刚接触TEM,有个关于单晶硅的问题向各位请教。我查了一下,单晶硅的晶体结构是金刚石立方体,因此它的衍射条件是 hkl全为奇数,或者h+k+l=4n。为什么我看到的文献中的衍射花样和我用crystalmaker模拟的结果不同呢?下面图1是文献中单晶硅沿方向的衍射和标注,图2是模拟的结果。图1中 (-2 0 0) (2 0 0) (-2 -2 2) (2 -2 2)这些点为什么没有被消去(h+k+l=/=4n)?是不是因为二次衍射,或者我对单晶硅的晶体结构理解有误?谢谢。图1http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/04/201104191155_289737_2267408_3.jpg图2http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/04/201104191156_289738_2267408_3.jpg
求高纯单晶硅,做XRD内标的,最好是粉末,或可以被磨碎的细小颗粒,谢谢
测试拉曼光谱仪信噪比时,需要用到单晶硅,请问这种单晶硅有什么特别要求吗?在哪里能够买到呢?急需,谢谢!
我将单晶硅熔化形成硅球,看一些文献说很可能还是单晶硅,或者是多晶硅。。请问大家我该如何去辨别,用什么方法去检测?
现在要测试拉曼光谱仪的灵敏度,从资料上看到要用到单晶硅三阶峰的高度,请问各位坛友,这种单晶硅在哪里可以买到啊?网上卖的那种做太阳能电池用的很薄的单晶硅片就可以吗?急求各位坛友帮助,谢谢!
各位专家,下图是委托检测的一个单晶硅XRD结果,只有一个峰。由于我没找到单晶硅的标准卡片,麻烦帮我分析下这个结果有没有问题?或者共享份单晶硅的XRD标准卡片也行,谢谢啦!http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/11/201011031102_256937_2069891_3.jpg
单晶硅的透过波长是多少?我想把单晶硅打磨得很薄,这样的硅片的透过波长是多少?谢谢!
我最近做了个单晶硅的拉曼测试,现急求单晶硅的标准拉曼图,求各位帮忙!多谢!我的邮箱:longweixu121228@163.com
实验室需要分辨多晶硅和单晶硅,不知道用什么办法可以解决?还望各位老师可以指点迷津。
单晶硅太阳电池的温度和光强特性《材料研究与应用》2008年04期中文, 谢谢!!
新手,求单晶硅电池实验室试验 的原始记录表单,求分享求分享求分享,谢谢各位前辈。。。
请教大师们:能否提供X射线在单晶硅的不同晶面,衍射角的各是多少?我对单晶硅的晶面判断上还是比较模糊,并且在使用X射线定向仪的时候,为什么接收的两倍角的调整不能精细调整?!请高人帮忙解答!小弟是个菜鸟!
求JC/T 1048-2007(单晶硅生长用石英坩埚)标准
各位大侠,请教下单晶硅TEM试片厚度如何用EELS计算?Si 的mean free path 是多少?
单晶硅的透射电镜,踩正某点菊池线,加物镜光阑后拍出的照片有很多纵横交错的黑色条纹,有粗有细,条纹取向没有规律,单纯是由于制样时样品弯曲造成的吗?有其他解释吗?如果是楔形样品,也就是不等厚,条纹会是规律平行的吗
请问下测单晶硅中的碳氧含量收费是什么样子的?[em09511]
RT,红外测单晶硅中代位碳时,要用参比片625cm-1处的晶格吸收扣掉,然后读出校正峰高,代入公式就求出来了;氧的应该也类似吧? 可是算出来的结果碳的话还可以(跟第三方检测结果差不多),氧的结果就一直偏低...... 有手算氧碳含量的前辈没,指点指点!!!
记得一次不知从那篇文章还是讲义里看到有一个好像是日本人做的单晶硅的沿多个方向入射的电子衍射花样图,依稀记得好像各带轴的衍射图像呈扇形排列,看着很漂亮。就是一时找不到了,不知道哪位仁兄手头有现成的,发出来让我瞅瞅,谢谢了![em0909]
近期单位内想使用中红外光谱仪检测单晶硅中的间隙氧不知道有没有先进使用过这种方法我目前遇到的问题是1. 无氧无碳片选现在市面上都没有卖了 不知道哪里还可以买到这种氧碳标准硅片2. 取基线的范围有900~1000 cm-1处也有别的文件写说960~1040cm-1 到底选哪边比较恰当,原因是什么3.有没有哪家仪器这方面做的比较详实的,可以供我们参考参考
本人急需低温红检测单晶硅中间隙氧、位为碳含量的最新方法。希望能够提供,谢谢。
我司生产单晶硅片和多晶硅片,后期还要上太阳能电池组件项目,请问我们都需要哪些设备,扫描电镜需要吗?
单晶硅中间隙氧和代位碳检测国标有述,请问老师:如何直接检测多晶硅中的氧、碳含量。
单晶硅的XRD为什么没有(200)峰?[font=CIDFont][color=#000000]1 3.1355 100.0 ( 1 1 1) 28.442 14.221 0.1595[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]2 1.9201 55.0 ( 2 2 0) 47.302 23.651 0.2604[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]3 1.6375 30.0 ( 3 1 1) 56.121 28.060 0.3053[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]4 1.3577 6.0 ( 4 0 0) 69.130 34.565 0.3683[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]5 1.2459 11.0 ( 3 3 1) 76.377 38.189 0.4013[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]6 1.1086 12.0 ( 4 2 2) 88.026 44.013 0.4510[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]7 1.0452 6.0 ( 5 1 1) 94.948 47.474 0.4784[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]8 0.9600 3.0 ( 4 4 0) 106.715 53.357 0.5208[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]9 0.9180 7.0 ( 5 3 1) 114.087 57.044 0.5447[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]10 0.8587 8.0 ( 6 2 0) 127.541 63.770 0.5823[/color][/font][font=CIDFont][color=#000000]11 0.8282 3.0 ( 5 3 3) 136.890 68.445 0.6037[/color][/font]
DPharp EJA差压变送器(Differential Pressure/Pressure high accuracy resomamt sensor pressure transmitter)是由日本横河电机株式会社于94年最新开发的高性能智能式差压、压力变送器,采用了世界上最先进的单晶硅谐振式传感器技术,自投放市场以来,以其优良的性能受到客户好评。EJA在DPharp EJa变送器基础上实现了以下设计目标:1、除保证高精度外,还实现了静压、温度等环境影响极小的高性能。2、可长期连续使用的高可靠性。3、小型、轻量,使其有受安装场所的限制,可自由安装。4、采用了微型计算机技术,具有完整的自诊断功能和通讯功能。5、开发时重视零点的稳定性,提高了维护效率。DPharp EJA变送器的开发获得了日本产业社会最高奖—大河内纪念奖和由桥本龙太郎颁发的优质产品奖,并通过美国、英国、法国、德国、俄罗斯、中国等先进国家的多种安全认证。EJA智能变送器采用日本横河电机开发的单晶硅谐振式传感器技术,是目前世界上最先进的变送器,自进入中国市场,深受广大用户的青睐,是变送器领域最具活力的名牌产品。也深得中国客户的好评,并于97年5月获取中国电力部进入200MW、300MW、600MW机组的认证书和中国化工部及石油部门的认证书。EJA特点●世界首创—单晶硅谐振传感器●采用微电子机械加工高新技术(MEMS)●传感器直接输出频率信号,简化与数字系统的接口●高精度,一般为±0.075%●高稳定性和可靠性●连续十万次过压试验后影响量≤0.03%/16MPa●连续工作五年不需要调校零点●BRAIN/HART/FF现场总线三种通讯协义供选择●完善的自诊断及远程设定通讯功能●可无需三阀组而直接安装使用●基本品的接液膜片材质为:哈氏合金C-276(小型标准为3.9kg)●外部零点/量程调校原理:由单晶硅谐振式传感器上的两上H形的振动梁分别将差压、压力信号转换成频率信号,送到脉冲计数器,再将两频率之差直接传递到CPU进行数据处理,经D/A转换器转换为与输入信号相对应的4~20mADC的输出信号,并在模拟信号上叠加一个BRAIN/HART数字信号进行通信。膜盒组件中内置的特性修正存贮器存贮传感器的环境温度、静压及输入/输出特性修正数据,经CPU运算,可使变送器获得优良的温度特性和静压特性及输入/输出特性。通过I/O口与外部设备(如手持智能终端BT2 00或275以及DCS中的带通信功能的I/O卡)以数字通信方式传递据,即高频2.4kHz(BRAIN协议)或1.2kHz(HART协议)数字信号叠加在4~20mA信号线上,在进行通讯时,频率信号对4~20mA信号不产生任何的影响。1、结构原理单晶硅谐振传感器的核心部分,即在一单晶硅芯片上采用微电子机械加工技术(MEMS),分别在其表面的中心和边缘作成两个形状、大小完全一致的H形状的谐振梁(H型状谐振器有两个振梁),且处于微型真空腔中,使其即不与充灌液接触,又确保振动时不受空气阻尼的影响。2、谐振梁振动原理硅谐振梁处于由永久磁铁提供的磁场中,与变压器、放大器等组成一正反馈回路,让谐振梁在回路中产生振荡。3、受力情况当单晶硅片的上下表面受到压力并形成压力差时将产生形变,中心处受至压缩力,边缘处受到张力,因而两个形状振梁分别感受不同应变作用,其结果是中心谐振梁受压缩力而频减少,边侧谐振梁因受张力而频率之差对应不同的压力信号。EJA 优良性能1、优良的温度影响特性2、优良的静压影响特性3、优良的单向过压特性EJX系列产品:是采用单晶硅传感器的高品质的电子差压变送器,适用于液体、气体或蒸汽的流量以及液位、密度和压力测量。可以通过内藏显示表或BRAIN协议或HART通讯协议显示其静压。还具有快速响应、通讯协议远程设定、自诊断功能以及任选高/低压力报警状态输出功能等特征。可提供FF现场总线型。EJX系列标准配置具有TUV认证。除FF现场总线型外都适用于SIL2场合。
如题,因衍射测试需要购买无衍射峰单晶硅片,求有实际购买和使用过的版友们推荐一下,非常感谢。
我的样品比较小,而且有孔隙,如果直接用橡皮泥粘或者放到有背底的试样架上,得到的衍射峰其实就是样品和试样架衍射峰的叠加.就我目前所知,用无背底的单晶硅片就可以解决这个问题,但不知道哪里有卖的.另外,不知道还有没有其他的办法可以解决这个问题?
产品简介: EJA120A智能变送器是日本横河电机株式会社最新推出的产品,率先采用数字化传感器—单晶硅谐振式传感器,传感器输出一对差值数字信号,在传感器部分直接消除外界干扰,开创了变送器的新时代。产品具有更高的精度(±0.075%)、更高的稳定性、可靠性,自推向市场,深受各界好评。产品特点: 世界首创—单晶硅谐振传感器 单晶硅谐振式传感器 高精度:±0.075% 连续工作5年不需调校 温度影响可忽略不计 静压影响可忽略不计 单向过压影响:连续10万次单向过压实验后影响量≤±0.03% 双向通讯功能(BRAIN/HART协议,FF现场总线) 完善的自诊断功能 小型、轻量(标准型3.9kg)静压影响忽略不计: 当加有静压(工作压力)时,两形状、尺寸、材质完全一致的谐振梁形变相同,故频率变化也一致,故偏差自动清除(公式和图类似温度影响)。单向过压特性优异: 接液膜片与膜盒本体采用独创的波纹加工技术,使外部压力增大到某一数值时,接液膜片能与本体完全接触,硅油传递给传感器的压力不再随外力的增加而增加,从而达到对传感器的保护作用。(图4)、(图5)所示为EJA过压特性。 EJA120A微差压变送器用于测量微小差压,然后将其转变成4-20mADC的电流信号输出。 EJA120A也可以通过BRAIN手操器或CENTUM CS/μXL或HART 275手操器相互通讯,通过它们进行设定和监控等。 应用类型型号膜盒量程(KPa)最大工作压力(KPa)微差压常规安装EJA120AE0.1-150
为什么单晶硅片可以做到无XRD衍射峰,如题,是用了什么特殊的工艺还是什么?
如题,半导体行业,单晶硅片表面如果磷元素含量过高,会对下游IC带来哪些影响?如果有相关的资料说明的话,最好附一下相关的理论资料,感谢!
[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]能检测固体晶体(如单晶硅)中的碳原子含量及B,P,As,Al,Sb,Ga的含量吗?(C为ppm级;其它的元素为亚ppb级)如果可以还需要其他仪器来联用吗?