辅助继电器

p 　　11月10日，Analog Devices, Inc. (ADI)宣布在开关技术领域取得的重大突破，提供用户期盼已久的替代产品，以取代100多年前即被电子行业采用的机电继电器设计。由继电器导致的多种性能局限早在电报问世之初就已存在，ADI公司全新的RF-MEMS开关技术解决了此类局限，从而能够开发出更快速、小巧、节能、可靠的仪器仪表。随着采用该技术的产品正式发布，原始设备制造商(OEM)能够显著改进自动测试设备(ATE)以及其他仪器仪表的精确性和多功能性，以帮助客户降低测试成本和功耗，缩短产品上市时间。未来的MEMS开关系列产品将在航空航天和防务、医疗保健以及通信基础设施设备等行业内取代继电器，让这些行业的OEM能够为客户提供体积相似，但功耗和成本更低的产品。 /p p 　　ADI公司将MEMS开关技术真正投入商用Analog Devices, Inc. (ADI)，今日宣布在开关技术领域取得的重大突破，提供用户期盼已久的替代产品，以取代100多年前即被电子行业采用的机电继电器设计。作为全新产品系列的第一代产品，与传统机电继电器相比，ADI公司的ADGM1304和ADGM1004 RF MEMS开关的体积缩小了95%，速度加快了30倍，可靠性提高了10倍，而功耗仅为原来的十分之一。 /p

一、项目基本情况项目编号：0730-236112020528/01项目名称：高效低碳燃气轮机试验装置国家重大科技基础设施-高效新型循环试验台辅助设备采购及试验台安装调试预算金额：2773.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：2773.0000000 万元（人民币）采购需求：（1）名称：高效新型循环试验台辅助设备采购及试验台安装调试（2）数量：1套（3）简要技术需求或服务要求：高效新型循环试验台以湿空气为工质，燃气轮机额定功率10MW，额定流量约70kg/s。采购内容主要为1）辅助设备，主要包括阀门、管道、泵、仪表、电气等；2）试验台的安装，包括湿化塔、后冷器、水换热器、水泵等主要设备及管道、仪表、阀门、电气等辅助系统；3）试验台设备单体和循环系统的调试。合同履行期限：具备设备安装条件后5个月内完成机械竣工、中间交接；配合联合调试及试验台整体试运行。本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间：2023年09月12日 至 2023年09月19日，每天上午9:00至12:00，下午12:00至16:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：中航招标网（http://bid.aited.cn/）方式：中航招标网线上购买（http://bid.aited.cn/）售价：￥1000.0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：中国科学院工程热物理研究所　　　　　地址：北京市海淀区北四环西路11号　　　　　　　　联系方式：李晓杰 010-82543672　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：中航技国际经贸发展有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：北京市朝阳区慧忠路5号远大中心B座14层　　　　　　　　　　　　联系方式：常帅、周磊 010-84892557/010-84892580　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：常帅、周磊电　话：　　010-84892557/010-84892580

先进半导体材料是全球半导体产业发展新的战略高地。当前，美国及其伙伴国将一些关键材料、生产装备列入管制清单，危及我国半导体产业和相关工业体系的安全。实现我国先进半导体材料、辅助材料、关键技术、重要装备等的自主可控刻不容缓。　　中国工程院院刊《中国工程科学》2020年第5期发表《中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究》。文章在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上，客观分析我国半导体材料及辅助材料发展面临的挑战，提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路，制定了面向2025年和2035年的发展目标。　　同时，要推动先进半导体材料及辅助材料重大工程建设。最后，从坚持政策推动，企业和机构主导，整合国内优势资源 把握“超越摩尔”的历史机遇，布局下一代集成电路技术 构建创新链，进行创新生态建设等方面提出了对策建议。　　一、前言　　经过60多年的发展，全球半导体材料出现了三次突破性的发展进程。第一代半导体材料Si和Ge奠定了计算机、网络和自动化技术发展的基础，第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)奠定了信息技术的发展基础。　　目前正在快速发展的第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、氮化铝(AlN)、金刚石(C)等，主要面向新一代电力电子、微波射频和光电子应用，在新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子、新一代显示等领域有广阔的应用前景，成为全球半导体产业发展新的战略高地。　　我国的半导体材料和器件，长期依赖进口，其中高性能芯片完全依赖进口，受制于人的问题突出。除芯片设计与制造能力薄弱外，半导体单晶硅和大量辅助材料的国产化水平不足，进口依赖程度较高，如在电子气体、光刻胶和抛光材料等3种典型辅助材料领域，国内企业生产的产品市场占有率分别仅占30%、10%、10%，亟需提升我国半导体关键原辅材料的自主保障能力。　　中美贸易摩擦的升级和2020年新型冠状病毒肺炎疫情的出现，将对全球先进半导体材料和辅助材料供应链安全与产业链分工产生持续影响。目前，美国及其伙伴国将一些关键材料、生产装备列入管制清单，危及我国半导体产业和相关工业体系的安全。因此，实现先进半导体材料、辅助材料、关键技术、重要装备等的自主可控刻不容缓。　　当然，随着以SiC、GaN为代表的第三代半导体技术和产业发展，未来高质量SiC单晶衬底及其同质/异质外延材料、大尺寸Si上GaN外延材料将在光电子、电力电子和微波/射频领域发挥重要作用。在新一代半导体材料领域，我国已经具备良好的产业化基础。　　新的半导体材料体系的出现，是一次与发达国家同台竞争的极佳机会，及时把握这一历史机遇，通过整合优质资源、突破核心技术、打造本土产业链，以期实现新一代半导体产业的自主可控。　　二、全球半导体材料及辅助材料的研发与产业发展现状　　1. 国外研发与产业发展现状　　在半导体 Si 晶圆领域，全球约有 94% 的市场份额由少数企业占据，如信越化学工业株式会社、胜高科技株式会社、环球晶圆股份有限公司、德国世创(Siltronic)公司和韩国海力士(SK Siltron)公司。在半绝缘 GaAs 单晶及其外延材料领域，全球约有 95% 的市场份额来自住友电气工业株式会社、弗莱贝格化合物材料公司和美国晶体技术(AXT)有限公司。　　在 GaN 体单晶材料领域，住友电气工业株式会社、日立电线株式会社、古河机械金属株式会社和三菱化学控股集团等的代表性企业可批量提供 2~3 in(1 in=2.54 cm)GaN 体单晶材料，约占全球市场份额的 85% 以上，同时，这几家企业还可提供小批量 4 in GaN 体单晶材料。　　尽管我国已成为白光 LED 芯片及半导体照明灯具的生产大国，但在 LED 外延材料生产及其芯片制备技术方面较为薄弱，70% 以上的核心专利技术由美国、日本、德国等国家掌握，如汽车前灯等高端应用所需的功率型白光 LED 芯片主要是由美国流明(Lumileds)公司提供。　　目前，SiC 单晶衬底领域形成了美国、欧洲、日本三方垄断的局面。其中，全球最大的 SiC 单晶供应商是美国科锐公司，占 85% 以上的全球市场份额。　　在集成电路辅助材料方面，光刻胶的市场集中度非常高，少数企业基本垄断了全球光刻胶市场，代表性的企业有日本合成橡胶株式会社(JSR)、东京应化工业株式会社、住友化学株式会社、信越化学工业株式会社、罗门哈斯公司等。　　在掩膜版方面，美国福尼克斯(Photronics)公司、日本印刷(DNP)株式会社、日本凸版印刷(Toppan)株式会社三家公司占据了全球 80% 以上的市场份额。在集成电路用抛光液方面，市场主要由美国卡博特(Cabot Microelectronics)公司、荷兰阿克苏诺贝尔公司、德国拜耳公司、日本富士美株式会社等企业垄断，占据了全球 90% 以上的市场份额。　　2. 国内研发及产业发展现状　　到目前为止，在晶圆制造方面，我国新增 8 in 硅片设计产能将超过 3.5×106 片/月，新增 12 in 硅片设计产能将接近 5×106片/月，芯片制造能力达到全球的 30% 左右。　　依托宽禁带半导体 GaN 和 SiC 材料的发展，我国在衬底单晶生长、外延材料等方面已具有了较强的技术研发和产业化竞争力，蓝宝石基 GaN 外延材料已形成具有 7000 亿市场规模的半导体照明产业，Si 基 GaN 外延材料开始在快充产品中应用 4 in SiC 高纯半绝缘和导电衬底及其异质(GaN)外延和同质(SiC)外延材料已实现量产，分别在微波射频和电力电子领域得到广泛应用。　　在光纤通信技术的推动下，我国在 GaAs 单晶及外延材料技术方面取得突破，为近红外激光器以及光纤通信产业的发展提供了有力支撑。　　在光刻胶方面，我国的代表性生产企业有北京科华微电子材料有限公司、苏州瑞红电子化学品有限公司和潍坊星泰克微电子材料有限公司，生产的产品已经批量用于集成电路制造领域。目前已经实现量产的是 G/I 线光刻胶，正逐步通过芯片企业认证并开始小批量生产 KrF 光刻胶，2020 年 ArF 光刻胶能取得突破并完成认证。但是，国内尚未具备极紫外光刻(EUV)和电子束光刻胶的研发与生产能力，亟需突破。　　在超净高纯试剂方面，上海新阳半导体材料股份有限公司生产的超纯电镀硫酸铜电镀液已进入中芯国际集成电路制造有限公司的量产工艺制程，浙江凯圣氟化学有限公司生产的高纯氢氟酸已通过多条 8 in 和 12 in 生产线的认证并供货，苏州晶瑞化学股份有限公司开发的钛钨蚀刻液已实现进口替代。　　经过多年努力，国产电子气体也取得明显突破，WF6、C2F6、AsH3、PH3 等气体品种已大批量应用于国内 8 in 生产线，Cl2、HCl、HF、N2O 等一批产品正在 8~12 in 生产线进行应用验证，部分品种的激光气体也开始供应国内晶圆制造企业。　　在化学机械抛光(CMP)材料方面，国内企业研发的铜/铜阻挡层抛光液已进入国内外多家集成电路制造企业的最新技术节点制程 三维(3D)硅通孔(TSV)抛光液在全球处于领先地位，钨抛光液逐步开始供应全球各大晶圆制造企业 CMP 垫、修整盘也进入评价验证阶段。　　我国靶材产业发展速度很快，以宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司为代表，实现了半导体行业用全系列高纯金属材料、溅射靶材和蒸发膜材的产业化，包括 Ta、 Cu、Ti、Co、Al、Ni、Au、Ag、Pt、Ru 及其合金。其中，超高纯金属 Ta、Cu 等溅射靶材已成功通过台湾积体电路制造股份有限公司的考核，在 14 nm / 16 nm 技术节点的生产线实现了批量应用，在 10 nm / 7 nm 技术节点进行评价试用。　　总体而言，近年来我国半导体产业基础化学品产业取得了较大进展，伴随着国内对集成电路和半导体产业的高度关注，在晶圆制造、宽禁带半导体材料、光刻胶、超净高纯试剂、电子气体、CMP 材料、靶材等方面产业发展势头良好，但与高速发展的产业需求相比，仍存在整体生产能力较弱、研发能力不足等问题未得到根本改变，亟需进一步突破。　　三、我国先进半导体材料及辅助材料的发展思路与目标　　1. 发展思路　　为促进半导体产业的发展，我国先进半导体材料及辅助材料今后的发展思路为：构建梯次发展的半导体材料体系，每一个材料体系做到单晶、外延、芯片工艺、封装等上下游协同，不断创新，推动先进半导体材料及其辅助材料的可持续发展。　　第一，成体系发展。自半导体材料诞生以来，从 Si、Ge 到 GaAs、InP，再到 SiC、GaN，可以看出，半导体相关技术和产业的发展都是围绕主要材料制备、器件工艺需要和芯片来进行的，并逐渐发展为一个完整的材料体系。基于此，在不断完善我国 Si 基材料体系的同时，要及时把握各种新型化合物半导体材料的技术突破和产业化应用的机会，构建自主可控的新型半导体材料体系。　　第二，上下游协同发展。半导体产业链包含原材料、单晶生长和外延、芯片设计与制备工艺、封测与应用以及支撑各环节的核心装备与关键零部件等环节，产业链长且各环节工艺复杂，任一环节出现问题都将导致最终的器件性能不达标。因此，要以提供满足应用需求的器件为目标，通过上下游协同发展实现全产业链的整体技术突破。　　第三，可持续发展。在实施追赶战略的同时，我国先进半导体材料及辅助材料的发展还需要把握未来技术发展趋势，在不断积累已有技术经验的同时，关注新的材料体系、芯片结构和工艺的发展变化，积极探索与创新，确保可持续发展。　　2. 发展目标　　2025 年发展目标　　我国半导体材料及辅助材料 2025 年的发展目标是：核心半导体材料技术达到国际先进水平，相关产品满足产业链的安全供应需要，建立起全产业链能力，解除关键行业的“卡脖子”问题。　　(1)集成电路用半导体材料　　加强 12 in Si 单晶及其外延材料的技术研究，逐步扩大国产材料的市场应用份额。实现 8 in Si 材料国内市场的完全自主供应，确保 12 in 单晶 Si 及其外延材料产能及市场占有率，同时发展更大尺寸单晶 Si 及其外延材料的制造技术，确保我国集成电路产业的可持续发展。　　(2)功率器件用半导体材料　　抓住 Si 基电力电子器件产业转移的契机，做大电力电子器件的产业规模，加紧推进 SiC、GaN 电力电子器件产业化。实现 6 in 无微管缺陷 SiC 单晶的产业化制造，并突破 8 in 无微管缺陷 SiC 单晶制造瓶颈 实现 8 in Si 基 GaN 电力电子器件产业化，突破 12 in Si 基 GaN 材料关键技术，Si 基 GaN 电力电子器件满足消费类电子、数据中心服务器电源、工业电源和电动汽车对高效电源管理的更高需求。　　实现 6 in 半绝缘 GaAs 单晶衬底和 6 in 半绝缘 SiC 单晶衬底的自主供货，确保射频 / 微波器件用 GaAs 和 GaN 材料相关产业链的供应安全 突破 6 in GaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料的量产制造，达到“开盒即用”的技术水平 突破 6 in 半绝缘 SiC 衬底上 GaN HEMT 外延材料的生长和器件技术，为未来雷达、移动通信技术的发展提供技术支持。　　进一步提高 6 in InP 衬底抛光片的质量，扩大产能，并掌握毫米波器件所需外延材料的量产技术，达到“开盒即用”的技术水平，为第五代移动通信(5G)技术相关毫米波系统(如汽车防撞雷达、车间互连与通信系统)的产业链供应安全提供材料支持。实现 2 in 金刚石自支撑材料和 2 in Ga2O3 单晶衬底的量产，解决金刚石的 n 型掺杂和 Ga2O3 的 p 型掺杂问题。　　(3)发光器件用半导体材料　　应重视基于 GaN 的照明用发光器件以及基于 GaAs、InP 的光纤通信用半导体激光器，适当兼顾激光投影显示对 GaN 可见光激光器以及消毒杀菌用 GaN 紫外发光二极管，尤其是深紫外发光器件的发展 积极推动应用于显示领域的 Mini LED 和 Micro LED 技术产业化。　　(4)光电探测材料　　重点发展对特种光波长产生响应的光电探测器件、具有超快响应特性的光电探测器件以及超高灵敏的光电探测器件(单光子探测为超高灵敏光电探测的极限要求)。实现 GaN 紫外探测材料的完全自主保障，实现大尺寸 CdZnTe 单晶材料、HgCdTe 外延材料、GaAs / AlGaAs 量子阱材料、GaAs / InSb Ⅱ类超晶格材料的产业化，实现短波、中波红外探测器件及焦平面成像芯片的技术突破，突破长波红外探测材料、器件和成像芯片的发展，满足 100 万像素长波红外焦平面成像芯片以及 16 μm 甚长波红外探测器件的研制需要。保障超快响应光电探测器件及材料的供应链安全，满足我国高速光网的建设需要。　　(5)半导体产业制造/封装工艺和材料　　国产光刻胶、超高纯化学试剂及电子气体主要品种的市场应用占有率达到 30% 左右，实现特种品种的产业化认证，实现进口产品的部分替代，形成全品种、全系列产业能力。其中，KrF 光刻胶实现批量生产，ArF 光刻胶完成认证并进行小批量生产，突破高端光刻胶所需的树脂主体材料、光敏剂、抗反射涂层(ARC)等的关键技术。0.25 μm 到 0.18 μm 掩膜版实现完全自主可控，高档高纯石英掩膜基板突破关键技术。　　在抛光材料方面，进一步推进主要品种材料进入生产线。其中，Cu 及其阻挡层抛光液、TSV 抛光液和 Si 的粗抛液等全面进入 8 in 和 12 in 芯片生产线，市场份额从目前的 5% 提升至 50% 针对硅片的精抛和化合物半导体抛光，14 nm 及以下鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺抛光，Co、Rb 等金属互联材料和浅槽隔离(STI)工艺抛光等所需的抛光液，实现关键技术突破并小批量生产。　　CMP 垫(聚亚氨脂)产品在 8 in 和 12 in CMP 工艺中通过应用评估，实现产品供货。另一方面，针对金刚石、Ga2O3、AlN 为代表的新兴半导体材料加工需要，开发特种品种的抛光材料，并获得试用认证，形成初步产业能力。　　需大力发展大板级扇出(Fan Out)、TSV / 玻璃通孔(TGV)等新型封装工艺。开发出适用于 SiC、GaN、Ga2O3、金刚石等材料，满足高温、高压、高频和大功率需求的封装材料和工艺。　　全面发展新型、更高熔点温度的软钎料技术 开发高效、低成本瞬时液相扩散连接技术、低温烧结低温连接工艺技术，解决好银电化学迁移问题 突破具有良好导热和高温可靠性的封装基板材料技术，包括 AlN 和 Si3N4 及其他具备良好导热和高温可靠性的封装基板材料，突破活性金属钎焊在陶瓷材料上覆盖金属的陶瓷覆铜板(DBC)技术，解决陶瓷与金属的连接问题。突破新型制冷底板及与热沉连接技术，大幅度降低功率模块热阻，提升性能。　　2035 年发展目标　　我国半导体材料及辅助材料 2035 年的发展目标是：半导体材料整体技术水平达到国际先进，产业水平完全满足产业链供应安全的需要。　　(1)集成电路用半导体材料　　具备 18 in 单晶 Si 材料量产能力，完成 5 nm / 3 nm 节点集成电路材料的量产技术储备，突破关键装备技术，掌握材料批量生产技术，打通器件制造的全流程关键节点技术。　　(2)功率和高频器件用半导体材料　　实现 SiC、GaN、AlN、Ga2O3、金刚石等单晶材料的产业化制造。具体包括：6 in GaN 单晶衬底、 8 in SiC 单晶衬底、6 in AlN 单晶衬底、4 in 金刚石单晶衬底、6 in / 8 in Ga2O3 单晶衬底，确保整个功率和高频半导体产业多层次发展的技术需求 实现 8 in高质量SiC衬底上GaN HEMT外延材料的量产。解决金刚石的 n 型掺杂和 Ga2O3 的 p 型掺杂及其制备工艺难题，为下一代更高性能功率和高频半导体器件的产业化及大范围推广应用做好技术储备。　　(3)发光器件用半导体材料　　实现 AlN 单晶衬底上高 Al 组分 AlGaN 外延材料的产业化制造，突破深紫外发光国产器件制造技术，并实现产业化。　　(4)光电探测材料　　满足 1000 万像素长波红外焦平面成像芯片的研制需要，突破 18~20 μm 甚长波红外探测器件技术。　　(5)半导体产业制造/封装工艺和材料　　对于常规品种的光刻胶、超高纯化学试剂及电子气体，国产材料的市场占有率达到 50% 以上 对于特种品种的光刻胶、超高纯化学试剂及电子气体，国产材料的市场占有率达到 30% 左右，形成全品种、全系列产品的供应产业链。　　在抛光材料方面，国产常规品种产品的市场占有率超过 50% 为满足金刚石、Ga2O3、AlN 等新兴半导体材料加工需要所开发的特种抛光材料，国产化产品的市场占有率达到 30%。　　四、推动先进半导体材料及辅助材料重大工程建设　　1. 集成电路关键材料及装备自主可控工程　　需求与必要性　　集成电路关键材料及装备是影响集成电路产业发展的决定性因素。我国集成电路关键材料自主可控能力差，对先进集成电路发展需求极为迫切。在国家集成电路产业投资基金和现实需求的推动下，以市场为导向，“政产学研用金服”结合，着力实施集成电路关键材料及装备自主可控工程迫在眉睫。　　为此，需着重加强两方面建设：一是人才队伍建设，包括设置集成电路人才专项基金，加大核心技术人才的吸引力度 加强具有示范性微电子学院的高校支持，进行集成电路人才的可持续培养。二是稳定的资金供给。硅片制造属于重资产产业，产品验证周期长，周期性特点明显，约每 5 年一个周期，因此要对发展重点进行谨慎判断。　　工程目标　　通过本工程的实施，加强集成电路关键材料的产业化能力和可持续研发能力，扩大集成电路材料人才培养规模、丰富人才层次体系，主要的集成电路材料技术水平达到国际先进，产业水平基本满足产业链供应安全的需要，建立起全产业链供货能力，解除关键行业的“卡脖子”隐忧。　　提升 12 in Si 单晶及其外延材料的技术水平，以满足并进入主流代工厂 14 nm 及以下工艺节点为目标，在确保集成电路产业链安全的前提下，逐步扩大国产材料的市场份额。　　18 in Si 单晶及其外延材料研究，重点突破 18 in 单晶 Si 及其外延材料的制造技术，确保我国集成电路产业的可持续发展。　　通过 TSV、TGV 等新型 3D 集成技术研究，完成后硅时代集成电路的技术路线筛选，在掌握其材料制备技术的同时，打通后硅时代集成电路的全产业链技术，确保 2035 年后，我国在后硅时代集成电路领域的产业技术水平和关键行业的供应链安全。　　实现 12 in 及以下大尺寸 Si 单晶生长设备及大尺寸晶圆的加工设备自主可控 开发 18 in 单晶 Si 生长设备，为 18 in 单晶 Si 研制和产业化提供装备支持。　　工程任务　　在大硅片方面，结合大数据和云计算等技术发展需求背景，在国家集成电路专项科技计划资助的基础上，一方面，提升常规 12 in 高品质(满足 14 nm 工艺)硅片的制造能力，在 2025 年确保国内实现量产供应，同时打开国际市场，满足现阶段经济和社会发展需求 另一方面，进一步加强新技术的研发，建设 12 in SOI(绝缘衬底上的 Si)、射频微波用大尺寸高阻硅(HR-Si)衬底的生产能力 同时对 18 in Si 衬底进行技术储备，实现集成电路技术的可持续发展。　　在集成电路辅助材料方面，针对品种多、用量小、生产工艺稳定性差等问题，建立若干集成电路辅助材料工程中心，兼顾市场规律和产业供应链安全两方面因素，不断强化自主保障意识，优先实现量大面广的关键品种的全产业链自主保障，如G 线、I 线、ArF 光刻胶及配套试剂、Cu 及其阻挡层抛光液、TSV 抛光液、Si 粗抛液、60 nm 及 90 nm 以上制程产品的掩膜版等，确保产业供应链的相对安全。　　对标集成电路先进制程，开发 ArF、 EUV 和电子束光刻胶，高档高纯石英掩膜基板、掩膜保护膜，以及 Si 片精抛和化合物半导体抛光液， 14 nm 以下 FinFET 工艺和 Co、Rb 等金属互联材料、 STI 等抛光液，为半导体产业的发展提供技术及产业支持。　　在半导体关键设备方面，对国产品牌还需进行产业链及政策的重点培育。在国家科技重大专项“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”项目(02 专项)成果的基础上，加强对装备与材料、工艺一体化的研制，通过国产化装备验证平台，开展对装备可靠性和工艺稳定性的验证与考核，加速开展高端装备研制。总之，在解决有无问题的基础上，解决做大做强的问题。　　在人才培养方面，半导体专业人才特别是高端人才短缺，一直是制约我国半导体产业可持续发展的关键因素。设置半导体人才专项基金，加大核心人才引进力度 加快建设微电子产教融合协同育人平台，保障我国半导体产业的可持续发展。　　2. SiC 和 GaN 半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台　　需求与必要性　　经过近 10 年的发展，我国基本建立了以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体材料、工艺和装备产业体系。该类材料紧密围绕光电子、新能源、 5G 等热点应用，在未来 5 年内将迎来产业化发展的重要机遇。　　然而，同第一代半导体产业类似，我国第三代半导体产业的发展依然面临诸多问题，如产业链各环节所用的关键装备、仪器、耗材等多为进口，尚未实现技术、装备的自主可控，增加了产业供应链的不安全性 国产化装备、仪器、耗材难以与产业应用对接，不利于产业生态和各环节的健康发展 进口材料和装备一次性投入和后续维护价格昂贵等。为此，需要建立化合物半导体材料、辅助材料、工艺和装备国产化验证平台。　　工程目标　　建立 SiC 和 GaN 半导体材料生长、加工、芯片工艺和封装检测公共验证平台，实现 6 in / 8 in SiC 单晶衬底和外延材料生长的批量生产，国产化率达到 70% 6 in SiC 上 GaN 外延材料与高功率射频器件和 8 in Si 上 GaN 外延材料与功率器件实现量产，国产化率达到 70% 部分 6 in / 8 in 材料生长及加工装备、配套原材料和零部件实现国产化批量替代，装备国产化率达到 70%。　　工程任务　　化合物半导体材料、辅助材料、工艺和装备国产化验证平台的工程任务主要包括：晶体材料生长设备及其辅助原材料、零部件验证，晶体材料切、磨、抛加工材料与设备验证，芯片工艺装备、工艺流程、原辅料与关键零部件验证，封装与检测装备、流程、原辅料与关键零部件验证。　　加强前瞻性技术人才团队培养，围绕半导体材料研究前沿方向，组建技术人才团队。积极引进产业发展所需的高层次人才和紧缺人才，同时加快建设和发展职业培训教育，大力培养专业技术人才，提高产业技术队伍整体素质，完善面向半导体材料产业的人才服务体系。　　拓展国际合作空间　　采取“走出去和请进来”相结合的方式，创新国际合作模式。鼓励国内有实力的企业和科研机构在国外设立半导体研发机构，并开展与国外半导体企业、科研院校的研发合作。支持国内企业和机构并购境外半导体企业，积极参与国际技术和产业联盟，拓展国际合作渠道，提升国际资源整合能力，实现国际化经营。　　在国内有条件的地区，建立国际技术合作、技术转移、成果孵化、成果产业化、科技服务等有特色的国际合作区域，吸引有实力的跨国公司和机构以独资或合资方式在国内建立高水平的研发中心、生产中心和运营中心，以此带动国内行业和企业对接国际资源。