热电氧化铌中的空位填充效应
利用密度泛函理论,分别用铌和氮填充氧化铌中的1a和1b空位后进行了系统的探索,设计出具有较大塞贝克系数的化合物。最主要的效应是在1b魏考夫位点填入氮后,塞贝克系数增加了5倍。这个结果可以从电子结构上理解,铌的非金属p轨道杂化引发量子约束,使塞贝克系数得以增强。通过测量反应溅射薄膜的塞贝克系数,可以验证这一点。使用Linseis的塞贝克系数/电阻测试仪LSR-3/1100同步测量了铌氧氮薄膜的塞贝克系数和电阻率。在800 ° C这些导电氮氧化物的塞贝克系数为-70 μ V/K,这是有史以来报道这些化合物中绝 对值最 大的。