微刻蚀仪

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。&bull 为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。&bull 拥有简便的维护构造，缩短了downtime，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。&bull 金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电加工工艺&bull 强电介质材料或贵金属刻蚀。&bull 磁性体材料加工。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

This micro-cautery unit provides all the cautery power necessary for laboratory surgical procedures. This micro-cauterizing unit uses thermodynamic technology to perform microsurgical tasks with efficiency and cleanliness. The handpiece with its six-foot cord accepts an assortment of reusable autoclavable thermal cautery electrode platinum tips, allowing this cutting device complete flexibility to perform a wide variety of procedures. This micro-cautery unit can be used for teaching or research. The instrument is durable and easy to operate. The unit works by passing a current through a platinum cutting wire. The wire super heats at a preprogrammed rate for a few microseconds, and then abruptly stops. The heating process causes the formation of a thin gaseous layer in the solution surrounding the wire. A shock wave is created in the solution because the rate of heating is much faster than the velocity of motion of the solution molecules. This intense but finite shockwave expands from the wire inducing the cutting turbulence. The quick heating and cooling of the platinum wire causes a flushing effect as the cool water rushes in after the brief shockwave and turbulence subsides. Debris from the lysed cells directly adjacent to the wire is flushed away immediately. Cellular debris does not stick to the wire. Even at the highest power settings, only an extremely small quantity of heat is generated and then quickly cooled which does not increase the temperature of the surrounding environment. Tips sold separately. Features: Reusable autoclavable tips Tips are available with 13 & 18µ m diameter wire Tips are available with 1 & 1.5mm loops 15 power settings Light weight pencil handle Foot switch activated

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍：经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺，可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。高效的刻蚀速率低购置成本专为腐蚀性的化学成分而设计出色的刻蚀均匀性适用于蓝宝石的静电压盘技术蓝宝石和硅上的GaN高导通抽气系统可与其它PlasmaPro系统集成主动冷却电极 - 在刻蚀过程中保持样品温度高功率ICP源 - 产生高密度等离子体可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性静电压盘技术 - 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积先进的自动匹配单元（AMU） - 提供快速，高效和准确的匹配，确保工艺的高度精准重复性

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power, SiC Power, GaN Power, MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、GaN 刻蚀、低损伤 GaN 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀 Variety process, including Poly Etching, GaN Etching, GaN low damage Etching, Metal Etching, Deep silicon Etching 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D, pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）产品特性 / Product characteristics&bull 在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）&bull NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。&bull 腔体维护简便。&bull 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。&bull 流体路径作成或光子学结晶。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX对应LED量产用的干法刻蚀设备｢ NE-950EX｣ 相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科自有的星型电的干法刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。&bull 搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。&bull 高生产性（比以提高140%）。※1 爱发科利第3188353号&bull 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。※2 爱发科利第3429391号&bull 贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。&bull 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。&bull 丰富的可选机能。产品应用 / Product application&bull 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power， SiC Power， GaN Power， MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀Variety process, including Poly Etch、 GaN low damage Etch、Metal Etch、Deep silicon Etch 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D， pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用

ELEDE 380系列 芯片刻蚀机1、先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽 Wider RF work window, to achieve the etching process diversity and a variety of material etching 2、多片式托盘，实现高产能，同时确保优异的刻蚀均匀性 tray structure with multi-wafers，high capacity and excel lent etch uniformity 3、全路径全真空，全自动晶圆传输，颗粒控制优 High chamber vacuum, automatic wafer transfer, ad vanced particle control 4、独特工艺套件设计，更长的耗材寿命，更低的 Coo CoOUnique process assemblies design, longer consumable life, lower CoO技术参数 1、晶圆尺寸 4、6 英寸及特殊尺寸2、适用材料 蓝宝石、氮化镓、氧化硅 / 氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氮化硅、钛钨、有机物3、适用工艺 PSS 刻蚀、电极刻蚀、深槽隔离刻蚀、介质反射层（DBR）刻蚀、红黄光刻蚀、钝化层刻蚀、金属阻挡层刻蚀4、适用领域 化合物半导体

刻蚀光栅一、标准的刻蚀光栅规格：刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散nm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x 612.5x25x 9.525x50x 9.51201200046 3' 5.83-41123-81123-21123-31123-51123-61123-11123-71121505002 8' 6.663-41553-81553-21553-31553-51553-61553-11553-71553003002 34' 3.333-43303-83303-23303-33303-53303-63303-13303-73303005004 18' 3.323-43503-83503-23503-33503-53503-63503-13503-735030010008 36' 3.33-43103-83103-23103-33103-53103-63103-13103-7310300200017 27' 3.183-43203-83203-23203-33203-53203-63203-13203-7320300400036 52' 2.673-43403-83403-23403-33403-53403-63403-13403-73406003005 9' 1.663-46303-86303-26303-36303-56303-66303-16303-76306004006 53' 1.663-46403-86403-26403-36403-56403-66403-16403-76406005008 37' 1.653-46503-86503-26503-36503-56503-66503-16503-765060075013 0' 1.623-46753-86753-26753-36753-56753-66753-16753-7675600100017 27' 1.593-46103-86103-26103-36103-56103-66103-16103-7610600125022 1' 1.553-46123-86123-26123-36123-56123-66123-16123-7612600160028 41' 1.463-46163-86163-26163-36163-56163-66163-16163-761683080019 23' 1.143-48803-88803-28803-38803-58803-68803-18803-7880830120029 52' 1.053-48123-88123-28123-38123-58123-68123-18123-781290050013 0' 1.083-47123-87123-27123-37123-57123-67123-17123-771212002508 37' 0.823-41253-81253-21253-31253-51253-61253-11253-7125120030010 22' 0.823-41303-81303-21303-31303-51303-61303-11303-7130120040013 53' 0.813-41403-81403-21403-31403-51403-61403-11403-7140120050017 27' 0.83-41503-81503-21503-31503-51503-61503-11503-7150120075026 44' 0.743-41753-81753-21753-31753-51753-61753-11753-71751200100036 52' 0.673-41103-81103-21103-31103-51103-61103-11103-7110180024012 29' 0.543-41623-81623-21623-31623-51623-61623-11623-7162180050026 44' 0.53-41853-81853-21853-31853-51853-61853-11853-7185二、高分辨率的刻蚀光栅规格：刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散mm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x 612.5x25x 9.525x50x 9.51201200046 3' 5.783-42193-82193-22193-32193-52193-62193-12193-72191505002 8' 6.663-45593-85593-25593-35593-55593-65593-15593-75593003002 34' 3.333-43393-83393-23393-33393-53393-63393-13393-73393005004 18' 3.323-43593-83593-23593-33593-53593-63593-13593-735930010008 36' 3.33-42293-82293-22293-32293-52293-62293-12293-7229300200017 27' 3.183-43293-83293-23293-33293-53293-63293-13293-7329300400036 52' 2.673-43493-83493-23493-33493-53493-63493-13493-73496003005 9' 1.663-46393-86393-26393-36393-56393-66393-16393-76396004006 53' 1.663-46493-86493-26493-36493-56493-66493-16493-76496005008 37' 1.653-46593-86593-26593-36593-56593-66593-16593-765960075013 0' 1.623-46793-86793-26793-36793-56793-66793-16793-7679600100017 27' 1.593-46193-86193-26193-36193-56193-66193-16193-7619600125022 1' 1.553-46093-86093-26093-36093-56093-66093-16093-7609600160028 41' 1.463-46693-86693-26693-36693-56693-66693-16693-766983080019 23' 1.143-48893-88893-28893-38893-58893-68893-18893-7889830120029 52' 1.053-48193-88193-28193-38193-58193-68193-18193-781990050013 0' 1.083-47193-87193-27193-37193-57193-67193-17193-771912002508 37' 0.823-41293-81293-21293-31293-51293-61293-11293-7129120030010 22' 0.823-41393-81393-21393-31393-51393-61393-11393-7139120040013 53' 0.813-41493-81493-21493-31493-51493-61493-11493-7149120050017 27' 0.83-41593-81593-21593-31593-51593-61593-11593-7159120075026 44' 0.743-41793-81793-21793-31793-51793-61793-11793-71791200100036 52' 0.673-41193-81193-21193-31193-51193-61193-11193-7119180024012 29' 0.543-41693-81693-21693-31693-51693-61693-11693-7169180050026 44' 0.53-41893-81893-21893-31893-51893-61893-11893-7189

有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求。请点击以下产品名，查看产品详细信息，谢谢化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN&mdash 刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP&mdash 感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs&mdash 刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb&mdash 刻蚀锑化镓刻蚀GaN&mdash 刻蚀氮化镓刻蚀InSb&mdash 刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP&mdash 刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP&mdash 刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP&mdash 刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs&mdash 刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP&mdash 刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe&mdash 反应离子刻蚀硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)&mdash 五氧化二钽刻蚀Al2O3&mdash 刻蚀氧化铝&mdash 感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3&mdash 刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO&mdash 刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3&mdash 刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3&mdash 刻蚀钽酸锂刻蚀PZT&mdash 刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe&mdash 刻蚀硒化铅刻蚀SiC&mdash 刻蚀碳化硅 金属刻蚀Al&mdash 感应耦合等离子体刻蚀铝溅射刻蚀Au&mdash 溅射刻蚀金刻蚀Cr&mdash 刻蚀铬Cu刻蚀（反应离子刻蚀）&mdash 刻蚀铜刻蚀Mo&mdash 刻蚀钼刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）&mdash 刻蚀铌刻蚀Ni&mdash 刻蚀镍离子束刻蚀Ni&mdash 刻蚀镍铬合金溅射刻蚀Pt&mdash 溅射刻蚀铂刻蚀Ti&mdash 超大刻蚀深度刻蚀Ta&mdash 刻蚀钽刻蚀W&mdash 刻蚀钨TiN的各向异性刻蚀&mdash 刻蚀氮化钛WSi刻蚀&mdash 硅化钨刻蚀有机物刻蚀PMMA&mdash 刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯感应耦合等离子体刻蚀BCB&mdash 刻蚀苯并环丁烯刻蚀金刚石&mdash 金刚石的刻蚀刻蚀聚酰亚胺&mdash 聚酰亚胺的刻蚀聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀刻蚀PR&mdash 刻蚀光刻胶硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）&mdash 硅烷化光刻胶硅博施刻蚀Si&mdash 博施刻蚀硅低温刻蚀Si&mdash 低温刻蚀硅混合刻蚀Si&mdash 八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅HBr刻蚀Si&mdash 溴化氢刻蚀硅各向同性刻蚀Si&mdash 硅的各向同性刻蚀刻蚀SiGe&mdash &mdash 刻蚀锗硅绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

GSE C200 多功能刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性 Unequal plasma Source Design ensures good Uniformity 2、 适用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析 Applicable for multiple materials etch in the fields of filtering, optoelectronics, Power and failure analysis 3、 刻蚀材料种类覆盖硅、氮化硅、氧化硅、锑化镓、聚酰亚胺、铌、金属、有机物等 Etched materials include Si, SiN, SiO2, GaSb, PI, Nb, Metal, Polymer, etc. 4、提供研发所需的丰富的工艺数据库支持 Provide comprehensive technical database support for R&D技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等3、适用工艺 多种材料刻蚀工艺4、适用领域 科研

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

系统特性Kessel® Pishow® M 金属刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、冷却腔（cooling chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的铝垫刻蚀及钨回刻（W Recess）工艺也可换用6英寸ESC工艺数据铝垫刻蚀铝线工艺钨塞刻蚀详细介绍Kessel&trade Pishow® M 金属刻蚀设备为可用于8英寸的IC产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内8%，片间5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。产品优势：1.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性2.分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液3.叠层控制，占地面积小，最多可配置4个刻蚀单元应用领域：● 半导体制造中湿法刻蚀工艺● 封装领域中金属层刻蚀，满足UBM及RDL工艺要求● OLED 领域中金属及金属氧化物（ITO/IGZO）刻蚀、缓冲层成膜前的表面（SiO2）刻蚀清洗等工艺满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。

Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。12英寸硬掩膜刻蚀设备 Herent® Chimera® A系统特性Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

v 可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺v 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°Cv 应用方向：Ø III-V族材料刻蚀工艺Ø 固体激光器 InP刻蚀Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀Ø 射频器件低损伤 GaN刻蚀Ø 类金刚石 （DLC） 沉积Ø 二氧化硅和石英刻蚀用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

EIS-200ERP是由ELIONIX研发的离子束刻蚀设备，紧凑和高性能，使用 ECR 离子束可以进行纳米蚀刻和沉积，制品特微。电子回旋共振 (ECR) 型离子束实现了对掩模损伤小的蚀刻。紧凑型也可用于薄膜沉积应用。EIS-200ERP产品特点◇紧凑和高性能 使用 ECR 离子束可以进行纳米蚀刻和沉积。制品特微◇紧凑型高性能凭借 1050 x 650 x 1260 mm 的紧凑尺寸，它可以安装在各种环境中。 通过使用在真空中加速的离子束，可以在亚微米区域进行具有较少底切和侧切的各向异性蚀刻。 ◇可使用惰性气体和活性气体除了Ar、Xe等惰性气体外，O2、C3F8等活性气体也可作为离子源，使反应刻蚀成为可能。 ◇扩展性广通过安装可选的沉积单元，它还可以用作溅射沉积系统。 它还兼容长抛溅射，可以沉积高直线度的材料。产品规格离子枪 ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压100 ~ 3000 V 连续可变 离子流密度Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时）O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时）离子束有效直径Φ 20 mm (FWHM 35 mm)离子流稳定性 ±5 ％ / 2 H大试样尺寸Φ 4英寸

SEM高速刻蚀子系统XENOS刻写子系统是一种允许设计图案数据并产生用于带电粒子束（例如用于半导体光刻应用或聚焦离子束系统的电子束）转向的相应偏转信号的系统。可以连接到传统的扫描电子显微镜、FIB或双光设备上，升级系统，在半导体或其他材料上进行纳米光刻。高速刻写可以实现高达40MHz的像素速率。由于采用了智能写入算法，可以考虑当前SEM的有限偏转带宽。优化的数据传输和稳定时间计算与高写入速度相匹配，以提供快速写入的所有优点。智能且通用的格式使用三阶多项式扫描逻辑，可以仅基于硬件以Max速度生成和写入这些多项式。因此，圆形、环形或椭球体可以由同心的单像素环书写，通常在曝光过程中不需要消隐。并且，可以用Min的数据开销和传输时间来实现理想的写入速度和近似质量。此外，与结构的多边形部分的光栅扫描相比，偏转信号的正弦形状消耗的偏转带宽要小得多。同时，写入算法对称地使用X轴和Y轴的带宽。高灵活性模块化系统可以进行配置，以完全满足您的需求。逻辑配置和DSP内核可以在几分钟内更新，以提供新功能。配置高，应用界面友好完整的偏转信号生成是在每轴16/32位的可编程逻辑器件中实现的。特别是场校正不使用带宽限制的乘法模拟DAC，而是完全数字构建的，工作到Max写入速度，而在产生的偏转信号中没有任何失真。控制软件ECP基于Linux或Windows使用，CAD部分可在工作组中自由使用。SEM刻蚀子系统应用图例：** 进一步配置要求，详情可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

系统特性Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备是面向12英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.18微米及其他技术代逻辑应用中的高密度铝导线工艺，以及铝垫刻蚀详细介绍Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的专用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案。

Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺工艺数据3 μm Trench0.4 μm Trench0.25 μm Trench2 μm Poly0.18 μm Poly 详细介绍Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅极工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内5%，片间5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

GDE C200系列 高密度刻蚀机1、独特的等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀 Unique plasma source and frequency design, high density plasma design for etching of strongly bonded materials 2、业界领先的刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期 High etch rate, better uniformity, longer MTBC 3、应用领域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等领域的多种材料刻蚀 Multiple applications, including Power Device, Filter, RF and Photoelectric 4、工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、磷化铟刻蚀 Variety process, including SiC Etch, AlScN Etch, PZT Etch, GaAs Etch, VSCEL Etch, SiN Etch, InP Etch 5、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration, suitable for different applica tions such as R&D, pilot line and mass production 6、适配多种终点检测方法 Suitable for multiple OES技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质3、适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用