单晶硅变送器

FKS3351ND进口单晶硅压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS3351ND单晶硅压力/差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mA HART电流信号输出，也可与BST9900、HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制FKS3351ND进口单晶硅压力变送器特点： 工业级精度 稳定准确，精度可达0.075级 量程覆盖 双保护膜片 稳定性能优越 阻尼可调，耐过压性强 使用寿命长，是普通扩散硅压力的2倍以上，稳定性强FKS3351ND进口单晶硅压力变送器： 产 品 名 称：FKS3351ND单晶硅压力变送器 测 量 类 型：压力/差压/绝压 测 量 范 围：0~160pa-40MPa准 确 度 等 级：0.1级、0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/ 蒙乃尔膜片 /哈氏合金膜片 显 示 类 型：LCD显示 输 出 类 型：4-20MA /4-20MA+HART/1-5V/ RS485防 爆 类 型：普通型/隔爆型ExdIⅡICT6 Gb/本安型ExialICT6 Ga接 线 方 式：M20X1.5 1/2NPT G1/2内螺纹 安 装 支 架：管装弯支架/板装弯支架/板装平支架FKS3351ND进口单晶硅压力变送器电路接线

北京昆仑海岸自主研发的JYB-810DC系列单晶硅智能差压变送器，高精度抗高温耐低温、防腐蚀、抗高酸高减。隔爆许可：Ex dIICT6；本安许可：Ex iaIICT6；适用于燃气、石油、、石化、LNG、CNG的监测以及长输管道的运输； 差压变送器中心传感单元采用全球名列前茅的高精度硅传感器技术，±0.075%精度，高可达±0.05%的铂金级精度微差压变送器采用全球前列的双过载保护膜片专利技术，高可达±0.075%的高精度。 差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa 三档，单向过载压力高到40MPa；差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场场静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能非常好，静压误差非常优；≤±0.05%/10MPa；传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温度性能佳，≤±0.04%/K；全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；微量程表压/绝压变送器采用全球前列的无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压高达7MPa，即满量程1166倍；稳定可靠，长期漂移为±0.1%/3年，10年免维护；非常宽的测量范围100Pa～60MPa（高可扩展至60MPa）高100:1的可调节量程比； EMC符合GB/T18268.1-2008标准要求；远传变送器采用先进的高温专利技术，可应用于400℃高温测量场合；覆盖全系列的卫生型设计技术，应用范围非常广。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

厦门市盈鑫丰进出口有限公司代理销售日本Yokogawa 横河压力 变送器横河EJA—A压力变送器横河DPHARP EJA-E压力变送横河EJX变送器横河温度变送器横河电磁流量计横河涡街流量计横河科里奥利质量流量横河PH计/ORP计横河三阀组及手操器横河压力变送器的原理：将水压这种压力的力学信号转变成电流（4-20mA）这样的电子信号压力和电压或电流大小成线性关系，一般是正比关系，所以，变送器输出的电压或电流随压力增大而增大由此得出一个压力和电压或电流的关系式。压力变送器的特点：1）使用被测介质广泛，可测油、水及与316不锈钢和304不锈钢兼容的糊状物，具有一定的防腐能力；2）高准确度、高稳定性、选用进口原装传感器，线性好，温度稳定性高；3）体积小、重量轻、安装、调试、使用方便；4）不锈钢全封闭外壳，防水好；5）压力传感器直接感测被测液位压力，不受介质起泡、沉积的影响。EJA-E系列智能变送器EJA-E系列智能变送器发布于2012年，采用单晶硅谐振式传感器，结合了EJA-A系列和EJX系列的先进技术和性能，可应对工业传感高稳定和高精度的要求，能够在严酷的工业环境中长期并稳定地运行。EJX-A系列智能变送器EJX-A系列智能变送器发布于2004年，采用单晶硅谐振式传感器，实现更高的精度和更智能的工业应用。YTA系列温度变送器YTA系列温度变送器可选择单/双传感器输入，接受热电阻、热电偶、直流毫伏和欧姆信号输入，转换为4～20mA DC模拟信号或者数字信号输出，满足各种现场的需求。Yokogawa横河EJA-A压力变送器Yokogawa横河EJA110A差压变送器Yokogawa横河EJA110A差压变送器Yokogawa横河EJA430A压力变送器Yokogawa横河EJA430A压力变送器Yokogawa横河EJA120A微差压变送器Yokogawa横河EJA120A微差压变送器Yokogawa横河EJA130A高静压差压变送器Yokogawa横河EJA130A高静压差压变送器Yokogawa横河115微小流量型EJA变送器Yokogawa横河115微小流量型EJA变送器Yokogawa横河EJA-E压力变送器Yokogawa横河EJA438E/Z隔膜密封式压力变送器（内嵌式膜片）Yokogawa横河EJA438E/Z隔膜密封式压力变送器（内嵌式膜片）Yokogawa横河EJA440E压力变送器Yokogawa横河EJA440E压力变送器Yokogawa横河EJA115E微小流量变送器Yokogawa横河EJA115E微小流量变送器Yokogawa横河EJA510E/530E绝对压力和压力变送器Yokogawa横河EJA510E/530E绝对压力和压力变送器Yokogawa横河EJA118E隔膜密封式差压变送器Yokogawa横河EJA118E隔膜密封式差压变送器Yokogawa横河电磁流量计 | 科里奥利横河质量流量计 | 横河质量流量计ADMAG AXF横河电磁流量计ADMAG AXF横河电磁流量计ADMAG AXG横河电磁流量计ADMAG AXG横河电磁流量计digitalYEWFLO多变量横河涡街流量计digitalYEWFLO多变量横河涡街流量计ROTAMASS 3横河科里奥利质量流量计ROTAMASS 3横河科里奥利质量流量计ROTAMASS Total Insight科里奥利横河质量流量计ROTAMASS Total Insight科里奥利横河质量流量计横河EJA130变送器EJA130E型高静压差压变送器适用于测量液体，气体或蒸汽的流量，液位，密度和压力， 并将其转换成4~20m...横河EJA130变送器EJA130E型高静压差压变送器适用于测量液体，气体或蒸汽的流量，液位，密度和压力， 并将其转换成4~20m...横河EJA120E微差压变送器横河EJA120E微差压EJA系列采用单晶硅谐振式传感器技术。单晶硅对于压力或温度的变化不存在滞后现象，是非常理想的材料。单晶硅谐振...横河EJA120E微差压变送器EJA系列采用单晶硅谐振式传感器技术。单晶硅对于压力或温度的变化不存在滞后现象，是非常理想的材料。单晶硅谐振...横河EJA530E变送器横河EJA530E变送器EJA510E/530E型高性能绝对压力和压力变送器可用于测量液体、气体或蒸汽的压力。 EJA510E/53...横河EJA530E变送器EJA510E/530E型高性能绝对压力和压力变送器可用于测量液体、气体或蒸汽的压力。 EJA510E/53...横河EJA118E变送器横河EJA118E变送器EJA118E型隔膜密封式差压变送器可用于测量高低温，高真空，高粘度以及易结晶介质的流量、液位、密度和压力。...横河EJA118E变送器EJA118E型隔膜密封式差压变送器可用于测量高低温，高真空，高粘度以及易结晶介质的流量、液位、密度和压力。...横河EJAE118变送器横河EJAE118变送器JA118E型隔膜密封式差压变送器可用于测量高低温，高真空，高粘度以及易结晶介质的流量、液位、密度和压力。 ...横河EJAE118变送器JA118E型隔膜密封式差压变送器可用于测量高低温，高真空，高粘度以及易结晶介质的流量、液位、密度和压力。 ...横河EJA110E/EJX变送器横河EJA110E/EJEJA110系列差压变送器广泛应用于石油、电力、能源、化工，主要用来测量液体、气体或蒸汽的液位、密度压力，然...横河EJA110E/EJX变送器EJA110系列差压变送器广泛应用于石油、电力、能源、化工，主要用来测量液体、气体或蒸汽的液位、密度压力，然...差压变送器差压变送器EJA110E型高性能差压变送器适用于测量液体，气体或蒸汽的流量，液位，密度和压力， 并将其转换成4~20m...

FKS2088GM进口隔膜压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS2088GM隔膜压力变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mAHART电流信号输出，也可与HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制。与传统压力变送器的区别在于它使用的是纳米单晶硅作为传感器材料FKS2088GM进口隔膜压力变送器特点 采用先进的 MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、独创的单晶硅双梁悬浮式设计，高准确度、超高过压性能优异的稳定性。内嵌智能信号处理模块，实现静压与温度补偿的完美结合，可在大范围内的静压和温度变化下提供极高的测量精度和长期稳定性。1.精度高：0.5%、0.1% 2.量程、零点外部连续可调，量程比100:1 3.正迁移可达500%、负迁移可达600% 4.稳定性能好，稳定性：0.25%60个月5.接触膜片材料可选；抵押浇铸铝合金壳体，全不锈钢法兰，易于安装。6.过程连接于其它产品兼容，实现zui佳测量FKS2088GM进口隔膜压力变送器参数 产 品 名 称:FKS2088GM隔膜压力变送器 测 量 类 型:压力/绝压 测 量 范 围:-100kpa- 100kpa-35MPA准 确 度 等 级:0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/蒙乃尔膜片/哈氏合金膜片/镀金膜片/四氟喷涂智能 显 示 类 型:智能显示 输 出 类 型:4-20mA/4-20mA+HART/1-5V/RS485防 爆 类 型:普通型/隔爆型ExdICT6 Gb/本安型ExiaIIC T6 Ga过 程 连 接:DN50/DN80/支持定制 安 装 支 架:B1/B2/B3支架外形尺寸FKS2088GM进口隔膜压力变送器电路接线

EJA110E差压变送器适用范围：EJA110E差压变送器的单晶硅谐振传感器是数字式传感器，采用频率差减能自动消除温度，静压等的影响。EJA110E型高性能差压变送器，适用于测量液体、气体或蒸汽的流量，液位，密度和压力， 并将其转换成4~20mA，DC的电流信号输出， 具有快速响应、远程设定和自诊断等功能。EJA-E系列支持哪些协议：EJA是目前世界上变送器标准品中能够达到国际电子工业安全可靠性认证SIL2标准的变送器，安全可靠性远远高于其他变送器。EJA-E系列支持BRAIN、HART/HART(1-5V)低功耗和FOUNDATION 现场总线或PROFIBUS PA通信协议。横河EJA110E系列差压变送器产品型号：型号规格代码说明EJA110E差压变送器输出信号-D4-20mA DC BRAIN协议-J4-20mA DC HART 5/HART 7协议-FFF现场总线协议 参阅GS01C31T02-01CN-GPROFIBUS PA总线协议 参阅GS01C31T02-01CN-Q1~5V DC低功耗 HART7协议测量量程（膜盒）F0.5~5KPa（2.0~20inH2O）（接液部分材质代码S）L0.5~10KPa（2.0~40inH2O）（接液部分材质代码S除外）M1~100KPa（4-400 inH2O）H5~500KPa（20-2000 inH2O）V0.14~14MPa（20~2000psi）接液部分材质□参阅“接液部分材质”表过程连接0无过程接头（容室法兰上有Rc1/4内螺纹）1带Rc1/4内螺纹的过程接头2带Rc1/2内螺纹的过程接头3带1/4NPT内螺纹的过程接头4带1/2NPT内螺纹的过程接头5无过程接头（容室法兰上有1/4NPT内螺纹）螺栓螺母材质JB7碳钢G316L SSTC660 SST安装7垂直安装，左侧高压，过程连接在下8水平安装，右侧高压9水平安装，左侧高压B底部过程连接，左侧高压U通用型放大器外壳1铸铝合金3抗腐蚀铸铝合金2ASTM CF-8M不锈钢电气连接0G1/2内螺纹，一个电气接口不带盲塞21/2NPT内螺纹，两个电气接口不带盲塞4M20内螺纹，两个电气接口不带盲塞5G1/2内螺纹，两个电气接口带一个盲塞71/2NPT内螺纹，两个电气接口带一个盲塞9M20内螺纹，两个电气接口带一个盲塞AG1/2内螺纹，两个电气接口带一个SUS316盲塞C1/2NPT内螺纹，两个电气接口带一个SUS316盲塞DM20内螺纹，两个电气接口带一个SUS316盲塞内置显示表D数字显示表E带量程设置开关的数字显示表N无2-inch管道安装支架ASECC 平托架B304 SST 平托架CSECC L型托架D304SST L型托架J316SST 平托架K316SST L型托架M316SST 底部过程连接N无附加规格代码/附加规格其他详细说明：1、EJA110差压变送器是横河EJA众多变送器产品中的一种。EJA110A、EJA110E差压变送器广泛用于测量液体、气体等。采用单晶硅压力传感器，单晶硅谐振式传感器将过压、温度变化和静压影响降为.低，为长期的稳定性提供的保证。2、EJA110差压变送器采用单晶硅谐振传感器，直接将压力信号转换成数字信号处理，减少A/D转换环节，有利于整个回路精度的提高。3、EJA110A差压变送器具有优异的单向和大压力过压能力，在24小时内10万次16MPa冲击的影响量小于0.03%，产品可靠性高，质量稳定。4、EJA110A、EJA110E差压变送器可以无须三阀组安装，节约设备投资成本，减少设备维护，减少故障点。5、EJA110A、EJA110E差压变送器全系列均同一品质，均为高质量产品。

FKS2088C进口高性能压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS2088C高性能压力变送器采用先进的 MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、独创的单晶硅双梁悬浮式设计，高准确度、超高过压性能优异的稳定性。应用全隔离电路技术的带HART通信协议的全隔离智能现场测量仪表，大大提高了整机的稳定性和抗干扰能力。变送器除了具有以往智能变送器的调整零位、量程和零压力微调的三个基本功能按键。FKS2088C进口高性能压力变送器特点1.高稳定性抗干扰变送器模组，多达X点的线性化调试2.采用进口原装传感器密封套件3.隔爆型铸铝壳体，加厚喷漆不褪色4.进口高精度陶瓷电容传感器，自带多点温度补偿 ，抗腐蚀性强5.采用SUS316材质具有良好的防腐性能 6.标准螺纹加工工艺7.可根据现场要求定制FKS2088C进口高性能压力变送器参数 产 品 名 称:FKS2088C高性能压力变送器 测 量 类 型:绝压/表压 测 量 范 围:-1000- 0-7000kpa准 确 度 等 级:0.1级、0.2级 膜 片 材 质:陶瓷 显 示 类 型:智能LCD显示/模拟显示 输 出 类 型:4-20mA/4-20mA+HART/1-5V/RS485防 爆 类 型:普通型/隔爆型ExdICT6 Gb/本安型ExiaIIC T6 Ga接 线 方 式:M44*1.25M安装支架：L型支架FKS2088C进口高性能压力变送器现场接线FKS2088C进口高性能压力变送器电路接线

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

FKS2088A进口容器专用差压变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS2088A差压变送器采用先进的 MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、全球独创的单晶硅双梁悬浮式设计，高准确度、超高过压性能优异的稳定性。内嵌智能信号处理模块，实现静压与温度补偿的完美结合，可在大范围内的静压和温度变化下提供极高的测量精度和长期稳定性。FKS2088A进口容器专用差压变送器参数 产 品 名 称:FKS2088A容器专用差压变送器 测 量 类 型:差压 测 量 范 围: 0kPa-35kPa-3.5MPa准 确 度 等 级:0.2级/0.5级 膜 片 材 质:316L/钽/钛/哈C/显 示 类 型:智能LCD显示/模拟显示 输 出 类 型:4-20mA/4-20mA+HART/1-5V/RS485防 爆 类 型:普通型/隔爆型ExdICT6 Gb/本安型ExiaIIC T6 Ga接 线 方 式:M20*1.5M/G1/2特殊规格 介 质 温 度：常温FKS2088A进口容器专用差压变送器现场安装FKS2088A进口容器专用差压变送器电路接线用途1.石油 / 石化 / 化工，与节流装置配套，提供精确的流量测量和控制。精确测量管道和贮罐的压力和液位。2. 电力 / 城市煤气 / 其它公司事业要求高稳定和高精度的压力、流量、液位测量等场所。3.纸浆和造纸用于要求耐化学液体、耐腐蚀性液体的压力、流量、液位测量场所。4.钢铁 / 有色金属 / 陶瓷用于炉膛压力、负压测量等要求高稳定性，高精度测量场所。5.机械装备 / 造船用于在严格控制压力、流量、液位等指标条件下，要求稳定测量的场所。

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

概 述LFT710系列差压变送器采用德国先进的MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、内置温度补偿元件。可在大范围内的静压和温度变化下提供极高的测量精度和长期稳定性。用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力。广泛应用于工业过程控制、自动化制造、航空航天、汽车与船舶、石油石化、电子电力、医疗卫生等众多领域。LFT-710能准确的测量差压，并把它转换成4~20mA DC的输出信号。该变送器可通过三按键本地操作，或通用手操器、组态软件、以及手机APP远程操作，在不影响4~20mA DC的输出信号的同时，进行显示与组态调整。

JYB-820PZ系列单晶硅智能压力变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力以及流量，然后将其转变成4~20mADC HART电流信号输出，内置产品详细信息，便于用户现场查询和远程参数管理，也可与 KL810 手持终端或遥控器相互通讯，进行参数设定、过程监控等。本系列产品涵盖压力、绝压、法兰、卫生型等多种测量方式。

重庆川仪EJA530E-JAS4N-012DN/NS21压力变送器EJA510E/530E型**压力和压力变送器适用于测量液体、气体或蒸汽的压力， 并将其转换成4~20mA DC的电流信号输出， 具有快速响应、远程设定和自诊断等功能。EJA-E系列支持BRAIN、HART/HART(1-5V)低功耗和FOUNDATION-现场总线或PROFIBUS PA通信协议。EJA-E高性能差压变送器采用单晶硅谐振式传感器技术，适用于测量液体、气体或蒸汽的流量、液位、密度和压力 EJAE将测量差压转换成4～20mA DC电流信号输出，可测量、显示或远程**静压，具有快速响应、远程设定、自诊断等功能。 EJA-E 系列产品提供BRAIN、HART/HART(1~5VDC )低功耗型、FF现场总线及PROFIBUS PA等通讯协议,标准配置通过SIL 2安全认证。 性能规格: 除非特别，通常以零点为基准调校量程，线性输出，接液部分材质代码“S”，充灌液为硅油。对于FF现场总线和PROFIBUS PA 通讯协议，使用校正范围代替下列规格中的量程。 规格一致性: EJA-E系列确保至少为±3σ的一致性。 调校量程的参考精度: (包括基于端基的线性、滞后性和重复性) 横河电机在压力传感器、压力/差压变送器的开发、设计及制造方面拥有超过45年的经验。DPharp系列数字压力传感器采用高精度差压谐振(DPharp)传感器，代表了具创新性的先进变送器技术。DPharp EJA系列智能压力/差压变送器具有高性能、高可靠和高稳定性。变送器的核心-压力传感器采用硅谐振传感技术，经现场证明高度可靠，而且产品齐全，适合各种应用。 信号曲线 (输出信号代码为D 、J&Q ) 可以设置10段信号曲线表征4～20mA输出，用于测 量锅炉汽包、锥体罐液位等。 SIL认证 EJA-E系列变送器符合下列标准： IEC 61508:2000；Part 1～Part 7 电气/电子/可编程电子相关系统的功能安全； 单台符合SIL2安全要求，冗余使用符合SIL3安全要求。 FF现场总线、PROFIBUS PA及HART低功耗型除外。

标准太阳电池为50px*50px的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：★ CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池★ CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA?oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV?oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5%测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

变送器采用单晶硅谐振式传感器技术，适用于测量高低温、高真空、高粘度及易结晶介质的流量、液位、密度和压力，将差压转换成4～20mA DC电流信号输出，可测量、显示或远程监控静压，具有快速响应、远程设定、自诊断等功能。EJA118E功能特性包括： 精度±0.2％ 响应时间200毫秒 TUV和Exida SIL2 / SIL3认证 本地参数设置（LPS） 10段信号曲线表征 主动对毛细管填充液进行密度补偿提供HART 5/7、HART(1~5V DC)低功耗型、FF现场总线、PROFIBUS PA以及BRAIN等通讯协议。EJA118E概述测量类型主变量差压（DP）辅助变量静压（SP）参考精度主变量±0.2％辅助变量±0.5％响应时间主变量200毫秒辅助变量500毫秒量程比主变量M-膜盒：40：1H-膜盒：20：1规格一致性EJX-A系列±3σEJA118E过程连接流程连接类型尺寸凸出长度法兰标准高压侧低压侧 平法兰平法兰3英寸2英寸1-&half 英寸N / AJIS 10K，20K，30KANSI 100＃，300＃，600＃JPI Class 150,300,600DIN PN10 / 16,25 / 40,64 凸法兰凸法兰4英寸3英寸2英寸4英寸6英寸JIS 10K，20KANSI 150＃，300＃JPI Class 150,300DIN PN10 / 16,25 / 40组合 凸法兰平法兰低压侧：3英寸高压侧：4英寸低压侧：N / A高压侧：2英寸4英寸6英寸JIS 10K，20KANSI 150＃，300＃JPI Class 150,300DIN PN10 / 16,25 / 40

适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 1）外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，2）光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比对得到绝对光谱反射率曲线。3）光谱透过率测试：测试样品室内放入样品和不放入样品时标准探测器的光谱电流/电压值，相比得到样品的透过率，可以测量太阳能电池的光谱透过率，也可以测量玻璃的光谱透过率4）内量子效率测试：扣除反射率对外量子效率的影响部分就得到了内量子效率。 测试原理光源在不同波长的辐射能量不同，探测器在不同波长的响应度也不同，因此，所测得的响应电流也会有较大的不同。假设系统噪声 N 不变，响应电流 S 大时，系统信噪比（S/N）大，不会影响测量精度，如果响应电流很小，甚至小于系统噪声，使 S/N1，此时测量的精度就会受到极大影响。为解决这个问题，系统采用了相关检测法，利用信号在时间上的相关性，把深埋于噪声中的周期信号提取出来。具体做法是：将光源经过斩波器调制成具有固定频率（参考频率）的周期信号，则探测器也输出具有相同频率的电信号，经过锁相放大器将含有参考频率的电信号检出，而其它频率的信号（噪声）则被抑制掉，从而提高了系统的信噪比，保证了测量准确度。主要技术指标：指标参数适用电池单晶硅、多晶硅、半导体材料控制模式软件控制、全自动扫描、自动消除误差、自动扣除背景光谱范围200-1100nm扫描间隔≥1nm连续可调光谱扫描全自动、连续测试结果重复性0.3%（短路电流）工作模式交流模式AC、斩波频率5-1000Hz温控台：温控范围5-40℃（±0.5℃），选配偏置光源可选配2路单色仪焦距300mm、150mm可选 实测光谱响应曲线 实测量子效率曲线

产品介绍：此款仪器是针对硅电池的专业一体式测试仪器，是在多功能测试仪器的基础上，结合硅电池的特性研发而成。同点同时进行内、外量子效率测试，真正实现了一键式全自动的测量过程，避免了测试源的不一致性造成测试结果的偏差，使得测试精度大大提升。 测试对象: 单晶硅、多晶硅太阳电池 测量项目：绝对光谱响应，外量子效率，内量子效率、短路电流密度，光谱反射率，表面均匀度等 技术指标：光谱范围：360-1100nm（200-1200nm可选）扫描间隔：&ge 1nm整数（可调）扫描方式：全自动短路电流密度重复性：1%测量模式：一键式全自动测量样品尺寸：&le 156mmx156mm

产品介绍：此款仪器是针对硅电池的专业一体式测试仪器，是在多功能测试仪器的基础上，结合硅电池的特性研发而成。同点同时进行内、外量子效率测试，真正实现了一键式全自动的测量过程，避免了测试源的不一致性造成测试结果的偏差，使得测试精度大大提升。 测试对象: 单晶硅、多晶硅太阳电池 测量项目：绝对光谱响应，外量子效率，内量子效率、短路电流密度，光谱反射率，表面均匀度等 技术指标：光谱范围：360-1100nm（200-1200nm可选）扫描间隔：&ge 1nm整数（可调）扫描方式：全自动短路电流密度重复性：1%测量模式：一键式全自动测量样品尺寸：&le 156mmx156mm

CEL-QPCE2010太阳能硅电池光谱响应系统（QE/IPCE）适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 l 外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，l 光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比?

适用电池：单晶硅、多晶硅太阳能电池；交流分析模式下的材料性能分析测试项目：绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，光谱反射率（选配），内量子效率（选配）、标准太阳 AM1.5G 照射下的短路电流密度、表面均匀度等。 1）外量子效率测试： 利用太阳电池光谱响应的测量，可以得出太阳电池的量子效率 η(λ)，2）光谱反射率测试：将单色仪输出的单色光输入积分球，分别将已知光谱漫反射率的标准白板和被测太阳能电池放到积分球的一个开口处，测量积分球另一开口处的探测器的输出光谱电流，通过比对得到绝对光谱反射率曲线。3）光谱透过率测试：测试样品室内放入样品和不放入样品时标准探测器的光谱电流/电压值，相比得到样品的透过率，可以测量太阳能电池的光谱透过率，也可以测量玻璃的光谱透过率4）内量子效率测试：扣除反射率对外量子效率的影响部分就得到了内量子效率。 测试原理光源在不同波长的辐射能量不同，探测器在不同波长的响应度也不同，因此，所测得的响应电流也会有较大的不同。假设系统噪声 N 不变，响应电流 S 大时，系统信噪比（S/N）大，不会影响测量精度，如果响应电流很小，甚至小于系统噪声，使 S/N1，此时测量的精度就会受到极大影响。为解决这个问题，系统采用了相关检测法，利用信号在时间上的相关性，把深埋于噪声中的周期信号提取出来。具体做法是：将光源经过斩波器调制成具有固定频率（参考频率）的周期信号，则探测器也输出具有相同频率的电信号，经过锁相放大器将含有参考频率的电信号检出，而其它频率的信号（噪声）则被抑制掉，从而提高了系统的信噪比，保证了测量准确度。主要技术指标：指标参数适用电池单晶硅、多晶硅、半导体材料控制模式软件控制、全自动扫描、自动消除误差、自动扣除背景光谱范围200-1100nm扫描间隔≥1nm连续可调光谱扫描全自动、连续测试结果重复性0.3%（短路电流）工作模式交流模式AC、斩波频率5-1000Hz温控台：温控范围5-40℃（±0.5℃），选配偏置光源可选配2路单色仪焦距300mm、150mm可选 实测光谱响应曲线 实测量子效率曲线

测试对象单晶硅、多晶硅太阳电池；最大尺寸 156mm x 156mm测量项目硅电池的绝对光谱响应，外量子效率，光谱透过率，短路电流密度主要指标光谱范围：360-1100nm扫描间隔：&ge 1nm 整数（可调）扫描方式：全自动短路电流密度重复性：＜1%系统特点 模块化测试系统同样可以实现一体机的测试功能，由多个模块组成，可以灵活调整，满足不同的应用需求，方便升级。IQE和EQE同点同时测量大功率连续光源，输出光谱平缓无尖峰，保证测量重复性独特专利的分光系统，保证良好的波长准确度和重复性，消除多级谱的影响，杂散光小。超强弱信号处理能力，有效提高信噪比，保证测量精度独特的样品室及样品架设计，夹持方便，电极接触好，对弱信号测试干扰小完整的全自动化专用系统软件集成了分光系统、多级谱滤除装置、弱信号处理系统等的参数设置和选择自动扫描、信号放大、A/D、数据采集和处理，图表文件自动生成、显示多种格式的数据和图片备份和打印输出功能多组数据对比功能粗大误差的自动去除，系统误差、线性误差、周期误差、T误差的自动校验

应用材料范围：● 单晶或多晶硅锭无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测。● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110MDPinline ingot系统是全球范围内非常快的测量工具，可用于对多晶硅和类单晶硅锭进行电学表征。专为高通量工厂中的单个晶锭测试而开发，每个晶锭都可在1分钟内完成所有面的电学参数表征测试参数包括1mm分辨率的少子寿命面扫描分布，电导类型分布图，以及电阻率线扫描分布图MDPinline ingot在线硅锭成像设备优势介绍：● MDPinline ingot对有高通量要求PV工厂里的多晶硅锭电学参数，具备最快的在线测试速度：在1分钟内可完成分辨率大于1mm的成像扫描测试，同时可完成电导类型转变的空间分布扫描和电阻率的线扫描测试。● 客户制定的硅锭切割标准，可通过数据中心，对下一代PV工厂的材料制备进行全自动监控，完成对材料生长质量控制，坩埚状况监控，以及各种失效析。● 通过特殊的“underneath the surface”测试技术，可有效减少由表面复合引起的数据失真情况出现。● 对半导体材料电学参数进行非接触和非破坏性测试● 对少子寿命参数可做面扫描测试● 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度● 对铁浓度分布做面扫描● 自动设置硅锭切割标准● 对硅锭少子寿命的稳态测试，● 可有效改善硅锭的性能● 完全自动化的集成设计低成本测试技术指标：

单晶硅谐振式传感器技术，适用于测量液体、气体或蒸汽的流量、液位、密度和压力。EJA130E将测量差压转换成4～20mA DC电流信号输出，可测量、显示或远程监控静压，具有快速响应、远程设定、自诊断等功能。EJA130E功能特性包括： 精度±0.055％ 稳定性0.1％URL/10年 响应时间150毫秒 工作压力4,500 psi TUV和Exida SIL 2/3认证 本地参数设置（LPS）提供HART 5/7、HART(1~5V DC)低功耗型、FF现场总线、PROFIBUS PA以及BRAIN等通讯协议。EJA130E概述测量类型主变量差压（DP）辅助变量静压（SP）参考精度主变量±0.055％辅助变量±0.5％长期稳定性主变量±0.1％URL/10年压力限制（MWP）所有膜盒4,500 psi过压影响主变量±0.03％URL量程比主变量100：1爆破压力所有膜盒19,100 psi（132 MPa）规格一致性EJX-A系列±3σ

应用范围：灵活的OEM设备，用于多种不同样品的在线寿命测量：从单晶硅到多晶硅锭，从生成态晶圆片到不同镀层或金属化晶圆的过程控制。标准软件接口，易于连接到许多处理或自动化系统。在线面扫和单点检测MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 还有许多其他的专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源。 产品介绍l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。优势l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。技术参数样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

器采用单晶硅谐振式传感技术，适用于测量液体、气体或蒸汽的压力。EJA310E将测量压力转换成4～20mA DC电流信号输出，具有快速响应、远程设定、自诊断等功能。EJA310E功能特性包括： 精度 ±0.1％ 稳定性±0.2％URL/10年 响应时间90毫秒 TUV和Exida SIL2 / SIL3认证 工作压力3,600 psi 本地参数设置（LPS）提供HART 5/7、HART(1~5V DC)低功耗型、FF现场总线、PROFIBUS PA以及BRAIN等通讯协议。EJA310E概述测量类型主变量压力参考精度主变量±0.15％（L-膜盒）±0.1％（M，A和B膜盒）稳定性主变量±0.2％URL/10年响应时间主变量90毫秒量程比主变量L-膜盒：15：1M-膜盒：100：1A和B膜盒：115：1爆破压力（值）所有膜盒10,000 psi规格一致性EJA-A系列±3σ