助焊剂比量仪

近日，德州仪器半导体制造（成都）有限公司凸点加工及封装测试生产扩能项目（二期）竣工验收。该二期工程建设内容包括：在集成电路制造厂（FABB）新增凸点加工产能18.7975万片/年（全为常规凸点产品），在封装测试厂（AT）新增封装测试产能 10 亿只/年（均为常规QFN产品）。二期工程建设完成后，扩能项目新增凸点加工产能33.3975万片/年（全部为常规凸点33.3975万片/年），新增封装测试产能 21.48 亿只/年（其中常规QFN 15.48 亿只/年，WCSP 6 亿只/年）。仪器信息网通过公开文件查阅到该项目的相关仪器设备配置清单和工艺流程。FABB 集成电路制造厂主要生产设备清单.封装测试厂（AT）主要生产设备清单生产工艺:1、凸点加工晶圆凸点是在封装之前完成的制造工艺，属于先进的封装技术。该工艺通过在晶圆级器件上制造凸点状或球状结合物以实现接合，从而取代传统的打线接合技术。凸点加工制程即从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积，此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。 扩能项目凸点包括普通凸点和 HotRod 凸点两种，其主要区别在于凸点制作所采用的焊锡淀积技术不同，普通凸点采用植锡球工艺，工艺流程如下图所示，Hot Rod 凸点采用电镀锡银工艺，工艺流程如下图所示。扩能项目凸点包括 RDL(Redistribution Layer)、BOP-on-COA(Bump on Pad – Copper on Anything)、BOP(Bump on Pad)、BOAC (Bond Over Active Circuit)、 BOAC PI (Bond Over Active Circuit with Polyimide)、Pb-free HotRod，上述各类凸点结构如下图所示，主要区别为层次结构和凸点类型不同。扩能项目各类凸点结构示意普通凸点加工主要工艺流程及产污环节注：普通凸点产品中的 BOAC 不含灰化、回流焊与助焊剂去除工艺Hot Rod 凸点加工主要工艺流程及产污环节凸点加工的主要工艺流程简述如下：（1）晶圆检测分类(wafer sorting)：对来料晶圆进行检测，主要是检测晶圆有无宏观缺陷并分类。（2）晶圆清洗(incoming clean)：由于半导体生产要求非常严格。扩能项目清洗工艺分为两种工艺，第一种仅使用高纯水，另一种使用 IPA 清洗，清洗后再用纯水进行清洗。IPA 会进入废溶剂作为危废收集，清洗废水进入中和废水系统进行处理。（3）烘干(Dehydration bake)：将清洗后的晶圆烘干。该工序产生的烘干废气通过一般废气排气系统排放。 （4）光刻（Photo）扩能项目采用光刻机来实现电镀掩膜和PI（聚酰亚胺）层制作，包括涂胶、曝光，EBR和显影。涂胶是在晶圆表面通过晶圆的高速旋转均匀涂上光刻胶（扩能项目为光阻液和聚酰亚胺（PI））的过程；曝光是使用曝光设备，并透过光掩膜版对涂胶的晶圆进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影之前，需要使用EBR对边缘光阻进行去除。显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。通过曝光显影后再进行烘干，晶圆表面可形成绝缘掩膜层。扩能项目该制程使用了各类光阻液、聚酰亚胺、EBR、显影液及纯水，完成制程的废液统一收集，作为危废外运处置。显影液中由于含有四甲基氢氧化铵，将产生少量的碱性废气，由于其浓度很低，扩能项目将其通入酸性废气处理系统进行处理；显影液及显影液清洗水排入中和废水处理系统。光刻工艺示意图（5）溅射（SPUTTER）溅射属于物理气相沉积（PVD）的一种常见方法，即金属沉积，就是在晶圆上沉积金属。UBM（凸点底层金属）是连接焊接凸点与芯片最终金属层的界面。UBM 应在芯片焊盘与焊锡之间提供一个低的连接电阻。为了形成良好的 UBM，一般采用溅射的方法按顺序淀积上需要的金属层。扩能项目采用 Ti:W 合金-Cu 的顺序进行溅射。溅射示意图（6）电镀（Plate）凸点电镀根据需求，可单纯镀铜，也可镀铜、镍、钯或镀铜、锡银，镀层厚度也有差异，可为铜膜或铜柱。扩能项目普通凸点电镀工艺包括镀铜膜、镀镍和镀钯。扩能项目 HotRod 凸点电镀工艺包括电镀底层铜（plateCOA，Copper on Anything）、电镀铜柱（plate Cu POST）、电镀锡银。基本的电镀槽包括阳极、阴极、电源和电镀液。晶圆作为阴极，UBM的一部分作为电镀衬底。在电镀的过程中，铜、锡银溶解在电镀液中并分离成阳离子。加上电压后，带正电的 Cu2+、Sn2+、Ag+迁移到阴极（晶圆），并在其表面发生电化学反应而淀积出来。电镀工艺原理示意图如下：电镀工艺示意图扩能项目采用的铜、镍阳极为颗粒状，会全部消耗，不产生废阳极；扩能项目使用的镀钯、锡银阳极是镀铂钛篮，呈网状支架作为电镀阳极，不消耗也不更换，镀银采用烷基磺酸盐无氰镀银工艺。 阳极金属如下图所示：电镀阳极实物图b.电镀操作过程进机台→将每片晶圆上到杯状夹具上→用超纯水预湿→镀铜→清洗→镀锡银（或镀镍→清洗→镀钯）→清洗→甩干→出机台。c.电镀清洗扩能项目电镀清洗采用单槽快速喷洗，清洗水直接排入废水处理系统，不重复利用，清洗废水排入 FABB 一楼电镀废水处理系统进行处理，保证处理设施出口一类重金属排放达标。清洗过程中产生有机废气排入有机废气处理系统统一处理。d.电镀槽液更换项目对电镀槽中电镀液离子浓度定期检测，适时添加化学药剂，保证电镀液可用。使用一段时间后，因电镀液中悬浮物浓度升高，需对电镀液进行更换。扩能项目依托 FABB 一层现有的2个2m³的电镀废液收集槽将电镀废液全部收集暂存，委托有资质的危废处理公司外运处置。电镀废液约半年排放一次，年排放量约为 3.5m³，因此收集槽的容积可满足废液收集需求。（7）去光阻（Resist stripping）电镀完成后，利用光阻去除剂去除电镀掩膜光阻，依次使用 NMP 与 IPA 进行湿式清洗，最后用纯水进行清洗，清洗后进行干燥。干燥通过自燃烘干或者 IPA吹干。（8）蚀刻(ETCH) 将凸点间的 UBM 刻蚀掉。扩能项目采用湿法腐蚀。湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的材料。扩能项目采用过氧化氢作为 Ti-W 合金的腐蚀材料，普通凸点采用硫酸腐蚀铜，含锡银凸点采用磷酸腐蚀铜，产生的含磷的酸性废水排入 CUB5c 氢氟废水处理系统进行处理，不含磷的酸性废水排入中和系统进行处理。蚀刻完成后，使用气体吹扫晶圆表面进行去杂质。（9）灰化(Ash)剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’），即用氧 等离子体轰击光掩膜并与之反应生产二氧化碳、水等物质使其得以剥离。该过程 产生一般热排气，排入一般排气。（10）凸点制作晶圆凸点工艺最主要的 3 种焊锡淀积技术是电镀、焊锡膏印刷以及采用预成 型的焊锡球进行粘球。RDL、BOP、BOAC 等凸点采用粘球工艺(Ball place)，粘 球的一般操作过程为，首先在晶圆表面涂抹一层助焊剂，然后将预先成型的焊锡 球沾在助焊剂上，接着进行检查，确保每个晶粒都沾有焊锡球。Hot Rod 等凸点 焊锡淀积技术采用电镀锡银工艺。回流(reflow)，该过程将焊料熔化回流，使凸点符合后续封装焊接要求。最 后，再使用纯水对助焊剂进行清洗去除（Flux wash）。助焊剂清洗废水排入中 和废水系统进行处理。（11）自动检测(AVI) 对凸点加工完的晶圆进行自动检测，确认是否有缺陷。至此，晶圆上的凸点 制作完成。 （12）晶圆针测(Probe)在凸点完成后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。针测（Probe）是对每个晶粒检测其导电性，只进行通电检测操作，没有任何化学过程。不合格晶粒信息将被电子系统记录，在接下来的封装和测试流程中将不被封装。扩能项目晶圆针测工序全部在 OS5 进行。（13）包装(Packing)：利用塑料盒、塑料袋等对完成凸点的晶圆进行简单包装，然后进入AT厂房进行封装（后工序）。2、封装测试QFN 封装测试QFN 封装即倒装式四周扁平无引脚封装(QFN，Quad Flat No lead Package)，扩能项目 QFN 封装包括传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装（Flip Chip on Lead frame QFN Package，框架上倒装芯片封装）。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装的结构如图所示。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装结构对比覆晶框架QFN在工艺流程上相较传统QFN主要区别在芯片与载板框架的连接方式，传统 QFN 通过金属导线键合，覆晶框架 QFN 通过芯片倒装凸点键合，相比传统工艺新增助焊剂丝网印刷、覆晶结合、助焊剂清洗、等离子清洗等工艺，以下对 QFN 封装的工艺及产污进行表述。贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保 护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（1）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（2）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。 （3）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（4）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（5）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（6）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（7）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）或激光将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒（die）。刀片的金刚石颗粒 大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。激光划片属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性 参数优于机械切割方式，用超纯水进行硅屑冲洗。（8）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射使粘结剂失去黏性达到去膜的目的。（9）点银浆：将银浆点到框架上以备粘合用；（10）粘片：将芯片置入框架点银浆处；（11）银浆固化：在氮气保护环境下烘干固化，将芯片牢固的粘结在框架上；（12）引线键合：使用金线或铜线将芯片电路 Pad 与框架引脚 Lead 通过焊接的方法连接起来，实现电路导通，焊接采用超声波焊接，无焊接烟尘产生，主要产污为废引线。（13）助焊剂丝网印刷：在密闭机台内用丝网将助焊剂印刷到引线金属框架上，无排气。丝网采用 IPA 清洗，清洗有有两种情况，一种是用设备自动清洗，IPA 会喷到丝网上，然后用棉布擦拭，擦拭布吸收 IPA 及丝网上的脏物后就当作 危废处理，没有废液，设备是密闭的，不连接排气；另外一种是人工擦拭，会在 化学品通风橱内操作，也是用棉布擦拭，没有废液产生，通风橱连的一般排气。（14）覆晶结合：将晶圆 IC 反扣在引线金属框架上，让锡银铜柱对准丝网印刷的助焊剂。（15）回流焊：将覆晶结合后的芯片放在氮气保护的回焊炉内按一定的温度曲线通过该炉，使用回流焊的方式实现晶圆 IC 与引线金属框架的焊接，该过程使用的助焊剂无挥发性物质，后续使用专用清洗剂进行清洗。（16）助焊剂清洗：使用助焊剂清洗剂洗掉回流焊残留的助焊剂并用水冲洗干净。设备自带清洗废气冷凝装置，冷凝液进入废水处理系统，不凝气接入现有一般排气系统。（17）等离子清洗：使用等离子清洗剂激发氧氩等离子体实现更高级别的彻 底清洗，将残留的微量氧化层清洗干净，清洗废气接入现有一般排气。 （18）塑封固化：使用环氧树脂对 IC 进行外壳封装。（19）去毛刺：去除塑封外壳毛刺并进一步烘烤固化成型将塑封固化好的芯片置入有机盐溶液中去除塑封外壳毛刺及溢出料，产生去毛刺废水。（20）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商 的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将 产生打印粉尘和硅粉。（21）切带：切开胶带使单个晶粒分离。（22）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（23）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（24）终检：使用最终检测设备进行终检。（25）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。传统 QFN 工艺流程及产污环节FCOL QFN 工艺流程及产污环节2、WCSP 封装WCSP 封装（Wafer Chip Scale Packaging，晶圆级封装），即在晶圆片未进 行切割划片前对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸相同。此外，WCSP 封装无需载板框架，可直接焊接在 PCB 印制线路板上使用。凸点和针测完成后，晶圆即进入封装测试厂 AT 厂房进行 WCSP 封装及测试，主要工艺流程如下：（1）贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过 程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（2）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（3）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。（4）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀 +中和处理。（5）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面 被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（6）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（7）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（8）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的 履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（9）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。（10）激光切片：首先进行晶圆黏片，即在晶圆背面贴上水溶性保护膜然后进行切割。激光切割属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式；激光可以切割任意形状，如六角形晶粒，突破了钻石刀只能以直线式加工的限制，使晶圆设计更为灵活方便。切割过程中使用超纯水进行硅屑冲洗。 （11）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射去膜。（12）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（13）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（14）终检：使用最终检测设备进行终检。（15）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。WCSP 工艺流程及产污环节

近日，苏州通富超威半导体有限公司公示了《苏州通富超威半导体有限公司高性能中央处理器等集成电路封装测试项目》。公示信息显示，苏州通富超威半导体有限公司将在江苏省苏州工业园区苏对高性能中央处理器等集成电路封装测试项目进行扩建，总投资达18.97062亿元。据了解，超威半导体技术（中国）有限公司成立于2004年3月，位于苏州工业园区苏桐路88号，是尖端的微处理器（CPU）制造企业，主要从事微处理器（CPU）、集成电路等的封装、测试，是一家有着世界顶级设备和优秀管理人员的现代化工厂。2016年05月23日，该公司名称变更为苏州通富超威半导体有限公司。苏州通富超威半导体有限公司目前主要进行CPU的生产。项目于2010计划建设13条新型可控坍塌芯片连接技术封装生产线，最终形成年产和测试13000万颗CPU的能力，但实际只建成及验收 5 条封装生产线，实际年产CPU5000万颗。由于市场需求发生变化，为抢占市场份额，企业拟购置新设备，采用倒装封装技术及先进测试技术，在新增封装线的同时对现有封装工艺五条线进行技术改造，调整现有产能，建成后预计最终年产CPU（中高端集成电路封装）1.4 亿颗。同时，本项目还将引进晶圆研磨机，用于加工半导体晶圆，使晶圆的尺寸达到公差范围内，预计年研磨片数4.0万片。同时购入圆片级测试机，新增晶圆级测试工艺，改造完成后有助于本土集成电路产业链的延伸，实现企业在晶圆制造后的全制程能力，预计可实现年产能5.0万片。根据公示信息透露出的本次扩建涉及到的设备信息，估计变化量达近千台。该项目涉及CPU封装工艺流程、产品测试工艺流程及晶片测试工艺流程等。CPU封装工艺流程晶圆检测：在高倍显微镜下对每叠芯片进行抽检，其余部分用裸眼全检，检测有没有焊球损坏或焊球变形，芯片碎裂或芯片背面损坏情况，同时在晶圆表面贴上晶圆胶带。 激光开槽：使用激光开槽机在激光切割保护液的保护下对晶圆进行开槽，随后使用纯水对晶圆进行冲洗。 机械切割：使用机械切割机对开槽后的晶圆进行进一步切割，同时使用纯水对晶圆进行冲洗、降温。UV固化：UV固化机对晶圆表面进行固化使表面膜跟晶圆更加贴合。抓取分拣：使用晶圆分拣机将晶圆按性能分拣归类。基板烘烤：使用基板烘烤机在125℃（电加热）条件下对基板烘烤约 2.5h，使其拥有更好的绝缘度。锡膏印刷：从干燥箱中取出已经烘烤结束的基板，冷却到室温，喷洒助焊剂，印刷锡膏；使用完成后的钢网需进行清洁，使用沾有异丙醇的擦拭纸进行擦拭。贴电容、贴芯片、回流焊：使用电容贴片机、晶圆贴片机分别将电容、晶圆芯片摆放在焊接位置，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡膏融化、回流、冷却使接点焊接牢固，焊接电容、芯片；随后进行检测，若有焊接不牢固产品，则用无尘纸沾取少量异丙醇对焊点处进行人工擦拭，然后进行返工。助焊剂清洗1：将助焊剂清洗剂与纯水按照一定比例进行配比，使用助焊剂清洗机对焊接后的半成品进行冲洗。底封胶填装：利用毛吸现象原理，使用底封胶填充机在晶元和基板间填充粘胶，来填充焊接球与基板间的缝隙，减少热应力的危害。固化：为保护电容，部分产品继续填充紫外线固化剂，后在 165℃（电加热）条件下 对半成品烘烤一定时间。锡球植球、回流焊：使用锡球植球将锡球摆放在焊接位置并喷洒助焊剂，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡球融化、回流、冷却使接点焊接牢固。 助焊剂清洗2：焊接后送入清洗槽内浸泡 5-10min，清洗槽内为溶有清洗剂的纯水 （50℃），将其表面粘附的助焊剂清洗干净。开闭路测试：通过开路和闭路测试，检测封装工艺是否完好，此过程会产生一定量的不良品，其中智能移动终端及图像处理集成电路及高性能中央处理器集成电路测试完成后合格品进行包装入库，CPU 流入下一工序。点胶、加盖子、烘干：使用点胶机在基板的四周点上粘胶，并用热传导贴胶机在芯片背面刷热传树脂，同时用贴盖机对集成电路加上散热盖，在烘干炉里加热烘干。产品测试工艺流程测试工艺流程1：封装后的集成电路经功能性测试、系统测试、激光打标、质量抽检、外观检测、Pin 脚测试后包装入库，测试过程均会产生一定量的不良品，外观检测时用无尘纸沾取少量无 水乙醇对进行人工擦拭（擦拭灰尘）。测试工艺流程2：对需要测试的产品进行登记记录，使用 X-ray 设备对需要进行检测的产品进行 X 光照 射进行分析，使用盐酸进行破坏性测试，根据实验结果对分析的结果进行分析并出具实验报告。晶片测试工艺流程来料接收：根据物流的到料信息，进行晶圆的到料接收，物料收入后，存放于氮气柜中。 备料：根据排料计划进行提前准备。 来料检查：对来料晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插， 有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失等异常。 探测：晶圆探测是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上探针，与晶粒上的接点接触，测试其电性能力和电路机能，不合格晶粒会被标记淘汰，不再进行后端的一些制程，以免增加制造成本。在探针的正常维护和修理过程中，会使用无尘布沾取少量酒精对针处进行人工擦拭。出站检查：对测试后的晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插，有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失，针痕伤害等异常。存储：将需要出货的晶圆放置在氮气柜中存储。打包：将晶圆、干燥剂、湿度指示卡放入静电袋中，贴上晶圆信息的标签。若铝箔袋破损、标签信息错误，或者湿度指示卡变色，都需要废弃。出货检查：确认打包后的晶圆实物与标签一致，且标签完整，合格品厂内自用。

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，于7月30日推出适用于扇出型面板级封装应用的Ultra C vac-p负压清洗设备，该设备利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，显著提高了清洗效率。标志着盛美上海成功进军高增长的扇出型面板级封装市场。盛美上海宣布一家中国大型半导体制造商已订购Ultra C vac-p面板级负压清洗设备，设备已于7月运抵客户工厂。 据Yole预测，扇出型面板级封装方法的应用增长速度高于扇出市场整体增长速度，其市场份额相较于扇出型晶圆级封装而言将从2022年的2%上升至2028年的8%。预计增长背后的主要动力是成本的降低，传统硅晶圆的使用率低于85%，而面板的使用率高于95%，600x600毫米面板的有效面积是300毫米传统硅晶圆有效面积的5.7倍，面板总体成本预计可降低66%。1 面积利用率的提高带来了更高的产能、更大的AI芯片设计灵活性以及显著的成本降低。 盛美上海董事长王晖博士表示：“在人工智能、数据中心和自动驾驶汽车的推动下，新兴的扇出型面板级封装方法能够提高计算能力、减少延迟并增加带宽。此方法正在迅速成为关键解决方案，它将多个芯片、无源器件和互连集成在面板上的单个封装内，可提供更高的灵活性、可扩展性以及成本效益。面板级负压清洗设备标志着盛美上海在解决下一代先进封装技术的清洗挑战方面迈出重要一步，彰显了半导体制造领域的持续创新，兑现了盛美上海始终致力于满足不断演变的行业需求的坚定承诺。”关于Ultra C vac-p面板级负压清洗设备在底部填充之前清除助焊剂残留物是先进封装流程中消除底部填充空隙的关键步骤。由于表面张力和有限的液体渗透力，传统清洗方法在处理小凸起间距（小于40微米）和大尺寸芯片时比较困难。负压清洗可使清洗液到达狭窄的缝隙，从而有效解决这一问题。此外，由于液体经过距离较长，因此传统方法可能无法满足较大芯片单元的清洗需求。采用负压清洗功能设备后，整个芯片单元甚至是中心部位均可得到彻底清洗，有效避免残留物影响器件性能。Ultra C vac-p面板级负压清洗设备专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达7毫米的面板翘曲。

为广泛征求用户的意见和需求，了解中国科学仪器市场的实际情况和仪器应用情况，仪器信息网自2008年6月1日开始，对不同行业有代表性的“100个实验室”进行走访参观。2011年1月14日，仪器信息网工作人员参观访问了本次活动的第六十二站：信息产业部专用材料质量监督检验中心。 　　信息产业部专用材料质量监督检验中心(以下简称“中心”)是经原国家计委、国务院国防工办批准在中国电子科技集团公司第四十六研究所(原信息产业部电子46所)扩建的材料检验中心，1988年由机电部批复成立，1990年12月通过机电部工程竣工验收，自此，中心成为电子材料研究、检测的专业机构，并且是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位之一。1991年，中心分别通过国家技术监督局国家计量认证验收、国家认证认可监督管理委员会的实验室认证，2010年获得国家实验室认可，成为国际互认实验室。 　　并且，中心是全国唯一一家具有电子材料质量监督认证与仲裁资质的机构、国际SIMS组织飞行试验室、联合国和国家环保总局资助的ODS实验室。 信息产业部专用材料质量监督检验中心的资质证书 　　中心主任董慧莪高级工程师介绍到，中心主要任务是对电子专用材料及其应用产品进行质量评价、检测、认证与仲裁，监督促进企业贯彻执行有关的技术标准，提高产品质量和经济效益。具体任务包括：电子专用材料的质量认证、认定、鉴定与仲裁 同时承担行业监督、行业抽查、电子材料及相关产品的进出口商检 国家标准、行业标准的制定、修订和标准的验证工作，研究制定有关的试验和检测方法 开展材料结构、工艺及缺陷分析研究，积累数据为提高产品质量和发展新产品提供技术咨询与技术服务 对本专业的质量监督检验测试工作进行技术指导、交流经验统一方法，培训检测人员。 　　中心占地面积40亩，建筑面积8000平方米。到2009年底中心仪器设备的投资总额达到了6000万元。中心的检测设备齐备，业务覆盖面广，是国内材料检测实验室规模最大、检测设备最齐全的实验室之一。中心分为四个室：物理分析室、结构与表面分析室、成分分析室和业务室。兼备了质量管理、分析测试和科学研究等方面。中心现已建成可开展半导体材料、金属材料(包括框架材料、引线材料、合金材料等)、焊接材料、清洗材料、绝缘材料、以及矿石、化工、轻纺、建材、化学试剂等材料的理化检测分析、有毒有害物质分析、材料和器件失效分析的综合性实验室。 二次离子质谱仪 IMS 4f-E7 　　二次离子质谱仪是材料和器件分析的最重要手段之一，在半导体工艺中具有非常重要的用途。IMS-4F是法国CAMECA公司的产品，具有高灵敏度和深度分析等特点，主要用于固体材料表面/界面元素成份及杂质(可针对全元素)的深度分布及平面分布分析。 等离子体发射光谱仪 720-ES、原子吸收光谱仪 3110 　　720-ES是美国VARIAN公司的产品，具有很高的灵敏度、很低的检测限，基体和共存元素的干扰小；样品好量小，能对70余种元素进行定性及定量分析。 　　3110是美国珀金埃尔默公司的产品，其灵敏度高，一般为μg/g级到ng/g级；抗干扰能力强；空气-乙炔火焰可以测定约30种元素；操作简便。 　　本中心利用这两种检测器仪器可以对绝大多数的化学元素能做到精确快捷的检测。 场发射扫描电子显微镜 Zeiss Supra 55VP 　　Zeiss Supra 55VP是德国蔡司公司（原英国剑桥公司）的产品，其低真空模式可以减轻荷电，不导电样品可不必喷镀导电层而直接观测；可对较大样品做无损检测；配备X射线能谱仪附件，可同时对样品成分进行定性和定量分析、线扫描、面扫描以及成分像。 　　在本中心，Zeiss Supra 55VP主要用于固体材料表面形貌及成份微区分析，材料镀层厚度及薄膜厚度等分析。 X光电子能谱 PHI 5000 Versa Probe、俄歇电子能谱仪 PHI 670 　　上述两台仪器都是日本PHI公司的产品，PHI 5000 Versa Probe主要用于材料表面/界面元素组成分析及化学价态分析，PHI 670主要用于材料表面/界面微区元素组成分析、元素深度分布及面分布分析。 电子式万能试验机 CSS-44300、WDW-50 　　长春试验机研究所的CSS-44300型电子式万能试验机、济南恒瑞金试验机有限公司的WDW-50电子式万能试验机主要用来检测材料的力学性能。 比表面和孔隙度分析仪 Quadrasorb SI 　　该仪器是美国康塔仪器公司新近推出的一款全自动4站比表面和孔隙度分析仪，测定样品的比表面积及孔径。据介绍，该仪器具有4 组独立的样品分析系统，各分析系统独立运行，可选择不同的分析和测量条件，非常适合像本中心这样的多样品、大批量分析需要的实验室。 可焊性测试仪 SAT-5100 　　随着全球无铅化焊接，电子产品小型化，高密度的表面贴装等技术的推进，焊接工艺会比从前更困难，焊接质量越来越难以保证，因此在焊接之前对电子产品的镀层部份、焊料、助焊剂等的综合参数做一个评价，变得越来越重要。可焊性测试仪在半导体及电子封装领域被广泛使用。日本力世科公司的SAT-5100型可焊性测试仪正是运用润湿平衡的测试方法，使焊接过程得到形象的再现性，利用SAT-5100能得到各种各样润湿信息，从而提高电子产品的焊接质量。 　　在本中心，SAT-5100主要用于助焊剂和焊锡等焊接材料的的润湿力、润湿时间、润湿角及张力等润湿性参数的测试，以及评价电子器件、线路板对焊接材料的附着性。 激光粒度仪 ADA2000、傅里叶变换红外光谱仪 TENSOR 27 　　ADA2000是英国马尔文公司的产品，主要用于材料粒度分析。 　　TENSOR 27是布鲁克光谱仪器公司的产品，主要用于对电子材料的杂质、缺陷及有机物的成份进行分析。 超高温综合同步热分析仪 STA 449F3、热膨胀仪 DIL 402C 　　上述两台仪器都是德国耐驰公司的产品，其中，STA 449F3覆盖-150至2000℃的宽广的温度范围，可以快速而深入地对材料的热稳定性、分解行为、组分分析、相转变、熔融过程等进行表征。在本中心，STA 449F3主要用于测定样品的熔点、玻璃化温度。 　　DIL 402C用于测量线膨胀系数。DIL 402C的炉体可以自行更换、操作简便 装载样品简便，即使非理想尺寸的样品都可以很轻松的放进管状样品支架的凹槽中。 布氏硬度计 HB-3000B-I、电动洛氏硬度计 500MRA 　　HB-3000B-I是济南时代试金仪器有限公司的产品，测量样品的布氏硬度；500MRA是沃伯特测量仪器(上海)有限公司的产品用来测样品的洛氏硬度。 　　中心现有工作人员35名，其中教授3名，高级工程师12名，工程师14名，大本以上学历的占90%。中心拥有一批具有良好理论基础和丰富实践经验的专业研究与检测人员，专业结构和年龄层次分布也较合理。 　　在为社会提供检测技术支持的同时，中心还多次承担了国家“八五”到“十一五”的多项材料科技攻关、材料质量检测方法研究和质量认证任务，承担了数十项国防科技攻关和材料检测和失效分析项目，获得了多项科研成果和科技进步奖，负责并参与了上百项材料检测标准的制定。 合影 　　通过近二十年的运行和完善，中心不但为电子材料质量监督和行业归口管理做了大量工作，同时为国内相关企事业单位开展了大量的质量控制、质量分析、质量认证和仲裁工作，为企事业单位扩项目上规模起到了有效的技术支撑作用。得到了国家部委和广大用户的充分肯定和认可。 　　附录：信息产业部专用材料质量监督检验中心

为优化政府采购营商环境，提升采购绩效，《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向，内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来，各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位，是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室（微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室），5个行业服务类研发中心（EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部），7个行业应用类研发中心（通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心），4个核心产品类研发中心（硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心）。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴，在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化，在我国微电子领域拥有广泛的影响，为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持，微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器，以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息，本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目，预算金额相加约1.5亿元，采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是，微电子所除了采购仪器设备外，还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域，“流片”指的是“试生产”，就是说设计完电路以后，先生产几片几十片，供测试用。如果测试通过，就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接

虽不属于高能耗产业，但我国迅猛发展的电子信息制造业，依然在环保和节能指标上与发达国家相去甚远。怎样早日摆脱&ldquo 穹顶之下&rdquo 的能耗压力，调整产业结构，促进电子制造从材料到制作工艺全面升级，将于2015年4月21日-23日在上海世博展览馆隆重开幕的第二十五届中国国际电子生产设备暨微电子工业展(NEPCON China 2015)，首次推出全新电子新材料论坛，对我国电子材料行业现状及发展前景开始全面解读。 　　高端行业峰会，专业解读电子新材料发展之道 　　据了解，本次论坛是NEPCON China 2015的精选活动之一，也是关注电子材料行业发展专业人士的一次高端聚会。SMTA 、SPCA、中国电子材料行业协会电子锡焊料材料分会、ITRI-IPC中国焊料技术理事会等业界知名协会都对本次论坛举办提供了有力的专业支撑。届时，将有来自终端用户群体的研发与设计、项目主管、技术支持、采购/市场/销售等材料行业的权威专家，以及行业媒体等共约150人参加论坛，涵盖了消费电子及家电、电子制造、通信、汽车电子、控制/安全/测试服务等诸多领域。除了集中展示半导体材料、元器件材料，平面显示材料、印刷电路板材料、电池材料、电子锡焊料材料、胶黏剂等新产品和新技术外，与会人士还会就电子材料升级转型等热门话题直面交流分享经验。 　　放眼当前，伴随公众审美和环保意识的不断提高，电子产品正朝着绿色无害、小型节能的方向发展，渗透在电子产品制造工艺中的电子材料，也必须顺应历史潮流，更加注重自身的高效安全、灵活、和环境友好特性，这样才能适应市场多元化需求。可以预计的是，在未来几年推崇产业升级换代的电子产业中，电子新材料必将化身高新技术产业发展的先导，成为电子制造工业领域最具活力和发展潜力的UP新势力。 　　品牌引领潮流，电子新材料展品缤纷登场 　　即使只是一次行业峰会，但本次电子新材料论坛在沟通了上下游产业链、助力企业多元发展上的作用不容置疑。在NEPCON China 2015展会上，以AIM、ALPHA、Henkel、ITW、Zestron、化研为代表知名公司，均与论坛同步推出多款与绿色环保主题相关的焊锡材料、清洗设备，新材料闪亮登场，说明环保节能理念已经深入人心。 　　一直致力于为半导体封装、印刷电路板组装提供优质材料和高级焊接解决方案的汉高(Henkel)公司(展位号：B-1G35)，在本次展会推出了全新耐温变锡膏- LOCTITE GC 10。该锡膏适合常温下超长时间保存，且制作工艺比传统焊锡膏有了显著升级。相对于普通材料的平均1至4小时暴露时间，汉高LOCTITE GC 10无卤素、无铅、恒温型配方，最长可暴露24小时。稳定一致的印刷转移效率，宽大的回流窗口，让LOCTITE GC 10具有更高的活性，能够大大提高生产线上焊接系统的稳定性。 　　知名焊材公司华加美(展位号：A-1G74)本次带来了M8完全新一代的免洗锡膏，基于无铅T4及更细锡粉开发设计，工艺更精致、使用更持久，适用工艺窗口更广泛。它可为超微粒子和umBGA装置提供稳定的印刷性，为最具挑战性的电子应用减少DPMO。更为关键的是，M8免洗锡膏制作时加入了清洁化学剂，保证残留物被轻而易举一扫而空，为产品设计打上了深深的环保印记。 　　首次进入国内市场的ALPHA公司(展位号：A-1D55)，携旗下多款竞品入驻NEPCON，焊膏、焊料合金、助焊剂、卷带式低温SnBiAg预成型焊锡，各种型材应有尽有，为电子制造提供最全面的焊接工艺方案。其中ALPHA® SnCX Plus&trade 07是一种无铅无银的助焊合金，专为简单至标准复杂的双面组装而设，其中包含的锡、铜以及各种独有添加品，让焊接过程更简单，效果更明显。 　　专注于研发、生产和销售电子清洗剂的依工特种材料有限公司(ITW，展位号：A-1D50)，旗下包罗各种CBA工艺中清洗助焊剂，钢网板清洗剂，用于PCB保护的三防漆，各类ESD清洗或防护剂、锡编带、助焊笔、涂层笔等便利产品，一展打尽全部电子清洗材料，是工业电子、电路板组装等制造商的最佳选择。 　　引领全球的ZESTRON(展位号：B-1C35)水基清洗产品凭借独创的MPC微相清洗技术开发，能够高效去除电子元器件表面的助焊剂残留，保证卓越的清洗效果并提供良好的材料兼容性。ZESTRON 水基清洗产品可过滤循环使用，因此拥有超出寻常的清洗寿命，减少成本。该产品安全环保，累计帮助全球2000多家知名客户提升了工艺表现。 　　对精密电路板和半导体电子元件的清洗，一直以来是清洗剂行业的难题。化研科技株式会社(展位号：B-1J01)采用了超微净清洗系统，一键清洗所有精密电子元件。它不仅实现无污染清洗，同时推进了循环再生利用，是环保性能极高的精密清洗系统。 　　通过业界人士合作交流来探讨行业话题，这在NEPCON历史上不是唯一，但本次论坛却首次把关注焦点投向了电子新材料领域。作为电子制造业的重要参与者，电子材料的环保指数和安全系数，直接决定着整个行业的走向，更为紧迫的是从生产工艺和材料应用等关键环节上采用更为先进的技术，这样才能打造中国电子产品的高品质印象。 　　来源：NEPCON 　　2015 NEPCON China观众预登记途径： 　　· 发送短信&ldquo CNH+姓名+公司名&rdquo 至106900297333即可登记参观NEPCON China 2015并收到展会资讯 　　· 参观热线：国内观众&mdash 4006505611或86-10-5763 1818 国际观众&mdash 86-21-2231-7011 　　· 关注官方微博：NEPCONChina电子展 官方微信服务号：NEPCON_CHINA 　　· NEPCON China 2015详情请访问：www.nepconchina.com 　　· NEPCON South China 2015详情请访问：www.nepconsouthchina.com 　　关于励展博览集团大中华区&mdash &mdash 中国领先的展览会主办机构 　　励展博览集团大中华区是世界领先的展览及会议活动主办机构&mdash &mdash 励展博览集团的下属公司。励展博览集团在世界各地拥有3,700名员工，在43个国家举办500多个展会项目，其展览及会议组合为跨美洲、欧洲、中东、亚太和非洲地区43个行业部门提供服务。2014年，励展博览集团举办的展会吸引了来自世界各地的700余万名参与者，为客户达成了数十亿美元的业务交易。励展博览集团是励德爱思唯尔集团的成员之一，后者是全球领先的专业信息解决方案提供商，亦是一家FTSE-100上市公司。 　　励展博览集团大中华区历经30多年的快速发展，如今已成为中国领先的展览会主办机构，在华拥有八家出色的成员公司：励展博览集团中国公司、国药励展展览有限责任公司、励展华博展览(深圳)有限公司、北京励展华群展览有限公司、上海励欣展览有限公司、北京励展光合展览有限公司、励展华百展览(北京)有限公司和河南励展宏达展览有限公司。 　　目前，励展博览集团大中华区在中国拥有500多名员工，服务于国内11个专业领域：电子制造与装配 机床、金属加工与工业材料 包装 生命科学与医药、保健、美容与化妆品，休闲运动 礼品与家居 汽车后市场 生活方式 博彩 出版 地产与旅游 海洋、能源，石油与天然气。 　　2014年，励展博览集团大中华区主办的50余场展会吸引了100万余名观众以及近4万余名参会代表出席 在我们的展会上，共有3万多家供应商参与展示，其展位面积总计超过160万平方米。

您知道吗？日常生活中，洗面奶中的微小塑料颗粒检测；海洋环境中，微塑料种类检测；刑侦案件中，微量物证成分检测；药物生产中，杂质异物成分检测等等，都离不开红外显微镜。红外显微镜是指傅立叶变换红外光谱仪和显微镜联用系统，该技术灵敏度高，可以实现微区、微量样品分析，对于常规无法检测的μm级别样品，也可方便快捷地进行检测。 岛津公司全新推出《岛津AIM-9000红外显微镜应用数据集册》，一起来看看吧！ 岛津AIM-9000红外显微镜特点高灵敏度：拥有30000:1信噪比指标。全自动红外显微分析系统：观察、定义测量位置、测量、鉴别结果自动执行。装载：装载样品非常简单，轻轻一按“取出样品”按钮，自动降低样品台。观察：大视野相机和显微镜相机实现从目视尺寸（10x13mm）到显微异物尺寸（30x40μm）的连续放大。分析：异物自动分析程序，自动确认异物成分。丰富的附件：可以选配多种附件。 岛津AIM-9000红外显微镜应用数据集册特色案例抢先看 案例一 (环境) 海洋生物体中微塑料成分检测海洋微塑料一旦被海鸟、鱼类等生物摄入，是无法被消化的，极易导致海洋生物死亡。英国的纽卡斯尔大学和荷兰的瓦赫宁根海洋研究所从海洋生物北极鳕鱼的胃内分离出了微米级别的微塑料，使用岛津AIM-9000对北极鳕鱼胃内分离出的微塑料进行分析。 测试发现北极鳕鱼中采集的微塑料主要成分是PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯），含有添加剂KAOLIN（硅酸铝）。 案例二 (医药) 注射剂中异物成分定性分析注射剂生产工艺或生产环境等原因，一些灌装药液产品中可能含有玻璃碎屑、纤维、橡胶、毛发、烟雾、白点等异物，对病人身体造成极大的危害。过滤某品牌注射液，在光学显微镜下挑出异物（红色框内），然后使用岛津AIM-9000对异物进行成分测试。 谱图分析结果结合显微镜下异物图片状态可知，该异物可能是毛发。 案例三 (公安司法) 车祸现场油漆碎片分析汽车车身油漆由底漆层、中涂层、面漆层、清漆层等组成，不同厂家和车型对应不同的车身油漆。因此汽车油漆隐含着汽车车型的重要信息，是道路交通事故逃逸案中重要的物证信息之一。了解汽车油漆的光谱特征，对于进行同一性认定，缩小嫌疑车辆范围，查找逃逸车辆有重要指导意义。油漆图片及红外谱图 谱图分析结果嫌疑车油漆样本与事故现场油漆碎片红外谱图差异性比较明显，排除该车是肇事车的可能。 案例四 (电子电气) 镜头上异物成分定性分析在电子电气行业，生产工艺流程复杂，过程中使用的物料众多，操作流水线上的稍微疏漏，都会导致产品中出现不明异物。这不仅影响产品外观，影响产品质量，甚至会导致生产停滞，给企业带来不可估量的经济损失。由于异物样品较小，显微红外法在微小异物分析中的显著优势得以体现。 谱图分析结果结合显微镜下异物图片状态推断，该异物可能是皮屑。 数据集册内容 （一）工业制造1.红外显微镜法在电子产品异物分析中的应用2.岛津红外显微镜对印刷电路板进行缺陷分析3.红外显微镜在焊锡电路板助焊剂残留分析中的应用4.红外显微镜ATR法对锂离子电池用隔离膜进行定性分析5.红外显微镜Mapping功能研究物质组分分布的均匀性6.红外显微镜系统Mapping功能测试锂电池用铝箔表面的油污7.红外显微镜法测定玻璃板上聚亚胺薄膜的环化率8.岛津EDX和红外显微镜AIM测试人工晶体上的异物9.岛津红外显微镜AIM-9000和EDX-8100联用鉴定树脂材料中的异物 （二）医药1.岛津红外显微镜定性分析医药包材的多层膜2.岛津红外显微镜可视观察的同步测定对多层薄膜进行分析3.岛津红外显微镜AIM-9000对药物片剂表面的异物进行分析4.岛津红外显微镜对注射液中异物进行成分分析 （三）环境1.岛津红外显微镜快速鉴定长江水中的微塑料成分2.使用岛津红外显微镜AIM-9000分析从海洋生物中采集的微塑料3.岛津红外显微镜检测磨砂洗面奶中的微小塑料颗粒4.岛津红外显微镜检测食盐中的微小塑料颗粒 （四）公安司法1.岛津显微光谱法分析车辆碰撞现场微量油漆物证2.岛津AIM-9000红外显微镜系统在打印字迹鉴别中应用3.岛津红外显微镜对口红物证样品进行成分对比分析4.使用红外显微镜AIM-9000进行毛发截面分析 （五）食品安全1.岛津AIM-9000和EDX对食品工序中异物进行定性分析2.岛津红外显微镜AIM和EDX测试水管异物 撰稿人：王娟娟 *本文内容非商业广告，仅供专业人士参考。

2017年7月3日英国普洛帝分析测试集团西安研发中心对外完成DMA系列密度仪的升级工作，升级后的手持式密度仪可对全范围的液体进行检测，分防爆型和通用型、高酸高碱型，本产品也是普洛帝PMT油液多参数监测平台认证入驻仪器。英国普洛帝分析测试集团对外宣布，2017年6月至9月是普洛帝油液监测技术型产品集体亮相的时间，普洛帝油液监测家族将汇集油液颗粒监测、油液物性监测、油液化学特性监测和油液磨损监测等相关监测设备及技术，集中向大家展示。英国普洛帝分析测试集团升级后的全新一代PULUODY/普洛帝DMA系列密度仪，它采用国际上先进的振荡U形管法原理，集结多种专利技术和精准算法，有效提升检测分析的灵敏度、准确性和重复性，几秒至几十秒钟内就可以测量出各种液体的液体密度、相对密度和API比重；同时有的产品可测试比重、浓度、酒精度、波美度等项目。目前可执行一下标准：GB/T 29617 - 2013 数字密度计测定液体密度、相对密度和API比重的试验方法。GB/T 2013 - 2010 液体石油化工产品密度测定法(U形振动管法)。SH/T 0604 - 2000 原油和石油产品密度测定法(U形振动管法)。SN/T 2383 - 2009 液体化工品 密度和相对密度的测定 数字式密度计法。DB/T 1231 - 2010 化工产品的密度测定方法 智能液体密度计法ASTM D4052 - 11 Standard Test Method for Density, Relative Density, and API Gravity of Liquids by Digital Density Meter(数字密度计测定液体密度，相对密度和API度的试验方法)。ASTM D5002 - 13 Standard Test Method for Density and Relative Density of Crude Oils by Digital Density Analyzer(数字密度分析仪用原油密度和相对密度的测试方法)。ASTM D3505 - 12e1 Standard Test Method for Density or Relative Density of Pure Liquid Chemicals(纯液态化学品密度或相对密度的试验方法)。ISO 12185 : 1996 Crude petroleum and petroleum products-Determination of density-Oscillating U-tube method(原油和石油产品-密度测定-振荡U形管法)。IP 559-2008 Determination of density of middle distillate fuel（中间馏份燃料 手提振荡U形管密度计法）JJG 1058-2010 Laboratory Oscillation-type liquid density meters（实验室振动式液体密度仪检定规程）普洛帝DMA系列密度仪应用面广泛 ,不仅应用于石油产品密度测量方面：机电行业中的绝缘用油、洗净液、切削油、压延油、润滑液； 化学工业中的各种化学试剂、溶剂、化妆品，清洁品；涂料密度及电子行业中的电镀液、助焊剂、电路板清洗液等；制药和食品工业中 ,需要对药品、酒类、饮料、调料、植物油等产品进行密度和浓度测量时有着不可替代的应用，更广泛用于大中专院校、科研机构、质检、生物、纺织、环保等领域。近期我司将向广大客户开展油液监测技术报告会，详情请关注公司新闻：简述：油液监测技术的应用与发展，明确油液监测定义，回顾油液监测历程，剖析油液监测正面临的现状，例举离线、现场、在线等技术的特点和趋势。企业链接：油液监测技术型设备的专业提供商!普洛帝（简称：PULUODY）是油液监测技术提供商，1970年7月由PULUODY本人创立于英国诺福克，致力于向人们提供“精准、可信赖”的颗粒监测技术。普洛帝颗粒监测技术延续并持续创新了40余年，现已成为油液颗粒监测技术及设备的专业提供商。产品链接：石油密度计、U形振动管密度仪、U形振动管密度计、普洛帝密度机、颗粒计数器、润滑油监测设备、车用油监测设备、润滑脂检测设备、油液水分、粘度、密度传感器，专注测控 用心服务普洛帝/PULUODY、普勒/PULL、卡尔德/CALDEE是PULUODY ANDLYSIS & TESTING GROUP LTD.（简称PULUODY GROUP）授权公司在中国的注册商标，任何使用方需得到PULUODY GROUP及其授权公司的许可方可使用。PULUODY GROUP拥有在中国区油液监测技术的所有权，陕西普洛帝测控技术有限公司为其授权执行方。PULUODY GROUP授权陕西普洛帝测控技术有限公司在中国区向广大提供其优质的技术及产品！如有疑问请联络普洛帝服务中心！

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2019年10月25日，工业和信息化部科技司发布7项电子行业标准报批公示。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 公示原文： /strong /p p /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 根据工业和信息化部行业标准制修订计划，相关标准化技术组织已完成《无铅焊接用助焊剂》等7项行业标准的制修订工作。在以上标准批准发布之前，为进一步听取社会各界意见，现予以公示，截止日期2019年11月25日。 span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 以上标准报批稿请登录中国电子工业标准化技术协会网站（www.cesa.cn）“标准报批公示”栏目阅览，并反馈意见。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 公示时间：2019年10月25日—2019年11月25日 span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 附件： img src=" /admincms/ueditor1/dialogs/attachment/fileTypeImages/icon_doc.gif" style=" vertical-align: middle margin-right: 2px " / a href=" https://img1.17img.cn/17img/files/201910/attachment/79f4933c-e2e8-4148-b916-bd91b85a3527.doc" title=" 7项电子行业标准名称及主要内容.doc" style=" font-size: 12px color: rgb(0, 102, 204) " 7项电子行业标准名称及主要内容.doc /a span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p p style=" text-align: right text-indent: 0em " 工业和信息化部科技司 /p p style=" text-align: right text-indent: 0em " 2019年10月25日 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201910/uepic/5c853ce4-944c-4da0-9996-0bbd092e2d80.jpg" title=" 7项电子行业标准名称及主要内容.png" alt=" 7项电子行业标准名称及主要内容.png" / /p

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

产品名称：几何尺寸测量仪产品品牌：EVM-G系列产品简介：本系列是一款高精度影像测量仪，结合传统光学与影像技术并配备功能完备的2.5D测量软件。可将以往用肉眼在传统显微镜下观察到的影像传输到电脑中作各种量测，并将测量结果存入电脑中以便日后存档或发送电子邮件。其操作简单、性价比高、精确度高、测量方便、功能齐全、稳定可靠。适用于产品检测、工程开发、品质管理。在机械加工、精密电子、模具制造、塑料橡胶、五金零件等行业都有广泛使用。产品参数：u 变焦镜筒：采用光学变焦物镜，光学放大倍率0.7X~4.5X，视频总放大倍率40X~400X连续可调，物方视场：10.6-1.6mm，按客户要求选配不同倍率物镜。u 摄像机：配备低照度SONY机芯1/3′彩色CCD摄像机，图像表面纹理清晰，轮廓层次分明，保证拥有高品质的测量画面。可以升级选配1/2′CMOS130万像素摄像机。u 底座：仪器底座采用高精度天然花岗石，稳定性高，硬度高，不易变形。u 光栅尺：仪器平台带有高精度光栅尺（X,Y,Z三轴），解析度为0.001mm。Z轴通过二次聚焦可实现对沟槽、盲孔的深度进行测量。u 光源：采用长寿命LED环形冷光源（表面光及底光），使工件表面照明均匀，边缘清晰，亮度可调。u 导轨：双层工作平台设计，配备高精度滚动导轨，精度高，移动平稳轻松。u 丝杆：X,Y轴工作台均使用无牙光杆摩擦传动，避免了丝杆传动的间隙，灵敏度大大提高，亦可切换快速移动，提高工作效率。 工作台仪器型号EVM-1510GEVM-2010GEVM-2515GEVM-3020GEVM-4030G金属台尺寸(mm)354×228404×228450×280500×330606×466玻璃台尺寸(mm)210×160260×160306×196350×280450×350运动行程(mm)150×100200×100250×150300×200400×300仪器重量(kg)100110120140240外型尺寸L*W*H756×540×860670×660×950720×950×1020 影像测量仪是建立在CCD数位影像的基础上，依托于计算机屏幕测量技术和空间几何运算的强大软件能力而产生的。计算机在安装上专用控制与图形测量软件后，变成了具有软件灵魂的测量大脑，是整个设备的主体。它能快速读取光学尺的位移数值，通过建立在空间几何基础上的软件模块运算，瞬间得出所要的结果；并在屏幕上产生图形，供操作员进行图影对照，从而能够直观地分辨测量结果可能存在的偏差。影像测量仪是一种由高解析度CCD彩色镜头、连续变倍物镜、彩色显示器、视频十字线显示器、精密光栅尺、多功能数据处理器、数据测量软件与高精密工作台结构组成的高精度光学影像测量仪器。仪器特点采用彩色CCD摄像机；变焦距物镜与十字线发生器作为测量瞄准系统；由二维平面工作台、光栅尺与数据箱组成数字测量及数据处理系统；仪器具有多种数据处理、显示、输入、输出功能，特别是工件摆正功能非常实用；与电脑连接后，采用专门测量软件可对测量图形进行处理。仪器适用于以二维平面测量为目的的一切应用领域。这些领域有：机械、电子、模具、注塑、五金、橡胶、低压电器，磁性材料、精密五金、精密冲压、接插件、连接器、端子、手机、家电、计算机（电脑）、液晶电视(LCD)、印刷电路板（线路板、PCB）、汽车、医疗器械、钟表、螺丝、弹簧、仪器仪表、齿轮、凸轮、螺纹、半径样板、螺纹样板、电线电缆、刀具、轴承、筛网、试验筛、水泥筛、网板（钢网、SMT模板）等。ISO国际标准编辑影响影像测量仪精度的因素主要有精度指示、结构原理、测量方法、日常不注意维护等。 中国1994年实行了国际《坐标测量的验收检测和复检测量》的实施。具体内容如下：第1部分：测量线性尺寸的坐标测量机 第2部分：配置转台轴线为第四轴的坐标测量机 第3部分：扫描测量型坐标测量机 第4部分：多探针探测系统的坐标测量机 第5部分：计算高斯辅助要素的误差评定。 在测量空间的任意7种不同的方位，测量一组5种尺寸的量块，每种量块长度分别测量3次所有测量结果必须在规定的MPEE值范围内。允许探测误差(MPEP)：25点测量精密标准球，探测点分布均匀。允许探测误差MPEP值为所有测量半径的值。ISO 10360-3 (2000) “配置转台轴线为第四轴的坐标测量机” ：对于配备了转台的测量机来说，测量机的测量误差在这部分进行了定义。主要包含三个指标：径向四轴误差(FR)、切向四轴误差(FT)、轴向四轴误差(FA)。ISO 10360-4 (2003) “扫描测量型坐标测量机” ：这个部分适用于具有连续扫描功能的坐标测量机。它描述了在扫描模式下的测量误差。大多数测量机制造商定义了"在THP情况下的空间扫描探测误差"。在THP之外，标准还定义了在THN、TLP和TLN情况下的扫描探测误差。 沿标准球上4条确定的路径进行扫描。允许扫描探测误差MPETHP值为所有扫描半径的差值。THP说明了沿已知路径在密度的点上的扫描特性。注：THP的说明必须包括总的测量时间，例如：THP = 1.5um (扫描时间是72 秒)。ISO 10360-4 进一步说明了以下各项定义：TLP: 沿已知路径，以低密度点的方式扫描。THN: 沿未知路径，以高密度点的方式扫描。TLN: 沿未知路径，以低密度点的方式扫描。几何尺寸测量仪工作原理影像测量仪是基于机器视觉的自动边缘提取、自动理匹、自动对焦、测量合成、影像合成等人工智能技术，具有点哪走哪自动测量、CNC走位自动测量、自动学习批量测量的功能，影像地图目标指引，全视场鹰眼放大等优异的功能。同时，基于机器视觉与微米精确控制下的自动对焦过程，可以满足清晰影像下辅助测量需要，亦可加入触点测头完成坐标测量。支持空间坐标旋转的优异软件性能，可在工件随意放置或使用夹具的情况下进行批量测量与SPC结果分类。全自动影像测量仪编辑全自动影像测量仪，是在数字化影像测量仪(又名CNC影像仪)基础上发展起来的人工智能型现代光学非接触测量仪器。其承续了数字化仪器优异的运动精度与运动操控性能，融合机器视觉软件的设计灵性，属于当今最前沿的光学尺寸检测设备。全自动影像测量仪能够便捷而快速进行三维坐标扫描测量与SPC结果分类，满足现代制造业对尺寸检测日益突出的要求：更高速、更便捷、更的测量需要，解决制造业发展中又一个瓶颈技术。全自动影像测量仪是影像测量技术的高级阶段，具有高度智能化与自动化特点。其优异的软硬件性能让坐标尺寸测量变得便捷而惬意，拥有基于机器视觉与过程控制的自动学习功能，依托数字化仪器高速而的微米级走位，可将测量过程的路径，对焦、选点、功能切换、人工修正、灯光匹配等操作过程自学并记忆。全自动影像测量仪可以轻松学会操作员的所有实操过程，结合其自动对焦和区域搜寻、目标锁定、边缘提取、理匹选点的模糊运算实现人工智能，可自动修正由工件差异和走位差别导致的偏移实现精确选点，具有高精度重复性。从而使操作人员从疲劳的精确目视对位，频繁选点、重复走位、功能切换等单调操作和日益繁重的待测任务中解脱出来，成百倍地提高工件批测效率,满足工业抽检与大批量检测需要。全自动影像测量仪具有人工测量、CNC扫描测量、自动学习测量三种方式，并可将三种方式的模块叠加进行复合测量。可扫描生成鸟瞰影像地图，实现点哪走哪的全屏目标牵引，测量结果生成图形与影像地图图影同步，可点击图形自动回位、全屏鹰眼放大。可对任意被测尺寸通过标件实测修正造影成像误差，并对其进行标定，从而提高关键数据的批测精度。全自动影像测量仪有着友好的人机界面，支持多重选择和学习修正。全自动影像测量仪性能使其在各种精密电子、晶圆科技、刀具、塑胶、弹簧、冲压件、接插件、模具、军工、二维抄数、绘图、工程开发、五金塑胶、PCB板、导电橡胶、粉末冶金、螺丝、钟表零件、手机、医药工业、光纤器件、汽车工程、航天航空、高等院校、科研院所等领域具有广泛运用空间。选购方法编辑有许多客户都在为如何挑选影像测量仪的型号品牌所困扰，其实最担心就是影像测量仪的质量和售后。国内影像测量仪的生产商大部分都集中在广东地区，研发的软件功能大部分相似，客户可以不用担心，挑选一款能够满足需要测量的产品行程就行了。根据需要来选择要不要自动或者手动，手动的就比较便宜，全自动的大概要比手动贵一倍左右。挑选影像测量仪最重要看显像是不是清晰，以及精度是否达标(一般精度选择标准为公差带全距的1/3~1/8)。将所能捕捉到的图象通过数据线传输到电脑的数据采集卡中，之后由软件在电脑显示器上成像，由操作人员用鼠标在电脑上进行快速的测量。有的生产商为了节约成本可能会采用国产的，造价比较低，效果就稍微差点。常见故障及原因编辑故障1)蓝屏；2)主机和光栅尺、数据转换盒接触不良造成无数据显示；3)透射、表面光源不亮；4)二次元打不开；5)全自动影像测量仪开机找不到原点或无法运动。原因由于返厂维修周期长，价格昂贵，最重要的是耽误了客户的正常的工作。造成问题出现的原因很多，但无外乎以下原因：1)操作软件文件丢失或CCD视频线接触不良；2)光栅尺或数据转换盒损坏；3)电源板损坏；4)加密狗损坏或影像测量仪软件操作系统崩溃。以上问题可能是只出现一个，也有可能几个问题一起出现。软件种类编辑二次元测量仪软件在国内市场中种类比较多，从功能上划分主要有以下两种：　　二次元测量仪测量软件与基本影像仪测量软件类似，其功能特点主要以十字线感应取点，功能比较简单，对一般简单的产品二维尺寸测量都可以满足，无需进行像素校正即可直接进行检测，但对使用人员的操作上要求比较高，认为判断误差影响比较大，在早期二次元测量软件中使用广泛。　　2.5D影像测量仪在影像测量领域我们经常可以听到二次元、2.5次元、三次元等各种不同的概念，所谓的二次元即为二维尺寸检测仪器，2.5次元在影像测量领域中是在二维与三维之间的一种测量解决方案，定义是在二次元影像测量仪的基础上多加光学影像和接触探针测量功能，在测量二维平面长宽角度等尺寸外如果需要进行光学辅助测高的话提供了一个比较好的解决方案。仪器优点编辑1、装配2个可调的光源系统，不仅观测到工件轮廓，而且对于不透明的工件的表面形状也可以测量。2、使用冷光源系统，可以避免容易变形的工件在测量是因为热而变形所产生的误差。3、工件可以随意放置。4、仪器操作容易掌握。5、测量方便，只需要用鼠标操作。6、Z轴方向加探针传感器后可以做2.5D的测量。测量功能编辑1、多点测量点、线、圆、孤、椭圆、矩形，提高测量精度；2、组合测量、中心点构造、交点构造，线构造、圆构造、角度构造；3、坐标平移和坐标摆正，提高测量效率；4、聚集指令，同一种工件批量测量更加方便快捷，提高测量效率；5、测量数据直接输入到AutoCAD中，成为完整的工程图；6、测量数据可输入到Excel或Word中，进行统计分析，可割出简单的Xbar-S管制图，求出Ca等各种参数；7、多种语言界面切换；8、记录用户程序、编辑指令、教导执行；9、大地图导航功能、刀模具专用立体旋转灯、3D扫描系统、快速自动对焦、自动变倍镜头；10、可选购接触式探针测量,软件可以自由实现探针/影像相互转换，用于接触式测量不规则的产品,如椭圆、弧度 、平面度等尺寸；也可以直接用探针打点然后导入到逆向工程软件做进一步处理！11、影像测量仪还可以检测圆形物体的圆度、直线度、以及弧度；12、平面度检测：通过激光测头来检测工件平面度；13、针对齿轮的专业测量功能14、针对全国各大计量院所用试验筛的专项测量功能15、图纸与实测数据的比对功能维护保养编辑1、仪器应放在清洁干燥的室内（室温20℃±5℃，湿度低于60%），避免光学零件表面污损、金属零件生锈、尘埃杂物落入运动导轨，影响仪器性能。2、仪器使用完毕，工作面应随时擦干净，再罩上防尘套。3、仪器的传动机构及运动导轨应定期上润滑油，使机构运动顺畅，保持良好的使用状态。4、工作台玻璃及油漆表面脏了，可以用中性清洁剂与清水擦干净。绝不能用有机溶剂擦拭油漆表面，否则，会使油漆表面失去光泽。5、仪器LED光源使用寿命很长，但当有灯泡烧坏时，请通知厂商，由专业人员为您更换。6、仪器精密部件，如影像系统、工作台、光学尺以及Z轴传动机构等均需精密调校，所有调节螺丝与紧固螺丝均已固定，客户请勿自行拆卸，如有问题请通知厂商解决。7、软件已对工作台与光学尺的误差进行了精确补偿，请勿自行更改。否则，会产生错误的测量结果。8、仪器所有电气接插件、一般不要拔下，如已拔掉，则必须按标记正确插回并拧紧螺丝。不正确的接插、轻则影响仪器功能，重则可能损坏系统。测量方式编辑1、物件被测面的垂直测量2、压线相切测量3、高精度大倍率测量4、轮廓影像柔和光测量5、圆及圆弧均匀取点测量精密影像测绘仪测量软件简介：绘图功能：可绘制点、线、圆、弧、样条曲线、垂直线、平行线等，并将图形输入到AutoCAD中，实现逆向工程得到1:1的工程图。自动测绘：可自动测绘如：圆、椭圆、直线、弧等图形。具有自动寻边、自动捕捉、自动成图、自动去毛边等功能，减少了人为误差。测量标注：可测量工件表面的任意几何尺寸，不同高度的角度、宽度、直径、半径、圆心距等尺寸，并可在实时影像中标注尺寸。SPC统计分析软件：提供了一系列的管制图及多种类型的图表表示方法,使品管工作更方便，大大提升了品质管理的效率。报表功能：用户可轻易地将测量结果输出至WORD、EXCEL中去，自动生成检测报告，超差数值自动改变颜色，特别适合批量检测。鸟瞰功能：可察看工件的整体图形及每个尺寸对应的编号，直观的反应出当前的绘图位置，并可任意移动、缩放工件图。实时对比：可把标准的DXF工程图调入测量软件中与工件对比，从而快速检测出工程图和实际工件的差距，适合检测比较复杂的工件。拍照功能：可将当前影像及所标注尺寸同时以JPEG或BMP格式拍照存档，并可调入到测量软件中与实际工件做对比。光学玻璃：光学玻璃为国家计量局检验通过之标准件，可检验X、Y轴向的垂直度，设定比例尺，使测量数据与实际相符合。客户坐标：测量时无需摆正工件或夹具定位，用户可根据自己的需要设置客户坐标（工件坐标），方便、省时提高了工作效率。精密影像测绘仪仪器特点：经济型影像式精密测绘仪VMS系列结合传统光学与数字科技，具有强大的软件功能，可将以往用肉眼在传统显微镜下所观察到的影像将其数字化，并将其储存入计算机中作各式量测、绘图再可将所得之资料储存于计算机中，以便日后存盘或电子邮件的发送。该仪器适用于以二座标测量为目的一切应用领域如：品质检测、工程开发、绘图等用途。在机械、模具、刀具、塑胶、电子、仪表等行业广泛使用。变焦镜筒：采用光学变焦物镜，光学放大倍率0.7X～4.5X，视频总放大倍率：40X～400X，可按客户要求选配不同倍率物镜。摄像机：配备低照度SONY机芯1/3”彩色CCD摄像机，图像表面纹理清晰，轮廓层次分明，保证拥有高品质的测量画面。底座：仪器底座采用高精度天然花岗石，稳定性高，硬度高，不易变形。光栅尺：仪器平台带有高精密光栅尺（X、Y、Z三轴）,解析度为0.001mm。Z轴通过二次聚焦可实现对沟槽、盲孔的深度进行测量。光源：采用长寿命LED环形冷光源（表面光及底光），使工件表面照明均匀，边缘清晰，亮度可调。导轨：双层工作平台设计，配备高精度滚动导轨，精度高、移动平稳轻松。丝杆：X、Y轴工作台均使用无牙光杆磨擦传动，避免了丝杆传动的背隙，灵敏度大大提高，亦可切换快速移动提高工作效率。

p & nbsp & nbsp 时至今日，科学家发现地球上一共出现过五次生物大灭绝事件，每次生物大灭绝都会导致地球上百分之九十的生物消失，其中最广为人知的就是恐龙大灭绝，但总有动物能在生物大灭绝的时候留存下来，比如我们今天要介绍的这种动物，它从距今大约两亿年前就生活在地球上，和恐龙一起生活了千万年，并最终见证了恐龙的灭绝，而如今，这种生物依旧存活在地球上，在某些不起眼的地方生活着，它就是“仙女虾”。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/0e0ee760-6ddd-4477-a28d-38b1594168b5.jpg" title=" 0df3d7ca7bcb0a46f9d02c7cff34e4216a60af65.jpeg" alt=" 0df3d7ca7bcb0a46f9d02c7cff34e4216a60af65.jpeg" / /p p & nbsp & nbsp 仙女虾和我们经常吃的虾类动物并不一样，它是一种小型甲壳类动物，而且是一种动物的泛称，仙女虾的种类有300多种，其中最出名的像是枝额虫、丰年虫、卤虫等等。仙女虾之所以能熬过生物灭绝，甚至把恐龙都熬死了，其实是因为它的特殊生存方式，仙女虾是需要水来进行活动的，所以在旱季来临或者周围没有水的时候，它的卵会进入一种休眠状态，再干旱无雨甚至阳光暴晒、沸水烹煮之下，仙女虾的卵都不会出事，直到甘露降临的时候，它才会孵化出来，正是靠着这项能力，仙女虾才可以存活至今。 br/ /p p & nbsp & nbsp 而到了现在，仙女虾又有了一个新的功用，那就是监测周围的环境质量，有研究人员称，仙女虾这种生物是非常挑剔水质的，只有在水质良好的环境中，它们才会孵化并存活下来，所以哪里能看到仙女虾活动的话，这里的环境绝对差不到哪去，前不久在连云港市海滨大道的一个水池旁，有人意外发现了仙女虾的存在，看来连云港的环境确实不错，不然也不会路边都会有仙女虾的存在了。 br/ /p p & nbsp & nbsp 除了能当环境监测员以外，仙女虾在农民伯伯的眼里也是丰收的象征，要不怎么会有一种仙女虾有丰年虫的称呼呢？仙女虾之所以能成为丰收的象征，是因为它的生活习性，只要有丰年虫存在，代表着这里肯定有过降雨，而雨水对于庄稼来说是最好的事物，所以才会有丰年虫存在。 br/ /p p & nbsp & nbsp 最后，仙女虾其实也是一种富含蛋白质的动物，而且生长周期也短，不少饲养鱼虾的人都会用仙女虾来作为饵料，这种饵料营养丰富能提高鱼苗的存活率。在研究生物进化方面，仙女虾也有着很大的作用，这种生存了两亿年的动物，还真是一身是宝呀。 br/ /p p & nbsp & nbsp & nbsp strong 本网简评： /strong 这虽然是一则非专业性新闻，但文中的确带出了一个当前环境监测领域比较受关注的研究方向，即生物监测技术。所谓生物监测，就是利用生物个体、种群或群落对环境污染或变化所产生的反应阐明环境污染状况，从生物学角度为环境质量的监测和评价提供依据。有专业文献也指出，相比传统理化监测而言，生物监测所具有的指示作用更为综合性和快速性。它能综合地反映环境因素的联合作用，有时甚至比理化监测更敏感。作为生物监测的关键环节，生物指示物的种类非常繁杂，但一般要遵循若干原则，包括敏感性、可重复性、稳定性等。虽然生物监测技术尚无法准确的定量分析，但是作为能够评价综合毒性的有效方法，在未来的研究应用中必然会受到人们的密切关注，尤其是在新兴毒性物质的监测方面可能将体现出巨大优势。 /p

日前，我省申报的国家气体流量仪表质检中心获国家质检总局批准筹建。这是全国首家获准筹建从事气体流量仪表质量监督检验的国家级中心。该中心建成后，将承担全国气体流量仪表检测任务，不仅为全国流量仪表的开发、利用和研究搭建技术平台，还将极大地促进我省流量仪表产业的快速发展和产业结构升级。

坐标测量仪是一种典型的高精度精密测量仪器，广泛应用于汽车、航空航天、机械制造等工业领域。其不仅能够完成各种零件的几何元素、曲线和曲面的测量，还可以和其他加工设备，如加工中心、数控机床等联机组成集成系统，实现设计、制造和检测的一体化。坐标测量仪以其精度高、柔性强等特点在现代化生产制造中发挥越来越重要的作用，成为自动化生产和柔性制造中重要的组成部分。目前，国外著名的坐标测量仪厂家主要有瑞典海克斯康、德国蔡司、德国温泽、日本三丰、美国法如等；国内主要生产厂家有中航工业精密所（303所）、西安爱德华、西安力德、青岛雷顿、青岛弗尔迪、杭州中测等。我国坐标测量技术较国外起步晚近20年，同国外相比存在较大差距。为进一步窥探我国坐标测量仪（HS90318020）市场发展情况，仪器信息网特别对2020年、2021年坐标测量仪（以下均包含零配件等）进出口数据及2021三坐标测量机中标数据进行了汇总分析，供大家参考。（中标盘点详见：2021三坐标测量机中标盘点：苏粤川居前，两巨头持续领跑）。2021年，我国共进口坐标测量仪7466台，进口额7.96亿元；出口坐标测量仪45045台，出口额2.44亿元。坐标测量仪进出口数量与金额同2020年相比，均实现正增长，进出口总额重回2019年之前的10亿级规模。表1. 2020、2021年坐标测量仪海关进出口数据统计统计年份进口量（台）进口金额（人民币）出口量（台）出口金额（人民币）2020年4653705,516,69715885187,875,3692021年7466796,174,76545045243,564,9402020-2021年坐标测量仪逐月进口额分析2020年、2021年各月坐标测量仪进口额发现，受全球疫情影响，我国坐标测量仪月进口额呈现阶段性波动，从0.39亿元至0.93亿元不等。与2020年同期相比，2021年多个月份坐标测量仪进口额增长明显，其中5月、6月出现爆发式增长，分别增长54.5%、102.9%，主要原因系自德国、美国、瑞士、意大利、美国、韩国等贸易伙伴的进口额增长较大。2021年，我国坐标测量仪出口总额同比增长30%。2020-2021年坐标测量仪主要进口贸易伙伴根据海关数据，我国主要从德国、日本、美国、意大利、法国等地进口坐标测量仪。产自德国的坐标测量仪进口总额连续蝉联第一，2021年稳步增长16%，高达3.97亿元，占我国坐标测量仪进口份额49.9%；2021年，自日本的坐标测量仪进口份额下降，自美国的坐标测量仪进口额激增108.3%，达1.4亿元，远超日本成为我国坐标测量仪第二大进口贸易伙伴。2020年坐标测量仪进口企业注册地分布2021年坐标测量仪进口企业注册地分布通过海关进口坐标测量仪的企业注册地，可以透视坐标测量仪在国内的分布情况。对比2020年、2021年数据可以发现，上海、山东、江苏、北京、广东等省市坐标测量仪进口额较高，这些地区是我国科研活跃度较高、制造业较发达的省市，近年来精密测量仪器设备需求保持旺盛增长。2020-2021年坐标测量仪逐月出口额与进口市场发展态势相仿，受全球疫情影响，2020年我国坐标测量仪月出口额波动同样较大，从0.027亿元~0.27亿元不等，2021年月出口额波动有所平缓，集中在0.15亿元~0.28亿元区间。随着全球疫情常态化，我国坐标测量仪出口市场逐渐回暖，出口数量与出口总额增幅明显，分别增长183.6%、29.6%。2020-2021年坐标测量仪主要出口贸易伙伴分析2020年、2021年我国坐标测量仪出口数据发现，日本、越南、中国台湾、韩国、德国等为我国坐标测量仪的主要出口贸易伙伴。其中，日本和德国不仅是我国坐标测量仪的主要出口贸易伙伴，也是主要进口贸易伙伴。由本文海关数据可知，我国坐标测量仪进出口贸易逆差严重，国产坐标测量仪的“出海”之路任重且道远。国内厂商应持续加大产品研发和创新投入，缩小中外技术差距，进而打造品牌化形象拓展海外市场。同时，RCEP的生效或带给我国坐标测量仪出口贸易新机遇。【4月13-14日，精品线上会议推荐】：第四届“汽车检测技术”网络大会

5月21日，2024量子精密测量赋能产业发展大会暨第三届量子科仪节在合肥高新区举行。国仪计测（深圳）量子科技有限公司重磅首发了自主研发的微波量子精密测量仪器——QuEM-I计量型微波量子场强测量仪（Metrology-grade Quantum Microwave E-field Meter），这是一款基于高激发态里德堡原子的全新微波量子精密测量仪器，在测量灵敏度、频率范围、不确定度以及计量溯源性方面具有独特的优势，可广泛应用于微波计量测试、电磁兼容、电磁环境监测、频谱分析及无线通信等领域。发布会现场仪器介绍QuEM-I 计量型微波电场测量仪（Metrology-grade Quantum Microwave E-field Meter）是一款基于高激发态里德堡原子的微波量子精密测量仪器。基于量子相干效应将微波电场直接溯源至基本物理常数普朗克常数（h = 6.62607015×10-34Js）和国际单位制（SI）基本单位频率。这种全新的量子测量仪器在测量灵敏度、频率范围、不确定度及溯源性方面具有独特的优势。技术优势01 碱金属原子固有能级频率标尺实现仪器自校准02 支持基于本地时钟或GNSS远程高精度频率溯源03 低电磁扰动光纤耦合原子探头 / 微波腔增强型原子探头（选件）04 支持国标GB/T 43735-2024多模式里德堡原子制备泵浦激光组合05 内置减隔振机构，光机电一体化高度集成，支持定制硬件调试接口06 友好操控界面，底层软件开放，提供不确定度分析模块应用场景&bull 无线电计量&bull 电磁兼容&bull 电磁环境检测&bull 频谱分析&bull 电磁成像&bull 无线通信&bull 雷达导航关于国仪计测（深圳）量子科技有限公司国仪计测（深圳）量子科技有限公司是中国计量科学研究院系列专利技术通过科技成果转化，与国仪量子技术（合肥）股份有限公司合作设立的科技型公司，成立于2022年，注册地位于国际科创中心城市深圳，公司专注量子计量测试科学仪器研发与推广，当前重点研发基于里德堡原子的量子微波测量科学仪器及其配套设备。

“专精特新”小巨人企业中图仪器对资本市场发起冲刺。　　公开信息显示，10月21日，深圳市中图仪器股份有限公司（简称“中图仪器”）与中信建投（601066）签署上市辅导协议。成立于2005年的中图仪器致力于精密测量、计量检测等仪器设备的研发、生产和销售。去年国家工业和信息化部公示了第三批专精特新“小巨人”企业名单，中图仪器顺利入选。　　自2005年成立以来，中图仪器逐步聚集了来自清华、西安交大、哈工大等高校毕业生带头的工程师队伍，从小仪器到大品种，持续推动国内精密测量技术创新与进步。　　中图仪器重点发展高端精密、超精密几何量检测仪器，提供一维、二维、三维的尺寸测量产品。中图仪器在精密轮廓扫描技术、精密测量传感器、激光干涉测量、微纳米运动设计、显微三维形貌重建、大尺寸三维空间测量、智能机器视觉测量、精密光栅导轨测控等众多技术领域形成了独特的研发设计、制造优势，已具备从纳米到百米为用户提供专业的精密测量仪器和测量解决方案的能力，大部分产品达到国际先进水平。　　目前，中图仪器的产品已广泛应用于计量质量检测机构、汽车、航空航天、机械制造、半导体加工、3C电子等行业，部分产品达到国际先进水平，参与制定了多项国家标准。　　中图仪器在深圳市南山区智园科技园拥有现代化的办公场地，在深圳市宝安区创新新世界产业园拥有仪器设备精密加工、装配检测的专业生产制造基地。发展至今，中图仪器的销售和服务网点遍及三十多个省、市、自治区，海外市场快速成长，营销网络日逐完善。　　公开报道显示，多年来中图仪器的研发投入占销售额的25%以上，高于行业10%的平均水平。截至2021年10月31日，公司已拥有99项专利及软件著作权，参与制定3项ISO标准，主导或参与制定10余项国内或行业标准。　　辅导文件显示，马俊杰为中图仪器控股股东，直接及间接持有公司股权比例为36.28%。企查查显示，中图仪器自2016年起经历多轮融资，参投机构包括壹海汇资本、方广资本、架桥资本、海量资本和深创投等。　　据了解，在我国高端几何量仪器领域被蔡司、海克斯康、三丰、ZYGO等国际著名品牌全面占据的情况下，中图仪器研制的闪测仪、激光跟踪仪、激光干涉仪、光学3D表面轮廓仪、测长机等多款精密测量仪器逐步达到进口仪器性能水平，以较低成本较高性能服务于我国计量质量检测机构、汽车、航空航天、机械制造、半导体加工、3C电子等行业领域，推动行业国产替代，同时市场占有率攀升。

近日，全国电磁计量技术委员会在广西壮族自治区南宁市召开了全国电磁计量技术委员会年会暨国家计量技术规范审定会，来自计量、仪器仪表、电力等行业86个单位的代表200人参加了会议。北京市计量检测科学研究院电磁所张磊、谷扬和王跃佟三位同志参加了此次会议。会上，由北京市计量院作为主起草单位编制的《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》国家校准规范顺利通过审定。 　　由北京计量院作为主起草单位编制的《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》国家校准规范，经过起草组成员一年多的认真筹备，多方听取专家意见，顺利通过了专家审定。专家一致认为，起草组广泛征集了全国各个地区高阻计校准工作中存在的问题，特别是针对不同温湿度条件下进行了大量的实验工作，进行归纳汇总后，制定出适用于全国范围内的高绝缘电阻测量仪(高阻计)校准规范。经过与会专家的充分讨论，对高阻计校准规范的编制工作给予了充分肯定，全票通过审定。 　　电磁所张磊同志作为电磁委员会委员，全程参与了七项计量技术规范审议工作，认真听取规范起草人的报告，对规范报审稿进行了逐条审查，并且提出了宝贵意见。 　　《高绝缘电阻测量仪(高阻计)》修订工作，结合了全国各个地区的实际使用和工作情况，规范了高阻计的校准项目和方法，澄清了原来检定过程中存在的一些模糊问题，使生产者、试验者有统一的规范可依。会议之余，北京市计量院同志和同行进行专业上交流，了解更多行业动态，为北京市计量院电磁计量工作的发展起到良好推动作用。

1月3日消息，莱赛激光科技股份有限公司(以下简称：莱赛激光)已于近日正式申请新三板挂牌，全国股转系统披露的挂牌资料显示，莱赛激光董事长陆建红、副董事长张敏俐2人，通过直接和间接合计占股72%，为莱赛激光共同实际控制人。　　公告显示，莱赛激光2014年度、2015年度、2016年1-9月营业收入分别为1.11亿元、9961.31万元、8212.80万元 净利润分别为546.37万元、678.32万元、791.14万元。　　资料显示，莱赛激光主要业务为激光测量仪器设备的研发、生产和销售，主要为客户提供激光测量的整体解决方案。

正投影机光色参数快速测试仪 投影机光色参数检测仪 型号：HAD-XYI-XI正投影机光色参数快速测试仪用于大屏幕投影机光色参数的快速测量仪器，特别适用于投影机生产线上的自动调校。其测量对象包括屏幕光通量、屏幕的光通量不均匀性、对比度、色品坐标和色温。 仪器预设标准A光源及D65光源文件，并可根据用户需求，由用户意设定存储标准光源。仪器可根据不同参考光源自动修正探测器的光谱参数误差，达到屏幕的总光通量、屏幕的光通量不均匀性、色品坐标和色温的密测量。其测量度达到际水平。 仪器软件运行于Windows98/NT环境，具有友好的图形界面、能强大。采用图形化实体数据显示，可以行柱形图和亮度图切换及数据打印输出。仪器同时具有实时通讯能，适用于屏幕参数的在线测量及控制。正投影机光色参数测量，9点照度测量，颜色参数测量术标: 光通量测量范围：0-8000lm(按4m2计算) 仪器度：优于±4% 分辨率：0.05%(满量程) 线性：±1% 作温度:0-50℃ 投影屏幕测试探测器：1-9探测器为照度探测器，5、10、11探测器为色度探测器(根据用户要求仪器也可附带15个探测器) 探测器V(λ)匹配达家照度计标准 具有色温修正软件, 可确测量不同色温的光通量及色品坐标 总光通量自动计算和屏幕光通量不均匀性计算及其相关软件 微机控制及上位机通讯。 刷新频率：3次/s 供电电源：220V交流电 保修期:1年 随机附件：相关软件和说明书

现状马来西亚雨水管理和公路隧道（"SMART"）项目的规模宏大--隧道长度为12公里，直径为11.8米，可收集多达400万立方米的洪水--这是一个艰巨而伟大的项目。这条隧道的设计概念极富创意，让人叹服，可以在旱季通过地下隧道疏导吉隆坡拥挤的交通，并在洪灾期间将雨水安全地分流到市中心地下。同时，支持这项大规模隧道和大型集水盆地的系统也同样令人惊叹，它被称为SMART工程的智能系统。这是一个由洪水检测设备和自动化管理机械组成的网络，与监控数据采集和控制 (SCADA)“大脑”连接，利用其收集的信息自动启动洪水管理闸门和水泵。技术由系统集成商Greenspan Technology Pty Ltd，设计的洪水检测和自动化管理系 统通过28个远程监测站来指导项目沿线31个闸门、7个大型水泵和4个独立发电装置（发电机组）的决策。三级系统Greenspan公司驻新加坡的国际经理Bruce Sproule解释，SMART项目设计为分三个阶段运作，以防止类似2007年那样的洪水对城市造成严重破坏。准确及时的流量和流速信息对SMART项目的成功和吉隆坡180万居民 的安全至关重要。为了确保高质量的数据流，Sproule的团队在项目总监Mark Wolf和项目经理Marc Schmidt的带领下，布置了一个由22个雨量计、50个与气泡系统相连的压力传感器和16个SonTek Argonaut声学多普勒测流组成的阵列。Greenspan公司的控制中心运营小组在Mark Van Elswyk的带领下，维护着由高频电台、GSM、光纤信号和微波传输组成的通信系统，以保持传感站点和SCADA系统之间的持续通信。通过以太网连接的Argonauts每分钟报告一次数据；通过高速VHF连接的Argonauts每5至10分钟广播一次。SCADA工程师Jarrah Watson、Nick Hitchins和Peter Johnson保持控制/采集系统精细地调整。河流、暂存池和隧道的数据与Greenspan公司的时间序列数据库中的降雨信息相结合，然后通过该公司的预测模型进行传输。结果驱动自动闸门，控制进入SMART集水井和隧道的流量，并在下游水量可以积累到排放水平时，启动大型水泵，对隧道进行排水。这是更准确的信息，Sproule说。如果受到潮汐影响或回水影响，可能会出现滞后现象，水深得来的流量数据是不准确的。Sproule说，当水位上升并且下游潮汐对吉隆坡洪水的影响越来越大时，预警模型就会从气体吹扫压力传感器的读数切换到声学多普勒测流仪的数据，以跟踪流量情况。他解释说，下游潮汐效应会产生滞后现象，从而减缓了洪水对来自上游力量带来的通常变化。关键是要追踪河流中到底发生了什么，而不是依赖于基于无障碍重力驱动条件的简单数学估计，这点非常重要。“这是更准确的信息，”Sproule说。“如果受到潮汐影响或回水影响， 水深换算的流量可能会出现滞后现象，而且数据不准确。”他补充说，Greenspan公司开发了自己的流速率定软件，以确保流量的准确计算。由于具有多个测量方向，SonTek-IQ非常适合存在滞后的情况。专有流量算法非常适合在灌溉渠道、天然河流和管道中收集数据。该仪器采用SonTek独有的SmartPulseHD自适应采样。使用垂直声束和压力进行水位自动校准。精心布置Sproule指出，在隧道内部和周围，SonTek Argonaut SL（侧视）测流仪布置在精心确定的高度，以便为高流量情况做好准备。两个Argonaut SW（浅水）测流仪测量下游排放点的双箱涵的流量和流速，为流量模型提供信息。即使洪水没有来临，信息流也提供了有价值的洞察力。Sproule指出，事实上，来自SW的数据显示，在洪水事件发生后，发现在其潜水面中储存了惊人数量的水，并在比Greenspan模型最初假设的更长的时间内才可以释放了这些水。Sproule指出，在洪水期间保护贵重设备可能是一项挑战。Greenspan公司的Wayne Farrell设计了“骑士头盔”站，用自动缩回的头盾保护传感器，让人想起中世纪的骑士头盔。“骑士头盔”站精心放置在测量系统中高水位的最佳高度，每次洪水过后都必须进行维护。Sproule 指出：“设计这些装置是为了防止仪器被大型残片冲走，但这些装置确实已经变成淤泥收集器。”他补充说，Greenspan公司开发了自己的校准软件，以方便测流仪的日常和暴雨后维护。该公司还开发了一个专有系统，为每个采样点建立8万个点的横断面。Sproule说，Greenspan团队还包括水文测量技术员BenNoble Clem Williams和Faizal Yusoff，他们认为SonTek Argonauts是SMART项目的必然选择。他解释说：“我们曾考虑过雷达/声纳，但价格非常昂贵，而且我们有很多使用SonTek设备的经验。”“在这个项目中，这是最简单、最准确的方法。我们在新加坡有一个八人的雨水监测小组，使用SonTek的设备已经14个月了，所以我们知道它能做什么，不能做什么。”服务支持很好，设备也很可靠。他补充道。仪器很可靠，一旦出现问题，公司会迅速做出响应。对于像SMART这样大规模的项目，快速响应至关重要。在2007年9月的一次系统测试中，该系统提前30分钟准确预测到了河流水位会上升，成功分流50万立方米水。随着车流穿过巨大的隧道，无声的传感器网络向Greenspan公司的SCADA系统报告时，Sproule对SMART项目进行了反思。“这是Greenspan公司设计过的最复杂的系统，”他指出，该系统平稳运行和保护吉隆坡11.8米高的隧道一样，是一个令人惊叹的奇迹。

各有关单位：《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出建设重大科技创新平台，支持北京等形成国际科技创新中心；加快推动京津冀协同发展，提高北京科技创新中心基础研究和原始创新能力，发挥中关村国家自主创新示范区先行先试作用，推动京津冀产业链与创新链深度融合。2022年6月，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会印发《中关村国家自主创新示范区优化创新创业生态环境支持资金管理办法（试行）》，支持科技成果概念验证平台建设和科技成果概念验证工作开展。概念验证是弥补早期科技成果与可进行市场化成果之间空白的关键环节，可提高科技成果转化效率，更好服务高精尖产业集群发展和未来产业战略布局。开展概念验证，可将研究人员已有的科研成果转化为可初步彰显其潜在商业价值的技术雏形，并对那些不具备商业开发前景的设想加以淘汰，从而增强研究成果对风险资本的吸引力，提高科技成果转化效率，优化科技成果转化生态环境。2022年12月，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会发布北京市概念验证平台建设项目支持名单，推动建设首批12家概念验证平台。中国计量科学研究院承担“测量仪器与智能传感概念验证平台”建设，也是该领域唯一概念验证平台，可为在京高等学校、科研机构、医疗卫生机构及企业等提供科技成果概念验证服务。序号建设单位平台名称产业领域所在区3中国计量科学研究院测量仪器与智能传感概念验证平台智能装备昌平中国计量科学研究院是国家最高计量科学研究中心，属社会公益型科研单位，担负着确保国家量值统一和国际一致、保持国家最高测量能力、支撑国家发展质量提升、应对新技术革命挑战等重要而光荣的使命。现保存并维护国家计量基准134项，计量标准403项，有证标准物质2234种，形成较为完善的国家计量基标准体系和标准物质体系，在时间频率、电学、热工、长度、力学、光学、电离辐射、化学、生物等计量领域多项测量能力处于国际领先或先进水平，目前国际互认校准和测量能力（CMC）1857项，国际排名前列。1980年以来，共获得国家科学技术奖85项，省部级奖近400项。“十一五”以来，共获得国家科技进步奖18项，其中一等奖4项，二等奖14项。承担国家计量科学数据中心、国家标准物质资源库等国家科技资源共享服务平台建设运行工作。为做好北京市测量仪器与智能传感概念验证平台建设和科技成果概念验证服务工作，现向京津冀高等学校、科研机构、医疗卫生机构及企业等以及其他单位，征集测量仪器与智能传感相关领域科技成果概念验证项目。欢迎垂询和交流。联系方式：中国计量科学研究院（https://www.nim.ac.cn/）和平里院区：北京市朝阳区北三环东路18号（邮编：100029）昌平院区：北京市昌平区昌赤路18号（邮编：102200）徐定华：010-64274308/xudh@nim.ac.cn/13910730195隋志伟：010-64524245/suizhw@nim.ac.cn胡 刚：010-64525584/hugang@nim.ac.cn附件：概念验证项目需求信息征集表.docx中国计量科学研究院2023年3月6日

2022年10月，基恩士推出全新WM-3500大范围三坐标测量仪，测量范围长达15米，适合于大型阀门、焊接夹具、搬运装置、桥梁部件等各类大型产品的测量。 WM-3500采用新原理实现更大的测量范围，且操作简单，只需通过无线探头接触测量目标物；由此，单人即可对超大型产品、装置进行三坐标测量。支撑高精度大范围测量的 3 相机结构WM-3500配备可动相机、探头搜索相机、参考相机3个相机，在大范围内也能实现重复精度为 ±10 μm 的高精度测量。新品通过可动相机捕捉7个无线探头标记点所发出的近红外光，高精度识别探头的位置和姿势；通过探头搜索相机即时追踪探头发出的光，实现流畅测量；而参考相机可以通过识别内部的图表，高精度测量可动相机的左右±90°、上下±30的角，以此相机为基准求出三维坐标。操作简单，只需探头接触测量目标物WM-3500没有三坐标或关节臂等驱动部，可以从更多角度进行测量。无线探头配备触摸屏、小型探头相机，操作人员可在手中的显示器上进行与笔记本电脑上相同的操作。小型探头相机可将相机中呈现的图像与3D图像叠加显示，即使是初次接触三坐标测量仪的人，也可直观地理解测量的所在位置。便携式设计，可在各种地方进行三坐标测量WM-3500采用便携式设计且安装简单，无需测量室，通过使用三脚架、延长杆、手推车，可安装在各个地方进行测量。同时，为了能在现场等恶劣环境下使用，新品还采用了耐久性和刚性较高的设计，配备了温度补偿功能。此外，针对测量无法一次性全部进入相机视野的大型目标物，或会遮挡相机光路的复杂设备和装置， 使用“相机移动功能”可轻松完成测量。

高山滑雪最高时速达248km/h，滑雪赛道也需要“塑胶跑道”“更快，更高，更强”是奥林匹克的口号，充分反映了奥林匹克运动所倡导的不断进取、永不满足的奋斗精神。奥运会纪录的频频打破，不但有运动员的刻苦训练，教练员的辛勤指导，科技尤其是对于运动场地的科技提升也扮演了重要的角色。就拿大家熟悉的田径运动场而言，最初的跑道是煤渣跑道（相信很多70后、80后的老伙伴们都跑过吧），后来改成了人工合成的塑胶跑道，与煤渣跑道相比，其弹性好，吸震能力好，为运动员的发挥和成绩的提高提供了物质基础。在1968年的墨西哥奥运会上，在首次使用的塑胶跑道赛场上创造了诸多的奥林匹克纪录。2022年中国北京即将举行冬季奥林匹克运动会，中国提出了“科技冬奥”的概念，中国冰雪运动必须走科技创新之路。高山滑雪比赛是冬季奥运会的重要组成部分，被誉为“冬奥会皇冠上的明珠“。高山滑雪的观赏性强，危险性大，比赛时运动员最高时速可达到248km/h。高山滑雪比赛均采用冰状雪赛道。什么是冰状雪？所谓冰状雪，是指滑雪场的雪质形态，其表面有一层薄的硬冰壳，用于减小赛道表面对于滑雪板的摩擦力。可以说冰状雪赛道就是高山滑雪项目的塑胶跑道，其制作的质量对提高运动员的成绩及滑雪的舒适感，保护运动员的身体，延长运动寿命有着十分重要的作用。看似简单的冰状雪赛道，制作起来却大有讲究。冰状雪的制作过程十分复杂，目前采用的是向雪地内部注水的方案。但是注水的强度和注水的时间把握需要根据不同的赛道地点以及当时注水时的气温进行相应的调节，以保证冰状雪赛道既有一定的强度，又有足够的弹性，使得运动员能够在高速的高山滑雪比赛中舒畅的进行滑降、回转等比赛项目。与田径场塑胶跑道不同的是，每次比赛每一个运动员在进行高山滑雪比赛时，由于技术动作的需要，都或多或少的会对冰状雪的赛道产生一定损伤，为了保证比赛的公平性，前后出发的滑雪运动员的赛道雪质状态需要保证一致，因此冰状雪赛道还需要有一定的厚度以及均匀性。研制新型冰状雪测量仪器，保障赛道质量既然冰状雪赛道有如此多的要求，那么过去是如何判断冰状雪赛道的雪质的呢?主要是采用人工判断的方法，即找一些有经验的裁判员用探针安装在电钻上进行触探工作，通过触探工作反馈的手感判断冰状雪赛道的建造质量。这种带有一定“盲盒”性质的判断工作往往会显得很不透明，也不利于这项运动的推广。助力2022北京冬奥会，依托科技部国家重点研发计划“科技冬奥”重点专项2020的“不同气候条件下冰状雪赛道制作关键技术”项目，中国科学院南京天文光学技术研究所南极团队和中国气象科学研究院共同合作研发了用于判断冰状雪赛道质量的冰雪粒径测量仪和冰雪硬度测量仪，其目的在于将冰状雪质量的人工主观判断，变成清晰可见的客观物理数据，通过对这些物理数据的科学分析，结合有经验的运动员的滑雪体验，掌握不同地点，不同天气条件下冰状雪赛道的制作方法。主要有如下两种仪器：冰雪粒径自动测量仪和冰雪硬度自动测量仪。积雪颗粒的形状及大小是影响雪的力学性质的主要因素，不同大小雪粒之间在自然状态下空隙不断变小，雪中含有的空气降低，使得雪粒间的化学键合力增强，从而影响雪的硬度。那么如何测量积雪的颗粒呢，科研人员采用漫散射原理：近红外光经过粗糙的表面会被无规律的向各个方向反射，会造成光强度减弱，光减弱的大小跟表面的粗糙相关，而积雪表面的粗糙程度是由粒径决定的。通过测量光减弱的比例间接的测量出冰雪的颗粒大小。冰雪粒径自动测量仪测量注水雪样雪的硬度测试是反映冰雪强度的重要指标之一，冰雪硬度测量仪的原理是通过电机带动滑轨驱动探头打入冰状雪赛道内部，并读取探头受到的反作用力的大小来判断冰雪的硬度条件。该方法的好处是可以做到基本无损的对赛道进行冰雪硬度的测量，不影响赛道的后续使用，并且可以通过读取力和冰状雪深度的曲线了解冰状雪赛道的均匀性。针对高山滑雪的赛场坡度较陡，人工攀爬十分困难，科研人员在仪器的便携性上做了特殊的设计，设计了一款折叠式的硬度测量仪，方便携带，可以从坡顶沿雪道一直测量到坡底，实现了仪器的“就地展开”和“指哪测哪”的功能。冰雪硬度测量仪现场工作照片2020年11月-2021年3月，抓住冬奥会举办前的最后一个冬季的机遇，在冬奥会举办地北京延庆、河北张家口以及黑龙江哈尔滨亚布力冬季体育训练基地对不同气候条件、不同注水强度的冰状雪赛道，使用研制的冰雪粒径自动测量仪和冰雪硬度自动测量仪进行了粒径及冰雪硬度测试，获得了不同深度冰雪粒径的变化图以及不同深度的冰雪硬度的曲线图。冰状雪赛道压强-深度关系图该项目的首席科学家，中科院西北研究院冰冻圈科学国家重点实验室副主任王飞腾研究员认为“雪粒径及硬度计等新型冰雪仪器的研究，将过去以人工经验为主的冰状雪赛道状态判断变为了客观、清晰的科学指标，为冰状雪赛道制作标准的透明化提供了参考依据”。项目攻关团队的带头人，国际冰冻圈科学协会副主席，中国气象科学研究院丁明虎研究员认为“雪粒径和硬度计的设计充分考虑了不同于自然雪的人工造雪的特殊情况，仪器在项目工作中表现优异，性能稳定，可靠性高。”未来将在南极天文台发挥作用冰雪强度、硬度的测量不仅可以应用于滑雪相关的体育运动中，在未来的极地工程建设上也能发挥作用。遥远的南极虽然不是适合人类居住的地方，但是却有着良好的天文观测条件。根据2020年在 Nature 上发表的一篇文章，证明昆仑站所在的冰穹A地区的光学天文观测条件优于已知的其他任何地面台址。这项研究成果确认了昆仑站有珍贵的天文观测台址资源，为我国进一步开展南极天文研究奠定了科学的基础。但是如何在南极地区安装大型望远镜又有很多实际的困难，其中之一就是普通的大型望远镜的基墩都是直接安装在地球的基岩上，这样基墩比较扎实稳固，能保证望远镜在观测时不会因为地基不稳产生晃动，但是冰穹A地区的冰大约有4000m那么厚，相当于1500层楼房那么高，如果再想将望远镜基墩打入基岩显然难以做到。那么大型望远镜如何能够平稳的伫立在南极浮动的冰盖上呢？这就需要科学家们对冰穹A地区的冰雪进行特殊的加固处理，使其能够满足基墩的设计要求。在加固处理完后，我们的雪粒径和硬度测量仪就可以对加固后的冰雪强度进行测量，通过科学的数据检验其是否能够满足南极大型望远镜的需求。

p 　　8月27日，基恩士推出新款3D轮廓测量仪VR-5000。2016年，在“3D轮廓测量仪VR-3000系列”的基础上，基恩士推出功能增强的新品。同为VR系列，不同于2016年的产品，本次推出的新品被赋予全新的型号名称VR-5000。 /p p style=" text-align: center " 　　 img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/8ae61b3e-1640-4f4a-a601-ead5dfbad6e4.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" / /p p 　　从基恩士公开的信息看，大范围进行3D测量的最快时间从4秒提高到了1秒。VR-5000搭载了“全自动设定功能”，完成自动对焦、自动设定测量区域、自动进行测量设定等工作，以消除直接导致测量失败的人为设定失误。基恩士在产品介绍中特别提到：“从产品整体的形状测量乃至粗糙度测量，无论是大范围还是细微部位，均可由1台设备完成测量，仪器的测量范围是以往的5倍。” /p p style=" text-align: center " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/9728e0c6-7a0d-4d0e-b0f4-4b85be5c2bd0.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" / br/ 仪器的测量范围是以往的5倍 br/ /p

项目概况吉林省计量科学研究院专业计量仪器设备采购项目 采购项目的潜在供应商应在详见公告获取采购文件，并于2021年08月31日 10点00分（北京时间）前提交响应文件。一、项目基本情况项目编号： JCZX2021-077项目名称：吉林省计量科学研究院专业计量仪器设备采购项目采购方式：竞争性谈判预算金额：125.6000000 万元（人民币）最高限价（如有）：125.6000000 万元（人民币）采购需求：详见公告合同履行期限：以实际所签合同为准本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：详见公告3.本项目的特定资格要求：详见公告三、获取采购文件时间：2021年08月18日 至 2021年08月20日，每天上午8:30至11:00，下午13:00至16:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：详见公告方式：网上下载售价：￥0.0 元（人民币）四、响应文件提交截止时间：2021年08月31日 10点00分（北京时间）地点：吉林省人民政府政务大厅四楼开标室五、开启时间：2021年08月31日 10点00分（北京时间）地点：吉林省人民政府政务大厅四楼开标室六、公告期限自本公告发布之日起3个工作日。七、其他补充事宜根据吉林省政府采购监督管理部门下达的政府采购任务通知书，吉林省吉诚工程咨询有限公司就吉林省计量科学研究院专业计量仪器设备采购项目 进行国内竞争性谈判采购，现邀请符合条件的供应商提交密封报价。 一、项目信息：项目编 号名 称预 算 JCZX2021-077吉林省计量科学研究院专业计量仪器设备采购项目1256000.00元 二、采购内容：详见采购文件三、项目需要落实的政府采购政策（一）按照现行《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》文件要求，对政府采购清单中的节能环保产品采用优先采购或强制采购的评标方法。（二）按照现行《财政部、环保部关于调整环境标志产品政府采购清单的通知》文件要求，对政府采购清单中的环境标志产品采用优先采购的评标方法。（三）按照《财政部关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）的要求，根据开标当日解密截止时间“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）的信息，对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的投标人，拒绝参与政府采购活动。（四）根据财政部发布的《政府采购促进中小企业发展暂行办法》规定，本项目对小型和微型企业产品的价格给予6%的扣除。（五）根据财政部发布的《关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》规定，本项目对监狱企业产品的价格给予6%的扣除。（六）根据财政部、民政部、中国残疾人联合会发布的《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》规定，本项目对残疾人福利性单位产品的价格给予6%的扣除。注：小微企业以投标人填写的《中小企业声明函》为判定标准，残疾人福利性单位以投标人填写的《残疾人福利性单位声明函》为判定标准，监狱企业须投标人提供由省级以上监狱管理局、戒毒管理局（含新疆生产建设兵团）出具的属于监狱企业的证明文件，否则不予认定。以上政策不重复享受。四、供应商资格条件要求：1、投标申请人是在中华人民共和国境内注册的具有独立法人资格的机构，有经年检合格的营业执照副本、税务登记证副本、组织机构代码证副本（如果“三证合一”，只需要携带最新版营业执照副本）及开户许可证；2、投标人需具备：在人员、设备、资金等方面具有相应的履约能力，有完备的技术和质量管理制度注。3、财务要求：具有近三年（2018年-2020年）完整的财务审计报告或财务报表，新成立公司提供就近年份。4、业绩要求：近三年（2018年-2020年）承担过类似业绩 （出具合同或中标通知书）；5、拒绝列入政府不良行为记录期间的单位参加投标，投标人需提供检察院出具的有效期内的无行贿犯罪记录证明（该证明须包括投标单位、投标单位法人、授权委托人）；6、提供近半年企业依法缴纳税收及社保证明（社保含被授权人及企业所有员工）；五、谈判语言：中文。六、竞争性谈判文件的获取时间和方式：自2021年 08 月 18 日08时30分起至2021年 08 月 20 日16时00分时（北京时间，下同），请有意投标的供应商自行登陆吉林省公共资源交易中心网（吉林省政府采购中心网站）下载。七、谈判文件递交截止时间：2021年 8 月 31 日10时00分。请有意参加谈判的供应商特别注意：1.首先登录吉林省公共资源交易中心（吉林省政府采购中心）网（www.ggzyzx.jl.gov.cn），按照规定进行供应商注册登记，网上注册登记后，请携带相关材料到国投安信数字证书认证有限公司办理CA认证。未进行网上注册并办理CA认证的供应商将无法参与吉林省公共资源交易相关的所有招标采购活动。2.供应商取得CA认证后，可登录吉林省公共资源交易中心（吉林省政府采购中心）网站“CA登录区”下载电子招标文件。供应商下载采购文件后，务必在规定的“竞争性谈判文件的获取截止时间”之前点击“投标报名”按钮确认参加投标才具有投标资格。如果供应商在规定的“确认参加投标截止时间”之前没有点击“投标报名”按钮确认参加投标，将失去参加本项目投标的资格。3.凡与本中心招投标活动有关的时间，均以吉林省公共资源交易中心（吉林省政府采购中心）服务器显示的时间为准。八、项目答疑会和踏勘现场： 无。九、下载招标文件时间：供应商应当于2021年 08月 20 日16时00分时（北京时间，下同）之前下载招标文件并点击确认投标按钮，未按规定操作导致无效投标的后果自负。十、投标文件的递交：现场递交十一、 开标时间及递交投标文件截止时间：2021年 8 月 31 日10时00分。十二、递交地点：吉林省人民政府政务大厅四楼开标室；逾期送达的或者未送达指定地点的投标文件，将不予受理。十三、开标地点：吉林省人民政府政务大厅四楼开标室。十四、项目发布媒体：《中国政府采购网》、《中国采购与招标网》、《吉林省公共资源交易中心网》。十五、谈判保证金：20000元（提交方式请见谈判文件中保证金条款具体要求）。 十六、采购单位名称：吉林省计量科学研究院 地址：吉林省长春市宜居路2699号 联系人：陈宁 联系方式：0431-85375166 十七、吉林省吉诚工程咨询有限公司 联系人：于海峰 联系方式：18626606043 地址：长春市绿园区吾悦广场B座1536室 用户名：吉林省吉诚工程咨询有限公司开户银行：吉林九台农村商业银行股份有限公司长春分行 帐 号：07104490110152000173081.投标人注册,CA数字证书 （USBKey）及电子签章办理咨询电话：0431-85177688 技术支持电话：400-998-0000 注：1、若本项目招标文件中技术参数等有变更，请以本项目变更公告中的内容为准！ 2、未按时正确上传投标文件导致废标的后果自负。八、凡对本次采购提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：吉林省计量科学研究院　　　　　地址：吉林省长春市宜居路2699号　　　　　　　　联系方式：陈宁0431-85375166 　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：吉林省吉诚工程咨询有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：长春市绿园区吾悦广场B座1536室　　　　　　　　　　　　联系方式：于海峰18626606043　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：于海峰电　话：　　18626606043

随着工业4.0浪潮的持续深化，高精度、智能化、集成化的测量仪器成为推动制造业转型升级的关键力量。2024年上半年，众多仪器厂商凭借其深厚的技术积累和创新能力，推出一系列几何量精密测量仪器新品，不仅提升了测量技术的边界，更为智能制造注入了新的活力。本文特对2024年上半年上市新品进行盘点，以飨读者。（本文产品信息来源网络公开信息，如有遗漏，欢迎留言补充。联系邮箱:niuyw@instrument.com.cn）海克斯康 SmartScan VR800智能蓝光扫描系统3月，海克斯康发布SmartScan VR800智能蓝光扫描系统。该新品是首款配备自动变焦镜头的结构光3D扫描仪，拥有智能分辨率、智能变焦和智能抓拍三大创新功能。它专为提高工作效率而设计，通过简单的软件设置，即可完成扫描分辨率和测量范围的快速调整，为用户实现精确、高效的扫描测量提供了前所未有的创新体验。 OCTAV HP高精度复合式影像测量专机4月，在2024中国数控机床展览会（CCMT）期间，海克斯康发布重量级新产品——OCTAV HP高精度复合式影像测量专机。该产品精度高达0.4μ+，是一款为满足用户对于高精度、高性能、高稳定性测量需求而设计的高端复合式影像测量专机。该新品将行业内先进的测量传感技术，包括高精度的接触式触发和扫描技术，基于影像测头的视觉检测技术，基于共聚焦白光测头的光学扫描测量技术等，定制化集成到一台测量设备上，实现了一机多能以及高精度复合式测量。OCTAV HP亚微米级别的影像测量功能结合先进的多传感器融合技术，适用于航空航天、半导体、新能源、3C电子、医疗等行业领域。蔡司CAPTUM三坐标测量机3月 28 日，深圳ITES展会现场，蔡司盛大推出全新三坐标测量机CAPTUM。新品具有安装快捷、服务便利、操作简便等优势，为企业提供坚实可靠的质量保障。值得一提的是，CAPTUM 家族首次引入“Plug and Play”即插即用设计概念，让用户操作更为便捷。其高适配的应用场景特点，更是让三坐标的应用变得更简单易用。4月，在第十六届重庆国际电池技术交流会/展览会（CIBF 2024）上，蔡司发布O-INSPECT 863 Duo多用途复合式坐标测量机，该新品是一款集成了三坐标测量功能、影像测量以及显微镜检测功能的复合式测量设备，配备连续扫描接触式测量、高倍率变焦影像镜头等，广泛应用于电子、医疗、汽车、航空航天领域的复杂工件的形位公差测量及缺陷检测。天准科技CM系列三坐标测量机4月，在第十三届中国数控机床展览会（CCMT 2024）上，天准科技发布CM系列三坐标测量机，该新品以超高精度 0.3μm 国家重大专项复合测量机技术背景为研发基础，目前拥有CMZ/CMU/CME 三大系列，集Vispec Pro软件系统、HSP测头/TR50旋转测座探测系统、驱控一体TCC电控、直线电机驱控技术四大自研技术为一体，同时创新性地将工业级的碳化硅陶瓷材料运用在高端系列机型上，重新定义行业精密测量标准，广泛应用于汽车、模具、机械加工、精密制造、计量院所、航空航天等领域。6月18日，在第十六届中国国际机床工具展览会(CIMES)上，天准科技发布了全新VMZ超高精度影像仪。该新品在测量精度以及稳定性上实现了跨越式提升，测量精度高达0.8μm，最大倍率高达4000倍。出色的测量精度和稳定性，使其能够轻松应对各种复杂测量任务，适用于半导体、微组装、光通信等高精度测量场景。思看科技NimbleTrack灵动式三维扫描系统4月9日，思看科技发布NimbleTrack灵动式三维扫描系统和NimbleTrack灵动式三维扫描系统。NimbleTrack集全无线、不贴点、双边缘计算、一体成型架构于一身，精准驾驭中小型场景动态三维测量场景，其扫描仪和跟踪器深度集成高性能芯片与嵌入式电池模组，实现了全域无线测量和高速稳定的数据传输，开启工业计量智能无线新时代。AM-CELL C系列自动化3D检测系统AM-CELL C系列自动化3D检测系统创新性融入核心单元设计理念，集易部署、易操控、高拓展性、全方位安全于一体，为中小型零部件检测打造自动化交钥匙解决方案，探寻智能制造更多可能。中图仪器WD4000系列无图晶圆几何量测系统2月，中图仪器针对晶圆几何形貌量测需求，基于在精密光学测量多年的技术积累，历经数载，自研了WD4000系列无图晶圆几何量测系统，适用于线切、研磨、抛光工艺后，进行wafer厚度（THK）、整体厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）等相关几何形貌数据测量，能够提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottommap等几何形貌图及系列参数，有效监测wafer形貌分布变化，从而及时管控与调整生产设备的工艺参数，确保wafer生产稳定且高效。3月，中图仪器发布Mizar Silver三坐标测量机，融汇多项核心创新技术，采用低热膨胀花岗岩导轨系统、环抱式气浮支撑系统、Z轴柔性平衡设计、高刚性传动系统、空间21项结构误差补偿技术等，并装载全自主化运动控制器与测头测座系统，自主化三坐标测量软件PowerDMIS。先临三维FreeScan UE Pro2 无线高速激光手持三维扫描仪5月，先临三维发布FreeScan UE Pro2 无线高速激光手持三维扫描仪。此番创新融合了嵌入式边缘计算模块，实现无线传输功能，为用户带来了前所未有的操作自由。这款新品借助内置的嵌入式边缘计算模块与灵活的移动电源支持，可以更加游刃有余地获取高精度三维数据。基恩士VM-6000大范围三坐标测量仪5月，基恩士发布VM-6000大范围三坐标测量仪，通过接触探头、激光扫描探头，单人即可在现场测量大型产品的尺寸、形状。新品测量范围由原来的15m扩大到25m，适用于各行各业的大型产品。Qualifire&trade 激光干涉仪2024年初，阿美特克 旗下Zygo公司宣布发布其最新的激光干涉仪Qualifire&trade 。Qualifier加入了一系列高端干涉仪解决方案，旨在支持半导体、光刻、星载成像系统、尖端消费电子产品、国防等行业中最苛刻的计量应用。这款干涉仪在不牺牲性能的情况下，将显著的增强功能集成到一个更轻的小型封装中。秉承Zygo在计量领域的卓越标准，Qualifire&trade 不仅确保了高精度，更通过精细化的人体工程学设计优化了用户交互体验，使操作更为高效，部署更加灵活，完美平衡了性能与便捷性。综上所述，2024年上半年发布的一系列新品，在高精度、集成化、智能化、自动化、便捷性与易用性等多个维度实现了显著突破与创新。这些技术的深度融合可大幅提升生产效率与灵活性，降低对人工的依赖，助力企业降本增效。这一系列创新成果，无疑为工业4.0智能制造的加速推进提供了强有力的技术支持和保障。

LDV/PDPA 、PIV及V3V原理、系统构成与典型应用 LDV/PDPA 与PIV硬件安装、调试与维护 LDV/PDPA 与PIV软件参数设置与使用 实验（加湿器与磁力搅拌器涡流实验） 激光流体测量技术在消防与发动机喷嘴，汽车外形，飞机机翼，搅拌槽桨片，大型水坝等机械设计与制造，和湍流、边界层等复杂流动的研究中具有越来越重要的作用。TSI公司是专业的流体测量仪器生产供应商。从1984年进入中国，目前已经成为中国市场占有率最高的流体测量仪器厂家。为了提高用户的应用水平，TSI公司特举办此次研讨会，将系统的介绍LDV/PDPA、PIV及V3V原理、构成及应用，还将进行硬件及软件的实际操作培训。 相位多普勒粒子分析仪(LDV/PDPA)是单点、非接触式、高精度与高响应频率的测量工具，利用流体中运动微粒散射光的多普勒频率与相位变化来获得流体一维至三维速度与微粒粒径信息。 粒子图像测速仪(PIV) 通过对比分析一定时间间隔连续拍摄的两张示踪粒子的图像，获得流场中一平面上两维或三维的速度场。 体三维速度场仪(V3V)，将激光流场测量技术带入了一个全新的层面，能在真实的流体立方体积内测量完整的体三维速度场。 会议安排 2011年6月21日 上午：理论培训及讨论：原理及系统构成介绍、系统各部件介绍与典型应用 下午：硬件操作培训：LDV/PDPA（激光器安装及激光准直、分光器与耦合器安装、发散接收探头光斑重合度检验及校正、粒径测量探头安装）； PIV（激光器操作、相机操作与系统标定） 2011年6月22日 上午：软件操作培训：LDV/PDPA（Flowsizer）、 PIV（Insight3G）软件参数设置及基本操作 下午：实验：加湿器喷雾及磁力搅拌器 会议地点 北京市蟹岛绿色生态农庄(蟹岛度假村) 电话：010-84324910/12 地点：北京市朝阳区蟹岛路1号(首都机场辅路中段南侧) 签到时间：6月20日中午后 交通：北京市内用户可乘641路公交车直达蟹岛度假村东门，或乘10号线地铁于三元桥倒641路到达；乘飞机到达的用户可从首都机场乘出租车直接前往机场辅路中段南侧蟹岛路1号的蟹岛度假村。

一、采购人：山东省特种设备检验研究院 地址：山东省济南市高新区天辰大街939号 联系方式： 0531-81903690 　　二、采购代理机构：山东英大招投标有限公司地址：济南市马鞍山路2-1号山东大厦 联系方式：0531-85198189、0531-85198109 　　三、政府采购计划编号：406012201200084,406012201200083,406012201200082,406012201200081,406012201200080,406012201200079,406012201200078,406012201200077,406012201200061,406012201200048,406012201200047,406012201200046,406012201200045,406012201200038,406012201200037,406012201200036 　　四、项目名称：山东省特种设备检验研究院(各分院)实验室仪器、设备采购 项目编号：SDYD2012-234-2 　　五、采购内容及分包情况： 　　采购内容(包括采购货物和服务的名称、用途、数量)： 　　本项目为山东省特种设备检验研究院(各分院)实验室仪器、设备采购，共分16 个包，分包情况详见附件，详细技术要求详见招标文件。 　　分包情况： 　　1包：日照分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 交、直流磁轭探伤仪 台/套 1 详见招标文件 2 便携式里氏硬度计 台/套 1 3 挠度（回弹量）制动下滑量检测仪 台 1 4 限速器试验台 台 1 5 手持式光谱仪(可采进口) 台 1 6 数字超声波探伤仪 台 2 7 观片灯 台 2 8 宽频电流表 只 2 9 安全阀现场校验仪（电动） 台/套 1 10 起重机钢丝绳探伤仪 台/套 1 11 超声波试块 块 2 12 超声波试块 块 2 13 双通道TOFD探伤仪(可采进口) 台 1 14 线路板雕刻机 台/套 1 15 双通道彩色数字示波器 台/套 1 16 单片机编程器烧录器 台/套 1 17 残炭测定仪 台/套 1 18 运动粘度测定仪 台/套 1 19 闭口闪点测定仪 台/套 1 20 自动电位滴定仪 台/套 1 21 全自动微量水分测定仪（卡氏） 台/套 1 22 石油密度测定仪 台/套 1 23 烟气分析仪(可采进口) 台/套 1 24 温度采集系统 台/套 1 25 铂电阻温度计(可采进口) 台/套 2 26 高温热电偶 台/套 1 27 数字温湿度计(进口) 台/套 1 28 数字压力计 台/套 2 29 大气压力表 台/套 1 30 超声波流量计(可采进口) 台/套 2 31 涡轮流量计 台/套 1 32 电磁流量计 台/套 1 33 飞灰取样器 台/套 2 34 手电筒式UV-LED紫外线探伤灯(可采进口) 台 1 35 便携式荧光磁粉探伤仪(可采进口) 台 1 36 激光测距仪 台 1 37 超声波测厚仪 台 5 　　2包：日照分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 步进数控车床 台/套 1 详见招标文件 2 普通型冲床 台/套 1 3 卧式燃煤锅炉模拟机 台/套 1 4 立式燃油（气）锅炉模拟机 台/套 1 5 桥门式起重机实训模拟机系统 台/套 1 6 平衡重式叉车 辆 1 7 电梯模型 台/套 1 8 牛头刨床 台/套 1 9 数显万能试验机 台/套 1 10 摆垂式冲击试验机 台/套 1 11 冲击试样缺口手拉床 台/套 1 　　3包：烟台分院 序号 设备名称 数量 (台/套) 技术参数 1 数字声发射检测系统 1 详见招标文件 　　4包：烟台分院 序号 设备名称 数量 (台/套) 技术参数 1 声级计 1 详见招标文件 2 照度计 1 3 电梯限速器现场测试仪 1 4 红外测温仪 1 5 单滑板侧滑仪 1 6 静电电阻测量仪 1 7 防腐层绝缘电阻测量仪 1 8 电火花检测仪 1 9 土壤电阻率测试仪 1 10 硫酸铜参比电极 1 11 杂散电流检测仪 1 12 熔化极气体保护焊机（全数字焊机） 1 13 直流氩弧焊机(全数字焊机) 1 14 激光测距仪 2 15 机电类工具箱 1 16 承压类工具箱 1 17 酸值全自动测定仪 1 18 密度测定仪 1 19 闭口闪点全自动测定仪 1 20 全自动微量水分测定仪 1 21 微量残炭测定器 1 22 全自动馏程测定器 1 23 便携式微量溶解氧分析仪 1 24 便携式pH计 1 25 药品冷藏箱 1 26 红外测油仪 1 　　5包：威海分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 多成份烟气分析仪（可采进口） 台 1 详见招标文件 2 温度采集系统（可采进口） 套 1 3 铂电阻温度计（可采进口） 台 1 4 高温热电偶 台 1 5 红外测温仪（可采进口） 台 1 6 表面温度计（可采进口） 台 1 7 温湿度仪（可采进口） 台 1 8 数字压力计（可采进口） 台 19 大气压力表（可采进口） 台 1 10 超声波流量计（可采进口） 台 1 11 涡轮流量计 台 1 12 电磁流量计 台 1 13 热流计（可采进口） 台 1 14 钠度计 台 1 15 电导率仪（可采进口） 台 1 　　6包：威海分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 土壤电阻率测试仪 台 1 详见招标文件 2 地下管线探测定位仪 台 1 3 防腐层绝缘电阻测量仪 台 1 4 相位计 台 1 5 电能质量分析仪 （可采进口） 台 1 6 硫酸铜参比电极 台 10 7 罐车液面计校验装置 台 1 8 埋地管道泄漏检测仪 台 1 9 数字超声波探伤仪 台 1 10便携式氨气（有毒）检测仪 台 1 11 杂散电流检测仪 台 1 12 电火花检漏仪 台 1 13 直流电压梯度检测系统（含密间隔管地电位检测仪）（可采进口） 套 1 　　7包：威海分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 桥式起重机虚拟操作系统 套 1 详见招标文件 2 DZL4-1.25-AII型燃煤锅炉模拟机 台 1 3 WNY4-1.25-Y燃油锅炉模拟机 台 1 4 叉车 台 1 　　8包：德州分院 序号 名称 单位 数量 技术参数 1 激光测拱仪 台　 2 详见招标文件 2 起重机下滑量挠度测试仪 台　 2 3 钳形接地电阻测试仪 台　 1 4 绝缘电阻测试仪（可采进口） 台　 1 5 机电类检测工具箱 套　 4 6 便携式限速器校验仪 台　 2 7 平衡吊 台　 1 8 气瓶吊（夹）具 台　 1 9 气动扭矩扳手 台　 1 10 电动扭矩扳手 台　 1 11 安全阀校验台信息化改造 套　 1 12 酸度计 台　 1 13 可见分光光度计 台　 1 14 紫外可见分光光度计 台　 1 15 高纯水发生仪 台　 1 16电子天平 台　 1 17 自动滴定仪 台　 1 18 测厚仪(可采进口) 台　 5 19 交、直流磁轭探伤仪 台　 1 20 磁轭探伤仪(可采进口) 台　 1 　　9包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 测厚仪（可采进口） 4 详见招标文件 2 接触式转速表（可采进口） 6 3 便携式测距仪（可采进口） 6 4 便携式里氏硬度计 2 5 周向X射线探伤机 2 6 黑光灯 1 7 数字式接地电阻测试仪（可采进口） 3 8 数字式绝缘电阻测试仪（可采进口） 3 　　10包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 便携式飞灰取样器 1 详见招标文件 2 温度采集系统（可采进口） 1 3 铂电阻温度计 2 4 高温热电偶温度仪（可采进口） 1 5 表面温度计（可采进口） 1 6 数字压力计 2 7 压力表 2 8 超声波流量计（可采进口） 2 9 涡轮流量计 1 10 电磁流量计（可采进口） 1 11 钠度计（可采进口） 1 12 数显电能表 1 　　11包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 WNS4-1.25-Y型卧式内燃燃油锅炉培训机 1 详见招标文件 2 YG-130/3.82-M7循环流化床锅炉模型 1 3 DZL4-1.3-AⅡ快装锅炉模型 1 4 工业锅炉常用解剖件 1 　　12包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 天然气瓶检验线 1 详见招标文件 2 便携式可燃气体浓度检测仪 1 3 热电偶真空计 2 4静电电阻测试仪（可采进口） 1 　　13包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 蒸汽锅炉 1 详见招标文件 　　14包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 原子吸收光谱仪 1 详见招标文件 2 电位滴定仪（可采进口） 1 3 水分仪（可采进口） 1 4 密度计（可采进口） 1 5 蒸馏仪 1 6 便携式水质油份浓度快速分析仪 1 7 立式金相试样切割机 1 　　15包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 直流电压梯度检测系统DCVG（可采进口） 1 详见招标文件 2密间隔管地电位检测仪 （可采进口） 1 3 防腐层绝缘电阻测量仪 1 4 管道杂散电流检测仪 1 5 埋地管道泄漏检测仪 1 6 埋地钢质管道防腐层检测系统（可采进口） 1 7 电火花检漏仪 1 8 地下管线探测定位仪（可采进口） 1 9 涂层测厚仪（可采进口） 1 10 土壤电阻率测试仪 1 11 静电阻测量仪 1 12 硫酸铜参比电极 10 　　16包：泰安分院 序号 设备名称 数量（台/套） 技术参数 1 便携式超声波相控阵/TOFD自动成像检测系统.（可采进口） 1 详见招标文件 　　六、获取招标文件地点：山东省济南市马鞍山路2-1号山东大厦四层8406室。 时间：2012年9月26日开始至2012年10月16日止，上午8:30到下午17:30(北京时间，节假日除外)。 方式：购买招标文件时请携带营业执照副本原件(或复印件加盖公章)，若要以邮寄方式获取招标文件，请加邮寄费50元，连同招标文件费用汇至我方(开户单位：山东英大招投标有限公司，开户银行：中国银行济南趵突泉支行，帐号：242913021560)。招标文件售出不退。 售价：200元/包 　　七、投标截止日期：2012 年10月18日上午9：00-9：30(北京时间) 　　八、开标日期：2012年10月18日上午9：30(北京时间) 开标地点：省级政府采购招标大厅开标会议室(五)、地址：济南高新技术产业开发区伯乐路316号(省级机关政府采购中心办公楼)。 　　九、本项目联系人：邓惠真、常威、高玉明 联系电话：0531-85198189、0531-85198109、传真：0531-85198109 　　十、其他：届时请参与投标的供应商代表出席开标仪式，逾期递交或不符合规定的投标文件恕不接受。

第二届国际高端测量仪器高层论坛暨第12届精密工程测量与仪器国际会议（IFMI & ISPEMI 2022）于2022年8月8日至10日在广西桂林成功举办。本论坛由中国工程院、国际测量与仪器委员会（ICMI）共同指导，中国工程院信息与电子工程学部、中国仪器仪表学会、中国计量测试学会和哈尔滨工业大学联合承办，桂林电子科技大学、北京信息科技大学协办。本次论坛的目的是，根据世界科技革命与产业变革发展趋势，探讨和判断高端测量仪器技术发展趋势和仪器产业发展趋势，提出促进世界高端测量仪器科技与产业重点发展方向，共同推进世界范围内高端测量仪器技术形态和产业业态的变革。中国工程院院士、哈尔滨工业大学精密仪器工程研究院院长、中国仪器仪表学会副理事长谭久彬教授担任大会主席并主持会议。谭久彬院士指出：“仪器是测量的载体，是科学发现和基础研究突破的重要手段。… … 精密仪器技术与工程支撑着整个现代科技产业、国民经济和社会管理的高质量发展。随着新一轮科技革命和产业变革的深入，新一代物联网、大数据、云计算、人工智能、精准医疗、智能制造、智慧城市建设等领域不断发生革命性变化，因此，精密工程测量与仪器技术势必会遇到前所未有的巨大挑战和发展机遇。”谭久彬院士担任大会主席并主持会议大会现场国际测量技术联合会（IMEKO）前主席Kenneth T. V. Grattan院士、中国计量测试学会副理事长兼秘书长马爱文先生、桂林电子科技大学党委副书记聂慧教授参加大会并在开幕式上致辞。Grattan院士指出，测量是科学研究的基础。以精密测量为基础的技术突破促进了高端精密仪器的制造，同时进一步推动了加工制造、光学、材料、生命科学等领域的发展。最后，Grattan院士强调，随着人工智能技术的不断发展，将智能化技术融入精密制造、数字化测量等领域是当前面临的重要机遇与挑战。本次会议分为主论坛大会报告、分论坛研讨和圆桌论坛3部分。共有来自美国、英国、澳大利亚、德国、比利时、加拿大、俄罗斯、韩国、日本、新加坡、中国等12个国家和地区的250余位专家出席本次盛会，2600余名科技工作者和研究生观看了会议直播。大会特邀国际测量联合会主席(IMEKO)、德国联邦物理技术研究院（PTB）副院长Frank Härtig教授，美国加州理工大学Lihong Wang院士，伦敦大学城市学院Tong Sun院士，兰州空间技术物理研究所李得天院士，悉尼科技大学Dayong Jin院士，加拿大维多利亚大学Yang Shi院士，比利时鲁汶大学Han Haitjema教授，海克斯康技术总监隋占疆等国际著名专家分别围绕“计量学——数字化的基础支柱”、“从细胞器分子吸收到患者尺度的光声断层扫描”、“应用驱动型传感器循环设计”、“空间充放电效果模拟测试技术及其在中国空间站的应用”、“稀土高掺杂发光材料、单颗粒光谱系统多维度表征与新发光特性、新型超高分辨成像方法与仪器研发、生医工交叉应用等需求”、“自主智能机电系统的高级鲁棒模型预测控制框架”、“光学表面形貌测量仪器的特性及标定”、“数字时代下，计量技术如何赋能行业发展”进行主题演讲。分论坛分为8个分会场，共计48个分论坛邀请报告。分论坛的专家学者们结合测量仪器技术与精密工程各个分支方向，交流了目前本领域存在的重大科学问题与关键技术问题、具有发展优势的新的技术路线和近期重大研究进展与突破；探讨了因学科交叉衍生出的新原理、新技术和新方向；并对该领域未来10年的发展趋势与特点、新的应用背景和可能产生的新突破进行了探索与研判；预测未来国际和国家测量体系和仪器行业的发展趋势，从而规划国际和国家测量体系的建设路线和新形态仪器技术的发展路径。除主论坛、分论坛的学术交流与研讨外，会议还以圆桌会议形式进行战略研讨。受谭久彬院士委托，中国仪器仪表学会常务理事、哈尔滨工业大学仪器科学与工程学院院长刘俭教授主持研讨。圆桌论坛邀请叶声华院士等著名科学家、测量仪器领域著名专家学者，以及华为技术有限公司、海克斯康测量技术有限公司、天津三英精密仪器股份有限公司、深圳中图仪器科技有限公司、哈尔滨芯明天科技有限公司、中铁一局集团陕西卓信工程检测有限公司、深圳中科精工科技有限公司、江苏天准科技股份有限公司、国营芜湖机械厂等企业的近百名技术型企业家参加了研讨。圆桌论坛围绕“我国高端仪器的瓶颈在哪里以及国产高端仪器如何突围”这两个主题展开讨论。与会专家和企业家首先就我国高端仪器与国际高端仪器在前沿技术方面的主要差距、国产高端仪器如何面向国家重大需求与国际科技前沿、我国高端仪器产业推广与高校企业成果转化对接面临的问题、如何打通高端仪器产业上下游等热点问题展开了热烈讨论。随后就目前我国高端仪器产业面临的问题、亟待解决的政策支持以及未来的发展战略充分发表了建议。最后就高端仪器技术布局与标准化、高端仪器创新链与产业链上下游打通等问题进行了深入探讨，并达成了初步共识。

第3届高端测量仪器国际论坛暨第13届精密工程测量与仪器国际会议（IFMI & ISPEMI 2024）于2024年8月8日至10日在山东青岛成功举办。本会议由国际测量与仪器委员会、中国计量测试学会、中国仪器仪表学会共同发起，中国工程院信息与电子工程学部指导，哈尔滨工业大学主办，中国计量测试学会计量仪器专业委员会、北京信息科技大学、中国石油大学（华东）、海克斯康制造智能技术（青岛）有限公司联合承办。本会议的目的是，邀请各国精密工程测量与仪器领域的高层科学家、专家与业界领袖，就国际精密工程测量与仪器领域面临的重大机遇、重大科学问题和关键技术问题进行研讨，交流国际精密工程测量与仪器领域取得的重大进展；特别是，根据世界新一轮科技革命与产业变革的前沿发展趋势，判断未来5年和10年精密工程测量与仪器技术的发展方向和技术路线；同时，推测未来5年和10年全球各领域对精密工程测量与仪器的需求，判断国际精密工程测量与仪器产业发展趋势；进而提出促进世界高端测量仪器科学研究与产业发展的建议，共同促进世界范围内高端测量仪器技术的发展。中国工程院院士、哈尔滨工业大学精密仪器工程研究院院长谭久彬教授担任大会主席并致辞。谭久彬院士指出：“随着超精密工程、精准医疗、智能制造和原子级制造，以及物联网、大数据、云计算、人工智能和智慧城市等领域不断发生革命性突破，精密工程测量与仪器技术必然迎来前所未有的巨大挑战和发展机遇。近年来，至少有三件大事将对精密测量和仪器技术的发展走势产生至关重要的影响。一是2018年国际计量大会正式通过了一项具有里程碑意义的重要决议，即7个国际基本计量单位均由自然常数来定义，并于2019年5.20国际计量日正式实施。这件事带来的直接好处是，标准量值传递链将实现扁平化和去中心化，这将导致国际测量体系与各国的国家测量体系发生革命性的变化。二是数字化制造、网络化制造和智能化制造发展得非常迅速，加上国际计量单位定义常数化、计量量子化发展双重趋势的作用下，精密测量仪器将产生新的形态；三是原子级制造的兴起将导致精密测量仪器技术成体系的创新。上述三件大事必将导致国际仪器产业体系的重大变革。”谭久彬院士担任大会主席并致辞大会现场中国计量测试学会副理事长兼秘书长马爱文先生、中国仪器仪表学会副理事长兼秘书长张彤先生、中国石油大学（华东）校长助理于连栋教授参加大会并在开幕式上致辞。中国计量测试学会秘书长马爱文在大会开幕式致辞中国仪器仪表学会副理事长兼秘书长张彤在大会开幕式致辞中国石油大学（华东）校长助理于连栋在大会开幕式致辞本次会议分为主论坛大会报告、分论坛研讨和圆桌论坛3部分。共有来自中国、美国、英国、德国、日本、韩国、加拿大、澳大利亚、俄罗斯、白俄罗斯、塞尔维亚、比利时、新加坡等13个国家和地区的280余位专家出席本次盛会，10900余名科技工作者和研究生观看了会议直播。大会特邀中国工程院院士、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长张学军研究员，德国工程院院士Ö mer Sahin Ganiyusufoglu教授、白俄罗斯国家科学院主席团第一副主席Sergey Antonovich Chizhik院士、美国密歇根大学Steven Cundiff教授、韩国科学技术院Seung-Woo Kim教授、德国联邦物理技术研究院Jens Flügge教授、中国计量科学研究院原院长方向研究员、美国加州大学洛杉矶分校Mona Jarrahi教授、海克斯康制造智能技术研究院首席专家王慧珍女士等国际著名专家做大会主旨报告。张学军院士的主题演讲题为《机器人辅助的超精密非球面及自由曲面光学抛光》，提出了一种以机器人系统为中心的新型抛光方法，将确定性抛光技术（如计算机控制光学表面抛光和离子束整形）与机器人平台协同集成，形成了一种灵活、经济、高效的多轴抛光设备，在中型非球面和自由曲面光学元件制造中实现了亚纳米精度，同时大幅度降低了生产成本，可满足新一代高端制造装备制造、前沿科学实验所需的高端光学元件大规模生产需求。张学军院士发表主题演讲Ö mer Sahin Ganiyusufoglu院士的主题演讲《智能装备与在线测试》着重探讨了从大规模生产向创新驱动的高质量产业快速转型的发展趋势。在这一过程中，智能机器和智能制造技术扮演着至关重要的角色，这些技术能够通过在线测量和在线测试实现自动化的过程优化。他强调，传感器是信息数据获取的关键，并通过人工智能（AI）使装备“智能化”。Ganiyusufoglu院士通过汽车行业的若干实例详细介绍了从传统大规模生产向智能制造转型的过程。Ö mer Sahin Ganiyusufoglu院士发表主题演讲Mona Jarrahi教授在其题为《太赫兹技术的新前沿》的主题演讲中，介绍了一种新型高性能光电导太赫兹源，利用等离子体纳米天线实现了创纪录的太赫兹辐射输出，功率达到数毫瓦级，比现有技术提高了三个数量级，成功应用于太赫兹探测器、超光谱焦平面阵列和量子级探测灵敏度的外差光谱仪，使其在宽太赫兹频带和室温条件下的检测能力大幅提升。该技术突破为医疗成像、诊断、大气监测、制药质量控制和安全监测等领域带来了新的机遇，具有广阔的应用潜力。Mona Jarrahi教授在线发表主题演讲Seung-Woo Kim教授的主题演讲《基于梳状激光的光频率产生技术用于精密测量和仪器》，探讨了超短激光脉冲及其频率梳在现代计量学中的革命性应用。他指出，频率梳作为一种“频率标尺”，能够与微波原子钟或光钟稳定联结，产生超稳定的光频率，从而促进干涉测量和飞行时间测量等领域的技术突破。Kim教授进一步介绍了这种光频合成技术在自由空间相干通信、频率传输、光谱学以及太赫兹波生成等领域的应用。他还展望了频率梳技术未来在计量学和仪器制造领域的广泛应用前景，并提出了相关的技术挑战和解决方案。Seung-Woo Kim教授发表主题演讲Steven Cundiff教授的主题演讲《优化频率梳用于多梳光谱》集中讨论了双梳光谱技术的优势与挑战。双梳光谱是一种光学傅里叶变换光谱技术，通过使用两个略有不同重复频率的频率梳，实现无需移动部件的扫描延迟。Steven Cundiff教授指出，虽然双梳光谱在光谱分辨率、信噪比和采集时间方面表现优异，但也存在诸如光谱范围与采集时间之间的难以兼顾的问题。他提出，通过使用重复频率接近倍数关系的两个梳子，可以改善光谱分辨率，减少对信噪比的影响。此外，通过相位调制技术可以在不降低信噪比的情况下缩短采集时间，满足非线性光谱学中的高脉冲能量需求。Steven Cundiff教授发表主题演讲Sergey Antonovich Chizhik院士的发表了《原子力显微镜在微机械装置表征中的应用》的主题演讲，讨论了原子力显微镜（AFM）在微机电系统（MEMS）纳米级结构和材料性能表征方面的应用。Chizhik院士介绍了一系列自主开发的AFM设备和方法，及其在电子学和生物细胞研究中的应用，展示了包括纳米层析成像、静态与动态力谱学、纳米钻探以及振荡摩擦测量等技术的创新性应用。他还讨论了这些方法在生物细胞研究中的特殊应用，并展望了AFM在MEMS表征中的广阔应用前景。Sergey Antonovich Chizhik院士发表主题演讲方向研究员在主题演讲《计量数字化转型的机遇与挑战》中，详细探讨了数字化时代对计量学的深远影响。自2018年国际单位制（SI）重新定义以来，计量领域进入了数字时代，所有SI单位都基于物理学的基本定律和常数进行了定义。方向研究员介绍了数字化计量的转型过程，特别是国际计量委员会（CIPM）在推动全球数字化计量框架方面的努力，并探讨了未来计量技术和测量仪器发展面临的机遇和挑战。他强调，随着全球数字化转型的加速，计量学的数字化变革将继续深刻影响各个行业，推动工程测量技术的进一步创新和发展。方向研究员发表主题演讲Jens Flügge教授的主题演讲《干涉仪在测量系统中的集成》探讨了干涉仪在高精度测量中的广泛应用。Jens Flügge教授介绍了激光干涉仪的设计方案及其在不同测量系统中的应用，包括PTB纳米比长仪、用于硅晶格参数测定的光学/X射线干涉仪，以及用于干涉仪校准的真空比较仪等。他详细介绍了上述装备的设计、优化过程及其实际测量案例，展示了在降低测量不确定度和提高测量精度方面的创新性解决方案，阐明了干涉仪技术在计量领域的重要性和应用前景。Jens Flügge教授在线发表主题演讲王慧珍首席专家的主题演讲《智能计量技术深度赋能制造业高质量发展》重点介绍了现代几何计量技术的最新进展，及其在高端制造业中的应用。人工智能（AI）、多传感器技术和测量数据再利用相融合，实现了制造过程的优化和提高生产效率。她展示了智能几何计量系统提升生产精度和质量控制水平的典型案例，探讨了未来智能计量技术的发展趋势和挑战。她认为，随着先进制造业对高精度、高效生产需求的不断增长，智能几何计量系统将在提升制造业整体质量和竞争力方面发挥越来越重要的作用。王慧珍女士发表主题演讲分论坛分为10个分会场，共计63个分论坛邀请报告。分论坛的专家学者们结合测量仪器技术与精密工程各个分支方向，交流了目前本领域存在的重大科学问题与关键技术问题、具有发展优势的新的技术路线和近期重大研究进展与突破；探讨了因学科交叉衍生出的新原理、新技术和新方向；并对该领域未来10-15年的发展趋势与特点、新的应用背景和可能产生的新突破进行了探索与研判。除主论坛、分论坛的学术交流与研讨外，会议还以圆桌论坛形式进行战略研讨。圆桌论坛邀请测量仪器领域的著名专家学者与企业家参加了研讨。圆桌论坛围绕“面向高端装备制造的高端测量仪器发展战略”为主题展开讨论。与会专家学者与企业家首先就我国当前国家测量体系和仪器产业体系对先进制造支撑能力的现状及存在的问题，未来10-15年仪器领域重大应用场景战略需求、前沿仪器技术、发展趋势、全景路线图，全制造链、全产业链和全生命周期测量仪器体系建设框架构建，嵌入式、芯片化、微型化、小型化的计量标准体系与实时精度调控体系构建，仪器学科发展战略和创新领军人才培养体系，精密仪器产业体系构建、发展趋势研判、仪器产业布局构想等热点问题展开了热烈讨论，并达成了初步共识。