溅射设备

1 产品概述: 立式溅射镀膜设备，如TS-CJX/M系列，是一种广泛应用于制备各类光学膜和装饰膜的先进设备。该设备采用磁控溅射技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子或分子被溅射出来并沉积在基材表面，形成所需的薄膜层。立式结构设计使得设备在处理大面积基片时具有更高的效率和稳定性。2 设备用途：溅射镀膜设备（立式）的用途广泛，主要包括以下几个方面：光学领域：用于制备眼镜、光学镜片、摄影镜头等光学设备的镀膜，增加其防反射、增透、反射率等光学性能。电子领域：在半导体器件、集成电路、显示器件、太阳能电池板等电子元件的制造中，用于增加导电性、隔热性、防蚀性等功能。汽车工业：用于汽车镜片、灯具、车身涂层等零部件的制造，提高表面硬度、耐蚀性、抗划伤性等性能。医疗设备：在医疗器械的金属镀膜中采用溅射镀膜技术，以提高耐腐蚀性、生物相容性，并增加设备的功能性。3 设备特点溅射镀膜设备（立式）具有以下显著特点：高效沉积：溅射镀膜技术以其高沉积速率著称，能够在较短时间内形成均匀且高质量的薄膜。磁控溅射通过施加磁场进一步增加等离子体密度，提高溅射速率和沉积效率。低温操作：溅射镀膜过程中的低温环境能够有效避免基片材料因高温而发生降解或形变，保证薄膜和基片的整体性能。这对于温度敏感材料的镀膜尤为重要。均匀薄膜：溅射过程中，等离子体在靶材表面均匀分布，确保靶材原子的溅射均匀性。旋转基片技术进一步提高了薄膜在大面积基片上的均匀性。多样化靶材选择：溅射镀膜技术能够处理多种材料，包括金属、合金、陶瓷和复合材料，适用于不同工艺需求。 4 技术参数和特点：溅射镀膜设备SMD系列（立式）SMD系列是镀金属膜、ITO、IGZO、诱电体膜等的枚叶式溅射镀膜设备。仅SMD系列就有超过1000台的丰富的采用实绩，在各种各样的生产环境下运转。及时反映从生产现场听取的意见，进一步提高设备的可靠性。仅基板搬送和侧面镀膜的方式节约空间的设计可以轻松的完成单独基板管理，如成膜条件根据镀膜物不同选择不同的阴排列丰富的经验和数据支持，广泛的镀膜工艺对应

1 产品概述: 卷绕式溅射设备，也称为卷绕磁控溅射镀膜机，是一种在真空环境下，利用磁控溅射技术将金属、合金、化合物或陶瓷等材料沉积到连续卷绕的柔性基材（如塑料薄膜、金属带等）上的先进镀膜设备。该设备主要由溅射室、卷绕系统、磁控靶及电源、样品加热系统、样品退火系统、泵抽系统、真空测量系统、电控系统、气路系统等组成。在溅射过程中，通过高能粒子轰击靶材表面，使靶材原子或分子被溅射出来并沉积在基材上，形成所需的薄膜层。2 设备用途：卷绕式溅射设备具有广泛的应用领域，主要包括但不限于以下几个方面：柔性电子：用于在柔性基材上镀制各种介质膜、导电膜等，如ITO透明导电膜，广泛应用于柔性线路板、柔性显示器件等领域。太阳能电池：在金属带上镀制光学多层膜，用于制作薄膜太阳能电池，提高光电转换效率。包装与防伪：在包装材料上镀制防伪膜层，提高产品的防伪性能和美观度。电容器：在电容器电极上镀制金属薄膜，提高电容器的性能。3 设备特点卷绕式溅射设备具有以下几个显著特点：高效连续生产：设备采用连续卷绕的方式，实现了对柔性基材的连续镀膜处理，大大提高了生产效率。镀膜质量高：磁控溅射技术具有镀膜温度低、膜层厚度可控、细腻、均匀、附着牢固等优点，能够制备出高质量的薄膜层。镀膜材料范围广：可适用于多种材料的镀膜处理，包括金属、合金、化合物和陶瓷等。 4 技术参数和特点：可根据工艺或生产性选择各种模组。通过任意、追加选择模组，可实现各种用途。在地面高度可以进行设备操作。优秀的氛围分隔性能和成膜工艺的改善，使高速率生产高品位的薄膜成为可能。触摸屏用配线膜、透明导电膜以及透明薄膜等。FPC用电膜

1 产品概述: 批次式溅射设备通常具有较大的处理腔室，能够同时处理多个基片或大面积基片。设备内部配备有精密的靶材安装系统、基片旋转装置、真空系统以及控制系统等关键部件。在工作时，设备首先通过真空系统抽除腔室内的空气，达到所需的真空度，然后通入工作气体（如氩气）并施加电压，使气体电离产生高能粒子。这些高能粒子轰击靶材表面，将靶材原子或分子溅射出来，并沉积在旋转的基片表面，形成均匀的薄膜。2 设备用途：批次式溅射设备在多个领域具有广泛的应用，主要包括：光学领域：用于制备光学镜片、滤光片、反射镜等光学元件的镀膜，以改善其透光性、反射率等光学性能。电子领域：在半导体器件、集成电路、平板显示器等电子产品的制造过程中，用于制备导电膜、绝缘膜、扩散阻挡层等功能性薄膜。汽车工业：在汽车零部件（如车灯、车窗、车身装饰件等）的制造中，用于增加表面硬度、耐磨性、耐腐蚀性等性能，同时提高美观度。3 设备特点批次式溅射设备具有以下显著特点：高效性：能够同时处理多个基片或大面积基片，显著提高生产效率。均匀性：通过基片旋转装置和精密的靶材安装系统，确保薄膜在基片表面的均匀分布。灵活性：可更换不同材质的靶材，以制备不同种类的薄膜，满足不同工艺需求。可控性：配备有先进的控制系统，可精确控制溅射过程中的各项参数（如电压、电流、气体流量等），以获得所需的薄膜性能。 4 技术参数和特点：批次式溅射设备SV系列SV系列为纵型batch式溅射设备。为可以处理大量基板的回转型设备。SV-4540、6040、9045为回转型设备基板装载量大、适用于小~中规模的生产或少量多品种的生产各种基板上的电膜成膜、绝缘膜、电介质膜成膜

ULVAC 研究开发用溅射设备 QAM系列低真空工艺环境本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能 够在更低压力下进行溅射成膜。多组分共溅射/多层膜溅射本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成 膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。良好的膜厚分布本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。LTS的采用本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter对磁性材料薄膜的对应本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。操作界面前置本设备通过将操作界面集中配置在设备前方，使得操作者能够仅在设备正面完 成设备的开启、关闭以及成膜等操作。先进的功能、直观的的操作以及安全性的实现Repeatability能够确保再现性本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。Safety能够在Interlock设置下安全操作本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够 任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。Intuitive operation直观的操作界面本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。Analysis能够进行工艺数据分析本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。 高拓展性本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。低真空工艺环境本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。多组分共溅射/多层膜溅射本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。良好的膜厚分布本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。采用LTS技术本设备通过采用ULVAC的LTS※1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw SputterUHV对应本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。对磁性材料薄膜的对应本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。 诸单元型 号QAM-4D 成膜腔室处理方式Load-Lock式阴极型式Long Throw Magnetron Sputtering●Helicon-Sputtering※1 ※可选阴极数2英寸阴极（磁性材料、非磁性材料共用）zui多搭载8台搭载电源DC500W 1台● DC500W、RF300W※2 zui多搭载8台 ※可选到达压力（UHV对应）1×10-4Pa 以下 （●1×10-6Pa 以下能够对应※3 ※可选）对应衬底尺寸Max.φ4英寸×1枚膜厚分布±5％以内（Al成膜式、衬底回转并用）衬底加热装置● 红外线灯式加热器 zui大500 ℃ ※可选● 高温型加热器 zui大800℃ ※可选排气系统1）分子泵2）油旋片泵● 干式泵 ※可选zui大气体输入量Max.50sccm（Ar）●Max.10sccm（O2） ※可选● Max.10sccm（N2） ※可选靶材尺寸φ2英寸腔体加热方式● 110℃烘烤 (包含腔体水冷却） ※可选 真空预抽室到达压力（分子泵对应）40Pa以下（●1×10-3Pa 以下 ※可选）搬送方式真空机械手式排气系统油旋片泵（● 分子泵与成膜室共用）※可选操作控制系统排气触屏式（PLC控制器） 远程手动※4 全自动※5成膜 厂务系统电力3φ AC200V 50 / 60Hz冷却水20～28℃、电阻率5KΩ以上、 供给压力0.2 ～ 0.3MPa压缩空气0.5 ～ 0.7MPa接地A类、D类

溅射设备 MVSMVS提供单靶材或多靶溅射设备。可根据用户需求定制。制备透明导电薄膜 (如ITO，AZO)。 MVSystems, Inc. 由曼登博士（Dr. Arun Madan）创建于1989年。曼登博士曾在英国丹迪大学从师于斯皮尔（Walter Spear)教授，是1970年代最早从事非晶硅材料和器件研究的人员之一。曼登博士在非晶硅薄膜晶体管（TFT)方面进行了开创性的研究，这是他的博士论文的主要内容之一。非晶硅薄膜晶体管现已成为平板显示器中必不可缺的重要器件。公司在薄膜半导体技术和先进的高真空半导体薄膜沉积设备方面拥有14项专利，包括：多腔室PECVD沉积系统 – 主要产品 用于柔性衬底的Reel-to-reel多室系统 - 主要产品碳热丝化学气相沉积设备 掺氟纳米硅（微晶硅）材料P型宽带隙非晶硅材料 掺氟二氧化锡绒面透明导电膜（与日本Asahi公司合作）公司生产制造的80多台设备已销往全世界23个国家和地区。公司生产的主要薄膜材料和器件产品包括：材料器件非晶硅（a-Si:H)薄膜硅太阳电池纳米(微晶)硅 (nc-Si)薄膜晶体管氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiON)成像器件氧化锌(AZO)，铟锡氧化物(ITO), 二氧化锡(SnO2)X光探测器MVSystems公司设计，制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外，根据用户的需求，各种PECVD，HWCVD，和PVD腔室可以单个制造，也可配备到现有的团簇型（星型）或是直线型沉积系。我们公司的工程设计部门尽可能为用户着想，以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。

溅射设备 MVSMVS提供单靶材或多靶溅射设备。可根据用户需求定制。制备透明导电薄膜 (如ITO，AZO)。 MVSystems, Inc. 由曼登博士（Dr. Arun Madan）创建于1989年。曼登博士曾在英国丹迪大学从师于斯皮尔（Walter Spear)教授，是1970年代最早从事非晶硅材料和器件研究的人员之一。曼登博士在非晶硅薄膜晶体管（TFT)方面进行了开创性的研究，这是他的博士论文的主要内容之一。非晶硅薄膜晶体管现已成为平板显示器中必不可缺的重要器件。公司在薄膜半导体技术和先进的高真空半导体薄膜沉积设备方面拥有14项专利，包括：多腔室PECVD沉积系统 – 主要产品 用于柔性衬底的Reel-to-reel多室系统 - 主要产品碳热丝化学气相沉积设备 掺氟纳米硅（微晶硅）材料P型宽带隙非晶硅材料 掺氟二氧化锡绒面透明导电膜（与日本Asahi公司合作）公司生产制造的80多台设备已销往全世界23个国家和地区。公司生产的主要薄膜材料和器件产品包括：材料器件非晶硅（a-Si:H)薄膜硅太阳电池纳米(微晶)硅 (nc-Si)薄膜晶体管氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiON)成像器件氧化锌(AZO)，铟锡氧化物(ITO), 二氧化锡(SnO2)X光探测器MVSystems公司设计，制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外，根据用户的需求，各种PECVD，HWCVD，和PVD腔室可以单个制造，也可配备到现有的团簇型（星型）或是直线型沉积系。我们公司的工程设计部门尽可能为用户着想，以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。

Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 溅射平台专为磁控溅射沉积应用而设计。为满足 UHV 溅射工艺需求而定制的腔室设计、具有高级编程、负载锁定功能的行业最佳软件控制系统以及用于优化薄膜性能的众多功能是这种创新设计提供的一些优势。® LAB Line 系列与以下技术兼容：TORUS 磁控溅射（多达 12 个光源）® 可根据要求提供定制配置KJLC创新的eKLipse&trade 软件允许用户友好的配方创建以及图形用户界面，该界面对于新的PVD用户来说是直观的，而对于经验丰富的专业人士来说则是高级的。有关此直观、可靠的软件包的更多信息，请参阅“软件”选项卡。应用：R&D 溅射沉积微电子学（金属、金属氧化物、电介质）数据存储（磁性薄膜）磁性隧道结超导材料约瑟夫森交界处光学薄膜和光子学LAB Line 是 Kurt J. Lesker 的 UHV 磁控溅射平台。只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 溅射源，该溅射源在阴极体中具有零 O 形圈和磁耦合靶材，可轻松更换靶材。我们的冷却井设计可在高达 200 瓦/英寸的功率密度下运行2.该阴极设计用于溅射厚达 0.375 英寸的目标。如果没有压紧夹或暗空间屏蔽，这种阴极能够运行低至 1mTorr（取决于材料）。圆顶百叶窗设计消除了标准翻转或摆动百叶窗所需的额外交叉污染屏蔽需求。单击以了解有关溅射速率和均匀性的更多信息。LAB Line 专为实现最佳均匀性而设计，并允许。左边的图表显示了按沉积类型和衬底晶圆直径划分的平均预期均匀性。使用轮廓仪或光谱反射仪进行厚度测量。实际可实现的均匀性将取决于系统和过程参数的最终配置。

1 产品概述: Load-lock式溅射设备是一种采用Load-lock（预真空锁）技术的溅射镀膜设备。这种设备通过在真空溅射室之前增加一个预真空锁室（Load-lock chamber），实现了基片在预真空环境下进行快速装卸，同时保持了溅射室的高真空状态，避免了因频繁开闭溅射室而导致的真空度下降和污染问题。该设备结合了高真空溅射技术和自动化的基片处理系统，提供了高效、稳定且可控的薄膜制备解决方案。2 设备用途：Load-lock式溅射设备主要用于制备高质量、高性能的薄膜材料，广泛应用于以下几个领域：光学领域：用于光学镜片、滤光片、反射镜等光学元件的镀膜，以改善其光学性能，如透光性、反射率等。电子领域：在半导体器件、集成电路、平板显示器等电子产品的制造过程中，用于制备导电膜、绝缘膜、扩散阻挡层等功能性薄膜。汽车工业：在汽车零部件的制造中，用于增加表面硬度、耐磨性、耐腐蚀性等性能，同时提高美观度。3 设备特点Load-lock式溅射设备具有以下几个显著特点：高效性：通过Load-lock技术，实现了基片的快速装卸，减少了真空室暴露于大气的时间，提高了生产效率。高真空度：溅射室始终保持高真空状态，有效避免了污染和氧化问题，保证了薄膜的纯净度和质量。自动化程度高：设备配备有自动化基片处理系统，能够实现基片的自动装卸、旋转和定位，减少了人工干预，提高了生产的一致性和稳定性。 4 技术参数和特点：活用过往的工艺及数据的know-how，创新的的便利设计在Load-lock室内搭载cassette机构（可选）提升生产能力基板搬送尺寸大为. φ300mm（膜厚均一性保证部分为中心φ200mm部份）可对应多个cathode多层成膜/共溅射可由touch panel操作开始自动制程、输入recipe实现省力化运作可对应Data-logging

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。 特点和优点 ✬ 高性能离子溅射✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计，CCU-010 LV_SP-010为磁控离子溅射镀膜仪。模块化的设计可将低真空单元很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。溅射模块 SP-010 & SP-011两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长-非常适合需要较厚膜的应用；可选多种溅射靶材。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV镀膜主体单元。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。等离子刻蚀单元 ET-010在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀膜后进行等离子刻蚀处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪之外，还可以选择：CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV版本均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，防止系统被前级泵油污染。

1. 产品概述iTops PVD AlN 溅射系统，采用托盘形式，可兼容 2/4/6 英寸。2. 设备用途/原理iTops PVD AlN 溅射系统，采用托盘形式，可兼容 2/4/6 英寸，工艺温度在 0~700℃之间。占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便，设备稳定，运营成本低。3. 设备特点晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容。适用材料氮化铝。适用工艺氮化铝缓冲层溅射。适用域化合物半导体。百科：&zwnj 半导体溅射系统的原理主要是利用高能离子撞击靶材，使靶材的原子或分子从表面逸出，并沉积在半导体基片上，形成一层薄膜。溅射技术可以分为多种类型，包括直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射等，不同类型的溅射技术适用于不同的应用场景。例如，直流溅射适用于导电材料的镀膜，而交流溅射则适用于导电性较差的材料。反应溅射可以在溅射过程中引入反应气体，以形成特定的化合物薄膜。磁控溅射则通过加入磁场来控制电子的运动路径，提高溅射效率和薄膜质量。

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。建议选用公Research系列磁控溅射平台。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为分体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源 ：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

1. 产品概述iTops PVD ITO 溅射系统,加热能力、精确的温度控制、优异的真空能力。2. 设备用途/原理iTops PVD ITO 溅射系统，加热能力、精确的温度控制、优异的真空能力，高晶体质量的氮化铝薄膜及优异的薄膜厚度均匀性，占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便，设备稳定，稼动率高，运营成本低。3. 设备特点晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容。适用材料 氮化铝。适用工艺 氮化铝缓冲层溅射。适用域 化合物半导体。百科：&zwnj 半导体溅射系统的原理主要是利用高能离子撞击靶材，使靶材的原子或分子从表面逸出，并沉积在半导体基片上，形成一层薄膜。溅射技术可以分为多种类型，包括直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射等，不同类型的溅射技术适用于不同的应用场景。例如，直流溅射适用于导电材料的镀膜，而交流溅射则适用于导电性较差的材料。反应溅射可以在溅射过程中引入反应气体，以形成特定的化合物薄膜。磁控溅射则通过加入磁场来控制电子的运动路径，提高溅射效率和薄膜质量。

1. 产品概述：KaRoll RTR1C 是一种先进的卷对卷薄膜溅射系统，主要用于在柔性基底材料上连续地进行薄膜溅射沉积。它能够将各种金属、合金或化合物材料以精确的厚度和均匀性沉积在卷状的基底上，如聚合物薄膜、金属箔等。该系统通常由放卷装置、收卷装置、真空腔室、溅射源、镀膜控制系统等部分组成。在真空环境下，通过溅射源产生的高能粒子撞击靶材，使靶材原子溅射出来并沉积在移动的基底上，从而形成连续的薄膜。 2. 设备应用： 电子领域：可用于制造柔性电子器件，如柔性显示屏的电极、电路等。例如在可折叠手机的屏幕制造中，通过该系统溅射导电薄膜，实现屏幕的导电和信号传输功能。 太阳能领域：用于制备柔性太阳能电池的薄膜电极或光吸收层等。有助于提高太阳能电池的光电转换效率和柔韧性，使其更适用于不同的应用场景，如便携式太阳能充电设备、太阳能屋顶等。 光学领域：可以生产光学薄膜，如增透膜、反射膜等，应用于柔性光学元件、可穿戴光学设备等。比如在智能眼镜的镜片上镀制特定的光学薄膜，改善其光学性能。 包装领域：为一些特殊的包装材料提供功能性的薄膜涂层，如阻隔膜、防静电膜等，提升包装材料的性能和附加值。例如在食品包装中，使用该系统镀制阻隔膜，提高包装对氧气、水分等的阻隔性能，延长食品的保质期。3. 设备特点： 高精度镀膜：具备精确的镀膜控制技术，能够实现薄膜厚度的高精度控制，保证薄膜性能的一致性和稳定性。例如，可将薄膜厚度的误差控制在极小范围内，满足对薄膜厚度精度要求极高的应用场景。 高生产效率：卷对卷的连续生产方式，大大提高了生产效率，能够实现大规模的快速镀膜生产。与传统的间歇式镀膜方式相比，在相同时间内可以处理更多的基底材料，降低生产成本。 良好的膜层均匀性：通过优化的溅射源设计和先进的镀膜工艺，确保在整个基底宽度和长度方向上都能获得均匀的薄膜沉积。这对于需要大面积均匀薄膜的应用非常重要，如大面积的柔性显示屏或太阳能电池板。 适用于多种材料：可以溅射多种不同的材料，包括常见的金属（如铜、铝、银等）、合金以及一些化合物材料，满足不同应用对薄膜材料的需求。能够根据客户的具体要求，选择合适的靶材进行镀膜，提供多样化的薄膜性能。 灵活的工艺参数调节：允许用户根据不同的产品需求，灵活地调整镀膜工艺参数，如溅射功率、沉积速率、基底移动速度等。这使得设备能够适应不同类型的基底材料和薄膜应用，为研发和生产提供了更大的灵活性。 可靠的真空系统：拥有高性能的真空系统，确保在镀膜过程中维持稳定的高真空环境，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。可靠的真空系统有助于提高薄膜的纯度和质量，降低薄膜中的缺陷密度。 4. 产品参数（以部分为例）：以下参数仅供参考，实际参数可能因定制化需求和设备型号而有所不同。 基底宽度：常见的基底宽度可能在 100 毫米到 1000 毫米之间，具体取决于设备型号和应用需求。 最大卷径：例如，最大卷径可能达到 500 毫米或更大，以适应不同规模的卷状基底材料。 溅射源数量和类型：可能配备多个溅射源，如直流溅射源、射频溅射源等，数量可能为 2 - 8 个不等，具体根据镀膜工艺和产能要求确定。 镀膜速度：镀膜速度根据不同的材料和工艺要求有所变化，一般在每分钟几米到几十米的范围内。 真空度：能够达到较高的真空度，如 10^-3 帕或更高，以保证溅射过程的顺利进行和薄膜质量。 设备尺寸：设备的外形尺寸根据其设计和产能有所不同，例如长度可能在 3 - 10 米，宽度在 1.5 - 3 米，高度在 2 - 3 米。 电源要求：通常需要三相交流电，电压如 380V，频率 50Hz，整机额定功率根据设备配置而定，可能在 20 - 100kW 之间。

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

SD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致。可用于不耐高温的样品，对不耐温的样品起到保护作用。不至于产生形变等（如：薄膜类样品，树脂类等等） 磁控溅射是物理气相沉积的一种。 一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点， 磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 经工程师测试3分钟内的工作温度约为60度。可升级为手套箱专用手套箱版图需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料原理： 在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：100mA定时器：数码 最长时间：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）输入电压：220V(可做110V),50HZ溅射速录：40nm/min特点：1、经济、可靠、外观精美。2、成膜速率高。3、基片温度低。4、膜的粘附性好。5、可实现大面积镀膜。6、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。7、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。8、真空保护可避免真空过低造成设备短路。

一、公司背景介绍： （1）郑州科探仪器设备是高质量定制物理气相沉积（PVD）系统的设计者和制造商，客户服务和售后服务出色。拥有7年以上真空和薄膜沉积技术经验。其研发团队在学界科学家和工程师的支持下，高度积极地开发新设计以满足客户的特殊要求。 （2）郑科探的工程团队设计和制造的组件符合高质量标准。KT-Z1650PVD真空镀膜机已通过分销商销往许多大学和研究中心，并得到了很好的参考和反馈。 二、仪器描述：小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD，能够在非导电或导电不良的样品上涂布金（Au），钯（Pd），铂（Pt）和金/钯（Au/Pd）的薄膜。在较短时间内即可形成具有细粒度的均匀薄膜，使样品适用于扫描电子显微镜（SEM）分析。仪器结构紧凑，全自动控制，设计符合人体工程学，所得结果一致，可重复性高。 三、产品特点： 彩色触摸屏：数据输入简单快速。 通过触摸屏中直观检测数据和曲线；历史页面可显示历史涂层信息。 可控镀膜速率，可得到更精细的晶粒结构。 可手动或自动，根据时间或根据厚度进行溅射。 样品台更换简单：标准旋转样品台或选用行星式旋转样品台。 标准样品台高度可调、可倾斜、可旋转；行星式旋转样品台为多孔样品带来好的喷金效果。四、小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD厂家供应技术参数：控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

●主要功能：多靶复合磁控溅射镀膜机，可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，具有极高的实用性和通用性（三靶、垂直与共溅射合一、在线清洗基片等），能够提供高水平功能薄膜研制，特别适合于半导体、新能源、磁性材料、储氢材料、二维材料、超硬薄膜、固体润滑薄膜、自洁净薄膜、等领域前沿研究，同时可选配等离子刻蚀功能和辅助镀膜。1. 主体和腔室：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式结构，骨架默认为白色，门板为白色，四只脚轮，可固定，可移动。真空腔室采用优质0Cr18Ni9不锈钢材质（SUS304），腔体尺寸不小于为：ø 450x500mm；真空室为前开门方式，采用铰链连接，自动锁紧，并配有门到位开关，彻底杜绝误操作；真空腔室设置DN100观察窗口，位置在真空腔体正前方。2. 真空系统：2.1 极限真空度≤Pa（空载、经充分烘烤除气并充干燥氮气）。2.2 真空配置。 前级泵为机械真空泵，抽速优于8L/S，超高分子泵一台，抽速1200L/S。2.3 真空测量：采用进口全量程真空计，优选德国莱宝与瑞士inficon。3. 工件盘系统：配备工件盘一套，可安装4英寸基片1片，选配高温工件盘＜800℃。4. 磁控溅射系统：配置三只2-4英寸溅射阴极，三只靶均能兼容直流和射频溅射，并可单独自由切换，磁控靶安装与真空室底部，向上溅射成膜。5.充气系统：二路分别配置MFC质量流量控制器，均为0-100SCCM，准确度±1%F.S，线性±0.5%F.S,重复精度±0.2%F.S。5. 其他：配置断水保护，配置冷水机组，冷水机制冷量为5000Kcal；设备配备小型静音空压机；保修期1年，维修响应时间不超过24小时。6. 操作系统及安全监控：采用人机界面+西门子PLC实现对设备集中自动控制；所有控制系统和电气安装均与主机集成在一起，避免控制柜与主机之间线路放在地上或从顶部引入带来的问题，模块化设计能确保社保维护维修的便捷性。

GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点1.基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上面两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2.颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.GVC-2000磁控离子溅射仪低压大电流溅射，效率更高。

1. 产品概述：卷对卷薄膜溅射系统是一种在连续卷材上进行薄膜溅射沉积的设备。它通常由放卷装置、收卷装置、真空腔室、溅射源、气体供应系统、加热系统（可选）、冷却系统、控制系统等组成。在真空环境下，通过溅射源产生的高能粒子撞击靶材，使靶材原子溅射出来并沉积在连续移动的卷材表面，形成均匀的薄膜。 2. 设备原理及应用： 电子行业：用于制造柔性电子器件，如柔性显示屏的电极、薄膜晶体管（TFT）、触摸屏的导电层等；还可用于生产柔性电路板（FPC）的金属线路。 太阳能领域：制备太阳能电池的电极、透明导电薄膜等，有助于提高太阳能电池的光电转换效率。 光学领域：制造光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光膜等，可应用于光学镜片、摄像头镜头、显示器件等。 包装行业：在包装材料上沉积阻隔薄膜，提高材料的阻隔性能，如防潮、防氧、防紫外线等，延长产品的保质期。 本设备主要应用于micro phone的生产制造中，通过在其表面沉积一层高质量的金涂层，提升产品的性能和市场竞争力。综上所述，本装置是一款集高精度、高效率和高可靠性于一体的真空溅射设备，为micro phone的4微米金涂层生产而设计3. 设备特点：真空环境工作环境：设备在高度真空的状态下运行，确保涂层过程中不受外界气体分子和杂质的干扰，从而得到纯净且致密的金膜。真空度要求：通常，溅射过程需要较高的真空度来保证溅射原子的自由飞行路径和减少碰撞，从而提高涂层的均匀性和质量。Sputtering技术溅射原理：利用高能粒子（如氩离子）轰击金靶材，使靶材表面的金原子获得足够的能量而逸出，沉积在处于真空室内的micro phone表面，形成所需的金涂层。涂层厚度控制：通过精确控制溅射时间、靶材与产品的距离、溅射功率等参数，可以确保涂层厚度达到精确的4微米。涂层特性金涂层优点：金具有良好的导电性、耐腐蚀性和稳定性，作为micro phone的涂层材料，可以提高其性能和使用寿命。均匀性：由于产品在真空室内进行自转和公转运动，结合精确的溅射控制技术，可以确保金涂层在整个micro phone表面均匀分布。设备功能自动化控制：设备通常配备先进的自动化控制系统，可以精确控制各个工艺参数，实现涂层的自动化生产。高效生产：优化设计的溅射腔体和高效的溅射源，使得设备具有较高的生产效率，能够满足大规模生产的需求。维护方便：设备结构设计合理，易于维护和保养，降低了维护成本和时间。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

2 0 8HR 高分辨离子溅射仪是场发射扫描电子显微镜（FESEM）样品表面导电处理的理想设备。FESEM制样要求导电镀层在保持连续均匀的条件下，镀层粒子的粒径尽量的小，进而不会影响样品表面精细微观结构的观察。为了得到高质量的镀层， 208HR提供了所需的溅射沉积条件。其中，208HR的真空系统配备了前级机械旋片式真空泵或者无油隔膜泵，二级真空为涡轮分子泵作来提高样品室的真空度，从而使溅射镀层的粒度均匀细小，满足FESEM的制样要求。此外，自动智能的控制系统，使得操作更加简单容易，并且有很好的重复性。常用的溅射镀膜材料：Pt/Pd: 多用途的高质量的非导电样品的溅射镀膜材料Cr: 半导体材料和高分辨背散射电子成像的理想材料Ir:高性能、粒径均一的镀膜材料主要特点：1、配合不同的靶材可溅射多种材质的薄膜2、高精度的膜厚控制（选配MTM-20 膜厚监控仪）3、多角度的旋转样品台支架，使得成膜更加均匀4、多孔样品台支架行星式旋转样品台5、高度可变的真空腔，使得成膜速率在1.0nm/sec到0.002nm/sec之间可调。6、0.2 - 0.005 mbar大范围的工作气压7、紧凑、现代、桌式设计节省了空间8、操作简单安全，抽气、溅射、放气智能一体化程序设计 Specifications 溅射磁头Sputter head低电压平面磁控管Low voltage planar magnetron快速方便靶材装卸Quick target change环绕暗场保护Wrap-around dark-space shield遮板调试靶材Shutter for target conditioning靶材Targets标配：Cr, Pt/Pdor IR (Iridium coater)选配： Au, Au/Pd, Cu, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti and W 溅射配套系统Sputter supply微程序处理器Microprocessor based安全联锁装置Safety interlock不受真空度影响的恒电流控制系统Constantcurrentcontrol independent of vacuum数显可选电流Digitally selectable current (20, 40, 60 or 80mA) 样品台Sample stage行星式0-90°手动旋转样品台Non-repetitive rotary, planetary motion with manual tilt 0-90°转速可调Variable speed rotation4样品台支架Crystal head 4 sample holders仪表Analog metering真空度：大气压-0.001mbVacuum Atm - .001mb工作电流：0-100mACurrent 0-100mA 控制模式Control method自动抽放气Automatic operation of gas purge and leak functions全自动溅射操作Automatic process sequencing可暂停数显时间设置 Digital timer(0-300 sec) with pause自动放气 Automatic venting真空系统Pumping System涡轮分子泵和旋片式机械真空泵Turbo drag / rotary pump combination抽气速率Pumping speed300 l/min at 0.1mb抽气时间Pumpdown Time1 min to 1 x 10-3mb极限真空Ultimate pressure1 x 10-5mb

Cressington 108 Auto/ Manual SPUTTER COATER英国Cressington Scientific Instruments Ltd享誉业内电镜，电子探针以及电极薄膜制备配套高性能真空镀膜仪方案的先驱者，自上世纪六十年代，伴随着商业扫描电镜的普及和电极镀膜制备的需求，Cressington的配套镀膜设备也一并研发和配套使用，并始终获得科研工作者一致好评。经过半个多世纪的发展，英国Cressington依然专注于紧凑型镀膜产品的设计研发和保持业内很佳性能及很高市场占有率，现阶段已有超过万名客户群，也是配套高真空扫描电镜，电子探针及电极薄膜制备的优选镀膜仪品牌。其创新的冷态溅射镀膜技术不但可以获得高质量膜层，也解决了长久以来困扰用户的热损伤和热变形问题，而其另一创新溅射电流回路设计也保证了真正均匀一致的镀膜, 包括108, 108A, 108Auto, 108C, 208HR, 208C全系列, 且2023年Cressington推出全系列新款，其在功能性上，耐用性上，以及配置上都有所升级和优化，具体联系我司项目负责人。为了保障中国用户权益，英国Cressington公司从2011年经过认真考核后设立了官方中国区授权总代理商(只此一家)：溢鑫科创，以保障旗下所有产品在中国的前期市场开拓和后期服务支持。

GVC-2000磁控离子溅射仪颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜；低压大电流溅射，效率更高。GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2. 颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.低压大电流溅射，效率更高

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

EMS 离子溅射仪EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器EMS150R S Plus 机械泵抽真空喷金仪/离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus 机械泵抽真空喷碳仪/蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus真空镀膜仪，集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，结构紧凑，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供无与伦比的多用途镀膜。 此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。 EMS150T S Plus高真空离子溅射仪（分子泵超高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等） EMS150T E Plus高真空碳蒸镀仪（分子泵超高真空适用于TEM/Cs-TEM使用） EMS150T ES Plus高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑） EMS300R T超大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm超大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）产品特点：快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。 采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间最佳的真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。 易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。 功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。 适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏 ● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手 ● 新的彩色LED可视状态指示灯 ● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备 ● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析技术参数仪器尺寸585mm W x 470mm D x 410mm H (打开镀膜头时总高 650mm)重量28.4kg包装尺寸725mm W x 660mm D x 680mm H (36.8kg)工作腔硼硅酸盐玻璃，152mm ? (内) x 127mm H安全钟罩PET材质显示145mm 320 x 240 彩色图形TFT (Thin Film Transistor)显示用户界面直观全图形界面，触摸屏控制溅射头标配 57mm ?、0.1mm厚金靶（Q150R S，Q150R ES）样品台50mm ?旋转样品台，带6个15mm、10mm、6.5mm或1/8”钉形样品座孔，旋转速度8-20 rpm真空机械泵Edwards RV3 50L/s双程机械泵真空测量标配Pirani规极限真空2 x 10-2mbar工作真空3 x 10-2 mbar与5 x 10-1mbar之间操作过程溅射0-80mA，最大溅射时间60 min碳蒸镀电流脉冲：碳绳，1-60 A；1.4mm ?碳棒，1-90 A辉光放电0-80mA，DC+及DC-模式其它工作气体Ar气，99.999%，N2为排放气体（选件）电源90-250V ~ 50/60 Hz 1400 VA认证CE

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

该系统可以作为以下功能装置：1，研发级R&D镀膜设备，性能优异2，具备所有研发级别的镀膜要求3，高效的沉积速率，镀膜时间快4， 实验室中培训的最佳工具主要的特点和先进的功能：1， 台式，小型，快速2，全自动化程序控制3，单靶或多靶联合溅射镀膜，多路气体管路4，共聚焦设计，靶枪尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，衬底可做到200mm，旋转1-20RPM，以及Load-lock配置5，配置干泵+分子泵，可达高真空，适用高品质薄膜沉积。6， 可做直流溅射，射频溅射，100W射频偏压（用于衬底表面清洗）性能价格比高！！

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内