高频探针仪

产品简介：DN 系列探针台，是一款适用于 4-12 英寸晶圆的精密探针台。 该系列探针台采用高刚性显微镜龙门设计，结构稳定 ，显微镜平移台可进行 X-Y-Z 方向精密位移调节，显微镜放大倍率高，操作方便 ， 同时支持多种功能的升级，非常适合晶圆级的测试应用。该产品主要应用于集成电路、 芯片、MEMS 器件、 管芯晶圆、 LED、 LCD、 太阳能电池等行业的测试及研究领域。产品优势： 显微镜具备高刚性龙门支架且搭配气动升降，保证高质量光学成像质量。 卡盘同时具备快速和微调升降，便于样品和探针快速分离，也可以用于探针卡的扎针。 可升级性强，可升级 220G 高频，也可以集成光电流扫描成像或拉曼-瞬态荧光寿命成像系统等。

GTL系列高精密度板件高频双面探针台品牌：GigaTest(一) 设备与工作原理说明 GTL是专门为高性能、高速与高频基板设计的量测平台，除了提供一般基板量测时所需要的基本点针的需要之外，更采用了GTL多年在信号完整性(Signal Integrity)量测上的经验与独自开发出来在高性能基板量测时所需要的特别功能整合而成。 GTL独家提供许多专门为信号完整性量测而设计的功能，例如：可适应各种大小尺寸的基板、可同时做机板双面量测与校准、遥控针座定位等，都是目前设计生产能达到国际化高性能基板所需要的设备能力，且目前国内生产的设备并不具有这些功能。 (二) 设备及配件的图片 除了机台本体机械上的设计须达到各项高性能基板量测的要求，例如板件的固定、下针(X-Y-Z-Planarization)的调整与定位、旋转、稳定、便于观察等，GTL5050系统也整合了特别为高性能基板量测所需要的配件：高精密度可调整高频针座：含X-Y-Z与平面度调整远程控制马达带动高频针座：含整合式的摄像头与光学配件，含远程控制器高频探针头与校准片(三) 设备的特性l GTL的一般特性如下l 直立式双面板件探针台l 可测大到20” x 30”的待测板件l 适用于多种测试结构l 可安装多至8个高频针座l 固定稳固的针座底座l 可移动平台含位置锁定装置l 远程摇杆控制针座l 整合式摄像头，易于观察与点针l 整合式上方观察用显微镜，显微镜光源系统l 高分辨率彩色摄向系统 (四) 设备的主要功能适用于各式高性能基板的设计、建模、侦错、量测、品管等

RF探针座 RF探针座适宜配合高频探针使用， 森东宝科技CB-100以及CB-200均可做射频探针座. RF探针座参数 型号：CB-100-RF ◆ 台湾原装进口◆ 磁力开关底座◆ X-Y-Z 方向的移动行程为12mm◆ 100牙/英寸◆ 移动精度：0.7微米◆ 射频探针调节机构◆ 多点探头调水平旋钮,可以+-10°调节，精度0.1度◆ 建议搭配高频探针使用（40GHZ-110GHZ)◆ 尺寸：94x75x95 mm (W x D x H)◆ 重量 : 750 grams 型号：CB-200-RF ◆ 台湾原装进口◆ 磁力开关底座◆ X-Y-Z 方向的移动行程为20mm◆ 100牙/英寸◆ 移动精度：0.5微米◆ 射频探针调节机构◆ 多点探头调水平旋钮,可以+-10°调节，精度0.1度◆ 建议搭配高频探针使用（40GHZ-110GHZ)◆ 尺寸：112mm(W)x86mm(D)x108mm(H)◆ 重量 : 720 grams

射频0.7um探针座产品介绍谱量光电TPLR系列射频探针座是一款集成进口细牙丝杆以及进口交叉滚珠导轨，这个保证了我们在探针的运行过程中的稳定性以及精度，底部匹配日本进口超强磁性底座，可以通过开关调节磁性的有无，超强磁力，稳定性高，探针移动不偏移，集成射频专用夹具，水平角度0-30°可调，方便了我们调整射频针尖状态，方便我们完成射频测试！射频0.7um探针座产品说明探针位移精度0.7μmXYZ位移行程20mm点测角度0-30°射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300kHz～300GHz之间。射频就是射频电流，简称RF，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。射频（300K-300G）是高频（大于10K）的较高频段，微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。谱量光电TPLR系列射频探针座集成进口细牙丝杆以及进口交叉滚珠导轨，保证了我们在探针的运行过程中的稳定性以及精度底部匹配日本进口超强磁性底座，可以通过开关调节磁性的有无，超强磁力，稳定性高，探针移动不偏移，集成射频专用夹具，水平角度0-30°可调，方便了我们调整射频针尖状态，方便我们完成射频测试！模块介绍通用型0.7um探针座通用参数探针座位移精度0.7um探针座位移行程XYZ20mm点测角度0-30°移动方式线性移动底座固定方式磁力吸附（可升级真空吸附，固定安装）应用RF测试，兼容常用射频探针产品示意图射频0.7um探针座应用领域RF测试等，可配合40GHZ/50GHZ/67GHZ/110GHZ射频探针使用谱量光电根据客户实际应用需求，定制配套探针台系统，以达到更好的测试效果及更高的性价比，具体信息可联系详询公司介绍 南京谱量光电科技有限公司是一家专业从事集光电仪器、精密机械、计算机软硬件于一体的技术创新型企业。主营激光器、探针台、积分球、光电测试系统、光学机械、物理成像设备、光学设计镀膜及多种光电类测试服务。产品主要服务于物理光学、电子、材料、化学、生命科学等相关科学领域。谱量光电总部坐落于江苏南京，在济南设有生产中心，公司拥有成熟的研发及运营团队，我们坚持从研发设计、制造选型、装配调试等环节做好产品全方位质量保证。公司自成立运营以来，已成为国内科研用户的优选品牌，产品得到了众多高校、科研院所等高水平实验室的应用。我们一直以客户需求为导向，秉持“专业、品质、服务”的经营理念，为客户提供值得信赖的产品和服务体验。我们相信谱量光电的产品和技术将得到客户越来越广泛的应用和赞誉，我们愿意与广大客户和合作伙伴携手，共同在“科教兴国、科技强国”时代创造价值，实现共赢！ 为我国的光电子产业发展做出自己积极的贡献。企业文化： 企业愿景：产研融合，创新发展，赋能国内产学研革新！核心价值观：诚信、专注、创新、共赢技术理念：不断超越，追求完美服务理念：专业、贴心、及时、周到

产品简介：该款型号是一种可以分析从射频DC~67GHz到高频波的设备。由于射频探针头可以从四个方向方便的使用，因此它的优点是能够测量不同区域的样品。此外，它还可以与直流并联使用。基本配置：- 8"真空吸盘- 漏电流：10fA- 射频40GHz~67GHz 2端口~4端口- X/Y轴移动范围：200x200mm（细调手柄，分辨率5um）- Z轴移动范围：10mm- 显微镜：90x（+CCD可达300x），更大倍数可订制- CCD相机：2.1M像素+22"液晶显示屏- 照明装置：可调节亮度- 真空针座：行程13mm；分辨率：1um ；精度：0.1um- 探针支架：θ微控制- 真空泵：低噪音真空泵其他选项：- 防震桌- 暗箱（屏蔽箱）- 加热台- 转接头插线板- 热夹头- ......

手动探针台 测试探针台半导体领域探针台 在集成电路的研发、生产制造、实效分析过程中，经常要量测内部的电参数，由于制成的越来越低，没有办法用简单的万用表、示波器的表笔来探测信号。手动分析探针台能很好的帮助工程人员实现微小位置的电学参数测试。Advanced在中国推出手动分析探针台近10年历史，销售实绩800多台，并且以每年的销量稳居行业销量榜首。行业知名客户有：友达光电、华映光电、奇美光电、群创光电、飞兆半导体、德州仪器、华虹集成、华为、电子五所、航天808所、航天201所、中科院微电子所、苏州中科院纳米研究所、复旦大学、上海交通大学、西安电子科技大学、温州大学、福州大学、厦门大学等等……手动探针台 测试探针台手动探针台 测试探针台型号： PW-600/PW-800规格：chuck尺寸150mm（200mm）X,Y电动移动行程150mm（200mm）chuck粗调升降8mm，微调升降30mm可搭配MOTIC金相显微镜或者AEC实体显微镜针座摆放个数6～8颗显微镜X-Y-Z移动范围2“x2”x2“可搭配Probe card测试适用领域：6寸/8寸Wafer、IC测试之产品手动探针台 测试探针台型号： PW-400 规格：chuck尺寸100mmX,Y移动行程100mmchuck Z轴方向升降10mm（选项）搭配AEC实体显微镜针座摆放个数2～4颗适用领域：4寸Wafer，如晶圆厂、LED、学术单位等 RF高频探针台 手动探针台 测试探针台东、南、西、北测试臂搭配美国GGB高频测试头DC~10/40/50/67GHZ （GSG,GS,SG）Pitch 100～1500um探针材料：BeCu/Tungsten

PXB-S系列探针台 PXB-S系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜和体式显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um。●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●显微镜支架万向杆PXB-S系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试 ●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-M系列探针台 PXB-M系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降PXB-M系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD& TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-E系列探针台 PXB-E系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 三阶抬杆， 微调移动行程为40mm，抬杆重复性精度为2umPXB-E系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析 ●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BE系列探针台PXB-BE系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 微调移动行程为60mm，抬杆重复性精度为1um●配置独立控制压力阀PXB-BE系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BET系列探针台 PXB-BET系列高低温探针台主要特点●搭配高低温系统， 最大范围-65℃到300℃●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●装片拉出装置， 定位锁住●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 一次性行程为6mm， 抬杆重复性精度为1um， 四点同步●配置独立控制气流阀PXB-BET系列高低温探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试 PXB-D系列探针台PXB-D系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜，体式显微镜 ●载物台气浮快速移动 ●可选配高压高流测试环境●platen上下结构，可正反面同时扎针 ●载物台双面镂空，可替换，一个镂空夹具，一个 载物台（两个吸附孔）●背置式直筒显微镜，zoom为0.58-7.5x ●Platen 微调行程为40mm，移动分辨率为1um， 四点同步PXB-D系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●PCB领域检测分析 PXB-W系列探针台PXB-W系列探针台主要特点●可选配110Ghz，220Ghz等测试环境 ●搭配高低温系统，最大范围-65℃到300℃ ●可选直筒显微镜，体式显微镜或金相显微镜 ●载物台气浮快速移动，三档控制，X轴独立控制， Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制 ●装片拉出装置，定位锁住 ●稳定型显微镜桥架，移动分辨率为2um，显微镜 气动升降 ●Platen 二阶抬杆，一次性行程为6mm，抬杆重复 性精度为1um，四点同步 ●配置独立控制气流阀PXB-W系列探针台应用领域●Microwave probing 微波量测(高频测试)PXB-PL系列探针台 PXB-PL系列探针台(定制型)针对PCB&LCD&OLED&MINI-LED研发的测试探针台主要客户：英业达，沪利，深南电路，美维，奥克斯，大金，龙腾光电，群策等PXB-VL系列探针台 PXB-VL系列探针台产品简介PXB- VL高低温真空探针台是我司自主研发的一款在极端环境下给样品加载电学信号的设备。可以实现器件及材料表征的IV/CV特性测试，射频测试 ，光电测试等。通过液氮或者压缩机制冷 ，可以在防辐射屏内营造一个稳定的测试环境。在特殊材料 ，半导体器件等研究方向具有广泛运用。一般用于相关单位实验室。 PXB-SA系列探针台PXB-SA系列探针台产品简介PXB-SA 系列探针台是一款在非真空条件下实现高低温环境的测试探针台。该产品采用气冷制冷 ，自动控温 ，设备配置非常丰富。自带屏蔽暗室 ，一方面可以屏蔽无线电磁干扰 ，另外一方面也可以保持氮气正压环境下样品在低温时无结霜。该产品多数用于相关单位实验室。PXB-SA系列探针台产品优势可搭配高低温温控系统,温度范围为-60-300℃可实现半自动测试微腔屏蔽

MPI TS2000-IFE 是一个自动化探针台，可以从使用一开始或在测试领域内任何需要时转换为带有 Waferwallet MAX 的全自动探针台。主要应用在负载拉动、RF、mmW、硅光子学、设计验证（产品工程）或在定义的测试环境中测试 MEMS 和其他传感器。MPI 同时推出用于太赫兹应用的 200 毫米自动探针台系统MPI 提供其200 mm TS2000-IFE THZ-Selection 自动探针台系统。THZ-Selection 是一种专用的射频、毫米波、太赫兹和负载牵引探针台，在 -60 至 300 oC 的宽工作温度范围内不会影响测量方向性。它基于 MPI 最通用的 200 毫米平台 - TS2000-IFE 系列。200 毫米晶圆的自动化在片测试探针台系统常用来执行以下操作：无需额外的 S 波段波导，尤其是在亚太赫兹或太赫兹范围内。最小化负载牵引应用的信号路径并提供最宽的调谐范围和最高GAMMA。切换频段时操作简单方便。MPI 专有的 IceFreeEnvironment 技术允许 THZ-Selection 在微定位器和探针卡的帮助下在负温度下运行。该测试系统能够通过具有可编程微观运动的集成探针控制提供晶圆级可靠性。主动隔振缓冲了测试过程中振动误差的发生。这些功能支持自动化测试，没有任何错误余地，并且具有可验证的准确性。

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

Avantgarde 室温真空探针台能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个室温真空测试环境，通过外接不同的电学测量仪器，可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测，用于室温真空环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。PSV系列室温真空探针台是一款专门针对室温真空电测环境开发的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行重复非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量和RF测量。特点1.真空腔极限真空度能够达到5E-4 mbar，通过真空泵连接KF25法兰抽真空。2. 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品，探针臂的位移调节在真空腔外操作，可以在不破坏真空的情况下，切换样品上的不同器件进行测试。探针臂可在X-Y-Z-R范围内进行四维调节，能满足最大4英寸范围内全部位置的扎针测试。3.真空腔材质为铝制材料，能够有效减小外界的电磁干扰，提高测试的精准度和稳定性。4.直流探针臂采用三同轴接头，漏电性能好，使用4200实测漏电流小于100fA @1V。5.独特设计的柔性探针，将探针安装到铜制弹片上，避免扎针过程中力量过大导致样品或电极损坏。6.可选微波探针臂，最高频率可达到110GHz。

半自动型chuck尺寸800mm/600mmX,Y电动移动行程200mm/150mmchuck粗调升降9mm，微调升降16mm可搭配MITUTOYO金相显微镜或者AEC实体显微镜针座摆放个数6~8颗显微镜X-Y-Z移动范围2"x2"x2"可搭配Probe card测试适用领域:8寸/6寸Wafer、IC测试之产品电动型chuck尺寸1200mm，平坦度土1u(不锈钢或镀金)X,Y电动移动行程300mm x 300mmchuck粗调升降9mm，微调升降16mm，微调精度土1u可搭配MITUTOYO晶像显微镜或者AEC实体显微镜针座摆放个数8~12颗显微镜X-Y-Z移动范围2"x2"x2"材质:花岗岩台面+不锈钢可搭配Probe card测试适用领域:12寸Wafer、IC测试之产品LCD半自动探针台机械手臂取放片电动、键入坐标寻位置量测尺寸(mm):1800x1600、1300x1200、1200x1000LCD手动探针台白炽灯或者LED整面背光TFT元件特性、Driver IC量测分析机台尺寸(mm):800x600、500x400、300x300PCB量测探针台(TDR)高频测试探头GSG / GS / SG频率10GHZ / 40GHZ / 50GHZ / 67GHZ机台尺寸同LCD 探针台

ARS 闭循环电磁铁探针台美国ARS 公司的PS-CC闭循环探针台用于样品的非破坏性检测，测试灵活，可提供0.6T的水平磁场并配备双极电源。该设备广泛应用于直流（DC），射频（RF）,MEMS, 纳米电子，超导性，纳米电路的光电特性，量子点和量子线，非破坏性测试等。 该款探针台使用DE204、DE210或DE215系列冷头，整个测试过程中无需使用任何制冷剂（液氦/液氮）。可根据不同测试要求，选用不同型号冷头，以便样品最低温度到达13K、10K、7K或 4K。所有的ARS闭式循冷头均采用高制冷量的一级冷头，该设计可使系统快速降温并最大程度降低系统热负载。气动驱动GM冷头一级制冷量高，固有振动小，是该领域的理想选择。 该系统配有硬涂层铝制真空罩和高抛光的无氧铜防热辐射屏。高质的真空器件至关重要，可以使样品获得更高的真空环境，更洁净的表面，更好的电接触。 ARS既生产冷头又生产探针台的一站式生产确保了该产品的稳定性能，也利于系统的诊断和服务。 The above picture shows the 4 probes connected to the vacuum chamber.This is a side profile of the table top and does not show the cryocooler underneath.The above picture shows the sample space inside the probe station.应用案例：● 电磁特性● 微波特性● 低频，高频特性● MEMS● 纳米电子学● 超导特性● 纳米器件光电性能● 量子点及纳米线● 单电子● 低电流物理特性 特点备注温度范围： 7K-400K其他温区可选样品区0.6T水平磁场样品区振动优于 1微米12英寸×5英寸不锈钢真空室5.5英寸 × 2.875英寸镀镍无氧铜防热辐射屏1英寸方形镀金无氧铜样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗多至4个三维微操作探针臂可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式闭循环制冷，无需液氦温度范围7K-400K（可选更高制冷量DE215冷头冷台温度 4K,安装高温隔热台高温度可达800K）磁场范围-0.6T至+0.6T磁体型号GMW5403EG磁场方向水平方向极面76毫米水冷需求：2升/分钟，0.8bar电源：双极型电源电压±20V电流±40A高斯计：LS475DSP霍尔传感器LS HGCT-3020温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约2.5小时至10K（DE204P冷头）真空腔无磁不锈钢真空腔12英寸×5英寸上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏5.5英寸 × 2.875英寸上盖蓝宝石冷窗热连接至1级冷头样品台镀金无氧铜样品台1英寸方形接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动三级减震，振动小于1微米温度计安装4个温度计，2套加热器4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD温度计安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD温度计安装于冷头位置用于诊断1个校准型CX-1070-CU-4L温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选）针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米单模或多模

产品简介：Magic-P300e是工程级探针台。配备精密晶圆校准，应用在三温低漏电流DC和高频/射频测试产品特点：精确测量的屏蔽环境全屏蔽室和外壳，降低且最小化AC和频谱噪声，确保低噪声的探测测试低漏电测量能力 精确的定位和移动精密且完全保护的三轴探针操纵手臂显微镜 XYZ针座，提供大范围行程和精确移动应用在同时探测多个操纵手臂的精确精细Z移动

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

ARS纳米级超稳超低振动型低温探针台的设计具有极大的灵活性，可用于无损器件测试。探针配置和系统设计可以根据您的具体实验要求进行定制。 系统标准温度配置为低温5K，可选450K和800K高温度选项。 探针台采用ARS闭式循环制冷机，ARS制冷机为气动驱动GM制冷机，它具有一级冷台制冷能力高和固有的低振动相结合的特点，使其成为纳米科学和敏感器件测量的理想选择。 ARS探针台都采用高质量的真空元件，高抛光的不锈钢真空腔室和镀镍的高纯铜辐射屏蔽提供了干净的样品环境。低发射率和高导热率的镀镍和铜防热辐射屏使样品台具有更大的冷却能力。 ARS不仅是探针台的生产商，也是制冷机的生产商，这确保了集成制造的一致性，并能对系统提供整体的售后保障。 应用案例：● 电磁特性● 微波特性● 低频，高频特性● MEMS● 纳米电子学● 超导特性● 纳米器件光电性能● 量子点及纳米线● 单电子● 低电流物理特性 特点备注温度范围： 6K-350K振动优于50纳米10英寸不锈钢真空室7英寸镀镍无氧铜防热辐射屏2.25英寸镀金无氧铜样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗多至6个三维微操作探针臂可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式闭循环制冷，无需液氦温度范围6K-350K（可选更高制冷量DE215冷头冷台温度 4K,安装高温隔热台高温度可达800K）温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约4小时至10K（DE2010S冷头）真空腔不锈钢真空腔直径10英寸上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径7英寸上盖蓝宝石冷窗热连接至1级冷头样品台镀金无氧铜样品台2.25英寸直径样品台连接接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准） 2英寸行程（可选）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动氦气减震， 30-50纳米（峰对峰）温度计安装4个温度计，2套加热器4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD安装于冷头位置用于诊断1个校准型DT-670-CU-4M温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选）针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米单模或多模 典型案例PS-CCMicro-photoluminescence cryogen-free probe station with custom piezoelectric-positioned XY motion.PS-CCUltra-low vibration probe station with XYZ motion and objective lens

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

1、 低温探针台工作原理：低温探针台可用来测试芯片、晶圆片和封装器件应用领域包括半导体、MEMS、超导、铁电子学、材料科学以及物理和光学等探针可以施加直流、低频信号或微波信号等（可选一到八探针）高效率连续流低温恒温系统使用液氦或者液氮可使温度控制在3K到475K（可选600K）各类无制冷剂制冷系统（Basetemperature:5K,8K,10K等）可施加各类磁场（永磁体、电磁体和超导磁体）2、低温探针台型号及技术参数如下：CPS-25-CF-HV-10K无氦低温探测台用于10K到460K成本效益，稳定，可靠，使用方便 可达25mm直径的晶片- 温度范围从4.5K到470K（0.1K或更好的精度和稳定性）- 闭环循环制冷机 - 高达25mmx25mm样品表征- 选择DC至67GHz的测量与合适的探头- 4 微控探针臂（最多8个，可以在可选的配置），以高度准确的XYZ和任选θ调整，具有可达4英寸X，1.75英寸Y和0.5的英寸Z- 热锚定探针针尖- 温控辐射屏蔽- 改进真空等度的组件的- 方便的顶部观察窗口（高纯度的石英）- 高频振动阻尼- 定制的高水平，以适应各种的探测需求详细参数可达25mm，50mm以上100毫米无液氦闭路循环制冷机，包括冷头，压缩机，制冷机和氦软管温度范围：低于10K到480K控温精度：0.1K温度分辨率：0.001K热锚探头武器和辐射屏蔽chuck温控（加热）盘变焦70系统（4UM分辨率）标准，缩小125或160变焦系统可作为选件，以及更便宜的解决方案同轴和环形照明LED照明数码相机从100万像素到10百万像素附带相机的图像和视频捕捉软件，以及尺寸测量能力软件进行计算机控制和温度监控。几个温度测试序列是预编程和定制序列可以由最终用户很容易地编程 CPS-100-CF-77K无氦低温探针台对于晶圆级测试在77K至480K- 成本效益，稳定，可靠，方便使用可达100mm直径的晶片- 温度范围从4.5K到480K（0.1K精度）- 闭环循环制冷机- 高达2英寸直径的表征样品- 选择DC至67GHz的测量与适当的探头- 4 微控探针臂（最多8个，可以在可选的配置），以高度准确的XYZ和任选θ调整，具有最多4英寸X，1.75英寸Y和0.5英寸Z- 热锚定探针针尖- 温控辐射屏蔽方便的顶部观察窗口（高纯度的石英）- 高频振动阻尼- 定制的高水平，以适应各种的探测需求详细参数可达25mm，50mm以上100毫米无液氦封闭循环制冷机包括冷头，压缩机，制冷机和氦要求软管低于77K到480K控温精度：0.1K温度分辨率：0.001K热锚探头武器和辐射屏蔽chuck温控（加热）盘窗口材料：熔融石英，定制材料和涂层可变焦70系统（4UM分辨率）标准，缩小125或160变焦系统可作为选件，以及更便宜的解决方案同轴和环形照明LED照明数码相机从100万像素到10百万像素附带相机的图像和视频捕捉软件，以及尺寸测量能力软件进行计算机控制和温度监控。几个温度测试序列是预编程和定制序列可以由最终用户很容易地编程 CPS-150-LN2/LHe-HV液体低温探针台适合全片的测试在5K至460K范围 具有成本低，稳定，可靠，方便使用等特点可达150mm直径的晶片- 温度范围从4.5K到470K（0.1K或更好的精度和稳定性，优于在低于250K50mK稳定性）无论是用液氮或液氦冷却均可兼容- 选择DC到110GHz的测量与合适的探头- 4 微控探针臂（最多8个，可以在可选的配置），以高度准确的XYZ和任选θ调整，具有最多4英寸X，1.75英寸Y和0.5英寸Z- 热锚定探针针尖- 温控辐射屏蔽方便的顶部观察窗口（高纯度的石英）- 高频振动阻尼- 定制的高水平，以适应各种的探测需求- 电动XY，XYZ或XYZ?夹头位置调整作为选项带有不同的范围和分辨率 详细参数175毫米D，最多3个辅助夹头可以安装液氮或液氦冷却温度范围：5K至480K可用控温精度：0.1K温度分辨率：0.001K热锚探头武器和辐射屏蔽窗口材料：熔融二氧化硅或石英，定制材料和涂层可同轴和环形照明LED照明数码相机从100万像素到10百万像素附带相机的图像和视频捕捉软件，以及尺寸测量能力隔振- 空气减震系统隔振表- 无振动隔离波纹管- 在卡盘振动30nm CPS-CF无氦低温探针台CPS-CF成本低，稳定，可靠，方便在非常低的温度对器件和电路的探测。内置隔振，智能热管理和工程热补偿，使这个系统非常适用于广泛的纳米电子学，从跨越应用程序（石墨烯研究，分子电子学等）。该系统采用闭式循环制冷机和专有的热管理，具有经济快速的操作。内置隔振的振动最小化符合行业标准的水平。超稳定的微操纵阶段允许在设备功能的探针尖端的准确和可重复的接触。探头和硅片夹的多种选择允许应用程序超精密，FA-规模的测量，射频测量等等 具有成本低，稳定，可靠，方便的使用的优点- 温度范围从4.5K到480K（0.1K精度）- 闭环循环制冷机 成本低- 高达2英寸的直径样品- DC至67GHz的测量- 4 微控探头臂（最多8个提供选装配置），高度精确的XYZ和可选θ调整-热锚定探针针尖- 温控辐射屏蔽方便的顶部观察窗口（高纯度的石英）- 高频振动阻尼- 定制的高水平，以适应各种的探测需求 详细参数可达50mm无液氦 封闭循环制冷机包括冷头，压缩机，制冷机和氦要求软管温度范围：4.5K到480K，6.5K至480K，10K到480K控温精度：0.1K热锚探头武器和辐射屏蔽chuck温控（加热）盘夹头和探针臂的温度监控窗口材料：熔融石英，定制材料和涂层变焦70系统（4UM分辨率）标准，缩小125或160变焦系统可作为选件，以及更便宜的解决方案同轴LED照明数码相机从100万像素到10百万像素附带相机的图像和视频捕捉软件，以及尺寸测量能力基于LabVIEW的软件进行计算机控制和温度监控，可以由最终用户很容易地编程空气减震系统隔振表- 无振动隔离波纹管低温探针台的特点：全自动真空探针台由美国MicroXact公司生产，该探针台通过真空系统、气体压力系统及自动化软件实现对系统真空腔内真空度的精确控制，通过光学显微镜及搭配的数字成像系统实现对测试晶圆影像的捕捉及存储，并通过软件控制自动马达根据设定程序实现晶圆测试过程中的自动对准及移动测试功能。同时配置的变温载物台通过加热和冷却装置实现样品的变温测试目的

主要参数： 适用于I-V/C-V/RF/亚微米级测试测试的探针座线性无后座力移动，磁性吸附，带磁力开关/真空吸附 X-Y-Z 行程为 13mm*13mm*13mm，精度0.7um 进口制造***牙具，100 牙/英寸 高刚性结构，弹簧消隙 X-Y-Z，稳定无间隙 可搭配同轴/三轴探针夹具/射频调节机构使用多点探头调水平旋钮，可以+-10°调节，精度0.1度适用于市面主流射频探针台和射频探针

四探针低电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式（选购）11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm13.净重量：约6kg14.标配外选购：1）.标四探针低电阻率测试仪本标准修改采用SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。本标准与SEMIMF84-1105和SEMI MF 397-1106相比,主要变化如下:--中厚度修正系数F(W/S)表格范围增加 一按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。本标准代替GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单品电阻率测定直排四探针法》。本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化:一一删除了锗单晶测定的相关内容 一用文字描述代替了原标准GB/T 1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格 --修改了直排四探针法中计算公式 --补充了干扰因素。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:--GB1552-1979、GB1551--1979、GB5251--1985、GB5253-1985、GB 6615-1986 GB/T 1551-1995、GB/T1552--1995。四探针低电阻率测试仪1范围本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法.本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1X10-Ω・ cm~3X10' Ω.cm.2环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。3干扰因素3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要排列成一直线的四根探针垂直地压在距离边缘6mm以上的平坦试样表面上,将直流电流I在两外探针间通入试样,测量内侧两探针间所产生的电势差V,根据测得的电流和电势差值,按式(1)计算电阻率。对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1.p=2xs￥..…………--…(1)式中:一电阻率,单位为欧姆厘米(Ωcm) V-测得的电势差,单位为毫伏(mV) I一通入的电流,单位为毫安(mA) S一探针间距,单位为厘米(cm).四探针低电阻率测试仪直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.5.2电学测量装置由下列几部分组成。5.2.1任何满足7.1.6要求的电路均可用来进行电学测量。推荐电路(见图2)包括下述几部分。电位选择开关恒流源标准电阻数字电压表0.001mA一100mA电流选择开关探针装置圈2推荐电路图5.2.2恒流源,电流范围为10-'A~10-*A,纹波系数不大于士0.1%,稳定度优于士0.05%。5.2.3电流换向开关。5.2.4标准电阻,0.01 0~100000Ω.0.05级.5.2.5双刀双掷电位选择开关,图2推荐电路需要这一开关来选择测量标准电阻或试样上电势差。5.2.6数字电压表,可用来测量以毫伏为单位的电势差或者连同电流源一起校准到能直接读出电压-电流比值。测量满量程为0.2mV~50mV,分辨率为±0.05%(3&half 位有效数字),输入阻抗大于10°倍试样电阻率。如试样电阻率仅限定在某一数值范围内,一个较小满量程范围就足够了。5.3样品架/台,用于固定试样的合适夹具。5.4散热器,用一直径至少为100 mm,厚为38 mm的铜块来支撑圆片试样和起散热器作用(图3)。它应包括一个容纳温度计的小孔,使温度计能放置在离试样10mm范围内的散热器中心区。散热器上放一片10 μm~25μm厚的云母片,使试样和散热器电绝缘。在云母片和铜块间、温度计孔中填充矿物油活动有机硅散热以减少热阻。散热器安放应能使探针尖端阵列中心在试样中心的1mm以内。散热四探针低电阻率测试仪GB/T 1551-2009器应与电学测量装置的接地端相连接。为了迅速对准试样中心,可在散热器表面加工一个与铜块同心的浅圆环。一样品云母片38mm温度计100mm图3带有样品、云母片和温度计的散热器5.5 研磨或喷砂设备,用以提供平坦的试样表面。研磨设备应能将圆片试样研磨到厚度变化不大于试样中心处厚度值的±1.0%，5.6机械或电子厚度测量仪,能测量试样不同位置的厚度,精度优于±1.0%。5.7千分尺或游标卡尺,分辨率优于士0.05 mm。5.8微移动机构,能以0.05 mm~0.10mm增量使探针装置或硅表面以垂直于探针尖端连线方向并平行于硅表面移动。5.9 工具显微镜,分辨率为1μm。5.10显微镜至少放大400倍。5.11温度计或其他测温仪器0℃~40℃,分度值为0.1℃。5.12欧姆计,能指示大于10°Ω绝缘电阻。5.13超声波清洗器,具有适当频率(18 kHz~45 kHz)和功率。5.14化学实验室器具(如塑料烧杯、量筒、处理和清洗酸及其蒸气所需的设备等)。6试样制备6.1 试样用W14#(粒径为10μm)金刚砂研磨上下表面,保证无机械损伤、无沾污物。6.2在不包括参考面或参考缺口的圆周上测量直径3次,计算试样的平均直径D。试样直径应大于10倍平均探针间距S,直径变化不大于D的D/5S%,记下D值。6.3在试样上测量9个点的厚度(见图4)。要求各测量点厚度与试样中心点厚度的偏差不大于士1.0%,记下试样的中心厚度W.

产品概要：MPI TS150-THZ是150 mm高频专用探针台，旨在对基板和150 mm晶圆进行精确分析。基本信息：TS150-THZ可以支持多种RF和毫米波(mmW)应用，例如高达1.5THz的宽带，带状波导，次THz，负载牵引和RF噪声。它提供了很强的功能：1、无缝集成任何高达1.5 THz的宽带，差分或宽带扩频器2、不错的机械稳定性和可重复性，结合方便和安全的操作3、小化测量路径以获得较佳的测量方向性技术优势：卡盘移动系统TS150-THZ具有10mm的精确卡盘Z调整，旨在灵活地集成不同的扩频器，例如Rohde&Schwarz，VDI或OML。 在同一探头系统上使用多个弯曲解决方案进行设置时极为有利，可以轻松快速地进行设置。MicroPositioners的多种配置 专用且极坚固的探针压板设计可容纳两个东西方向固定的MP80大面积MicroPositioner。 通过将两个南北“电桥”作为标准配置，可以轻松进行四端口RF测量或DC偏置。探针座系统独特的MP80-DX具有低至1µ m精确的清晰度，搭配三丰数显千分尺。成像系统可以选择单管MPI SuperZoom SZ10或MegaZoom MZ12，其光学变焦高达12倍，工作距离超过45毫米。由于集成测试头/调谐器固有的空间限制，因此这种显微镜的体积小，非常适合RF和mmW应用。多种卡盘选项TS150-THZ提供多种卡盘选件，以满足不同的预算和应用要求，例如MPI的标准RF，带BNC连接器 专用mmW 卡盘，完全内置具有高导热率( 180W / Km)的特殊陶瓷 ERS AirCool射频卡盘(温度范围从20°C到200°C，或更高)，带有集成的镀金顶面和小的真空孔。每个卡盘包括两个用陶瓷材料制成的辅助卡盘，用于精确的RF校准。应用方向：TS150-THZ可以支持多种RF和毫米波(mmW)应用，例如高达1.5THz的宽带，带状波导，次THz，负载牵引和RF噪声。

双电测电四探针方阻电阻率测试仪环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。干扰因素光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净，不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。4.3.4人员资格本仪器为精密仪器，必须由训练合格的人员使用和操作。4.3.5安全守则操作人员必须随时给予教育和训练，使其了解各种操作规则的重要性，并依安全规则操作。圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.双电测电四探针方阻电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm双电测电四探针方阻电阻率测试仪安全要点● 非合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。● 万一发生问题，请立即关闭电源并及时处理故障原因。双电测电四探针方阻电阻率测试仪衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等，这些金属饰物很容易造成意外的感电。4.3.7医学规定绝对不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。4.4测试安全程序规定 一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。双电测电四探针方阻电阻率测试仪操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④_x0001_ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

该型号为高性能型. 通过软件可进行mapping； 12"wafer 或碎片样品均可适用；低漏电流~50fA, 可选配加热卡盘，高倍显微镜，多通道探针卡，IV,CV,RF,高频等.规格＆应用：-半自动探针台＆全测量.-12英寸低噪音卡盘。-X,Y转台行程300 x 300mm.-Z转台：上/下移动距离 15mm.-高倍显微镜&高清CCD摄像机-定位器：微型定位器主体单元PB100，真空底座分辨率1um.-选项：暗箱,防震桌........

Side profile of a UHV Cryogenic Probe StationHigh Conductance 8” Vacuum Pump Out Port 美国ARS公司的 PS-L-UHV探针台是专为样品的非破坏检测和最~大的真空洁净而设计，测试灵活，广泛应用于直流（DC），射频（RF）,MEMS, 纳米电子，超导性，纳米电路的光电特性，量子点和量子线，非破坏性测试等。 液氦/液氮型和闭循环低温探针台核心部件是相同的，可共用相同的桌面、真空腔和探针臂。如果您先购买了液氦/液氮型的探针台，那么可以在之后的任何时间内升级成一个闭循环（无任何制冷剂）的系统。 该类探针台使用了ARS液氦/液氮型低温恒温器，样品温度因制冷剂不同可达~4K（液氦）或 ~77K（液氮）。 Sample space of the UHV probe station.Close-up view of the Load-lock sample holder and 4 DC probes 该系统旨在提供一个大型的，可烘烤的超高真空样品环境。真空腔由不锈钢焊接而成，防热辐射屏由裸无氧铜制成。铜的高导热性使得样品空间处有更冷的防热辐射和更大的净制冷量。高质量的焊接刀口法兰和巨大的泵出端口是至关重要的，因为这样可以实现真正的10-11 Torr的超高真空环境，并最~大程度保证了样品的洁净度。 ARS既生产冷头又生产探针台的一站式生产确保了系统的稳定性能，也利于系统的诊断和售后服务。 应用案例：l 电磁特性l 微波特性 l 低频，高频特性l MEMSl 纳米电子学l 超导特性l 纳米器件光电性能l 量子点及纳米线l 单电子l 低电流物理特性 典型结构l 液氦/液氮型低温恒温器l 传输管线-标准6英尺（8英尺或者10英尺）l 流量计l 10英寸的不锈钢真空腔带5个微操作探头端口和2个备用的NW80附件端口，安装在经阳极化处理的铝台面上，由铝制支撑架支撑l 8 英寸的镀镍无氧铜防热辐射屏l 2.25英寸的无氧铜接地样品座l DC, 微波或光纤探针l 4个温度计和2个加热器用于温度控制和监视l 涡轮分子真空泵l 四通道温度控制器及与恒温器连接电缆l 7:1变焦显微镜，分辨率小于2 微米，同轴或者环形光。包括一个高分辨的24寸的宽屏液晶显示器和显微镜光源 特点备注8英寸镀镍无氧铜防热辐射屏2.25英寸镀金无氧铜样品台可升级4英寸样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗标配4个三维微操作探针臂,可选6-8个可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样样品台综合振动 1微米样品台振动 100nm7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式开环恒温器，液氦/液氮温度范围液氦~3.5K - 400K（最大流量）(可选500K,800K)液氮~77K - 400K(可选500K,800K)温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约30到45分钟降温到4.5K真空腔焊接法兰，不锈钢真空腔直径11.97英寸（304mm）上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径8英寸上盖蓝宝石冷窗样品台镀金无氧铜样品台2.25英寸直径样品台连接接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动焊接刀口法兰的不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准） 2英寸行程（可选）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动样品台综合振动优于1微米温度计安装4个温度计，2套加热器 4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD安装于冷头位置用于诊断1个校准型DT-670-CU-4M温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温 2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头 三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆 卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选） 针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖 0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖 0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米

The above picture shows the sample space of the probe stationThe above picture shows a custom sample holder and 4 DC probes. 美国ARS 公司的PS-L型液氦/液氮型低温探针台用于样品的非破坏性检测，测试灵活，广泛应用于直流（DC），射频（RF）,MEMS, 纳米电子，超导性，纳米电路的光电特性，量子点和量子线，非破坏性测试等。 液氦/液氮型和闭循环低温探针台核心部件是相同的，可共用相同的桌面、真空腔和探针臂。如果您先购买了液氦/液氮型的探针台，那么可以在之后的任何时间内升级成一个闭循环（无任何制冷剂）的系统。 该类型探针台使用了ARS液氦/液氮型低温恒温器，样品温度因制冷剂不同可达~4K（液氦）或 ~77K（液氮）。 该系统旨在提供一个大的、干净的样本环境。真空室由焊接不锈钢制成，辐射防护罩由镀有镍的HC铜制成。镍镀层的低发射率和铜的高导电性使得样品空间的辐射屏蔽更冷，净制冷量更大。高质量的真空元件是至关重要的，因为它允许更深层的真空水平和更清洁的样品具有更好的电接触。 ARS既生产冷头又生产探针台的一站式生产确保了系统的稳定性能，也利于系统的诊断和售后服务。 应用案例：l 电磁特性l 微波特性 l 低频，高频特性l MEMSl 纳米电子学l 超导特性l 纳米器件光电性能l 量子点及纳米线l 单电子l 低电流物理特性 典型结构l 液氦/液氮型低温恒温器l 传输管线-标准6英尺（8英尺或者10英尺）l 流量计l 10英寸的不锈钢真空腔带6个微操作探头端口和2个备用的NW80附件端口，安装在经阳极化处理的铝台面上，由铝制支撑架支撑l 8 英寸的镀镍无氧铜防热辐射屏l 2.25英寸的无氧铜接地样品座l DC, 微波或光纤探针l 4个温度计和2个加热器用于温度控制和监视l LS336四通道温度控制器带与恒温器连接电缆l 7:1变焦显微镜，分辨率小于2 微米，同轴或者环形光。包括一个高分辨的24寸的宽屏液晶显示器和显微镜光源 特点备注8英寸镀镍无氧铜防热辐射屏2.25英寸镀金无氧铜样品台可升级4英寸样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗多至8个三维微操作探针臂可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样三级减振系统样品台综合振动1微米样品台振动100nm7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式开环恒温器，液氦/液氮温度范围液氦~4K - 400K(可选500K,800K)液氮~77K - 400K(可选500K,800K)温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约30到45分钟降温到5K真空腔不锈钢真空腔直径10英寸上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径8英寸上盖蓝宝石冷窗热连接至1级冷头样品台镀金无氧铜样品台2.25英寸直径样品台连接接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准） 2英寸行程（可选）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动三级减振，样品台综合振动优于1微米温度计安装4个温度计，2套加热器4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD安装于冷头位置用于诊断1个校准型DT-670-CU-4M温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温 2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器 可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头 三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹 针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选） 针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米 典型案例PS-L Continuous flow probe station with leastomeric vibration isolators. This design features manual and motorized capabilities.

产品概要：此类闭循环制冷机不需要消耗液氦和液氮，CPS-50探针台的温度变化范围 5/10K 到 350，加上一个可以更换的高温样品架选件，温度变化范围可达到 20K 到 700K。每一个低温样品级都安装温度计和加热器，可以提供快速的热响应，迅速回到室温，样品更换非常方便。热辐射屏大大降低了黑体辐射，提高了制冷效率。系统采用了精心的设计来降低振动，采用各种减震装置阻止机械振动影响测量的性能，在全量程温度范围内，样品的振动小于 1um ( X, Y, Z 轴)。专用的探针根据尺寸和材料不同，分为多种类型，探针减少了热质量，优化了和器件的电接触性，每个探针都直接和冷头进行导热，这样就减小了探针对样品的热传递。基本信息：1、采用闭循环制冷机制冷，不需消耗任何液氮和液氦，基本系统温度范围：标准 10K/5K 到 350K2、高温选件温度范围：20K 到 700K3、系统冷却时间2.5 小时4、探针臂分别在防辐射屏和样品台上热沉5、探针臂传上安装温度感器进行温度监测6、控温稳定性： ±50mK7、样品更换循环时间4 小时8、低振动设计：在样品台1 μm ( X, Y, Z 轴)9、测量 DC 到 67GHz10、各种样品架适于低噪音，高频，高阻测量11、最大测试样品尺寸 51mm (2in) 直径12、最多可使用6 个探针臂13、射频探针臂可进行 3 轴调整和平面内±5 度的调整技术优势：1、快速的热响应2、可方便的更换样品3、制冷效率大大提高4、振动幅度有效降低应用方向：主要应用于样品在整个温度范围内的IV和CV曲线测试，光电测试，表征变磁环境下的磁输运特性和其他材料的研究。

ARS超导磁体探针台用于强磁场条件下电子器件的非破坏性电学测试，系统高可获得9T垂直磁场，也可以加双轴矢量超导磁体。 超导磁体探针台是实验中理想的研究磁光和磁电性质的平台，它可以应用于各种不同的领域，如量子点、自旋电子器件、纳米电子学等等。ARS超导磁体探针台可以根据客户实际的实验需求进行定制。 ARS是专业的低温设备厂家，超导磁体探针台使用ARS的DE210及DE215系列制冷机，可在样品台获得低于4K的温度。ARS冷头性能优异，冷却速度快，制冷量大，冷头振动低，性能稳定，是适宜科研设备中使用的冷头。 ARS设备都采用高抛光不锈钢材料做真空罩，镀镍的无氧铜用作冷屏及其他导热材料，高质量的材料使系统可以获得更高的真空度等级以及洁净的样品环境。 ARS公司整体探针台及冷头的生产加工，确保产品性能的一致性，也利于系统的维护及售后服务。特点备注温度范围：5K-350K其他温区可选样品区3T垂直磁场可达6T样品区振动优于1微米11英寸不锈钢真空室9英寸镀镍无氧铜防热辐射屏1.75英寸镀金无氧铜样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗多至6个三维微操作探针臂可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式双冷头，闭循环制冷，无需液氦温度范围5K-350K（可选更高制冷量DE215冷头冷台温度4K,安装高温隔热台高温可达800K）磁场范围-3T至+3T （可选-6T至+6T，或矢量磁体）温度稳定性优于50mK泵抽真空时间约120分钟降温时间约5小时至10K（DE210S冷头）真空腔无磁不锈钢真空腔直径11英寸上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径9英寸上盖蓝宝石冷窗热连接至1级冷头样品台镀金无氧铜样品台1.75英寸直径1英寸可测试范围安放2英寸样品（其他尺寸可接受定制）探针臂位移台手动驱动不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动三级减震，振动小于1微米温度计安装6个温度计，2套加热器6个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD温度计安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD温度计安装于冷头位置用于诊断1个校准型CX-1070-CU-4L温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温1个DT-670B-CU温度计安装在制冷机一级冷头用于诊断1个CX-1070-CU-4L温度计安装在磁体顶部用于检测磁体温度2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选）针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米单模或多模 案例PS-CC-SCMSuperconducting Magnet Probe Station with microscope and camera view of probe armsXYZ translation stages have hardened steel ball bearing for sooth and precise motion control, theta rotation for planarization

美国ARS 公司的PS-CC闭循环探针台用于样品的非破坏性检测，测试灵活，广泛应用于直流（DC），射频（RF）,MEMS, 纳米电子，超导性，纳米电路的光电特性，量子点和量子线，非破坏性测试等。 该款探针台使用DE204、DE210或DE215系列冷头，整个测试过程中无需使用任何制冷剂（液氦/液氮）。可根据不同测试要求，选用不同型号冷头，以便样品最低温度到达13K、10K、7K或4K。所有的ARS闭式循冷头均采用高制冷量的一级冷头，该设计可使系统快速降温并最大程度降低系统热负载。气动驱动GM冷头一级制冷量高，固有振动小，是该领域的理想选择。 该系统为科研工作者提供一个大的、洁净的样品环境。真空腔由焊接不锈钢制成，防热辐射屏由镀镍的无氧铜OFHC制成。镍镀层的低辐射率和无氧铜的高热传导使得样品空间的防热辐射屏温度更低净制冷量更大。高质的真空器件至关重要，可以使样品获得更高的真空环境，更洁净的表面，更好的电接触。 ARS既生产冷头又生产探针台的一站式生产确保了该产品的稳定性能，也利于系统的诊断和服务。 The above picture shows the sample space of the probe station.The above picture shows a custom sample holder and 4 DC probes. 特点备注温度范围：7K-400K10英寸不锈钢真空室8英寸镀镍无氧铜防热辐射屏2.25英寸镀金无氧铜样品台可升级4英寸样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗多至6个三维微操作探针臂可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样三级减振系统样品台综合振动 1微米样品台振动 100nm7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式闭循环制冷，无需液氦温度范围7K-400K（可选更高制冷量DE215冷头冷台温度4K,安装高温隔热台高温度可达800K）温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约2到2.5小时（DE204P冷头）真空腔不锈钢真空腔直径10英寸上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径8英寸上盖蓝宝石冷窗热连接至1级冷头样品台镀金无氧铜样品台2.25英寸直径样品台连接接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准） 2英寸行程（可选）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动三级减振，样品台综合振动优于1微米温度计安装4个温度计，2套加热器4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD安装于冷头位置用于诊断1个校准型DT-670-CU-4M温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选）针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米单模或多模

高频/音频介电常数介质损耗测试仪操作规程：　　1、本仪器必须有专人负责保管，使用，非专职操作者应在使用前了解和熟悉本说明书，以免造成不必要的损失和事故。　　2、每次使用前应仔细检查接地线是否完好，确保以后方可通电使用。　　3、接通电源前应将灵敏度开关调到低位置。　　4、测量试品前应先对试品进行高压试验，在电桥工作电压下无噪声，电离等现象出现，然后才能进行测试(若试品己做过高压试验，该项可不必每次测量都做)。　　5、对试品施加高压时缓慢升高，不可以加突变电压。　　6、测试时操作人员必须集中思想，工作前做好一切准备工作，测试地点周围应有明显的标记或金属屏蔽围成高压危险区，以防止非操作人员闯入。　　7、在测量过程中，如有放电管发光时，则必须及时切断电源，仔细检查接线及试品都无击穿,待检查排除故障后，再进行高压测量工作。高频/音频介电常数介质损耗测试仪使用方法　　高频Q表是多用途的阻抗测量仪器，为了提高测量精度，除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小，使耦合回路的频响尽可能地好之外，还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。　　1．测试注意事项　　a．本仪器应水平安放；　　b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；　　c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；　　d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；　　e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；　　f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。　　2．高频线圈的Q值测量（基本测量法）　　技术参数：　　1．Q值测量　　a．Q值测量范围：2～1023。　　b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。　　c．标称误差　　频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）：　　固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2%　　工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%　　2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH　　3．电容测量：1~205　　主电容调节范围：18～220pF　　准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%　　注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明　　4. 信号源频率覆盖范围　　频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,　　CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,　　5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。　　6．B-测试仪正常工作条件　　a. 环境温度：0℃～+40℃；　　b．相对湿度 lt 80％；　　c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。高频/音频介电常数介质损耗测试仪四探针电阻率测试仪测试四探针笔方法：　　一般情况下，更换钢针之类，不需要拆开探头，只需要用拔出要更换的钢针，再重新安装新针，如果断针在孔内并且不拆开难以取出，必须按照以下步骤进行操作：　　1、先松开笔身尾部端侧面的固定小螺丝，轻轻脱下尾部航空插口，保证探针头部旋转时同步旋转，防止扭线断线，短接 　　2、轻轻拧开探针头子，然后小心将铜片拉出，记住七片绝缘片与铜片之间的位置，(四片铜片每片间夹一片绝缘片，两边的铜片外侧各两片)，将断针从铜片卡口座里取下即可 　　3、特别注意一定不能将铜片取下时的位置错乱，铜片位置按照航空头四芯1234接线绿红黄黑的顺序一字排列，并且铜片之间按照宽窄顺序互相交叉排列，以免短接 　　4、安装时铜片及绝缘片按照拆下时的排列轻轻塞进探针头子，并先将探针头子拧紧，再将尾部航空头插上，并且旋紧小螺丝 　　5、将针装好，注意针头针尾方向，尖头为探针头部。高频/音频介电常数介质损耗测试仪总有机碳分析仪的测定方式主要有三种类型。湿法氧化-非色散红外检测，该方式是在样品经过酸性过钾氧化之前经磷酸处理待测样品，去除无机碳后测定TOC的浓度。但湿法氧化对于含腐殖酸等高相对分子质量化合物的水体氧化不充分。紫外-湿法氧化-非色散红外检测，该方式是紫外氧化和湿法氧化两者的协同作用，针对紫外氧化法无法用于高含量TOC的复杂水体，两者的协同可以测量污染较重的水体。高温催化燃烧氧化-非色散红外检测，样品中有机碳在高温催化氧化条件下转化为二氧化碳后经非色散红外（NDIR）检测，因髙温燃烧相对彻底，适用于污染较重水体或是复杂水体，但需考虑样品的高盐分对于测定结果的影响问题。此外紫外氧化-非色散红外检测、电阻法、紫外吸收光谱、电导法等方式均因稳定性差或对颗粒状、高相对分子质量有机物氧化不完全而未能用于土壤学领域。将土壤、沉积物样品处理成为溶液样品时需要考虑一定粒度的漂浮物或可沉固体物质的处理问题。高频/音频介电常数介质损耗测试仪市面上常见的TOC分析仪都有两大基本功能：　　一，先将水中的总有机碳充分氧化，生成二氧化碳CO2；　　二，测试新产生的CO2.不同和型号的TOC分析仪的区别在于实现这两大基本功能的方法不同。　　常用的氧化技术有：燃烧氧化法、紫外线氧化法以及超临界氧化法；而对CO2的检测方法又分：非分散红外线检测，直接电导率检测以及选择性薄膜电导率检测。

四探针电阻率方块电阻测试仪便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据18. 软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分析。标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。四探针电阻率方块电阻测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。四探针电阻率方块电阻测试仪电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。四探针电阻率方块电阻测试仪规格型号 300c电阻10-7～2×107Ω2.电阻率范围10-8～2×108Ω-cm3.电导率5×10-8～108s/cm4.测试电流范围1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA5.测量电压量程 测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V测量精度:±（0.1%读数）分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV6.电流精度±0.1%读数7.电阻精度≤0.3% 8.显示读数 液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等9.测试方式四端测量法10.测量装置（治具）选购1.标准方体和圆柱体测量装置：测试行程：L70mm*W：60mm2.定制治具11.工作电源 AC 220V±10%.50Hz功 耗：30WH12. 主机外形尺寸约330mm*350mm*120mm 13.净重量约6kgNet14.标配外选购 1.标准校准电阻1-5个；2.PC软件一套；3.电脑和打印机依据客户要求配置；4.计量证书1份四探针电阻率方块电阻测试仪定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

适用于主板，PCB,柔性PCB,射频样品的RF频率~高频波的分析测试.DC~110GHz,可扩展至300GHz,规格＆应用：-主板探针台，直流，阻抗.-显微镜（300x),双镜-显微镜工作距离长-CCD变焦相机-液晶显示器-微型定位器主体单元PB50 or PB100-可升级半自动款测试-选项：暗箱,振动台...