半导体功率器

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

仪器简介：小功率光纤耦合半导体激光器技术参数：1. 光纤耦合输出半导体激光器（直接集成电流源或温控器） S1系列 S3系列 型号 波长 功率 光纤 接头 集成部件 说明 S1FC635 635nm 2.5mW SM600 FC/PC 电流源 单模光纤输出 低噪声, 高稳定功率 用户可选波长 隔离反射光 S1FC675 675nm 2.5mW SM600 FC/PC 电流源 S1FC780 780nm 2.5mW SM800-5.6-125 FC/PC 电流源 S1FC1310 1310nm 1.5mW SMF-28 FC/PC 电流源 S1FC1550 1550nm 1.5mW SMF-28 FC/PC 电流源 S3FC1550 1550nm 1.5mW SMF-28 FC/PC 电流源+温控器 窄线宽DFB激光器 可调功率和温度 S3FC1310 1310nm 1.5mW SMF-28 FC/PC 电流源+温控器 2. 带尾纤的二极管激光器 LPS-FC系列 LPM-SMA系列 型号 波长 功率 光纤 接头 模式 LPS--635-FC 635nm 2.5mW SMF-28 FC 单模 LPS--635-SMA 635nm 7.5mW SMF-28 SMA 多模 LPS--660-FC 660nm 7.5mW SMF-28 FC 单模 LPS--660-SMA 660nm 22.5mW SMF-28 SMA 多模 LPS--675-FC 675nm 2.5mW SMF-28 FC 单模 LPS--785-FC 785nm 6.25mW SMF-28 FC 单模 LPS--830-FC 830nm 10mW SMF-28 FC 单模 LPS--1310-FC 1310nm 2.5mW SMF-28 FC 单模 LPS-1550-FC 1550nm 1.5mW SMF-28 FC 单模 LPS-1550DFB-FC 1550nm 1.5mW SMF-28 FC 单模主要特点：1.光纤耦合输出半导体激光器（直接集成电流源或温控器）2. 带尾纤的二极管激光器

高功率外腔半导体激光器（MSA）MOGLabs基于其多年研究经验研制的ECDL可调谐半导体激光器，具有对噪声不敏感，长期锁定效果明显等特点，线宽小于100kHz，结构紧凑、坚固稳定。常见波长包括：369.5nm, 396-399nm, 405nm, 413nm, 420-425nm, 460-470nm, 492/493nm, 520nm, 633-639nm, 657nm, 671nm, 689nm, 698nm, 729nm, 767nm, 770-820nm, 820-895nm, 920-935nm, 960nm, 1010-1016nm, 1033nm, 1092nm, 1120nm, 1550nm，1612nm等。MSA系列放大激光器提供了一个紧凑、健壮、稳定的系统，集成了种子激光器和锥形放大二极管，提供高达4W的光输出。该设计的主要特点是线性安装的输入和输出耦合透镜，提供杰出的被动稳定性，同时在二极管寿命结束后，用户容易更换内部的放大二极管模块。可使用多种隔离器，包括孔径为4mm的紧凑型隔离器，以及孔径为5mm的双级隔离器。MSA种子放大器使独特的固有自对准MOGLabs cateye激光器，具有低频率漂移和无源线宽。独特的设计可提供杰出的稳定性，灵活性。该系列激光器可选择外部光隔离器，光纤耦合模块，频率稳定，功率稳定等配置。主要特征： 放大波长：630-1064nm功率可达4W（取决于波长）高稳定，易准直与优化TA二极管可更换散光矫正透镜可选项：多级隔离器单模光纤耦合输出双光束输出（光纤+自由空间）加强ASE抑制内置光束整形用于外部种子源的小体积版本主要应用：激光冷却与捕获波色爱因斯坦凝聚和偶极子捕获里德堡激发等等核心参数： 波长范围：630-1064 nm增益带宽：10-30 nm（与波长有关）输出功率：250 mW, 500 mW, 1 W, 2 W, 3 W, 4 W（与波长有关）增益系数：Up to 23 dB(200X)种子源功率要求：10-30 mW（取决于放大二极管）ASE抑制45 dB

高功率半导体激光模块DioLas DD50-2 with diode module DioMod–808-50-600-Pi and heat sink HS 120 DiLas系统包括： ? 激光驱动和TEC控制器。用于高功率半导体激光模块，优化设计，在工业应用和研发实验室中表现出最优的性能。输出电流高至50A，输出电压高至3-6V，上升时间100μs，可用于脉冲和连续工作。 ? 风冷高功率LD热沉。设计热负载高至120，80，60，40W(依赖于所用半导体激光模块所需的热负载)。热沉包括金属挡块，温度传感器，帕尔帖致冷元件（TEC）和散热用风扇。 ? 半导体激光模块。大多数尾纤式的模块中都含有一个校准用的红光半导体激光器。两种不同系统：30W连续 / 脉冲系统可用于400μm、600μm光纤耦合@ 808 nm @ 940 nm @ 980 nm50W连续 / 脉冲系统可用于400μm、600μm光纤耦合@ 808 nm @ 940 nm @ 980 nm特点和应用范围高功率半导体激光器系统会根据客户的特殊应用来组装和配置。客户也可以只选择驱动和热沉，配自己的半导体激光模块，来组装自己的系统。高功率半导体激光系统器件DioMod系列高功率半导体激光模块 ? 可用于光纤耦合输出，SMA905连接头? 带或不带TEC（或者密封内置集成的TEC）? 带或不带pilot LD 30W模块参数50W模块参数半导体激光阵列DioMod/A/-xxx-40 (xxx = Wavelength)高功率半导体激光模块驱动Diodrive（集成TEC控制器）可靠的性能 LD保护是驱动的一个主要功能。采取AC线滤波器，瞬态抑制，微控制器对所有相关参数的监控等措施，以实现最佳和最安全的解决方案。出了任何差错，比如超出用户设置的限制，电流都将关断。本装置带有软启动/关断功能，以避免振荡的影响。简便的操作 所有关于电流、电流限制、帕尔帖致冷、辐射时间等参数的设置，都可以在前面板上完成，也可以通过RS232接口来设置。在脉冲模式下，脉宽和脉冲周期都可以设置。设置值和实际值都将在前面板显示出来。完整的选件 本系列产品包括完整的微电脑控制装置，带帕尔帖致冷模块，含RS232接口便于连PC操作。另外，DD单元也可根据用户要求设置成3或6V。智能的软件 通过内置软件，用户可以设置所有相关参数。模拟的调制（只针对50A版本） 外部模拟调制信号输入功能，有助于用户在多个应用场合精确控制激光输出。正弦波信号，三角波信号，以及其他形状的脉冲信号都可能实现。注：（1）根据用户要求 （2）脉宽和上升/下降时间会因电源和半导体激光模块间的连接线变长而延长 50A版本的额外特性：

产品名称：半导体TEC温控平台及设备，大功率温度控制器产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

总览405nm 激光器是一款高温度稳定性的半导体激光器，它拥有非常低的M2因子，在很宽的操作温度范围内保持优秀的光点稳定性. 相比较其他同类激光器，独te的驱动电路保证了本产品很低的 功耗。激光功率大小可调，并设定最高限流保护。产品外壳防静电保护，使用方便，即插即用， 结构尺寸紧凑。405nm 高功率半导体激光器 100mW,405nm 高功率半导体激光器 100mW产品特点● 即插即用● ESD 保护● 功率大小可调● LD 电流保护● TEC恒温控制技术参数属性测试条件最小值典型值最大值单位光学性能中心波长T=25 °C405nmnm输出功率T=25 °C100mW噪声(RMS)10 ~ 20MHz0.3%功率稳定性8hrs, T=25 °C1%准直光斑参数M2~1.2光斑直径1/e2~2mm光束发散角全角1mrad电学参数电源5V功耗310W电流(TEC)2A电流(LD)200mA温度稳定性0.2°C控制模式TTL /USB / DC功率大小设置0% ~ 100% 输出环境参数保存温度050°C操作温度1040°C操作湿度Non condensing机械尺寸105mm X 69mm X 39mm* The mechanical tolerance should be +/-0.2mm on all package dimensions unless otherwise custom specified。功能可选:● 可光纤耦合输出● 高速调制● 光斑准直或聚焦● 金属外套管保护● ACC / APC通用参数产品应用● 可见光通讯

总览520nm 激光器是一款高温度稳定性的半导体激光器，它拥有非常低的M2因子，在很宽的操作温度范围内保持优秀的光点稳定性. 相比较其他同类激光器，独特的驱动电路保证了本产品很低的 功耗。激光功率大小可调，并设定最高限流保护。产品外壳防静电保护，使用方便，即插即用， 结构尺寸紧凑 产品特点● 即插即用● ESD 保护● 功率大小可调● LD 电流保护● TEC恒温控制封装及尺寸产品应用● 可见光通讯技术参数参数属性测试条件最小值典型值最大值单位光学性能中心波长T=25 °C520nmnm输出功率T=25 °C40mW噪声(RMS)10 ~ 20MHz0.3%功率稳定性8hrs, T=25 °C1%准直光斑参数M2~1.2光斑直径1/e2~2mm光束发散角全角1mrad电学参数电源5V功耗310W电流(TEC)2A电流(LD)200mA温度稳定性0.2°C控制模式TTL /USB / DC功率大小设置0% ~ 100% 输出环境参数保存温度050°C操作温度1040°C操作湿度Non condensing机械尺寸105mmX69mmX39mm*The mechanical tolerance should be +/-0.2mm on all package dimensions unless otherwise custom specified功能可选:● 可光纤耦合输出● 高速调制● 光斑准直或聚焦● 金属外套管保护● ACC / APC

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等

德国JENOPTIK Laser GmbH公司（简称JL）是世界上顶尖的半导体激光器生产商。JL一直致力于高质量的半导体激光器生产，已经形成了一条从外延片生长、芯片处理、封装到光纤耦合完整的半导体激光器产品线。其产品严格奉行质量第一的原则，引入了完整的质量控制体系，通过了ISO9000认证。其产品同时具有高性能和超长的寿命，经过测试表明工作寿命可超过20000小时。在欧美市场占有很高的市场份额。 JL的高功率半导体激光器堆栈可以集成3-25个巴条，有水平堆栈和垂直堆栈两种结构，有微通道和长寿命两种冷却结构，可以集成快轴准直透镜和快慢轴准直透镜。 产品型号设计号输出功率(W)波长 (nm)808940980cw qcwcw qcw垂直堆栈，主动冷却，未准直JOLD-x-CANN-3A210480324240360360xxJOLD-x-CANN-4A 210480424320480480 x xJOLD-x-CANN-5A210480524400600600x xJOLD-x-CANN-6A210480624480720720xJOLD-x-CANN-8A210480824640960960xJOLD-x-CANN-10A21048102480012001200xJOLD-x-CANN-12A21048122496014401440xJOLD-x-CANN-25A210430624200030003000xJOLD-x-QANN-3A210480324300300xJOLD-x-QANN-4A210480424400400xxJOLD-x-QANN-5A210480524500500xxJOLD-x-QANN-6A210480624600600xxJOLD-x-QANN-8A210480824800800xxJOLD-x-QANN-10A21048102410001000xxJOLD-x-QANN-12A21048122412001200xxJOLD-x-QANN-25A21043062425002500xx垂直堆栈，主动冷却，快轴准直JOLD-x-CAFN-3A210480326216330330xx JOLD-x-CAFN-4A210480426288440440xx JOLD-x-CAFN-5A210480526360550550xx JOLD-x-CAFN-6A210480626432660660xx JOLD-x-CAFN-8A210480826576880880xxJOLD-x-CAFN-10A21048102672011001100xxJOLD-x-CAFN-12A21048122686413201320xxJOLD-x-CAFN-25A210430626180027502750xxJOLD-x-QAFN-3A210480326270270xx JOLD-x-QAFN-4A210480426360360xx JOLD-x-QAFN-5A210480526450450xx JOLD-x-QAFN-6A210480626540540xxJOLD-x-QAFN-8A210480826720720xxJOLD-x-QAFN-10A210481026900900xxJOLD-x-QAFN-12A21048122610801080xxJOLD-x-QAFN-25A21043062622502250xx垂直堆栈，主动冷却，快慢轴准直JOLD-x-CABN-4A210436126200 200 200 x x JOLD-x-CABN-6A 210436226300 300 300 x xJOLD-x-CABN-8A 210436326400 400 400 x xJOLD-x-CABN-10A210436426500 500 500 x xJOLD-x-CABN-12A 210436526600 600 600 x xJOLD-x-CABN-25A210436626125012501250xxQcw堆栈，被动冷却，未准直JOLD-x-Q-3A220430324900900xxJOLD-x-Q-8A22043082424002400xxQcw堆栈，被动冷却，快轴准直JOLD-x-QF-3A220430326810810xxJOLD-x-QF-8A22043082621602160xxQcw堆栈，被动冷却，快轴准直JOLD-x-QF-3A220430326810810xxJOLD-x-QF-8A22043082621602160xx产品型号设计号输出功率(W)波长 (nm)808940980cw qcwcw qcwQcw堆栈，自来水冷却，包括保护窗口JOLD-x-QA-8A402210082424002400xxJOLD-x-QA-8A med4022100824780xxJOLD-x-QA-2x8A med40221031241600xxQcw堆栈，自来水冷却，包括保护窗口，快轴准直JOLD-x-QAF-8A med4022107824780x JOLD-x-QAF-2x8A med40221081241560x 水平堆栈，被动冷却JOLD-310-HS-4L215850424310310xx

由于功率器件长期暴露在高温状态下，会导致效率低下和可靠性问题，所以提高其散热性、可靠性是非常必要的，而“基板”是影响功率半导体散热的重要部件。TE100是用于功率半导体陶瓷基板热阻测试的系统，本系统简化了功率半导体陶瓷基板的热阻测试流程。功率半导体基板和材料的热特性（热阻）评估采用符合ISO4825-1:2023的方法进行测量功率半导体安装基板热特性评估和分析设备（TE100）。特点：1.单个基板材料及模块结构的热阻都能够测量。2.快速的测试/分析功能；3.可以使用符合ISO4825-1:2023的评估模块结构来评估散热特性。4.能够评估由于模块结构而导致的散热特性。5.通过自研SiC芯片模拟功率芯片的发热；6.能够测量和评价单个基底材料的散热特性。7.TEG芯片使用铂金探头，确保了温度测量结果的精准与稳定；行业应用：动汽车、充电桩、高铁列车等功率电力半导体领域。它有助于半导体的高导热性设计。它可应用于陶瓷基底、封装焊接材料、界面材料、散热片和其他功率半导体元件。可提供样品测试。可以将您的样品安装在一个TEG芯片上，并测试其热阻。TEG芯片附着在一个样品上进行评估，例如金属化基底：

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

美国CEO是世界顶级的DPSS激光泵浦模块的生产厂家，产品范围从10W到650；同时，CEO还提供各种封装形式的半导体激光器， DPSS激光器系统。 　　其中RB系列半导体泵浦激光模块已经在全球有数万只应用于DPSS激光系统。 美国CEO依靠其多年DPSS泵浦模块的经验，设计生产出最新的DPSS脉冲泵浦模块(QCW)，是脉冲的DPSS激光器的首选。 REA系列CW高功率模块 主要技术指标 型号 激光棒 YAG(mm) 输出 功率 半导体 偏压 REA4006-1C2H &Phi 4× 126 140W 60VDC REA5006-1C4H &Phi 5× 126 250W 60VDC REA6306-1C4H &Phi 6.35× 126 275W 60VDC REA5008-1C2H &Phi 5× 146 200W 80VDC REA5008-1C2H &Phi 5× 146 400W 80VDC REA5008-1C2H &Phi 6.35× 146 450W 80VDC REA5010-1C4H &Phi 5× 176 500W 100VDC REA6310-1C4H &Phi 6.35× 176 550W 100VDC REA5012-1C4H &Phi 5× 176 600W 120VDC REA6312-1C4H &Phi 6.35× 188 6500W 120VDC

本仪器可与崂应3026型红外烟气综合分析仪、崂应3023型紫外差分烟气综合分析仪、崂应3022型烟气综合分析仪以及崂应3012H系列烟尘/气测试仪配套使用，用于对工况湿烟气进行滤尘、加热、冷凝脱水及自动排水处理，可有效提高配套主机测量精度，延长传感器使用寿命。与崂应3026型红外烟气综合分析仪配合使用时，可选配NO2转化器，使NOx测量结果更准确。 采用高性能微控制器和大尺寸OLED显示屏，具有操作方便，脱水迅速，烟气成分损失小等特点，符合国家相关标准对烟气采样的要求。适用于电源接地良好的非防爆场合。野外工作时，应有防雨、雪等侵袭的措施。 执行标准 n HJ/T 47-1999 烟气采样器技术条件 主要特点 n 采用2.9寸OLED显示屏实时显示主机状态n 采用大功率半导体双级制冷，且制冷温度灵活可调n 具备冷腔自动冲洗功能，阻止管壁冷凝水对烟气的吸附n 取样器及伴热管一体化设计，加热温度可调n 采用0.1μm过滤器，有效保护后端分析仪n 可内置“NO2转换器” n 整机重量轻，便携性强n 可选配崂应特制直管延长管，适应温度在（200~900）℃的工况以及烟道壁较厚的烟道n 内置电子标签，可与仪器出入库管理平台软件配合实现仪器智能化管理

根据ISO标准评估的功率半导体/半导体材料提高了样品热特性（热阻）评估的准确性！ 产品特点◦ 用于评估功率器件基板热特性（热阻）的设备◦ 根据“国际标准化组织ISO4825-1：2023-01”进行评估◦ 能够评估由于模块结构而产生的散热特性◦ 能够测量和评价单个基板材料的散热特性主体类型TE100对应样品尺寸 (ISO4825-1:2023-01标准)30 ×30 mm样品载荷10kg温度特性resolution ≧0.0 1 ℃电阻测量误差±0.1mΩ（70～130Ω)采样率100sampling/sec（max）电源电压AC100V・ 50/60Hz控制器尺寸W380× D470 × H180mm测量单元尺寸W380× D400 × H320mmTEG 芯片类型TEG 芯片热生成密度1KW/cm² 最大输入功率about 25 0W温升速率1.4×10⁴ K/sec尺寸W5× D5 × H0.35mm循环器（外部封闭系统精密循环器NeoCool）类型CFA302循环方法外部封闭系统循环冷却方法空气冷却温度控制范围&minus 10～60℃供电能力AC100V・ 13.8A尺寸W380× D565× H725 mm 想了解更多产品资料，联系方式021-61552797

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

LD滨松光子能提供常规的半导体激光器、半导体激光器Bar模块、超快半导体探测器、太赫兹波天线等产品 应用领域电视、手机等液晶面板发光校正各种模拟人眼的应用场合光开关复印机、打印机、传真机中的光信号探测激光探测产品列表产品名称峰值波长（nm）功率（W）工作电流（A）备注 L76508500.020.07A连续（CW）L104528080.50.65连续（CW）L876380811.2连续（CW）L882880822.4连续（CW）L1040280855.6连续（CW）L927783011.2连续（CW）L1137391511.2连续（CW）L1137491555.5连续（CW）L1041594011.2连续（CW）L1052694022.3连续（CW）L941898011.2连续（CW）L66908701010脉冲L70558703030脉冲L70608703535脉冲L977780855.6连续（CW）L822783030mW× 120.065连续（CW）阵列L84148300.0030.1超发光L101078700.0030.11超发光L11348系列87020/60/907/20/303 Stack 脉冲激光器L841080830 高功率激光器模块Funryu-cooling（水冷散热片）L8411808100 高功率激光器模块珀尔帖、水冷、水冷散热三种可选择模式L841280820 高功率激光器模块水冷L841380815 高功率激光器模块珀尔帖电冷

产品名称：半导体激光器|脉冲半导体激光器脉冲激光器模块产品介绍本公司设计和生产的TLTP-YTH系列半导体激光电源是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源驱动方案，选用元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。电源采用真彩触摸液晶控制，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的调节和显示，具备过压、过流、水温和水流报警功能，可以完美匹配DILAS、LIMO、nlight、QPC、西安炬光、BWT模块，是紫外、绿光激光器理想的驱动电源。产品特点 1路LD半导体恒流驱动【含电压钳位，带过压、过流保护，支持过热保护】 4路TEC驱动【半导体LD、一倍频晶体、二倍频晶体、三倍频晶体】 日本进口高精度高灵敏度NTC，全数字PID控制，各参数可调节 温度控制精度：正负0.1℃或0.01℃可选。支持TEC热端温度检测和风扇控制 内置PWM，频率1KHz-200KHz 可调，步进1KHz。 脉宽可调1us~30us. 带红光指示 激光控制内控、外控可切换。 支持Q驱告警检测。 完美兼容市面上主流打标板卡控制 温度异常报警、激光器内部温湿度控测 光功率探测 光闸控制、步进电机控制应用： 端泵打标泵浦电源 半导体激光电源 绿光打标机电源 紫外打标机电源 倍频晶体温控控制 高低温温度控制参数介绍：系统功能参数简介4路制冷系统 日本进口高精度高灵敏度NTC温控稳定度正负0.1℃、0.01℃可选支持TEC双向控制，可加热可制冷CHANNEL1 双向12V/10A【半导体LD-808】CHANNEL2 双向12V/10A【1倍频晶体】CHANNEL3 双向12V/10A【2倍频晶体】CHANNEL4 双向12V/10A【3倍频晶体】半导体激光模块驱动器 低压高流【3V60A】、高压低流 【8V10A、12V10A、26V10A等】效发率88%。电流纹波10mA,电压纹波15mV。含电压钳位，带过压过流保护，支持过热保护。含欠压保护，过流熔断保护。支持外部使能控制，外部电流控制。声光控制器 内置PWM，频率1KHz-200KHz，步进1KHz。脉宽可调1us~30us激光控制内控外控可切换。支持Q驱告警检测。温度异常报警。附加功能 RS232通讯接口。(选配)产品选型：型号参数 TLTP-YTH0345-N TLTP-YTH0360-N TLTP-YTH0812-N TLTP-YTH1212-N TLTP-YTH2612-N输入电压（VAC） 220±15%温控路数 温控1~5可选控温精度 ±0.1℃/±0.01℃可选控温范围 5℃~85℃温度传感器 NTC（25℃-10K）激光器电压 0~3V自适应 8V自适应 12 V自适应 26V自适应激光器电流 45A 60A 12A 12A 12A声光控制器 15V/24V供电可选PWM频率 1K~200KHz仪器体积 W×L×H＝450×130×400mm远程接口 RS232、485（选配）外控接口 DB15【兼容JCZ、国产打标板卡】LD放置 机箱内、激光器内可选冷却方式 风冷、水冷可选其它功能 光功率探测、湿度探测、光闸控制、步进电机控制

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

固体激光器打标驱动电源产品介绍本公司设计和生产的TLTP-YTH系列半导体激光电源是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源驱动方案，选用元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。电源采用真彩触摸液晶控制，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的调节和显示，具备过压、过流、水温和水流报警功能，可以完美匹配DILAS、LIMO、nlight、QPC、西安炬光、BWT模块，是紫外、绿光激光器理想的驱动电源。产品特点 1路LD半导体恒流驱动【含电压钳位，带过压、过流保护，支持过热保护】 4路TEC驱动【半导体LD、一倍频晶体、二倍频晶体、三倍频晶体】 日本进口高精度高灵敏度NTC，全数字PID控制，各参数可调节 温度控制精度：正负0.1℃或0.01℃可选。支持TEC热端温度检测和风扇控制 内置PWM，频率1KHz-200KHz 可调，步进1KHz。 脉宽可调1us~30us. 带红光指示 激光控制内控、外控可切换。 支持Q驱告警检测。 完美兼容市面上主流打标板卡控制 温度异常报警、激光器内部温湿度控测 光功率探测 光闸控制、步进电机控制应用： 端泵打标泵浦电源 半导体激光电源 绿光打标机电源 紫外打标机电源 倍频晶体温控控制 高低温温度控制参数介绍：系统功能参数简介4路制冷系统 日本进口高精度高灵敏度NTC温控稳定度正负0.1℃、0.01℃可选支持TEC双向控制，可加热可制冷CHANNEL1 双向12V/10A【半导体LD-808】CHANNEL2 双向12V/10A【1倍频晶体】CHANNEL3 双向12V/10A【2倍频晶体】CHANNEL4 双向12V/10A【3倍频晶体】半导体激光模块驱动器 低压高流【3V60A】、高压低流 【8V10A、12V10A、26V10A等】效发率88%。电流纹波10mA,电压纹波15mV。含电压钳位，带过压过流保护，支持过热保护。含欠压保护，过流熔断保护。支持外部使能控制，外部电流控制。声光控制器 内置PWM，频率1KHz-200KHz，步进1KHz。脉宽可调1us~30us激光控制内控外控可切换。支持Q驱告警检测。温度异常报警。附加功能 RS232通讯接口。(选配)产品选型：型号参数 TLTP-YTH0345-N TLTP-YTH0360-N TLTP-YTH0812-N TLTP-YTH1212-N TLTP-YTH2612-N输入电压（VAC） 220±15%温控路数 温控1~5可选控温精度 ±0.1℃/±0.01℃可选控温范围 5℃~85℃温度传感器 NTC（25℃-10K）激光器电压 0~3V自适应 8V自适应 12 V自适应 26V自适应激光器电流 45A 60A 12A 12A 12A声光控制器 15V/24V供电可选PWM频率 1K~200KHz仪器体积 W×L×H＝450×130×400mm远程接口 RS232、485（选配）外控接口 DB15【兼容JCZ、国产打标板卡】LD放置 机箱内、激光器内可选冷却方式 风冷、水冷可选其它功能 光功率探测、湿度探测、光闸控制、步进电机控制

CEL 猫眼式可调谐半导体激光器技术服务人员：魏工(David) 电话： 邮箱：猫眼式外腔可调谐半导体激光器MOGLabs公司CEL系列猫眼式可调谐半导体激光器，采用猫眼式反射镜加窄带滤片方式代替传统的角度敏感光栅作为波长调谐功能元件，为外腔半导体激光器提供了一个新的观点。CEL系列可调谐半导体激光器结构紧凑、坚固稳定，对噪声不敏感。和MOGLabs公司研制的控制器一起，线宽可小于100KHz。常用波长包括369.5nm, 396-399nm, 405nm, 413nm, 420-425nm, 460-470nm, 492/493nm, 520nm, 633-639nm, 657nm, 671nm, 689nm, 698nm, 729nm, 767nm, 770-820nm, 820-895nm, 920-935nm, 960nm, 1010-1016nm, 1033nm, 1092nm, 1120nm, 1550nm，输出功率可达250mW。该系列激光器可选择配置外部光隔离器和光纤耦合模块。指标参数：波长/频率780nm, 852nm, 等功率可达250mW, 与二极管有关线宽100KHz调制10MHz带宽，AC或DC耦合，射频偏压三通选项：2.5GHz 带宽粗调范围与二极管有关，例如776-802nm,850-895nm（单模）光学参数：光斑直径通常0.6×0.3；与二极管有关偏振线偏，偏振消光比100:1扫描速度15GHz，MOGLabs控制器，与二极管有关

激光二极管光电特性测试分析系统 / 半导体芯片测试系统短脉冲大电流测试系统-LIV100LIV系列是专门用于激光二极管光电特性测量的系统，测试样品无论封装的还是裸芯片形式，均可在极短的时间内完成全部LIV测量。LIV测试对象：LIV100是用于激光二极管（chip, bar以及submount）光电特性分析的短脉冲测试系统。主要特点：l 上升时间：50ns (F-version)；500ns (L-version)；1μs (XL-version)l 最大电流：250mA-600A，最大电流阶跃数：4000l 只适用于脉冲测量l USB接口控制，同步光谱测量l 处理能力：1s/每器件（典型）LIV100提供三种不同测试速度和脉冲长度的版本：l LIV100-Fxxx（短脉冲版）：上升时间50ns，脉冲宽度范围150ns-10μs。l LIV100-Lxxx（长脉冲版）：上升时间500ns，脉冲宽度范围2μs-100μs。l LIV100-XLxxx（超长脉冲版）：上升时间1μs，脉冲宽度范围5μs-2000μs。 应用领域应用范围包括激光二极管半封装或封装前后的特性分析，来料检测以及OEM。软件支持一键生成测试样品完整的PDF数据表。LIV100的短脉冲性能可以确保测试样品可以在忽略热负荷的情况下进行测量。运行原理LIV100系统通过USB接口控制，实现自动测量。从控制计算机上传一个命令集，执行开始命令后，LIVs会按自动按照测量序列执行测量。快速的数据采集提供了高测量效率。附件：l 积分球l 光谱仪l 带状（针状）连接器l 真空卡盘l TEC和TEC驱动器 注意：标准型LIV100不具备CW测量模式。如有需要，可以按要求定制具备CW测量的LIV100如果需要CW和脉冲两种测量模式，请考虑LIV120系列，脉冲宽度： 1001μs-CW。 脉冲/QCW/CW测试系统LIV120LIV120是一款功能强大的用于实验室以及OEM应用的激光二极管测试系统。适用于脉冲/QCW/CW测量以及老化测试，测量周期通常少于1秒。主要特点：l 最大电流：250mA-1200Al 最大电流阶跃数：4000l USB接口控制，同步光谱测量l 波长范围：250-1100nm 400-1650nml 测量光功率，电压，电流，监测电流等 运行原理命令集上传到LIV120后，LIV120按命令集驱动测试样品，并进行数据采集和存储。便捷/强大的处理软件：LIV120有CW和脉冲两种工作模式： CW-LIV模式 脉冲burst模式 CW-burst模式 脉冲LIV模式 LIV120可以运行所谓 “软脉冲”模式。也就是脉冲模式下，如果用户设置最小电流值，电流脉冲就不会掉落至零。请注意非常清晰的方形电流脉冲。 电流输出（min=0） 电流输出（min ≠0） 激光二极管驱动器LDD100 LDD100是一款强大的激光二极管驱动器，适用于实验室以及OEM。例如：激光二极管LIV测试以及老化测试。特点：最大200A电流，50ns-3s脉宽，25ns上升/下降时间（无过冲）。LDD100采用数字可编程模拟平台对电流进行灵活精确控制。USB接口直接控制，可实现自动测量。所有参数可以通过图形化软件或集成键盘和LCD输入显示。支持带状线定制服务 LDD100-F40（40A脉冲）输出脉冲波形 欲了解产品详细信息，请联系公司销售人员。

一、产品概述：半导体参数测试仪是一种专门用于测量和分析半导体器件电气特性的测试设备。该仪器能够评估器件的电流-电压（I-V）特性、容量、泄漏电流和其他关键参数，广泛应用于半导体制造和研发领域。二、设备用途/原理：设备用途半导体参数测试仪主要用于测试各种半导体器件，如二极管、晶体管和集成电路。工程师可以利用该仪器进行器件特性分析、故障排查和性能评估，以确保半导体产品的质量和可靠性。工作原理半导体参数测试仪通过施加已知的电压并测量相应的电流来工作。仪器内部使用高精度的模数转换器（ADC）和数字信号处理技术，实时记录和分析I-V曲线。用户可以设置不同的测试条件，如扫频、阶梯测试等，生成详细的测试报告，帮助用户深入了解器件的电气特性和性能表现。三、主要技术指标：1. 配备集成电脑及显示屏一体机箱，包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块，配合用数据测量分析软件，无需外接其他仪表即可实现I-V曲线，I-t曲线，C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果2. 电流测量精度≤0.1 fA，小可测量电流≤20 fA3. 大电流测量量程≥0.1 A，大输出功率≥2 W4. 电流测量精度10 fA时，电流表的短采样时间间隔100 μs5. I-V特性测试及C-V特性测试切换时，无须更改电路6. 实现不同频率交流阻抗测量（C-V、C-f、C-t） 的测量，频率范围1 kHz-5 MHz，小频率步进≤1 mHz7. 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF（5 MHz）8. 电容测量范围5 fF-1 nF，电压0至±25V，步进≤1 mV9. 具有脉冲输出及采集模块，脉冲输出电压峰值10 V10. 脉冲采样大采样率≥200 MSa/s，小采样时间5 ns11. 具有瞬态波形捕获模式12. 具有任意波形发生器，支持多电平脉冲波形，可编程分辨率10 ns

半导体激光器测量套件 描述激光的中心波长、半高宽和功率大小是其重要的性能指标。由于半导体激光器所发出的激光具有一定的发散角，我们采用积分球作为采光附件。该装置主要由光谱仪、光功率计和积分球组成，通过专用软件，同步测量激光器的中心波长、半高宽和光功率。适用于测量激光二极管、激光二极管组件、发散型单色光源等发光器件，并且支持改装成流水线批量测试。其波长范围200-1100nm，分辨率0.1-1nm，功率范围100nW-10W。设备出厂前，我们会对积分球，探测器和光功率计整体进行校准，提高测试精度。特点200-1100nm宽光谱测量范围适合自动化批量检测支持二次开发支持深度定制配置清单软件专⻔ 针对激光器快检开发了⼀ 款⽤ 来同时测量光谱和功率的应⽤ 软件。软件界⾯ 简洁实⽤ ，操作简单，在“设置”中按⽤ ⼾ 的测试要求设置完成对应参数，保存后即可开始测量。软件适合于⽣ 产线批量检测，输⼊ 序列号，点击测量，所有的测试数据均会在“测试记录”中保存，软件还可⾃ 动判定产品是否合格。更多精彩内容，请关注下方！

产品关键词：荧光量子效率,光电流/光电压,光电导,荧光发射光谱,光催化,激发谱,光探测,空间光路搭建等产品简介Pina、NanoQ、Mic、Tuna、Stea是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和LED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒、脉宽可调、连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。Stea系列是CW连续半导体光源，具有稳定性好、高输出功率、可耦合光纤等特点，可用于荧光量子效 率、探测器响应、光电导等测试功能，常用于研究荧光粉、染料、有机半导体、钙钛矿、量子点等。系统特点□ 盖紫外-可见-近红外波段； □ 输出功率可调；□可视界面，易于操作； □ 体积紧凑； □ 光纤耦合；□ 功率稳定。技术参数Stea系列（255-420nm）型号中心波长 [λ,nm] 光谱线宽[Δλ,nm]平均功率[mW]Stea255255150.05Stea265A265150.05Stea265B265150.02Stea280280150.02Stea310A310150.2Stea310B310155Stea340A340150.12Stea340B340156.5Stea365A365151Stea365B3651550Stea375A375152Stea375B3751522Stea395A395154Stea395B3951550Stea405A4051550Stea405B4051550Stea42042050Stea系列（405-1550nm）型号中心波长 [λ,nm]光谱线宽 [Δλ,nm]平均功率 [mW]Stea405A4051010Stea405B4051050Stea450A450108Stea450B4501050Stea515515103.5Stea520A520102Stea520B520108Stea635A635102.5Stea635B6351050Stea650A6501010Stea650B6501020Stea6606601020Stea680680100.9Stea780A780101Stea780B780108Stea808A808105Stea808B8081030Stea8208201020Stea830A830105Stea830B8301021Stea850A8501050Stea850B8501050Stea905905105Stea980A9801020Stea980B9801020Stea1064A1064105Stea1064B10641020Stea14901495100.5Stea15501550100.5功率等级Class 3供电电压：15V,电流：1.2A联锁输入SMA钥匙开关有底部装配孔M6*1, M4*2工作温度0~60℃冷却自然冷却尺寸整体：150mm 长*75mm 宽*60mm 高圆筒：Ø 30mm x 38mm重量685g选配件1. 符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件；2. 激光器安装支架；3. 多功能控制器及电脑软件；4. 更多可选配波长请咨询销售专员。*每款产品出厂前都需仔细调教，具体参数以出厂报告为准。量子点发光二极管等

PinaPina、NanoQ、Mic是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒和连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。NanoQ系列是纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，可实现时间分辨光谱、激发态寿命、瞬态光电导等测试功能，常用于研究荧光粉、染料、有机半导体、钙钛矿、量子点等。产品特点：覆盖紫外-可见-近红外波段高重复频率输出功率灵活多变窄工作脉冲可视界面，易于操作同步触发输出体积紧凑兼容外部触发光纤耦合良好的稳定性产品应用：时间分辨荧光光谱瞬态光电流/光电压激发态寿命稳态荧光光谱光催化荧光成像激光测距空间光路搭建等NLED系列（255-420 nm）型号峰值波长 [nm]光谱线宽[FWHM,nm]脉冲宽度 [FWHM,ns]脉冲能量(nJ)平均功率 [@100kHz,mW]NLED 255255＜15＜200.010.001NLED 265A265＜15＜200.010.001NLED 265B＜200.040.004NLED 280280＜15＜200.040.004NLED 310A310＜15＜200.040.004NLED 310B310＜2010.1NLED 340A340＜15＜200.030.003NLED 340B340＜201.30.13NLED 365A365＜15＜200.20.02NLED 365B365＜20404NLED 375A375＜15＜200.40.04NLED 375B375＜204.40.44NLED 395A395＜15＜200.80.08NLED 395B395＜20444.4NLED 405A405＜15＜20222.2NLED 405B405＜2023.22.32NLED 420420＜15＜2020.82.08NLD系列（405-1550 nm）型号中心波长 [nm]光谱线宽 [FWHM,nm]脉冲宽度 [FWHM,ns]脉冲能量(nJ)平均功率 [@100kHz,mW]NLD 405A405＜10＜2020.2NLD 405B405＜2070.7NLD 450A450＜10＜201.60.16NLD 450B450＜20323.2NLD 515515＜10＜200.70.07NLD 520A520＜10＜200.40.04NLD 520B520＜201.60.16NLD 635A635＜10＜200.50.05NLD 635B635＜20141.4NLD 650A650＜10＜2020.2NLD 650B650＜2040.4NLD 660660＜10＜2040.4NLD 680680＜10＜200.180.018NLD 780A780＜10＜200.20.02NLD 780B780＜201.60.16NLD 808A808＜10＜2010.1NLD 808B808＜2060.6NLD 820820＜10＜2040.4NLD 830A830＜10＜2010.1NLD 830B830＜204.20.42NLD 850A850＜10＜20101NLD 850B850＜20202NLD 905905＜10＜2010.1NLD 980A980＜10＜2040.4NLD 980B980＜20101NLD 1064A1064＜10＜2010.1NLD 1064B1064＜2040.4NLD 14901490＜10＜200.10.01NLD 15501550＜10＜200.10.01规格参数**每款产品出厂前都需仔细调教，具体参数以出厂报告为准。公司光源类产品：1、微秒脉冲激光器；2、纳秒脉冲激光器；3、皮秒脉冲激光器；4、AAA级太阳光模拟器； ......NanoQ_Nanosecond semiconductor laser

皮秒半导体激光器新势力光电供应皮秒半导体激光器，激光波长：375-2000nm，脉宽：25ps-1ns，峰值功率：20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成，光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用，可按需求进行定制。(皮秒固体激光器，仪器专场：)PiLasWavelength375-2000nm (options on request)Pulse Width20ps-1ns variablePulse Peak Power20-1000mWPulse Rep. RateSingle shot-120MHzOutputFree space or Fiber outputPolarization Extinction Ratio23dBTiming Jitter3ps rmsWarm-up Time5 minutesSize Laser Head95×31×147mm3Size Control Unit235×88×326mm3OptionsSingle mode or Multi mode fiber outputFiber collimator with or w/o microfoucsThermal wavelength tuningConverter TTL to NIM level for trigger-outNarrow spectral line width DFB-LaserSingle box OEM packagePiL---xWavelengthToleranceSpec. widthPulse widthPeak powerAvg power(nm)(nm)(nm)(ps)(mW)(mW)PiL037x375±105453002PiL040x405±155453002PiL044x440±205601501.5PiL047x470±105601501.5PiL048x480±105601001PiL051x510±2010801001PiL063x635±157452001.5PiL067x665±157452001.5PiL069x690±157502001.5PiL077x770±207501001PiL083x830±1510451001PiL085x850±1510501001PiL090x905±1510501001PiL106x1060±2015601001PiL131x1310±2015351000.5PiL155x 1550±201535500.5PiL199x 1990±5020200501PiL085DFBx 852±20.5901000.5PiL106DFBx 1064±20.5601000.5PiL131DFBx 1310±200.530500.5PiL155DFBx 1550±200.530500.5NotesTypical Average power for collimated beam at 100MHz. Average power depends on Rep. Rate相关商品 半导体激光二极管 皮秒激光器 半导体激光器 单纵模激光器/单频激光器

ALS皮秒半导体激光器（Picosecond gain switched laser diode module）产品简介：皮秒半导体激光器，激光波长：375-2000nm，脉宽：25ps-1ns，峰值功率：20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成，光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用，可按需求进行定制。 产品特性：l 波长范围：375nm -2uml 脉冲时间：20ps-5nsl 脉冲需求可达120 MHzl 外部激光触发l 持续可调重复频率l 低抖动l 紧凑轻巧密封OEM包装l 免维护-不需校准l 可远程控制l 高重复性，24/7工作典型参数：PiLas波长 375-2000nm脉宽 20ps-1ns 可变脉冲峰值功率 20-1000mW脉冲重复频率 单个-120MHz输出 空间光或者光纤耦合输出偏振消光比 23dB抖动 3ps rms预热时间 5 minutes激光头尺寸 95×31×147mm3控制器尺寸 235×88×326mm3可选项 单模或多模光纤输出 带或者不带聚焦的光纤准直器 热波长调节 触发的TTL和NIM转换器 窄线宽DFB及罡气 单箱 OEM 封装型号列表PiL---x 波长 公差 谱宽 脉宽 峰值功率 平均功率 (nm) (nm) (nm) (ps) (mW) (mW)PiL037x 375 ±10 5 45 300 2PiL040x 405 ±15 5 45 300 2PiL044x 440 ±20 5 60 150 1.5PiL047x 470 ±10 5 60 150 1.5PiL048x 480 ±10 5 60 100 1PiL051x 510 ±20 10 80 100 1PiL063x 635 ±15 7 45 200 1.5PiL067x 665 ±15 7 45 200 1.5PiL069x 690 ±15 7 50 200 1.5PiL077x 770 ±20 7 50 100 1PiL083x 830 ±15 10 45 100 1PiL085x 850 ±15 10 50 100 1PiL090x 905 ±15 10 50 100 1PiL106x 1060 ±20 15 60 100 1PiL131x 1310 ±20 15 35 100 0.5PiL155x 1550 ±20 15 35 50 0.5PiL199x 1990 ±50 20 200 50 1PiL085DFBx 852 ±2 0.5 90 100 0.5PiL106DFBx 1064 ±2 0.5 60 100 0.5PiL131DFBx 1310 ±20 0.5 30 50 0.5PiL155DFBx 1550 ±20 0.5 30 50 0.5Notes Typical average power for collimated beam at 100MHz. Average power depends on Rep. Rate