四探针分析仪

ChemInstruments 化仪 探针材料分析仪 PMA-2000美国ChemInstruments 公司研制的PMA-2000探头材料分析仪具有精心设计, 功能齐全及操作简便等特征,可用于测试分析各种材料的特性, 例如黏性高分子材料, 粘合剂及混合物. 测试传感器将记录探头插入, 停留及抽出时的试验数据。随附的EZ数据软件使数据管理变得更容易。 仪器特性：l 坚固的结构，能够承受生产环境使用 l 探头有效行程为9吋；l 速度选择范围为0.02 到 40 吋/分 (0.5 to 1016 cm/m) 1-64 厘米/分钟l 可选定所需数据测试点l 可同时进行拉伸及压缩性能测试；l 可用压力及行程测定插入试验l 可独立设定插入及抽回速度,并可调整停留时间及行程；l 可调测试长度为0.025-4英寸（增量为0.025）或0.05-10厘米（增量为0.05厘米）l 读数单位可选择克, 公斤, 盎司, 磅或牛顿l 自动反程归位装置，自动过载保护装置；l 标准10 磅 (4.5 Kg) 压力传感器l 工作温度范围32°-150°F（0°-70°C）l 包括 EZ-Lab 软件 (不含微机, 探头及夹具，可选购不同种类的探头及夹具)l 数据可下载至EZ数据软件进行完整的数据管理l 精确到称重传感器量程的±0.1%l 最多可拉动25磅（11千克）l 通用输入电压85-265伏交流电（50/60赫兹） 可选探针 数据采集系统 l 采样频率为400Hz，采集8个采样，取平均值，记录一个检测数据。每隔20毫秒生成一个一个检测数据。l 检测完成时生成一张数据图表， 同时显示测试的平均值，最-高和最-低值。l 用EZ数据软件通过USB接口导出到本地PCl 检测值可选克、千克、盎司、磅或牛顿为单位 EZ数据 使用我们的EZ数据管理软件，EZ数据兼容的远程设置，操作控制和提高数据收集都是可行的。此应用程序需要一台外部PC（请参阅有关EZ Data产品的更多信息）校准服务本设备提供校准服务。请与我们联系以获取更多信息。 称重传感器易于拆卸，以便进行年度校准。配件：基本要求：提供各种探针固定装置：杯形夹具环缝夹具90°剥离夹具探针定位夹具非必需：各种试板尺寸和材料定制尺寸的手压辊各种尺寸的样品带切割机测试板支架可选：其它的压力传感器：2、5和25磅PSTC和TLMI测试手册尺寸：高：23英寸（58厘米）宽：13英寸（33厘米）长：16英寸（41厘米）重量：30磅（14千克）方法：该设备可用于通用的测试方法。l PSTC: 101 (A, B, C, D, E, F), 4, 16l ASTM: D 2979, D 3330, D 6195Al TLMI: L-IA1, L-IA2, L-IA3l AFERA: 4001 P11l FINAT: FTM 1-6, 9, 10, 11

以场发射 (FE) 电子枪为特色的JEOL电子探针显微分析仪（ EPMA），带来了表面分析世界。JXA-8530F在继承了JXA-8500F的强力硬件（包括 FE 电子枪、电子光学系统和真空系统）的同时，采用电脑操作进行数据的采集和分析，实现了微区分析。友好的PC控制操作环境，使得在极高的放大倍数下能够便利地进行快速、便捷的分析。 - PC平台操作 - 用FE电子枪进行高空间分辨率成像 - “Click Point Analysis”功能和用户菜单（User,s recipe） - 先进的操作 - WD/ED组合系统

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

超高真空低温四探针扫描探针显微镜美国RHK Technology 成立于1981 年。作为SPM 工业中的领军仪器制造商，RHK-Technology 始终保持着鲜明的特色：创新性、可靠性、产品设计的开放性与的客户支持。凭借着其优异的系统设计、精良的制造工艺、再加上与著名科学家的紧密合作，二十多年来RHK Technology 源源不断地向全科学家们输送着先进的、高精度的科学分析仪器。变温QuadraProbe UHV 4-探针SPM系统是RHK公司生产的多探针UHV SPM系统中的一种，该系统提供了多种分析功能、配备了多个超高真空室和相应的电子控制单元与软件，可以大地满足客户全面的研究应用需要。基本系统中提供了低温4探针扫描隧道显微镜（SPM），扫描电子显微镜（SEM），样品准备室和用于传输样品和针的快速进样室。其他的设备如扫描俄歇显微镜（SAM）也可选配以满足客户特别的研究需要。技术参数：- 样品温度：10K（LHe）； 80K（LN2）- 扫描范围：1.5μm（300K）；500nm （10K）- X，Y，Z粗进针：±1.5mm/step motion- 样品定位精度：±1.5mm- STM分辨率：四个探针均可实现HOPG的原子分辨- SEM分辨率：小于20nm- 针材料：钨或者铂、金等金属修饰的钨针。 主要特点：- 四个探针都能实现原子分辨；- 真正的样品和针低温操作（10K），得到佳的高分辨谱图；- 探针与样品立地传输与准备；- 所有探针具有先进的控制操作；- 用户可编程控制的开放性控制环境；- 制冷采用Bath Cryostat构造，大地减少了液氦的消耗；- 可升到非接触式AFM；- 样品台处配有可选择的超导磁体；- 通过光纤实现样品的光学激发。

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

日本电子JEOL场发射电子探针显微分析仪 JXA-iHP200FJXA-iHP200F在保持高局部微量元素分析性能的同时，追求每个人都能简单快速地使用好仪器。该仪器能更加有效地进行观察分析和操作，是更先进的一体化集成FE-EPMA。 产品规格：检测元素范围：WDS: Be＊1 / B to U, EDS: Be to U检测X-ray 范围：波长范围WDS: 0.087 to 9.3 nm能量范围EDS: 20 keV谱仪数：WDS: 最多5个可选, EDS: 1个最大样品尺寸：100 mm × 100 mm × 50 mm (H)加速电压：1 to 30 kV (0.1 kV steps)探针电流范围：1 pA to 3 μA探针电流稳定性：± 0.3％ / h, ± 1.0％ /12 h＊2二次电子像分辨率（观察模式）：2.5 nm二次电子像分辨率（分析模式下）： 20 nm（ 10 kV, 10 nA） 50 nm（ 10 kV, 100 nA）扫描放大倍率：×40 to 300,000 (W.D. 11 mm)扫描图像分辨率：Maxium 5,120 × 3,840产品特点：电子探针显微分析仪在钢铁、汽车、电子零件和电池材料等各种工业领域，作为研究开发和品质保证的分析工具被广泛使用，其用途越来越广。此外，在学术领域 ，地球空间科学、材料科学领域也在广泛使用，矿物等资源能源研究、各种新型材料研究等，期待在各种各样前沿研究中做出贡献。与此相应，在保持高局部微量元素分析性能的同时，追求每个人都能简单快速地使用好仪器。JXA-iHP200F能更加有效地进行观察分析操作，是更先进的一体化集成场发射EPMA。* EPMA是Electron Probe Microanalyzer简称◇ [Setting] 自动定位，准确安装样品台！迅速找到想观察的点！进样和获取样品台导航像一键完成。从导航像能够指定分析区域。◇ [Analysis] 充分的自动功能，谁都可以拍到高级的SEM像繁琐的设定也能对应，EPMA立马进行元素分析光学显微镜的自动聚焦功能与配备高精度/高速化新系统的SEM自动功能相结合，任谁都可以拍到高级的SEM像。【live Analysis】通过【live Analysis】能够在观察中进行筛选分析。初学者也能操作的【简单的EPMA】。用【EPMA-XRF integration】在XRF数据的基础上能够进行EPMA的条件设定。用【WD/ED integration】能够缩短分析时间。SEM、EDS、XRF、WDS、光学像的集成一体化提高了仪器的操作性能。 通过WD/ED integration，分析时间缩短的例子integration：用这些仪器推定的元素在一体化EPMA上可以一键设定分光晶体的组合◇ [Self Maintenance] 内置18种类校正样品，有效进行校正配置【分光器校正功能】减轻了定期进行分光器校正的作业而且也避免了校正样品设定时的人为失误；利用夜间对仪器进行校正，提高了工作效率。按照【维护通知功能】，在必要时期对仪器进行自我维护，保持设备最佳状态。 维护通知功能【客户支持工具】◇ 标配场发射电子枪能够在高倍率下获得高空间分辨率的SEM像和分析结果。在大电流下保持长时间稳定的热电子枪在短时间内分析微量元素的时候、整夜运行分析大量样品的时候显示出它的威力。

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

FT-3120 系列半自动四探针测试仪一.功能描述：四点探针标准测试方法，采用步进系统自动控制探头与样品接触，减少人为因素对测试结果的影响；参照A.S.T.M 标准；测量方块电阻、电阻率、电导率数据、PC软件采集和数据处理实现自动点测模式或手动点测模式，同一位置的重复测试或多点的面电阻测量，报表输出数据统计分析；提供标准校准电阻件.二.适用范围：晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等；半导体材料分析，铁电材料，纳米材料，太阳能电池，LCD，OLED，触摸屏等. 三.技术参数： 规格型号FT-3120AFT-3120BFT-3120CFT-3120D1.电阻10^-3～2×10^4Ω10^-5～2×10^5Ω10^-6～2×10^5Ω10-4～1×107Ω2.方块电阻 10^-3～2×10^4Ω/□10^-5～2×10^5Ω/□10^-6～2×10^5Ω/□10-4～1×107Ω/□3.电阻率 10^-4～2×10^5Ω-cm10^-6～2×10^6Ω-cm10-7～2×106Ω-cm10-5～2×108Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA， 10mA，100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA5.电流精度 ±0.1%±2%6.电阻精度 ≤0.3%≤10%7.PC软件操作PC软件界面：电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、数据管理分析：过程数据，大、小值，均值，方差，变异系数，样品编号，测试点数统计报表生成等8.探针范围：探针压力为100-550g；依据样品接触需要手动调节9.探针针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%圆头铜镀金材质，探针间距1mm；2mm；3mm选配，其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸：2-12寸（6寸150mm，12寸300mm）；方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式自动或手动单点模式12.加压方式测量重复性：重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境实验室环境15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：100W 16.选购项目电脑和打印机

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

Signatone四点探针与电阻率测试设备 Signatone 公司生产制造的QuadPro 制程发展电阻率测量系统包含了手动和自动的测量系统。手动系统包含一个滚珠轴承的四点探针机台，为因应使用的需要，手动机台往后可以升级增加自动机台的功能．自动机台系统是由计算机控制马达带动的，在测量100毫米、125 毫米、150 毫米、200 毫米、300 毫米的待测样品时，可设定自动测量9、25、49、或121 个测试点．系统使用四点探针，双架构测试方式，并整合了目前最佳的测量仪表可达到在1mΩ/□至2MΩ/□间小于1% 的误差．系统的准确度(Accuracy)与校准(Calibration)可追朔至美国国家标准局(NIST)。其它特点：平均电阻率(Resitivity)、电阻率标准差(Standard Deviation)、平均片电阻(Sheet Resistance)、片电阻标准差电阻温度系数(TCR, Temperature Coefficient of Resistance)使用自动温度控制器与温控待测样品载台(选用)及仪表测量电阻温度系数测量结果可以用二维(2D)或三维(3D)方式图形表示采用双架构测试方式(Dual Configuration)以达到最佳的系统准确性(Accuracy)与重复性(Repeatability)待测样品大小可由10 毫米到300 毫米在每个待测样品可上可自动测量高达49个可追朔至美国国家标准局的测试点QuadPro Automatic System (自动系统)自动的QuadPro 系统包括计算器、歩进马达控制单元、机台本体、200 毫米或者300 毫米隔离的待测样品载台(Isolated Chuck)。系统软件的设计让使用者可针对测量需求选择在每个待测样品上测量1、5、9、25 或者49 个自动测试点，并可自动绘图显示测量结果。使用者并可设定测试点在待测样品上的分布为方型或圆性。为提升测量数据的准确性与统计的有效性，软件可定义待测样品边缘的测量数据是否被采用。在测量开始时，系统软件自动搜集阻值范围，并据以作最佳的仪表设定。系统采用的双架构测试方式可消除因四点探针头结构误差所产生的测量误差，以提升系统测量的重复性和准确度。系统软件会控制并纪录每个测量点的位置与测量值，测量的结果如片电阻、电阻率和V /I(电压/电流)可在同一个测量结果的表格中表示。在完成全部测试点测量时，系统会用等高线图展示测量结果，此等高线图可在二维图与三维图间轻易的切换观看．电阻率与片电阻的平均值及标准差都会显示在等高线图上 QuadPro TCR Option (电阻温度系数测量选用项)电阻温度系数量测选用项整合了待测样品温度控制、仪表控制与温度系数运算的能力以完成电阻温度系数量测的功能。Signatone 提供了多种温度范围的温控待测样品载台系统供使用者选用。使用者可依测量需要设定开始温度、截止温度与在每个温度点停留多少时间后在开始量测。温度与量测得到的电阻值会存在同一个表格或图表内，以方便后续的分析使用。一般最常被采用的温控待测样品载台系统为室温至350°C。但是除了350°C 温控待测样品载台系统之外，Signatone 也提供低至-55°C 与高至600°C 的温控待测样品载台系统。一般QuadPro 的系统架构包括一台吉时利(Keithley)的2400 仪表(Source Measurement Meter)。吉时利2400 可测量的电阻范围为1mΩ至2MΩ。若使用者要测量更高电阻的材料，QuadPro 的系统架构将包括安捷伦(Agilent)的4156 参数分析仪，并采用隔离式的三轴系统架构，如此架构的QuodPro 系统的电阻测量范围为100mΩ 至10GΩ。为达到最佳的量测准确度，QuadPro 采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Four Point Probe Head (四点探针头)Signatone 提供了两大系列的四点探针头供使用者选用；SP4 系列和HT4系列．SP4 系列四点探针头是被大多数应用所采用的四点探针头，它是由直线排列的塑钢探针所组成．SP4 系列四点探针头提供了下列选项以适应各种应用：探针间距：0.040、0.050、0.0625 英寸探针针压：45、85、180 克探针材质：碳化钨(Tungsten Carbide)、锇(Osmium)探针半径：0.0016、0.005、0.010 英寸HT4 系列四点探针头表面看起来与SP4 系列四点探针头类似，但是HT4系列四点探针头适用陶瓷做的，故适用于高温与高电阻的测量，HT4 系列四点探针头可工作至650oC，而且HT4 系列四点探针头的耐高温同轴接线设计使其可测量的电阻值高达10GΩ．探针间距：0.050、0.0625 英寸探针针压：180 克探针材质：碳化钨(Tungsten Carbide)、锇(Osmium)探针半径：0.0016、0.005、0.010 英寸QuadPro Test & Calibration (测试与校准)Pro4-440N configuration (系统架构)电压与电流(V/I)的量测结果会记录在软件内．系统采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Pro4-440N 系统的标准范围是1mΩ/□至800KΩ/□．Pro4 Manual Four-Point Probe with Computerized Measurement System(Pro4 手动四点探针台与测量软件)Signatone 自1968 年就已经开始提供业界四点探针电阻率量测系统，其中的Pro4 系列手动四点探针台提供了简易且方便量测片电阻率(Sheet Resistivity)与体电阻率(Bulk Resistivity)的有效方法。使用者只要手动下针并操作软件上的量测按键，软件会自动控制吉时利仪表做最佳的电流设定并得到准确的量测。Pro4-440N configuration (系统架构)电压与电流(V/I)的量测结果会记录在软件内．系统采用了美国ASTM 标准F84-99 测试方法的双架构测试方式以补偿因为四点探针头间距可能不精确或量测接近导电层边缘而造成的量测误差．Signatone 同时也提供准确度可追朔至美国国家标准局(NIST)的校准片，适当的使用校准片和QuadPro 提供的校准程序，可确保系统的准确性优于1%．Pro4-440N 系统的标准范围是1mΩ/□至800KΩ/□．Pro4 Software (软件)使用者只需输入待测样品的大小、形状、待测样品边缘不包括部分的大小与测量点数，Pro4 软件会控制系统的测量、测量资料的撷取、显示、打印与资料的输出(Export)，使用者可设定要显示的参数(如电阻、片电阻或电压/电流)，也可以定义良品/不良品(Pass/Fail)的条件．测量点会在软件上以图样标示出来，同时提醒使用者将探针移至待测点．测量结束，测量数据的平均值、标准差、最大值与最小值会被标示出来，同时可打印测量数据含良品/不良品的报表．Pro4-4400 configuration (系统架构) Pro4-4400 系统与Pro4-440N 相同，但是不含计算器．使用者需自备计算器，计算器需含窗口软件与一个RS-232 接口．Pro4 用于测量芯片或其它材料的电阻率或片电阻． Pro4 使用双架构测试方式和自动设定仪表以保证测量的准确性．系统包括手动四点探针台、二个四点探针头、吉时利仪表(Keithley 2400)与软件． Pro4-4000 configuration (系统架构) Pro4-4000 不包括计算器与仪表，但是包含软件．使用者需自备计算器与吉时利仪表(Keithley 2400)系统包括手动四点探针台、二个四点探针头与软件．Manual Four-Point Probes (手动四点探针台)Signatone 生产各式电阻率测量设备，包括简易型四点探针台与四点探针头． S-302-4右图是四吋的四点探针台，可测量大至四吋的芯片，含四吋铁氟龙(Teflon)待测样品载台。四点探针台也有6"、8”与12”的． Four Point Probe Heads (四点探针头)除了四点探针台之外，Signatone 也生产四点探针头。SP4 系列四点探针头是设计给在室温使用的。HT4 系列四点探针头是设计给在高温使用的。一般四点探针头是由四支直线排列的探针组成，但是Signatone 也提供不同排列方式的订制探针头，例如四支针成矩形排列．

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.FT-331普通四探针方阻电阻率测试仪参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm 3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪关键词：双电测，导电薄膜，导体SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高正确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。一、主要特点： 1、 根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2、 也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。3、 换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。4、由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。 二、基本技术参数3.1 测量范围 电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm 方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□ 电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω3.2 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定) 直 径：圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限 SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限. 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限. 测量方位: 轴向、径向均可3.3. 4-1/2 位数字电压表： (1)量程： 20.00mV～2000mV (2)误差：±0.1%读数±2 字3.4 数控恒流源 (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA，1A (2)误差：±0.1%读数±2 字3.5 四探针探头（选配其一或加配全部） (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调 (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调3.6 电源 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：20W3.7 外形尺寸： 主机 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）

大气压分析探针 (ASAP) 质谱是原位质谱分析技术，用于升级现有的商品化液-质(LC/MS) 联用平台，快速简便分析固体、液体、组织或材料(如聚合材料)样品中挥发性和半挥发性化合物而无需样品制备和分离。 携带样品的 ASAP 探针插放于商品化的质谱离子源的源体内，热的氮气流使样品快速脱附至空气中，经电晕放电离子化产生质子化(正离子方式)或去质子化(负离子方式)离子，随后进行质谱或多级质谱定性、定量分析。ASAP 不干扰同一源体上的电喷雾(ESI)源或 APCI 源的运行，互为补充，且切换即时便捷。该离子化方式尤其适用于高端液质平台，充分展示其多级质谱的选择性碰撞碎裂能力，进行快速(30秒钟以下)鉴定和高灵敏度定量(pg 级)，以及精确质量分析能力，实现复杂混合物中化合物的快速鉴定和定量分析。成功的例子已经包括(但不限于) Bruker Qh-FTMS&trade , Thermo Ortitrap&trade , Waters Synapt HDMS，和 QTOF 等。ASAP 将成为替代现有的 EI/CI 固体分析探针的优选技术。同时，由于 ASAP 将 LC 分离和质谱分析相隔离，对于实现复杂液相色谱分离体系(如使用磷酸盐等非挥发性缓冲盐)的液质联用，将成为可能。 　例如，ASAP 用于轻松观察比较植物叶在正常气候条件下和在寒冷和黑暗条件下的不同化学变化。又比如，聚合物添加物可以 ASAP 快速鉴别，同时，在较高温度下聚合物本身热裂解，更增加鉴定可靠性。 ASAP 还可快速检测生物体液如尿样中的药物而无需样品前处理，或应用于检查钱币上的毒物等。环境污染物比如多环芳烃(PAH)，以及石油中的高馏分成份，均可以ASAP 轻松分析。产品性能：1、可升级 FT-MS、TOF、QTOF、离子阱、Orbitrap，单四极杆、三重四级杆、或其他各种类型的质谱仪2、兼容安捷伦、布鲁克、SCIEX、赛默飞、沃特斯等厂家的 LC-MS 液质质谱仪3、可分析液体、粘液、固体、粉末样品4、无需繁杂的样品制备和耗时的色谱分离5、样品分析在 30 秒内完成6、采用氮气为载气，无需消耗化学溶剂，无需处理化学废液，为“绿色”检测技术7、无需流动相，无需色谱设备及分离用消耗品（如色谱泵、色谱柱、进样器、试管）8、可供调节的实验参数少，简便易学9、不干扰 ESI 和 APCI 离子化。同一源体可安装 ASAP 和 APCI（或 ESI）离子化探针10、载气（氮气）流速取决于质谱仪随机携带的 APCI 源的氮气流速，通常为2.0-6.0 L/分之间（可依质谱仪型号不同而有所不同） 11、放电电压：利用质谱仪随机携带的 APCI（或ESI）源的放电电压12、气体加热：利用质谱仪随机携带的 APCI（或ESI） 源的加热传感功能，通常为 25℃ - 500℃（取决于自带源的温度范围）13、质量范围：取决于质谱仪本身的质量范围，通常为 5～3000 amu14、检测限：取决于质谱仪本身的灵敏度，通常为 1-10 pg 绝对量或 ppb 级浓度15、调节式探针：可调节电绝缘样品管的伸出幅度，便于灵敏度调谐16、无真空切换，样品分析在常压下进行17、工作环境条件：工作电压：230V,+/-10V；操作环境温度：10-400℃18、该仪器不属于含放射源设备或射线装置制造厂商：IonSense，Inc.（美国），大中华区代理为华质泰科生物技术（北京）有限公司。

产品详情JXA-iHP100 电子探针显微分析仪 可以安装通用性强、使用方便的能谱仪X射线探测器，组合使用WDS和EDS，能提供无缝、舒适的分析环境。 产品规格：检测元素范围WDS：(Be)*1 /B～U, EDS：B～UX射线检测范围WDS检测的波长范围: 0.087～9.3nm,EDS EDS检测的能量范围: 20keV分光谱仪数量WDS: 1～5道可选、EDS: 1台最大样品尺寸100mm × 100mm × 50mm（H）加速电压0～30kV（以0.1 kV为步长）束流电流范围10-12 ～ 10-5 A束流电流稳定度5%/h, ±0.3%/12h（W）二次电子分辨率6nm（W）, 5nm（LaB6）*2（W.D. 11mm, 30kV）扫描倍率×40 ～ ×300,000（W. D. 11mm）扫描图像分辨率最大 5,120× 3,840彩色显示器EPMA分析用: LCD 1,280 × 1,024SEM操作、 EDS分析用: LCD 1,280 × 1,024光学显微镜分辨率～1um焦深1um真空系统机械泵、分子泵、离子泵 *2真空度样品室: 优于8.0 x 10-4Pa,电子枪: 优于9.0 x 10-5Pa 产品特点： 可以安装通用性强、使用方便的能谱仪X射线探测器，组合使用WDS和EDS，能提供无缝、舒适的分析环境。 日本电子新开发出的EPMA （电子探针）秉承近半个世纪的EPMA的发展历史，JXA-iHP100具备用户友好的操作、通过新式简单易用的PC 用户界面提供完整范围的高精度、快速分析，这是JEOL长年来对高可靠性硬件不断改良的结果。JXA-iHP100电子探针是下一代能完全满足多种需求的强力分析工具之一。 EPMA快速启动 点击任何一点，就能开始预设的EDS定性、定量分析或WDS分析。 用户菜单（User recipes） 能保存或调用经常使用的各种不同类型的样品分析条件，菜单中包括了全部的电子光学参数、EDS和WDS参数在内。 EDS 的性能 数字化脉冲处理器 全谱面分布(WD/ED, 样品台和电子束扫描) 无风扇SDD (选配)

瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB一.概述：用于双极板材料本体电阻率和双极板与炭纸之间的接触电阻的测量和分析.通过PC软件操作界面运行，四探针低阻测量和接触电阻分析，自动生成报表，自动获得压力变化下电阻，电阻率和电导率的变化图谱，样品厚度测量，自动运算.统计分析，瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB二.参照标准：GB/T 20042.6-2011质子交换膜燃料电池 第6部分：双极板特性测试方法中四探针低阻测量和接触电阻测试方法及要求；三.参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□ 2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%瑞柯仪器四探针低阻/接触电阻测试仪FT-541SJB6.PC软件界面：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.7.测试方式: 四探针测量（体电阻率）和四端法（接触电阻测量）8.压力范围：0-1000kg（0-4MPa）.9. 样品形状为正方形（镀金电极为5cm×5cm)，面积为25cm2（其他规格定制）10.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W11. 加压方式：自动12. 样品高度量程和精度：高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm13.温湿度范围：常温-50度；湿度：20%-98%14.恒压时间：0-99.9S15.标配标准件：a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个16. 工作电源：220±10% 50HZ/60HZ17.标配外选购：1）.电脑和打印机依据客户要求配置； 2）.计量证书1份 配套方案：解决各材料状态 --固态、液态、气态、颗粒状 电阻、电阻率、电导率测量 ROOKO瑞柯仪器------专注于新材料测量与分析仪器解决方案 ----解决材料：导体、半导体、绝缘材料常温及高温等环境下电性能分析. ----我们一直在做：研发、生产、销售研发、生产、销售、租赁、实验室样品分析及后延扩展服务.

导电四探针电阻检测仪HRDZ通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析采用了四探针双电测组合(亦称双位组合)测量新技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。导电四探针电阻检测仪HRDZ因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，导电四探针电阻检测仪HRDZ用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。适用于企业、高等院校、科研部门，是检验和分析半导体材料质量的工具；液晶显示，自动测量和系数补偿，并带有温度补偿功能，自动转换量程；采用芯片控制，恒流输出，导电四探针电阻检测仪HRDZ选配：PC软件，保存和打印数据，生成报表技术参数1.方块电阻范围 10^-5～2×10^5Ω/□2.电阻率范围 10^-6～2×10^6Ω-cm测试电流范围 0.1μA ，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1%5.电阻精度 ≤0.3%6.显示读数 液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式 普通单电测量8.工作电源 输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗 lt 30W测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9Ω&bull cm。导电四探针电阻检测仪HRDZ可测方块电阻：0.1～1999Ω/口当被测材料电阻率≥200Ω&bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流精度：各档均优于±0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100μv准确度：0.2%（±2个字）（4） 供电电源：AC：220V ±10% 50/60HZ 功率8W（5） 使用环境：相对湿度≤80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210×高100×深240（mm）(7)KD探针头压痕直径：30/50μm间距：1.00mm探针合力：8±1N针材：TC

可以安装通用性强、使用方便的能谱仪X射线探测器，组合使用WDS和EDS，能提供无缝、舒适的分析环境。日本电子新开发出的EPMA （电子探针）秉承近半个世纪的EPMA的发展历史，JXA-8230具备用户友好的操作、通过新式简单易用的PC 用户界面提供完整范围的高精度、快速分析，这是JEOL长年来对高可靠性硬件不断改良的结果。JXA-8230电子探针是下一代能完全满足多种需求的强力分析工具之一。EPMA快速启动点击任何一点，就能开始预设的EDS定性、定量分析或WDS分析。用户菜单（User recipes）能保存或调用经常使用的各种不同类型的样品分析条件，菜单中包括了全部的电子光学参数、EDS和WDS参数在内。EDS 的性能数字化脉冲处理器全谱面分布(WD/ED, 样品台和电子束扫描)无风扇SDD (选配)产品规格检测元素范围 WDS：(Be)*1 /B～U, EDS：B～UX射线检测范围 WDS检测的波长范围: 0.087～9.3nm,EDS EDS检测的能量范围: 20keV分光谱仪数量 WDS: 1～5道可选、EDS: 1台，zui大样品尺寸 100mm × 100mm × 50mm（H）加速电压 0.2～30kV（以0.1 kV为步长）束流电流范围 10-12 ～ 10-5 A束流电流稳定度 5%/h, ±0.3%/12h（W）二次电子分辨率 6nm（W）, 5nm（LaB6）*2（W.D. 11mm, 30kV）扫描倍率 ×40 ～ ×300,000（W. D. 11mm）扫描图像分辨率 zui大 5,120× 3,840彩色显示器 EPMA分析用: LCD 1,280 × 1,024SEM操作、 EDS分析用: LCD 1,280 × 1,024*1: 需安装用于Be分析的选配分光晶体。*2: LaB6 为选配。

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

微透析采样系统(Microdialysis)是一种从生物活体内进行动态微量生化取样的技术，具有活体连续取样、动态观察、定量分析、采样量小、组织损伤轻等特点。主要由微量注射泵，清醒活动装置，微透析探针，自动收集器组成。本系统在神经科学、医药研究等领域已获得越来越广泛的应用。微透析采样系统主要原理是将一种具有半透膜的探针置于实验动物的特定组织中, 利用泵推送溶液至探针处,从而使组织内的目标物质通过半透膜扩散到探针内，以达到从组织内取出需要测量的低分子量物质,以便于进一步的分析。这套设备可对麻醉或清醒的动物进行连续的灌流实验，为医学、药学、生命科学等领域的发展提供了崭新的技术。应用范畴：精神药物学、神经病理及癌症研究、药物动态学及毒物学、生理学药理学、生命胺分析、乙酰胆素/胆碱分析、自由基/氨基酸分析、各种组织生化/药物分析。工作原理：完整的脑部微透析系统包含以下几个部分：微透析泵用于连续提供灌流液，微透析泵较高的稳定性和精确性有利于透析实验的进行。微透析探针清醒动物活动装置透析探针附件：液体切换器，探针支架，管路，接头等，起到导引，定位，固定等作用微透析液收集器配合微透析采集系统进行微透析样本的采集和低温保存。微透析样品收集器，用于样品的低温保存。该仪器具有 20 个样品位，单探针模式下连续收集 20 个样品，或者双探针模式下连续收集 2×10 个样品。最小可采集 1ul 的样品。保存温度为 8℃冷却微量收集器可同步收集1–2个透析液，配合双通道微透析泵可同步做2通道微透析取样实验；最低冷却温度：8℃；收集样品数：64 个(300μL瓶)或40个(2mL瓶)宽屏幕液晶显示4X20字符，RS232及USB接； 请关注玉研仪器的更多相关产品。如对产品细节和价格感兴趣，敬请来电咨询！

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪四探针电阻率/方阻测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。四探针电阻率/方阻测试仪 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … 标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。