双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 磁控溅射技术原理 在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收,避免高能电子对极板的强烈轰击,消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤,体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在,电子的复杂运动增加了电离率,实现了高速溅射。磁控溅射技术特点 成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜技术参数 QBT-P 技术参数 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备)超高真空腔体 UHV Chamber2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure3E-9Torr排气速率Pumping Spead从ATM到1E-7Torr20min (loadlock)基板加热 Wafer HeatingRT-900oC离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%磁控溅射SputteringDC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO工艺展示
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