的二次离子质谱仪。3. 方便使用。4. 样品可以手动转换，由于分析速度快所以每天可以分析一定数量的样品。5. 我们的系统可配置快速原子枪，使我们可以轻松处理绝缘的样品。6. 我们还可以做元素成像（就象化学地图）和混合模式扫描，自动测量正、负和中性粒子。7. 我们的系统是典型的超高真空工作台，很容易满足很多其它分析的使用。结构紧凑，但不损失性能。真正的高性价比。技术参数：质量数范围：300，510或1000amu分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。检测器：离子计数检测器，正、负离子检测检测限：1:10E7质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）空间分辨率：A：100～150um B: 50nm取样深度：2个单分子层（静态） 不受限制（动态）主要特点：? 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 ? SIMS 成像，分辨率在微米以下 ? 光栅控制，增强深度分析能力 ? 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 ? 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu ? 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 ? Penning规和互锁装置可提供过压保护 ? 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，适用于许多工业和研究应用。该技术通过对一次离子束轰击样品表面产生的二次离子进行质量分析，并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率（可达到100%），只需要一次轰击就可以得到研究点的完整质量谱图，从而提供有关样品表面、薄层、界面的详细元素和分子信息，并能提供全面的三维分析。其用途广泛，包括半导体，聚合物，涂料，涂层，玻璃，纸张，金属，陶瓷，生物材料，药品和有机组织领域。全新 M6 — — 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）先进科技M6 是 IONTOF 在 TOFSIMS 5 基础上开发的新一代高端飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）仪器，对一次离子源（LMIG）和质量分析器（TOF Analyser）进行了突破性的改进。此外，在硬件方面还增加了 MS/MS 功能选项，重新设计了加热和冷却系统；在软件方面新增了多元统计分析（MVSA）软件包。其设计保证了 SIMS 应用在所有领域的卓越性能。新的突破性离子束和质量分析器技术使 M6 成为二次离子质谱（SIMS）仪器中的耀眼光芒、工业和学术研究的理想工具。全新 M6 具有以下突出优势：1 新型 Nanoprobe 50 具有高横向分辨率 ( 50 nm)2 质量分辨率 30,0003 独特的延迟提取模式可同时实现高传输，高横向质量4 广域的动态范围和检测限5 用于阐明分子结构具有 CID 片段功能的 TOF MS/MS6 先进智能的 SurfaceLab 7 软件，包括完全集成的多元统计分析 (MVSA) 软件包7 新型灵活按钮式闭环样品加热和冷却系统，可长期无人值守运行

多功能SIMS工具：高分析效率和全自动化的基准检测灵敏度IMS 7f-Auto是我们获得成功的IMS xf二次离子质谱仪（SIMS）产品系列的新型号。该仪器旨在提高高精度元素和同位素分析的易用性和生产率，已针对玻璃、金属、陶瓷、硅基，III-V和II-VI族化合物器件、散装物料、薄膜等一系列颇具挑战性的应用进行改良，可充分满足行业对高效器件开发和过程控制的要求。用于解决多种分析问题的关键分析功能IMS 7f-Auto提供了具有高深度分辨率和高动态范围的深度剖析功能。高透射质谱仪与两种反应性高密度离子源（O2+和Cs+）相结合，从而提供高溅射速率和极低的检出限。独特的光学设计可实现直接离子显微镜和扫描探针成像。 提高自动化和作业效率IMS 7f-Auto配有重新设计的同轴一次离子枪筒，可以更轻松、更快速地进行一次离子束调谐，并优化一次离子束流稳定性。新的自动化程序减少了由操作员引起的偏差并提高了易用性。带有自动装载/卸载样品架的电动储存室通过分析链和远程操作提高分析效率。 在高分析效率下实现高再现性借助新型电动储存室和样品转移，IMS 7f-Auto能够分析链式或远程模式下的多个样品。测量可以完全无人值守和自动化，具有高通量和可再现性。可实现很高的可再现性（RSD0.5％）、很低的检出限、高测试效率和高生产率（工具可每天24小时使用，几乎无需操作员干预）。

应用于地球科学的大尺寸几何结构离子探针IMS 1300-HR3是一款大尺寸几何结构离子探针，可为广泛的地球科学应用提供无与伦比的分析性能：使用稳定同位素追踪地质过程，矿物定年，以及确定痕量元素的存在和分布。其高灵敏度和高横向分辨率也使其成为搜索和测量铀颗粒以用于核防护目的的必要工具。高空间分辨率和高质量分辨率下的高再现性的独特组合借助新型IMS 1300-HR3，CAMECA极大地提高了已占据市场领导地位的大尺寸几何结构SIMS的性能，现可在高空间分辨率和高质量分辨率下为地球科学界提供高重现性的独特组合。该工具可充分满足高精度和高生产率的小尺度原位同位素测量的需求，并拓展了广泛的研究方向——从稳定同位素、地质年代学和痕量元素到小颗粒等等。秉承了IMS 1280-HR和之前型号的主要优点：大尺寸几何结构设计可在高质量分辨率下提供高灵敏度应用于高精度同位素测量的多功能多接收器系统用于分析正负二次离子的双一次离子源卓越的离子成像能力（探针和显微镜模式）增强型磁场控制系统实现了高质量分辨率下的高再现性远程操作、全自动化、功能强大的应用专用软件IMS 1300-HR3的改进及优点：新型射频等离子体氧源显著增加了电子束密度和电流稳定性，极大地提高了空间分辨率、数据再现性和通量。具有自动化样品高度（Z）调节功能的新型电动储存室可显著提高分析精度、易用性和生产率。用于改善光学图像分辨率的紫外光显微镜，搭配专用软件实现简单的样品导览1012 Ω电阻法拉第杯：用于测量低计数率的低噪声电测系统

SIMS 工作站(SIMS Workstation－a complete SIMS Analysis Facility) ，综合UHV / SIMS 设备，进行高级的表面分析。可靠的、普遍适用的SIMS分析工作站。整合的离子源，便于RGA和SNMS 各类型样品的快速转向 阴、阳离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析仪 整合的离子枪光栅控制和信号选通，进行深度分析 绝缘体研究中的电子流枪用于电荷中和 液氮冷井和真空室烘烤加热器 自动的SIMS 离子光学透镜调谐和质量数列表，使SIMS性能最佳 Hiden EQS SIMS 分析仪，运行于 MASsoft O/S 之下，检测限至ppb级 基本的激发源选择： 带差式泵的Hiden IG20 Ion，IFG200 FAB或高性能液态镓枪 快速样品传递，样品固定，负载锁定的操纵器 4 轴：X, Y, Z, θ UHV 操纵器，以最佳定位样品 加上ESM LabVIEW和SIMS 成像程序，进行SIMS元素成像 静态SIMS谱图库可用

半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。高深度分辨率和高通量随着器件尺寸不断缩小，当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降至低于150eV的氧和铯高密度一次离子束进行优化，充分满足上述应用领域的需求。灵活性CAMECA的SIMS 4550是一款动态SIMS工具，可在溅射条件（碰撞角度、能量、物种）方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中，通过电荷补偿（电子枪、激光）专用选项可以轻松分析绝缘材料。SIMS 4550可测量层厚度、对准度、陡度、完整性、均匀性和化学计量。样品架可容纳多种样品：几毫米的薄片至直径100毫米的样品。高精度和自动化先进的四极杆分析仪的光路、峰噪比等都是降低痕量元素检出限的关键因素。凭借先进的特高真空设计以及低至E-10mbar（E-8Pa）范围内的主室压力，SIMS 4550可为氢、碳、氮和氧提供出色的灵敏度。超稳定的离子源和电子设备确保达到较高精度以及RSD小于0.2％的测量重复性。通过易于使用的软件、预定义方案、远程操作以及故障排除，充分考虑了人为因素对精度的影响。每次测量的所有仪器参数设置都存储在数据库中。因此重复测量只需点击几下鼠标即可完成。其他自动化功能

简介：GCIB 40是一种40 kV气体团簇离子束，产生团簇离子聚焦束，用于需要对分子离子敏感的分析应用。 GCIB 40在较大程度地减少碎片和从表面去除完整分子方面具有优异的处理能力。在40千伏电压下工作的GCIB 40提供了优异的电离产率，进一步增强了分子信号。 GCIB 40具有可选择的簇大小，从单体到10000多个，斑点大小小于3µ m，是分析完整分子离子的强大工具，具 有高空间分辨率。可在J105 SIM上使用，或作为选定第三方仪器的升级。请与我们联系以获取更多信息。 主要参数：主要应用 分析 光斑尺寸 3 µ m 扫描范围 0.9 x 0.9 mm 能耗范围 10 – 40 kV 电流范围 200 nA 法兰至机头长度 168 ± 5 mm 推荐工作距离 25 mm 电源装置 6U x 19’’ rack mountable unit 电源要求 110-240VAC 13A 50/60Hz 软件要求 PC running Windows 10 or later 集成法兰规格 NW 63 CF 特点: ◇ 40 kV气体团簇离子束，光斑尺寸为3µ m；◇ 实时集群测量和调整；◇ 从单体到10000的可选簇；◇ 使用一系列气体运行，包括Ar、CO2、Ar/CO2混合气体；◇ 水源团簇升级可用； 应用技术： 由于离子束和分子信号的丢失，有机样品的SIMS分析通 常会导致碎片。使用GCIB，可以减少损伤，以便对材料进行分析和深度剖面。然而，在近束能量（40 kV）下，GCIB的二次离子产额可能较低。在更高的能量下操作会产生更高的二次离子产率，同时仍然保持低损伤特性。下图显示了在分析有机样品时，离子产额如何与束流能量成比例。尽管一次离子剂量保持不变，但来自Irganox 1010薄膜的二次离子信号从20kV到40kV一次束能量增加了五倍以上。 同时，在所有的光束能量中，碎片几乎保持不变。

适用于半导体应用的高性能低能量SIMSIMS Wf和SC Ultra经专门设计，可充分满足高级半导体对动态SIMS测量日益增长的需求该仪器可提供大范围的冲击能量（150 eV到13 keV），不影响质量分辨率和一次离子束密度，可确保在高通量条件下为具挑战性的应用提供卓越的分析性能：超浅能量和高能量注入物、超薄氮氧化物、高k金属栅极、硅锗掺杂层，Si:C:P结构、PV和LED器件及石墨烯等等。从标准到超浅深度剖析对半导体进行分析的首要条件是优化SIMS分析条件以进行超浅深度剖析，而无需舍弃标准深度剖析应用。CAMECA因此开发了独特的SIMS仪器设计，能够溅射具有大范围碰撞能量的样品：从用于厚结构的高能量（keV范围）到用于超薄结构的超低能量（≤150eV）。这种碰撞能量选择的灵活性适用于不同的控制良好的溅射条件（物种、入射角等）。CAMECAIMS Wf和SC Ultra可提供此类极限低碰撞能量（EXLIE）功能的SIMS仪器，且在高质量分辨率和高透过率方面毫不逊色。 高自动化水平随着SIMS技术的成熟，用户希望能够降低实现高再现性和高精度测量所需的专业知识要求。未来发展趋势显然是无人值守的自动分析。CAMECA IMS Wf和SC Ultra利用计算机自动化应对该挑战，确保完全控制所有分析参数（分析方案、仪器设置等）。气锁系统、样品台和分析室已进行了优化，最多可容纳300毫米的晶圆（IMS Wf型号），并可在一批次中装载大量样品——在IMS Wf型号中最多可装载100个样品，同时还提供气锁和分析室之间的完全电动化转移。 凭借高自动化水平，IMS Wf和SC Ultra可执行快速深度剖析，具有优化的样品通量和出色的测量稳定性，确保了SIMS工具生产率。

仪器简介：全球最先进的动态TOF-SIMS系统，它使用直流主束的飞行时间分析仪，创建了成像质谱的新范式。直流一次离子束的使用允许快速成像和连续数据采集（即没有单独的蚀刻周期），同时提供高空间和质量分辨率。 独有的特点：离子束带来高分子量分析和高空间分辨率四种离子束可选择用气体团簇离子束SIMS，可以分析高达3000Da的分子量无“仅蚀刻”循环的深度剖面。快速、连续采集冷样品处理气敏和冷冻样品,可配置手套箱高级数据查看功能技术参数：腔室上最多可包括3种离子束。选择包括金，C60，气体团簇，和等离子体-每一个适合特定的样品类型或实验，如下所示。离子束能量束斑大小金25kV150nm最高的空间分辨率，导致明显的碎片。是硬质材料的理想选择。碳60 (C60)40kV300nm在任何材料上均匀溅射，碎裂度低，理想值可达1kDa。气体团簇（Ar/CO2/H2O）40kV, 70kV1um有机物的高溅射率，任何束流的最低碎片，是生物成像的理想选择。双等离子体发射源 (Ar/O2/N2/Cs)30kV300nm高亮度光源，是无机材料的理想选择。氧束提高正离子产率，Cs提高负离子产率。主要特点：深度剖面该 SIMS非常适合于样品的深度剖面分析。使用直流离子束进行分析的一个重要方面是，不需要将蚀刻离子束与分析离子束交错。为了能够在合理的时间尺度上生成3D图像，并去除受损的亚表面层，传统的TOF实验使用了交错成像和蚀刻循环，这些循环浪费了宝贵的样品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等连续分析离子束，分析和低损伤刻蚀是连续和并行的，因此没有数据丢失，所有材料都被采样，使我们 SIMS成为一个非常精确的深度剖面分析工具。温度和大气控制的多功能样品处理该 SIMS上的多功能样品处理系统可以分析多种样品类型。仪器配备液氮冷却装置，以便对挥发性样品进行分析——冷却装置适用于主样品阶段和样品插入锁。相反，样品台也可以加热到600 K。仪器配有手套箱，用于在干燥气体下制备和插入空气/水敏感样品，并防止冷却过程中结冰。由于小容量负载锁定和高泵送速度，样品插入很快。 半导体半导体分析的范围可以从浅结深度剖面到高分辨率3D成像。有五种不同的主离子束可供选择，可以针对不同的材料或实验类型进行定制。从 40kV C60 光束中进行选择，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均匀的溅射率，是平面设备的理想选择。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有无与伦比的电流密度，是浅结深度剖析的最佳选择。特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像 聚合物液态金属离子束会导致高水平的碎裂和对表面的损坏，然后必须通过GCIB将其去除。这会降低深度分辨率，并增加实验不必要的复杂性。GCIB是主光束，因此可确保低分段，不需要仅蚀刻循环，并保证高深度分辨率。GCIB SM 是市场上能量最高的 GCIB，能够以前所未有的速度和最小的损坏蚀刻聚合物等软质材料，从而实现比以往更大的 3D 分析量。特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像

质谱分析TOF-SIMS 中，根据分子结构反映的质谱，能更详细的对化学结构进行分析。影像分析影像的分辨率，测量时有种可供选择: 256 x 256 ,512x512, 1024x1024 ，每个像素点都存贮着质谱的信息。测量之后，任伺区域的质谱都可以在後数据处理时提取出来。深度剖析TOF-SIMS 中，经过反复测量和溅射，得到深层的结构。这段期间内，所有的质谱都会被保存，完成测量后，任意深度的质谱都可以在後数据处理时提取出来。三维剖析深度概况的数据源于在深度改变时样品结构的变化，在进行完深度分析後不仅可以拥有内部的信息，三维构筑的信息也可以得到。多功能样品处理样晶托提供了两种类型的标准样晶托，有直径25mm ，样晶在样晶托背面安装并固定( Back-mount) ，能放个样品的样品托，方便对准样晶高度。也有直接在样晶托正面安装样晶，可放置和样晶托一般大小的样晶 (100mm ，方便制样。加热冷却样品托用液氮冷却和用加热器加热样晶台，在-150t 200t 之间可控。样晶托上配有温度感应装置，当样晶在进样室开始，软件即马上显示实时温度回读。另外也可以选配比较高可达600t只做加热的样晶托。

用于半导体晶圆厂中成分测量的全自动 SIMSAKONIS SIMS 工具通过直接在半导体生产线中提供对注入分布、成分分析和界面数据的高产量、高精度检测，填补了半导体制造工艺中的重要空白。AKONIS 有非常高的自动化水平，确保了各种工具在晶圆厂工艺控制和工具之间匹配方面的可重复性。除传统的通过表征实验室为半导体行业提供支持的IMS Wf/SC Ultra和 SIMS 4550（四极杆 SIMS）系列外，AKONIS作为其 补充，可实现仪器设置和采集例程的完全自动化，从而可在分析灵敏度不受影响的情况下实现快速的厂内分析。AKONIS 受益于极低冲击能量（EXLIE）离子色谱柱技术（ 150 eV）的发展，与带高分辨率平台的整片晶圆处理系统相结合，可在最小 20 μm 的压焊点上进行测量。推动实现 N5 及后继制程的高产量SiGe 和 SiP 多层堆叠的高分辨率成分和快速掺杂物深度剖析无与伦比的最小 20 μm 在压焊点上的检测限将数据反馈到生产线的时间缩短了 97% 以上光片和图案化的整片晶圆测量图案识别引擎与高分辨率干涉测量平台相结合，可实现 2 μm 的位置精度基于独特材料数据库的直观recipe创建SEMI 认证（S2/S8、E4、E5、E39、E84...）低购置成本

仪器简介：IMP离子蚀刻探针（Ion Milling Probe）,自带差式泵，坚固的二次离子质谱仪，适于分析离子蚀刻过程中的二次离子和中性粒子.独有的专业终点检测（End Point Detection）仪器，用于离子蚀刻控制以及过程质量最优化监测.技术参数：应用： • 终点检测（End Point Detection） • 靶的纯度鉴定 • 质量控制/ SPC. • 残余气体分析 • 泄漏监测主要特点：特点： • 高灵敏度的 SIMS/MS，带脉冲离子计数检测器 • 三级过滤四极杆，标准配置质量数为300 amu • 差式泵歧管，经连接法兰，接到过程室 • 离子光学器件，带能量分析器和内置离子源 • Penning规和互锁装置，以提供过压保护 • 数据系统与过程控制工具整合 • 稳定性(24h以上，峰高变化小于 ±0.5%) • 通过 RS232、RS485或以太网， 软件MASsoft控制 • 程控DDE, 平行数字式I/O, RS232通讯

产品简介：PMT-2二次锂离子电解液颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.5-20.0um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

聚焦离子束（Xe）扫描电镜 FERA FERA3 GM是一款由计算机完全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简单的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。 概述 软件标配：测量图象处理3维扫描硬度测量多图像校准对象区域自动关机时间公差编程软件定位投影面积EasySEMTM选配：根据实际配置和需求 技术规格 配件二次电子探头 背散射电子探头 In-Beam SE In-Beam BSE 探针电流测量 压差式防碰撞报警装置 可观察样品室内部的红外线摄像头 TOP-SIMS 二次离子探头 等，各种配件可供选择 图片 其他分析潜力 高亮度肖特基发射可获得高分辨率、高电流和低噪声的图像 选配的In-Beam二次电子探头可获取超高分辨率图像 三透镜大视野观察（Wide Field Optics™ ）设计提供了多种工作模式和显示模式，体现了TESCAN特有可优化电子束光阑的中间镜设计 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ）可模拟和进行束斑优化 成像速度快 低电压下的电子束减速模式（Beam Deceleration Technology – BDT）可获取高分辨率图像 （选配） In-Beam背散射电子探头，用于在小工作距离下得BSE图像（选配），甚至适合铁磁性样品 全计算机化优中心电动载台设计优化了样品操控 完美的几何设计更适合安装能谱仪（EDX）、波谱仪（WDX）、背散射电子衍射仪（EBSD） 由于使用了强力的涡沦分子泵和干式前置真空泵， 因而可以很快达到电镜的工作真空，电子枪的真空由离子泵维持 自动的电子光路设置和合轴 网络操作和内置的远程控制/诊断软件 3维电子束技术提供实时立体图像 在低真空模式下样品室真空可达到500Pa 用于观测不导电样品 独特的离子差异泵（2个离子泵）使得离子散射效应超低 聚焦离子束镜筒内有马达驱动高重复性光阑转换器 聚焦离子束的标配包括了电子束遮没装置和法拉第筒 高束流下超高的铣削速度和卓越的性能 FIB切割、信号采集、3维重构（断层摄影术），3D EBSD、3D EBIC与集成3维可视化 成熟的SEM/FIB/GIS操作软件，图像采集、存档、处理和分析功能FERA3配置FERA3 GMH是一款完全由计算机控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，在高真空模式下工作。FERA3 GMU是一款完全由计算机控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统(GIS)，可在高真空和低真空模式下工作。

应用于地球科学实验室的紧凑、高通量SIMSIMS 7f-GEO是单接收SIMS型号，专用于地质样品的高精度/高通量测量，即稳定同位素、稀土元素（REE）、痕量元素… … 该仪器也可应用于材料科学分析和环境研究。实现高同位素比值再现性的独特检测系统IMS 7f-GEO在我们业经验证的IMS 7f仪器的基础上开发而成，配备新型、独特的检测系统，并结合了双法拉第杯探测器系统和电子倍增器。这种配置不仅缩短了采集时间，并且以拟双接收模式运行分析，确保了稳定同位素比值测量的亚千分比精密度。双法拉第杯系统与快速质量峰值切换系统（在高质量分辨率下可达到0.3秒）相结合，在精度和分析通量方面带来更多优势。… … 并显著增加分析通量IMS 7f-GEO实现了分析通量的显著提高，这得益于上述示例（右上图，合成石英的18O/16O同位素比值分析）中所展示的双法拉第杯探测器系统的实施。若要求的统计精度优于0.4千分比，测量时间可能超过3000秒，而使用IMS 7f-GEO拟双接收模式则仅需56秒。

二次元影像坐标测量仪也称二次元量测仪爱思达二次元影像测量仪主要有三款型号：ASIDA6050A,ASIDA7060A,ASIDA8070A我司所生产的影像测量仪包括：二次元影像测量仪以及三次元影像测量仪。其中二次元影像测量仪也可称为平面度测量仪，二次元影像测量仪主要适用于以二维测量为主，包括点、线、圆、矩形、等几何元素和零件的长度、角度、轮廓、外形、表面形状等，增加探针可实现三维测量。全自动影像测量仪都具备3D影像测高功能。二次元影像测量仪特征：1、采用天然花岗石底坐和立柱，稳定性强，硬度高，不易变形2、X/Y向采用空气轴承、花岗石导向，可长时间工作也保证了机械系统的精确稳定3、工作台使用无牙光杆和磨擦传动4、环形LED冷光源，使用寿命长，测量时不会产生热变形5、光学系统品质优良，影像明亮清晰，图像还原性好6、三轴采用日本松下伺服电机传动二次元测量仪技数参数项目规格型号ASIDA6050 ASIDA7060A ASIDA8070A测量行程600x500x200700x600x200800x600x200玻璃载物台尺寸650x550mm750x650mm850x750mm玻璃载物台称重30Kg物镜工作距离82mm物镜放大倍率0.75X~5X总放大倍率30X~230X光栅尺分辨率≤0.001mmX/Y线性精度≤3+L/200(L为被测长度)重复测量精度≤±0.003mm整机尺寸1300x1400x18001500x1400x18001550x1650x1800整机重量1800KG 2000KG 2400KG应用软件AISDA MEASURE VMA 3.00.01测量软件（简体、繁体、英文）数据输出格式DXF、EXCEL、WORD系统平台Windows XP Pro,WIN7PC要求CPU:双核处理器，≥2G内存，≥320G硬盘电源要求220伏特/50HZ电源工作环境温度：20+/-2OC；湿度：45%-75%；振动0.002g,15Hz选配件美国NAVITAR测量专用镜头；英国Renishaw触发探头组；日本基恩仕激光位移感应系统。备注可根据客户需求定制行程大小

PSM是一台差式泵质谱仪（In-Line Plasma Analysers for Neutrals, Radicals and Ion Analysis），分析等离子过程中的二次离子和中性粒子。 差式泵歧管，通过法兰与过程反应室连接 电子附着选件，具有可调谐的离子源，用于表观电势MS Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布VS时间 标准分析中性粒子、自由基，+ve / -ve 离子分析可选 灵敏度高 / 极稳定的3级过滤四极杆 质量数范围： 0 ~ 2500amu 脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 能量分析选件，标准 ±100eV（1000eV可选 ） Mu-Metal, Radio-metal屏蔽可选， 高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN ，软件MASsoft 控制

ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪一、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器简介ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪是北京北分三谱仪器有限责任公司自主研制推出直接面向国内外广大用户的换代产品。该仪器适用于对化工建筑材料、食品、大气及室内环境中沸点在350℃以下各种气体的定性、定量检测,可与任何国内、国外气相色谱仪、气质联用仪相连，其自动化程度、重复性和灵敏度等指标完全能够满足目前国家新颁布的有关环境检测的标准，并且在结构上具有自身独特的功能优势及令人满意的性能与价格比。全自动化设计、触摸大屏显示、操作更为方便，可连续运行20个样品的新一代全自动热解吸仪。 可根据用户需求配置为：20位全自动一次热解析仪20位全自动（常温）二次热解析仪20位全自动（低温）二次热解析仪 二、北京北分三谱仪器有限责任公司生产的ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪具有全自动化设计、触摸大屏显示、造型美观大方、操作更为方便的新一代全自动热解吸仪。比同类产品具有以下优势：1、 可以自动运行20个样品，无需人员值守；2、开机自检，故障报警和提示，采用自主zhuanli技术自动定位、校准样品盘；3、 微机程序控制，主要功能有： ⑴ 方法参数设置、实时动画显示工作状态、运行时间； ⑵ 解吸区、进样阀、样品传输管和二次解吸区，四路均单独加热控温； ⑶ 设定好分析程序，按下运行键自动完成全部样品分析； ⑷ 可以根据用户需求增加常温二次解吸部件或低温二次解吸部件； ⑸ 可同步启动GC、色谱数据处理工作站，也可用外来程序启动本装置；4、本机自带标样模拟采样的功能，可以更方便的通过热解吸仪制作工作曲线；5、可加载自带的采样管活化程序，自动活化解吸后的采样管；6、通过时间编程，自动实现解吸、吹扫吸附、再解吸、进样、反吹清洗等功能；7、采用电子制冷和二阶热脱附流程以保证得到窄的色谱峰形；8、 样品传输管和进样阀有自动反吹功能，避免了不同样品的交叉污染；9、为了配套进口气相色谱仪使用起来更方便精确，本仪器还配有针对各种进口仪器的专用接口，连接方便；10、对于活性物质分析可选配弹性石英管作为样品传送管；11、进样针头更换方便，可连接国内外所有型号的GC进样口。 三、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器主要技术参数1、解吸1温度控制范围：室温—450℃，以增量1℃任设；2、阀进样系统温度控制范围：室温—300℃，以增量1℃任设；3、样品传送管线温度控制范围：室温—300℃，以增量1℃任设，采用24V低压供电；4、解吸2温度控制范围：室温—450℃，以增量1℃任设；升温速率〉3000℃/min；5、冷阱温度控制范围：-35℃—室温，以增量1℃任设，采用的电子制冷装置；6、温度控制精度： ±0.5℃ ；7、解吸回收率：〉99%（和组分有关）；8、反吹清洗流量：0～100ml/min （连续可调）；9、模拟采样流量：0～160ml/min（连续可调）；10、RSD：≤2.5%（0.05μgjiachun中苯）；11、富集时间：0～60min；12、进样时间：0～60min； 13、样品位：20位；14、采样管规格：1/4英寸×3.5英寸（美标）；15、进样方式：六通阀电机驱动；16、仪器尺寸：长×宽×高=350mm450mm×510mm3；17、仪器重量：约40kg。 四、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器应用范围：1、《HJ/644-2013环境空气 挥发性有机物的测定 吸附管采样-热脱附气相色谱-质谱法》；2、《HJ/T400-2007车内挥发性有机物和醛酮类物质采样测定方法》；3、《GB/T18883-2002室内空气质量标准》；4、《HJ/583-2010环境空气苯系物的测定固体吸附/热脱附-气相色谱》；5、《GB/50325-2010民用建筑工程室内环境污染控制规范》等。6、《HJ734-2014固定污染源废弃 挥发性有机物的测定 固相吸附/热脱附-气相色谱》等。 二次热解吸仪，二次热解吸仪价格，二次热解吸仪原理，二次热解吸仪厂家，二次热解吸仪好，二次热解吸仪厂家直供，二次（冷阱）热解吸仪，全自动二次热解吸仪，全自动二次（冷阱）热解吸仪，二次热解吸仪色谱仪，固定污染源二次热解吸仪，地域+二次热解吸仪 　　北京北分三谱仪器有限责任公司是一家集研发、生产、销售和服务于一体的专业分析仪器生产厂家。主要生产:气相色谱仪、顶空进样器、热解析仪、解析管老化仪、电子皂膜流量计、氢气发生器、空气发生器、氮气发生器等产品。公司拥有一批长期从事色谱仪开发及分析应用、维修经验丰富的工程师，在色谱类仪器的维护、维修、和调试等方面的技术力量雄厚。近年来，我们已为国内著名高等院校、科研单位、生产企业及检验检测机构提供了大量的分析仪器和设备及完整的系统解决方案。正是因为高品质的产品、专业的应用及完善的售前售后服务，我们赢得了广大用户的支持与信赖，具有良好的声誉。 北京北分三谱仪器有限责任公司技术部

ATD-1型二次热解析仪是本公司自主研发生产的二次（带低温聚焦冷阱）热解析仪，是一款集采样、吸附、脱附、进样、清洗一体式的二次解析仪，采用样品管解吸同时低温聚焦、热气流再解吸的新技术，7.0寸智能的彩色触摸屏用户界面，能方便地直接设定或编辑、存贮及调用方法，快速起动分析,操作更为方便，实现了解析率不*的问题。产品特点采用电子制冷方式，无须液体制冷剂，带聚焦冷阱吸附管、进样阀、传输管、聚焦管（制冷、加热），五路单独控温 六通阀采用电机驱动.样品传输管线全部采用进口高惰性脱活管路，无残留可选配耐高温六通阀，使用温度可达260℃以上六通阀与传输管线的连接点处于加热保温箱内，无传输冷点一体化设计，整机结构紧凑；微电脑控制。配有两路通用驱动接口，可自动启动色谱和工作站协同工作。 外围设备准备好信号输入，可以智能判断分析事件。可以连接安捷伦气质联用、岛津气质联用，可以连接国内外各个厂家的多数气相色谱仪可升级PC端软件反控产品应用职业安全、工业卫生和环境监测；不明大气快速鉴定； 香料、香精分析；有毒物质事故评估（人员何时可以安全返回事故地点）；《HJ/644-2013环境空气 挥发性有机物的测定吸附管采样-热脱附气相色谱-质谱法》；《HJ/T400-2007车内挥发性有机物和醛酮类物质采样测定方法》；《GB/T18883-2002室内空气质量标准》；《HJ/583-2010环境空气苯系物的测定固体吸附/热脱附-气相色谱》； 《GB/50325-2020民用建筑工程室内环境污染控制规范》；《HJ 734-2014 固定污染源废气 挥发性有机物的测定,热脱附／气相色谱-质谱法》

龙门影像测量仪/二次元量测仪/7060二次元生产厂家正业科技成立于1997年，于14年正式上市，股票代码：300410，正业科技历经风雨10几年，在行业具有一定的品牌知名度，且正业科技生产的产品品质保证，质优价宜，而且有优秀的研发团队，销售团队及售后团队。ASIDA7060二次元影像测量仪特征：1、采用天然花岗石底坐和立柱，稳定性强，硬度高，不易变形；2、X/Y向采用空气轴承、花岗石导向，可长时间工作也保证了机械系统的精确稳定；3、工作台使用无牙光杆和磨擦传动；4、环形LED冷光源，使用寿命长，测量时不会产生热变形；5、光学系统品质优良，影像明亮清晰，图像还原性好；6、三轴采用日本松下伺服电机传动。二次元影像测量仪主要广泛适用于以二维测量为主，包括点、线、圆、矩形、等几何元素和零件的长度、角度、轮廓、外形、表面形状等，增加探针可实现三维测量。全自动影像测量仪都具备3D影像测高功能。 二次元测量仪技数参数项目规格型号6050A 6050AEC21-70607060A8070A测量行程600x500x200700x600x200800x700x200玻璃载物台尺寸650x550mm750x650mm850x750mm玻璃载物台称重30Kg物镜工作距离82mm物镜放大倍率0.75X~5X 总放大倍率30X~230X目镜放大倍率1X机台底座立柱材料00级花岗石光栅尺分辨率≤0.001mmX/Y线性精度≤（3+L/200）um（L代表被测长度 单位mm）重复测量精度≤±0.003mm整机尺寸1300x1400x18001500x1400x18001550x1650x1800整机重量1800kg2000kg 2400kg应用软件AISDA VMA 3.00.01测量软件（简体、繁体、英文）数据输出格式DXF、EXCEL、WORD系统平台Windows XP ProPC要求CPU:双核处理器，≥2G内存，≥320G硬盘电源要求220伏特/50HZ电源工作环境温度：20+/-2OC；湿度：45%-75%；振动0.002g,15Hz选配件美国NAVITAR测量专用镜头；英国Renishaw触发探头组；日本基恩仕激光位移感应系统。备注可根据客户需求定制行程大小如有需求，随时咨询正业科技服务承诺:12个月免费保修 现场安装调试及操作维护培训 一天24小时，一周7天随时待命 24小时内回复行动计划 48小时内到达选正业，您放心！正业科技展厅：检测实例图：

新一代高精度低温铯离子源FIB系统运用曾获诺贝尔奖的激光冷却技术，zeroK Nanotech公司于2020年推出了基于低温铯离子源（Cs+ LoTIS）的新一代高性能聚焦离子束系统——FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）和相应的离子源升配件——FIB：RETRO。zeroK Nanotech公司采用的低温技术可以减少离子束中的随机运动，从而使FIB：ZERO中的离子束斑与传统离子源产生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同时，还可以产生更多的二次离子，获得更清晰的成像。一系列测试表明，新一代的FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统的液态金属镓离子源(Ga+ LMIS) FIB 系统相比拥有更高的微纳加工精度，更清晰的成像对比度和景深。其加工速度与传统FIB基本一致，在低离子束流能量条件下有着更优异的表现。与氦（He+），氖（Ne+）离子源FIB相比，FIB: ZERO拥有高一个数量的加工速度和对样品更少的加工损伤。应用领域◎ 纳米精细加工◎ 芯片线路修改和失效分析◎ 微纳机电器件制备◎ 材料微损伤磨削加工◎ 微损伤透射电镜制样设备特点更高的亮度：低温Cs+离子使FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统FIB (Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高对比度大景深成像系统，对样品的观察范围更大、更清晰。更小的离子束斑尺寸：FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）系统小分辨率可达2 nm，提供了比传统的FIB (Ga+ LMIS)更高的加工精度。更小的能量散失：可达10 nA以上的离子束电流，保证了低能量离子束条件下的优 秀表现。设备型号FIB:ZERO聚焦离子束采用Cs+低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下一代替代产品。FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+离子源的聚焦离子束系统。与 Ga+系统相比，即使在较低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。与He+或Ne+系统相比，它的铣削速率高一个数量，并且减少了样品损伤。FIB:ZERO还可提供可更高的对比和更高的二次离子产率。FIB:ZERO应用领域：◎ 高分辨率溅射◎ 二次电子或离子成像◎ 气体驱动的沉积和去除◎ 电路编辑 FIB:ZERO主要参数◎ Cs+离子束在10 keV下具有2 nm分辨率◎ 1 pA至10+ nA束电流◎ 2 keV至18 keV的束能量◎ 兼容大多数附件动态SIMS与同类产品相比，采用Cs+低温离子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。 SIMS：ZERO产品特点：◎ 具有纳米分辨率的Cs +离子束◎ 10+ nA束电流（Cs +）◎ 功能齐全的FIB系统◎ 高分辨率的SIMS SIMS：ZERO技术优势：◎ 无需薄片即可获得类似EDX的光谱◎ 收集SIMS数据的速度提高100倍◎ 控制SIMS的纳米加工过程测试数据微纳加工对比加工均匀性对比左图为用FIB (Ga+ LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs+ LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。 加工精度对比左侧图为Ga+离子源FIB加工结果, 右侧图为ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同时间内加工的结果。加工速度对比在10 kV下 Cs+离子束磨削速度比30kV下的Ga+离子束慢15%，比10kV下的Ne+离子束的磨削速度高90%。 加工损伤范围对比SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左至右分别为Ne+10KV, Ga+30KV, Cs+10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。成像效果对比景深成像对比左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像对比度比较左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像清晰度比较左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一截面的成像结果。发表文章1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.用户单位TU Kaiserslautern

仪器简介： AutoTDS-Ⅲ型二次热解吸仪是一款带电子冷阱和二次吸附解吸功能的全自动热解吸仪，通过二次冷阱聚焦和直接电阻加热快速升温方法解决了一次解吸峰型差和解吸率低的问题。适用于职业卫生防治、CDC、环保等行业。满足《HJ-644-2013 环境空气 挥发性有机物的测定 吸附管采样-热脱附气相色谱-质谱法》、《HJ/T 400-2007车内挥发性有机物和醛酮类物质采样测定方法》、《GB/T18883-2022 室内空气质量标准》等标准。主要特点：l 通用性能强：可与任意品牌气相色谱仪（GC）和（GC-MS）联用；l 操作简单，使用方便，全程软件控制，自动化程度高：只需将样品管放入热解吸仪中，一切操作和控制均由控制软件完成，因而样品重复性好；主机中超大触摸液晶板设计，可全程跟踪温度、操作命令。l 样品处理简单：样品管可拆卸，方便进行携带和野外样品采集；l 冷阱制冷，满足大部分低温富集需求。l 捕集阱升温采用直接电阻加热l 所有样品管路和六通阀可控温加热，消除系统冷点，减少样品损失。l 提供同步接口，在进样的同时可以同时启动色谱和工作站l 样品管路采用硅烷化惰性处理不锈钢管，减少污染残留。

ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪一、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器简介ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪是北京北分三谱仪器有限责任公司自主研制推出直接面向国内外广大用户的换代产品。该仪器适用于对化工建筑材料、食品、大气及室内环境中沸点在350℃以下各种气体的定性、定量检测,可与任何国内、国外气相色谱仪、气质联用仪相连，其自动化程度、重复性和灵敏度等指标完全能够满足目前国家新颁布的有关环境检测的标准，并且在结构上具有自身独特的功能优势及令人满意的性能与价格比。全自动化设计、触摸大屏显示、操作更为方便，可连续运行20个样品的新一代全自动热解吸仪。 可根据用户需求配置为：20位全自动一次热解析仪20位全自动（常温）二次热解析仪20位全自动（低温）二次热解析仪 二、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器主要技术参数1、解吸1温度控制范围：室温—450℃，以增量1℃任设；2、阀进样系统温度控制范围：室温—300℃，以增量1℃任设；3、样品传送管线温度控制范围：室温—300℃，以增量1℃任设，采用24V低压供电；4、解吸2温度控制范围：室温—450℃，以增量1℃任设；升温速率〉3000℃/min；5、冷阱温度控制范围：-35℃—室温，以增量1℃任设，采用的电子制冷装置；6、温度控制精度： ±0.5℃ ；7、解吸回收率：〉99%（和组分有关）；8、反吹清洗流量：0～100ml/min （连续可调）；9、模拟采样流量：0～160ml/min（连续可调）；10、RSD：≤2.5%（0.05μgjiachun中苯）；11、富集时间：0～60min；12、进样时间：0～60min； 13、样品位：20位；14、采样管规格：1/4英寸×3.5英寸（美标）；15、进样方式：六通阀电机驱动；16、仪器尺寸：长×宽×高=350mm450mm×510mm3；17、仪器重量：约40kg。三、北京北分三谱仪器有限责任公司生产的ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪具有全自动化设计、触摸大屏显示、造型美观大方、操作更为方便的新一代全自动热解吸仪。比同类产品具有以下优势：1、 可以自动运行20个样品，无需人员值守；2、开机自检，故障报警和提示，采用自主zhuanli技术自动定位、校准样品盘；3、 微机程序控制，主要功能有： ⑴ 方法参数设置、实时动画显示工作状态、运行时间； ⑵ 解吸区、进样阀、样品传输管和二次解吸区，四路均单独加热控温； ⑶ 设定好分析程序，按下运行键自动完成全部样品分析； ⑷ 可以根据用户需求增加常温二次解吸部件或低温二次解吸部件； ⑸ 可同步启动GC、色谱数据处理工作站，也可用外来程序启动本装置；4、本机自带标样模拟采样的功能，可以更方便的通过热解吸仪制作工作曲线；5、可加载自带的采样管活化程序，自动活化解吸后的采样管；6、通过时间编程，自动实现解吸、吹扫吸附、再解吸、进样、反吹清洗等功能；7、采用电子制冷和二阶热脱附流程以保证得到窄的色谱峰形；8、 样品传输管和进样阀有自动反吹功能，避免了不同样品的交叉污染；9、为了配套进口气相色谱仪使用起来更方便精确，本仪器还配有针对各种进口仪器的专用接口，连接方便；10、对于活性物质分析可选配弹性石英管作为样品传送管；11、进样针头更换方便，可连接国内外所有型号的GC进样口。 四、ATDS-20A型低温冷阱全自动二次热解析仪仪器应用范围：1、《HJ/644-2013环境空气 挥发性有机物的测定 吸附管采样-热脱附气相色谱-质谱法》；2、《HJ/T400-2007车内挥发性有机物和醛酮类物质采样测定方法》；3、《GB/T18883-2002室内空气质量标准》；4、《HJ/583-2010环境空气苯系物的测定固体吸附/热脱附-气相色谱》；5、《GB/50325-2010民用建筑工程室内环境污染控制规范》等。6、《HJ734-2014固定污染源废弃 挥发性有机物的测定 固相吸附/热脱附-气相色谱》等。 二次热解吸仪，二次热解吸仪价格，二次热解吸仪原理，二次热解吸仪厂家，二次热解吸仪哪家好，二次热解吸仪厂家直供，二次（冷阱）热解吸仪，全自动二次热解吸仪，全自动二次（冷阱）热解吸仪，二次热解吸仪色谱仪，固定污染源二次热解吸仪，地域+二次热解吸仪 　　北京北分三谱仪器有限责任公司是一家集研发、生产、销售和服务于一体的专业分析仪器生产厂家。主要生产:气相色谱仪、顶空进样器、热解析仪、解析管老化仪、电子皂膜流量计、氢气发生器、空气发生器、氮气发生器等产品。公司拥有一批长期从事色谱仪开发及分析应用、维修经验丰富的工程师，在色谱类仪器的维护、维修、和调试等方面的技术力量雄厚。近年来，我们已为国内著名高等院校、科研单位、生产企业及检验检测机构提供了大量的分析仪器和设备及完整的系统解决方案。正是因为高品质的产品、专业的应用及完善的售前售后服务，我们赢得了广大用户的支持与信赖，具有良好的声誉。 北京北分三谱仪器有限责任公司技术部