半导体温度仪

随着科学技术的不断进步，半导体测试的重要性正日益凸显，国产仪器设备中，用于半导体测试行业的半导体温度控制系统厂家并不是很多，半导体温度控制系统也在不断的完善生产销售中。　　半导体温度控制系统广泛运用于半导体设备高低温测试，电子设备高温低温恒温测试冷热源，拥有独立的制冷循环风机组，可连续长时间工作，自动除霜，除霜过程不影响库温。半导体温度控制系统采用模块化设计，备用机替换容易（如果有10台机子，只要一台备用机组即可），解决频繁开关门，蒸发系统结霜问题；蒸发系统除霜过程不影响，构筑一套高低温恒温室变的简单（根据提供的图纸，像搭积木一般拼接好箱体，连接好电和水，设定好温度即可工作）。面对半导体测试市场红利，无锡冠亚恒温制冷技术有限公司半导体温度控制系统抓住市场机遇的基础上，结合市场需求，掌握半导体的发展趋势，研制生产出更贴合实际需求的半导体温度控制系统设备。　　半导体温度控制系统的研发从来都不是一蹴而就的，从满足基本温度要求，到如今的高温低温恒温测试冷热源，无锡冠亚的半导体温度控制系统也一直在经历着脱胎换骨的变化，国产半导体温度控制系统生产厂家也在见证着半导体测试行业技术的革新和进步。百舸争流，奋楫者先。在国内生产半导体温度控制系统的厂家中，无锡冠亚在半导体温度控制系统产品的技术水平上实现了很大的突破，也让半导体测试设备在国际市场的影响力不断的提高。　　无锡冠亚除了先进的制冷加热控温技术外，其设备质量也是其重要的基础工程之一，在产品质量日益发展的今天，其质量性能日益成为提升企业核心竞争力的关键性核心要素，更多的国产仪器设备生产厂家也具有了全球性的战略眼光，致力于行业标准的制定和实施。其半导体温度控制系统是由多位控温领域的专家参与其中设计，凝聚了行业内拥有丰富经验的生产技术，不断创新发展，对于国产仪器设备行业的发展具有着重要的指导意义。　　时不待我，只争朝夕！无锡冠亚半导体温度控制系统厂家正凭借着自己不断向上的动力和源源不断的创新能力，在制冷加热控温领域中承担起更大的作用，在国际市场中树立起中国制造的招牌！

爱丁堡仪器最近升级了FLS980荧光光谱仪，使其可以在一个比较大的温度范围内(从 3 K到300 K)进行测量，而不需要液氮，甚至是液氦等低温液体，这是通过集成牛津仪器的光谱学恒温器Optistat Dry实现的。Optistat Dry利用氦气闭合回路的Gifford-McMahon冷却器，可以不需要持续供应液氦的条件下，将稳态和时间分辨光致发光测量的温度降到3 K。这样的温度对半导体和非线性晶体的研究至关重要,因为在室温和液氮温度条件下光致发光是非常微弱的。　　牛津仪器的Optistat Dry在仪器的易用性和运行成本方面有比较大的好处。此外，新开发的 F980软件可以让FLS980荧光光谱仪直接控制低温恒温操作。通过使用这种新技术,爱丁堡仪器可以使客户在较宽的温度范围内进行各种各样样品的研究,而不需要低温耗材,并可以保证长时间实验的不间断运行。　　此外,据悉，爱丁堡仪器也正在考虑将Optistat Dry集成到FS5荧光谱仪中，让更多的用户可以使用到这项技术。　　FLS980系列稳态瞬态荧光光谱仪是爱丁堡公司于2012年推出的产品，可以根据用户的需要进行模块化搭建，型号丰富，用户购买后也可以根据科研项目的进展和具体需求进行各种附件和波长扩展的升级。

我们通常认为，人体正常内部温度（体温）为37℃。但你会发现，在疫情防控期间，出入一些室内机构需要登记体温时，一张写满陌生人体温的记录表上，基本都是36℃左右。如今，体温达到37℃已经算是低烧了。那么这个37℃是怎么来的呢？1851年，德国医生Carl Reinhold August Wunderlich从25000名受试者中进行了数百万次的体温测量，并基于这些数据撰写了一篇影响深远的文章，设定了这个奉行一个多世纪的体温标准，即人体正常体温是37 ℃。Carl Reinhold August Wunderlich 然而，越来越多的科学家发现，我们的“正常”生理似乎发生了一些细微的变化。有几项研究对Wunderlich的测量提出了质疑，呼吁将标准体温再降低一些。去年，发表在《eLife》上的一项研究中，来自美国斯坦福大学的研究人员调查了美国内战后联邦陆军退伍军人的医疗记录，以查看大约一个世纪前的人体体温。然后，将这些数据与20世纪70年代初美国国家健康调查的和代表21世纪初的斯坦福临床数据平台的记录进行比较。总体而言，该团队通过分析超过50万份个体温度测量的详细信息，发现在本世纪初出生的男性体温比大约200年前出生的男性体温平均低0.59摄氏度。另一方面，自19世纪90年代以来，女性的体温下降了0.32摄氏度。当时，研究人员认为这可能与疾病引起的炎症有关，而炎症又与体温密切相关。随着现代医学的兴起，慢性感染已经下降，作者认为，这或许导致人体体温下降的原因。近期，发表在《Science Advances》上的一项研究中，来自美国加州大学圣巴巴拉分校领导的研究团队在玻利维亚一个相对偏远的土著部落中也发现了人体体温降低的现象。尽管那里已经发生了一些现代变化，但感染仍然很普遍，医疗护理水平也很低。因此，体温下降的原因显然不仅仅是卫生条件改善、饮用水清洁或医疗保健改善。那还有什么原因呢？近日，发表在《Current Biology》上的一项新研究中，来自美国哈佛大学的研究人员给出了另一种解释：身体活动大幅减少。肌肉是人体内最大的发热器官。当一个人经常锻炼时，肌肉量的增加往往伴随着基础代谢水平的增加，这反过来会使其体温升高持续数小时甚至一天。这表明，身体活动减少，体温就保持在一个较低的水平。此外，由于空调的问世，人类长期居住在不受温度刺激的环境里，导致人体体温调节中枢下丘脑逐渐失去了接收刺激的反馈，使体温调节的需求减少。然而，自工业革命以来人口身体活动水平下降了多少是未知的。因为，测量身体活动水平的加速度计和双标记水法都是最近几十年才开发出来的。为了比较现代人和200年前人口的身体活动水平。研究人员使用了历史静息体温数据作为人口水平的“温度计”。他们认为，如果能对身体活动、代谢率和体温之间的关系进行建模，理论上就可以反向开展研究，即倒推。这个想法始于研究人员最初的估算。虽说是估算，但它仍然基于一系列假设。随后，研究人员建立了一个模型表明，历史体温每升高1°C，静息代谢率就会发生大约10%的变化。考虑到自19世纪20年代以来男性体温的下降程度，他们的代谢率在同一时间内应该下降了6%。根据计算结果，这相当于每天大约半小时的身体活动。更准确地说，对于体重75公斤重的男性来说，快走或慢跑27分钟。研究通讯作者、哈佛大学人类进化生物学系骨骼生物学家Andrew Yegian解释说：“这是对获取生理数据并尝试量化人口身体活动减少的初步估算。下一步将尝试将其作为一种工具应用于其他人群。”由于这些初步估算使用体温作为代谢率的指标，并使用代谢率作为身体活动的指标，因此这些结果不太可能完美地反映现实。一个人的热量代谢率不仅仅取决于身体活动，如今，由于汽车、电视和沙发的出现，以及工作环境的变革，现代人的平均运动量比50年前要少很多。研究人员表示，这些对我们代谢率和体温的影响还不太清楚。对于男性和女性来说可能还存在差异。此外，脂肪也起到了绝缘体的作用，影响身体散热，同时也增加了身体活动的成本。这个初步的估算方法并没有矫正脂肪质量随时间的变化。现代环境中体温调节需求的减少也可能影响我们的代谢率，健康和营养的改善也是如此。该团队承认，他们的模型需要进一步完善，但他们希望这个近似值可以成为理解工业时代身体活动减少如何影响健康和发病率的一个基准。论文链接：https://doi.org/10.1016/j.cub.2021.09.014https://elifesciences.org/articles/49555https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abc6599

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 为做好新冠肺炎疫情防控工作，2月3日，中国科学院大学疫情防控工作领导小组发布《进一步加强人员进出校园管理的通知》。2月6日，中国科学院大学党委书记、校长李树深在党委视频会上提出，要尽快部署红外热成像体温快速筛查系统，切实加强校园管理和人员车辆管控。中国科学院半导体研究所和文华聚信向国科大捐赠了一批红外热成像体温快速筛查系统，相比此前的额温计、腕温计等常规测温工具，更能在室外低温的工作环境中，发挥其准确、快速的体温筛查优势。 /p p 　　红外热成像体温快速筛查系统为非接触式人体温度监测设备，通过接收人体热辐射信号，经计算机处理重建各部位温度分布，可记录分析人体热场，监测显示额面温度。按“新冠肺炎”体温筛查要求设置后，当监测到进出人员体温超过37.3° C时，该系统会自动报警，能实现多人员、多层叠的体温监测功能，同时快速筛查10至20人的体表温度。 /p p 　　截至2月12日，中国科学院大学玉泉路、中关村、奥运村及雁栖湖四个校区校园入口的体温筛查工作全面“升级”。据悉，由中国科学院半导体研究所和北京文华聚信投资管理有限公司捐赠的红外热成像体温快速筛查系统将替代常规测温工具，更准确、便捷、快速地对各校区进出校园人员进行体温监测和排查。 /p p 　　 /p p 　　 /p p br/ /p

近日，晶盛机电技术研发再次突破，成功研发出全自动金刚石生长炉。01、金刚石晶体生长炉成功研制，晶体生长设备家族再添新成员官方消息称，晶盛机电晶体实验室经过半年多的工艺测试，全自动MPCVD法生长金刚石设备（型号XJL200A）成功生长出高品质宝石级的金刚石晶体。图片来源：晶盛机电据介绍，此次XJL200A金刚石生长炉成功解决了传统的MPCVD培育钻石生长技术的行业痛点：对多晶及生长裂纹等缺陷的判断、对晶体温度和生长厚度等关键生长参数的控制都依赖人工判断，克服了目前人工培育钻石过程中质量控制和规模化生产的瓶颈。图片来源：晶盛机电作为碳化硅、氮化镓之后具有代表性的新一代半导体材料，金刚石晶体又称钻石，被誉为“终极半导体”材料，此次金刚石晶体生长炉成功研制，标志着晶盛机电在硅、蓝宝石、碳化硅等晶体生长设备家族再添新成员。据项目负责人表示，目前已经完成了设备定型和批量工艺开发，设备即将投放市场，能为客户提供一站式解决方案。02、23万片意向订单在手，50亿SiC衬底晶片项目即将开工资料显示，晶盛机电是国内领先的半导体材料装备和LED衬底材料制造的高新技术企业，主要围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开展业务。近年来，晶盛机电顺应行业发展趋势，提早布局碳化硅晶片市场。目前，该公司碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节建立测试线，其6英寸碳化硅晶片已获得客户验证。晶盛机电此前在投资者关系活动记录表中披露，截至2022年2月7日，客户A已与公司形成采购意向，2022年-2025年公司将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23万片。图片来源：晶盛机电 此外，为加快推进第三代半导体材料碳化硅业务，2月7日，晶盛机电发布公告称，拟募集资金不超过57亿元，其中拟投入31.34亿元在宁夏银川建设碳化硅衬底晶片生产基地项目。图片来源：晶盛机电2月25日，晶盛机电碳化硅衬底晶片生产项目正式落户宁夏。据央广网报道，该项目总投资50亿元，一期预计3月开工建设，投资总额33.6亿元，一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 随着人员陆续返工，火车站、社区、楼宇等人流密集的公共场所，对“无接触”测温有着迫切需求。记者从中科院半导体研究所获悉，该所智能光子研究团队已经研发了广域无感测温设备，解决了室外测温受环境影响而测不准的问题，助力新冠肺炎疫情防控。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 375px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/853967ac-6470-4c7c-9a0a-b1aab4d3bbf7.jpg" title=" 1da0-ipmxpvy6442392.jpg" alt=" 1da0-ipmxpvy6442392.jpg" width=" 600" height=" 375" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-indent: 2em " span style=" text-align: justify text-indent: 2em " 中科院半导体研究所团队研发的红外测温仪，突破了室外复杂环境下人体温度监测不准确的难题。 /span /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 目前，国内研究机构、企业已经研制生产可用于非接触、快速、大面积排查的红外测温仪。相较于手持式体温检测设备，它更加方便和安全。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 但智能光子研究团队负责人刘建国介绍，目前红外无感测试产品存在两大技术痛点，一是复杂环境适应性较差，存在筛查测量不准确问题。“北京早晚温差较大，早中晚气温不同，且阳光强烈程度不同，对测温影响可能达到2℃之多，不能满足室外人体测温的需求。”二是在人员戴口罩走动时，人脸精确识别难度大。“戴着口罩可以测温，但测完不知道是谁。如果在人流密集场所，工作人员没能及时拦下发热人员，后期追踪比较困难。” /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 春节期间，北京市科委发布了测温方案征集通知，中科院半导体研究所迅速组织在京科研力量进行攻关，用十天左右的时间研发了红外测温产品样机。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 研究团队提出“智能自标校算法模型”，模型具有认知学习和记忆功能，可以根据室外环境变化而变化校准，解决了室外人体测温不准确的难题。测温样机经过软硬件调试和不同场景试验验证，可满足5米距离下，对办公楼门口、小区大门口、出入闸口等多位行人的批量无感监测筛查需求，测温精度在± 0.3℃之间。“一秒钟可以同时检测200人，骑电动车慢行的人员也可以马上测出来。” /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 针对戴口罩走动条件下快速人脸识别难题，刘建国说，红外测温设备可以根据人体衣着、步态等信息辅助人脸识别，通过大数据锁定“发热人员”，但目前识别概率能达到60%-70%，仍需攻关，以求更高的准确率。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 据悉，目前测试设备已经在中科院、中科院大学、中科院微电子所、中科院半导体所社区、山东淄博高铁站等地安装使用。“由于疫情期间零件货源不足等问题，目前生产周期紧张，目前科研团队只做出来约20台。”刘建国说，下一步希望有相关企业通过承接、外协生产等方式进行合作，帮助更多公共场所解决室外测温问题。 /p p style=" margin-top: 0em margin-bottom: 1em padding: 0px color: rgb(68, 68, 68) font-family: 宋体, & quot Arial Narrow& quot white-space: normal text-align: justify text-indent: 2em " span style=" margin: 0px padding: 0px text-indent: 2em " 众志成城，抗击疫情。防控新型冠状病毒感染的肺炎疫情，全国在行动，仪器及检测人也在行动!仪器信息网作为科学仪器行业的专业门户网站，充分发挥科学仪器行业专业媒体资源优势，整合科学仪器及检验检测多方资源，第一时间推出 /span a href=" https://www.instrument.com.cn/zt/xxgzbd" target=" _blank" style=" margin: 0px padding: 0px color: rgb(84, 141, 212) text-decoration-line: none text-indent: 2em " span style=" margin: 0px padding: 0px " strong style=" margin: 0px padding: 0px " “抗击新冠疫情，仪器人在行动” /strong /span /a span style=" margin: 0px padding: 0px text-indent: 2em " 专题，全力支援疫情抗击工作。 /span /p p arial=" " white-space:=" " text-indent:=" " text-align:=" " style=" margin-top: 0em margin-bottom: 1em padding: 0px color: rgb(68, 68, 68) font-family: 宋体, & quot Arial Narrow& quot white-space: normal " strong style=" margin: 0px padding: 0px " /strong /p p arial=" " white-space:=" " text-align:=" " style=" margin-top: 0em margin-bottom: 1em padding: 0px color: rgb(68, 68, 68) font-family: 宋体, & quot Arial Narrow& quot white-space: normal text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/zt/xxgzbd" target=" _blank" style=" margin: 0px padding: 0px color: rgb(102, 102, 102) text-decoration-line: none " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/a767565f-df49-479b-8f08-ac6296a275ee.jpg" title=" ae723130-0e56-4376-8be7-ad82428ada84.jpg" alt=" ae723130-0e56-4376-8be7-ad82428ada84.jpg" style=" margin: 0px padding: 0px border: 0px max-width: 100% max-height: 100% " / /a /p p arial=" " white-space:=" " text-align:=" " style=" margin-top: 0em margin-bottom: 1em padding: 0px color: rgb(68, 68, 68) font-family: 宋体, & quot Arial Narrow& quot white-space: normal text-align: center " span style=" margin: 0px padding: 0px color: rgb(84, 141, 212) " a href=" https://www.instrument.com.cn/zt/xxgzbd" target=" _blank" style=" margin: 0px padding: 0px color: rgb(84, 141, 212) text-decoration-line: none " 点击图片查看专题详情 /a /span /p p style=" margin-top: 0em margin-bottom: 1em padding: 0px color: rgb(68, 68, 68) font-family: 宋体, & quot Arial Narrow& quot white-space: normal text-align: center " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/63b2fa31-6e48-4b20-8924-9b0e251db168.jpg" title=" 企业微信截图_1581300750743.jpg" alt=" 企业微信截图_1581300750743.jpg" width=" 400" height=" 400" border=" 0" vspace=" 0" style=" margin: 0px padding: 0px border: 0px max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 400px " / /p

p 　　 span style=" font-family: & quot times new roman& quot " strong 2018年6月12日，“半导体材料及器件研究与应用进展”主题网络研讨会在仪器信息网“网络讲堂”栏目成功举办。本次会议旨在为全国在半导体及器件领域或有意在本领域从事研发、教学、生产的科技人员提供一个学术与技术交流的平台，以促进我国半导体材料及器件领域的科技创新和产业发展。 /strong /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。近年来半导体材料迅猛发展，特别是宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面具有最新进展。 /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　本次会议邀请了来自 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(255, 0, 0) " 华进半导体、赛默飞、雷尼绍、HORIBA、牛津、华东师范大学 /span 六家机构从事半导体研究及应用的专家学者，对目前科学仪器在半导体应用领域的研究进展进行了介绍了。各项报告内容简介如下： /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/9f4a0912-662e-44eb-a670-f31943137df6.jpg" title=" 先进封装工艺与可靠性-刘海洋.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 华进半导体研发部高级工程师刘海燕介绍了数种半导体材料与部件的封装工艺及其各自特点，着重讲解了目前处于前沿领域的扇出型封装工艺，代表的类型有eWLB、INFO POP、大板级。华进半导体目前正在开发晶圆级、大板级扇出封装技术，现已制备出部分样品，并申请了相关专利。此外还补充介绍了Low k芯片封装工艺。华进公司的主要业务包括设计仿真、封装工艺、测试验证、技术转移等领域。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/460a9fdb-85d5-4566-a742-3dbbc89e87dd.jpg" title=" ICP-MS在半导体行业原材料及高纯化学品分析中的应用-朱中正.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 　赛默飞的应用工程师朱中正介绍了ICP MS(电感耦合等离子体质谱仪)在半导体行业的应用和最新进展。半导体行业中，对痕量金属元素进行常规且准确的分析是十分重要的工作。随着半导体器件尺寸的不断缩小，杂质的存在对其性能的影响逐渐增加。报告重点介绍了赛默飞公司的四级杆ICP-MS和SQ-ICP-MS的结构、工作机理、主要优势以及局限性。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/776571c0-f293-46a7-b115-c43a17856c0f.jpg" title=" 雷尼绍拉曼光谱技术在半导体领域的一些应用-王志芳.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 雷尼绍的高级应用工程师王志芳介绍了雷尼绍公司的拉曼光谱在半导体领域的一些应用工作。她首先为观众进行了拉曼光谱基础知识的讲解，拉曼光谱具有无损无创、原位检测、快速简便的使用特点，可应用于材料科学、生命科学、分析科学等多个领域。在半导体领域，拉曼光谱可对SiC、GaN、MoS sub 2 /sub 等半导体材料进行性能表征，可检测的性能特征有：晶型分布鉴定、应力表征缺陷分析、鉴定和发现污染物、电子迁移率分布、块材生长过程等。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/d979950b-1148-45f7-8de4-41a3357cc646.jpg" title=" 光谱分析在半导体材料领域的应用-孙正飞.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 　HORIBA公司仪器事业部的应用工程师孙正飞分享了光谱分析技术在半导体材料领域的应用，主要应用的分析手段有光致发光光谱、拉曼光谱、辉光放电GD、椭偏仪TF，并着重介绍了前两者的工作机理和应用方向。光致发光光谱可测定半导体材料的组分、识别其中的掺杂元素、测试材料/器件的发光效率、研究位错缺陷 拉曼光谱可分析半导体化学组成、结构、构象、形态、浓度、应力、温度、结晶度等特征。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/563d8427-33a1-40e8-ab1e-751277616320.jpg" title=" 能谱及EBSD在半导体行业中的应用-马岚.pptx.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 牛津仪器纳米分析部的应用科学家马岚介绍了EDS能谱和EBSD(电子背散射衍射Electron Backscattered Diffraction)在半导体行业的应用。SEM-EDS可对样品进行成分检测、定性分析。针对扫描电镜及有窗能谱测试结果不准确的问题，提出了建议解决办法，通过对三种不同样品图像结果的分析，得出适当降低工作电压可提高电镜和能谱的空间分辨率。鉴于有窗能谱对10nm以下尺度空间分辨率的局限性，有窗能谱Extreme应运而生，在低电压下具有优良的表现。EBSD目前在半导体相关行业的应用还处于起步阶段，但由于其技术优势，会越来越多的应用在半导体的研发当中。可用于观测样品中晶粒的取向。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/b562f762-930a-494d-bec6-5ffda980fba0.jpg" title=" 相变存储器及存储材料-成岩.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 华东师范大学电镜中心的成岩老师向观众分享了半导体存储领域的新秀—相变存储器，介绍了其发展、结构、原理、材料等研究内容。DRAM和Flash占据了存储器市场95%以上的份额，旧的存储器存在一定的性能缺陷以及存储速度和存储性能之间的矛盾，开发新型存储架构势在必行。IBM开发的SCM(Storage Class Memory)使用高速、非易失性、字节可访问、存储密度高的新型存储级内存介质构建外部大容量存储器，为计算机系统延续了数十年的内外存架构提供了新的选择，应用相变存储技术的PCRAM将高速、随机访问和非易失在同一存储介质上实现。透射电子显微镜可应用于对相变存储材料Ge sub 2 /sub Sb sub 2 /sub Te sub 5 /sub 的结构进行观测，发现其具有两级相变过程，可由非晶转变为面心立方结构，再转变为六方相结构。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/0881776f-607b-4fdd-8408-b0ca4a572b4e.jpg" title=" 赞助厂商.png" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 赞助厂商 /span /strong /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　每场报告结束后，观众对报告内容踊跃提问和发言，老师也对观众们提出的部分问题进行了答疑，会议为关注和研究半导体材料应用的工作者们提供了一个交流和学习的良好平台。 /span /p

劲拓股份的一纸公告，给公司带来了一个涨停板。劲拓股份7月6日晚间公告称，7月6日，公司与海思半导体在深圳签订了合作备忘录。劲拓股份称，双方旨在加大半导体封装设备领域的合作，解决卡脖子问题，实现产业自主可控。7月7日午间收盘，劲拓股份以19.99％的涨幅涨停。劲拓股份牵手海思半导体7月6日晚间，劲拓股份公告称，公司与深圳市海思半导体有限公司签订了《海思劲拓合作备忘录》，协议签订时间为2021年7月6日，协议签订地点为深圳市。海思半导体是华为旗下公司。7月5日，劲拓股份在互动易表示，公司在电子热工、光电显示、半导体热工等专用设备方面，与华为均有不同程度的合作。7月6日，劲拓股份公告称，备忘录的签订代表劲拓在热工领域的能力得到海思认可，双方建立紧密的战略合作关系，将推动劲拓快速打造半导体热工设备研发平台，持续实现半导体产业链中系列设备的国产化。此次合作给劲拓带来积极影响，符合公司及股东的利益。劲拓股份还表示，合作备忘录对公司的业务独立性不构成影响，对公司本年度经营业绩的影响需视协议各方后续具体合作协议的签订和实施情况而定。备忘录仅为战略框架性协议，属于各方合作意愿和基本原则的框架性、意向性的约定，不涉及具体金额，签订程序无需提交公司董事会和股东大会审议。从海思来看，今年4月，在2021年华为全球分析师大会上，华为轮值董事长徐直军回答“海思未来营运模式”时坦言，首先，海思研发的任何芯片现在没有地方能够生产加工。第二，海思对于华为来讲，只是一个芯片设计部门，所以华为对它没有盈利的诉求。“现在我们就是养着这支队伍，继续向前，只要我们养得起。当然，这支队伍可以不断地做一些研究、技术的开发、技术的积累，为未来做一些准备。”徐直军说。部分半导体热工设备批量交货据了解，劲拓股份主要从事专用设备的研发、生产、销售和服务，主要产品按大类可以划分为电子整机装联设备、光电平板（TP/LCD/OLED）显示模组生产专用设备等。公司业务层面推行事业部制，公司共有3个业务事业部，分别为热工电子事业部、封装事业部和DAS事业部，其中热工电子事业部负责公司电子整机装联业务，封装事业部和DAS事业部负责公司光电平板（TP/LCD/OLED）显示模组相关业务。劲拓股份2021年一季报显示，公司一季度实现营收2.15亿元，同比增长11.70％。公司主要产品覆盖电子焊接类设备、智能机器视觉检测设备、光电平板（TP/LCD/OLED）显示模组生产专用设备。据悉，在此次官宣与海思达成战略合作之前，劲拓股份在半导体热工领域已经实现一定的积累。7月5日，劲拓股份在深交所互动易回复投资者提问时曾表示，公司开发半导体热工相关设备已有很长一段时间，因受保密协议限制且未达到披露标准，未予披露。目前部分半导体热工设备已上线并批量交货。值得关注的是，近日，劲拓股份刚刚完成了董事长的更换，并披露了董监高增持计划。6月28日晚间，劲拓股份公告，公司董事会同意选举徐德勇为公司第四届董事会董事长，补选徐德勇为第四届董事会战略委员会主任委员和召集人。根据《公司章程》等相关规定，董事长为公司法定代表人，公司法定代表人将变更为徐德勇。6月28日晚间，劲拓股份公告称，公司董监高计划自6个月内通过二级市场集中竞价或相关法律法规允许的其他方式增持公司股份，增持金额合计不少于1000万元，不高于2000万元，增持计划价格区间为不高于22元/股。

据天眼查显示，粤芯半导体技术股份有限公司近日取得一项名为“一种半导体器件中的互连金属的沉积方法”的专利，授权公告号为CN117127154B，授权公告日为2024年8月6日，申请日为2023年10月16日。背景技术在集成电路制造工艺中广泛应用互连金属进行金属薄膜沉积，以形成互连结构，从而连接前道工艺产生的不同功能区。但是，使用含有硅的金属进行金属沉积时，由于铝硅互溶且硅在铝中的溶解度较大，硅易通过扩散效应进入金属铝中，同时铝会回填到硅扩散所形成的孔隙中，因而在铝硅接触区形成“尖峰”，易导致器件短路，常通过在铝中掺入硅和铜形成铝硅铜合金(AlSiCu)以强化互连金属的可靠性、提高器件性能。由于在各个温度下硅在铝中的固溶度不同，高温下硅更加溶于铝，从而在沉积过程中为了防止硅析出而在高温情况下沉积铝硅铜，而持续的高温沉积则会增大金属沉积薄膜的晶粒尺寸，影响后续的薄膜刻蚀工艺，严重时也会造成薄膜刻蚀后的残留等问题，影响集成电路的器件性能。发明内容本申请提供了一种半导体器件中的互连金属的沉积方法，其中，该方法包括：在待沉积衬底的表面上按照第一预设沉积条件执行互连金属的第一次沉积操作，以得到在所述待沉积衬底的表面上沉积的第一沉积层，第一预设沉积条件用于限制第一沉积层的互连金属的晶粒尺寸；在所述第一沉积层的表面按照第二预设沉积条件执行互连金属的第二次沉积操作，以在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层，第二预设沉积条件用于限制沉积过程中互连金属的原子迁移率及沉积速率；在所述第二沉积层的表面按照第三预设沉积条件执行互连金属的第三次沉积操作，以在所述第二沉积层的表面沉积的第三沉积层，第三预设沉积条件用于限制沉积操作形成的沉积层厚度及沉积速率。

8月3日，地产行业上市公司皇庭国际突然宣布跨界并购半导体公司——德兴市意发功率半导体有限公司（以下简称“意发功率”）。公告显示，皇庭国际下属全资子公司皇庭基金与意发产投基金的部分合伙人德兴产融基金管理有限公司、杨仲夏达成转让协议。转让方拟将其持有的全部份额（实缴出资额4600万元，占意发产投基金实缴总金额的20%）全部转让给皇庭基金。意发产投基金持有意发功率的股权比例为 66.6667%，交易完成后，皇庭基金将成为意发产投基金的执行事务合伙人及管理人，并持有对意发产投基金的实缴出资份额人民币4600万元（占意发产投基金实缴总金额的20%）。本次收购完成后，皇庭国际将通过意发产投基金间接持有意发功率的股权。意发功率成立于2018年，是江西省第一家芯片制造公司，也是江西省政府2018年度招商引资的实施主体。公司主要从事功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、制造及销售，具备从芯片设计、晶圆制造到模组设计一体化的能力。公司产品广泛应用于工控通信、工业感应加热、光伏发电、风力发电、充电桩和新能源车等领域。其战略发展规划是稳定现有白色家电类功率半导体产业，积极开拓已被客户认可的光伏发电市场，并利用现有的充放电功率半导体的技术积累，积极拓展充电桩控制芯片、电动车控制芯片业务。截至3月31日，皇庭国际账面货币资金仅为3743万元。此外，公司目前拖欠中信信托27.5亿元的借款逾期未还。对于此次收购，皇庭国际表示，在功率半导体行业快速发展的大背景下，意发功率将迎来巨大的发展空间。本次收购是公司围绕“商管+科技”发展战略布局半导体行业的第一步，有助于公司形成新的业务。未来，公司将以意发功率半导体为基础，通过扩大再生产、产业链上下游的延伸等多种途径，提高上市公司盈利能力。同花顺（300033）金融研究中心8月5日讯，有投资者向皇庭国际（000056）提问， 董秘你好，请问公司的收购为什么要选择这个功率半导体公司，有没有长远的发展计划？公司回答表示，尊敬的投资者，您好！1、公司于2021年8月4日发布了公告《关于收购德兴市意发功率半导体有限公司股权的公告》，本次收购意发功率半导体公司主要是为推动公司战略转型，是公司围绕“商管+科技”发展战略布局半导体行业的第一步。公司做出上述决策，是综合考量行业发展及自身情况等多种因素后，做出的慎重选择。2、功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，是重要且不可替代的基础性电子产品，广泛应用于国民经济建设的各个领域。受益于新能源汽车、光伏/风电、5G基站、特高压、城际铁路、智能家电等行业的快速发展，功率半导体行业将迎来新的景气周期。3、意发功率半导体公司是一家集设计、生产集销售于一体的IDM模式的半导体公司，公司在技术、产品、客户等方面具有较强的竞争优势，且公司晶圆生产线已经投产，目前正处于产能爬坡的阶段，预计明年将进入满产状态。经过与意发半导体公司的多次、深入洽谈后，公司认为意发功率是一家非常理想的合作方。4、除本次收购外，公司还在与意发功率其他股东就股权收购及合作事宜进行沟通，后续根据相关谈判的进展，公司将及时履行审议及信息披露义务。未来，公司将以意发功率半导体为基础，通过扩大再生产、产业链上下游的延伸等多种途径，稳步深耕功率半导体业务，提高上市公司盈利能力。5、感谢您的关注。

每个人都想拥有“充电五分钟，通话两小时”的理想手机。而这个简单的“理想”却代表着对电子产品中半导体材料和器件性能的极致追求。手机里芯片快速数据运算过程和电池能量存储过程都发生在只有头发丝直径万分之一的纳米尺度下，而这些过程会影响到产品的工作稳定性和服役寿命。　　研制高效绿色能源器件和低功耗信息功能器件，亟待从纳米尺度深入研究和理解材料结构与器件性能之间的构效关系，阐明纳尺度多场耦合条件下材料的性能退化与损伤机理、器件的功能退化与失效机理。　　近年来，围绕这一前沿基础科学问题，北京科技大学材料科学与工程学院教授、中国科学院院士张跃团队在国家重大科研仪器研制项目(自由申请)的支持下，开展了“纳尺度多场耦合效应的原位表征系统”研制工作。　　日前，项目顺利通过结题验收，该仪器的成功研制，将实现对半导体材料在服役过程中各项指标的原位监测。研制过程中，科学家率先实现了在超高真空、极低温、多波段光谱入射采集、纳牛级应力精确加载等条件下，材料微观原子结构、界面能带结构、器件电学性能的跨尺度原位表征，填补了纳尺度多场耦合原位表征技术的空白。张跃院士(中)、张铮教授(左)与项目组成员在工作中。(研究团队供图)　　以国家需求为牵引　　在材料科学领域，材料的服役行为研究并不陌生，包括澄清服役环境中材料的损伤机理、认识其损伤动力学过程、评价工程结构的安全性与服役寿命、发展延长寿命的技术等。　　过去几十年来，研究者已经在金属材料体系中建立起成熟的材料服役研究和表征方法，监测其服役过程中的各项指标，从而对材料的服役可靠性进行精准判断。　　但是，针对半导体材料服役行为的研究却面临较大挑战。据研究人员介绍，一方面，随着芯片集成度提升，半导体器件中材料越来越小，如今单个晶体管核心结构单元的尺寸小于10纳米 另一方面，随着可穿戴设备和便携设备的发展，半导体材料与器件的工作环境越来越复杂，冷热交替、潮湿、弯折与柔性等环境都对材料和器件有了更加严苛的要求。他们意识到，建立能在多场耦合服役条件下针对低维半导体材料的结构和性能演变规律进行原位研究的方法与技术手段，对研制下一代半导体材料与器件尤为重要。　　与此同时，国家未来发展对于下一代半导体材料与器件也有重大现实需求。在这样的背景下，研究团队决定自主研制一台新仪器，以在纳尺度多场耦合效应下进行半导体材料和器件性能调控与服役行为原位科学研究。　　2016年，在国家自然科学基金资助下，国家重大科研仪器研制项目(自由申请)“纳尺度多场耦合效应的原位表征系统”正式立项。　　研究人员向《中国科学报》介绍，研制这一新仪器的难点在于，通过多物理场耦合模拟半导体材料和器件的实际工作条件，从纳尺度原位揭示半导体材料与器件界面载流子输运行为与调控规律。同时，通过材料结构和界面的精细设计，提高半导体器件性能，设计构筑低功耗、高性能的半导体器件，研究建立纳尺度下半导体材料与器件的服役行为研究方法与评价标准。　　“研以致用”的实践精神　　项目执行的5年中，研究团队坚持设计、制造、研究、验证协同的全链条研究思想，直面建立微纳尺度结构与宏观器件性能之间的关联性这一重大挑战，陆续攻克和解决了多项关键科学和技术难题。　　据了解，科研团队始终坚持“研以致用”的工作作风，以应用为导向开展科学研究。　　“材料研究不能仅仅停留在‘测一条曲线’上，坚持往前多想一步、争取多做一步，是我们团队多年养成的研究习惯。”项目团队成员、北京科技大学材料科学与工程学院教授廖庆亮介绍说。　　正是在“多一步”思想的指引下，研究团队周密布局、仔细论证、充分验证，把每一分钱都花在刀刃上。项目启动之初，研究团队就组建了由业内顶尖专家组成的咨询组，严格把关项目进度和研制方案。　　同时，他们走访了30多家国内外生产表征仪器设备的企业和机构，寻求从科学研究到实际应用的经验。同时，充分发挥现有研究平台的作用，遵循模块化设计理念，分模块、分功能逐一验证，陆续研制了多台套功能验证装置，逐个测试了装置和功能的可行性、验证方案的合理性，最终经过多轮论证，形成了系统的研究方案。　　具体而言，根据这套设备的目标，研究团队设计了超高真空低温探针、共聚焦激光耦合、设备监控与信号测量等三个子系统。　　其中，“超高真空多功能低温探针”“多通道样品台和多功能探针联动耦合系统”“下沉式杜瓦和针阀制冷系统”“三段调节的共聚焦耦合光路”等多项国际领先的“黑科技”，把各项指标做到了极限。　　“设备的真空水平实现了10-8Pa的超高真空，温度达到4K的极低温环境，可以模拟太空中地月之间的真空和温度水平，为开展空天探测用半导体材料与器件研究提供了良好的研究平台。”项目团队成员、北京科技大学材料科学与工程学院教授张铮介绍。　　此外，该团队还格外注重设备研制的通用性。据了解，这套系统能够广泛应用于能源、电子、传感等领域的功能器件在多场耦合条件下关键结构单元的演变规律和性能调控方法的研究。　　用“工匠精神”死磕　　“要做世界领先、功能完备、性能最优先的设备，而不仅仅是完成指标要求。”项目启动之初，团队就立下了“军令状”。　　为了让先进的科研仪器能够真正用起来，研究团队除了要提出原创的科学思想外，还要直面许多工程和技术难题。为此，他们在可借鉴经验较少的情况下，以兢兢业业的“工匠精神”“死磕”这些难题。　　项目团队成员、北京科技大学材料科学与工程学院教授康卓介绍，要表征电子输运行为如何受到外加物理场耦合的影响，必须同时布局力、热、光、电等多个外加物理场的发生装置及相应的表征与测量装置。而在狭小空间中，多个装置互相干扰问题、光路与探针的空间分配问题、超高真空中装置稳定与兼容问题等是最大挑战。为此，项目组通过设计下沉式的制冷装置、多通道样品台和多功能探针系统，巧妙地解决了多路信号同时采集的问题。　　摆在项目组面前的另一个重大挑战是光路的耦合问题。在对材料进行光学表征时，需要将一束激光打到材料表面，让其发生变化，然后形成反射光。从科学原理上，要求这两束光走一条严格准直的光路，最终从激光源发出、经样品反射、到达探测器上，才能实现表征。　　“对于我们的设备而言，在被检测材料所处的环境中，一束激光需要穿过10个反射镜组成的光路调节镜组、1个直径为1.5厘米的石英玻璃窗口、3个垂直排列的直径小于1厘米的屏蔽舱顶盖，最后准确抵达直径为0.5厘米的物镜后焦面光心，整个光路距离将近1米。在这个距离实现两束激光的准直，就好像一个神枪手在打靶，光路每偏转0.1度都会导致入射和反射光出现巨大偏差。”康卓介绍说。　　为了解决这一问题，项目组前后设计了十余套解决方案，从全手动目视调节到成像辅助调节，设计了水平自由度的精确位置控制平台，建立了分步调节方法，最终完美解决了光路耦合的重大问题。　　2020年项目接近尾声，突遇新冠疫情袭来，研制进度受到了严重影响。为了赶工期，研究团队的老师和学生们加班加点。“早上一大早就来跟设备‘报到’，晚上深更半夜才回家睡个觉，基本上日夜都和设备呆在一起。”张铮和同事开玩笑，“这台设备就是我的‘孩子’。”　　在研究团队的共同努力下，该设备最终按期完成任务指标要求。在2021年5月国家自然科学基金委工程与材料科学部组织的结题验收中，专家组一致认为该项目“全面完成计划，研究工作取得突出进展”，综合评价为“优秀”。　　面向未来，研究团队表示，目前的设备仅是1.0版本，在调试和使用的过程中，设备从系统、软件、硬件等多方面将不断简化、优化，经过几年时间的调试，有望达到成果转化需求。　　他们期待，该设备能为研制低功耗晶体管、高效率光电转换器件、自驱动可穿戴人工智能传感器件等提供技术支撑。

半导体业务中的典型供应链， 显示了需要材料表征、材料选择、质量控制、工艺优化和失效分析的不同工艺步骤热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常，工程师将面临以下问题：特定化合物的工艺窗口是什么？如何控制这个过程？优化的固化条件是什么？如何缩短循环时间？珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。差示扫描量热法(DSC)此项技术最适合分析环氧树脂的热性能，如图1所示。测量提供了关于玻璃化转变温度(Tg)、固化反应的起始温度、固化热量和工艺最终温度的信息。图 1. DSC曲线显示环氧化合物的固化特征DSC可用于显示玻璃化转变温度，因为它在给定温度下随固化时间（图2）的变化而变化。图 2. DSC 曲线显示玻璃化转变温度随着固化时间的延长而逐渐增加玻璃化转变温度(Tg)是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。事实上，过程工程师可以通过绘制玻璃化转变温度与不同固化温度下固化时间的关系图来确定最适合特定环氧化合物的工艺窗口（图3）。图 3. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系如果工艺工程师没有测试这些数据，则生产过程通常会导致产品质量低下，如图4所示。图 4. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系在本例中，制造银芯片粘接环氧树脂使用的固化条件处于玻璃化转变温度与时间的关系曲线的上升部分（初始固化过程）。在上述条件下，只要固化时间或固化温度略有改变，就有可能导致结果发生巨大变化。结果就是组件在引脚框架和半导体芯片之间容易发生分层故障。通过使用功率补偿DSC（例如珀金埃尔默的双炉DSC），生成上述玻璃化转变温度与温度 / 时间关系曲线，可确定最佳工艺条件。使用此法，即使是高度填充银芯片粘接环氧树脂的玻璃化转变也可以被检测出。这些数据为优化制造工艺提供了极有帮助的信息。使用DSC技术，可以将固化温度和时间转换至160° C和2.5小时，以此达到优化该环氧树脂固化条件的目的。这一变化使过程稳定并获得一致的玻璃化转变温度值。在珀金埃尔默，DSC不仅被用于优化工艺，而且还通过监测固化产物的玻璃化转变温度值，发挥质量控制工具的作用。DSC 8000 差示扫描量热仪DSC 还可以用于确定焊料合金的熔点。用DSC分析含有3%（重量比）铜(Cu)、银(Ag)或铋(Bi)的锡合金。图5中显示的结果表明，不同成分的合金具有非常不同的熔点。含银合金在相同浓度（3%（重量比））下熔点最低。图 5. DSC：不同焊接合金在不同湿度环境下的熔点分析热重分析(TGA)珀金埃尔默热分析仪有助于设计工程师加深对材料选择的理解。例如，珀金埃尔默TGA 8000® （图6）可以检测出非常小的重量变化，并可用于测量重要的材料参数，如脱气性能和热稳定性。这将间接影响组件的可焊性。图7显示了在230°C 和260° C下具有不同脱气性能的两种环氧树脂封装材料。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。图 6. 珀金埃尔默TGA 8000图 7. TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能热机械分析(TMA)当材料经受温度变化时，TMA可精确测量材料的尺寸变化。对于固化环氧树脂体系，TMA可以输出热膨胀系数(CTE)和玻璃化转变温度。环氧树脂的热膨胀系数是非常重要的参数，因为细金线嵌入环氧化合物中，并且当电子元件经受反复的温度循环时，高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度（图8）。TMA还可以用于确定塑料部件的软化点和焊料的熔点。图 8. 显 TMA 4000 测试的典型的 TMA 图动态力学分析(DMA)选择材料时，内部封装应力也是关键信息。将DMA与 TMA技术结合，可以获得关于散装材料内应力的定量信息。DMA测量材料的粘弹性，并提供不同温度下材料的模量，具体如图9所示。当材料经历热转变时，模量发生变化，使分析人员能够轻松指出热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化。图 9. DMA 8000 测试的典型的 DMA 图热分析仪用于ASTM® 和IPC材料标准试验、质量控制和材料开发。图10显示了一个涉及热分析仪的IPC试验。珀金埃尔默DMA目前已在半导体行业得到广泛应用。图 10. DMA：显示透明模塑化合物的内应力热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述（图11）。使用珀金埃尔默热分析仪，用户可以优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。考虑到此类分析可以节省大量成本，热分析仪无疑是一项“必备”试验设备！图 11. 用于标准方法的热分析仪

p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 同花顺（300033）金融研究中心8月4日讯，有投资者向精测电子（300567）提问， 董秘你好，我们知道贵公司所属半导体、显示、新能源检测系统，未来发展前景很好。那我们很想知道公司的半导体检测设备产品定位如何，公司的半导体在细分行业中是否俱有可持续的竞争力，公司的企业模式是什么？谢谢 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 公司回答表示，目前公司已基本形成在半导体检测前道、后道全领域的布局，具体请查阅公司已披露的年报；未来公司将继续加大在半导体领域的投入，不断努力实现技术及产品的突破，以期在新的领域取得更好销售实绩参与市场竞争。公司生产模式是以销定产，谢谢！ br/ /p p br/ /p

日本经济产业省（以下简称为：“经产省”）于3月31日提出了计划“新增23类禁止出口的尖端半导体生产设备”的政令，并计划在今年五月修改政令、7月份正式实施。如今正处于收集公众意见(Public Comment)的阶段。当日本企业向不属于“一般许可（General License）”对象范围的同盟国、友好国家的地区和国家出口相关半导体设备时，需要单独申请、获得政府的许可。在当日的记者招待会上，经产省西村大臣明确表示：“这不是一项针对某个国家的政令”、“这不是紧跟美国步伐的政令”、“并不是完全禁止出口，在调查了出口对象明确没有军事用途的可能性后，也可以予以出口许可”。但西村大臣的发言明显没有得到相关人员的认可。据日本经产省表示，日本东京电子株式会社、尼康株式会社、SCREEN株式会社、Lasertec株式会社等十家尖端半导体生产设备厂家、检测设备厂家会成为此次政令影响的对象，“对日本半导体设备厂家的影响很轻微”（经产省）。日系各半导体生产设备厂家已经开始详细调查本公司哪些设备属于限制范围、以及对业绩的影响程度如何。但是，有声音指出日本产经省的法律文书难以理解，该文书虽然涵盖了详细的相关技术的细节，但文书晦涩难懂，此外，还涵盖了一些非尖端技术相关的内容。于是，笔者按照半导体的制程，对23个品种（实际上是30类，不仅包含设备，还包含半导体制程中的护膜（Pellicle）类）进行了分类。本文笔者的记录顺序不同于日本经产省的记录顺序。热处理相关（1类）在0.01Pa以下的真空状态下，对铜（Cu）、钴（Co）、钨（W）（任何一种元素）进行回流（Reflow）的“退火设备（Anneal）”。检测设备（1类）EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的检测设备、或者“带有线路的掩膜”的检测设备。曝光相关（4类）1.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）。2.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产设备。3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备（Coater Developer）。4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下）。（按照笔者的计算，尼康的ArF液浸式曝光设备属于此次管控范围，干蚀ArF以前的曝光设备不在此范围。）干法清洗设备、湿法清洗设备（3类）1.在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备。2.在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（Dry Etch）的多反应腔(Multi-chamber)设备。3.单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥）。蚀刻（3类）1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching)设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的设备；属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀设备，且含高频脉冲输出电源，以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备。2.湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上。3.为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备。成膜设备（11类）1.如下所示的各类成膜设备。*利用电镀形成钴（Co）膜的设备。利用电镀形成钴（Co）膜的设备。利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备。在同一个腔体（Chamber）内进行多道工序，形成金属接触层（膜）的设备、氢（或者含氢、氮、氨混合物）等离子设备、在维持晶圆温度为100度一一500度的同时、利用有机化合物形成钨（W）膜的设备。可保持气压为0.01Pa以下真空状态（或者惰性环境）的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备：（1）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用溅射工艺，形成钴（Co）层膜的工艺。（3）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜的工艺。利用以下所有工艺形成铜线路的设备。（1）在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜、或者钌（Ru）层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用PVD技术，形成铜（Cu）层膜的工艺。利用金属有机化合物，有选择性地形成阻障层（Barrier）或者Liner的ALD设备。在保持晶圆温度低于500度的同时，为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙（空隙的宽度和深度比超过五倍，且空隙宽度为40纳米以下），而填充钨（W）或者钴（Co）的ALD设备。2.在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备。3.在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备。4.“空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）”，以下皆属于限制范围。（1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体（Plasma Shield）”或相关技术手法。5.可在400度一一650度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基(Radical)产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制出口范围：（1）相对介电常数（Relative Permittivity）低于5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下。6.利用离子束（Ion Beam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备。7．用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在685度以下的设备。8.可利用等离子技术，形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的设备。9.可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个）的设备。10.为了不在金属线路之间（仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米）产生间隙，利用等离子形成相对介电常数（Relative Permittivity）低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜设备。11.在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火设备，通过再回流（Reflow）铜（Cu）、钴（Co）、钨（W），使铜线路的空隙、接缝最小化，或者使其消失。据日经报道，针对这个公告，日本一家大型半导体制造设备生产企业的相关负责人感到困惑，他表示：“我们做出了各种各样的设想，但比预想的更难理解”。生产超微细加工使用的“EUV曝光”相关检测设备的Lasertec指出，“如何操作还存在不明朗的部分”，“将从相关省厅和业界团体等收集信息，采取应对措施”。英国调查公司Omdia的南川明指出：“各企业的模式不同，详查设备是否用于尖端产品是一项非常繁杂的工作”，并表示“日本厂商有可能会根据自己的判断停止业务”。考虑到日本在设备领域的影响力，这个限制带来的影响值得我们高度重视。作者：张竞扬-摩尔精英CEO链接：https://xueqiu.com/4927163759/246457921来源：雪球著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。风险提示：本文所提到的观点仅代表个人的意见，所涉及标的不作推荐，据此买卖，风险自负。

半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。针对于此，仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。以下为本次大会中相关仪器技术类报告合集：报告合集报告：半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond报告人：Waters -TA部门TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数，决定了材料的稳定性和最终使用性能，报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。报告：牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 应用科学家 王汉霄报告：如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家 刘志文【摘要】 近几年，由于化合物半导体行业的飞速发展，其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜（AFM）是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中，主要用AFM从表面结构，力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量，涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等，从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。报告：海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用报告人：海洋光学 资深技术&应用专家 卢坤俊【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。报告：布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用 报告人：布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师 陈剑锋【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展，促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构，能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料，结构，性能的研究，测试，表征等方面的依赖性也变得越来越高，布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试，失效分析，产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展，本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用，让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。报告：聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟报告人：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工，由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势，成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加，对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段，分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。报告：雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用报告人：雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理 王志芳【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起，包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质，并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势，可以同时获得静态及动态变化中的结构信息，已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例，同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名

近日有投资者在互动平台就大族激光是否有切割碳化硅的技术与设备，以及已量产的第三代半导体设备进行了提问。大族激光表示公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。有数据显示，大族激光今年上半年实现营业收入69．37亿元，营业利润6．82亿元；归属于母公司的净利润6．31亿元，扣除非经常性损益后净利润6．07亿元。其中半导体及泛半导体行业晶圆加工设备业务实现营业收入7．17亿元。今年5月份，大族激光的全资子公司大族半导体发布了激光切片（QCB技术）新技术，并同时发布了两款全新设备：SiC晶锭激光切片机（HSET－S－LS6200）、SiC超薄晶圆激光切片机（HSET－S－LS6210）。其产品性能非常优越，以切割2cm厚度的晶锭，分别产出最终厚度350um，175um和100um的晶圆为例，QCB技术可在原来传统线切割的基础上提升分别为40％，120％和270％的产能。据悉，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021－2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。第三代半导体材料是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例，碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以显著降低开关损耗。 因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，用于智能电网、新能源汽车等行业。

8月30日，据上交所科创板上市委2021年第59次审议会议结果公告显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司（下称“屹唐半导体”）科创板IPO首发过会。屹唐半导体是一家总部位于中国，以中国、美国、德国三地为研发、制造基地，面向全球经营的半导体设备公司，主要从事集成电路制造过程中所需晶圆加工设备的研发、生产和销售，面向全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。屹唐半导体的产品已被多家全球领先的存储芯片制造厂商、逻辑电路制造厂商等集成电路制造厂商所采用，服务的客户全面覆盖了全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。截至2020年12月31日，屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3,700台并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner统计数据，2020年公司干法去胶设备、快速热处理设备的市场占有率分别位居全球第一、第二。技术研发方面，屹唐半导体在集成电路制造使用的干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备领域掌握了双晶圆真空反应腔设计、双晶圆反应腔真空整合传输设备平台设计、电感耦合远程等离子体源设计、远程等离子体源电荷过滤装置、晶圆双面辐射加热快速热退火技术、晶圆表面局部温度均匀度调节技术等核心技术。截至2021年5月31日，屹唐半导体拥有发明专利309项，并承担国家重大科研项目/课题。屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产；干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。未来规划上，屹唐半导体表示，公司将致力于成为国际领先的集成电路设备公司，将持续为集成电路制造环节提供更先进处理能力和更高生产效率的集成电路专用设备。在未来的发展中，公司将持续践行实施国际化经营、注重研发投入、拓展产品和客户、优化供应链、注重人才培育和激励、完善公司知识产权保护、实施外延式并购等战略规划。

3月10日，美国国务卿吉娜雷蒙多（Gina Raimondo）与印度商业和工业部长皮尤什戈亚尔（Piyush Goyal）共同宣布了一项美印谅解备忘录（MOU），该备忘录将建立半导体供应链和创新伙伴关系。该谅解备忘录是在重新启动美印商业对话时宣布的，将专注于清洁能源以及半导体供应链。国务卿从三月起就在新德里。5-10在那里，她会见了印度总理纳伦德拉莫迪，出席了美印首席执行官论坛，并与印度官员举行了几次重要的双边会议。 “随着我们两个伟大的国家都在寻求建立更强大、更安全的供应链，特别是在半导体领域，该谅解备忘录将在我们两国之间建立一个关于半导体供应链弹性和多样化的合作机制，并将致力于在美国和印度创造经济机会，”雷蒙多部长在一次语句中。“这是我们两国半导体激励计划协调的重要一步，将加强双方的优先事项，包括促进商业机会、研发以及人才和技能发展。”首先，印度国防部长辛格在雷蒙多的家中接待了她，以庆祝一年一度的印度教节日胡里节。其他几位印度官员也参加了庆祝活动。“一个充满色彩、欢乐和光明的一天，”雷蒙多说。“愿我们在继续加强印度和美国之间的纽带时，把它带在身边。”本周晚些时候，雷蒙多部长会见了印度总理莫迪他们讨论了美印首席执行官论坛和美印商业对话，以及新的战略贸易对话和美印半导体供应链和创新合作谅解备忘录 在美印首席执行官论坛上，雷蒙多强调了拜登政府对美印关系的重视，并强调了深化两国商业关系的重大机遇。美国-印度首席执行官论坛是由雷蒙多部长和印度工商部长戈亚尔于2022年11月在两国领导人会晤期间软启动的。会议期间，他们确定了提高供应链弹性的关键优先事项；确保能源安全和减少总体温室气体排放；推进包容性数字贸易；促进大流行后的经济复苏，特别是小企业的经济复苏。在访问期间，雷蒙多部长还与印度电子和信息技术部长等多位部长举行了双边会晤。Ashwini Vaishnaw，外交部长Dr. S. Jaishankar，财政部长Nirmala Sitharaman，教育和技能发展与创业部长Dharmendra Pradhan，和印度国家安全顾问阿吉特多瓦尔。在这些会议上，部长讨论了共同感兴趣的关键领域，包括印度-太平洋经济繁荣框架、半导体和供应链弹性。上个月，印度-太平洋经济框架特别谈判在新德里成功举行，美国商务部高级官员参加了这次谈判。

半导体材料作为半导体产业链中的重要支撑，包括以硅、锗等为代表的元素半导体材料和以砷化镓、磷化铟、碳化硅和氮化镓为代表的化合物半导体材料，广泛应用于通讯、计算机、消费电子、汽车电子以及工业应用等众多产业。 半导体材料的发展和进步离不开先进的材料表征技术支撑。HORIBA作为检测及分析技术的领先供应商，可为半导体产业提供多种分析及检测技术。在材料表征技术方面，可为半导体材料研发及QC提供多种分析技术，包括薄膜厚度测量、晶型、应力、器件结温、缺陷、杂质、元素含量以及CMP研磨液粒径表征等；在制程监控环节， HORIBA可提供质量流量控制、化学药液浓度监测、终点检测及光掩模颗粒检测等技术。本次仪器信息网特采访了HORIBA Scientific 科学仪器事业部大客户经理熊洪武先生，请他分享了HORIBA在半导体材料检测方面的技术与解决方案。HORIBA Scientific 科学仪器事业部大客户经理 熊洪武熊洪武先生现任HORIBA Scientific 工业销售经理。进入分析仪器行业10年，负责HORIBA光栅光谱仪技术咨询和系统应用支持多年，对光谱测量系统选择有丰富的经验，具有光致发光光谱、拉曼光谱和荧光光谱等相关技术的应用经验。现主要负责HORIBA科学仪器在半导体等工业领域的应用推广工作。1、 请问贵司面向半导体行业用户推出了哪些仪器产品及相关检测方案？HORIBA针对半导体用户推测了多种检测方案，涉及到半导体的外延薄膜厚度及缺陷，衬底材料晶型，表面残余应力，器件结温，元素含量，多量子阱元素深度剖析以及CMP抛光液粒径分布检测等技术。仪器技术名称在半导体材料中的应用HORIBA仪器特点HORIBA推荐型号椭圆偏振光谱仪薄膜厚度、折射率、消光系数测量SiO2, SiNx等薄膜厚度测量，光刻胶等材料折射率消光系数PEM相调制技术的高稳定性高灵敏度可测量透明基底上的超薄膜UVSEL Plus拉曼光谱仪晶型、应力、温度、载流子浓度以及异物等分析；硅薄膜晶化率、SiC晶型、功率器件结温等，二维材料层数、晶格取向、缺陷以及掺杂等表征高光谱分辨率高空间分辨率宽光谱范围LabRAM Odyssey光致发光光谱仪带边发光/缺陷发光分析外延层质量及均匀性分析可选时间分辨光致发光（TRPL）研究载流子弛豫及扩散模块化结构设计可按需配置高光谱分辨率宽光谱范围SMS低温光致发光光谱仪测量硅单晶中硼、磷、铝、砷的元素含量超高光谱分辨率超低检测下限可提供定量标准曲线PL-D阴极荧光光谱仪缺陷检测，光强成像评价缺陷密度如线位错掺杂、杂质、包含物分析高效光学收集镜模块化光谱仪宽光谱范围探测H-CLUEF-CLUE辉光放电光谱仪元素含量随深度变化剖析LED多量子阱元素含量随深度剖析分析速度快操作简单无需制样GD Profiler 2碳硫分析仪 / 氧氮氢分析仪重掺硅中氧含量测量靶材中碳硫、氧氮氢元素含量测量清扫效率高高检测精度EMIA seriesEMGA series显微X射线荧光异物杂质分析、金属涂层厚度或凸点元素分析，封装布线中的离子迁移、缺陷、短路分析等高空间分辨率半真空模式XGT-9000激光粒度仪 / 纳米粒度仪CMP抛光液粒径分布及Zeta电位测量硅片切削液粒径分布测量全自动检测效率高可提供在线测量方案LA-960V2SZ-100V2离心式纳米粒度分析仪CMP抛光液高分辨率粒度分布测量可捕捉少量的杂质或团聚体高分辨率测量粒径分布制冷功能保持样品恒温CN-3002、 这些仪器主要解决半导体行业中的哪些问题？（相关检测项目在半导体行业中的重要意义）以椭圆偏振光谱仪为例，可以准确测量12寸硅晶圆上SiO2超薄膜的厚度，还为研发ArF光刻胶提供折射率消光系数的测量等，为国产替代材料的研发提供准确的标准工具；而拉曼光谱仪则可为功率半导体研究提供如衬底晶型鉴别，应力大小及分布测量以及功率器件结温测试等，在二维材料方面，由于其独特的特性，有望突破硅基器件面临的“瓶颈”而受到重视，拉曼光谱在二维材料层数、晶格取向、缺陷以及掺杂等表征方面发挥着重要作用；在光致发光（PL）方案中，除了提供常用的常温PL测量材料缺陷及均匀性外，还可以提供低温PL检测硅单晶中低至ppta级的P，B，Al，As元素的浓度，可为电子级多晶硅生产厂商的超低杂质含量检测提供有力手段；在元素表征方面，HORIBA拥有碳硫、氧氮氢分析仪，可为靶材元素分析、硅片中氧含量测量提供高灵敏的检测手段，辉光放电光谱仪（GD-OES）可为多量子阱结构元素深度剖析提供快速测量手段，而显微X射线荧光分析仪，可以为半导体封装过程中的狭窄图案涂层测厚或凸点元素成分分析，以及集成电路封装布线中的离子迁移、缺陷、短路分析等提供高空间分辨率的元素分布检测，同时在半导体生产过程中的异物分析过程中也发挥着不可或缺的作用。3、 贵司的仪器产品和解决方案具有什么优势？（原理、技术、成本、精度等方面的优势）以光谱仪类测量仪器为例，HORIBA是多种焦长光谱仪的供应商，可以覆盖从低到高光谱分辨率的应用需求，比如拉曼光谱仪和光致发光光谱仪拥有多种型号，满足各种光谱分辨率需求的应用。以拉曼光谱测量半导体材料应力和器件结温为例，光谱的峰位变化往往非常小，那么光谱分辨率越高，对峰位的定位就越准确，有助于区分微小的拉曼峰位位移；对低温PL测量硼、磷、铝、砷元素含量，光谱分辨率越高，对相邻的峰就越容易分开，尤其是在测量铝和砷元素浓度时，对光谱分辨率要求非常高，需要采用长焦距光谱仪以达到超高光谱分辨率的要求。4、当前，国内半导体用户是否对某类仪器提出了更高的技术要求（可举例说明）？贵司对此是否有相关应对之策？随着集成电路技术的进步和先进制程节点的推进，CMP工艺在集成电路中使用的使用也越来越多，对CMP材料种类和用来也在增加，并且对CMP抛光液材料也提出了更高的要求，例如对一些金属氧化物的纳米颗粒研磨液中的颗粒粒径分布，采用传统的粒度仪难以进行高精度的测量，而HORIBA推出的离心式纳米颗粒度分析仪CN-300是按粒径大小离心分类后进行测量的，可以一次测量就能得到宽范围的高精度结果，并且由于其高分辨率可以捕获到少量的杂质颗粒，这对应更高要求的CMP研磨液的研发来说极为重要。5、贵司当下比较关注的细分材料领域有哪些，是否会推出相关的仪器产品或解决方案？可以为用户解决什么科研难题？ HORIBA科学仪器部门当前比较关注的半导体细分材料领域主要在两个方面：一个是在工业应用中的大硅片、光刻胶以及化合物半导体材料等领域；另外一个是在科研领域，主要包括二维材料等先进材料；我们已经陆续与一批客户进行合作并推出相应的解决方案，可以为用户提供薄膜厚度、分子结构、元素以及材料粒径分布等方面的分析表征解决方案。此外，我们在HORIBA的上海研发中心成立了科学仪器应用方案开发中心，计划针对半导体产业中可能应用到的相关技术与用户进行合作并进行相应的方法开发，为用户提供相应的解决方案。【行业征稿】若您有半导体行业相关研究、技术、应用、管理经验等愿意以约稿形式共享，欢迎自荐或引荐投稿联系人：康编辑word图文投稿邮箱：kangpc@instrument.com.cn微信/电话：15733280108

半导体设备国产化率持续提升下，半导体设备行业复苏态势逐渐显现。Wind数据显示，2024年一季度，半导体设备板块上市公司合计实现营业收入130.03亿元，同比增长37.11%；实现归属于上市公司股东的净利润19.91亿元，同比增长26.35%，高于半导体行业整体水平。　　5月15日下午，在2023年度科创板半导体设备专场集体业绩说明会上，多家上市公司表示，自去年四季度开始，行业逐渐出现复苏迹象，市场需求转暖，在手订单充足。　　多家公司订单充足　　本次参加业绩说明会的12家半导体设备公司，覆盖了清洗、薄膜沉积、测试等关键环节。　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，公司专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售。2024年一季度，公司实现营业收入1.71亿元，同比增长125.27%；实现归属于上市公司股东的净利润357.34万元，同比扭亏为盈。　　截至2024年3月31日，公司在手订单81.91亿元（含Demo订单），其中光伏在手订单70.26亿元，半导体在手订单11.15亿元，产业化中心新兴应用领域在手订单0.5亿元。　　微导纳米董事会秘书龙文向《证券日报》记者表示，目前公司订单较为充沛，为经营业绩提供了一定的保障。　　华峰测控专注于半导体自动化测试系统领域，2024年一季度，公司实现营业收入1.37亿元，同比减少31.61%；实现归属于上市公司股东的净利润2343.83万元，同比减少68.62%。　　华峰测控董事长、董事会秘书孙镪向《证券日报》记者表示，半导体市场在经历一段时期的去库存后，自去年四季度开始，逐渐出现复苏迹象，市场需求逐渐转暖。得益于公司丰富的产品布局和覆盖多领域的客户群体，截至目前，公司订单量明显回升，大客户批量订单明显增加。　　晶升股份董事长、总经理李辉也向《证券日报》记者表示，公司目前在手订单充足。预计未来订单增长将有很大一部分来源于公司的8英寸碳化硅长晶设备和新产品。　　黑崎资本首席投资执行官陈兴文在接受《证券日报》记者采访时表示：“半导体设备行业2023年及2024年一季度的业绩表现彰显了强劲复苏和持续增长趋势。国内晶圆厂扩产和国产设备份额提升是景气度上升的关键因素。”　　合同负债及存货数额通常可以表明公司在手订单和新签订单是否充足。开源证券研报数据显示，2024年一季度，半导体设备板块合同负债总额达183.4亿元，同比和环比分别增长8.89%和11.73%。　　止于至善投资总经理何理向《证券日报》记者表示：“半导体设备公司具有较高的合同负债，表明公司已经获得了大量订单，且客户已经提前支付了一部分款项，这些预收款项将在随后的财务周期中逐步转化为公司的收入。”　　有望延续高景气度　　何理表示，2024年一季度，半导体设备板块出现了订单高速增长的情况。随着国内晶圆厂扩产、国产设备渗透率提升，半导体设备板块有望在2024年延续高景气度。　　根据SEMI（国际半导体协会）预测，2024年，全球半导体行业计划开始运营42个新的晶圆厂；全球半导体每月晶圆（WPM）产能将增长6.4%，首次突破每月3000万片大关（以200mm当量计算）。SEMI预计，中国芯片制造商将在2024年开始运营18个项目，产能同比增加13%，达到每月860万片晶圆。　　在业绩说明会上，多家上市公司也表示，正加速扩展海外市场。　　德科立董事长桂桑在接受《证券日报》记者提问时表示：“公司目前有效的在手订单超3亿元，在手订单保持稳定。公司将在现有主要客户中扩大成熟产品份额，加快导入新品。以高端低耗能的800G光模块、DCI等优势产品为突破点，进一步开发数据中心新客户，扩大海外市场份额。公司还将加快泰国生产基地建设，进一步扩大100G、400G和400G以上高速率光模块、高速率光器件的生产规模，新建泰国光放大器生产能力，强化DCI、COMBO PON产线能力建设，全面满足全球市场需求。”　　耐科装备董事长黄明玖在回复《证券日报》记者提问时表示：“目前公司在手订单充足，且在不断增长。从目前了解到的情况看，半导体封装装备市场在复苏，订单情况将持续向好。公司挤出成型装备订单主要来自海外，增长持续稳健。”

p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。封装测试是半导体产业的重要环节。在摩尔定律发展脚步迟缓的情况下，对芯片制造商而言，光是靠先进制程所带来的效能增进，已不足以满足未来的应用需求，因此先进封装技术显得尤为重要。然而目前的封装技术在封装材料上存在一些问题亟待解决。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 在微型化的趋势下，封装尺寸越来越小，这对封装材料的散热、可靠性要求越来越高。但在超细间距应用中，焊接材料面临着工序复杂、空焊、冷接和焊接不良等问题。贺利氏为此推出了Welco AP5112焊锡膏，使用一体化印刷方案简化了封装流程，同时去除了空焊、冷接和焊接不良现象，减少了材料管理成本。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 在高功率器件封装中，不同于传统半导体硅功率器件，第三代半导体功率器件工作温度突破了200℃，这对封装材料提出了新的要求。因此，功率器件封装中需要关键焊接材料具有较低的工艺温度、较高的工作温度、很好的导电性和散热能力。针对此，贺利氏推出了通过扩散将芯片背银和框架上的银（铜）连接在一起烧结银材料。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 在存储器件封装应用中，引线键合高度依赖金线。随着国产存储芯片开始量产，急需降低引线键合成本。对此，贺利氏在去年发布了全球首款AgCoat Prime镀金银线，显著降低了净成本。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 随着半导体制造工艺越来越难以继续缩微，先进封装对继续提升芯片性能的重要性日益凸显，对半导体封装材料也将带来更多要求。 /p p 原文： /p p style=" text-align: center " strong 贺利氏：全球化分工不可逆，构建可靠的供应链至关重要 /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 集微网消息，过去50年来，随着半导体工艺节点向7nm及以下节点工艺发展的速度减慢，摩尔定律减速，是否已到达效率极限已经引起全球辩论。尽管如此，5G、物联网和人工智能等新的终端市场应用正在彻底改变半导体行业，这些新兴应用对高效节能芯片的要求越来越强烈，小型化变得越来越重要，半导体业界正在积极探索解决方案，推动了对新的先进封装技术的需求。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://s.laoyaoba.com/jwImg/news/2020/07/01/15936066458907.png" / /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 贺利氏电子中国区销售总监王建龙对集微网记者表示，先进封装发展趋势走向了模块化。一方面，在微型化趋势下，系统级封装（SiP）中的元件数量不断增加，但同时封装体尺寸越来越小。受此影响，手机等消费电子产品的先进封装对于连接材料的要求越来越苛刻。在窄间距、高密度的封装要求下，呈现出模块化封装的发展趋势。另一方面，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等应用中，呈现数十颗功能芯片集成在一个模块里封装的趋势。而无论是传统的硅功率器件，还是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体器件，大量的大功率器件集成在一个模块中，对散热、可靠性的要求越来越高。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp “随着技术不断进步，对于元器件的要求越来越严苛。面对激烈的竞争，制造商们倍感压力，不得不努力缩短产品上市时间。贺利氏电子了解这些挑战，也知道客户需要什么样的产品和服务来满足这些严苛的要求。”王建龙表示。例如在消费电子的超细间距应用中，对焊接材料的要求越来越严苛，贺利氏为此推出了Welco AP5112焊锡膏，可以用一体化印刷方案解决SiP封装的SMD和Flip Chip两次工序需求，减少加工步骤，简化SiP封装流程。同时去除了空焊和冷接、焊接不良现象，也减少了材料管理成本。最小可以支持钢网开孔尺寸70um，线间距50um的印刷。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 在高功率器件封装中，对于传统的硅功率器件，受本身半导体结构的限制工作温度限定在175° C，第三代半导体功率器件则突破了200° C。因此一方面要延长硅基功率器件的使用周期，另一方面要适应碳化硅等第三代半导体小型化高散热的要求，这对作为功率器件封装中关键焊接材料也提出了新的要求，既要有低的工艺温度和高的工作温度，还要有很好的导电性和散热能力。贺利氏的烧结银材料主要用到了熔点961° C的银，保证了焊接材料可以工作在 200° C 以上，具有高导电性、高散热能力和热机械稳定性。从焊接工艺来说，这种烧结材料不同于锡膏，在整个焊接过程中，银始终作为固态形式存在，通过扩散将芯片背银和框架上的银（铜）连接在一起，烧结后具备很好的剪切强度、高的导电性和散热性，提高了功率器件的工作温度和可靠性。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 在半导体市场中，存储器件占据非常大的比例。在许多半导体应用中，封装中使用的金线已被银线、裸铜线和镀钯铜线所取代。然而在存储器件封装应用中，引线键合仍然高度依赖金线。随着中国国产存储芯片开始量产，降低生产成本的需求十分强烈。针对此贺利氏在去年发布了全球首款AgCoat Prime镀金银线，性能和可靠性堪比金线，可显著降低净成本。王建龙表示，AgCoat Prime产品前期在国内一些客户中进行验证，可能个别客户会有一些工艺参数的微调，也可能需要他们跟客户再进行一定的重复验证。“可以肯定的是这款产品可以大幅降低存储器件的成本，也不排除将来成为一种行业标准解决方案。”他指出，“AgCoat Prime起初是针对半导体存储器设计的，但是也可以用到RFID、LED等应用中。” /p h4 疫情、国际局势加速半导体产业升级 /h4 p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 今年爆发的疫情，先后在中国和全球半导体产业中掀起不小的震荡。因为终端需求下滑，许多市场研究机构预测今年半导体的增速也会大幅下滑乃至继续为负，但是中国市场呈现出了不一样的活力。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 根据近日上海市委常委、副市长吴清公布的数据，在1-5月份各个领域受到挑战的情况下，上海集成电路逆势增长，销售收入实现38.7%的增长。对此王建龙表示，中国半导体市场在未来五年里预计都将处于明显的上升周期中。疫情虽然短时间内对产业造成了一定冲击，但长期来看，疫情催生线上经济、加速“远程办公”，以及生活方式变革，对5G、存储、新能源技术等领域都是很大的推动力，中国半导体产业也在加紧技术研发和产业升级。“在这些因素作用下，贺利氏今年1~5月份市场表现甚至优于去年同期。除了汽车电子业务受市场需求影响略有下滑，在先进封装和功率电子业务上都呈现上升态势。”他补充说，“但是随着汽车互连化以及新能源车的加快推进，以及碳化硅功率器件的普及，贺利氏也将迎来巨大的增长机会。” /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 另一方面，疫情和中美贸易冲突加剧，全球半导体产业链受到不同程度的停工、断供危机。王建龙认为，因为某一个工厂出了问题就断供，这是非常不可靠的公司行为。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp “贺利氏2016年建立的‘备份工厂’机制很好的避免了这些问题。我们的每个产品线都有备份工厂，某个工厂出现问题，其他的工厂可以马上替补生产。很多客户的产品都认证过，他们的产品可以在两个工厂之间随时切换。当然正常时期会优先选择供应周期更短、效率更高的工厂。在疫情期间我们的客户已经体会到‘备份工厂’带来的便利。”他表示，“另一方面，美国制裁华为，华为想要在国内建立更多供应链，以及多个国家想要将产业链迁出中国。从这方面看，短期内中国在全球制造业的地位是不会改变的。全球化不会因为政治影响而改变，最终还是需要用户受益，因此产业链也不可能逆市场而行。显然，市场、人才、效率、产业链，都在中国这里。全球分工、全球合作，不是某个人、某个国家可以改变的。” /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://s.laoyaoba.com/jwImg/news/2020/07/01/15936066061463.png" / /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 作为贺利氏全球最重要的市场之一，为了贴近客户需求，贺利氏在上海先后成立了上海产品创新中心和技术应用中心，分别从事与客户及合作伙伴共同进行电子材料系统的研发测试和应用认证。王建龙透露，上海创新应用中心成立近两年来，多个重要客户在这里与贺利氏一起完成了他们关键产品的封装挑战。“例如某个新能源车企在这里，通过贺利氏的材料解决方案解决了在新能源车核心的电控部分的技术难题，使电控模块性能得到了显著升级。”他解释，& nbsp & nbsp & nbsp & nbsp “这是一个创新中心与客户共同研发、投入量产，以此推动产业发展的一个成功案例。相信在未来两年，国内主要的新能源车电控部分都会直接或间接与贺利氏合作。贺利氏也将继续以完善的材料产品与服务组合，来满足中国市场对于高性能电力电子产品日益增长的需求。” /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 最后，王建龙强调，半导体制造工艺越来越难以继续缩微，而先进封装对继续提升芯片性能的重要性日益凸显，进而对半导体封装材料带来了更多要求。“芯片的集成度可能会受到摩尔定律逼近极限的影响，但是人们追求先进电子设备的脚步不会因此停下。封装技术无疑是一个重要途径，这也是为什么贺利氏将先进封装业务提升到更高的战略层面的原因。”王建龙强调。 /p

p style=" text-indent: 2em " 半导体集成电路制造过程及其复杂，需要用到的设备包括：硅片制造设备、晶圆制造设备、封装设备和辅助设备等。设备投入往往是生产线建立成本中占据最大份额的部分。根据SEMI的数据，以一座投资规模为15亿元美金的晶圆厂为例，晶圆厂70%的投资用于购买设备（约10亿元美金），设备中的70%是晶圆制造设备，封装设备和测试设备占比约为15%和10%。晶圆制造设备中，光刻机，刻蚀机，薄膜沉积设备为核心设备，分别占晶圆制造环节设备成本的30%，25%，25%。 /p p style=" text-indent: 2em " 半导体设备行业，集中度非常高，基本被美日荷垄断。全球前十大厂商基本占据了超过90%的市场份额，荷兰公司ASML更是几乎垄断了高端光刻机市场。 span style=" text-indent: 2em " 实现设备本土化是我国发展集成电路产业的关键之一，关系到我国能否拥有产业自主权。随着我国对半导体产业的重视，国产半导体设备不断推陈出新，以下为近期推出的国产半导体设备 /span /p h3 span style=" text-indent: 0em " 一、盛美半导体设备推出应用于先进存储器的18腔单晶圆清洗设备 /span /h3 p style=" text-indent: 2em " 作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备，这是加入Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%，而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://s.laoyaoba.com/jwImg/news/2020/06/27/15932616238169.png" / /p h3 style=" text-indent: 0em " 二、光力科技自主研发8230双轴全自动划片机 /h3 p style=" text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 8230双轴全自动划片机，是一款高效率、高精度、高性能、低使用成本的双轴（对向）全自动晶圆切割机，最大切割工件尺寸可达12英寸。该款产品在郑州基地研发制造，是由郑州研发团队携以色列ADT和英国LP & amp LPB研发团队的工程师合力研发打造的第一颗果实，接下来将会到客户工厂进行DEMO。8230双轴全自动划片机未来主要在郑州基地生产制造，预计2020年底开始向市场批量供货。 /span /p p style=" text-indent: 0em " span style=" text-indent: 2em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://www.gltech.cn/Uploads/Ueditor/Upload/Image/20200703/1593749050742830.png" / /span /p p style=" text-indent: 0em " /p h3 三、北方华创正式推出NMC612G12英寸金属刻蚀机 /h3 p style=" text-indent: 2em " NMC612G 12 英寸金属刻蚀机是电感耦合高密度等离子体干法刻蚀机，具有多种均匀性控制手段，如电流分布控制技术、气体比例控制技术、静电卡盘温控技术等，为客户提供了多种均匀性调节选择，拓宽了工艺空间。其中，静电卡盘及传输系统不但适用于常规硅片的传输，也适用于不同领域的玻璃片、SOG 片等晶圆的传输及吸附，可多元化满足各领域多种需求。此外，针对刻蚀后残留气体导致的金属腐蚀问题，该设备采用微波去胶技术，利用 O2 产生等离子体，可以较高的速率实现不同金属刻蚀后 PR 掩膜的去除，并保证金属长期存放过程中不被腐蚀。 /p p style=" text-align: center " span style=" text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12005671417/641" / /span br/ /p p /p h3 四、中微公司发布用于深紫外LED量产的MOCVD设备Prismo HiT3& #8482 /h3 p style=" text-indent: 2em " 该设备是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可达1400度，具有优异的工艺重复性、均匀性和低缺陷率。该设备同时也为高产量而设计，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片。 /p p style=" text-indent: 2em " 同时，该设备具有新颖的腔体设计，能在高温环境下生长高质量氮化铝工艺，并具有业内领先的深紫外LED高产出率；同时具备较长的平均免开腔维护间隔时间，进一步延长正常运行时间并提高产能。真空自动化传输系统可以抑制颗粒物的产生，并减少缺陷。自动化升降机构可方便维护操作并有效节省维护时间。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://p1.itc.cn/q_70/images03/20200730/0e26a8f6d5d24c2c98a0dbfa8752c15f.jpeg" / /p h3 五、扬杰科技推出的Low VF肖特基产品 /h3 p style=" text-indent: 2em " 扬杰科技推出的Low VF肖特基产品，封装类型丰富，满足不同应用需求，主要用于适配器、LED电源、家电等行业 /p p style=" text-indent: 2em " 扬杰科技推出的Low VF产品，电压在45V~200V区间，& nbsp 电流在20A~30A区间，芯片参数稳定，一致性优异，同时采用环保物料，符合RoHS标准，主要用于适配器，LED电源、家电等行业。 /p p style=" text-indent: 2em " 虽然我国半导体设备不断发展，取得了长足的进步，但高端的半导体设备仍与国际先进水平有所差距。伴随着我国半导体产业的发展，对半导体设备的需求也将不断增加，发展尖端半导体设备刻不容缓。 /p

4月10日天美公司电镜应用工程师、维修工程师和销售工程师开始了对河北半导体所用户的千里行回访活动，此次活动包括日立场发射电镜在半导体元器件中观测的技术讲座、日立S-4800实操应用培训和电镜使用维护讲座三个部分，受到了河北半导体所设备处及相关各专业部领导和老师们的热情接待和大力支持。 河北半导体所成立于1965年，是国内成立时间最早、规模最大的综合性半导体研究所，该所也是河北省较早引进日立S-4800型冷场发射扫描电镜的单位之一，S-4800凭借其高分辨能力、易操作使用性和低故障率成为所内半导体相关工艺研发和品质控制的有力工具，长期以来天美公司和河北半导体所保持着广泛而深入的交流和合作。 天美公司电镜应用工程师高敞首先为各专业部的老师们做了场发射扫描电镜在半导体元器件观测的专题技术讲座。在讲座中，高敞从基本理论出发，介绍了扫描电镜实现高分辨的条件和方法，并针对半导体元器件在高电压、大束流下易产生污染、辐照损伤和放电效应等问题，系统介绍了应用冷场发射扫描电镜在小束流、低电压下配合减速功能获取高分辨图像的技巧。之后老师们踊跃进行了发言和提问，特别是在半导体工艺线宽测量、能谱分析、EBIC感生电流计测和特殊样品观测制样技巧方面大家展开了热烈讨论。 天美电镜应用工程师高敞讲解低电压高分辨拍摄方法和电子束减速使用技巧 随后天美公司应用工程师、维修工程师和用户一起进 入厂区实验室开始了为期2天的S-4800实操培训。在培训结束后，天美公司维修经理戚军为各专业部的老师们带来了场发射扫描电镜使用维护专题讲座，戚军经理介绍了S-4800在使用和维护中的常见问题和注意事项，特别是保证电镜持久稳定等关系到厂房不间断生产测试方面，如对电子枪的内、外烘烤技术、灯丝Flash技巧等做了系统和详细的讲解，并与在座各位老师展开相关问题讨论。 天美维修经理戚军为用户们介绍电子枪内、外烘烤技术和灯丝Flash技巧 讲座、培训结束后，大家一起合影留念。此次活动参与老师都是半导体相关领域研究人员，对于天美公司千里行活动，老师们都表示很有收获，也给与极高的评价，希望天美公司多举办类似的活动，天美公司也通过举办此次千里行活动获得了河北半导体所用户的多方面反馈，并针对这些需求认真总结，之后为广大客户提供更完善的服务！ 培训、讲座结束后合影留念 公司介绍： 天美（中国）科学仪器有限公司（&ldquo 天美（中国）&rdquo ）是天美（控股）有限公司（&ldquo 天美（控股）&rdquo ）的全资子公司，从事表面科学、分析仪器、生命科学设备及实验室仪器的设计、开发和制造及分销；为科研、教育、检测及生产提供完整可靠的解决方案。天美（中国）在北京、上海、等全国15个城市均设立办事处，为各地的客户提供便捷优质的服务。 天美（控股）是一家从事设计、研发、生产和分销的科学仪器综合解决方案的供应商。 继2004年於新加坡SGX主板上市后，2011年12月21日天美（控股）又在香港联交所主板上市（香港股票代码1298），成为中国分析仪器行业第一家在国际主要市场主板上市的公司。近年来天美（控股）积极拓展国际市场，先后在新加坡、印度、澳门、印尼、泰国、越南、美国、英国、法国、德国、瑞士等多个国家设立分支机构。公司亦先后收购了法国Froilabo公司、瑞士Precisa公司、美国IXRF公司和英国Edinburgh等多家海外知名生产企业，加强了公司产品的多样化。 更多详情欢迎访问天美（中国）官方网站：http://www.techcomp.cn

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 89" p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 532" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong 微纳级半导体光/电特性三维检测仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 532" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 高动态导航技术北京市重点实验室 /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 164" p style=" line-height: 1.75em " 付国栋 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " fuguodd@163.com /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 529" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " □正在研发 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp & nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 529" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √技术转让& nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp □其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" span style=" line-height: 1.75em " & nbsp /span strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/14804d5d-d9d4-4206-bde5-fb75196465c9.jpg" title=" 1.jpg" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp 半导体光电探测器晶圆向大直径、高密度发展，检测要求呈多样化趋势，迫切需求大行程（≥300mm）、高定位精度（0.5μm）、能够提供高/低温、光/暗等环境的光/电特性检测仪器。针对上述需求，突破高精度直驱控制、微弱信号提取及处理、低温无霜测试控制、单光子信号源等关键技术，形成大行程、高精度半导体光/电特性检测仪及三维平台精准定位技术，在大面阵、高精度定位，长时高可靠控制，微纳级信号检测与处理，高精度低温无霜测试等方面达到国际先进水平。主要性能指标：（1）轴系：XYZR四轴（2）行程：300mm；（3）位移精度：1μm（4）温度范围：-60℃～200℃。成果已在核高基项目中获得应用。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp 成果主要用于半导体晶圆设计和生产过程中的IV/CV/脉冲、暗电流、暗计数、单光子探测效率、温度特性、噪声等效功率测试及数据采集、分析。 br/ & nbsp & nbsp 成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在1800～2000台，市场规模约30亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 具有核心技术，受理发明专利2项： br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种三维多曲面融合敏感结构微纳振幅电容检测系统（申请号：CN201410512345.5）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种基于模糊控制的小型数字舵机系统（申请号：CN201410233762.6）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

8月11日，第十一届（2023年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会暨产业链合作论坛在无锡落下帷幕。参会专家指出，国产半导体设备已经取得突破性进展，海外设备进口和本土设备销售呈现“此消彼长”态势，上半年半导体相关行业制造业增长比较快，半导体器件专用设备制造业增加值增长30.9%。并预计2023年国产主要半导体设备制造商订单有望稳步增长。 中国电子专用设备工业协会理事长、北方华创董事长赵晋荣表示，10余年来中国半导体设备市场规模持续发展，尤其是近几年，中国本土设备取得了较大进步。数据来源：浙商证券研究所 虽然国产半导体设备在诸多领域实现了从0到1的突破，但是关键设备、零部件以及满足特殊工艺生产需求的国产半导设备依旧缺乏，良率、稳定性等还待进一步提升，在全球半导体设备市场的规模依旧偏小。 中国电子专用设备工业协会常务副秘书长金存忠指出，国产半导体设备进一步发展，还亟需解决光刻机等关键设备国产化率低等问题，目前国产制造商能够制造的主要是先进封装和LED领域的光刻机，而且光刻机的难点不仅在制造出来，还要保证设备的效率和良率。另外，关键零部件成本在设备进口成本占比较大等问题，有的厂商反馈零部件成本占比高达六成。　 作为半导体设备终端用户，半导体制造厂商尤为关注生产效率和良率，就需要设备厂商与产业链进一步合作，攻关克难。“没有95%以上的良率、没有把成本降下来，企业是不能生存的，而且生产的越多，亏损的越多。”中国电子专用设备工业协会副秘书长、积塔半导体(上海)有限公司总工程师李晋湘表示，建议半导体制造企业和设备企业、材料厂商等进一步深化合作，推动工艺持续进步，不仅攻克具有经济效益规模而难度小的设备，也要挑战量小而难度大的设备，并且加强半导体设备的配套软件开发，建立和完善培训系统，让国内工程师能够掌握和使用好本土设备。小编也在这里整理了半导体行业相关优质解决方案供大家参考：集成电路检测方案：1、等离子清洗 仪处理 TEM透射电镜样品清洗和活化2、4H-SiC中EPI厚度，载流子浓度检测方案 3、硅片表面中金属污染物检测方案 4、集成电路制造行业常用有机溶剂中金属杂质检测方案 光电器件解决方案：1、小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnOx成分半导体器件 2、高分辨光学链路诊断仪OCI+精准测量多分支光链路损耗3、SiC外延片测试方案4、TMC STACIS主动隔振器在抬高的钢支架上的隔振应用传感器解决方案：1、TEC半导体制冷片：热释电系数测试中的正弦波温度控制解决方案更多解决方案 请点击 查 看 ══════════▼▼▼══════════行业应用栏目简介：(http://www.instrument.com.cn/application/ ) 【行业应用】是仪器信息网专业行业导购平台，汇聚了行业内国内外主流厂商的优质分析方法及相应的仪器设备。栏目建立了兼顾国家相关规定和用户习惯的专业分类，涉及食品、药品、环境、农/林/牧/渔、石化、汽车、建筑、医疗卫生等二十余个使用仪器相对集中的行业领域，目前，已经收录行业解决方案6万+篇。

AI浪潮正驱动全球半导体设备市场高速增长。SEMI的数据显示，2024年全球半导体设备总销售额预计将达到创纪录的1090亿美元，同比增长3.4%。与此同时，中国作为全球最大的半导体设备消费市场，正在加速采购半导体设备。据日经亚洲的报道，今年2月至4月，中国市场占应用材料公司销售额的43%，同比增长22%；Lam Research今年第一季度的销售额中，中国市场也占据了42%，同比增长20%。SEMI预估，2024年运往中国大陆的设备出货金额预计将达到350亿美元。然而，半导体设备的庞大和复杂性对物流提出了严峻挑战。据了解，仅交付一台EUV光刻机就需要三架波音747货机、40个货运集装箱和20辆卡车。这台校车大小的设备由100,000个零件组成，重近200吨，价值高达几亿美元。可见，物流将在半导体产业链中将发挥着越来越重要的角色。谈及物流，就不得不提到该领域的一个世界级巨头——Kuehne+Nagel德迅物流。这家1890年在德国不来梅成立的百年企业，如今在全球空运、海运物流运输领域均排名第一，在合同物流方面，它也稳居行业第二的宝座。1979年，德迅物流踏入了中国市场，开启了其全球化布局的新篇章。面对中国强劲的半导体市场物流需求，德迅正在采取一系列积极措施以应对市场的变化。让半导体设备“飞”起来半导体行业是高度资本密集型的，对于投资高达数十亿美元的晶圆厂而言，保持24/7全天候全面运营是竞争力和价值的体现。其中，设备的及时运输不仅是保持生产连续性的关键，更是缩短市场上市时间、加快技术迭代步伐的决定性因素。一旦高精度的半导体设备未能按时到达，其影响将远远超出晶圆厂的范畴，甚至可能波及整个芯片设计产业链。2023年，德迅在美洲、欧洲和亚洲之间新增了三个包机连接点。这是德迅为应对半导体等行业增长需求而作出的新举措。从去年10月23日开始，德迅的大飞机“激励号”波音747-8F开启环球飞行航班，每周两班从亚特兰大和芝加哥到阿姆斯特丹再到台北的航线。中国台湾，作为全球领先的芯片制造商基地，产能约占全球半导体行业的20%，对全球半导体产业的贡献至关重要。通过连接台湾与比荷卢地区，德迅可为半导体行业的客户提供自营运力，同时遵循最严苛的服务标准。借助广泛的网络和专门的半导体专业知识，德迅的“激励号”成功完成了某晶圆厂所需的离子注入设备从波士顿安全运送到都柏林的跨国运输任务。离子注入设备主要用于将离子注入半导体晶圆，是一种大型精密设备，其运输需要装在18个超大木箱中。运输离子注入设备是一项极具挑战的任务！任何轻微的运输延误都可能扰乱晶圆厂的生产计划，设备的任何损坏都可能导致重大经济损失。为此，德迅公司精心制定了运输方案，在接送和到达时，往返于航空汽车设施的运输是经由德迅验证的、具备半导体货物运输资质的陆路卡车运输公司安排的。训练有素的德迅工作人员在发货现场监督装载，并监督机场的安全交接。在确认了货物的状况后，现场的工作人员将照片和清单上传到德迅的数字化应用程序myKN。客户能够使用myKN应用程序持续查看运输文件并实时跟踪设备的运输过程。所有航线均使用专业的航空承运人通过商用 B747 货机进行。最终，德迅团队成功将设备安全运送到了都柏林，并按时交付给了晶圆厂，离子注入设备状况良好，并符合客户规定的每一项要求。对于中国半导体行业乃至全球半导体产业来说，德迅物流的“激励号”的布局，不仅极大地提高了半导体设备的物流效率，而且为整个行业的稳定增长和未来发展注入了强大的动力。这一战略性举措充分展现了德迅对其创新理念、高效运作和全球战略的坚定承诺。同时，它也彰显了德迅在全球物流竞争中的敏锐战略洞察力和行业领导地位，展示了公司在应对全球市场变化时的灵活性与创新实力。半导体物流不仅要快，更要专业在半导体产业中，物流服务的迅速性固然重要，但更为关键的是其专业性。半导体制造设备，通常价值高达数百万甚至上亿美元，非常敏感且易受损害。半导体制造设备可能对振动、温度和压力波动、湿度、光线、冲击甚至重力敏感。“所有条件都必须在运输过程中得到保证，例如，道路上的谐振频率实际上会粉碎工具内部的镜子，这要求运输的设施必须有专门的空气减震器。”德迅大中华区高科技与半导体大客户服务经理Sam Zhu表示，“此外，较短的跑道意味着更高的重力，因此机场的选择可能必须基于设备的灵敏度。”他补充道。为何德迅能够在半导体供应链物流中独树一帜？背后的原因主要在于德迅对SemiconChain的质量标准的高度关注。Sam告诉半导体行业观察，德迅特别推出了专为半导体行业量身定制的全球SemiconChain网络及物流解决方案。SemiconChain不仅是一套质量标准，用以保障全球物流网络的流程标准化、持续改进和服务卓越，还包括全球25个关键所在地的集成网络，融合了ISO 9001-2015和IATF 16949全球质量标准。“这保证了半导体货物始终以标准化、稳健的方式运输，并提供完整的跟踪可见性。”Sam谈道，“例如，当客户需要将一台高精密的半导体设备运送到中国大陆时，德迅会通过其在全球的SemiconChain中心之一（如新加坡、日本）进行操作，由专业培训且资质认证的物流团队负责处理。“在创新方面，德迅基于其丰富的行业经验和全球网络，与半导体行业客户紧密合作，深入了解半导体供应链的全球足迹，以定制相关的物流产品。SemiconChain这一全球贯彻的质量标准本身就是一项创新。此外，德迅还提供了一系列的可视化数字平台，如myKN和半导体Checklist、风险缓解工具等应用程序，来规划、监控和记录整个物流过程，确保货物在运输过程中的安全性和可靠性。结语面对国内对半导体设备需求的不断攀升，德迅正在从物流这一环，为半导体产业链的安全稳定运作保驾护航。得益于快速响应的大飞机“激励号”、全球性的SemiconChain标准，可视化数字平台与技术，以及专业的物流服务团队，德迅将为半导体行业的持续增长和技术创新提供关键支持。“我们需要协助保障供应链正常运转，确保投资巨大的晶圆厂保持24/7全天候全面运营，并且不会因物流问题而中断。”Sam向记者表示。

化学机械研磨/抛光 (CMP) 将化学反应和机械研磨结合在一起，是一项成本高昂且具有挑战性的重要纳米抛光工艺。这一工艺是集成电路制造中关键的使能步骤，对产量和工作效率都会产生影响。CMP 简介抛光工艺使用含氧化剂的浆料完成，氧化剂通常为过氧化氢 (H2O2)。在制造过程中，将晶圆和抛光垫紧密地压在一起，同时使二者各自以略微不同的速度逆时针旋转。将浆料铺在抛光垫的中央，然后结合运用机械操作和化学操作，逐步除去晶圆表面的材料，使晶圆表面局部和整体都顺滑平坦。 使用 CMP 浆料前，先在工厂对其进行混合或稀释。氧化物抛光浆料在购买时通常为浓缩状态，使用前在现场加水稀释，以减少运输和人工成本。一些多组分抛光浆料只能随用随混，因为这些浆料在混合后有效期很短。确保正确地混合至关重要，因为混合效果直接关系到化学反应速率和晶圆抛光速率；混合过程中的任何缺陷都会对可制造性和可靠性产生负面影响。尽管制造点 (POM) 的浆料控制很严格，但后续过程（包括运输、处理和过滤）会影响化学特性，因此需要对浆料进行连续监测，直到抵达使用点 (POU) 为止，以确保实现高产量。这样就需要有效、快速、可靠、准确且经济高效的计量工具和方法，因此许多制造厂选择使用折光仪。如何借助折射率测量技术来提高生产质量折射率 (RI) 测量技术是一种不消耗浆料的连续在线测量方法，可帮助制造厂在传递工艺相关的实时信息时迅速识别出浆料成分错误，从而减少存在风险的晶圆数量。CMP 浆料携带纳米颗粒，其固体含量为 1 - 30%（取决于浆料类型），因此对其中的过氧化氢浓度进行分析极具挑战性。但通过对特定浆料的折射率及温度特性进行标定，RI 测量法可以不惧这些困难条件，成功测量出钨浆料中的过氧化氢浓度并将误差控制在 ±0.03%（重量）以内。此外，与电导率探头测试不同，RI 测量可以监测 H2O2 浆料浓度，该指标可以反映浆料随时间的沉降和降解情况。因此，RI 不仅用于检验产品的质量，也用于监测进厂原始浆料各批次之间的变化，并验证混合 - 添加步骤。部分浆料输送系统拥有一项引人注目的功能，那就是日用槽自动化学品加料功能。维萨拉半导体行业用折光仪的优点维萨拉半导体行业用折光仪为半导体制造环境设计。该仪器尺寸小且不含金属，因此适合在不影响工艺的情况下测量化学物质。维萨拉半导体行业用折光仪适合 CMP 操作，因为：测量数字化，并且不会产生偏差集成了温度测量组件，可确保高精度的 RI 测量可进行直接密度测量设计坚固可靠，可承受过程中的振动，减少测量误差通过内置诊断程序，可即时了解工艺条件拥有流通池（旨在减少甚至消除结垢现象）参考文献多年来， DFS公司一直在 CMP 操作中使用维萨拉半导体行业用折光仪，长期的成功运作证明该设备可靠且准确。“随着工艺节点越来越多地采用 CMP 步骤，我们必须确保输送到抛光工具的浆料的化学特性以及机械特性保持稳定一致，”DFS公司化学技术研发总监Karl Urquhart 解释道，“在线 RI 监测可以评估进料的化学成分，检验混合添加步骤的质量，并且可以通过一次不消耗浆料的实时测量来验证 CMP 浆料是否混合均匀。”针对 CMP 浆料的 H2O2 测量装置于 2013 年在一家大型半导体制造厂中完成安装，用于取代自动滴定法。安装后，该测量设备稳定运行，并且除了正常的冲洗混浆池外，无需进行仪器维护。通常，在安装维萨拉半导体行业用折光仪后，制造厂的晶圆产量可提升约 20%。此外，CMP 浆料受到严格控制，能够提高研磨过程的均匀性。❖ 维萨拉半导体行业用折光仪 PR-33-S适用于半导体液态化学品测量该折光仪外形紧凑，流通池采用改良超纯 PTFE 制成，适用于半导体液态化学品测量。可通过 ¼ 至 1 英寸的皮拉 Pillar 或扩口 Flare 连接。维萨拉半导体行业用折光仪 PR-33-S 用于晶圆洁净室里的化学品浓度监测，通常被安装在混合、清洗、蚀刻和 (CMP) 等机台上。PR-33-S 包含一个超纯改性 PTFE 流通池主体和一根以太网线，不同标准的以太网供电 (PoE) 开关均可通过以太网线向传感器供电，并将数据传输给计算机。PR-33-S 实时监测化学品浓度，当化学品浓度超出规定范围时，立即通过以太网反馈报警。例如，可通过配置低浓度和高浓度警报来控制和延长溶液使用寿命。这里的浓度通过对溶液折射率 nD 和温度测量来确定。PR-33-S 直接通过喇叭形或pillar配件进行安装。PR-33-S 结构紧凑，不含金属，体积小。关键要素：• N.I.S.T. 标准下的可追溯校准及验证，采用标准折射率液体和验证程序进行验证。• 光学核心设计。 • 通过以太网进行数据记录和远程界面操作。• 标准 UDP/IP 通信。• 过程温度范围：-20°C – 85°C (-4°F – 185°F)。• 内置 Pt1000 快速温度测量及自动温度补偿 。

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

我司于2017年1月在上海某高校成功安装基于Janis 探针台和Keithley 4200半导体特性仪的测试系统。该探针台配置四个三同轴探针臂和两个光纤探针臂，漏电流优于50fA。该探针台变温范围大（8K-675K）。我司提供Keithley 4200半导体特性仪，并提供集成变温IV、CV和输运和转移特性等测试软件 变温测量IV和VI曲线 变温场效应管（横坐标Vgs，纵坐标Ids， 不同曲线代表不同的Vds和温度） 变温场效应管（横坐标Vds，纵坐标Ids， 变温CV测试（横坐标偏压，纵坐 不同曲线代表不同的Vgs和温度） 标电容，不同曲线代表不同温度）

经过多年的研发，几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品。这些器件利用了新材料的特性，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们还用于不同的结构，例如垂直氮化镓功率器件。但是，尽管其中许多技术拥有超过当今功率半导体器件的特性，但它们在从实验室转移到晶圆厂的过程中也将面临挑战。功率半导体通常是专用晶体管，在汽车、电源、太阳能和火车等高压应用中用作开关。这些设备允许电流在“开”状态下流动，并在“关”状态下停止。它们提高了效率并最大限度地减少了系统中的能量损失。多年来，功率半导体市场一直由使用传统硅材料的器件主导。硅基功率器件成熟且价格低廉，但它们也达到了理论极限。这就是为什么人们对使用宽带隙材料的设备产生浓厚兴趣的原因，这种材料可以超越当今硅基设备的性能。多年来，供应商一直在出货基于两种宽带隙技术——氮化镓 (GaN) 和碳化硅(SiC) 的功率半导体器件。使用 GaN 和 SiC 材料的功率器件比硅基器件更快、更高效。几家供应商一直在使用下一代宽带隙技术开发设备。这些材料，例如氮化铝、金刚石和氧化镓，都具有比 GaN 和 SiC 更大的带隙能量，这意味着它们可以在系统中承受更高的电压。今天，一些供应商正在运送使用氮化铝的专用 LED。其他人计划在 2022 年推出第一波围绕新材料制造的功率器件，但也存在一些挑战。所有这些技术都有各种缺点和制造问题。即使它们投入生产，这些设备也不会取代今天的功率半导体，无论是硅、GaN 还是 SiC。“它们提供了令人难以置信的高性能，但在晶圆尺寸方面非常有限，” Lam Research战略营销董事总经理 David Haynes 说。“它们在很大程度上更具学术性而不是商业利益，但随着技术的进步，这种情况正在发生变化。但基板尺寸小且与主流半导体制造技术缺乏兼容性意味着它们可能只会用于极高性能设备的小批量生产，尤其是智能电网基础设施、可再生能源和铁路等要求严苛的应用。”尽管如此，这里还是有一波活动，包括：NexGen、Odyssey Semiconductor 和其他公司正在准备第一个垂直 GaN 器件。Novel Crystal Technology (NCT) 将推出使用氧化镓的功率器件。Kyma 和 NCT 正在这里开发子状态。基于金刚石和氮化铝的产品正在发货。什么是功率半导体？功率半导体在电力电子设备中用于控制和转换系统中的电力。它们几乎可以在每个系统中找到，例如汽车、手机、电源、太阳能逆变器、火车、风力涡轮机等。功率半导体有多种类型，每一种都用带有“V”或电压的数字表示。“V”是器件中允许的最大工作电压。当今的功率半导体市场由基于硅的器件主导，其中包括功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率 MOSFET 用于低压、10 至 500 伏的应用，例如适配器和电源。超结功率 MOSFET 用于 500 至 900 伏应用。同时，领先的中端功率半导体器件 IGBT 用于 1.2 千伏至 6.6 千伏应用，尤其是汽车应用。英飞凌销售、营销和分销高级副总裁 Shawn Slusser 表示：“IGBT 功率模型基本上正在取代汽车中的燃油喷射器。“它们从电池向电机供电。”IGBT 和 MOSFET 被广泛使用，但它们也达到了极限。这就是宽带隙技术的用武之地。“带隙是指半导体中价带顶部和导带底部之间的能量差异，”英飞凌表示。“更大的距离允许宽带隙半导体功率器件在更高的电压、温度和频率下运行。”硅基器件的带隙为 1.1 eV。相比之下，SiC 的带隙为 3.2 eV，而 GaN 的带隙为 3.4 eV。与硅相比，这两种材料使设备具有更高的效率和更小的外形尺寸，但它们也更昂贵。每种设备类型都不同。例如，有两种 SiC 器件类型——SiC MOSFET 和二极管。SiC MOSFET 是功率开关晶体管。碳化硅二极管在一个方向传递电流并在相反方向阻止电流。针对 600 伏至 10 千伏应用，碳化硅功率器件采用垂直结构。源极和栅极在器件的顶部，而漏极在底部。当施加正栅极电压时，电流在源极和漏极之间流动。碳化硅在 150 毫米晶圆厂制造。过去几年，碳化硅功率半导体已投入批量生产。Onto Innovation营销总监 Paul Knutrud 表示：“碳化硅具有高击穿场强、热导率和效率，是电动汽车功率转换芯片的理想选择。开发垂直 GaN几家供应商一直在开发基于下一代材料和结构的产品，例如氮化铝、金刚石、氧化镓和垂直 GaN。在多年的研发中，垂直 GaN 器件大有可为。GaN 是一种二元 III-V 族材料，用于生产 LED、功率开关晶体管和射频器件。GaN 的击穿场是硅的 10 倍。“高功率和高开关速度是 GaN 的主要优势，”Onto 的 Knutrud 说。今天的 GaN 功率开关器件在 150 毫米晶圆厂制造，基于高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN 器件是横向结构。源极、栅极和漏极位于结构的顶部。横向 GaN 器件已投入量产。一些公司正在将 GaN 器件在 200 毫米晶圆厂投入生产。“对于 GaN，它是 GaN-on-silicon 技术在 200mm 和未来甚至 300mm 上改进的性能，这是技术发展的基础，”Lam 的 Haynes 说。今天的 GaN 器件使用硅或 SiC 衬底。衬底顶部是一层薄薄的氮化铝 (AlN)，然后是 AIGaN 缓冲层，然后是 GaN 层。然后，在 GaN 顶部沉积薄的 AlGaN 势垒层，形成应变层。如今，有几家公司参与了 GaN 功率半导体市场。今天的横向 GaN 功率半导体器件在 15 到 900 伏的电压范围内运行，但在这些电压之外运行这些器件存在若干技术挑战。一方面，不同层之间存在不匹配。“这真的只是因为当你在不同的衬底上生长 GaN 时，你最终会因两种晶格之间的不匹配而产生大量缺陷。每平方厘米的许多缺陷会导致过早击穿和可靠性问题，”Odyssey Semiconductor 的 CTO Rick Brown 说。解决这些问题的工作正在进行中，但横向 GaN 目前停留在 1,000 伏以下。这就是垂直 GaN 适合的地方。它承诺在 1,200 伏及以上电压下运行。与其他功率半导体器件一样，垂直 GaN 器件在器件顶部有一个源极和栅极，底部有一个漏极。此外，垂直 GaN 器件使用块状 GaN 衬底或 GaN-on-GaN。据 Odyssey 称，GaN 衬底允许垂直传导的 GaN 晶体管具有更少的缺陷。“如果你看硅基高压器件和碳化硅高压器件，它们都是垂直拓扑。出于多种原因，它是高压设备的首选拓扑。它占用的面积更小，从而降低了电容，并且将高压端子置于晶圆的另一侧而不是栅极端子具有固有的安全因素，”Brown说。目前，Kyma、NexGen、Odyssey、Sandia 和其他公司正在研究垂直 GaN 器件。Kyma 和 Odyssey 正在增加 100 毫米（4 英寸）体 GaN 衬底。“垂直 GaN 正在出现，我们正在向研究人员和实验室出售产品，”Kyma 的首席技术官 Jacob Leach 说。“该行业在制作外延片方面遇到了一些挑战。我们有不同的技术。我们能够以低廉的成本制造垂直 GaN 所需的薄膜。”GaN衬底已准备就绪，但垂直GaN器件本身很难开发。例如，制造这些器件需要一个离子注入步骤，在器件中注入掺杂剂。“人们没有对 GaN 使用垂直导电拓扑的唯一原因是没有一种很好的方法来进行杂质掺杂。Odyssey已经找到了解决办法，”该公司的Brown说。Odyssey 正在其自己的 4 英寸晶圆厂中开发垂直 GaN 功率开关器件。计划是在 2022 年初发货。其他人的目标是在同一时期。“我们有垂直导电的 GaN 器件。我们已经证明了 pn 结，”Odyssey 首席执行官 Alex Behfar 说。“我们的第一个产品是 1,200 伏，可能是 1,200 到 1,500 伏。但是我们的路线图将我们一直带到 10,000 伏。由于电容和其他一些问题，我们希望在碳化硅无法访问的频率和电压范围内做出贡献。近期，我们希望能够为工业电机和太阳能提供设备。我们希望给电动汽车制造商机会，进一步提高车辆的续航里程。那是通过减轻系统的重量并拥有性能更好的设备。从长远来看，我们希望实现移动充电等功能。”如果或当垂直 GaN 器件兴起时，这些产品不会取代今天的横向 GaN 或 SiC 功率半导体，也不会取代硅基功率器件。但如果该技术能够克服一些挑战，垂直 GaN 器件将占有一席之地。联电技术开发高级总监 Seanchy Chiu 表示：“Bulk GaN 衬底上的 GaN 垂直器件为可能的下一代电力电子设备带来了一些兴奋，但还有一些关键问题需要解决。” “基于物理学，垂直功率器件总能比横向器件驱动更高的功率输出。但是 GaN 体衬底仍然很昂贵，而且晶圆尺寸仅限于 4 英寸。纯代工厂正在使用 6 英寸和 8 英寸工艺制造具有竞争力的功率器件。由于其垂直载流子传输，需要控制衬底晶体的质量并尽量减少缺陷。”还有其他问题。“GaN衬底比SiC衬底更昂贵，GaN中垂直方向的电子传导仅与SiC大致相同，”横向GaN功率半导体供应商EPC的首席执行官Alex Lidow说。“与 SiC 相比，GaN 中的电子横向迁移率高 3 倍，但垂直方向的迁移率相同。此外，碳化硅的热传导效率高出三倍。这对垂直 GaN 器件几乎没有动力。”氧化镓半导体同时，几家公司、政府机构、研发组织和大学正在研究β-氧化镓 (β-Ga2O3)，这是一种有前途的超宽带隙技术，已经研发了好几年。Kyma 表示，氧化镓是一种无机化合物，带隙为 4.8 至 4.9 eV，比硅大 3,000 倍，比碳化硅大 8 倍，比氮化镓大 4 倍。Kyma 表示，氧化镓还具有 8MV/cm 的高击穿场和良好的电子迁移率。氧化镓也有一些缺点。这就是为什么基于氧化镓的设备仍处于研发阶段且尚未商业化的原因。尽管如此，一段时间以来，一些供应商一直在销售基于该技术的晶圆用于研发目的。此外，业界正在研究基于氧化镓的半导体功率器件，例如肖特基势垒二极管和晶体管。其他应用包括深紫外光电探测器。Flosfia、Kyma、Northrop Grumman Synoptics、NCT 和其他公司正在研究氧化镓。美国空军和能源部以及几所大学都在追求它。Kyma 已开发出直径为 1 英寸的氧化镓硅片，而 NCT 则在运送 2 英寸硅片。NCT 最近开发了使用熔体生长方法的 4 英寸氧化镓外延硅片。“氧化镓在过去几年取得了进展，这主要是因为您可以生成高质量的基板。因此，您可以通过标准的直拉法或其他类型的液相生长法来生长氧化镓晶锭，”Kyma 的 Leach 说。这是半导体工业中广泛使用的晶体生长方法。最大的挑战是制造基于该技术的功率器件。“氧化镓的挑战是双重的。首先，我没有看到真正的 p 型掺杂的方法。您可能能够制作 p 型薄膜，但您不会获得任何空穴导电性。因此，制造双极器件是不可能的。您仍然可以制造单极器件。人们正在研究二极管以及氧化镓中的 HEMT 型结构。有反对者说，' 如果你没有 p 型，那就忘记它。这只是意味着它在该领域没有那么多应用，”Leach 说。“第二大是导热性。氧化镓相当低。对于高功率类型的应用程序来说，这可能是一个问题。在转换中，我不知道这是否会成为杀手。人们正在做工程工作，将氧化镓与碳化硅或金刚石结合，以提高热性能。”尽管如此，该行业仍在研究设备。“第一个采用氧化镓的功率器件将是肖特基势垒二极管 (SBD)。我们正在开发 SBD，目标是在 2022 年开始销售，”NCT 公司官员兼销售高级经理 Takekazu Masui 说。NCT 还在开发基于该技术的高压垂直晶体管。在 NCT 的工艺中，该公司开发了氧化镓衬底。然后，它在硅片上形成薄外延层。该层的厚度范围可以从 5μm 到 10μm。通过采用低施主浓度和40μm厚膜的外延层作为漂移层，NCT实现了4.2 kV的击穿电压。该公司计划到 2025 年生产 600 至 1,200 伏的氧化镓晶体管。NCT 已经克服了氧化镓的一些挑战。“关于导热性，我们已经确认可以通过使元件像其他半导体一样更薄来获得可以投入实际使用的热阻。所以我们认为这不会是一个主要问题，”增井说。“NCT 正在开发两种 p 型方法。一种是制作氧化镓p型，另一种是使用氧化镍和氧化铜等其他氧化物半导体作为p型材料。”展望未来，该公司希望开发使用更大基板的设备以降低成本。减少缺陷是另一个目标。金刚石、氮化铝技术多年来，业界一直在寻找可能是终极功率器件 — 金刚石。金刚石具有宽带隙 (5.5 eV)、高击穿场 (20MV/cm) 和高热导率 (24W/cm.K)。金刚石是碳的亚稳态同素异形体。对于电子应用，该行业使用通过沉积工艺生长的合成钻石。金刚石用于工业应用。在研发领域，公司和大学多年来一直致力于研究金刚石场效应晶体管，但目前尚不清楚它们是否会搬出实验室。AKHAN Semiconductor 已开发出金刚石基板和镀膜玻璃。设备级开发处于研发阶段。“AKHAN 已经实现了 300 毫米金刚石晶圆，以支持更先进的芯片需求，”AKHAN 半导体创始人 Adam Khan 说。“在高功率应用中，金刚石 FET 的性能优于其他宽带隙材料。虽然 AKHAN 的兴奋剂成就是巨大的，但围绕客户期望制造设备需要大量的研发、技术技能和时间。”该技术有多种变化。例如，大阪市立大学已经展示了在金刚石衬底上结合 GaN 的能力，创造了金刚石上的 GaN 半导体技术。氮化铝 (AlN) 也是令人感兴趣的。AlN 是一种化合物半导体，带隙为 6.1 eV。据 AlN 衬底供应商 HexaTech 称，AlN 的场强接近 15MV/cm，是任何已知半导体材料中最高的。Stanley Electric 子公司 HexaTech 业务发展副总裁 Gregory Mills 表示：“AlN 适用于波段边缘低至约 205nm 的极短波长、深紫外光电子设备。“除了金刚石之外，AlN 具有这些材料中最高的热导率，可实现卓越的高功率和高频设备性能。AlN 还具有独特的压电能力，可用于许多传感器和射频应用。”几家供应商可提供直径为 1 英寸和 2 英寸的 AlN 晶片。AlN 已经开始受到关注。Stanley Electric 和其他公司正在使用 AlN 晶片生产紫外线 LED (UV LED)。这些专用 LED 用于消毒和净化应用。据 HexaTech 称，当微生物暴露在 200 纳米到 280 纳米之间的波长下时，UV-C 能量会破坏病原体。“正如我们所说，基于单晶 AlN 衬底的设备正在从研发过渡到商业产品，这取决于应用领域，”米尔斯说。“其中第一个是深紫外光电子学，特别是 UV-C LED，由于它们具有杀菌和灭活病原体（包括 SARS-CoV-2 病毒）的能力，因此需求激增。”多年前，HexaTech 因开发氮化铝功率半导体而获得美国能源部颁发的奖项。这里有几个挑战。首先，基板昂贵。“我不知道氮化铝在这里有多大意义，因为它在 n 型和 p 型掺杂方面都有问题，”Kyma 的 Leach 说。结论尽管如此，基于各种下一代材料和结构的设备正在取得进展。他们有一些令人印象深刻的属性。但他们必须克服许多问题。EPC 的 Lidow 说：“这意味着将需要大量资本投资才能将它们投入批量生产。” “额外的好处和可用市场的规模需要证明大量资本投资的合理性。