半导体加热器

产品描述PCB 1500 / PCB 1500 Plus 是一种半导体控温的水循环器， 适用于索有恒温样品室使用。作为 外部控温机器， 不会对需要控温设备产生额外的电路，背景噪音的影响。 该设备使用半导体对水进行加热或制冷，控温范围 0-110℃，温度精度 ±0.1℃。 此外，加热和冷却速率可 以进行程序控制（远程控制，非标配）。技术说明* 用户友好界面，数字显示* 本地控制或远程控制* 两种电压设置（110V/220V）* 符合 CE，CSA技术参数：型号PCB 1500PCB 1500 PLUS温度范围+20℃ to +60℃0℃ to +110℃温度精度±0.1±0.1重现性±0.5±0.5半导体管理NOYES（单个或多个）RS232 接口YESYESUSBYESYES显示图表显示图表显示证书CE / CSACE / CSA

坂口电热SAKAGUCHI加热器MCA-1500E微型电缆空气加热器MCA1500E 规格/尺寸信息种类热风束排料口温度范围（℃）80～500加热器容量（千瓦）1.5电源单相200V热风束长度G(mm)391.5热风束盖直径H(φ)100热风束直径J(φ)12.7--效率高、升温快！耗电量减少约15%的节能型加热器【内容*详情请参阅目录】“微型电缆空气加热器”是加工成特殊形状并插入SUS管中的微型加热器。产品非常适合加热空气、氮气等。该产品用于半导体制造等各种工业领域。采用护套加热器作为加热元件的特殊结构设计，大大提高了燃气加热效率。这是一种节能型加热器，可减少约 15% 的电力消耗。【特点】○高效升温快○降低机体表面温度○节能型相关信息热风加热器“微型电缆空气加热器”[产品阵容/主要规格]○产品：MCA-500E/MCA-1000E/MCA-1500E○额定值：200V 500W/200V 1kW/200V 1.5kW○绝缘电阻：500V DC 5MΩ以上○介电强度：400V AC 1分钟检测电流10mA○最高使用温度：500℃（内置热电偶）○流量（N&ell /min）：20-100/20-200/20-200○使用气压：最高可达0.3MPa（3kgf/cm² ） )○材质：SUS制（外壳、柔性加热器、铠装热电偶）○外壳尺寸（mm）：φ48.6×总长度156 / φ60.5×总长度291.5 / φ60.5×总长度291.5○ 加热对象：空气、惰性气体等●详情请联系我们或下载样本。

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

常用BCB树脂的固化方法，具体步骤如下：1:在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂 2:通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态PI/BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护 3:加热固化炉，使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均匀 4:再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂充分挥发 5:再将加热固化炉升高至一第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜 6:将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体BCB聚合物固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体BCB聚合物固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

过去数十年来，为了芯片的晶体管数量以推升计算性能，半导体制造技术已从1971年10,000nm制程升级至2022年3nm制程，逐渐逼近目前已知的物理极限。但随着人工智能、AIGC等相关应用高速发展，设备端对于核心芯片的性能需求将越来越高；在制程技术提升可能遭遇瓶颈，但是对算力需求持续走高的情况下，通过2.5D/3D先进封装技术提升芯片内部晶体管数量就显得格外重要。CoWoS是一种2.5D、3D的封装技术，可以分成“CoW”和“WoS”来看。“CoW（Chip-on-Wafer）”是芯片堆叠；“WoS（Wafer-on-Substrate）”则是将芯片堆叠在基板上。CoWoS就是把芯片堆叠起来，再封装于基板上，最终形成2.5D、3D的型态，可以减少芯片的空间，同时还减少功耗和成本。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。CoWoS半导体先进封装烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全CoWoS半导体先进封装烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

半导体高低温试验箱 恒温恒湿箱产品具有模拟大气环境中温度变化规律。主要针对于电工，电子产品，以及其元器件及其它材料在高温，低温综合环境下运输，使用时的适应性试验。用于产品设计，改进，鉴定及检验等环节。 半导体高低温试验箱 恒温恒湿箱特点：各大高校、实验室、写字楼以及科研单位的最佳选择。结构设计周全:水电分离设计。噪音控制在62DB以下。温度均匀性好，试验精度高。同温层设计，防止试验顶部滴水。半导体高低温试验箱 恒温恒湿箱 具体参数型号HK-80GHK-150GHK-225GH:0℃~+150℃ C:-20℃~+150℃ L:-40℃~+150℃ U:-60℃~+150℃ J:-70~+150℃测试室尺寸WxDxHcm40x40x50 50x50x6050x60x70外形尺寸WxDxHcm67x112x15177x122x16177x132x180温度范围 -40℃ - +150℃湿度范围20%-98%RH解析精度温度0.01C 湿度0.1%RH温湿度差 温度: ± 1.0℃: 湿度: +2.5%RH升温时间 +20℃~150℃约30min降温时间+20℃~-20℃≤30min+20℃~-40℃≤55min +20℃~-70℃≤75min材质外箱:防锈处理冷轧钢板喷涂 内箱: SUS≠304或SUS≠316不锈钢板绝缘材料硬质聚氨酯泡沫料 (带阻燃剂)制冷方式进口泰康压缩机+鳍片式全铜蒸器+风冷式冷凝器制冷剂美国杜邦HFC系列环保制冷剂: R404A、R23压缩机冷量1.5P 1.5P 1.5P 3P控制器进口TEMI系列7“触摸式温湿度仪表电器元件法国施耐德工控产品加热加湿镍铬合金加热管SUS316制护套式加湿管循环风机长轴电机+不锈钢风轮故障报警压缩机过流，超压、过热、缺水，加热器无风空焚、加湿器无水干烧、电保护、相温保护，水质 纯净水或去离子水电源220V AC1Φ2W 50/60Hz最大电流(A)AC220V18.5A 18.5A 18.5A 28.0A其它配件样品架2块，引线孔硅胶塞1个。钢化除雾玻璃1块备注: 可根据客户要求尺寸来订制，满足客户的要求 半导体高低温试验箱 恒温恒湿箱 图文介绍：

由于电子元件的小型化、微型化及印刷电路板的高密度化和高度集成化的迅速发展，铅锡焊接远远满足不了导电连接的实际需求，而导电银胶可以制成浆料，实现很高的线分辨率；而且导电银胶工艺简单，易于操作，可提高生产效率，也避免了锡铅焊料中重金属铅引起的环境污染；所以导电银胶是替代铅锡焊接，实现导电连接的理想选择。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体BCB聚合物固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体BCB聚合物固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体PBO高温固化固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体PBO高温固化固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。Blue M半导体晶圆固化烘箱IGF7780的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全Blue M半导体晶圆固化烘箱IGF7780的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。Blue M半导体晶圆固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全Blue M半导体晶圆固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

日本inflidge加热灯"HSH-4 焦距260MM "日本inflidge加热灯"HSH-4 焦距260MM "卤素点加热器卤素点加热器 HSH 是一种卤素灯，非常适合半导体制造、元件干燥等。通过结合卤素灯和特殊镜子，可以获得500至1200℃的最高温度。此外，可以通过改变反射镜设计来改变配光条件（焦距、聚光直径）。特征卤素点加热器 HSH 的特点如下。一种高效的点加热器，结合了卤素灯和专门设计的金镜。HSH-1可加热至约1200℃。它主要是为了清洁加热金属和半导体而开发的。也适用于透过玻璃加热。可用于各种需要清洁度和半导体预热的热处理。可用于真空室内加热样品、清洗后干燥、热填缝等非接触式加热。我们设计和制造适合各种用途的光分布镜子。请随时与我们联系。由于可以用点光源照射（局部加热），因此可以在不影响相邻部件的情况下进行加热。（对无铅焊接等有效）主要用途清洁供暖各种需要清洁度的热处理半导体预热非接触式加热在真空室中加热样品洗后晾干热填缝格式焦距f（毫米）聚焦直径s(mm)镜面灯容量外形尺寸　大量的一个（毫米）宽(毫米)直径（毫米）HSH-1标准规格水冷型5050金盘子100V 2kW1601051734公斤HSH-2定制水冷型5050金盘子100V 2.5kW16010517316036金盘子100V 2kW100V 2.5kW160105173HSH-3标准规格水冷型4515金盘子100V 500W12085.51121.8公斤HSH-4定制水冷型4520金盘子100V 1kW12085.5112100二十五金盘子100V 500W100V 1kW12085.511226050金盘子100V 500W100V 1kW12085.5112HSH-5标准规格自然风冷型158金盘子24V 150W604575320克HSH-6定制规格自然风冷型308金盘子24V 150W60457560十金盘子24V 150W60457510515金盘子24V 150W604575HSH-6定制水冷型158金盘子24V 300W604585550克HSH-7标准规格自然风冷型15五金盘子24V 75W30204080克HSH-8定制规格自然风冷型307金盘子24V 75W30204040十金盘子24V 75W302040HSH-9标准规格自然风冷型92.5金盘子12V 35W18203540克*如需了解上述以外的定制规格，请联系我们。*由于改进，规格如有更改，恕不另行通知。

产品名称：半导体TEC温控驱动模块|单双路温控|高精度0.01|制冷加热控温系统产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-20℃～120℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝90×50×35mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTM-TEC0505 TLTM-TEC0510 TLTM-TEC0805 TLTM-TEC0810 TLTM-TEC1205 TLTM-TEC1210输入电压（VDAC） 5±15% 5±15% 12±15% 12±15% 15±15% 15±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 1~5V(可调节) 5~8V(可调节) 5~8V(可调节) 5~12V可调节) 5~12V(可调节)输出电流（A） 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A通道数 1通道或2通道控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -20℃~120℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 90*50*35或150*100*35mm远程接口 RS232或RS485显示 真彩触摸屏3.5寸、4.3寸、5.7寸、7寸可选

革新设计的可编程恒温冷却/加热器采用先进的半导体制冷技术，可以将样品温度精确地控制在-10到100度之间；双行LCD随时显示实际和设定温度；长达30天的倒计数定时器带声音报警和自动关机功能；机器内置数据记录功能，可通过标配的RS-232口与计算机进行双向通信以实现数据传输和远程控制。 大容量多样性的加热模块可满足实验室内各种样品的需要，包括常规的0.5/1/5/2.0毫升离心管模块，5/10/15毫升试管模块，标准酶标板及PCR管模块等。技术参数：混合速度；200—1000 rpm，可编程设定 温度范围：-10到100度，1度步进，可编程设定（44175-04），精度+/-1度 定时器：1分钟—30天带声音报警，可编程设定（44175-04），或连续运转 加热速率：4度/分钟 降温速率：2度/分钟（室温---100度）；1度/分钟（室温--- -10度） 内置程序；5个（44175-04) 内置程序段：10步，包括温度，时间和速度（44175-04） 同系列产品： 44175-00标准冷却/加热器，100-240V电压自适应 44175-02回旋式混匀冷却/加热器，100-240V电压自适应 44175-04 Cole-Parmer® 可编程恒温器，100-240V电压自适应 44175-06双位冷却/加热器，100-240V电压自适应 加热模块 微孔管：40x0.5ml, 30x1.5ml, 40x0.5/15x1.5ml；PCR板： 96x0.2ml，96/384孔平底板； 试管：12x15/16mm, 20x12/13mm, 具体请直接咨询北京中科科尔仪器有限公司。主要特点：1．标准冷却/加热器 用于酶和DNA库储存，14度下的绑扎反应，培育或抑制酶动力反应。 2．回旋式混匀冷却/加热器 振荡/加热/冷却三功能合一，内置内置的回旋式混合器速度范围为200—1000RPM。 3．可编程回旋式混匀冷却/加热器 全功能可编程，带内置回旋式混合器。机器可储存多达5个常用程序，每个程序可多达10步，可分别预设不同的温度，时间和速度。每个程序可选择自动重复1—99次。 4．双位冷却/加热器 两个加热/制冷模块，可控制分别控制设定相同或不同的温度！

1 产品概述: 半导体烘箱是一种专门用于半导体芯片、电子元器件等材料进行热处理的设备。它通过高温加热的方式，对半导体芯片进行烘干、固化、烘焙等处理过程，以提高半导体芯片的性能稳定性和可靠性。半导体烘箱采用先进的温度控制系统和加热技术，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，确保半导体芯片在热处理过程中不受损害。2 设备用途：半导体烘箱的主要用途包括：半导体芯片制造：在半导体芯片制造过程中，烘箱用于烘干、固化和烘焙芯片，以提高芯片的稳定性和可靠性。电子元器件处理：对于电子元器件，如LED封装、印刷电路板等，半导体烘箱可用于去除水分、气体，保证元器件的质量稳定性和寿命。热处理实验：在科研和实验领域，半导体烘箱也常用于烘烤、老化实验，检验电子元气件、仪器仪表等材料在温度环境下的性能指标。3 设备特点半导体烘箱的特点主要体现在以下几个方面：高精度温度控制：半导体烘箱具备高精度的温度控制系统，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，通常误差小于1℃，确保热处理过程的稳定性和可靠性。先进加热技术：采用不锈钢加热管等高效加热元件，加热速度快，热效率高，且使用寿命长。多种送风方式：部分高端半导体烘箱采用独特的水平+垂直送风相结合的强压鼓风循环系统，使温度更加均匀，提高热处理效果。 4 技术参数和特点：1. 含氧控制：500PPM以内 2. 温度范围：Room temp. +20~500℃3. 控温精度：±1.0℃4. 温度均匀性：±2.5%℃5. 升温时间：RT~ 500℃≤60min

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体光刻胶固化-固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体光刻胶固化-固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

半导体制冷培养箱半导体制冷低温培养箱利用帕尔贴(半导体)制冷技术，实现对培养箱的低温控制，具有节能、环保、高效等优势，同时具有加热和制冷功能，是需要低温环境的细菌、霉菌等微生物培养，以及样品储存、植物栽培、植物育种等试验中的理想恒温设备，广泛应用于环境保护、卫生防疫、药检、 农畜、水产、高校、研究所等领域各大实验室。 产品特点 ●控制器彩屏液晶显示，PID控制技术，温度控制精确稳定； ● 具有玻璃内门，便于实验观察，同时玻璃门后箱体上装有门控开关，并且开关与控制系统联动； ● 全新半导体制冷片系统，保证制冷系统长期稳定运行 ；●堆叠脚设计，机器可叠加放置，节省实验室空间，提高使用效率( 同一规格)。主要技术参数：型号FPI-45 FPI-70循环方式强制对流性能使用温度范围RT-20℃--65℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃温度分布精度±0.5℃(37℃)构成工作室 镜面不锈钢板外壳冷轧钢板，表面静电喷涂保温层聚氨酯加热器加热片制冷器半导体制冷片额定功率0.35kW0.5kW控制器温度控制方式智能PID温度设定方式轻触型按键设定温度表示方式测定温度四位液晶上排显示，设置温度四位液晶下排显示定时器0-9999分钟(带定时等待功能)运行功能定值运行，定时运行，自动停止附加功能传感器偏差修正，温度过冲自整定，内部参数锁定，断电参数记忆传感器PT100安全装置 超温声光报警规格工作室(宽*深*高mm)330*320*430415*350*500外形(宽*深*高mm)415*445*758500*475*828外包装(宽*深*高mm)535*565*933620*595*1003内容积45L70L电源(50/60HZ)额定电流 AC220V/1.6AAC220V/2.3A净重/毛重(kg)20\2535\45 可增加配置隔板

半导体TEC温控驱动模块产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-20℃～120℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝90×50×35mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTM-TEC0505 TLTM-TEC0510 TLTM-TEC0805 TLTM-TEC0810 TLTM-TEC1205 TLTM-TEC1210输入电压（VDAC） 5±15% 5±15% 12±15% 12±15% 15±15% 15±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 1~5V(可调节) 5~8V(可调节) 5~8V(可调节) 5~12V(可调节) 5~12V(可调节)输出电流（A） 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A通道数 1通道或2通道控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -20℃~120℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 90*50*35或150*100*35mm远程接口 RS232或RS485显示 真彩触摸屏3.5寸、4.3寸、5.7寸、7寸可选

产品名称：半导体激光器|脉冲半导体激光器脉冲激光器模块产品介绍本公司设计和生产的TLTP-YTH系列半导体激光电源是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源驱动方案，选用元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。电源采用真彩触摸液晶控制，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的调节和显示，具备过压、过流、水温和水流报警功能，可以完美匹配DILAS、LIMO、nlight、QPC、西安炬光、BWT模块，是紫外、绿光激光器理想的驱动电源。产品特点 1路LD半导体恒流驱动【含电压钳位，带过压、过流保护，支持过热保护】 4路TEC驱动【半导体LD、一倍频晶体、二倍频晶体、三倍频晶体】 日本进口高精度高灵敏度NTC，全数字PID控制，各参数可调节 温度控制精度：正负0.1℃或0.01℃可选。支持TEC热端温度检测和风扇控制 内置PWM，频率1KHz-200KHz 可调，步进1KHz。 脉宽可调1us~30us. 带红光指示 激光控制内控、外控可切换。 支持Q驱告警检测。 完美兼容市面上主流打标板卡控制 温度异常报警、激光器内部温湿度控测 光功率探测 光闸控制、步进电机控制应用： 端泵打标泵浦电源 半导体激光电源 绿光打标机电源 紫外打标机电源 倍频晶体温控控制 高低温温度控制参数介绍：系统功能参数简介4路制冷系统 日本进口高精度高灵敏度NTC温控稳定度正负0.1℃、0.01℃可选支持TEC双向控制，可加热可制冷CHANNEL1 双向12V/10A【半导体LD-808】CHANNEL2 双向12V/10A【1倍频晶体】CHANNEL3 双向12V/10A【2倍频晶体】CHANNEL4 双向12V/10A【3倍频晶体】半导体激光模块驱动器 低压高流【3V60A】、高压低流 【8V10A、12V10A、26V10A等】效发率88%。电流纹波10mA,电压纹波15mV。含电压钳位，带过压过流保护，支持过热保护。含欠压保护，过流熔断保护。支持外部使能控制，外部电流控制。声光控制器 内置PWM，频率1KHz-200KHz，步进1KHz。脉宽可调1us~30us激光控制内控外控可切换。支持Q驱告警检测。温度异常报警。附加功能 RS232通讯接口。(选配)产品选型：型号参数 TLTP-YTH0345-N TLTP-YTH0360-N TLTP-YTH0812-N TLTP-YTH1212-N TLTP-YTH2612-N输入电压（VAC） 220±15%温控路数 温控1~5可选控温精度 ±0.1℃/±0.01℃可选控温范围 5℃~85℃温度传感器 NTC（25℃-10K）激光器电压 0~3V自适应 8V自适应 12 V自适应 26V自适应激光器电流 45A 60A 12A 12A 12A声光控制器 15V/24V供电可选PWM频率 1K~200KHz仪器体积 W×L×H＝450×130×400mm远程接口 RS232、485（选配）外控接口 DB15【兼容JCZ、国产打标板卡】LD放置 机箱内、激光器内可选冷却方式 风冷、水冷可选其它功能 光功率探测、湿度探测、光闸控制、步进电机控制

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

固体激光器打标驱动电源产品介绍本公司设计和生产的TLTP-YTH系列半导体激光电源是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源驱动方案，选用元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。电源采用真彩触摸液晶控制，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的调节和显示，具备过压、过流、水温和水流报警功能，可以完美匹配DILAS、LIMO、nlight、QPC、西安炬光、BWT模块，是紫外、绿光激光器理想的驱动电源。产品特点 1路LD半导体恒流驱动【含电压钳位，带过压、过流保护，支持过热保护】 4路TEC驱动【半导体LD、一倍频晶体、二倍频晶体、三倍频晶体】 日本进口高精度高灵敏度NTC，全数字PID控制，各参数可调节 温度控制精度：正负0.1℃或0.01℃可选。支持TEC热端温度检测和风扇控制 内置PWM，频率1KHz-200KHz 可调，步进1KHz。 脉宽可调1us~30us. 带红光指示 激光控制内控、外控可切换。 支持Q驱告警检测。 完美兼容市面上主流打标板卡控制 温度异常报警、激光器内部温湿度控测 光功率探测 光闸控制、步进电机控制应用： 端泵打标泵浦电源 半导体激光电源 绿光打标机电源 紫外打标机电源 倍频晶体温控控制 高低温温度控制参数介绍：系统功能参数简介4路制冷系统 日本进口高精度高灵敏度NTC温控稳定度正负0.1℃、0.01℃可选支持TEC双向控制，可加热可制冷CHANNEL1 双向12V/10A【半导体LD-808】CHANNEL2 双向12V/10A【1倍频晶体】CHANNEL3 双向12V/10A【2倍频晶体】CHANNEL4 双向12V/10A【3倍频晶体】半导体激光模块驱动器 低压高流【3V60A】、高压低流 【8V10A、12V10A、26V10A等】效发率88%。电流纹波10mA,电压纹波15mV。含电压钳位，带过压过流保护，支持过热保护。含欠压保护，过流熔断保护。支持外部使能控制，外部电流控制。声光控制器 内置PWM，频率1KHz-200KHz，步进1KHz。脉宽可调1us~30us激光控制内控外控可切换。支持Q驱告警检测。温度异常报警。附加功能 RS232通讯接口。(选配)产品选型：型号参数 TLTP-YTH0345-N TLTP-YTH0360-N TLTP-YTH0812-N TLTP-YTH1212-N TLTP-YTH2612-N输入电压（VAC） 220±15%温控路数 温控1~5可选控温精度 ±0.1℃/±0.01℃可选控温范围 5℃~85℃温度传感器 NTC（25℃-10K）激光器电压 0~3V自适应 8V自适应 12 V自适应 26V自适应激光器电流 45A 60A 12A 12A 12A声光控制器 15V/24V供电可选PWM频率 1K~200KHz仪器体积 W×L×H＝450×130×400mm远程接口 RS232、485（选配）外控接口 DB15【兼容JCZ、国产打标板卡】LD放置 机箱内、激光器内可选冷却方式 风冷、水冷可选其它功能 光功率探测、湿度探测、光闸控制、步进电机控制

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸 风冷平台尺寸 水冷平台尺寸

产品简介本系列的半导体温控平台是专门为激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制IC等产品定制开发，其特点是高精度和高稳定度。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。整机配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求较高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等使用。应用方向 半导体激光器、晶体温度控制、固体温度控制实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸

一、熔喷布空气加热器工艺简介 熔喷非织造工艺是利用高速热空气对模头喷丝孔挤出的聚合物熔体细流进行牵伸，由此形成超细纤维并凝聚在凝网帘或滚筒上，并依靠自身粘合而成为非织造布。二、熔喷布空气加热器工作原理 1、熔喷工艺需用大量的热空气。高压罗茨风机把冷空气送到熔喷布空气加热器/热风机电加热器/管道加热器内加热，通过SCR和PID精确计算按照设定的温度稳定输出热空气至熔喷模头组合件。熔喷无纺布加热器|热风机电加热器|熔喷布空气加热器同时要抵抗高温空气的氧化作用，因此材料最好选用不锈钢。2、热空气的速度（压力） 直接影响熔喷纤维细度。生产中用气流的压力来表示气流的速度，压力大则速度大。 热空气速度↑： 纤维直径↓； 单纤维相对强力↑ ； 纤网中纤维间的粘合效果↑，非织造布强度↑，所以需要配一台温度恒定，风速要恒定，能耐高压的空气加热器，就可以保证熔喷布产品质量。三、熔喷布空气加热器组成部分1、熔喷无纺布加热器是由空气加热器和配套温度控制柜外加罗茨风机做成翘块式的，出厂之前把所有的线缆接好，管路连接好，保证出口温度恒定，风速稳定，热风机电加热器到客户现场只需要外接一个风管连接加热器出风口和客户喷丝箱热空气进口即可。开启罗茨风机，加热器，设置温度，加热器开始工作，做成一体化空气加热器，客户回去会比较省事，快速开始生产。熔喷布加热器1、采用不锈钢加热管作为加热元件，耐腐蚀，寿命长。2、熔喷布加热器加热内筒外填充保温棉，这样可以防止烫伤，具有隔热效果，也可以防止温度过高导致接线盒烧坏。3、内置导流板，使得气体（氮气、氢气、蒸汽等）受热均匀。4、熔喷布加热器可配套控制系统，操作简便，化繁琐为简单，只需一按即可。5、熔喷布加热器热效率较高，环保节能。辅助电加热器的作用 ：在室外采暖计算温度很低的寒冷地区，空气热源热泵的蒸发温度必然很低，压缩机在高压缩比下工作，必然导致压缩机的容积效率、指示效率下降。这样，热泵的制热能力及制热性能系数都将下降。比较好的方法是增加辅助热源设备，辅助电加热器则是较理想的辅助热源设备。

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸