半导体测试仪

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

全晶圆半导体参数非接触测试解决方案Full-wafer Noncontac Measuring Solutions forSemiconductor Parameters基于我公司自主研发的激光自动聚焦、自动化显微成像、宽场荧光成像、共焦光致发光光谱和共焦拉曼光谱等核心测试技术和模组，联合白光干涉等其它 3D 测量技术，根据客户的需求灵活组合相应的技术搭配，为客户开发定制化的半导体参数测试解决方案，获得从粗糙度、图形尺寸和膜厚等几何参数，到位错、层错等缺陷，再到发光波长、寿命、载流子浓度、组分和应力等物理参数的综合测量，实现无需任何前处理的全晶圆无损自动化检测。

面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

一、产品概述：半导体参数测试仪是一种专门用于测量和分析半导体器件电气特性的测试设备。该仪器能够评估器件的电流-电压（I-V）特性、容量、泄漏电流和其他关键参数，广泛应用于半导体制造和研发领域。二、设备用途/原理：设备用途半导体参数测试仪主要用于测试各种半导体器件，如二极管、晶体管和集成电路。工程师可以利用该仪器进行器件特性分析、故障排查和性能评估，以确保半导体产品的质量和可靠性。工作原理半导体参数测试仪通过施加已知的电压并测量相应的电流来工作。仪器内部使用高精度的模数转换器（ADC）和数字信号处理技术，实时记录和分析I-V曲线。用户可以设置不同的测试条件，如扫频、阶梯测试等，生成详细的测试报告，帮助用户深入了解器件的电气特性和性能表现。三、主要技术指标：1. 配备集成电脑及显示屏一体机箱，包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块，配合用数据测量分析软件，无需外接其他仪表即可实现I-V曲线，I-t曲线，C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果2. 电流测量精度≤0.1 fA，小可测量电流≤20 fA3. 大电流测量量程≥0.1 A，大输出功率≥2 W4. 电流测量精度10 fA时，电流表的短采样时间间隔100 μs5. I-V特性测试及C-V特性测试切换时，无须更改电路6. 实现不同频率交流阻抗测量（C-V、C-f、C-t） 的测量，频率范围1 kHz-5 MHz，小频率步进≤1 mHz7. 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF（5 MHz）8. 电容测量范围5 fF-1 nF，电压0至±25V，步进≤1 mV9. 具有脉冲输出及采集模块，脉冲输出电压峰值10 V10. 脉冲采样大采样率≥200 MSa/s，小采样时间5 ns11. 具有瞬态波形捕获模式12. 具有任意波形发生器，支持多电平脉冲波形，可编程分辨率10 ns

使用 4200A-SCS参数分析仪（参数测试仪）加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是业内性能领先电学特性参数分析仪，提供同步电流电压曲线测试 (I-V曲线测试)、电容-电压曲线测试 (C-V曲线测试) 和超快脉冲 I-V曲线测量。

半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的产品特点超高精度：温度(T )分辨率0.01℃℃，1MHz变频采样:技术领先：第三代瞬态热测试技术，可输出结构函数进行热结构分析行业领先：具备4路高速高精度采集模块，采样速度，精度均达到行业顶尖水平架构领先：采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制，实现智能化 瞬态监测：连续采集加热和冷却区的结温变化，同步采集温度监控点数据 NPS技术：同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据，形成数据关系矩阵。ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的应用场景器件结壳热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 Die-Attach热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 DBC/AMB基本热特性测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 界面热阻测量与分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 PCB板级散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 散热器性能测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 TIM材料热导率测试ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 热缺陷检测ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的“功能指标”产品品牌天士立产品型号ST-HeatX产品名称半导体热特性测试系统主要功能适用于多种类型功率器件及其模组的瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出试验对象DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT、HEMT、GTO、IC试验标准符合JESD51-1、JESD51-14、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-15、IEC 60749-23、IEC 60749-34、AEC-Q101、AQG 324等相关标准要求试验模式DIODE模式SAT模式IGBT模式RDSON模式HEMT模式门控电源数量 4 输出方式 隔离输出 输出范围 -10V ~ 20V 输出误差 ≤0.1V + 0.5%set 分辨率 0.01VNTC/PTC数据同步采集NTC测量范围 250kΩ 〜 100Ω PTC测量范围 100Ω 〜 250kΩ 最高采样频率 1MHZ 同步时间误差 ≤1μs栅极漏电测量量程分辨率1nA ~ 850nA@0.01nA量程分辨率850nA ~ 1mA@0.01uA加热电源量程 30A / 10V 电流输出误差 ≤0.05A + 0.1%set 电流设定分辨率 0.01A 开关速度1μs测温电流源（主）量程 ±0.1A ~ ±1A / 10V 分辨率 1mA 误差 ≤2mA + 0.5%set测温电流源（辅）量程 0 ~ 100mA / 10V 分辨率 0.01mA 误差 0~10mA ≤50μA + 0.5%set 误差 10 ~ 100mA ≤0.5mA + 0.5%set测量通道数量 4 动态电压测量范围 ±5V(差分模式) 动态电压测量误差 ≤1mV + 0.5%set 动态电压量程 100mV、200mV、400mV、800mV 动态电压分辨率 1.6μV 采样频率 最高1MHz 采样模式 连续变频采样

设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300 半导体参数测试仪主要应用选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

半导体电阻率测试仪一、概述 BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低廉等特点。 仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。二、主要技术指标1.测量范围：电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。2.数字电压表：电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。3.恒流源：恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。4.测试架：（可选件）测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。 三、工作原理直流四探针法测试原理简介如下：（1）体电阻率测量： 如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） .......3-1式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP......3-2式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时，电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出：ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s)...3-3式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) ........3-4若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。FT=1-CT（T230） ..........3-5式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K 四、仪器结构 本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示： 图中：1-电源开关 2-显示屏 3-电流量程开 4-电压量程开关 5-工作方式开关 6-测量选择开关 7-信号输入端口 8-调零电位器 9-电流调节电位器 10-电流开关 11-极性转换开关电气箱后面板如图4-2所示： 前面板功能说明：1-(POWER)-电源220V控制开关。2-LED显示屏：3 ?位LED数字显示（0-1999），自动显示小数点、单位和过载，测试方块电阻时，单位mΩcm当作mΩ/□，测量金属电阻时，单位mΩ㎝当作mΩ。3-(I RANGE)-电流量程开关5档（10μA/100μA/1mA/10mA/100mA)；4-(V RANGE)-电压量程开关3档（20mV/200mA/2V)；5-(FUNCTION)-工作方式开关5档，从左到右分别是“4.53”档为输入电压值×4.532，测量方块电阻用；“6.28”档为输入电压值×0.628，测量电阻率用；“I”档为输入电压×1，测量金属电阻用；“I ADJ”电流调节档，和电流调节电位器配合使用，用于调节输出电流；“CAL”自校档，自校值“199X”。6-(MEAS.SEL)-测量选择开关为两档开关，“SHORT”短路档、“MEAS”测量档。7-(INPOT)-信号输入端口为5芯端口，是电压降信号输入和恒流电流输出的端口。8-（ZERO ADJ)-调零电位器，当我们在测试时，如果样品接触良好，在不加电的情况下，数字电压表读数应归零，如有偏差时，可通过调零电位器调节归零。9-(I ADJ)-电流调节电位器，可连续调节电流输出值0---1000（满刻度），与工作方式开关“I ADJ”配合使用，也可作为修正系数输入用。10-（CURRENT)-电流开关为电流加电开关，按入时，电流输出；退出时，电流断开。11-（POLARITY)-极性转换开关，可改变电流输出的正负极性。【2】测试架：测试架分为固定和手持式两种，根据使用环境的不同可自行选择，固定式测试架适合高精度的测量，探头固定在专用的测试架上，在实验室条件下，进一步提高了测量精度（见图4-4）。手持式Z大的优点是携带方便、测量方便，可直接在生产现场使用（见图4-3）。手持式测试探头简图4-3所示： 图中：1-测试导线 2-手柄 3-压力调节环 4-测试支架 5-探头和探针固定式测试架简图（4-4）所示： 图(4-4)固定式测试架图中：1-支杆 2-支架块 3-滑块 4-滑块调节（上下） 5-探头支架 6-探头和探针 7-可移动平台（前后） 8-滑槽 9-底板 10-支架块固定杆 11-探头导线 五、使用和操作（一）、测试准备：1.将仪器和试样放置在温度230C±20C，湿度﹤65%的工作环境中。2. 测试架和电气箱用输入输出连线连接好，仪器接通电源，工作方式开关置于短路位置，电流开关退出，接通220V电源，仪器预热半小时。3.测试架调好位置，放上试样，使探头与试样良好接触。(二)、测试：1.将工作方式开关置于“I调节”，按入电流开关，并调节电流电位器，使数字显示为你需要的电流值。注意：测试块状、棒状晶体和薄层方块电阻试样时，请调节电流电位器到“1000”，当测量薄片电阻率时，请根据试样厚度，查表得到修正系数值（厚度修正系数表见说明书末页），调节电位器到修正值。例如硅片厚度0.23㎜，查表得到0.1659，调节电流电位器，使显示值为166。2.根据被测材料，选择电压和电流量程，使显示值达到我们需要的精度。3.测量选择开关置于“测量”位置，根据不同的试样，工作方式开关置于不同位置，①块状、棒状样品和薄片样品电阻率测试请把开关放到“6.28”档；②薄层电阻测试请放到“4.53”档；③金属电阻测试请放到“I”档。4.检查显示屏显示是否为000，可以通过调零电位器，调整零位，使显示值为“000”。5.现在按入电流开关，应有显示，可配合电压和电流量程开关再一次调整，使显示值为我们需要的精度值。然后极性开关反转，把两次显示值平均后的值，即是我们要测量的值。（三）、注意事项：1.以上电阻率测试是在环境温度23℃下的值，如测试时环境温度有变，请考虑温度修正（温度修正系数Ft请用户根据不同材料自行查找，见公式3-5），输入K值时，K=Ft×K(修正到23℃）。实际测量，在输入电流值时，请乘以Ft值为电流实际输入值。例如：块状样品测试，“I ADJ”输入值为1000，此时我们应输入1000×Ft,测得的电阻率值是23℃时的修正值。2.当工作方式开关置于“6.28”进行测量，测量显示值为电阻率；当开关置于“4.53”时，显示值应读为R/□；在“I”档测量金属电阻，显示值应读为电阻R。3.测试架上的探头为易损件，测量时请小心加压，测试完毕，请及时升起探头。 六、复校和维修1.本仪器有自校功能，仪器内部设有精密电阻，当工作在自校档，按入电流开关后，显示自校值199X±6个字。自校档可作为检查仪器精度使用，为保证仪器测试精度，请定期对仪器进行复校，尤其是仪器进过剧烈震动和环境温度突变后，发现超差请及时送修。2.测试探头为易损件，请定期按照国标JJG508-87中规定，对探头进行复校。如超差，应更换新的探头。3.本仪器也可按照国标或ASTM84-73规定的指标和实验方法进行复校。七、仪器包装及附件1.电气箱一台2.测试架一台（固定、手持可选）3.四探针探头一个（已安装在测试架上）4.使用说明书一份5.电源线一根6.合格证一张7.四端子测试线一根

粉末电阻率测试仪产品名称：冠测仪器粉末电阻率测试仪FTDZ-I产品型号：FTDZ-I参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 24521-2009 焦炭电阻率测定方法GB/T 3782-2016 乙炔炭黑-电阻率测试仪产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。

ST-SP 2002_5半导体管测试仪可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

产品概要：瞬态热阻测试仪是一种用于材料科学领域的仪器。基本信息：技术优势：1、温控设备参数：冷媒：硅油；温度范围：-20°C ~ 150°C；温度误差：≤0.1°C；显示分辨率：0.01°C；支持所有工位同时测量2、标定控制：自动温度稳定判断；自动样品电压稳定判断；支持用户设定稳定容判据；支持迟滞消除；支持用户设定标定点数；支持所有测量通道同时标定3、历史数据保存：保存标定过程数据&bull 设定温度VS时间&bull 实际温度VS时间&bull 样品电压VS时间；通过历史数据记录可4、输出结果： K系数标定数据（电压VS温度）；包括NTC/PTC的拟合结果；支持多种数据拟合方式；各个K系数拟合度R2值；支持多个K系数曲线对比5、支持全测量通道同步温度系数标定：可对样品芯片电压温度特性进行标定；可对样品模块中的NTC/PTC进行标定；完整记录测试过程中所有采集参数应用方向：主要应用于半导体器件、LED光电器件等热学分析、测试，具体包括：测试该器件的热阻、结温、同一封装器件不同封装材料的热阻（积分、微分曲线结构函数等）。

粉末电阻率测试仪 粉末半导体电阻其它物性测试仪GEST-126d产品型号：GEST-126参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 24521-2009 焦炭电阻率测定方法GB/T 3782-2016 乙炔炭黑-电阻率测试仪产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-6—105Ω-cm；分辩率10-8Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率0.01uΩ二、 电压测量：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出： 10μA、100μA、1mA、10mA、100mA、0.5A、1A、10A2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 数据打印：可对测试结果进行打印，显示结果为：体积电阻率、电阻值五、测量电极：1、电极材质：铜2、测量距离：10MM六、粉末套筒：1、内径：16mm2、行程：50 mm 七、粉末测试专用恒加载装置及测试电极：1、电极是双柱型、立式结构2、加载机构：步进电极3、加载方式：自动加载4、负荷传感器：10KN5、负荷显示方式：力值、压强6、负荷加载:设定好指定的负荷后,自动加载并恒负荷保持7、试验流程：把被测试样安装并固定好后，设定好要加载的负荷和保持时间，点击开始后，自动加载，到达设定的负荷后自动停止，到达设定的时间后，自动返回初始位。8、样品量和电极尺寸，依据客户要求协商确定。9、套筒内经:16MM/30MM\

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

全自动半导体粉末电阻率其测试仪GEST-126.产品型号：GEST-126参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 24521-2009 焦炭电阻率测定方法GB/T 3782-2016 乙炔炭黑-电阻率测试仪产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-6—105Ω-cm；分辩率10-8Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率0.01uΩ二、 电压测量：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出： 10μA、100μA、1mA、10mA、100mA、0.5A、1A、10A2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 数据打印：可对测试结果进行打印，显示结果为：体积电阻率、电阻值五、测量电极：1、电极材质：铜2、测量距离：10MM六、粉末套筒：1、内径：16mm2、行程：50 mm 七、粉末测试专用恒加载装置及测试电极：1、电极是双柱型、立式结构2、加载机构：步进电极3、加载方式：自动加载4、负荷传感器：10KN5、负荷显示方式：力值、压强6、负荷加载:设定好指定的负荷后,自动加载并恒负荷保持7、试验流程：把被测试样安装并固定好后，设定好要加载的负荷和保持时间，点击开始后，自动加载，到达设定的负荷后自动停止，到达设定的时间后，自动返回初始位。8、样品量和电极尺寸，依据客户要求协商确定。9、套筒内经:16MM/30MM\

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

产品概要：ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的。ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量保证都是必不可少的。基本信息：&bull 独立的测试系统，便携式空间占用小，性价比高。&bull 搭配嵌入式操作屏幕，无需外置PC或Curve tracer可独立完成HBM，MM和漏电测试&bull 适应于功率半导体器件及少管脚IC技术优势：&bull 易于使用的触摸屏界面,设置可以在没有PC的情况下进行调整&bull 符合多种标准,满足JEDEC/ESDA/AEC/JEITA对HBM/MM的要求&bull 泄漏与曲线追踪应用方向：ESD静电放电测试。

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

电器配件抗压试验机/塑料抗压测试仪/半导体材料测试机简介：1，对电器配件、金属材料及复合材料的力学性能的测试以及工艺性能的分析研究。2，根据客户试样要求配上相应的工装夹具，可做拉伸、压缩、弯曲、剪切、撕裂、剥离、顶破、穿刺等试验。3，试验过程中可根据试验力和变形的大小自动变换量程，力、变形数据的动态显示，具有恒速、定荷重、定位移等控制方式。可选择应力-应变、力-伸长、力-时间等多种试验曲线，自动求出材料的最da力值、抗拉强度、屈服点、屈服强度、延伸率等参数。4，试验条件、测试结果、标距位置自动存储，可细微调整移动横梁位置，方便进行标校验,具有过载、过流、过压、过速、欠压、行程等多种安全保护方式。5，试验结束后，可打印批试样报告和单件试样曲线，软件方便可为用户添加特殊的功能模块。可按用户需求输出不同的报告格式,免费软件升级，享受终身服务。6，Win10下控制软件，人机界面友好，已有的测量数据和结果均可储存，分类，查询和打印，并可按用户的要求打印输出报告（或用户提供报告格式）。7，试验完毕后，即可进行试验数据的分析，从而得到试样的抗拉（压）强度，延伸率等力学性能指标。8，该机精度高、量程范围宽、试验空间宽、性能稳定、可靠。各项性能指标都满足我国GB/T16491《电子式wan能试验机》标准。简体中文，繁体中文，英语等多种语言可随即切换。9，软件功能：只要输入样件的各项参数，软件可自动按标准完成实验。10，配置高低温一体恒温箱，使试验在恒温环境下进行。主要特点：u 本机适用范围广泛u 功能强大，满足大部分力学性能试验u 操作方便，任何人皆可轻易操作u 免维护的优质交流伺服电机和伺服器u 精密预载荷滚珠丝杠u 运行平稳，可靠性强，坚固耐用u 测量准确高，通过第三方检测机构认证u 高速率，低振动，低噪音的伺服电机驱动u 多语种应用功能，适应不同的国别使用 u 具有抗拉、抗弯、抗压、抗折、黏著、撕裂、剥离、伸长率… … 等测试模式功能u 具有应力-应变、力量-位移、力量-时间、强度-时间等多种曲线模式u 自动计算最da力、最小力、平均力、最da变形、伸长率、强度等功能u 具有灵活的、曲线图、数据表、报告书查看和打印功能u 具有测试完成后自动返回至测试起始的自动归位功能u 具有机械行程开关；急停开关；过流，过压，欠流，欠压，漏电过载保护；软件过载限位保护；断点停机保护等多重保护装置u 选购：小变形金属引伸计，大变形位移跟踪器拉力试验机应用行业：金属材料、航空航天、粉末冶金、磁性材料、陶瓷制造、橡胶塑料、计量质检、商检仲裁、技术监督部门、高等院校、科研实验所、基础材料实验室、冶金钢铁、机械制造、电子电器、汽车生产、纺织化纤、电线电缆、包装材料和食品、仪器仪表、医疗器械、石油化工、民用核能、能源电池、基础材料、特种材料等领域。

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S（2500A） 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪，短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ（VDS 电压＞600V 条件下）短路时间 Tsc 1us~150us（VDS 电压＞600V 条件下）?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标

F-200A型半导体器件通用测试机一、 概述 F-200A半导体器件通用测试机是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，正向电流分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~200A四个档位，测量范围更广。0.01~0.1A：小电流硅堆、（高压二极管：定制60V）、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试；0.1~10A：中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；10~200A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试二、技术参数1. 正向脉冲电流调节范围：0.01A~200A，四个档位，每个档位步进为档位满量程的0.01%（10-200A为10mA步进）2. 脉冲宽度：300us-600us 固定3. 开路输出电压:≥65V4. 正向压降测量范围：10mA-10A：60V；10A-200A：20V5. 正向压降测量电流电压的分辨率：测量范围测试电流分辨率测试电压分辨率压降测量范围10~100mA0.01mA1mV60V100~1000mA0.1mA1mV60V1~10A1mA1mV60V10~200A10mA1mV20V6. 供电电压：AC220V±10％，50Hz7. 消耗功率：≤100W8. 工作温度：25℃±10℃9. 串口RS485通信接口10. 配电脑软件,输出特性曲线、导出图像和excel数据点11. 测试仪器可脱机独立运行12. 选配栅极测量选件，可测量栅极端口电容、栅极正反向漏电、测量IG/VGE、IC(ID)/VGE 选配极性自动切换选件，可自动切换电压电流正负极性；选配耐压测试盒选件，可测试最gao5kV的器件耐压。有关选件具体信息，请咨询销售经理。

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

产品概要：此设备是符合日本及国际标准的高可靠性设备(满足JEITA / ESDA / JEDEC规格)，可通过交换放电电路组件支持日本国内及国际的测试规格，可测量器件的各个端子的充放电能力,测试数据可保存为文本文件形式基本信息：技术优势：1、满足JS-002，JEDEC，ESDA，AEC等全球CDM模型测试规范2、测试电压最高可达4KV，为同类型机台最高3、供应商为JS-002规格制定委员会成员，技术可靠4、硬件软件的使用操作简单，容易上手，为全球半导体Leading company的推荐使用机型5、唯一具有D-AEC充放电功能的CDM测试机台应用方向：ESD（静电放电）测试

由于功率器件长期暴露在高温状态下，会导致效率低下和可靠性问题，所以提高其散热性、可靠性是非常必要的，而“基板”是影响功率半导体散热的重要部件。TE100是用于功率半导体陶瓷基板热阻测试的系统，本系统简化了功率半导体陶瓷基板的热阻测试流程。功率半导体基板和材料的热特性（热阻）评估采用符合ISO4825-1:2023的方法进行测量功率半导体安装基板热特性评估和分析设备（TE100）。特点：1.单个基板材料及模块结构的热阻都能够测量。2.快速的测试/分析功能；3.可以使用符合ISO4825-1:2023的评估模块结构来评估散热特性。4.能够评估由于模块结构而导致的散热特性。5.通过自研SiC芯片模拟功率芯片的发热；6.能够测量和评价单个基底材料的散热特性。7.TEG芯片使用铂金探头，确保了温度测量结果的精准与稳定；行业应用：动汽车、充电桩、高铁列车等功率电力半导体领域。它有助于半导体的高导热性设计。它可应用于陶瓷基底、封装焊接材料、界面材料、散热片和其他功率半导体元件。可提供样品测试。可以将您的样品安装在一个TEG芯片上，并测试其热阻。TEG芯片附着在一个样品上进行评估，例如金属化基底：

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

ST-11A型导电类型鉴定仪简介 一、结构特征二、概述 ST-11型PN类别鉴定仪是运用整流法原理鉴定半导体导电类型的仪器，同时兼备测试重掺的功能。 本仪器由主机和探头等部件组成。导电类型P或N由数码管显示，是否重掺由发光管和蜂鸣器提示，探头由四种形式，可根据需要选用。探针采用即插式，方便更换。 本仪器关键器件采用专用集成电路，并采用优质贴片工艺，仪器具有鉴定范围宽、灵敏度高、稳定性好、使用方便等特点。适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校等对半导体材料的PN类型鉴定及重掺判别的场合。三、技术参数1. PN鉴定范围：ρ=0.01～1000Ω-cm重掺判别界限:ρ=0.01～0.2Ω-cm 可调 (初始设定为0.1Ω-cm)2.可测半导体材料尺寸：PN鉴定 ：可接触面 Smin= 3mm*5mm重掺判别：可接触面 Smin= 3mm*5mm (三针探头或夹子)Smin= 3mm*3mm (二针探头或夹子)Smin= 2mm*2mm (单针探头)3.探头参数：⑴探针间距： 1.8mm⑵探头类型： 三针式、二针式、单针式、夹子式5)工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W6)外形尺寸：W×H×L=28cm×13cm×23cm净 重：≤1kg