正电子波谱仪

电子自旋共振波谱仪电子自旋共振（ESR）波谱仪能够检测样品中自由基的浓度和成分。样品可以是液体、固体或气体。自由基是具有未成对电子的原子或分子，它们非常活跃。也有许多稳定的自由基，如毛发里的黑色素或群青色素等。许多过渡金属和稀土金属也有未成对电子，会检测出ESR信号。诸如紫石英、烟晶和萤石等因含有未成对电子而呈现出颜色的矿石，也会有ESR信号。电子自旋共振（ESR），亦称电子顺磁共振（EPR），它和NMR、MRI都是磁共振波谱技术。NMR和MRI是原子核与电磁辐射（EMR）发生交互作用，而ESR/EPR则是一个或多个未成对电子与电磁辐射发生交互作用。尽管NMR无法检测出所有原子核，但绝大多数物质都会产生NMR信号，不过，ESR并非这种情况。在各种形式的磁共振中，EMR是其磁分量与原子核或电子的磁矩发生交互作用。自旋成对电子的净磁矩为零；因此，不会有ESR信号。典型ESR波谱仪，是将样品放置于可以缓慢变化的均匀磁场辐照范围的高频共振腔中。在微波以固定频率照射下，未成对电子将在符合等式E=hν=gBH的特征磁场中，在自旋“向上”和自旋“向下”状态之间，发生共振跃迁，如下面的概念图所示：台式 Micro ESR m i c ro E S R配备了一个小巧的0 . 3 4 8特斯拉稀土磁体 。这个 磁 体 装 置 采 用 低 功 率电磁 铁 芯 来 调 节 磁场。microESR是一台连续波（CW）波谱仪，扫描范围超过500Gauss。磁场中心位于自由电子自旋g值附近。这台波谱仪采用线性压控振荡器作为微波源，可在9.7GHz频率下产生0.5至70mW射频功率。microESR采用正交锁相检 测法，系统内置锁相放大器。

顶级EPR波谱仪ELEXSYS II EPR波谱仪系列是具有杰出性能和灵活性的研究平台。ELEXSYS II EPR可以提供全部的EPR波谱仪技术和EPR解决方案。ELEXSYS II提供了具有独一无二的软件策略和先进硬件的以解决方案导向的波谱仪系列。ELEXSYS II EPR的升级和多频率共振ELEXSYS-II波谱仪可配备DICE-II ENDOR，成像系统，傅立叶变化脉冲系统。还可扩展到微波频率为1GHz至263GHz的 CW和/或FT模式的多频率和多共振EPR。软件ELEXSYS II具有完全开放式的可扩展性和完整的网络功能。单个用户或整个组都可以接入系统，并且不同的成员可能在不同的权限下工作。客户机/服务器体系结构一方面解决了多用户/多任务之间的冲突，另一方面也实现了波谱仪真正的实时功能。ELEXSYS IIEPR波谱仪系列E500 连续波CW波谱仪E540 成像波谱仪E560 电子-核双共振（ENDOR）/ 三共振（TRIPLE）系统E580 傅立叶变换FT/连续波CW波谱仪E600 W波段（94 GHz）连续波CW波谱仪E660 W 波段，电子-核双共振（ENDOR）系统E680 连续波CW /傅立叶变换 W-波段波谱仪E700 （263 GHz）连续波CW波谱仪E780 （263 GHz）连续波CW /傅立叶变换波谱仪 更多产品信息参考:

A系列波谱仪是布鲁克为了满足科研要求和经济型预算所推出的系列产品。A300是组合式模块化设计，而A200是紧凑的、高度集成系统。A系列波谱仪为多功能仪器，能研究气体、液体和固体样品的电子顺磁性。 由于A系列波谱仪运行模式多样，而且灵活多变，因此它既适用于常规测试工作，又可以进行高端的科学研究。A系列波谱仪在其同类产品中具有最高的灵敏度。由于采用最新的数字化技术，所以它改善了波谱仪的用户界面，能给用户提供大量的软件和硬件工具。A系列波谱仪是在25年前就已经创建了EPR世界标准的布鲁克 EPR研发部门开发的最新产品。

JEOL 超高灵敏度的电子自旋共振波谱仪是由全电脑控制，配有最新磁场控制系统的JES-X3系列。JES-X3系列电子自旋共振波谱仪可以胜任任何ESR测量，范围覆盖日常的常规检测至特殊的研究工作。JES-X3系列非常易于使用，可以成为你实验室的好帮手。

电子顺磁共振EPR/电子自旋共振ESR是近几年来越来越受到关注的磁共振波谱学技术，如近期环境化学相关研究，大气颗粒物中持久性自由基的检测，高级氧化过程对污水处理效果的检测，土壤污染物的检测，生物医药方面抗癌药的研制，自由基化学，化学反应中间过程的检测，锂电池材料的研究与检测，电池充放电过程的检测，材料缺陷，材料老化的研究等等非常多的应用面。非常多的研究领域都涉及到这一块，而EPR的实验数据也是自由基相关学科必不可少的实验证据。 相比于落地式EPR/ESR波谱仪的实验室水电和承重等的要求和实验操作人员的专业性的要求，桌面台式EPR/ESR波谱仪的灵活性和便携性则体现出非常大的优势，也给用户提供了一项性价比高，适用性强，便携度高的选择。 台式EPR/ESR波谱仪一经推出便得到广大用户的青睐，用户数也是逐年大幅度提升，Bruker Magnettech ESR5000身型虽小巧，功能却强大，检测灵敏度达50 pM，即样品中存在50 pM的未成对电子即可检测出信号，同时，其软件基于Windows系统，可用于实验数据采集和数据分析处理，全自动调谐，实验参数序列可以保存并一键调用，可以说，对初学者是非常友好的一款仪器，用户只需要把样品准备好，放入仪器，点击自动调谐和调用参数，便可得到样品的谱图。同时此款仪器可选配液氮变温单元（温度范围93K~473K），附光学窗口（可实现原位光照实验），自动转角器和自动进样器，流通池，组织池等多种附件。最大程度发挥仪器的潜力，帮助用户实现各种各样实验的设计。台式机的价格相对来说比落地机便宜了不少，平台适合配齐附件，课题组内也可只采购主机。

国仪量子电子顺磁共振波谱仪EPR-W900相比传统的X波段EPR（电子顺磁共振）技术，高频EPR技术具有诸多优势，在生物、化学、材料等领域具有重要应用价值。EPR-W900是一款W波段（94 GHz）高频EPR波谱仪，同时兼容连续波和脉冲EPR测试功能，搭配裂隙式超导磁体，最高磁场可达6 T，可进行4-300 K的变温实验。EPR-W900具有和X波段波谱仪EPR100相同的软件操作平台，为用户提供简单便捷的使用体验。 产品优势实验场景多样化可搭配原位光照系统、液氮液氦低温系统、高温系统、自动转角系统、电化学系统等，满足多场景实验需求。 灵活的的内置标样仪器内置Mn标，可精确进行定量EPR计算、g值校正计算，可拆卸的装配方式便于常规无标样测试与标样使用的任意切换。 绝对定量EPR技术未成对电子自旋绝对定量功能可用于方便、快速、直接地获取测试样品中未成对电子的自旋数目，无需使用参考样品或标准样品。 简洁易用的软件自动化软件操作，包括自动调谐、自动转角等功能。软件支持一维、二维扫描模式，满足用户各种测试应用需求。集成仪器控制软件、数据处理软件、自由基捕获数据库，测试与数据处理可同时进行。 优质的技术及售后服务专业的应用团队，随时提供专业的技术服务，定期组织高级EPR研讨班。优质的售后服务团队，24小时全天候响应，48小时内解决基础问题，无法迅速解决的问题一周内解决或提出明确解决方案。 核心优势高灵敏度高信噪比 先进的微波技术超低噪声微波产生技术结合弱信号探测技术，为谱仪高灵敏度提供保障。 自主探头设计技术谱仪探头可选配连续波高Q探头、高温探头、双模腔等。同时，基于高品质的探头设计技术，可根据使用场景，定制符合需求的探头。 优异的磁场系统超高稳定电磁体，具备精准的磁场扫描控制和过零场扫描技术，为高品质谱图提供保障。 专业的解谱服务资深技术顾问和应用工程师团队为用户提供EPR咨询服务，帮助EPR入门级客户掌握EPR谱图解析与归属。 应用领域化学领域配位化合物结构研究、催化反应、自由基检测、活性氧物种检测、化学反应动力学、小分子化学药物 环境领域环境监测如大气污染（PM2.5）、高级氧化法污水处理、过渡金属重金属、环境持久性自由基等 材料物理单晶体缺陷、磁性材料性质、半导体传导电子、太阳能电池材料、高分子性能、光纤缺陷、催化材料检测等 生物医疗抗氧化剂表征、金属酶自旋标记、活性氧（ROS）及酶活表征、职业病防护研究、核辐射应急医疗救援诊断分类、癌症放疗辐照相关研究等 食品行业农产品辐照剂量、啤酒风味保鲜期、食用油酸败检测、丙氨酸剂量计、食品饮料抗氧化性等 工业领域涂料老化研究、化妆品自由基防护系数、钻石陷阱鉴定、烟草滤嘴过滤功效、石油化工自由基质控等 可拓展的功能TR-EPR（时间分辨/瞬态）功能：将时间分辨技术与顺磁共振波谱技术相结合，可用于研究快速反应过程中的自由基或激发三重态等瞬态物质。 高温和低温变温满足石油化工领域的高温反应需求，实现原位高温EPR检测。低温至液氮温度甚至液氦温度，实现低温下弱信号原位探测，助力化学、材料领域科研探索。快速升降温满足变温测试需求。 丰富的测样结果验证某金刚石平行磁场信号 除氧后TEMPOL信号 多种自由基信号 Cu价态

国仪量子台式电子顺磁共振波谱仪EPR200MEPR200M是一款全新设计、符合工程学的台式电子顺磁共振波谱仪。在满足高灵敏度、高稳定性、多种实验场景的基础上，为每一位EPR实验用户提供高性价比、低维护成本、简洁易用的使用体验。 产品优势可靠稳定同时具备高灵敏度、高准确度、 高稳定性 软件灵活集成仪器控制软件、数据处理软件，灵活易用 台式便捷集成化程度高、小巧轻便，可置于桌面使用 调谐方便同时支持手动和自动化调谐，调谐使用方便 定量准确可选内置标样，进行精确g值测定和定量EPR测量 附件多样可任意搭配变温测量、自动转角器、原位光照等 应用领域化学领域配位化合物结构研究、催化反应、自由基检测、活性氧物种检测、化学反应动力学、小分子化学药物 环境领域环境监测如大气污染（PM2.5）、高级氧化法污水处理、过渡金属重金属、环境持久性自由基等 材料物理单晶体缺陷、磁性材料性质、半导体传导电子、太阳能电池材料、高分子性能、光纤缺陷、催化材料检测等 生物医疗抗氧化剂表征、金属酶自旋标记、活性氧（ROS）及酶活表征、职业病防护研究、核辐射应急医疗救援诊断分类、癌症放疗辐照相关研究等 食品行业农产品辐照剂量、啤酒风味保鲜期、食用油酸败检测、丙氨酸剂量计、食品饮料抗氧化性等 工业领域涂料老化研究、化妆品自由基防护系数、钻石陷阱鉴定、烟草滤嘴过滤功效、石油化工自由基质控等 应用案例 可拓展的功能 （液氮变温单元） （液氮指形杜瓦）液氮变温系统可实现原位低（高）温测试。 （光照单元）原位光照系统基于氙灯，实现紫外光、可见光到近红外光的全波长原位光照需求，有效助力光催化领域科研发展 （标准样品）（4 mm外径样品管、扁平池）转角器软件控制可实现自动转角，可用于研究不同取向的晶体性质。 为您提供全面的学术研讨服务 丰富的测样结果验证某金刚石平行磁场信号 除氧后TEMPOL信号 多种自由基信号 Cu价态

ECZ Luminous（JNM-ECZL 系列）是配备最先进数字和高频技术的核磁共振波谱仪。高度集成的STS（智能收发系统）采用高速、高精度数字高频控制电路，实现了谱仪的进一步微型化和高可靠性。它能够进行高磁场和固态核磁共振测试，同时保留了传统溶液核磁共振谱仪的尺寸。全新多频驱动系统支持在标准配置下进行多共振实验，提供了更广泛的解决方案。希望 ECZ Luminous 能给您带来愉快的体验。

AVANCE NEO 代表非常成功的 AVANCE 系列产品线中的新一代产品，这一系列产品确立了布鲁克在全球 NMR 技术及市场的领导地位。 虽然上一代 AVANCE III HD 架构已经提供了尖端的 NMR 性能，但 AVANCE NEO 将此性能进一步提升。它具有更快的控制、改进的动态范围以及更大的灵活性和可扩展性。 AVANCE NEO 基于“收发器”原则，这意味着每个 NMR 通道同时具有发送和接收功能。所以每个通道是其自己独立的谱仪，并具有完整射频生成、传输和接收的架构。这种体系结构在仪器配置和多渠道运行方面提供了最大灵活性。凭借这种新方法，可轻易实施多接收实验。 此外，AVANCE NEO 是一种嵌入式采集服务器和相关客户端服务器软件体系结构（TopSpin 4 和更高版本）的新概念。这使波谱仪独立于客户端计算机，从而让用户可以选择不同操作系统和选择不同位置来控制系统（例如人们可以通过云来控制系统）。 通过频率现扩展至 1.5 GHZ 和更高频率，并且对设置、诊断、内存缓冲等功能进行了各种增强，AVANCE NEO 已被确立为当前和下一代 NMR 波谱学家的首选研究平台。 使射频生成和检测更进一步 在 AVANCE NEO 中，最先进一代射频和新一代数字接收机通过独特的收发器技术结合在一起。每个通道配备四个独立的 NCO（数字控制振荡器）和一个接收器。频率、振幅和相位可以同时在 12.5 纳秒内设置。每个收发器具有 4GB 波形内存，允许执行最复杂的形状和序列。 接收机在 1.852 GHz 中频运作，允许光波谱仪频率在 1.25 GHz 以上。模拟数字转换器提供了数字滤波波谱采集，扫描宽度达 7.5 MHz。FID 累积到双精度数据中，消除了任何可能出现的数据溢出。 引入宽带射频放大器 AVANCE NEO 配备新型宽带放大器，从而省去了单独高频段和低频段放大器的需求。这些放大器是液体应用的标准，并将提供所有频率的全面覆盖，在高频率范围内超过 100W，在杂核范围内超过 500W。仪器装备中使用了高功率放大器，用于固态 NMR 或成像应用。 HPLNA 可实现最佳灵敏度和最小扰动 HPLNA 专为实现固态和液态波谱分析的最大性能设计而成。而最新的 GaAs 技术可以实现最高灵敏度，新型 4kW 峰值功率有源传输/接收开关在波谱仪的传输路径中提供全线性，为任何 NMR 应用传递最佳选择性激发性能。结合新的 AVANCE NEO 电子技术，现在可以显示复数的调谐和匹配曲线。 凭借优秀的封装和滤波设计，HPLNA 几乎不受电磁干扰，从而避免来自任何不必要外部 RF 源（如 HDTV）的干扰。这不仅可以实现最佳灵敏度，还可以将源自 NMR 实验室附近的数字通信干扰风险降至最低。 锁场 数字锁使用最高速度 FPGA，这是一种最新的模拟-数字和数字-模拟转换器，时钟频率高达 320 MHz，并提供实时高速数字信号处理，从而能够锁定有多个溶剂峰的复杂氘代溶剂。连同最新的高速转换器和快速数字信号处理，这一概念提供了最佳性能，并具有更高的精度和更强的低于外部射频干扰能力。配合所有布鲁克 CryoProbes 设计中低温氘前置放大器，可以实现前所未有的锁定灵敏度和稳定性。 SmartVT 和 SmartCooler SmartVT 是一个独特的、新的可变温度 (VT) 架构，由一个模块化的、即插即用多通道温度控制系统和新的 SmartCooler 组成，可进一步促进整体波谱仪稳定性和 NMR 探头性能。通过合并新型气流监测和调节能力以及处理多达四个加热器通道的潜力，SmartVT 控制器已得到显著增强，可同时监测最多九个温度传感器，与以前相比有更高的精度和调节速度。 新型 SmartCooler 是适用于 Bruker NMR 探头的 Bruker 新型 VT 气体预处理装置，结合了新型 SmartVT，可以非常准确地监测和控制 NMR 样品温度，使 NMR 结果不受实验室温度波动影响，如实验室气源和实验室每天的温度波动。 锁场和可变温度控制器之间的直接通信可实现一些功能，例如 NMR 温度计和安全功能（如基于选定溶剂的温度限制）。

赛默飞&trade picoSpin&trade 80 核磁波谱仪结构紧凑，价格经济，提供了核磁共振（NMR）波谱仪强大的功能。2特斯拉磁体, 高分辨率能够提供其它较低磁场波谱仪器无法显示的化学信息。picoSpin 80 波谱仪操作简便。NMR使用经验有限的学生和技术人员能够很容易地使用 picoSpin 80 波谱仪，进行化合物鉴定和结构分析。该仪器的毛细管位于一个可更换的模块内，仅需40微升液体样品。其温控永久磁铁不需要液体制冷剂，也无需使用耗材或定制的实验室设备。picoSpin 80 台式高分辨NMR谱仪，永磁体，共振频率为82MHz，有如下优点：分辨率： 1.44Hz信噪比：5000（水单次扫描）重量: 19千克 应用范围：高等院校化学类专业化学教育 有机化学，物理化学，无机化学，分析化学反应监控化学反应，高分子，生物燃料，化妆品&hellip 化学动力学研究化学热力学研究药物合成、药物中间体的结构鉴定工业领域石化、石油QA/QC等

picoSpin 45波谱仪结构紧凑、价格合理，为用户提供核磁共振（NMR）波谱技术的强大功能。该仪器大大减少了成本与尺寸，使各类实验室都可使用核磁共振光谱技术。它操作简便，可让核磁共振技术使用经验有限的学生和技术人员利用该技术来鉴定化合物或分析其结构。仪器单元仅占传统核磁共振波谱仪的一小部分空间。 该仪器的毛细管进样系统包含于一个可更换的样品仓内，仅需30&mu L液体样品。其温控永久磁铁不需要液体冷冻剂，进而无需使用耗材或专用的实验室设备。此外，由于仪器的重量很轻（少于5公斤），可轻松实现在多个实验室之间的共用。核磁共振波谱数据文件为标准的JCAMP-DX格式，以便兼容标准核磁共振数据分析套件。微型45MHz 1H脉冲傅里叶变换核磁共振波谱仪高性能，高分辨率，重量轻，便于携带使用简便；无需进行专门的操作培训可更换的毛细管样品仓微线圈探头完全可自由控制的脉冲控制器以太网界面网络服务器GUI包含一年期的Mnova*核磁共振数据分析套件规格数据样品量：30µ L尺寸：7 x 5.75 x 11.5 英寸 (17.8 x 14.6 x 29.2厘米)重量：10.5磅（4.8千克）

EMXplus?是大获成功的Bruker BioSpin EMX波谱仪系列的新一代产品。EMX以其在日常EPR研究领域的卓越性能著称。EMXplus的全新设计反映了Bruker BioSpin致力于EPR光谱仪用途的核心所在：样品分析。只需为EMXplus接通电源，即可启动EPR工作。在设备进行自我验证之后，将可通过备受认可的最新版WinEPR?用户界面进行操作。全新EMXplus控制柜包括通过以太网连接的最新研发的设备。全新信号通道和场控制器以无缝方式协同工作。在场强度和信号强度方面具备几乎无限的分辨率。EMXplus信号通道首次在一条通道中提供两个检测通道。同步双重检测方案（0o和90o调制相位，一次和二次谐波）只需轻点鼠标即可实现。新一代EMXplusX?微波桥和高灵敏度谐振器以最优方式匹配，确保最佳性能。 EMXmicro：最小的集成EPR系统EMXmicro，最新的CW-EPR谱仪，是一种全数字化、高度集成的波谱仪，具有卓越的分辨率和精度的磁场控制器和信号处理器。EMXmicro占用空间很少，连温度控制单元也集成在只有普通计算机大小的控制柜内。集成的信号处理器：它的一个主要特点是先进的18位数字分辨率，它使得信号强度独立于采集时间。集成的磁场控制器：具有18位的数字分辨率。高数字分辨率是在很大的扫描宽度下也可以检测窄EPR谱线的关键。

正电子湮没寿命谱仪：又名高分子材料分析仪 1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后，揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作，同时，也开展了许多应用研究工作，形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。 随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解，使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用，并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时，随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展，使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。 实验用放射源22Na，其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时（仅迟3 ps左右）还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此，测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子（0.511 MeV）之间的时间间隔，就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件（~106个）进行统计，就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数：系统时间分辨率（用50μCi 60Co源测量）：保证值：≤ 200ps；典型值：≤ 180ps

正电子湮没寿命谱仪/正电子寿命皮秒定时系统positron annihilation lifetime产品简介 放射源发射出高能正电子射入物质中后，首先在极短时间内（约10-12ps以下）通过一系列非弹性碰撞减速，损失绝大部分能量至热能，这一过程称为注入与热化。热化后的正电子将在样品中进行无规扩散热运动，晶格中空位、位错等缺陷往往带有等效负电荷，由于库仑引力 正电子容易被这些缺陷捕获而停止扩散，并将在物质内部与电子发生湮没。从正电子射入物质到发生湮没所经历的时间一般称为正电子寿命。由于湮没是随机的，正电子湮没寿命只能从大量湮没事件统计得出。 正电子寿命谱仪性能特点正电子湮没技术对材料的结构相变和原子尺度的缺陷极为敏感，已经成为研究物质微观结构和电子结构的无损的探测分析手段。正电子湮没作为微观分析技术一种，其主要研究范围在于针对原子尺寸的微结构和缺陷。与通常的微观结构分析如STM、SEM、TEM等技术相比，正电子湮没技术不仅可以提供缺陷的尺寸信息、相变信息，而且可以提供缺陷随深度分布的信息，能够深入的分析材料的电子结构以及正电子湮没处的化学环境等，弥补了其他微观探测技术的不足，具有不可替代性。 应用领域1.金属材料的形变、疲劳、淬火、辐照、掺杂、氢损伤等在材料中造成的空位、位错、空位团等缺陷以及研究这些缺陷的退火效应。2.材料中相变过程，如合金中的沉淀现象、马氏体相变、非晶态材料中的晶化过程、离子固体中的相变、液晶及其他高分子材料，聚合物中的相变，凝聚态物理等3.研究固体的能带结构、费米面、空位形成能等4.研究材料的表面和表层结构和缺陷。 技术优势1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制，可以是固体、液体或气体，可以是金属、半导体、绝缘体或高分子材料，可以是单晶、多晶或液晶等，适用于凡是与材料的电子密度及动量有关的问题。2.对样品温度没有限制，可以跨越材料的熔点或凝固点，而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带而来，因此可以对样品做高低温的动态原位测量，测量时可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。3.研究样品中原子尺度的缺陷，如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷，这些缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。技术参数1.时间分辨率=120ps2.计数率1000cps，可自动计数3.自动能窗调节4.高压漂移，自动修正5.数据文件无需修改格式，可直接解谱6.小巧台式，安装环境要求低此外可提供正电子湮没辐射角关联、多普勒展宽谱、慢化正电子谱仪。

正电子湮没寿命谱仪1.正电子湮没寿命谱仪应用于材料科学领域中半导体材料类缺陷的测试。这是一套测量设备和电源一体化的正电子湮没寿命谱仪。在寿命测试中，使用3GSPS来测算寿命时间，这是由两种BaF2 的闪烁体产生的高速脉冲信号所导入的。在多普勒宽谱（CDB）中，二维的柱图是由两个锗半导体探测器的波高分布特征值所计算出的。此外，这套正电子湮没寿命谱仪也可以用AMOC模式来测试相关材料的寿命时间及电子动量密度分布2.技术特征在寿命测试中，使用3GSPS来测算寿命时间，这是由两种BaF2 的闪烁体产生的高速脉冲信号所导入的。在多普勒宽谱（CDB）中，二维的柱图是由两个锗半导体探测器的波高分布特征值所计算出的。此外，这套测试设备也可以用AMOC模式来测试相关材料的寿命时间及电子动量密度分布3.技术原理时间分析光谱计、DSP多通道分析模块、前置放大器电源模块、高压电源模块、供电支架、BaF2闪烁体探测器、Ge半导体探测器、计算机PC、交换中心（每个模块PC和局域网电缆连接）4.应用案例四川大学中科院高能物理研究所日本各大高校研究所

正电子湮没寿命谱仪：又名高分子材料分析仪 1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后，揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作，同时，也开展了许多应用研究工作，形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。 随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解，使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用，并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时，随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展，使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。 实验用放射源22Na，其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时（仅迟3 ps左右）还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此，测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子（0.511 MeV）之间的时间间隔，就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件（~106个）进行统计，就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数：系统时间分辨率（用50μCi 60Co源测量）：保证值：≤ 200ps；典型值：≤ 180ps

正电子湮没寿命谱仪DPLS4000

高分子材料分析仪1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后，揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作，同时，也开展了许多应用研究工作，形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解，使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用，并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时，随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展，使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。实验用放射源22Na，其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时（仅迟3 ps左右）还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此，测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子（0.511 MeV）之间的时间间隔，就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件（~106个）进行统计，就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数：系统时间分辨率（用50μCi 60Co源测量）：保证值：≤ 200ps；典型值：≤ 180ps

数字化正电子湮没符合多普勒展宽谱仪

PSPB10000脉冲慢正电子束流装置 PSPB10000脉冲慢正电子束流是一种可精确调制时间、能量和位置的正电子束流，通过电磁线圈和电场的控制，可以实现对材料近表面和界面的结构形态进行分层扫描，可以实现材料中微观缺陷态的分层测量，从而对材料表面与界面进行结构表征。 从放射源产生的正电子首先通过慢化体能量降低到热能，然后通过聚束线圈实现对位置的调控，通过斩波器实现对时间的调控，通过加速电极实现对能量的调控。经过PSPB10000调制过的正电子可以停留在样品的特定深度。

英国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列描述-电子束，深紫外光(248nm)-最高分辨率，高对比度-对玻璃、硅和金属有很强的附着力-比PMMA敏感3-4倍-敏感性可以通过软烤调整-用于平面化和多层工艺-温度稳定，可达240℃-以甲基丙烯酸甲酯为基础的共聚物甲基丙烯酸，安全溶剂1-甲氧基-2-丙醇

产品详情 英国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 6200 (CSAR 62)，高分辨率，用于生产集成电路和掩模的高对比度电子束电阻。 描述 -电子束 层thickn。0,05-1,6 evm (6000-1000 rpm)-高灵敏度，可通过开发人员-较高分辨率( 10nm)和非常高的对比度-工艺稳定性高，耐等离子体腐蚀-容易制造的起飞结构- poly(α-methyl styrene-co-α-chloroacrylate methylester)-更安全的溶剂茴香醚 工艺条件该图显示了AR-P 6200电阻的示例处理步骤。所有规范都是指导值 描述必须适应自己的具体情况。For 进一步 信息 processing, ? “Detailed instructions 用于电子束电阻的良好处理。征求有关废水处理和一般安全的建议 instructions, ? ”General 产品 信息 Allresist 电子束 resists”. 等离子体刻蚀电阻CSAR 62的特征是高等离子体刻蚀抵抗。In AR-P diagram, 等离子蚀刻 率6200.09与的相比AR-P 3740(光刻胶)，AR-P 679.04(PMMA抗蚀剂)和ZEP 520A在CF4 + O2等离子体。 处理指令电子束照射: 所需的电子束照射剂量结构成像主要取决于所需的 minimum 结构 size, developer, 加速度 voltage (1 - 100 kV), thickness. 和 菲林厚度。The 照射 剂量 AR-P 6200.09 是 experiment (? CSAR 62 和 PMMA) 的 图 比较55℃/cm管(清除D0的剂量), 30 kV, 170 海里 layer, developer AR 600 - 546 , si wafer).对比是确定的14.2。因此，CSAR 62的敏感性是the的3倍标准PMMA耐蚀剂AR- p 679.03(在AR环境下研制)600-56)，或6倍以上的敏感，如果在AR 600-60. 两者之间的对比也更高，分别是2倍和1.4倍， 由于添加而增加的灵敏度增强灵敏度的成分已经在过程中发生曝光。因此，曝光后烘烤是不必要的。用于制备10nm沟槽(174 nm膜，100n)AR 6200.09需要的剂量约。220 pC /厘米(30kv，显影AR 600-546) E-beam exposure: The required e-beam exposure dose for structural imaging mainly depends on the desired minimum structure size, the developer, the acceleration voltage (1 - 100 kV), and the film thickness. The exposure dose for AR-P 6200.09 was in this experiment (? diagram comparison of CSAR 62 and PMMA)55 μC/cm2 (dose to clear D0 , 30 kV, 170 nm layer, developer AR 600-546, si wafer). The contrast was determined here to 14.2. CSAR 62 is thus 3x more sensitive as compared to the standard PMMA resist AR-P 679.03 (developed in AR600-56), or 6x more sensitive if developed in AR 600-60. Also the contrast is higher by a factor of 2 and 1.4,respectively. An additional increase in sensitivity due to addition of sensitivity-enhancing components occurs already during exposure. A post-exposure bake is thus not required. For the fabrication of 10-nm trenches (174 nm film, 100npitch), AR 6200.09 requires a dose of approx. 220 pC/cm(30 kV, developer AR 600-546)。 Lift-off structures:Resist CSAR 62 is well suited to generate lift-off structures with a resolution of up to 10 nm. If the dose isincreased by a factor of 1.5 - 2, narrow trenches with defined undercut can be fabricated with AR-P 6200.09. Undercut structures obtained with increased exposure dose High layers for special applications: Films with a thickness of up to 800 nm can be produced With AR-P 6200.13, and even 1.5-μm films are possiblewith experimental sample SX AR-P 6200/10. AR-P 6200.13: 100-nm trenches in 830-nm thick layer After vapour-deposition of metal and subsequent easy lift-off, metal structures remain19-nm metal lines after lift-off process with AR-P 6200.09 CrAu test structures with a line width of 26 nm Another field of application for CSAR 62 is the production of mask blanks which are coated with our resist andoffered by our partners: At a film thickness of 380 nm, 100-nm lines and spaces can be obtained on a chrome mask with AR-P 6200.13. The sensitivity is 12 μC/cm2 (20 kV, AR 600-548). Application examples for CSAR 62 Circuits for the 5 GHz range which are primarily needed for wireless Bluetooth or Wi-Fi technologies can in future be produced with CSAR 62. E-beam lithography is also required for the research on nanomaterials like graphene, for three-dimensional integrated circuits as well as for optical and quantum computers. The computing power or memory density is constantly increased in each of these technologies. Applications with the highest demands on computing power (supercomputers), e.g. in computational fluid dynamics or in space applications, thus also demand microchips with highest integration density. Fig. 1 CSAR 62 test structure on a mask blank with 50 nm lines and 50 nm trenches pitch line & space here 99.57 nm CSAR 62 for highest-resolution lithographyIn the work group for nanostructured materials of the MLUHalle, CSAR 62 is mainly used in highest-resolution lithography for the lift-off and as etching mask for dry chemicaletching processes. The new resist offers several specific advantages. It achieves the high resolution of PMMA, but at amuch lower dose. Due to the high contrast, vertical resistedges are generated which allow a reliable lift-off even with thinner films and ensure a uniform lift-off up to 20 nm: Fig. 3 Chrome structures with 20 nm lines after lift-off The goal in the lift-off of metal structures is however notalways to go beyond the limits of resolution. Typical applications for example in the contacting of nanowires rather require dimensions in a range of 30-50 nm, which can also be realised with other resists. The ?resolution reserve“ of CSAR 62 however allows for significantly improved structure accuracy and faster design with less iteration: 典型的纳米线接触结构。大的区域混合了小的细节Fig. 4 Typical structure for contacting nanowires. Large areas are mixed with small details During dry chemical etching, for example in the structuring of silicon nitride, CSAR combines the best of two worlds: It not only allows the use as a high resolution positive resist similar to PMMA, but also offers a stability which is comparable to novolacs. This facilitates the production of pattern with sharp edges that provide the required etch stability without the disturbing faceting at the edges which otherwise occurs frequently. CSAR 62 is normally used for films with thickness values between 50 and 300 nm. Intense plasma etching for the fabrication of deep etch structures however requires significantly thicker resist layers and places special demands on resolution and contrast. Resist AR-P 6200.18 was thus designed for high layer thicknesses of 0.6-1.6 μm and is particularly well suited for the realisation of high metal structures with lift-off, deep plasma etching processes or nanowires. Fig. 5 Lift-off structures with large undercut at a film thickness of 800 nm薄膜厚度为800纳米时，具有大凹下的提离结构 Application examples for CSAR 62 It is nonetheless possible to produce trenches with a width of 100 nm at a film thickness of 800 nm. The high contrast is made possible through the use of our developer AR 600-546. By increasing the irradiation dose, the degree of the generated undercut can be adjusted specifically (Fig. 5 +6). Each user can thus select the most favourable profile for his specific lift-off process. Fig. 6 AR-P 6200.13, 823 nm layer, dose: 1440 pC/cmFig. 7 Vertical structures at an area dose of 120 μC/cm2 for nanowires If circles are irradiated and developed in such thick layers,columns (nanowires) can be produced due to a high metal deposition (evaporation, sputtering or electroplating) (seevertical edges in Fig. 7). High-precision lift-off structures with the two-layer system CSAR 62/AR-P 617 The task in the IAP of the Friedrich Schiller University of Jena was to produce very small, high-precision rectangular structures. For this purpose, a two-layer system composed of AR-P 6200.09 as top layer and AR-P 617.06 as bottom layer was established. After exposure with e-beam writer Vistec SB 350OS, CSAR 62 was patterned with developer AR 600-546. The bottom layer was subsequently developed with developer AR 600-55, followed by coating with gold. The lift-off was performed with a mixture of acetone and isopropanole. The resulting structures are shown in Fig. 12. The structure sizes are 38 nm with structure intervals of approximately 40 nm. In particular to be regarded positively are the small radii of curvature at the corner of the inside of the ?L“.Fig. 12 High-precision L-shaped structures, produced with the two-layer system AR-P 6200.09 /AR-P 617.06 right 2 Layer sytems CSAR 62 – High-precision square structures A similar objective was pursued by this working group with respect to the fabrication of square structures. The aim was again to obtain corners with particularly high resolution. Forthis purpose a CSAR 62 film with a thickness of 100 nm was irradiated with 50 kV and developed with developer AR 600-546. In addition to the excellent properties of CSAR 62,also the irradiation design is of vital importance (see Fig. 13,centre: A right: B). Fig. 13 Different irradiation designs and resulting square structu-res (centre: A right: B) CSAR 62 – Development at lower temperatures The sensitivity of CSAR 62 is strongly influenced by the choice of the developer. In comparison to the standard developer AR 600-546, the sensitivity can almost be increased tenfold if AR600-548 is used which is however accompanied by an incipient erosion of unexposed resist areas. This is tolerable to a certain extent: If, for example, always 10% of the layer is lost, can this effect be compensated for in advance. Erosion can also be avoided if the development is carried out at lower temperatures, but this is again associated with a certain loss of the previously gained sensitivity. It thus comes down to the fact that an optimisation of the process is required. The lower temperatures offer, due to the more gentle development step, the possibility to increase the contrast or reduce the edge roughness. Fig. 14-16 show the sensitivities and resolutions of AR-P6200.04 at 6 °C and 21 °C (room temperature). Due tothe high contrast at 6 °C, a resolution of 6 nm could be achieved. Application examples for CSAR 62Fig. 14 CSAR 62 structures at 6 °C, opt. dose 195 pC/cm Fig. 15 CSAR 62 structures at 21 °C, opt. dose 121 pC/cm Fig. 16 Max. resolution of 6 nm at 235 pC/cm and 6 °C CSAR 62 nanostructures written with 100 kV At the Karlsruhe Institute of Technology, the suitability of CSAR 62 for the fabrication of complex architectures was investigated in detail. CSAR 62 layers were irradiated with e-beam writer EBPG5200Z at 100 kV and developed with developer AR 600-546. The results are shown in the figures below. Fig. 17 SEM images (gold-sputtered): CSAR 62 nanostructures, parameters: film thickness 200 nm, dose 225 μC/cm2 , 100 kV, developer AR600-546, 3 min, stopper AR 600-60。 A particular challenge is the writing and development of nano-sized hole structures. Using CSAR 62, a diameter ofremarkable 67 nm could be realised, whereby the sophis ticated structural element shows a very regular pattern. Developer for T-gate applications with AR-P 617X AR 600-50/2 is a new, sensitive and highly selective developer for high-tempered AR-P 617 layers (SB180 °C). PMMA or CSAR 62 layers are not attacked, which is of particular importance for multilayer processes e.g. in the manufacture of T-gates.Fig. 18 AR-P 617, film thickness: ~1 μm, SB 10 minutes at 200 °C, 50kV, dose variations, dependence of the sensitivity on the development time with developer X AR 600-50/2 at room temperature, stopper AR600-60 The sensitivity can easily be controlled via the duration of the development. At a development time of 60 s, the dose to clear is about 70 μC/cm2 , after 3 minutes of development about 40 μC/cm2 , after 6 minutes 25 μC/cm2 , and after 10 minutes about 20 μC/cm2 ! The amount of dark erosion is very low, even at longer development times. Fluorescent films with CSAR 62 and PMMAFluorescent dyes can be embedded into positive-tone ebeam resists like CSAR 62 and PMMA. For this purpose,both PMMA and CSAR 62 polymers were prepared in asolvent mixture which also dissolves the fluorescent dyesto a sufficient extent. The use of different fluorescent dyes allows a defined adjustable emission in various wavelength ranges. These dyes are highly process-stable, and structuring is performed in the same manner as in corresponding standard processes with uncoloured e-beam resists. By embedding dyes into CSAR 62, resist films could be generated which optionally show violet, blue, yellow, orange or red fluorescence. The intense fluorescence is retained even after tempering at 180 °C. Fig. 19 Intensely fluorescing films of CSAR 62 on glass. Fig. 20 Fluorescent structures (UV irradiation with a wavelength 250nm, developer AR 600-546) Fluorescent PMMA architectures were produced by Precision Optics Gera GmbH via electron beam lithography.These structures could be developed residue-free using an optimized developer. If these resist structures are excited with UV light (as shown in the two pictures), they begin to glow intensely. Fig. 21 Yellow fluorescent PMMA-based resist architectures Fig. 22 Red fluorescent PMMA-based resist architectures Due to the properties of these e-beam resists, resolutions up to the 10 - 20 nm range are possible. The main field of this application is in optical industry these materials are e.g. required for night vision devices. Fluorescent resist films are furthermore used for applications in microscopy.

电子顺磁共振（EPR）是一项检测具有未成对电子样品的波谱方法。即使是在正在进行的化学和物理反应中，它也能获得有意义的物质结构信息和动态信息，且不影响这些反应。在广泛的应用领域中，EPR是弥补其它分析手段的理想技术。 A系列波谱仪是Bruker 为了满足科研要求和经济型预算所推出的系列产品。A300是组合式模块化设计，而A200是紧凑的、高度集成系统。A系列波谱仪为多功能仪器，能研究气体、液体和固体样品的电子顺磁性。由于A系列波谱仪运行模式多样，而且灵活多变，因此它既适用于常规测试工作，又可以进行高端的科学研究。 A 系列波谱仪在其同类产品中具有最高的灵敏度。由于采用最新的数字化技术，所以它改善了波谱仪的用户界面，能给用户提供大量的软件和硬件工具。A 系列波谱仪是在25 年前就已经创建了EPR 世界标准的Bruker EPR 研发部门开发的最新产品。 EPR应用领域：生物与医学? 自旋标记和自旋探针技术? 自旋捕获? 活体组织和体液中的自由基? 抗氧化剂和自由基清除剂? 参比测试? 血氧测试? 药物的检测、代谢和毒性? 酶反应? 光合成? 金属键合部位的结构和识别? 辐照形成自由基及其光化学? 氧自由基? 生物系统中一氧化氮自由基? 致癌反应材料研究? 光照引起的涂料和聚合物老化? 高分子性能? 宝石的缺陷? 光纤的缺陷? 激光材料? 有机导体? 杂质缺陷对半导体的影响? 新型磁性材料的性质? 高温超导? C60 化合物? 腐蚀中的自由基行为化学? 自由基反应动力学? 自由基聚合反应机理? 自旋捕获? 金属有机化合物? 催化机理? 石油化工研 究? 氧化和还原过程? 双自由基和三重态分子物理? 磁化率测量? 过渡金属、镧系和锕系离子? 导体和半导体中传导电子? 晶体的缺陷（如碱卤化物的色心）? 激发态分子磁共振的光学检测? 单晶中的晶场? 低温下的再复合工业应用? 放射过程中的放射量测定? 啤酒保质期限的预测? 植物油的新鲜性? 受辐射高分子中的自由基检测? 高级光学玻璃的质量控制? 汽车涂料的抗氧化? 烟草过滤嘴的过滤功效? 半导体的缺陷中心

电子自旋共振（波谱）仪（EPR） 系统组成： 微波桥、控制柜（包括信号通道、磁场控制器）、磁体、电源、谐振腔等，以及液氮变温单元、紫外光照系统等； 工作原理：电子自旋共振波谱仪（EPR）是一项检测具有未成对电子样品的波谱方法。即使是在正在进行的化学和物理反应中，它也能获得有意义的物质结构信息和动态信息，且不影响这些反应。当含有未成对电子的物质放在谐振腔内，然后置于外磁场中（由磁体和电源产生，磁场控制器控制）时，未成对电子会发生能级分裂（具有能级差），然后在磁场的垂直方向加上微波（有微波桥产生），当微波的能量与前面叙述的能级差相等时，有一部分低能级中的电子就会吸收微波能量跃迁到高能级,也就是说发生了电子顺磁共振。然后我们就检测被吸收的能量，并对检测的信号进行进一步的处理（由信号通道完成），最终有数据系统输出。 主要功能：检测含自由基或过渡金属离子样品的微观结构信息和动态信息。 主要用途：1．化学方面：主要研究自由基反应动力学。2．物理方面：主要应用于晶体的缺陷、激发态分子磁共振的光学检测和单晶中的晶场与低温下的再复合等方面研究。3．材料科学方面：主要应用于光催化材料的研究，光照引起的涂料和聚合物老化、高分子性能，宝石的缺陷、光纤的缺陷、激光材料、有机导体杂质和缺陷时半导体的影响，新型磁性材料的性质、高温超导，C60化合物，腐蚀中的自由基行为等方面的研究。4．生命科学方面：主要应用于自旋标记和自旋探针技术、自旋捕获、使用饱和转移技术的生物分子动态特性、活体组织和体液中的自由基。EPR除了在基础理论研究外，近来在啤酒、食品、食用油、烟草以及化妆品等行业的质量控制和检测方面也取得很好的应用。

电子自旋共振（波谱）仪（EPR） 系统组成： 微波桥、控制柜（包括信号通道、磁场控制器）、磁体、电源、谐振腔等，以及液氮变温单元、紫外光照系统等； 工作原理：电子自旋共振波谱仪（EPR）是一项检测具有未成对电子样品的波谱方法。即使是在正在进行的化学和物理反应中，它也能获得有意义的物质结构信息和动态信息，且不影响这些反应。当含有未成对电子的物质放在谐振腔内，然后置于外磁场中（由磁体和电源产生，磁场控制器控制）时，未成对电子会发生能级分裂（具有能级差），然后在磁场的垂直方向加上微波（有微波桥产生），当微波的能量与前面叙述的能级差相等时，有一部分低能级中的电子就会吸收微波能量跃迁到高能级,也就是说发生了电子顺磁共振。然后我们就检测被吸收的能量，并对检测的信号进行进一步的处理（由信号通道完成），最终有数据系统输出。 主要功能：检测含自由基或过渡金属离子样品的微观结构信息和动态信息。 主要用途：1．化学方面：主要研究自由基反应动力学。2．物理方面：主要应用于晶体的缺陷、激发态分子磁共振的光学检测和单晶中的晶场与低温下的再复合等方面研究。3．材料科学方面：主要应用于光催化材料的研究，光照引起的涂料和聚合物老化、高分子性能，宝石的缺陷、光纤的缺陷、激光材料、有机导体杂质和缺陷时半导体的影响，新型磁性材料的性质、高温超导，C60化合物，腐蚀中的自由基行为等方面的研究。4．生命科学方面：主要应用于自旋标记和自旋探针技术、自旋捕获、使用饱和转移技术的生物分子动态特性、活体组织和体液中的自由基。EPR除了在基础理论研究外，近来在啤酒、食品、食用油、烟草以及化妆品等行业的质量控制和检测方面也取得很好的应用。

电子自旋共振（波谱）仪（EPR） 系统组成： 微波桥、控制柜（包括信号通道、磁场控制器）、磁体、电源、谐振腔等，以及液氮变温单元、紫外光照系统等； 工作原理： 电子自旋共振波谱仪（EPR）是一项检测具有未成对电子样品的波谱方法。即使是在正在进行的化学和物理反应中，它也能获得有意义的物质结构信息和动态信息，且不影响这些反应。当含有未成对电子的物质放在谐振腔内，然后置于外磁场中（由磁体和电源产生，磁场控制器控制）时，未成对电子会发生能级分裂（具有能级差），然后在磁场的垂直方向加上微波（有微波桥产生），当微波的能量与前面叙述的能级差相等时，有一部分低能级中的电子就会吸收微波能量跃迁到高能级,也就是说发生了电子顺磁共振。然后我们就检测被吸收的能量，并对检测的信号进行进一步的处理（由信号通道完成），有数据系统输出。 主要功能：检测含自由基或过渡金属离子样品的微观结构信息和动态信息。 主要用途：1．化学方面：主要研究自由基反应动力学。2．物理方面：主要应用于晶体的缺陷、激发态分子磁共振的光学检测和单晶中的晶场与低温下的再复合等方面研究。3．材料科学方面：主要应用于光催化材料的研究，光照引起的涂料和聚合物老化、高分子性能，宝石的缺陷、光纤的缺陷、激光材料、有机导体杂质和缺陷时半导体的影响，新型磁性材料的性质、高温超导，C60化合物，腐蚀中的自由基行为等方面的研究。4．生命科学方面：主要应用于自旋标记和自旋探针技术、自旋捕获、使用饱和转移技术的生物分子动态特性、活体组织和体液中的自由基。EPR除了在基础理论研究外，近来在啤酒、食品、食用油、烟草以及化妆品等行业的质量控制和检测方面也取得很好的应用。

电子自旋（顺磁）共振波谱仪ADANl CMS 8400是一款体积小、结构紧凑，易于操作和维护的EPR（ESR）波谱仪。CMS 8400 可用于液相或固相的EPR波谱检测，以检测顺磁性物质或自由基。CMS 8400 主要特点是紧凑的电磁铁和微波桥。并且，该仪器的高灵敏度和分辨率往往要通过比其价格和尺寸大很多倍的系统来实现。CMS 8400 ESR配有一个完全由计算机控制的系统，包括一个全面的软件包。内置频率计、磁场和温度传感器、g系数计算以及放大器和AD转换器的宽动态范围增加了CMS 8400的竞争优势，并为科技目的提供了独特的解决方案。电子自旋共振波谱仪（ESR）关键参数：电子自旋共振波谱仪（ESR）优势：电子自旋共振波谱仪（ESR）应用领域：化学 氧化和还原过程、自由基反应动力学、自旋捕获、有机金属络合物、聚合催化和反应、石油化学物理 磁化率、磁光性质、过渡金属、导体和半导体中的传导电子、晶体中的缺陷、低温复合、纳米结构生命科学 自由基和抗氧化剂、酶反应、光合作用、金属蛋白、自由基的光化学生成、生物系统中的NO含量工业研究 降解效应、聚合物性能、金刚石和光纤中的缺陷、半导体中的杂质/缺陷食品加工 油&气含水控制、加工控制、丙氨酸和EPR剂量测定等更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专 业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国 防、量 子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提 供完 整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 6200 (CSAR 62)工艺条件 该图显示了AR-P 6200电阻的示例处理步骤。所有规范都是指导值 描述 必须适应自己的具体情况。For 进一步 信息 processing, ? “Detailed instructions 用于电子束电阻的最佳处理。征求有关废水处理和一般安全的建议 instructions, ? ”General 产品 信息 Allresist 电子束 resists”. 等离子体刻蚀电阻 CSAR 62的特征是高等离子体刻蚀抵抗。In AR-P diagram, 等离子 蚀刻 率6200.09与的相比AR-P 3740(光刻胶)，AR-P 679.04(PMMA抗蚀剂)和ZEP 520A在CF4 + O2等离子体。 处理指令电子束照射: 所需的电子束照射剂量结构 成像 主要 取决于 所需 的 minimum 结构 size, developer, 加速度 voltage (1 - 100 kV), thickness. 和 菲林厚度。The 照射 剂量 AR-P 6200.09 是 experiment (? CSAR 62 和 PMMA) 的 图 比较55℃/cm管(清除D0的剂量), 30 kV, 170 海里 layer, developer AR 600 - 546 , si wafer).对比是确定的14.2。因此，CSAR 62的敏感性是the的3倍标准PMMA耐蚀剂AR- p 679.03(在AR环境下研制)600-56)，或6倍以上的敏感，如果在AR 600-60. 两者之间的对比也更高，分别是2倍和1.4倍， 由于添加而增加的灵敏度增强灵敏度的成分已经在过程中发生曝光。因此，曝光后烘烤是不必要的。用于制备10nm沟槽(174 nm膜，100n)AR 6200.09需要的剂量约。220 pC /厘米(30kv，显影AR 600-546) E-beam exposure: The required e-beam exposure dose for structural imaging mainly depends on the desired minimum structure size, the developer, the acceleration voltage (1 - 100 kV), and the film thickness. The exposure dose for AR-P 6200.09 was in this experiment (? diagram comparison of CSAR 62 and PMMA)55 μC/cm2 (dose to clear D0 , 30 kV, 170 nm layer, developer AR 600-546, si wafer). The contrast was determined here to 14.2. CSAR 62 is thus 3x more sensitive as compared to the standard PMMA resist AR-P 679.03 (developed in AR600-56), or 6x more sensitive if developed in AR 600-60. Also the contrast is higher by a factor of 2 and 1.4,respectively. An additional increase in sensitivity due to addition of sensitivity-enhancing components occurs already during exposure. A post-exposure bake is thus not required. For the fabrication of 10-nm trenches (174 nm film, 100npitch), AR 6200.09 requires a dose of approx. 220 pC/cm(30 kV, developer AR 600-546)。 Lift-off structures:Resist CSAR 62 is well suited to generate lift-off structures with a resolution of up to 10 nm. If the dose isincreased by a factor of 1.5 - 2, narrow trenches with defined undercut can be fabricated with AR-P 6200.09. Undercut structures obtained with increased exposure dose High layers for special applications: Films with a thickness of up to 800 nm can be produced With AR-P 6200.13, and even 1.5-μm films are possiblewith experimental sample SX AR-P 6200/10. AR-P 6200.13: 100-nm trenches in 830-nm thick layer After vapour-deposition of metal and subsequent easy lift-off, metal structures remain19-nm metal lines after lift-off process with AR-P 6200.09 CrAu test structures with a line width of 26 nm Another field of application for CSAR 62 is the production of mask blanks which are coated with our resist andoffered by our partners: At a film thickness of 380 nm, 100-nm lines and spaces can be obtained on a chrome mask with AR-P 6200.13. The sensitivity is 12 μC/cm2 (20 kV, AR 600-548). Application examples for CSAR 62 Circuits for the 5 GHz range which are primarily needed for wireless Bluetooth or Wi-Fi technologies can in future be produced with CSAR 62. E-beam lithography is also required for the research on nanomaterials like graphene, for three-dimensional integrated circuits as well as for optical and quantum computers. The computing power or memory density is constantly increased in each of these technologies. Applications with the highest demands on computing power (supercomputers), e.g. in computational fluid dynamics or in space applications, thus also demand microchips with highest integration density. Fig. 1 CSAR 62 test structure on a mask blank with 50 nm lines and 50 nm trenches pitch line & space here 99.57 nm CSAR 62 for highest-resolution lithographyIn the work group for nanostructured materials of the MLUHalle, CSAR 62 is mainly used in highest-resolution lithography for the lift-off and as etching mask for dry chemicaletching processes. The new resist offers several specific advantages. It achieves the high resolution of PMMA, but at amuch lower dose. Due to the high contrast, vertical resistedges are generated which allow a reliable lift-off even with thinner films and ensure a uniform lift-off up to 20 nm: Fig. 3 Chrome structures with 20 nm lines after lift-off The goal in the lift-off of metal structures is however notalways to go beyond the limits of resolution. Typical applications for example in the contacting of nanowires rather require dimensions in a range of 30-50 nm, which can also be realised with other resists. The ?resolution reserve“ of CSAR 62 however allows for significantly improved structure accuracy and faster design with less iteration: 典型的纳米线接触结构。大的区域混合了小的细节Fig. 4 Typical structure for contacting nanowires. Large areas are mixed with small details During dry chemical etching, for example in the structuring of silicon nitride, CSAR combines the best of two worlds: It not only allows the use as a high resolution positive resist similar to PMMA, but also offers a stability which is comparable to novolacs. This facilitates the production of pattern with sharp edges that provide the required etch stability without the disturbing faceting at the edges which otherwise occurs frequently. CSAR 62 is normally used for films with thickness values between 50 and 300 nm. Intense plasma etching for the fabrication of deep etch structures however requires significantly thicker resist layers and places special demands on resolution and contrast. Resist AR-P 6200.18 was thus designed for high layer thicknesses of 0.6-1.6 μm and is particularly well suited for the realisation of high metal structures with lift-off, deep plasma etching processes or nanowires. Fig. 5 Lift-off structures with large undercut at a film thickness of 800 nm薄膜厚度为800纳米时，具有大凹下的提离结构 Application examples for CSAR 62 It is nonetheless possible to produce trenches with a width of 100 nm at a film thickness of 800 nm. The high contrast is made possible through the use of our developer AR 600-546. By increasing the irradiation dose, the degree of the generated undercut can be adjusted specifically (Fig. 5 +6). Each user can thus select the most favourable profile for his specific lift-off process. Fig. 6 AR-P 6200.13, 823 nm layer, dose: 1440 pC/cmFig. 7 Vertical structures at an area dose of 120 μC/cm2 for nanowires If circles are irradiated and developed in such thick layers,columns (nanowires) can be produced due to a high metal deposition (evaporation, sputtering or electroplating) (seevertical edges in Fig. 7). High-precision lift-off structures with the two-layer system CSAR 62/AR-P 617 The task in the IAP of the Friedrich Schiller University of Jena was to produce very small, high-precision rectangular structures. For this purpose, a two-layer system composed of AR-P 6200.09 as top layer and AR-P 617.06 as bottom layer was established. After exposure with e-beam writer Vistec SB 350OS, CSAR 62 was patterned with developer AR 600-546. The bottom layer was subsequently developed with developer AR 600-55, followed by coating with gold. The lift-off was performed with a mixture of acetone and isopropanole. The resulting structures are shown in Fig. 12. The structure sizes are 38 nm with structure intervals of approximately 40 nm. In particular to be regarded positively are the small radii of curvature at the corner of the inside of the ?L“.Fig. 12 High-precision L-shaped structures, produced with the two-layer system AR-P 6200.09 /AR-P 617.06 right 2 Layer sytems CSAR 62 – High-precision square structures A similar objective was pursued by this working group with respect to the fabrication of square structures. The aim was again to obtain corners with particularly high resolution. Forthis purpose a CSAR 62 film with a thickness of 100 nm was irradiated with 50 kV and developed with developer AR 600-546. In addition to the excellent properties of CSAR 62,also the irradiation design is of vital importance (see Fig. 13,centre: A right: B). Fig. 13 Different irradiation designs and resulting square structu-res (centre: A right: B) CSAR 62 – Development at lower temperatures The sensitivity of CSAR 62 is strongly influenced by the choice of the developer. In comparison to the standard developer AR 600-546, the sensitivity can almost be increased tenfold if AR600-548 is used which is however accompanied by an incipient erosion of unexposed resist areas. This is tolerable to a certain extent: If, for example, always 10% of the layer is lost, can this effect be compensated for in advance. Erosion can also be avoided if the development is carried out at lower temperatures, but this is again associated with a certain loss of the previously gained sensitivity. It thus comes down to the fact that an optimisation of the process is required. The lower temperatures offer, due to the more gentle development step, the possibility to increase the contrast or reduce the edge roughness. Fig. 14-16 show the sensitivities and resolutions of AR-P6200.04 at 6 °C and 21 °C (room temperature). Due tothe high contrast at 6 °C, a resolution of 6 nm could be achieved. Application examples for CSAR 62Fig. 14 CSAR 62 structures at 6 °C, opt. dose 195 pC/cm Fig. 15 CSAR 62 structures at 21 °C, opt. dose 121 pC/cm Fig. 16 Max. resolution of 6 nm at 235 pC/cm and 6 °C CSAR 62 nanostructures written with 100 kV At the Karlsruhe Institute of Technology, the suitability of CSAR 62 for the fabrication of complex architectures was investigated in detail. CSAR 62 layers were irradiated with e-beam writer EBPG5200Z at 100 kV and developed with developer AR 600-546. The results are shown in the figures below. Fig. 17 SEM images (gold-sputtered): CSAR 62 nanostructures, parameters: film thickness 200 nm, dose 225 μC/cm2 , 100 kV, developer AR600-546, 3 min, stopper AR 600-60。 A particular challenge is the writing and development of nano-sized hole structures. Using CSAR 62, a diameter ofremarkable 67 nm could be realised, whereby the sophis ticated structural element shows a very regular pattern. Developer for T-gate applications with AR-P 617X AR 600-50/2 is a new, sensitive and highly selective developer for high-tempered AR-P 617 layers (SB180 °C). PMMA or CSAR 62 layers are not attacked, which is of particular importance for multilayer processes e.g. in the manufacture of T-gates.Fig. 18 AR-P 617, film thickness: ~1 μm, SB 10 minutes at 200 °C, 50kV, dose variations, dependence of the sensitivity on the development time with developer X AR 600-50/2 at room temperature, stopper AR600-60 The sensitivity can easily be controlled via the duration of the development. At a development time of 60 s, the dose to clear is about 70 μC/cm2 , after 3 minutes of development about 40 μC/cm2 , after 6 minutes 25 μC/cm2 , and after 10 minutes about 20 μC/cm2 ! The amount of dark erosion is very low, even at longer development times. Fluorescent films with CSAR 62 and PMMAFluorescent dyes can be embedded into positive-tone ebeam resists like CSAR 62 and PMMA. For this purpose,both PMMA and CSAR 62 polymers were prepared in asolvent mixture which also dissolves the fluorescent dyesto a sufficient extent. The use of different fluorescent dyes allows a defined adjustable emission in various wavelength ranges. These dyes are highly process-stable, and structuring is performed in the same manner as in corresponding standard processes with uncoloured e-beam resists. By embedding dyes into CSAR 62, resist films could be generated which optionally show violet, blue, yellow, orange or red fluorescence. The intense fluorescence is retained even after tempering at 180 °C. Fig. 19 Intensely fluorescing films of CSAR 62 on glass. Fig. 20 Fluorescent structures (UV irradiation with a wavelength 250nm, developer AR 600-546) Fluorescent PMMA architectures were produced by Precision Optics Gera GmbH via electron beam lithography.These structures could be developed residue-free using an optimized developer. If these resist structures areexcited with UV light (as shown in the two pictures), they begin to glow intensely. Fig. 21 Yellow fluorescent PMMA-based resist architectures Fig. 22 Red fluorescent PMMA-based resist architectures Due to the properties of these e-beam resists, resolutions up to the 10 - 20 nm range are possible. The main field of this application is in optical industry these materials are e.g. required for night vision devices. Fluorescent resist films are furthermore used for applications in microscopy.

A 系列波谱仪无破坏性无干扰多功能电子顺磁共振（EPR）是一项检测具有未成对电子样品的波谱方法。即使是在正在进行的化学和物理反应中，它也能获得有意义的物质结构信息和动态信息，且不影响这些反应。在广泛的应用领域中，EPR是弥补其它分析手段的理想技术。A系列波谱仪是Bruker 为了满足科研要求和经济型预算所推出的系列产品。A300是组合式模块化设计，而A200是紧凑的、高度集成系统。A系列波谱仪为多功能仪器，能研究气体、液体和固体样品的电子顺磁性。由于A系列波谱仪运行模式多样，而且灵活多变，因此它既适用于常规测试工作，又可以进行高端的科学研究。A 系列波谱仪在其同类产品中具有最高的灵敏度。由于采用最新的数字化技术，所以它改善了波谱仪的用户界面，能给用户提供大量的软件和硬件工具。A 系列波谱仪是在25 年前就已经创建了EPR 世界标准的Bruker EPR 研发部门开发的最新产品。 使用饱和转移技术研究生物分子动态特性生物与医学? 自旋标记和自旋探针技术? 自旋捕获?? 活体组织和体液中的自由基? 抗氧化剂和自由基清除剂? 参比测试? 血氧测试? 药物的检测、代谢和毒性? 酶反应? 光合成? 金属键合部位的结构和识别? 辐照形成自由基及其光化学? 氧自由基? 生物系统中一氧化氮自由基? 致癌反应材料研究? 光照引起的涂料和聚合物老化? 高分子性能? 宝石的缺陷? 光纤的缺陷? 激光材料? 有机导体? 杂质缺陷对半导体的影响? 新型磁性材料的性质? 高温超导? C60 化合物? 腐蚀中的自由基行为化学? 自由基反应动力学? 自由基聚合反应机理? 自旋捕获? 金属有机化合物? 催化机理? 石油化工研 究? 氧化和还原过程? 双自由基和三重态分子物理? 磁化率测量? 过渡金属、镧系和锕系离子? 导体和半导体中传导电子? 晶体的缺陷（如碱卤化物的色心）? 激发态分子磁共振的光学检测? 单晶中的晶场? 低温下的再复合工业应用? 放射过程中的放射量测定? 啤酒保质期限的预测? 植物油的新鲜性? 受辐射高分子中的自由基检测? 高级光学玻璃的质量控制? 汽车涂料的抗氧化? 烟草过滤嘴的过滤功效? 半导体的缺陷中心大磁场强度和效率方面都达到了最优。磁体由低碳、磷和硫含量A 系列波谱仪部件A 系列微波桥采用了最新的微波技术，具有很高的灵敏度和便利的操作方式。? 计算机远程控制? 衰减范围从0 到60 dB 或者更高，步长为1 dB? 微波功率的数字化显示? 高动态范围的AFC 频率锁定? 频率计电源Bruker 磁体电源具有非常卓越的稳定性和可靠性，以确保波谱仪的高性能和高分辨率。严格的测试控制程序、精心挑选电子器件和消除所有元件的高危险因素，从而使电源具有高度的运行可靠性。多年以来，年均故障率小于0.3%。磁体通过计算机辅助设计和模拟，Bruker 磁体在场均匀性、最的软磁纯钢制成。磁体采用间接冷却方式，无需热交换器也能运行。由冷却水、热量和电流触发的自动保护将保证磁体安全运行。以确保最佳的相位稳定性。达到了空前的稳定性和分辨率的结合。频率合成和检测都采用数字化，新一代的信号通道和磁场控制采用最新的18 位sigma-delta 技术，信号通道18 位数字分辨率(分辨率与检测速率无关)的实际优点是：即使所设定的增益不理想，信号也照样能完整展示，而不需要重新设定增益采集信号。进行二维实验时，即使信号强度变化较大也无需改变增益。新的信号通道具有两个完全独立的通道，可以同时采集一阶和二阶谐波，同相和非同相以及吸收和发散谱图。场控制器18 位场设置分辨率使得磁场扫描模式和静态场模式之间没有实质性差别，因为在此分辨率下，扫描不过是静态值的简单排列。磁场设定也不一定非要是线性或连续，这样可以节省扫描时间或采集特殊的谱图。当磁场从静态转换到扫描模式时，不会有跳跃，而且全程精度保持一致。数字化PID 温度控制将确保卓越的长时间磁场稳定性。灵敏度灵敏度是EPR 波谱仪最重要的参数之一。25 年前，Bruker 建立了测量灵敏度的国际标准，至今其它的EPR 波谱仪制造商都无法达到这一标准。信噪比与许多部件有关系，如微波源、检测系统、电子和微波屏蔽，探头，特别是每个模块各自的规格。A 系列波谱仪具有同类产品最高的灵敏度，它以校准过的弱沥青为标样，采用国际标准方法测定。谐振腔为了在特殊应用方面找到最佳解决方法，A 系列可以配备多种谐振腔和探头。它基本配置的谐振腔是带有光学窗口的，标准的高灵敏度谐振腔，它能自动调谐和自动匹配。这种谐振腔最常用，适用于液氮和液氦的变温单元。地显示和实时更新。即使在最困难的情况下，调谐模的无闪烁显谱仪控制、数据采集综合软件采集采集软件在微软Windows 系统下运行，可以使用鼠标轻松打开下拉式菜单和对话框。与Windows 相似的用户界面和合理的显示设计将帮助初学者很快熟悉和精通此软件，从而提高工作效率。实时显示只要飞快地扫一眼，你就能够监视波谱仪的状态。重要参数，如AFC 偏移、二极管电流、接收器大小、微波功率和磁场强度等都能清楚示也能很好地帮助用户手动调谐微波桥。微波桥和谐振腔的自动调谐正确地手动调谐微波桥和谐振腔的技能和知识对新手来说是令人畏缩的。自动调谐使你能够避开繁杂的手动调谐，轻松完成谱图采谱。这不仅带来了方便，而且对采集谱图也是非常重要的。扫场超线性扫描与数据采集完全同步保证线宽、分裂和g 值测量精确、可重复。波谱仪的高稳定性可以让你从内置的信号平均中获益。实验参数控制便利的工具能够通过鼠标点击帮助你优化实验参数，如接收增益、中心磁场和扫描宽度。扫描范围的选择、磁场设置和回扫的多项选择将保证设定实验参数的灵活性。谱图显示在应用窗口中能显示一张或多张谱图。每张谱图都将显示它们各自所设定的参数。实验温度控制变温操作需要精确和安全地控制温度。当使用A 4141 VT-I 变温单元时，加热器电流、蒸发器电流和气体流量都由采集软件调节。还备有器件的保护设备，以保护由于气流不够和液氮不足等将引起的部件损坏。自动信号通道校准精确的调制幅度和相位校准，对定量EPR 研究是至关重要的。校准程序将自动进行并保存至硬盘供以后使用。即使对新手而言，也能保证测试的精确度和可重复性。下运行的数据处理软件能帮助你分析和解释你的实验结果。数据分析综合软件运用采集软件可提高工作效率，但有一个问题， 你是怎样处理大量的数据？ 答案是， 在Windows直观和有效的菜单和对话窗口的设计将帮助你变得专业和高效。强大的处理和显示程序有利于谱图的快速分析。特别是能将一维谱图关联到二维数据，将帮助数据的组织，有利于对研究的自动处理和解释，这些研究包括外部变化的影响，如温度和微波功率。数字结果能通过剪切板导出或以ASCII 文件形式导出以便导入到其它程序作进一步的分析。查看指针、距离测量、缩放、行和列的数据显示都有助于直观获取你的结果。

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