刻蚀设备

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。&bull 为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。&bull 拥有简便的维护构造，缩短了downtime，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。&bull 金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电加工工艺&bull 强电介质材料或贵金属刻蚀。&bull 磁性体材料加工。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

1 产品概述: 干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法，通过高能气体分子或离子束轰击固体表面，使材料发生化学反应或物理溅射，从而去除不需要的部分，实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用，是芯片制造中的关键技术之一。2 设备用途：干法刻蚀设备主要用于以下领域：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料，形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一，直接影响芯片的性能和良率。微纳加工：干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色，能够制作出微米和纳米级别的精细结构，如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。光学加工：在光学领域，干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件，如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。3 设备特点干法刻蚀设备具有以下特点：高精度：干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，满足高精度加工的需求。高选择比：干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率，实现高选择比刻蚀，减少对其他材料的损伤。各向异性好：干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁，有利于形成精确的图形结构。刻蚀损伤小：相比湿法刻蚀，干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小，有利于保护底层材料。 4 技术参数和特点：4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。&bull 搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。&bull 高生产性（比以提高140%）。&bull 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。&bull 彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。&bull 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。

1. 产品概述：Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。12英寸硬掩膜刻蚀设备2. Herent® Chimera® A系统特性Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

1 产品概述: 干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法，通过高能气体分子或离子束轰击固体表面，使材料发生化学反应或物理溅射，从而去除不需要的部分，实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用，是芯片制造中的关键技术之一。2 设备用途：干法刻蚀设备主要用于以下领域：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料，形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一，直接影响芯片的性能和良率。微纳加工：干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色，能够制作出微米和纳米级别的精细结构，如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。光学加工：在光学领域，干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件，如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。3 设备特点干法刻蚀设备具有以下特点：高精度：干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，满足高精度加工的需求。高选择比：干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率，实现高选择比刻蚀，减少对其他材料的损伤。各向异性好：干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁，有利于形成精确的图形结构。刻蚀损伤小：相比湿法刻蚀，干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小，有利于保护底层材料。 4 技术参数和特点： NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。&bull 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。&bull 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。&bull 可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）

1. 系统特性Kessel® Pishow® M 金属刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（stripchamber）、冷却腔（cooling chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的铝垫刻蚀及钨回刻（W Recess）工艺也可换用6英寸ESC。2. 工艺数据铝垫刻蚀铝线工艺钨塞刻蚀 3. 详细介绍Kessel&trade Pishow® M 金属刻蚀设备为可用于8英寸的IC产线铝金属工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计，保证了优异的刻蚀均匀性（片内8%，片间5%）和颗粒控制。在4微米厚铝刻蚀工艺中，可以提供8000片/月的产能。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。

1. 系统特性Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备是面向12英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、传输模块（transfer module）构成适用于0.18微米及其他技术代逻辑应用中的高密度铝导线工艺，以及铝垫刻蚀2. 详细介绍Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案

1. 产品概述：Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺2. 工艺数据3 μm Trench0.4 μm Trench0.25 μm Trench2 μm Poly0.18 μm Poly3. 详细介绍Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内5%，片间5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。

1. 产品概述LMEC-300&trade 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300&trade 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层，避免侧壁金属氧化、水化，从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案，使 LMEC-300&trade 成为新兴存储器件关键工艺的优选。2. 系统特性设备集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀（RIE）腔室、Pangea® A 离子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉积腔室，工艺不离开真空环境对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层，该设备可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能可提供不同工艺解决方案，满足磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（ReRAM）、磁传感器等器件的图形化需求可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A，形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案适用于12英寸晶圆

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800 量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。拥有简便的维护构造，实现downtime最短化，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。 产品应用 / Product application化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电极加工工艺强电介质材料或贵金属刻蚀。磁性体材料加工。

v 应用领域：RCA清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗等v 晶圆尺寸：100mm~300mmv 设备配置：Ø 支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.SØ Marangoni dry 或 spin dryØ 自动换酸，自动补液、配液Ø 加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等Ø 槽体过温保护，各单元配置漏液传感器Ø 支持化学液回收Ø 全面支持SECS/GEM通讯协议v 工艺指标：蚀刻非均匀性 片内：≤4%；片间：≤4%；批次间： ≤4%；v 颗粒控制：增加值30颗@0.09μm（带氧化硅膜测试，来料颗粒50颗）金属离子：5E9 atoms/cm2

电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备1. 产品概述：CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。单腔室电容耦合等离子体（CCP）机适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆2. 系统特性单腔室电容耦合等离子体（CCP）机台适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

8英寸电感耦合等离子体-深硅刻蚀（ICP-DSE）设备1. 详细介绍Pishow® D 系列深刻蚀设备，是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的用设备，拥有自主开发的优化设计，保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。提供Si Bosch工艺的解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可帮助不同客户实现产能升。2. 系统特性Pishow® D 系列是采用深硅刻蚀技术的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备提供Bosch解决方案，实现对Si的高深宽比刻蚀优化的气柜设计，缩短进气距离，短工艺切换时间小于1.0Pishow® D 系列可选择8~4英寸晶圆，提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

产品详情Oxford System 100 等离子刻蚀与沉积设备 该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子： 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等） GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件 金属（Nb, W）刻蚀

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（此爱发科独chuang的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子） 产品特性 / Product characteristics • 在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）• NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。• 腔体维护简便。• 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。• 专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。 产品应用 / Product application• 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。• 流体路径作成或光子学结晶。

Pishow® A 系列8英寸电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备 1. 详细介绍ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等域中各种微结构的制作。2. 系统特性拥有多种材料刻蚀解决方案，包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体可提供高低温（-10℃至+150℃）工艺模式可提供ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制具备Bosch工艺能力，可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案适用于8英寸晶圆，并可向下兼容，提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

一、设备简介NE-PE13F是一款小型真空等离子处理系统，广泛应用于科研院校，企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生一个小于1-2 Pa的真空压强，同时根据客户工艺要求，对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体，采用进口高品质等离子发生器，使得通入的工艺气体产生等离子体，并确保稳定产生高密度，高能量的离子。等离子体与材料发生复杂的物理，化学反应，可以实现不同的工艺功能，比如清洗，活化，刻蚀与涂敷等。等离子态显著的特点是高均匀性辉光放电，根据不同气体发出从蓝色到深紫色的色彩可见光。 NE-PE13F 系统功能特点： &bull 耐用的高品质不锈钢结构和固定装置&bull 不锈钢托盘设计，可调节托盘间距&bull 8K镜面不锈钢腔体，卓越密封性&bull 13.56射频等离子发生器，产生高密度等高子体，确保出众的清洗效果；&bull 直观的触摸屏，过程参数实时监控。&bull 方便的定期校准设备连接验证过程中使用的要求&bull 支持各种工艺气体，包括氩气，氧，氢，氦和氟化气体&bull 通过联锁门或可移动的板&bull 两个标准的浮子针阀流量控制器，最佳气体控制设备参数设备参数序号项目型号规格参数1等离子体发生器功率0-300W可调抗辐射干扰高频匹配器自动阻抗匹配频率13.56 MHz2真空反应腔室腔体材质进口 316 镜面不锈钢，军工级密封腔体容积240(W)*280(D)*200(H)mm 13.5L腔体有效处理面积205（W）×205（D）mm绝缘陶瓷进口高频陶瓷3放电电极电极高导电铝合金专用电极放电形式CCP & RIE 离子反应放电模式电极间距可调整电极之间的距离，调整等离子体强度和密度，极大提升处理能力和效率4气路控制气体流量控制器浮子针阀流量控制器， 0-1000ML气路设计腔体双侧均匀进气气路设计，保证清洗，刻蚀均匀性气路数量配置2路工艺气路，可支持氧气，氩气，氮气，氢气，四氟化碳，NH3,CCL4等5真空测量真空计日本 SMC 6抽气系统真空泵飞越 16m³ /H，加装油雾过滤器极限真空度0.1PA真空管路不锈钢管路+气动阀门7控制系统PLC松下PLC模块触摸屏4.3寸软件程序自主专利设计等离子控制系统8场务条件电源供应220V气管接口直径8mm气体纯度99.99%气体压力0.3-0.6Mpa排气口KF259整机参数整机功率1000W外形尺寸600mm(L)×550mm(W) ×580 mm(H)重量80kg

上海伯东 离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片 直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 20-M / NS-12 图片：若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士

爱发科-刻蚀设备汇总 量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800 量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。拥有简便的维护构造，实现downtime最短化，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。 产品应用 / Product application化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电极加工工艺强电介质材料或贵金属刻蚀。磁性体材料加工。 高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H 高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料（强电介质层、贵金属、磁性膜等）的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧?高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。可提供对应从常温到高温（400oC）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。实现了长期的再现性、安定性 产品应用 / Product application FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等. 研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570 研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570，是搭载了爱发科独chuang的磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。 产品特性 / Product characteristics NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。 可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min） 可追加cassette室。 产品应用 / Product application 光学器件（光衍射格子、変调器、光开关等等）、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。 干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX对应LED量产专用的干法刻蚀设备?NE-950EX?相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics 4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。 高生产性（比以前提高140%）。 为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。 彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。 丰富的可选机能。 产品应用 / Product application对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（此爱发科独chuang的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子） 产品特性 / Product characteristics • 在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）• NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。• 腔体维护简便。• 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。• 专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。 产品应用 / Product application• 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。• 流体路径作成或光子学结晶。 批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm，300mm尺寸晶圆。 产品特性 / Product characteristics• 高产率以及低CoO• 良好的刻蚀均一性（小于±5%/批）和再现性• 干法刻蚀• Damage-Free（远端等离子、低温工艺）• 自对准接触电阻仅为湿法的1/2• 灵活的装置布局• 高维护性（方便的侧面维护）• 300mm晶圆批处理：50枚/批 产品应用 / Product application• 自对准接触形成工艺前处理• 电镀工艺前处理• 晶膜生长前处理• Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理

1. 产品概述RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。2. 设备用途/原理MEMS的制造（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等），μTAS等医疗设备的加工。3. 设备特点可以实现高速硅深孔加工，它具有独特的等离子体源和反应器结构，支持博世工艺，可实现硅的快速深钻。保持速度，减少扇形，通过高速切换气体，可以在保持蚀刻速度的同时减少扇形。可以进行SiO₂ 的蚀刻，可以通过更换用ICP线圈来处理SiO₂ 。

1. 产品概述RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。2. 设备用途/原理MEMS的制造（加速度传感器、陀螺传感器、压力传感器、执行器等）。喷墨打印头加工、通过TSV形成通硅。生产功率器件(超结MOSFET)、等离子切割。3. 设备特点 高宽比处理，独特的等离子体发生器和反应器结构，在保持垂直蚀刻形状的同时，实现了高宽比加工。低扇形加工，通过高速切换气体，在保持蚀刻速度的同时，可以减少扇贝。2003年，Samco是日本第一家获得博世工艺许可的设备制造商。从那时起，我们建立的工艺库就可以对各种形状和材料进行加工。

1. 产品概述Samco 的 RIE-800iPB 是一种高性能的电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统，使用高密度等离子体进行 MEMS 和 TSV 应用所需的深度硅蚀刻。RIE-800iPB是为Bosch工艺设计的用硅蚀刻系统（由Robert Bosch GmbH授权）。该系统独特的反应室、电、平台和真空设计克服了在竞争系统中遇到的问题，可实现高速(约50 μm/min)、无倾斜、高剖面蚀刻，具有行业先的选择性(超过100:1)。2. 设备用途/原理MEMS（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）。通过硅通道(TSV)、喷墨打印机头的加工、功率器件(超结MOSFET)、等离子切割/划线。3. 设备特点MEMS量产中的高速蚀刻，量产中的高宽比蚀刻，扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程，倾斜控制，均匀性好，用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。

1. 产品概述RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。2. 设备用途/原理制造MEMS（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）。喷墨打印头的加工，形成通硅孔(TSV)，功率器件（超结MOSFET）的制造。等离子切割。3. 设备特点MEMS量产中的高速蚀刻，量产中的高宽比蚀刻，扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程，倾斜控制，均匀性好，用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570 研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570，是搭载了爱发科独chuang的磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。 产品特性 / Product characteristics NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。 可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min） 可追加cassette室。 产品应用 / Product application 光学器件（光衍射格子、変调器、光开关等等）、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。

Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法，并可在同一设备上实现， 因而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。多模式功能能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成单晶圆传送模式或集群式晶圆操作双束流配置更低的表面薄膜粗糙度更佳的批次均匀性和工艺重复性精确终点监测 —— SIMS，发射光谱Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。多模式功能能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成单晶圆传送模式或集群式晶圆操作双束流配置更低的表面薄膜粗糙度更佳的批次均匀性和工艺重复性精确终点监测 —— SIMS，发射光谱

PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换到不同尺寸的晶圆工艺购置成本低且易于维护紧密的设计，布局灵活实时清洗和终点监测我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器，光电子，分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性， 同时具备量产所需要的质量可靠性。特征牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性，高产量和高精度的工艺。通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性，在适合的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制应用III-V族材料的刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和超低温刻蚀工艺类金刚石（DLC）沉积二氧化硅和石英刻蚀用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

请联系：张先生Samco是日本半导体工艺设备制造商中获得博世工艺许可的公司。使用我们最新的Tornado ICP专利技术和利用博世工艺，Samco的Si DRIE系统已被证明在研发和生产中的深层、垂直、高速Si深层蚀刻方面非常有效。Samco Si DRIE系统的优势。蚀刻速率超过50微米/分钟。高选择性超过250:1（Si:光刻胶）。均匀度为±5%或更高（4、6和8英寸晶圆）。高长宽比（大于40:1）。低扇形，光滑的侧壁轮廓（小于0.1μm扇形）。双频SOI抗缺口蚀刻技术。具有 "防倾斜 "功能，确保高均匀性。静电夹头和氦气背面冷却(用于晶圆温度控制)ICP源可以修改为SiO2的DRIE。

请联系：张先生Samco为研发和生产客户提供可靠和耐用的反应离子蚀刻（RIE）系统。 台式紧凑型 RIE 蚀刻机是学术设备研究和 IC 故障分析的裸片去处理的合适工具。开放式负载RIE系统和负载锁定RIE系统具有宽广的工艺窗口，适用于各种材料（硅、电介质、化合物半导体、金属、聚合物和光刻胶）的等离子蚀刻。盒式装载RIE系统可提高器件制造的工艺产量。主要特点和优点高选择性各向异性蚀刻满足苛刻的工艺要求。对称的排空设计提高了蚀刻的均匀性。全自动 "一键式 "操作，可完全手动操作。计算机触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。自动压力控制，可精确控制工艺压力，不受气体流量影响。干式泵和系统布局便于维护。13.56 MHz射频发生器，具有自动匹配功能，提供卓越的工艺重复性。Samco的CCP-RIE系统设计时尚、紧凑，只需要最小的洁净室空间。反应离子蚀刻(RIE)是一种制造微观和纳米结构的等离子体蚀刻技术。在RIE蚀刻过程中，样品表面与低压等离子体产生的高能离子/自由基相互作用形成挥发性化合物。挥发性化合物从样品表面被去除，并实现了各向同性或各异性轮廓。通过优化干式蚀刻配方（腔体压力、射频功率、气体流量比），可以使用RIE蚀刻技术蚀刻各种类型的材料。

1. 产品概述RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻，SiN和SiO2的蚀刻，电介质和金属的蚀刻，用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工。3. 设备特点大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)。先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统。排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构。晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计。TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。