热离子体仪

BreathSpec® 呼气分析仪是一款专用于人体呼气分析的仪器，操作简单，坚固耐用，配备循环气体单元（CGFU），只需要一个电源即可运行。仪器将气相色谱（GC）的高分离度与离子迁移谱（IMS）的高灵敏度相结合，无需任何样品前处理即可检测出高潮湿基质（人体呼出气体）中的痕量挥发性有机物，仅需几分钟即可给出检测结果， 检出限可低至ppbv/pptv级别。软件公司开发的强大功能软件可对待测物中痕量挥发性有机物的指纹谱图进行分析，简单易用，直观方便。软件包括LAV软件和定性分析软件。数据直观的LAV软件Laboratoy Analytical Viewer(LAV)用于气相离子迁移谱图数据分析与信息提取，该软件可与Windows系统的数据提取程序相兼容，如将.mea格式转为.csv格式后使用Windows系统进行数据处理。LAV软件与相关“插件”具有两大用途：气相离子迁移谱图中的每组信号峰对应整个样品的顶空成分，LAV软件安装的“Reporter”插件可对参考样品与待测未知样品进行比对，用户一眼便可看出样品间VOCs的差异。“Gallery-plot”插件在比较样品VOCs差异时更为直观，可用来比较不同样品中各顶空成分的有无及信号峰的强度，据此鉴别样品的相似度、真伪等。据此判断正常群体与阳性群体呼气挥发性物的差异准确便捷的定性软件GC×IMS Library Search软件可简单快速的对待测物中未知挥发性有机化合物（VOCs）进行定性。软件内置NIST气相保留指数数据库和G.A.S.迁移时间数据库，二个数据库相结合使得化合物的定性更加准确。GC×IMS Library Edit软件可不断补充和扩展迁移时间数据库，用户可建立自己行业的数据库，以此引导本行业的发展。 GC×IMS数据库用于定性分析仪器的优势 可移动性：内置计算机，可独立运行内置气源重量：20kg灵活性：具有多种采样模式选择性：可更换GC毛细管柱灵敏度：5KV/10cm TOF-IMSLow ppb级别直接取样：仪器配备检测CO2/O2流量的肺活量计，可快速可靠的取样，从而确保设备能够简单快速的生成数据库，并可用于不同疾病的临床研究。 远程取样—呼吸采样：实际呼吸采样只需一次呼气。待测者呼气进入采样器，在后半部分，将5mL呼气取样到普通的注射器中。拉动注射器的活塞可以由待测者自己完成，或者由护士来帮助完成。如果采样失败，可以立即重复。 远程取样—体腔静态顶空采样：从供试者的口腔或鼻腔中采集气体用于口腔或鼻腔疾病的相关诊断。 远程取样—皮肤采样：通过各种小装置，进行皮肤伤口等部位的采样，将其扣到待测位置，拉动注射器活塞进行取样。 产品特点采样方式灵活多变样品无需前处理、采样后即可分析分析速度快，检出限低可配备CGFU循环气体单元、无需载气钢瓶仪器小巧轻便，便携性能好操作简单，便于上手软件功能强大，数据可视直观化应用领域呼气与肺部疾病的研究呼气中VOCs的大数据收集伤口细菌感染类型的确定ICU中毒病人的毒物判断麻醉剂量与人体呼气的关系研究人体皮肤释放的气体检测药物代谢过程的监控

全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。TI技术带来的高灵敏度，能够实现对痕量元素进行测量，即使在充满挑战性的环境基体也能确保准确度，避免基体干扰。新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高全新New SPECTRO ICP Analyzer Pro 操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。TI技术可自动观测水平和垂直向等离子体，可以观测到整个等离子体的信号，大幅提升了灵敏度、线性动态范围，同时避免了易电离元素 (EIE) 等基体效应。凭借这些特点，SPECTROGREEN TI能避免基体干扰，实现高灵敏度的痕量元素测量，即使在充满挑战性的环境基体也能确保准确度。SPECTROGREEN SOP搭载了专用的垂直单观测技术，可在无需垂直同步双观测 (DSOI) 高灵敏度的情况下实现稳定和精确测量。三种SPECTROGREEN版本都能可靠准确地分析废水、土壤、淤泥以及有机、高盐和金属样品等挑战性基体中的元素（痕量和较高浓度），适用于环境、农学、消费品安全、药物、化学品、石化产品和食品等常规分析应用。SPECTROGREEN在分析挑战性的高重基体中的痕量元素方面具有显著优势，这类样品包括黑色及有色、石油及化工、污水及废水、土壤及淤泥、高盐和金属等。同时SPECTROGREEN光谱仪是环境、农学、医药、食品、及日用品安全等常规分析的理想选择。SPECTROGREEN的推出得益于德国斯派克分析仪器公司40年的仪器研发制造及服务经验，集多年电感耦合等离子发射光谱（ICP-OES、ICP-AES及ICP等离子体）技术之大成。SPECTROGREEN ICP-OES光谱仪预制了斯派克公司专有的ICP ANALYZER PRO software软件，简洁直观，易于操作，分析效率大大提高。德国斯派克分析仪器公司生产的其他型号的ICP-OES包括：SPECTRO GENESIS及 SPECTRO ARCOS。

上市时间：2019年10月SPECTROGREEN ICP-OES采用全新研发的DSOI技术，该技术将传统径向系统的灵敏度推高了数倍，非常适合环境及农业等样品的检测，同时适用于消费品安全、药品、石化产品、高盐、金属、化学品和食品等行业。 全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。 • 新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。 • 极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高 • 新的New SPECTRO ICP Analyzer Pro 操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。产品简介全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高新的New SPECTRO ICP Analyzer Pro 操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。SPECTROGREEN在分析挑战性的高重基体中的痕量元素方面具有显著优势，这类样品包括黑色及有色、石油及化工、污水及废水、土壤及淤泥、高盐和金属等。同时SPECTROGREEN光谱仪是环境、农学、医药、食品、及日用品安全等常规分析的理想选择。 SPECTROGREEN的推出得益于德国斯派克分析仪器公司40年的仪器研发制造及服务经验，集多年电感耦合等离子发射光谱（ICP-OES、ICP-AES及ICP等离子体）技术之大成。SPECTROGREEN ICP-OES光谱仪预制了斯派克公司专有的ICP ANALYZER PRO software软件，简洁直观，易于操作，分析效率高。德国斯派克分析仪器公司生产的其他型号的ICP-OES包括：SPECTRO GENESIS, SPECTROBLUE及 SPECTRO ARCOS

系统配置：■赛默飞IRISIntrepidIIXDL电感耦合等离子体发射光谱仪ICP-OES这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：新一代Intrepid全谱直读等离子体发射光谱仪扩展并增强了ThermoElementalIRIS系列业已验证的性能。新的Intrepid拓宽了波长范围，

使用徕卡 EM RES102，使您的样品具备高水平的灵活性，具有轻薄、清洁、抛光、切割的坡度和结构。独特的离子束研磨系统结合了在一个单工作台面单元上制备TEM、SEM和LM样品的特点。各种样品架可以进行多元化应用。除了高能量的离子铣工艺，徕卡EM RES102也可适于采用低离子能量处理非常柔软的样本。高效并节约成本● TEM，SEM和LM应用功能集于一体● SEM样品制备可达25mm样品直径● TEM样品制备获得的薄区大，有效提高了TEM样品制备效率● 局域网功能方便远程操控安全离子源和样品运动马达驱动，程序化控制，因而可获得重复性制样结果保持样品原生态LN2样品台使得温度敏感型样品可在优化条件下进行离子研磨操作简便● 内置应用参数库 ● 帮助文件帮助初学者以及对设备进行维护

多功能离子减薄仪EM RES102Leica EM RES102 通过离子枪激发获得离子束，以一定入射角度对样品进行轰击，以去除样品表面原子，从而实现对样品的离子束加工。Leica EM RES102主要功能为：对无机薄片样品进行离子减薄，使得薄片样品可被透射电子穿过，从而适宜TEM透射电子显微镜观察；对无机块状样品进行离子束抛光、离子束刻蚀，样品表面离子清洗及斜坡切割，便于SEM扫描电子显微镜观察样品内部结构信息。* 具有2把离子枪，离子束能量为0.8keV-10keV，相对位置，可分别±45°倾斜，样品台倾斜角度-120°至 210°，离子束加工角度0°至90°，样品平面摆动角度360°， 垂直摆动距离±5mm。实际操作参数根据具体应用需要选择（系统备有参考参数，也可自行设置参数并存储）* 可选配样品台：TEM样品台（?3.0mm或?2.3mm），FIB样品清洗台，SEM样品台，斜坡切割样品台（对样品35°或90°斜坡切割）等* SEM样品台可容纳最大样品尺寸：直径25mm，高度12mm* 全无油真空系统，样品室带有预抽室，保证样品交换时间1分钟* 全电脑控制，触摸屏操作界面，内置视频观察系统，可实时观察样品处理过程

Sapphire 是一种基于碰撞/反应池技术的 MC-ICP-MS，含有相互独立的“高能量”离子路径（传统 MC-ICP-MS）和“低能量”离子路径（碰撞/反应池）。该仪器是上述传统同位素系统和非传统同位素系统进行精确的同位素分析的理想解决方案。

系统配置：■赛默飞IRISIntrepidIIXSP电感耦合等离子体发射光谱仪ICP-OES这台仪器状况良好，已经在SpectraLabScientific进行了测试。所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：一、用途及功能

核心参数光学分辨率全光谱范围0.008nm以下稳定性《1.5%重复性《1.5%检出限ppb级波长范围165-770仪器种类全谱直读创新点上市时间：2019年10月创新点：SPECTROGREENICP-OES采用全新研发的DSOI技术，该技术将传统径向系统的灵敏度推高了数倍，非常适合环境及农业等样品的检测，同时适用于消费品安全、药品、石化产品、高盐、金属、化学品和食品等行业。 全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。 新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。 极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力--而无需稀释样品–仪器开机速度快（约10分钟）--生产率高 新的NewSPECTROICPAnalyzerPro操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。仪器详情注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途全新的垂直同步双观测（DSOI）技术，使传统的径向等离子体观测仪器的灵敏度提高了数倍。新推出的GigE读出系统，能够在不到100毫秒的时间内收集、传输光谱及数据，从而加快分析速度，缩短了样品切换的时间，使单位时间内的样品分析数量大大增加。极为灵敏及响应快速的LDMOS发生器，不需要外部冷却：具有分析高重的复杂基体的能力 -- 而无需稀释样品 – 仪器开机速度快（约10分钟）-- 生产率高新的New SPECTRO ICP Analyzer Pro操作软件采用了简单直观的界面，易于使用 SPECTRO公司新研发的垂直同步双观测DSOI光学系统，为提升ICP-OES的灵密度提供了一种全新解决方案。采用该技术解决了等离子体观测的核心问题。该技术采用全新的视角观测并记录垂直燃烧的等离子体所产生的信号，使用两个光学接口，并用一个增强反射镜来捕获等离子体两侧发出的光，以增加灵敏度，巧妙地解决了困扰垂直炬焰双观测所存在的干扰等诸多问题。因此，DSOI提供的灵敏度是传统径向观测仪器的数倍，同时简单明了地解决了传统垂直双观测所存在的模式复杂、使用成本高等问题。SPECTROGREEN在分析挑战性的高重基体中的痕量元素方面具有显著优势，这类样品包括黑色及有色、石油及化工、污水及废水、土壤及淤泥、高盐和金属等。同时SPECTROGREEN光谱仪是环境、农学、医药、食品、及日用品安全等常规分析的理想选择。 SPECTROGREEN的推出得益于德国斯派克分析仪器公司40年的仪器研发制造及服务经验，集多年电感耦合等离子发射光谱（ICP-OES、ICP-AES及ICP等离子体）技术之大成。SPECTROGREEN ICP-OES光谱仪预制了斯派克公司专有的ICP ANALYZER PRO software软件，简洁直观，易于操作，分析效率高。德国斯派克分析仪器公司生产的其他型号的ICP-OES包括：SPECTRO GENESIS, SPECTROBLUE及 SPECTRO ARCOS。点击收起售后服务免费上门安装：是保修期：1年是否可延长保修期：是保内维修承诺：保内免费维修报修承诺：48小时抵达现场免费仪器保养：详谈免费培训：1次现场技术咨询：有

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

RIE反应离子刻蚀机NRE-3000RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持4个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品相关型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

反应离子刻蚀NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀 Features：Aluminum or Stainless Steel ChamberStainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximately 10-6 Torr 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）End Point DetectionPneumatically Lifted TopAutomatic loading/unloadingLoad LockPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password Protectedully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

反应离子刻蚀NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-4000（M）反应离子刻蚀产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-4000（M）反应离子刻蚀 Features：Aluminum or Stainless Steel ChamberStainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximately 10-6 Torr 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）End Point DetectionPneumatically Lifted TopManual loading/unloadingPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

有多少种不同的等离子工艺：真空等离子技术： 　　等离子体在封闭的真空中活生生，与常压条件下相比，每个单位体积中的微粒数较少，这样就增加了粒子自由程长度，并相对减少了碰撞过程，因此，等离子体能量削弱的倾向减弱，可以空间内更广泛的传播，要制造真空腔体，需要使用功能强大的气泵。高压等离子技术：　　高压等离子体由特殊的气体放电管产生，这种等高子体对于表面处理来说并不重要。 电晕处理技术：　　电晕处理是一种使用高电压的物理工艺，主要用于薄膜处理，电晕预处理的缺点是，表面活动能力相对较低，而且处理之后的表面效果有时不够均匀，薄膜的反面也会被处理，有时这是工艺要求需要避免的，而且，经由电晕处理得到的表面张力无法维持长时间的稳定性，经过处理的产品往往只能存放在限的时间。常压等离子处理技术：　　常压等离子是在大气压条件下产生的，也就是说，不需要使用真空腔体，采用直喷或旋转喷枪，首次实现在大气压条件下将非常有效，更重要的是安全无电势的等离子直接集成到制造工艺之中，常压等离子处理技术的成本低，性能好，因而作为真空等离子和电晕工艺的工艺替代和工艺提升，获得了广泛的应用。常压等离子技术的一大优势，在于其在线集成能力，作为一项工艺准则，这种技术能够顺利集成到现有的生产系统中。

热引发阳离子型潜伏性环氧固化剂替代CXC1612产品描述JTN 2025 是热引发型阳离子型潜伏性固化剂，它有较高的热稳定性，体系温度超过JTN2025的临界分解温度后，它能快速的引发环氧化合物、乙烯基醚、内酯、缩醛、环醚等聚合。不会改变环氧树脂的TG，柔韧性，耐候等性能。JTN 2025 热引发苯基缩水甘油醚(CAS:122-60-1)的临界热引发温度是70℃，因此，它有良好的热稳定性。JTN 2025 的结构有较长的烷基链，因此，它有非常好的溶解分散能力，可以用碳酸丙烯酯，丙TONG，乙酸乙酯溶解。非黄变性，干燥时性能稳定，不可燃。建议配方添加量为树脂总量的0.5%-3%。JTN 2025 固化剂广泛用于环氧胶粘剂、电子胶、电磁胶、复合材料碳纤预浸料、粉末涂料、油墨、浇涛等复合材料中。产品特性（测试条件：脂环族环氧树脂2021P + JTN 2025 2%)1.固化剂在80℃以上温度时开始对环氧基开环反应，固化时间大约120 min。2.85℃加热1小时可以固化。3.100℃加热半小时，可以固化。备注：1.如所用树脂是双酚A环氧，反应时间要加长。2. 配成胶水、油漆、油墨成品后，要在零下20℃下存储，可存储半年，室温存储约1-2天。包装规格1公斤/瓶储存及运输固化剂存储期为一年，存放于干燥、通风良好的地方或低温冷藏，避免受潮及重力冲击。热引发阳离子型潜伏性环氧固化剂替代CXC1612

BreathSpec呼气分析仪是一款专用于人体呼气分析的仪器，操作简单，坚固耐用，配备循环气体单元（CGFU），只需要一个电源即可运行。仪器将气相色谱（GC）的高分离度与离子迁移谱（IMS）的高灵敏度相结合，无需任何样品前处理即可检测出高潮湿基质（人体呼出气体）中的痕量挥发性有机物，仅需几分钟即可给出检测结果， 检出限可低至ppbv/pptv级别。软件公司开发的强大功能软件可对待测物中痕量挥发性有机物的指纹谱图进行分析，简单易用，直观方便。软件包括LAV软件和定性分析软件。数据直观的LAV软件Laboratoy Analytical Viewer(LAV)用于气相离子迁移谱图数据分析与信息提取，该软件可与Windows系统的数据提取程序相兼容，如将.mea格式转化为.csv格式后使用Windows系统进行数据处理。LAV软件与相关“插件”具有两大用途：气相离子迁移谱图中的每组信号峰对应整个样品的顶空成分，LAV软件安装的“Reporter”插件可对参考样品与待测未知样品进行比对，用户一眼便可看出样品间VOCs的差异。“Gallery-plot”插件在比较样品VOCs差异时更为直观，可用来比较不同样品中各顶空成分的有无及信号峰的强度，据此鉴别样品的相似度、真伪等。据此判断正常群体与阳性群体呼气挥发性物的差异准确便捷的定性软件GC×IMS Library Search软件可简单快速的对待测物中未知挥发性有机化合物（VOCs）进行定性。软件内置NIST气相保留指数数据库和G.A.S.迁移时间数据库，二个数据库相结合使得化合物的定性更加准确。GC×IMS Library Edit软件可不断补充和扩展迁移时间数据库，用户可建立自己行业的数据库，以此引导本行业的发展。 GC×IMS数据库用于定性分析仪器的优势 可移动性：内置计算机，可独立运行内置气源重量：20kg灵活性：具有多种采样模式选择性：可更换GC毛细管柱灵敏度：5KV/10cm TOF-IMSLow ppb级别直接取样：仪器配备一次性吹嘴和保温管，取样快速可靠，从而确保设备能够简单快速的生成数据库，并可用于不同疾病的临床研究。 远程取样—呼吸采样：实际呼吸采样只需一次呼气。待测者呼气进入采样器，在后半部分，将5mL呼气取样到普通的注射器中。拉动注射器的活塞可以由待测者自己完成，或者由护士来帮助完成。如果采样失败，可以立即重复。 远程取样—体腔静态顶空采样：从供试者的口腔或鼻腔中采集气体用于口腔或鼻腔疾病的相关诊断。 远程取样—皮肤采样：通过各种小装置，进行皮肤伤口等部位的采样，将其扣到待测位置，拉动注射器活塞进行取样。 产品特点采样方式灵活多变样品无需前处理、采样后即可分析分析速度快，检出限低可配备CGFU循环气体单元、无需载气钢瓶仪器小巧轻便，便携性能好操作简单，便于上手软件功能强大，数据可视直观化应用领域呼气与肺部疾病的研究呼气中VOCs的大数据收集伤口细菌感染类型的确定ICU中毒病人的毒物判断麻醉剂量与人体呼气的关系研究人体皮肤释放的气体检测药物代谢过程的监控 技术参数工作原理气相色谱-离子迁移谱（GC-IMS）电离源β射线源（氚3H）放射性强度300MBq 低于GB18871-2002《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》附录A 豁免中规定的豁免界限漂移电压极性正极和负极，可切换采样方式由精准肺活量计控制直接经吹嘴呼气取样、动态取样或静态取样检测限低于ppbv级别动态范围1-3个数量级显示器6.4”TFT屏幕，VGR显示输入单元旋转脉冲编码器 ESC按键处理器400MHz x-Scale数据采集超速ADIO板数据处理X板/主板数据存储2GB闪存通讯接口RS232/USB/以太网电气连接2个D-Sub 9孔（用于调制解调器和控制器）D-Sub 15孔（用于外部设备）RJ45（用于数字调制解调器或SSH) 2个USB-A电源100-240V AC, 50-60Hz（外部）24V（DC）/5A, XLR连接器（内部）耗电量180W尺寸449×375×177mm（长×宽×高）重量15.5kg外壳19英寸、IP20防护级别、EMC（电磁兼容性）认证冷却系统轴流风扇、根据温度调控风速，最大5.5m3/h气体接头3mm不锈钢Swagelok接头，用于漂流气入口，样品气体进口和出口，载气进口及IMS气体出口

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

电镜制样设备台式离子研磨抛光仪 SEMPrep2智能便捷的使用体验先进的操作界面提供了从初学者到专家用户的最佳操作模式。并且 SEMPrep2 提供了全自动的预设参数，使得用户可以一键进行几乎无需干预的样品制备。用户也可以无限制地创建、编辑、保存和加载众多参数文件（可与您的合作方共享这些参数文件！）。出厂的软件中可根据您的样品需求包含适配的预设参数。“快速且无损” 基于 Technoorg Linda 独家的离子枪技术，SEMPrep2 的两支离子枪提供了市面上最广的能量范围。在超高能量范围中(10 keV 以上)，该系统可达到极高的溅射速率。进行快速高能量研磨之后，专利性的低能离子枪可用来轻柔地清洁样品表面，以获得完全光滑无损的样品表面。样品冷却 为了满足所有可能存在的需求，SEMPrep2 提供了两种不同的冷却方式选项：建议对热敏感或冷冻样品进行液氮冷却。使用此选项，可以大大降低样品温度并将其控制在零度以下范围内。 珀耳帖冷却（电制冷）是防止过热的轻柔保护，它有助于将样品保持在室温附近。快速自动的换样过程 独特的真空锁和电动样品台设计提供了快速、简便的换样操作，且不需要太多的人为操作。 真空锁可保护工作腔中的真空度，从而为用户节省大量时间和精力。独特的样品台范围为了提供最佳的配置便于使用，SEMPrep2 提供了各种各样的样品台。 对于截面抛削，可以使用 30°、45° 和 90° 的预倾角样品台。专业用户和特殊应用可使用精度为 2 μm 的电动样品台。 新一代的平面抛光样品台可提供令人印象深刻的研磨面积，其研磨面积即使是工业用户也满足需求。

常压室温等离子体（ARTP）同传统的低气压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪（ARTP Mutagenesis Breeding Machine）。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。非转基因手段，保证生物的安全性使用范围广，突变性能高专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大操作简便安全，易维护、运行费用低 截止到2022年08月29日，中文文献404篇，英文文献167篇，专利230篇，学位论文165篇，共计966篇。分类技术参数整机功率1000W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm操作室环境洁净室（百级洁净无菌风）样品处理系统7个样品连续处理和自动收集冷却系统内置制冷系统等离子体射流温度≤37℃工作环境要求温度15~25℃，湿度≤60%应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等)应用案例案例一：应用ARTP筛选耐高盐环境突变菌株经等离子体处理后，阴沟肠杆菌在含有7.5% NaCl的培养基中培养时出现耐盐突变株，对TPH的降解百分数比出发菌株高2.5倍，而且将突变株培养于LB + 9.0% NaCl条件下时，可快速地将K+积聚于细胞内、将EPS积聚于细胞外。（耐盐阴沟肠杆菌的选育及其在油盐污染土壤修复中的应用[D].花秀夫.清华大学 2009）案例二：细菌领域成果多、效果显著筛选到高产L-亮氨酸的突变株，产量达到18.55 mg/g，比出发菌株提高2.91倍。（Nature Communications，9（2018））案例三：霉菌产色素能力大幅度提升突变菌株产橙、黄色素能力比出发菌株分别提高136%、43%。（核农学报，2016,30（4）：654-661）

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

主要特点：1.进水水源：城市自来水2.产水：RO水、去离子水3.控制系统：彩色全触屏4.产水量：5-10L/H 60-120L/D5.产水水质：去离子水：13-17.5MΩ&S226 cm@25℃，离子去除率＞99.9%；细菌去除率＞99%；微生物＜1cfu/ml，重金属离子＜0.1ppb，TOC＜10ppb，完全符合GB6682-2008、ASTM、CAP、CLSI、EP和USP制定的I级水质的高标准；应用领域：超纯水系统进水、玻璃器皿清洗、微生物分析、样品稀释和试机制备、生产工艺用水、普通化学和定性分析、水分析及通用HPLC、分光光谱测量、高压蒸汽灭菌器、清洗机、恒温恒湿箱、盐雾试验箱、老化仪、增湿机等一起的供水等。特点与优势：● 以自来水为源水直接生产纯水和超纯水的一体化系统；● 两行液晶显示，三个触摸式按键，一键式操作；● 纯水、超纯水水质双路在线监测；水温在线检测；● 清洗、循环误操作保护；● 漏水及低压预警保护；● 纯水管路、接头均获 NSF 认证；● 采用美国陶氏 DOW 原装进口 RO 膜，确保 RO 膜的长寿命与高品质产水的结合；● 电导率仪电阻池常数：0.01cm-1，温度灵敏度 ±0.1℃，带温度自动补尝功能；● 采用低压 24VDC 为主电源供电，符合安全规范。ABS 工程塑料机箱，水电分离结构，满足潮湿环境使用，不会对人身造成伤害，超低辐射。采用先进的电磁兼容设计，具有抗干扰能力强，噪音小等特点；● 160*80*390mm一体化两柱纯化组模块。全身柱体采用食品级 PP 材质，热熔设备一次注塑成型，无任何粘接剂，无任何杂质析出。内装3L美国陶氏DOW原装进口纯化精密级树脂，出水水质高可达到13-17.5MΩcm。通用技术参数 产品型号GREEN-Q2-5TGREEN-Q2-10T进水要求*城市自来水：TDS＜200ppm,5-45℃，1.0-4.0Kgf/c㎡(进水TDS＞200ppm时，建议选配外置软化器)系统流程**PP+UDF+UDF+PP+RO+DIDI去离子水指标： 电阻率13-17.5MΩcm@25℃重金属离子0.1ppb颗粒物（0.2um）1/mlRO反渗透指标： 离子截留率99%（使用新RO膜时）有机物截留率＞99%（MV＞200道尔顿时）颗粒和细菌截留率＞99%产水量（25℃）***5L/H10L/H瞬间出水量1.5-2.0L/min（需配压力桶）出水口2个：RO反渗透水，DI去离子水尺寸/重量尺寸：（宽 × 深 × 高 ） 315×440×470mm/ 约 18Kg电源/功率/噪音220V50HZ&S194 /&S194 50~80W/50db标准配置主机（含1套纯化柱）+外置12升压力桶+附件包 进水水质将影响纯水的质量和纯化柱的使用寿命PF:预处理 PP：一体化PP棉 UDF: 一体化活性炭 RO:反渗透 DI：离子交换 UV：紫外灯杀菌器 UF：超滤 TF：终端过滤器进水TDS=200ppm,25℃，50psi和15%回收比例下测得

RMEC MIP600/700系列 Plasma AsherMIP600/700采用了日本WINS株式会社自主研发设计的Balanced ICP (Inductively Coupled Plasma) 高速光刻胶剥离机。MIP600/700具备了高产能，高剥离率和高密度的等离子在运行中可能对硅片表面的伤害的控制系统，从而有效的提高了芯片产品的良率。MIP600/700采用简单，灵活，小型，低污染的硅片运转模块，成功的缩小了设备的面积尺寸。简单的设计大幅度的降低了设备生产和在线运作的成本。MIP600/700综合了日本最先进的等离子光刻胶剥离技术，在中国，日本，台湾，韩国广泛应用并得到了客户的一致好评。睿励微电子设备(上海)有限公司携手日本WINS株式会社将此技术引进中国和在国内生产可以进一步降低设备生产成本和客户的在线生产成本。MIP600/700系列主要性能和功能：下游等离子光刻胶剥离技术 Downstream Plasma Asher300毫米硅片 (300mm wafer)可达到硅片后段芯片生产的低温要求可选用双等离子腔体或单等离子腔体 Two or one process chamber selectable高浓度离子注入后除胶High Dose Ion-Implant Strip (HDIS)高产能 High Throughput高稳定性 High reliability 高光刻胶剥离率 High Ashing Rate高光刻胶剥离均匀度 High Uniformity低设备生产成本和硅片在线应用成本 Low manufacturing and running cost

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（A）全自动RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

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【产品简介】阴离子洗涤剂快检工具箱RE0037 未清洗干净餐具上残留的洗涤剂与检测试剂发生反应，形成蓝色络合物，从而检测出餐具是否清洗干净。 阴离子洗涤剂快检工具箱RE0037配置清单如下：【试剂用途】检测餐具洁净度 【适用范围】各种餐饮具 【储存及有效期】1.4-30°C密封避光保存；2.本产品有效期为12个月；3.生产日期、有效期及批号见外包装。 阴离子洗涤剂快检工具箱RE0037 注意事项1.本方法用于现场快速测定，对测定结果不符合国家标准规定值或标签标示值的样品应重复测定三次，对于阳性样品建议送样品至实验室或法定检测机构做精确定量。2.如需检测的控制点有肉眼可见的污垢，没有必要浪费试剂去检测洁净度。3.检测管需要用新的离心管。4.达到规定的显色时间后，请及时吸出下层液体与色卡进行比对，否则会导致结果判断不准确。5.实验过程中请做好安全防护措施，佩戴一次性手套和口罩，谨防实验试剂直接接触皮肤。6.检测液B，易挥发，使完后及时盖紧盖子

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A