重介质旋流器

2.介质膜反射镜A.介质膜激光反射镜：1)OML系列介质膜激光反射镜 命名规则:OML直径-波长-厚度OML系列激光反射镜选型表：型号名称面精度直径（mm)厚度(mm)入射角( ° )OML25.4-355-6.35355nm反射镜&lambda /10&phi =25.4T=6.3545OML20-441-4441nm反射镜&lambda /4&phi =20T=445OML25-441-4441nm反射镜&lambda /4&phi =25T=445OML25.4-441-4441nm反射镜&lambda /4&phi =25.4T=445OML30-441-5441nm反射镜&lambda /4&phi =30T=545OML50-441-5441nm反射镜&lambda /4&phi =50T=545OML20-488-4488nm反射镜&lambda /4&phi =20T=445OML25-488-4488nm反射镜&lambda /4&phi =25T=445OML25.4-488-4488nm反射镜&lambda /4&phi =25.4T=445OML30-488-5488nm反射镜&lambda /4&phi =30T=545OML50-488-5488nm反射镜&lambda /4&phi =50T=545OML20-532-4532nm反射镜&lambda /4&phi =20T=445OML25-532-4532nm反射镜&lambda /4&phi =25T=445OML25.4-532-4532nm反射镜&lambda /4&phi =25.4T=445OML30-532-5532nm反射镜&lambda /4&phi =30T=545OML50-532-5532nm反射镜&lambda /4&phi =50T=545OML20-633-4632.8nm反射镜&lambda /4&phi =20T=4452)紫外（深紫外）介质膜激光反射镜（进口）说明： 1.激光介质膜反射镜是一种在面精度为&lambda /10 的BK7 基板上，顺序镀上不同折射率的多层电介质膜的全反射镜。 2.此种膜层比Al+ 氟化镁(MgF2)膜更耐强激光，面精度是镀膜前的反射面的面精度。 3.入射角度为45° ± 3° ，平行度&le 3&prime 。 曲线图：TFM系列紫外（含深紫外）激光波长介质膜反射镜（SIGMA）选型表：

DACS型重介工艺参数自动测控系统：1.系统型号说明 DACS-Ⅰ:单系统重介工艺参数自动测控系统 DACS-Ⅱ:双系统重介工艺参数自动测控系统2.系统功能及技术指标重介质选煤过程自动控制系统是以IPC工控机为控制核心，集检测、控制、管理等功能于一体的监控系统。根据选煤厂的工艺系统特点及要求，分别对悬浮液密度、磁性物含量等工艺参数进行调节。该系统的主要功能包括： (1)实现合格介质悬浮液密度自动测量控制，密度控制精度为：设定值±0.005g/cm3； (2)实现合格介质悬浮液磁性物含量的在线检测，测控范围满足工艺生产要求； (3)实现合格介质桶液位的自动检测及超限报警； (4)实现原煤及煤泥重介质旋流器入口压力自动测量及超限报警 (5)计算机系统实现重介质选煤工艺各种工艺参数的实时采集、监视、记录、煤泥含量及其控制算法的计算、历史生产数据查询、打印报表以及与上位机通讯等功能

产品概述: KXMDJ-1100双法兰压差密度计采用精密微差测试仪带有双法兰单导压管，能避免介质或气体的滞留，避免流体直接冲击膜片，能克服液体流速和气泡对测量的影响，检测准确、稳定，使用安全、可靠，维护简便，无辐射。并带有配套密度计二次仪表箱可以就地显示密度。 带有双应用于在线检测固液混合的悬浮液的浓度和密度，是生产闭环控制中实现工艺参数自调节、质量实时监控或产量实时统计等过程的不可缺少环节。核心价值点：高精度：采用多点3曲线标定，贴近现场工艺，动态跟踪性好；自带取样器，仪表标定更准确。高稳定性：采用包络能量算法和多阶滤波算法来消除偶发性气泡的干扰，有效提升超声类产品在线测量的稳定性。适用性广：DN50~DN700管径通用，性能不受管道尺寸、材质影响。耐磨损：传感器由特殊材质防护，耐磨损，耐腐蚀。性能指标：序列 名称 性能指标1电源24VDC2量程0-50KPa3法兰(欧标)DN80/PN1.0 MPa4输出信号4-20mA5防护等级IP656接线方式两线制产品展示：典型应用：应用场景：适用于合介、稀介、煤泥水、尾煤泥水等悬浮液的浓、密度检测重介旋流器密度在线检测是实现旋流器入料密度控制的重要前提，可提升旋流器工作效率，改善分级效果，降低堵塞、跑粗或空转等异常现象风险，确保了重介质选煤的处理效率和质量，通过现场DCS系统的综合调配，稳定合介密度，调整进煤量，对选煤系统的优化起到重要作用。浮选给料煤泥水密度是浮选过程中重要的工艺参数，通过控制浮选给料浓度，使浓度范围在最佳浓度，可有效提升浮选回收率，降低药剂、和水电的消耗量，提升精煤品质，降低尾煤的跑煤量。尾煤泥水浓缩在线检测底流浓度，彻底解决了浓缩系统需频繁取样、化验，实现对浓缩效果进行实时监控，避免了放料浓度时高时低等异常现象发生，通过DCS系统联合加药、放料系统，可提升浓缩池的浓缩、脱水效率，降低由于浓度过高引起压耙、堵塞等风险。

HIRST型户外气旋采样器产地：英国burkard简介：定向风连续采样器利用单逆向小型气旋技术，空气通量为16.5L/min。该仪器高效采样，样品范围为1μm。颗粒直接被采集到1.5ml埃彭多夫小瓶内，然后通过免疫或显微镜技术转移或分析。利用气旋系统，可长时间连续采样并不会超载、丢失或更改采样效率。无过滤器采集系统可快速得到样品。结构与仪器细节该采样器底部配有标准Burkard公司的真空泵，并且提供Z大电压和频率。高质量材料的采样器保证在全世界大部分国家可长时间操作。 气旋式孢子捕捉仪产地：英国burkard简介：新款气旋式孢子捕捉仪用于野外操作，原理基于Burkard公司的迷你气旋孢子捕捉仪，直接采集空气中样品至1.5ml Eppendorf瓶内.这种新型设备采集的样品可进行ELISA和PCR等技术分析.该仪器收集空气中干燥粒子，但根据要求也可以收集到液体中.其转盘上有8个Eppendorf小瓶，Z多可以连续采集8个样品.基本型号可连接天气站，然后根据天气情况控制采样周期.本公司也提供无支架型捕捉仪，可结合控制器、多功能计时器使用，均在防风雨金属外壳内，安装到三脚架上（参看上面图片）.高效气旋式捕捉仪采集粒子的尺寸1μm，采样速率16.5L/min.旋流器头安装在轴承上并连接风扇叶，可保证风直接进入到采样孔内. 不提供额外电源，因为该仪器配有太阳能电池板，电池板连接充到控制箱内部的充电电池上，这样就可提供24小时不间断电源. 该孢子捕捉仪用于农作物病害管理系统，空气中的菌剂在疾病传染过程中发挥非常重要的作用.空气中的样品直接采集到用于血清或分子检测的1.5ml小瓶中. 该技术在植物病原菌中应用范围广，在疾病风险评估中可进行菌剂检测.该采样系统可应用到医学和生物检测中，可快速检测出空气中所需的生物粒子. 太阳能板提供长时间操作或低UV灯强度.技术参数:空气量：16.5L/min功率：约100M/a计时器设置：至999h充电电池：17h总高度：125cm底座区域：87 x 77cm毛重（含电池）：24kg

产品描述 Cyclosizer 旋流分离器 描述： Cyclosizer是一种实验室精密仪器，用于确定筛分范围内的粒度分布。该单元将分开约40、30、20、15和12微米。Cyclosizer会返回尺寸分数以进行分析或显微镜检查，以便收集有关解放尺寸的信息。粒子根据它们的斯托克斯当量直径进行分离，并且取决于比重。2.7重力材料的有效分离范围是40到12微米。处理最大100克（减去200或325目）的样品，并分成5部分。较重的矿物报告该构造中的旋流分离器较高。设备由五个安装在控制台上的直径为3英寸的旋流分离器和辅助设备组成。Cyclosizer出厂时已完全组装好，可以投入使用。 尺寸： 运输重量：850磅。尺寸：64英寸x 19英寸x 73英寸高货号050B-001Catalog NumberDescriptionShip WeightVoltage050B-001Mild Steel Cyclosizer850 lbs.50 & 60 Hz050B-001Stainless Steel Cyclosizer850 lbs.50 & 60 Hz

英国Techne沙浴流化床（IFB-51、IFB-52、IFB-101、IFB-111、IFB-201)产品简介：英国Techne工业型沙浴流化床（IFB-51、IFB-52、IFB-101、IFB-111、IFB-201）以安全、高效、低消耗的有效清洁系统和部件（如模具、断板、喷嘴、工具、连接件、喷头，螺杆、阀门等）上的聚合物，包括塑料、油漆、环氧树脂、橡胶、粘合剂、及其他烃类产品（如油、液、润滑脂、润滑油和涂料等）浸入到Techne沙浴流化床的（可达600℃）三氧化二铝环境中，即刻开始降解碳化，流出后即作为二氧化碳降解，这种瞬间加热，尽量减少淬火时间，作为一种均匀恒温的热浴，大大减少了金属疲劳和工具损坏的结果，Techne沙浴兼容注入压缩空气、惰性气体（如氮气或氩气）的流化，常规时间范围从30分钟到2个小时，这取决于浴负荷、温度和清洗材料量 应用：优良性能的热处理，测试和校准反应分析，回火，退火，氮化，蒸馏固化放热和吸热反应，热分析设备，部件和材料。IFB基本配置：盖子\旋流器\风扇,足以消除非恶臭和烟雾；如果用户燃烧PVC或其他卤化聚合物、或易产生过多烟雾和气味、颗粒物和挥发性有机化合物，需要购置过滤系统、清洗系统产品特点：ü 快速清洗，极好限度地减少昂贵的生产设备停机时间，只需要烘箱1/3时间；ü 无刀具损伤、钢丝擦刷、刮伤损坏；ü 无人值守清洗，降低了劳动成本；ü 不会腐蚀磨料模具；ü 轻松处理断路板、模具、喷嘴及其他模具材料的小孔；ü 沙浴流化理想的能源效率（IFB-52运行为25千瓦时）；ü 无需耗材、溶剂或任何其他有害的化学物质；ü 去除几乎所有的塑料，如PVC、PET、Flouropolymers和PEEK聚合物；ü 英国Techne沙浴流化床可应用于制造心脏血管支架。基本配置：ü 顶盖，旋流器、风扇（消除非恶臭和烟雾）；ü 如果用户燃烧PVC或其他卤化聚合物、或易产生过多烟雾和气味、颗粒物和挥发性有机化合物，需要购置过滤系统、清洗系统。技术参数：型号IFB-51IFB-52IFB-101IFB-111IFB-201温度范围50—600度温度均衡性±1.0度±5.0度控温类型3 term PID温度探头K型热电偶工作直径cm24.1324.1345.72————工作尺寸直径×深，cm25.9×30.525.9×6631×3531×100长宽深50×22×39.5加热至450度105分钟210分钟100分钟165分钟180分钟加热至600度195分钟240分钟210分钟270分钟350分钟进气压力0.2Mpa气流速度（升/分钟）40160120220外部尺寸(长宽高cm)69×61×54104×61×5492×80×63168×102×7993×116×66电压230V，单相480V，3相功率（KW）46699重量（空桶，Kg）428475260270重量（含介质KG）120200167435390型号SBS-4SBL-2D温度范围50 至 500度50 至 600度温度均衡性（100度时）±0.4度±0.2度从20度加热至600度时间70—90分钟（根据环境温度变化）从20度加热至600度时间——105从600度降温至200度时间（分钟）——330进气压力 1.03Bar（15psi）最多进气流速（升/分钟）8557需要三氧化二铝（Kg）932内腔尺寸(直径×深，cm)17.8×1422.8×35外部尺寸(外径×高，cm)34×4739×70电源240V,6.2A240V，17A消耗功率（KW）1.54重量24Kg49Kg配置：货号英国Techne IFB-51、IFB-52沙浴流化床配置IFB-51包含：温控器、三氧化二铝、流量计IFB-52包含：温控器、三氧化二铝、流量计F6156IFB-51/52的盖子FA624IFB-51的网篮FA625IFB-51的深网篮，需要配60361577031658IFB-52的网篮7031659IFB-52的深网篮，需要配6036157F6157IFB-51/52额外的collarF5915过滤器（除油、除湿）+压力控制器货号英国Techne IFB-101沙浴流化床配置IFB-101包含：温控器、排气罩、三氧化二铝IFB-101包含：温控器、排气罩、三氧化二铝、自动流量控制器F5967盖子F5976网篮F5243外接排气风扇F6110开关，150/100mm货号英国Techne IFB-111沙浴流化床配置IFB-111包含：温控器、排气罩、三氧化二铝IFB-111包含：温控器、排气罩、三氧化二铝、自动流量控制器F7998盖子F6224网篮F5243外接排气风扇F6110开关，150/100mm货号英国Techne IFB-201沙浴流化床配置IFB-201包含：温控器、排气罩、盖子、三氧化二铝FB201网篮F5243外接排气风扇货号外接排放配件SR-100SCRUBBER FSSR1管路清洗器，用于移除排放气体中的95% HCl，480V,3phAB-100AFTERBURNER FSAB1排放燃烧器，消除黑烟排放，240V, 1phCN-100CYCLONE三氧化二铝回收装置，重复利用，减少损耗F0885三氧化二铝，25KgF0885A三氧化二铝，50Kg

伊伊西科技(北京)有限公司致力于为企业严控产品质量，降低运营成本，提高生产效率．助力客户成功．LM3100锤式实验室粉碎磨 3100型实验室粉碎磨是一种锤式旋风磨，置于隔音层中，有气流进样调节器控制样品进入金属磨体的速度，硬质钢锤以高速旋转迫使样品粉碎，并随空气通过不锈钢筛板，进入样品收集容器。 自洁式旋流器在旋流器内，细小均匀的样品与空气分离，收集在易捡取的不锈钢容器中，空气流动作用使磨体自动清洁，在粉碎另一个样品时一般不需要清理仪器。筛板 3100型实验磨内配有标准的0.8毫米筛板，其粉碎样品适用于降落数值、面筋数量质量测定系统、近红外分析、凯氏定氮、索氏抽提等检测的要求。另外备有0.5-2.0毫米的筛板。任选3170喂料器 喂料器是装有马达驱动的橡皮叶轮，可使进料均匀，有助于改善高水分谷物、有壳谷物，如大麦、燕麦和稻谷的碾磨以及粗物料的喂料。特性和优点处理样品量大－避免取样误差自动清洁－样品间不需清洁无尘埃－过滤除尘袋将尘埃减至最少自动喂料－空气调节器调节进料速度操作安全－门未关上马达不起动，门一打开马达停止工作低噪音－有隔音装置样品细小均匀－可通过0.5-2.0mm筛板调节样品细度LM120锤式实验室粉碎磨 120型实验室粉碎磨是一种锤式旋风磨，置于隔音层中，有气流进样调节器控制样品进入金属磨体的速度，硬质钢锤以高速旋转迫使样品粉碎，并随空气通过不锈钢筛板，进入样品收集容器。120型实验室粉碎磨适用于研磨谷物、颗粒料、肉类和饲料等样品，样品研磨后可用于近红外、降落数值、面筋检测和燃烧定氮等分析。 自洁式旋流器在旋流器内，细小均匀的样品与空气分离，收集在易捡取的不锈钢容器中，空气流动作用使磨体自动清洁，在粉碎另一个样品时一般不需要清理仪器。研磨后的样品收集到研磨室下面的滤袋里。120实验室粉碎磨内配有标准的0.8毫米筛板，另外还备有0.5-2.0毫米的筛板。任选3170喂料器 喂料器是装有马达驱动的橡皮叶轮，可使进料均匀，有助于改善高水分谷物、有壳谷物，如大麦、燕麦和稻谷的碾磨以及粗物料的喂料，稳定的喂料速度可以提高过量喂料的研磨质量，减少马达的损耗。特性和优点处理样品量大－避免取样误差自动清洁－样品间不需清洁无尘埃－过滤除尘袋将尘埃减至最少自动喂料－空气调节器调节进料速度操作安全－门未关上马达不起动，门一打开马达停止工作低噪音－有隔音装置样品细小均匀－可通过0.5-2.0mm筛板调节样品细度高水分研磨－可调节喂料速度，允许研磨的样品的水分含量可达到25%LM120和LM3100技术参数打锤转速：16800转/分钟 皮带速比：1:6 研磨能力：30－50秒研磨300克样品工作噪音：≤75dB，有隔音装置电源： 110－440V，单相或三相，50/60赫兹，1.1千瓦尺寸： 560×510×630毫米（3100型）；545×460×240毫米（120型）

LM3100锤式实验室粉碎磨 3100型实验室粉碎磨是一种锤式旋风磨，置于隔音层中，有气流进样调节器控制样品进入金属磨体的速度，硬质钢锤以高速旋转迫使样品粉碎，并随空气通过不锈钢筛板，进入样品收集容器。 自洁式旋流器在旋流器内，细小均匀的样品与空气分离，收集在易捡取的不锈钢容器中，空气流动作用使磨体自动清洁，在粉碎另一个样品时一般不需要清理仪器。筛板 3100型实验磨内配有标准的0.8毫米筛板，其粉碎样品适用于降落数值、面筋数量质量测定系统、近红外分析、凯氏定氮、索氏抽提等检测的要求。另外备有0.5-2.0毫米的筛板。任选3170喂料器 喂料器是装有马达驱动的橡皮叶轮，可使进料均匀，有助于改善高水分谷物、有壳谷物，如大麦、燕麦和稻谷的碾磨以及粗物料的喂料。特性和优点处理样品量大－避免取样误差自动清洁－样品间不需清洁无尘埃－过滤除尘袋将尘埃减至最少自动喂料－空气调节器调节进料速度操作安全－门未关上马达不起动，门一打开马达停止工作低噪音－有隔音装置样品细小均匀－可通过0.5-2.0mm筛板调节样品细度技术参数打锤转速：16800转/分钟 皮带速比：1:6 研磨能力：30－50秒研磨300克样品工作噪音：≤75dB，有隔音装置电源： 110－440V，单相或三相，50/60赫兹，1.1千瓦尺寸： 560×510×630毫米（3100型）；545×460×240毫米（120型）

LM120型锤式实验室粉碎磨 LM120型实验室粉碎磨是一种锤式旋风磨，置于隔音层中，有气流进样调节器控制样品进入金属磨体的速度，硬质钢锤以高速旋转迫使样品粉碎，并随空气通过不锈钢筛板，进入样品收集容器。120型实验室粉碎磨适用于研磨谷物、颗粒料、肉类和饲料等样品，样品研磨后可用于近红外、降落数值、面筋检测和燃烧定氮等分析。自洁式旋流器在旋流器内，细小均匀的样品与空气分离，收集在易捡取的不锈钢容器中，空气流动作用使磨体自动清洁，在粉碎另一个样品时一般不需要清理仪器。研磨后的样品收集到研磨室下面的滤袋里。 筛板 120实验室粉碎磨内配有标准的0.8毫米筛板，另外还备有0.5-2.0毫米的筛板。 任选3170喂料器 喂料器是装有马达驱动的橡皮叶轮，可使进料均匀，有助于改善高水分谷物、有壳谷物，如大麦、燕麦和稻谷的碾磨以及粗物料的喂料。特性和优点 处理样品量大－避免取样误差自动清洁－样品间不需清洁无尘埃－过滤除尘袋将尘埃减至最少自动喂料－空气调节器调节进料速度操作安全－门未关上马达不起动，门一打开马达停止工作低噪音－有隔音装置样品细小均匀－可通过0.5-2.0mm筛板调节样品细度高水分研磨－可调节喂料速度，允许研磨的样品的水分含量可达到25%技术参数打锤转速：16800转/分钟 皮带速比：1:6 研磨能力：30－50秒研磨300克样品工作噪音：≤75dB，有隔音装置电源： 110－440V，单相或三相，50/60赫兹，1.1千瓦尺寸： 545×460×240毫米

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

15.5使用特殊的技术和设备、使材料厚度的精度达到0.01in甚至更小。电极不能损坏试样的接触面。准确的测定击穿电压。15.6偏差——该测试方法不能测定固有绝缘强度。测试结果取决于试样的几何形状，电极和其他可变参数，以及样品的性质，这使得很难描述偏差。耐电压击穿试验仪16. 关键词16.1击穿，击穿电压，校准，击穿标淮，介电击穿电压，介电失效，介电强度，电极，闪络，电源频率，过程控制测试，验证测试，质量控制测试，快速增加，研究测试，取样，慢速，逐步，环境介质，耐压。1 介绍简要回顾了击穿的三种假定机制，分别是：（1）放电或电晕机制，（2）热机制，以及（3）固有机制，讨论了在原理上对实际电介质产生影响的因素，并对数据的解释提供帮助。击穿机制常常与其他机制相结合，而非单独发挥效用。随后的讨论仅针对固体和半固体材料。介电击穿的假定机制由放电造成的击穿——在对工业材料进行的许多测试中，都是由于放电造成了击穿，这通常造成较高的局部场。对于固体材料来说，放电常常发生在环境介质中，因此增加测试的区域将在电极边缘上或外侧产生击穿。放电也会发生在内部出现或生成的一些泡沫或气泡里。这会造成局部的侵蚀或化学分解。这些过程将一直持续到在电极间形成完全的失效通路为止。热击穿——在置于高强度电场时，在许多材料内的局部路径上会积聚大量的热，这将造成电介质和离子导电性能的损失，进而迅速产生热量，所产生的热量将大于所能耗散掉的热量。由于材料的热不稳定性，导致了击穿的发生。固有击穿——如果放电或热稳定性都不能造成击穿，那么在电场强度大到足以加速电子穿过材料时，仍将发生击穿。标准电场强度被称为固有绝缘强度。虽然机制本身也许已经涉及，但本测试法仍不能测试固有绝缘强度。绝缘材料的性质固态工业绝缘材料通常是非均匀的，且含有许多不同的电介质缺陷。试样上常常发生击穿的区域，并不是那些电场强度最大的区域，有时甚至是那些远离电极的区域。在应力下卷中的薄弱环节有时将决定测试的结果。 测试和测试样状况的影响因素——通常，随着电极区域的增加，击穿电压会降低，这种影响对于薄试样来说更为明显。电极的几何形状也会影响测试的结果。制作电极的材料也会对测试结果产生影响，这是因为电极材料的热导性和功函会对热机制和发电机制产生影响。通常来说，由于缺乏相关的实验数据，所以很难确定电极材料的影响。试样厚度——固体工业绝缘材料的绝缘强度主要取决于试样的厚度。经验显示，对于固体和半固体材料来说，绝缘强度与以试样厚度为分母的分数成反比，更多的证据显示，对于相对均匀的固体来说，绝缘强度与厚度的平方根互为倒数。如果固体试样能熔化后倒入到固定电极之间并凝固下来，那么电极间距的影响将很难得到明确的定义。因为在这种情况下，可以随意固定电极间距，所以习惯在液体或可溶固体中进行绝缘强度测试，此时电极间具有标准的固定空间。因为绝缘强度取决于厚度，所以如果在报告绝缘强度数据时缺乏测试所用试样的起始厚度，那么这样的数据将毫无意义。

一、产品概述：介电常数测试仪采用数字液晶显示，是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低值，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果，免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线，北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性：DDS数字合成信号：50KHz-160MHz；信号源频率覆盖比：1600:1；信号源频率精度：6位有效数3×10-5 ±1个字；Q测量范围/Q分辨率：1-1000自动/手动量程；4位有效数,分辨率0.1；Q测量工作误差：5%；电感测量范围/分辨率：1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH；电感测量误差：5%；调谐电容：主电容17-240pF；电容直接测量范围：1pF～25nF；调谐电容误差/分辨率：±1pF或1% / 0.1pF；谐振点搜索：自动扫描；Q合格预置范围：5-1000声光提示；Q量程切换：自动/手动；LCD显示参数：F，L，C，Q，Lt，Ct波段等；新增功能：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能；新增功能：大电容值直接测量显示功能，测量值可达25nF；消耗功率：约25W；净重：约7kg；外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。二、符合标准：GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法； 三、产品特点：1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能：电感测试时，仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值（特别是小电感值）测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能：大电容值直接测量显示功能，电容值直接测量值可达25nF（配100uH电感时）。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境：1、环境温度：0℃～+40℃；2、相对湿度：80％；3、电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。五、配置清单：主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位：可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试；北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤：1、按照Q表的操作规程调整仪器，选定测量频率，测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中，并调节电容器C，使电路谐振，达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出，调节C或测试电极的距离，使电路重新谐振，记下C、或测试电极的校正电容值与Q值，北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作，北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件：1、试样表面应清洁、平滑，无裂纹、气泡和杂质等，试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时，可按其产品标准规定的进行。九、测试意义：1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用，即（1）用于固定电学网络部件，同时让其彼此以及与地面绝缘；（2）用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中，通常要求固定的电容尽可能小，同时具有可接受且一致的机械，化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中，要求电容率具有一个高值，以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力，以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合（作为电学绝缘材料和作为电容器电介质），交流损耗通常必须是比较小的，以减小材料的加热，同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合，特别要求损耗指数具有一个低值，因为对于某一给定的损耗指数，电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中，例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质，通常电导增加可获得损耗增大，这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时，这可能有助于考虑耗散因子，功率因子，相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时，耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征，例如电介质击穿，湿分含量，固化程度和任何原因导致的破坏。然而，由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子，除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的，耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户：沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品：ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后)，要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗；电导过程中，电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量，即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然，介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能，使电介质温度升高。若介质损耗过大，则电介质温度将升得过高，这将加速电介质的热分解与老化，最终可能导致绝缘性能的完全失去，所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关，故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质，电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下，由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在，与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下，由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化，极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时，极化过程反而减弱，损耗减小。极化损耗与温度也有关，在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗，游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时，产生带电粒子需要游离能，放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见，在直流电压作用下，介质损耗主要为电导损耗，因此，电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性，同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下，三种形式的损耗都存在，为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性，这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时，就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流，为阻性电流，与同相位；——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示，此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见，介质损耗功率越大，IR越大，δ角也越大，因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路，可写出介质损耗功率P的计算公式当然，图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路，可以证明当tanδ 很小时， Cs≈C对于串联等值电路，同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看，我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的，因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下，那么介质损耗功率仅取决于 tanδ，换句话说，也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量，与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值，并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz，20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构　绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起，故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似，即tanδ随温度的升高而按指数规律增大，且tanδ较小。极性介质中，极化损耗不能忽略，tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时，由于温度较低，电导损耗与极化损耗都小，电导损耗随温度升高而略有增大，而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小，偶极子转向容易)，所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1＜t＜t2时，温度已不太低，此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列，极化损耗随温度升高而降低，而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度，因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t＞t2时，温度已很高，电导损耗已占主导地位，tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内，随频率的升高，偶极子往复转向频率加快，极化程度加强，介质损耗增大，tanδ值增大。当频率超过某一数值后，由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用，来不及随电压极性的改变而转向，极化作用减弱，极化损耗下降，tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内，电场强度增大(由于电压升高)，介质损耗功率变大，但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时，随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电，tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此，在较高电压下测tanδ值，可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外，湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后，电导损耗增大，tanδ也增大，例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%，tanδ值可增大100倍。然而，假如tanδ值的测试是在温度低于0～5℃时进行，含水量增加tanδ反而不会增大，这是因为此时介质中的水分已凝结成冰，导电性又变差，电导损耗变小的缘故。为此，在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃，这对tanδ的测试尤为重要，在工程实际中，通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断，对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。

14.1.2.1所测量的厚度，14.1.2.2能承受的最大电压（对逐步测试而言），14.1.2.3击穿电压，14.1.2.4绝缘强度（对逐步测试而言），14.1.2.5击穿强度，及14.1.2.6击穿的部位（电极的中心，边缘或外部）。14.1.3对于每个样品：14.1.3.1平均电介质承受强度（仅对逐步测试测试样），14.1.3.2平均电介质击穿强度，14.1.3.3变量的说明，最好是标准偏差和变化系数。14.1.3.4测试样的说明，14.1.3.5调节和测试样的准备，14.1.3.6环境的温度和相对湿度，14.1.3.7环境介质，14.1.3.8测试温度，14.1.3.9电极的说明，14.1.3.10电压应用的方法，14.1.3.11如果指定，电流感应元件的失效标准，及14.1.3.12测试的日期。ASTM D149-2009介电击穿电压试验方法耐电压击穿试验仪15. 精度和偏差15.1表2总结了四个实验室和八种材料实验室间研究的结果。该研究采用同一电极体系和同一测试介质。915.2单一操作员精度——根据测试材料，试样厚度，电压供给方式以及控制或抑制瞬间电压脉冲的极限，变化常数（标准差除以平均值）在1%到20％之间变化。如果就同一样品的五个测试样进行重复试验，变化常数通常不大于9%。15.3多实验室精度——在不同实验室中（或者同一实验室不同设备上）进行测试的精度是变化的。通过使用同一类型的设备，严格控制测试样的准备，电极以及测试流程，单个操作员的精度是近似的。但如果对来自不同实验室的结果进行比较，就必须评估不同实验室的精度。9支撑数据已经归档在ASTM国际总部中，通过申请研究报告RR:D09-1026可获得这些数据。15.4如果测试材料，试样厚度，电极结构，或环境介质不同于表1所列，或是测试设备中电流感应元件的击穿标准得不到严格控制，那么将无法达到15.2和15.3中所规定的精度，对于需要测试的材料来说，涉及本测试方法的标准应能确定该材料的精度适用范围。参见5.4~5.8以及6.1.6。

介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪：GDAT-A 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 二、介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的技术指标 1．Q值测量 a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。 c．标称误差项 目 GDAT-A频率范围20kHz～10MHz；固有误差≤5％±满度值的2％；工作误差≤7％±满度值的2％；频率范围10MHz～60MHz；固有误差≤6％±满度值的2％；工作误差≤8％±满度值的2％。电感测量范围介电常数介质损耗试验仪电容测量14.5nH~8.14H1~ 460 项 目GDAT-A直接测量范围1～460pF主电容调节范围30～500pF，精准度150pF以上±1％ 150pF以下±1.5pF； 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则 4．介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪信号源频率覆盖范围项 目 GDAT-A： 频率范围10kHz～50MHz频率分段(虚拟)10～99.9999kHz100～999.999kHz1～9.99999MHz10～60MHz 频率指示误差3×10-5±1个字Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。Q表正常工作条件环境温度：0℃～+40℃； 相对湿度80％电源220V±22V，50Hz±2.5Hz。消耗功率约25W；净重约7kg外型尺寸(l×b×h)mm：380×132×280 8．产品配置：a. 测试主机一台；b. 电感9只；c. 夹具一套 电感：线圈号 Q 值 测试频率 分布电容p 电感值 9100KHz 98 9.4 25mH8400KHz 13811.4 4.87mH7 400KHz 20216 0.99mH61MHz 196 13252μH52MHz 198 8.749.8μH4 4.5MHz 231 7 10μH 312MHz 1936.9 2.49μH2 12MHz 229 6.4 0.508μH1 25MHz，50MHz233，2110.9 0.125μH 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的详细资料： 一、 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。介电常数介质损耗试验仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有专业的工程师为您解决您的疑问！！ 北广公司其它绝缘材料检测仪器: BDJC-0-100KV 介电击穿试验仪 BDJC系列绝缘材料工频率介电击穿试验仪 BDJC系列电压介电强度试验仪器 BDJC系列 电压击穿试验仪 BDJC系列绝缘漆漆膜击穿强度试验仪 BDJC电容器纸工频电压击穿试验仪 EST-121 体积表面电阻率测定仪 GDAT-A介质损耗测试仪/介电常数测试仪 GDAT-C新型介电常数介质损耗测试仪 BDH 耐漏电起痕试验仪 BDH-B耐电弧试验仪 中国检测行业与验证服务的尖端者和智领者，帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。 注重每一个细节是北广公司对于每个客户的承诺 ， 也是北广公司一直追求的宗旨。北京北广精仪仪器设备有限公司

补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。概念：电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。2）极化损耗在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。电离损耗

概述：ZJD-B介质损耗因数测试仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至0低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。 ZJD-B介质损耗因数测试仪是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据。适用领域： ZJD-B介质损耗因数测试仪器可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数测试仪对绝缘材料的介电常数进行测试；同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。技术参数：信号源频率范围：DDS数字合成 10KHz-70MHzQ测量范围：1-1000自动/手动量程信号源频率覆盖比：6000:1Q分辨率： 4位有效数,分辨率0.1信号源频率精度：3×10-5 ±1个字,6位有效数Q测量工作误差：5%电感测量范围：15nH-8.4H,4位有效数,分辨率0.1nH调谐电容：主电容30-500PF电感测量误差：5%调谐电容误差和分辨率：±1.5P或1%标准测量频点：全波段任意频率下均可测试Q合格预置范围：5-1000声光提示谐振点搜索：自动扫描Q量程切换：自动/手动谐振指针：LCD显示LCD显示参数：F,L,C,Q,波段等夹具工作特性1.平板电容器：极片尺寸：Φ50mm/Φ38mm可选极片间距可调范围：≥15mm2. 夹具插头间距：25mm±0.01mm3. 夹具损耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）4．测微杆分辨率：0.001mm介电常数与耗散因数间的关系 介电常数又称电容率或相对电容率， 是表征电介质或绝缘材料电 性能的一个重要数据，常用 ε 表示。 介质在外加电场时会产生感应 电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介 电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力， 例如一个电 容板中充入介电常数为 ε 的物质后可使其电容变大 ε 倍。介电常数愈 小绝缘性愈好。如果有高介电常数的材料放在电场中， 场的强度会在 电介质内有可观的下降。介电常数还用来表示介质的极化程度， 宏观 的介电常数的大小， 反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极 化现象比较弱，各种气体的相对介电常数都接近1 ，液体、固体的介 电常数则各不相同，而且介电常数还与温度、电源频率有关有些物质介电常数具有复数形式， 其实部即为介电常数， 虚数部 分常称为耗散因数。通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切， 其可表示材料 与微波的耦合能力， 耗散角正切值越大， 材料与微波的耦合能力就越 强。例如当电磁波穿过电解质时，波的速度被减小，波长也变短了。介质损耗是指置于交流电场中的介质， 以内部发热的形式表现出 来的能量损耗。介质损耗角是指对介质施加交流电压时， 介质内部流 过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。介质损耗角正切是对电 介质施加正弦波电压时， 外施电压与相同频率的电流之间相角的余角 δ 的正切值--tg δ. 其物理意义是：每个周期内介质损耗的能量//每个周期内介质存储的能量。介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。介电损耗是指电 介质在交变电场中, 由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。 原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电 流,消耗掉一部分电能,转为热能。任何电介质在电场作用下都有能量损耗，包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。用 tg δ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标， 其是一个仅仅取 决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量， tgδ的增大意 味着介质绝缘性能变差， 实践中通常通过测量 tgδ来判断设备绝缘性 能的好坏。由于介电损耗的作用电解质在交变电场作用下将长生热量， 这些 热会使电介质升温并可能引起热击穿， 因此， 在绝缘技术中， 特别是 当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因 数， 即电介质损耗角正切 tgδ较低的材料。但是， 电介质损耗也可用 作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3--300兆赫兹）对介 电常数大的材料（如木材、纸张、陶瓷等） 进行加热。这种加热由于 热量产生在介质内部， 比外部加热速度更快、热效率更高， 而且热均 匀。频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波 炉即据此原理）。在绝缘设计时， 必须注意材料的 tgδ值。若 tgδ过大则会引起严 重发热，使绝缘材料加速老化，甚至导致热击穿。一下例举一些材料的 ε 值：石英-----3.8绝缘陶瓷-----6.0纸------70有机玻璃------2.63 PE-------2.3PVC--------3.8高分子材料的 ε 由主链中的键的性能和排列决定分子结构极性越强， ε 和 tg δ越大。非极性材料的极化程度较小， ε 和 tg δ都较小。当电介质用在不同场合时对介电常数与耗散因素的大小有不同 的要求。做电容介质时 ε 大、 tg δ小；对航空航天材料而言， ε 要小 tg δ要大。另外要注意材料的极性越强受湿度的影响越明显。主要原因是高 湿的作用使水分子扩散到高分子的分子之间， 使其极性增强； 同时潮 湿的空气作用于塑料表面， 几乎在几分钟内就使介质的表面形成一层 水膜， 它具有离子性质， 能增加表面电导， 因此使材料的介电常数和 介质损耗角正切 tgδ都随之增大。故在具体应用时应注意电介质的周 围环境。电介质在现代生活中经常被用到， 而介电常数与耗散因素是电介 质的两个重要参数， 根据不同的要求， 应当选用具有不用介电常数与 耗散因数的材料， 以达到最佳的效果。同时还应当注意外界因素对介 电常数与耗散因数的影响。

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

产品介绍：DZ5001是一款测量介质损耗和介电常数的测量仪器，采用高频谐振法，测量准确度高，大电容显示，具有操作简单，液晶显示，测试精度高等优势。测试原理：介电常数测试仪通常采用高频谐振法，并利用平行板电容器来测量物质的电容值。测试过程中，两个平行金属板之间填充了被测物质。当加上电压时，电子会在两个板之间移动，导致电容值发生变化，这个变化取决于介质材料的介电常数。应用范围：DZ5001介电常数测试仪是用于测量介质损耗和介电常数是各种金属氧化物，板材，瓷器（陶器），云母，玻璃，塑料等绝缘材料，通过测定可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据。性能优势：仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置，直接读值。符合的测量标准：1、 GBT 1693-2007 硫化橡胶 介电常数和介质损耗角正切值的测定方法。2、ASTM-D150-介电常数测试方法。3、GB9622.9-88/SJT 11043-1996 电子玻璃高频介质损耗和介电常数的测试方法。技术参数：信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样，保证了Q值的稳定性，以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数，分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH ：1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型，精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF～25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F，L，C，Q，Lt，Ct，Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有

工频介电常数介质损耗设备大电容值直接测量显示功能() 测量值可达25nF介质损耗系数 精度 万分之一介电常数 精度 千分之一材料测试厚度 0.1mm-10mm工频介电常数介质损耗设备电容直接测量范围 1pF～25nF调谐电容误差分辨率 ±1 pF或0.1pF谐振点搜索 自动扫描Q合格预置范围 5-1000声光提示Q量程切换 自动/手动工频介电常数介质损耗设备GB/T 1693-2007 硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法.GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美标ASTM D150以及电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的解决方案。工频介电常数介质损耗设备电容测量范围:0.1Cn~1000Cn（7位有效数字）外接量程扩展电容量至少测到1100uF　　电容的测量准确度：±1×10-5　　电桥tgδ范围：-110%到+110%　　tgδ测量准确度不大于0.2%rdg±1×10-5　　tgδ测量z小分辨率1×10-6（连接电脑可达1×10-7）　　试验电压：0～1000kV，精度1%（4位有效数字）　　测量频率：35～65Hz，精度1Hz（4位有效数字）　　电容值Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、 品质因数Q、材料的介电常数ε、测试电源频率 fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等均为直读　　电桥内有过电压保护措施。工频介电常数介质损耗设备电介质损耗由以下三部分组成：1. 电导损耗。当给电介质施加交流电压时，电介质中 会有电导电流流过，电介质因此而发热产生损耗，通常这 部分电流都很小。2. 游离损耗。电介质中局部电场集中处（如固体电介质中的气泡，气体电介质中电极的尖端等），当电场强度 高于某一值时，介质局部就会产生放电，同时伴随能量损耗。3. 极化损耗。由于介质结构的不均匀，在交流电场作 用下，使不均匀介质边界面上的电荷，时而积聚，时而消失， 电荷积聚和消失都要通过介质内部，这样就造成了一定的 能量损耗。

介质损耗因数测试仪低频信号源频率覆盖范围 AC频率范围10kHz～60MHz0.1～160MHzCH110～99.9999kHz0.1～0.999999MHzCH2100～999.999kHz1～9.99999MHzCH31～9.99999MHz10～99.9999MHzCH410～60MHz100～160MHz频率指示误差3×10-5±1个字介质损耗因数测试仪低频1. Q合格指示预置功能：预置范围：5～10002. Q表正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。7．其他a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。介质损耗因数测试仪低频A/C 型 Q 表的工作原理框图如图二所示。它以ATM128 单片机作为控制核心，实现对各种功能的控制。DDS 数字直接合成信号源为 Q 值测量提供了一个优质的高频信号。信号源输出一路送到程控衰减器和自动稳幅放大控制单元，该单元根据 CPU 的指令对信号衰减后送往信号激励放大器，同时对信号检波后送出一直流控制信号到压控信号源实现自动稳幅。信号激励部分输出送到一个宽带分压器， 由分压器馈给测试调谐回路一个恒定幅度的信号。当测试回路处于谐振状态时，在调谐电容 CT 两端的信号幅度将是分压器提供的信号幅度 Q 倍。在 CT 两端取得的调谐信号被信号放大单元适当放大后送到检波和数字取样单元，检波后送到控制中心 CPU 去进行数据处理。介质损耗因数测试仪低频特点：优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。介质损耗因数测试仪低频电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。 [2]3）电离损耗　　电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。4）结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。5）宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

过滤介质测试装置优点• 从10 nm开始的粒径测量 • 符合DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准而且在国际范围内可比较的测量结果 • 简单使用不同的测试气溶胶，例如NaCl / KCl或DEHS（其他可根据要求提供） • 易于移动的稀释级联，系数分别为10、100、1,000和10,000，用于盐或DEHS测量 • 方便地测量馏分分离效率并确定MPPS范围 • 测试方法的高重复性 • 灵活的过滤器测试软件FTControl • 易于操作，即使未经培训的人员也可以快速使用设备 • 客户可以自主进行清洁 • 设置时间短，吞吐时间快 • 移动设置，易于在脚轮上移动 • 在交付前验收测试期间以及交付时验证单个组件和整个系统的功能 • 运行可靠 • 低维护 • 设备将减少您的运营成本说明在实际的开发和质量控制应用中，Palas® 的MFP过滤器测试台已经在世界各地经过多次验证。MFP Nanoplus专门设计用于根据DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准准确测定HEPA和ULPA过滤介质的分离效率而计。U-SMPS形式、现代且功能强大的纳米颗粒测量设备可将用于5 nm到1 μm范围粒度测量和量化分析。借助通用气溶胶发生器UGF 2000，可以用DEHS或盐（NaCl / KCl）生产与MMPS范围相匹配的准确气溶胶分布。由于采用可移动稀释液级联，因此可以在非常短的时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂，而无需清洗。测试序列的高度自动化设置以及清晰定义的单个组件和滤波器测试软件FTControl的可单独调整程序相结合，共同提供高度可靠的测量结果。MFP过滤器测试台是用于扁平过滤器介质和小微型过滤器的模块化过滤器测试系统。可以在很短的时间内确定压力损失曲线、馏分分离效率或负荷，既可靠又具有成本效益。我们的质量细节 1.使用UGF 2000产生多种气溶胶，例如使用KCl/NaCl或DEHS。集成的硅胶干燥长管。通过质量流量控制器单独调节产生的气雾体积流量。2.气溶胶中和：Kr 85-370电源或软X射线充电器XRC 370电晕放电（可选）：可调节离子流以适应不同质量流量。可调混合空气，流入速度为1.5至40厘米/秒。通过质量流量控制器实现监视和控制。3.可移动的气动过滤器支架，用于快速拆卸和装载测试装置。4.可移动的稀释液级联：稀释液级联可以按规定的10、100、1,000和10,000因子对所施加的测试气雾剂进行规定的稀释。由于它们是可移动的，因此可以在很短时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂。无需长时间或复杂地清洁系统。5.用于纳米颗粒测量的U-SMPSPalas® 过滤器测试软件FTControl控制U-SMPS并评估数据。将气溶胶分布调整到MPPS范围通过适当调整溶液浓度，可以将生成的粒度分布与MFP Nano plus中的相关MPPS范围匹配。图1：使用DEHS调整所需MPPS范围的粒径图2：比较140 nm粒径MPPS范围内的馏分分离效率• 清晰展示整个测量范围内过滤介质的分离效率• 准确测定MPPS范围• 较高的测量重现性和可重复性突出显示分离效率的微小差异• 优化的应用程序将每次分离效率测量的测量时间缩短到6分钟左右• 分离效率曲线的简单比较，也可以计算平均值自动化：MFP Nano +集成有质量流量控制器，可用于控制体积流量；可以通过FTControl过滤器测试软件自动监视和控制这些流量。在过滤器测试期间，还会自动记录传感器数据，例如过滤器流量和压差。在没有稀释系数与分离效率（10、100、1,000或10,000）相匹配的过滤介质情况下进行原始气体测量。然后，在不稀释并插入过滤介质的情况下进行清洁气体测量。稀释系数的改变是自动执行的。稀释系数的验证：集成在MFP Nanoplus中的稀释系统的工作原理与采用喷射原理的成熟的VKL系列相同。 这种稀释级联的优点是传输过程清晰、污染程度低而且容易清洗。图3：将原始气体/清洁气体与10倍NaCl颗粒进行比较来验证稀释系统数• 使用MFP Nanoplus，可以在MPPS范围内以及整个测量范围内进行馏分分离效率测量。 另外，在相关的流入速度下，清楚地确定介质相关压力损失。应用领域• 用于过滤介质和小型过滤器组件 • 产品开发/生产控制 • 根据EN 1882-3（HEPA / ULPA）和ISO 29463-3标准进行测试 • 分离效率测量范围约为 20 nm至1 μm规格参数测量范围 （尺寸）U-SMPS 2050: 10 – 800 nm体积流量0.54 – 16立方米/小时（加压模式）电源115/230 V, 50/60 Hz外型尺寸approx. 600 • 1,800 • 900 毫米（宽• 高• 深）流入速度1.5 – 40厘米/秒（其他可根据要求提供）压差测量0 – 2,500 Pa（其他可根据要求提供）介质测试区100平方厘米气溶胶灰尘（例如SAE灰尘），盐（例如NaCl，KCl），液体气溶胶（例如DEHS）压缩空气供应6 – 8 bar

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

介质损耗因数测量仪 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。介质损耗因数测量仪 作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。介质损耗因数测量仪 技术参数：1．Q值测量a．Q值测量范围：2～1023。b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）： 固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2% 工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH3．电容测量：1~205 主电容调节范围：18～220pF 准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% 注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz, CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。6．B-测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。7．其他a．消耗功率：约25W；b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。 测试注意事项 a．本仪器应水平安放； b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟； c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调； d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差； e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫； f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。 影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生，重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度增大而增加，其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下，只要电介质中不出现局部放电，电容率和介质损耗因数与电场强度无关 测量方法的选择： 测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。1 零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法 也就是在接人试样和不接试样两种状态下，调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联 T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作，就可采用保护电极 它没有其他网络的缺点。2 谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量，常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。 注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的，叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。 试验报告 试验报告中应给出下列相关内容: 绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样 日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况) 试样条件处理的方法和处理时间 电极装置类型，若有加在试样上的电极应注明其类型 测量仪器 试验时的温度和相对湿度以及试样的温度 施加的电压 施加的频率 相对电容率ε(平均值) 介质损耗因数 tans(平均值) 试验 日期 相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角，必要时，应给出与温度和频率的关系。 特点： ◎ 本公司创新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能对固体绝缘材料在10kHz～120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。 ◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。 ◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数：Q值，测试频率，调谐状态等。 ◎ Q值量程自动/手动量程控制。 ◎ DPLL合成发生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz测试信号。独立信号 源输出口，所以本机又是一台合成信号源。 ◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。 介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好 概念：电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。 主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。 使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器，为了提高测量精度，除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小，使耦合回路的频响尽可能地好之外，还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1．测试注意事项a．本仪器应水平安放；b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2．高频线圈的Q值测量（基本测量法） 原始包装：请保留所有的原始包装材料，如果机器必须回厂维修，请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时，请务必将全部的附件一起送回，请注明故障现象和原因。另外，请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。 安全注意事项：开机之前，敬请仔细阅读本 使用指南，以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前，请阅读“安装与设置”，保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前，务必请有操作经验的人员进行指导，防止误操作造成意外事件的发生。电击危险： 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电，防止在带电情况下，对人员或设备造成伤害。 注意事项: 1、该仪器初始的包装材料需小心保存，安装需由本公司的专业技术人员进行操作。2、若仪器由于任何原因必须返修，必须将其装入原纸箱中以防运输途中损坏。3、在开机前，操作者要首先熟悉操作方法。 电性能检测仪器：介电强度测试仪、体积表面电阻率测试仪、介电常数介质损耗测试仪、漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪；塑料橡胶性能检测仪器：无转子硫化仪、门尼粘度试验机、热变形维卡温度测定仪、简支梁冲击试验机、毛细管流变仪、橡胶塑料滑动摩擦试验机物理性能检测仪器：氧指数测定仪、水平垂直燃烧试验机、熔体流动速率测定仪、低温脆性测试仪力学性能试验机：试验机北广其他检测海绵仪器：海绵泡沫压陷硬度测试仪、海绵泡沫落球回弹测试仪、海绵泡沫压缩变形试验仪另外我公司有：环境测试仪器、生物制药测试仪器、动物行为测试仪、环境监测试验仪

1概述JS-21 是 RC 串联型标准介质损耗因数标准器。采用数控方式切换电阻，操作非常方便，在±2℃范围可以作到较高的重复性。该标准器可以模拟8种不同的电容值和10种不同的损耗，最高工作电压 10kV。2工作原理2.1介质损耗绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗叫介质损耗，简称介损。介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角。介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:2.2串联模型串联模型认为损耗是与电容串联的电阻产生的。这种情况电路的电流相等:有功功率 无功功率×因此 可见，在WC一定的条件下，R与 tgδ成正比，所以介质损耗因数可用不同阻值的精密电阻来模拟。2.3并联模型并联认为损耗是与电容并联的电阻产生的，这种情况RC两端电压相等：有功功率 无功功率‍ 因此 可见，在一定的条件下，R与 tgδ成反比。3 仪器特点Ø 具有西林型电桥（串联模式）/电流比较仪型电桥（并联模式）两个模式，适用范围广。Ø 可以模拟8种不容的电容值和10种不同的损耗值，准确度高。Ø 支持介质损耗因数测试仪的正反接测试。Ø 内置相应的电容负载，真正考核被检仪器的负载能力。4主要技术指标参 数标称值准确度电容（C）100pF500pF1nF5nF10nF50nF100nF500nFA型：0.5级B型：0.2级介损(tgδ)00.02%0.05%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10%0.1%0.2%0.5%1%2%5%10% 适用范围： 西林型电桥/电流比较仪型电桥；接 线： 正/反接线；电 容： 电容量 100pF、500pF、1nF、5nF、10nF、50nF、100nF、500nF；损 耗 值：100pF：0%、0.02%、0.05%、0.1%、0.2%、0.5%、1%、2%、5%、10%；500pF~500nF： 0.1%、0.2%、0.5%、1%、2%、5%、10%；准 确 度： 0.2%×读数+0.01%；使用频率： 45-55Hz；环境温度： (10-30)℃；相对湿度： 70%。

标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。概念：电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。

一、 概述多介质过滤器是利用一种或几种过滤介质，在一定的压力下把浊度较高的水通过一定厚度的粒状或非粒材料，从而有效的除去悬浮杂质使水澄清的过程，常用的滤料有石英砂，无烟煤，锰砂等，主要用于水处理除浊，软化水，纯水的前级预处理等，出水浊度可达3度以下。过滤的含义，在水处理过程中，过滤一般是指以石英砂、无烟煤等滤料层截留水中悬浮杂质，从而使水获得澄清的工艺过程。 用于过滤的多孔材料称为滤料，石英砂是常见的滤料。滤料有粒状，粉状和纤维状多种。常用滤料有石英砂、无烟煤、活性炭、磁铁矿、拓榴石、多孔陶瓷、塑料球等。二、 特点1、应用灵活，可添加多种滤料；2、运行费用低，操作简单；3、滤料使用寿命长。

介质损耗因数测量仪哪些因素会影响电容器的介质损耗角正切值在电力电容器中，电导损耗、电介质损耗以及介质的极化损耗等参数，都和电力电容器tanδ有很大关系。②电介质损耗包括固体介质损耗以及液体浸渍剂的损耗；①电导损耗主要取决于电容器内部的金属导体，如连接片、内熔丝和放电电阻等，以及相互连接锡焊处的接触电阻；③介质的极化损耗主要包括介质内部杂质离子的极化损耗。综上所述，电力电容器的介质损耗基本上是由原材料决定的；电导损耗与设计参数选择有一定关系；电容器制造过程的质量控制，会直接影响电力电容器的tanδ。技术参数：1．Q值测量a．Q值测量范围：2～1023。b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）： 固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2% 工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH3．电容测量：1~205 主电容调节范围：18～220pF 准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% 注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz, CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。6．B-测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。介质损耗因数测量仪影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生，重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度增大而增加，其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下，只要电介质中不出现局部放电，电容率和介质损耗因数与电场强度无关介质损耗因数测量仪 介质损耗因数测量仪 主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。介质损耗因数测量仪安全注意事项：开机之前，敬请仔细阅读本 使用指南，以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前，请阅读“安装与设置”，保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前，务必请有操作经验的人员进行指导，防止误操作造成意外事件的发生。电击危险： 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电，防止在带电情况下，对人员或设备造成伤害。影响的介质损耗的以下四点主要因数（1）频率的影响：温度不变时，在低频范围内，总损耗几乎与频率无关；在高频区，介损值很大，所以在高频条件下应采用介损很小的介质。（2）温度的影响：温度对介损的影响较大，在低温区介损随温度升高而增大，在某温度处达到峰值，温度继续升高时介损值反而减小，温度继续升高，介损减小至一定值后会出现拐点急剧增大，易导致介质击穿。（3）湿度的影响：电介质吸湿后，漏电阻减小，泄漏电流增加，介损值明显增大。（4）电场强度的影响：如果介质内部有气泡或气隙，当外加电压升高到一定值时，气泡或气隙中会出现游离放电，介质损耗值会显著升高。