等离子薄膜仪

产品名称：等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介：GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备，可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射，它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析，尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵，分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：抽速快，操作简便，真空度高，安全可靠技术参数：●试样处理室 （1）钟罩：内径250mm× 高度340mm （2）玻璃处理室： 玻璃罩 A：内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B：内径88mm× 高度57mm （3）试样台：直径40mm（最大） （4）试样旋转：电动 （5）挡板：电动 （6）蒸发加热器：可同时安装两个加热器 ●真空系统 （1）抽气系统：由分子泵、机械泵组成的高真空机组 （2）真空检测：热偶计、冷规 （3）常用真空度：1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa （4）操作：手动 ●处理电源 （1）高压电源：DC3千伏10mA连续可变，用表指示。 （2）低压电源：AC10V100A连续可变，电流用表指示。 （3）电源要求：AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%（对样品有特殊要求时可使用） ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵，其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种，当工作环境低于32℃时，可采用风冷冷却，当工作环境温度高于32℃时，则必须采用水冷。重量：约150公斤 体积：L800mm× W560mm× H1340mm可选配件：氧化铝坩埚，石英坩埚，真空泵等具体信息请点击查看：

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

产品简介：GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜（如金、铂、铟、银等）而设计，最大放置样品尺寸直径为40mm，膜厚可达300?，特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪操作视频 产品型号 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上）清洗，需自备氩气气瓶4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：需要主要特点 1、可以调节电流大小，可设置溅射时间。 2、已经过CE认证。技术参数 1、输入电源：208V-240V 50Hz/60Hz 2、样品台：?60mm，高度可调节 3、石英腔体：?100mm×130mm 4、进气口：内部装有阀门，可以向腔体内通入各种气体 5、靶材：纯度为4N的金靶，?57mm×0.12mm 产品规格　尺寸：480mm×320mm×150mm；重量：20kg可选配件 1、Au（?57mm×0.12mm，4N） 2、Pt（?57mm×0.12mm，4N） 3、Ag（?57mm×0.5mm，4N）

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜（如金、铂、铟、银等）而设计，最大放置样品尺寸直径为40mm，膜厚可达300?，特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。主要特点1、可以调节电流大小，可设置溅射时间。2、已经过CE认证。技术参数1、输入电源：208V-240V 50Hz/60Hz2、样品台：Φ60mm，高度可调节3、石英腔体：Φ100mm×130mm4、进气口：内部装有阀门，可以向腔体内通入各种气体5、靶材：纯度为4N的金靶，Φ57mm×0.12mm 产品规格尺寸：480mm×320mm×150mm重量：20kg可选配件1、Au（Φ57mm×0.12mm，4N）2、Pt（Φ57mm×0.12mm，4N）3、Ag（Φ57mm×0.5mm,4N）

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器 （EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。ITO薄膜是一种很薄的金属薄膜，在透明导电薄膜方面得到普遍的应用，具有广阔的前景。但薄膜的厚度是否均匀直接关系到企业的生产成本控制，所以对ITO薄膜厚度的高精度测量，是企业必须重视的检测项目之一。Labthink兰光研发生产的CHY-C2A测厚仪，采用机械接触式测量方式，严格符合标准要求，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。设备分辨率高达0.1微米，配置的自动进样系统，使用户可自行设置进样步距、测量点数和进样速度，大大提高了薄膜厚度测试效率。 技术特征： 负荷量程：0～2 mm（常规）　　　　　0～6 mm；12 mm （可选）分辨率：0.1 μm测量速度：10 次/min （可调）测量压力：17.5±1 KPa（薄膜）；50±1 KPa（纸张）接触面积：50 mm2（薄膜）；200 mm2（纸张）　　　　　注：薄膜、纸张任选一种；非标可定制电源：220VAC 50Hz / 120VAC 60Hz外形尺寸：461mm(L)×334mm(W)×357mm(H)净重：32kg 以上【ITO薄膜测厚仪 电池薄膜厚度测定仪 接触式薄膜厚度测试仪】信息由济南兰光机电技术有限公司发布，如欲了解更详细信息，欢迎致电0531-85068566垂询！

VTC-2RF是一款小型的射频（RF）等离子体磁控溅射镀膜仪系统，系统中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF电源、2"的磁控溅射头、石英真空腔体、真空泵和温度控制器等。对于制作一些金属薄膜及非金属薄膜，它是一款物美价廉的实验帮手。我们用此设备得到择优取向的ZnO薄膜 技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内(点击图片查看详细资料）磁控溅射头一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为50mm,最大厚度6.35mm一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）同时可选配1英寸溅射头真空腔体真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为165 mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体真空度：10-3 Torr （采用双极旋片真空泵） 10-5 torr （采涡旋分子泵）载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：1 - 20 rpm样品的最高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证使用注意事项这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

产品特点 WB240等离子清洗机/去胶机采用专利高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁、去胶和等离子体预处理，微波等离子体清洗具有高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。 　微波等离子清洗机主要用途：等离子体表面改性有机物表面等离子去胶邦定强度增强等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性其它等离子体系统应用 技术参数◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm◆ 仓体结构 石英，约20升 ◆ 等离子发生器(德国) 频率2.45GHZ,功率0-1000W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华斡旋式干泵 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(3路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件 相关应用-晶圆光刻胶清洗

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

产品特点 WB4545采用高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。等离子体表面改性有机物表面等离子体清洁邦定强度增强 等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用焊接前进行表面清洁、去除焊剂、引线键合之前的表面准备消除表面污染、表面消毒相关应用防止包封分层提高焊线质量增加键合强度光刻胶剥离或灰化清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高可靠性，尤其是多接口的高级封装产生亲水或疏水表面产品优势：先进微波技术 ，清洗干净彻底，无残留成份，无需干燥处理无电极等离子发生器和高密度自由基使料盒内部清洗处理达到高度一致性定制等离子反应器气体输入和泵速的控制离子密度高，一致性好在线兼容优化加工条件 低运营成本无废水，符合环保要求低能耗 技术参数 ◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm ◆ 仓体结构(铝，约125升) 450(W)×450(D)×450(H)mm ◆ 旋转平台 Φ 350mm ，转速可调节◆ 等离子发生器(美国) 频率2.45GHZ,功率0-1200W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式 ◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华爪式干泵 GV100 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、DN63不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(2路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件

Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备 CD 1000上海伯东代理比利时 Europlasma 等离子表面处理设备 CD 1000, 智能操作简单, 等离子腔容积 490 L, 标准 3个托盘设计, 可按需定制, PLC 控制, 方便集成于 ERP 系统, 适用于 PCB, 子组件或完全组装生产. 根据样品应用可选择 Nanofics@ 或无卤素涂层技术 PlasmaGuard® 工艺, 实现样品表面的等离子活化改性, 超亲水纳米涂层 WCA10, 超疏水疏油涂层 WCA 120, 满足样品防水, 亲水, 疏油, 防腐, 等离子活化等功能.Europlasma 低压等离子表面处理设备 CD 1000 参数腔室材料：铝 有效尺寸：1000 x 700 x700mm容积：490L舱门：装有可视窗口 标准托盘：3至5个 尺寸:858 x 672mm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能1. 17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程 2. 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 3. 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度. 频射发生器输入电压等指标 4. 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 5. 设定操作进入密码.6. 可定制 ERP, SAP 系统接口电源380V AC, 三相，50Hz, 40A反应气体气体输入端口, 含气体流量控制器 (MFC), 最多可以 5个 MFC, 可多种工艺气体混合气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口, VOC 尾气处理装置性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证. Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备适用于涂覆如下产品:1. 可穿戴电子设备: 蓝牙耳机, 助听器, 手环, 手表等2. 薄膜: 锂电池行业, 精密仪器等3. 无纺布和功能性纺织物: 运动户外产品4. 无卤素 PCB 元器件5. 医用器材: 医用导管, 口罩, 针座活化, 人体植入,细胞培养瓶活化.Europlasma 在 PCB 生产领域的应用: 通过使用无卤素涂层技术 PlasmaGuard® , 实现 PCB 防水.1. 多层板生产中内层的处理2. 高厚径比板的处理3. 微孔, 埋孔, 盲孔, 激光钻孔板的处理4. 使用新型树脂材料板的处理5. 铁弗龙基材板的处理 (只能用等离子技术处理)6. 软板的处理7. 成板焊接前处理Europlasma 在生物医疗活化的应用: 通过使用 Nanofics@, 实现超亲水特性 WCA＜10° 1. 对产品表面预清洁: O2 等离子体可以吸附附着在产品表面的微小颗粒物及其他污染物, 通过真空泵把混合气体抽出真空腔, 达到预清洁的效果2. 减小产品表面张力, 使得产品的水接触角明显减小, 匹配合适的等离离子能量和浓度, 可以做到产品表面水接触角 WCA＜10°, 3. O2 等离子体在产品表面发生化学反应, 产品表面可以增加很多功能性官能团, 包括羟基 (-OH ), 羧基 ( -COOH ), 羰基 ( -CO- ）, 氢过氧基 (-OOH ) 等, 这些活性官能团在细胞培养过程中可以提高反应速度和活性.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

1 产品概述: 等离子CVD设备主要由反应室、气体供应系统、控制系统和加热系统组成。在设备中，通过引入特定气体并施加能量（如微波、射频等）激发产生等离子体，等离子体中的高能粒子（如电子、离子）与气体分子发生碰撞，促进化学反应的进行，从而在基底表面沉积形成所需的薄膜材料。2 设备用途： 薄膜生成：等离子体可以加速化学反应，提高薄膜的生成速度和质量，适用于多种材料（如金刚石、氧化物等）的薄膜制备。 薄膜刻蚀：利用等离子体对薄膜表面进行刻蚀，去除杂质和损伤层，提高薄膜的性能。 薄膜掺杂：通过等离子体在薄膜中掺杂特定杂质，改变薄膜的电学、光学等性质。 基片处理：包括基片的刻蚀、灰化以及表面处理等，以改善基片的表面质量和后续薄膜的附着性。3 设备特点 高效性：等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应，提高薄膜的生成效率。 高质量：通过精确控制反应条件和等离子体参数，可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。 灵活性：适用于多种材料的薄膜制备，且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。 环保性：相比传统制备方法，等离子CVD设备在制备过程中产生的废弃物较少，有利于环境保护。 4 技术参数和特点：枚叶式等离子CVD设备CMD系列CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚叶式CVD设备。 和传统的工艺温度相比，每个unit的驱动系统可以在更高的温度下运行、开发真空搬送机械手来实现搬送系统的稳定性。通过改善反应室的内部结构、气体供给系统，达到长期稳定的TEOS(SiO2)膜速率。通过加热反应气体的通道，在排除设备中的气体排出、抑制配管Trap未使用时的配管副生成物的粘附、可以缩短保养时间。可以轻松的完成单独基板管理，如成膜条件。

Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备 CD 600 PLC上海伯东代理比利时 Europlasma 等离子表面处理设备 CD 600 PLC, 智能操作简单, 等离子腔容积 216 L , 适用于实验室和科研. 根据样品应用可选择 Nanofics@ 或无卤素涂层技术 PlasmaGuard® 工艺, 实现样品表面的等离子活化改性, 超亲水纳米涂层 WCA 10°, 超疏水疏油涂层 WCA 120°, 满足样品防水, 亲水, 疏油, 防腐, 等离子活化等功能.Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备 CD 600 PLC 规格腔室材料: 铝 内部尺寸: 600 x 600 x 600 mm.容积：216L舱门: 装有可视窗口 标准样品托盘: 5个 标准尺寸: 552 x 522 x 40 mm.真空度测量2个皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组, 抽速 480 立方米每小时频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度.频射发生器输入电压等指标 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 设定操作进入密码.电源380V AC, 三相, 50Hz, 40A反应气体一个气体输入端口,含气体流量控制器（MFC）气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证.Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备适用于涂覆如下产品:1. 可穿戴电子设备: 蓝牙耳机, 助听器, 手环, 手表等2. 薄膜: 锂电池行业, 精密仪器等3. 无纺布和功能性纺织物: 运动户外产品4. 无卤素 PCB 元器件5. 医用器材: 医用导管, 口罩, 针座活化, 人体植入,细胞培养瓶活化.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

价格货期电议Europlasma 卷绕式无氟等离子涂层设备 (无卤素涂层) CD 2400上海伯东代理比利时 Europlasma 卷绕式等离子涂层设备(无卤素涂层) CD 2400, 卷尺寸 2400mm x ?1000mm , 接受客户定制, 根据样品应用选择 Nanofics@ 或无卤素涂层技术 PlasmaGuard® 实现 IPX5-IPX8 防水等级！Europlasma 无氟纳米涂层设备适用于涂覆如下产品:1. 可穿戴电子设备: 无线耳机, 手环, 手表等2. 薄膜: 锂电池行业, 精密仪器等3. 无纺布和功能性纺织物: 运动户外产品4. PCB 元器件5. 医用器材: 医用导管, 口罩, 其他防护设备等.Europlasma 拥有各种类型的化学原料, 包括氟化学产品( Nanofics 120 含 PFOA, Nanofics 110 不含 PFOA ) 和无卤素化学产品 ( Nanofics 10 以及 PlasmaGuard® 无卤素涂层技术), 提供定制设计. 同时姐妹公司 CPI 是基于薄膜基板的大气条件下, 提供高速等离子体卷绕解决方案的公司.上海伯东代理比利时原装进口 Europlasma 超薄等离子涂层设备, 可在非织造, 薄膜, 网状物或纳米纤维网等材料上沉积超薄涂层, 通过专利等离子体涂层技术 Nanofics@ 和无卤素涂层技术 PlasmaGuard® , 实现产品防水, 亲水, 疏油, 防腐等功能, Europlasma 满足消费电子产品, 锂电池隔膜, 医疗用品, 户外运动装备等产品 IPX5-IPX8 防水等级！Europlasma 真空条件下, 通过在材料浅表面实现低压等离子表面聚合或者原子层沉积, 从而赋予材料新的功能, 不影响材料本身的性能, 对三维结构以及复杂形状的材料表面都可实现均匀性涂覆.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生

产品型号：GSL1100X-PJF 等离子表面处理仪产品简介：GSL1100X-PJF 等离子表面处理仪是一种紧凑的大气离子表面处理喷射系统，主要由射频发生器、离子束头组成。喷射的离子束流能在较低的温度和没有真空条件下，迅速活化和清理材料表面。例如单晶片、光学元件、塑料等广泛的材料。 为了获得高质量的外延薄膜或者光学涂层，预先进行表面处理可以得到显著的效果。主要特点：操作简单、安全，高速处理物件表面； 不需要真空、不需要腔室； 手提式、可以现场使用、成本低； 重量轻、结构紧凑。技术参数：输入电源：110/220,50/60Hz,小于1000W 输出频率：20-23KHz 离子束头：包括2个离子束头，圆头10-12mm,矩形头15-18mm 输入气体压力和工作气氛：最小0.275兆帕，工作气氛可以是空气、氮气、氩气、混合气体（不要使用易燃易爆气体）； 等离子工作压力：0.048兆帕-0.068兆帕； 工作环境：温度 42° C；湿度&le 40%RH；没有易燃气体； 外形尺寸：380 (宽) × 210 (高) × 500 (长) mm； 净重：10公斤；产品证书：CE认证具体信息请点击查看：

等离子沉淀设备等离子沉积设备SI 500 D产品介绍 高端ICPECVD设备SI 500 D为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产 生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线 （PTSA）保证了沉积薄膜的优异性能， 如在非常低的沉积温度下（＜100°C）实现低刻蚀速率， 低应力和低界面态密度。 特点 *高密度等离子体*平行板ICP等离子体源*优异的沉积性能*动态温度控制 带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD产品介紹 灵活的PECVD系统SI 500 PPD具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积 SiO2、SiNx、 SiOxN揷口a-SL灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。 特点 *工艺灵活性*预真空室*SENTECH控制软件 PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200产品介绍 直接置片的PECVD设备Depolab 200结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一 起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺（使用载片 器或直接加载到衬底电极）。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。 特点 *低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件 原子层沉积设备SENTECH ALD产品介紹ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行 性。利用ALD、 PECVD和ICPECVD, SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉 积到数微米的薄膜沉积。 特点 *简易的腔体清洗*集成手套箱*节省前驱体*前驱体控制 等离子沉淀设备正片晶片扫描MDPinline优势 在不到一秒的时间内，实现对一个晶片全电子晶片特性的测量,测量参数：少子寿命（全形貌），电阻率 （两行扫 描），迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺，因为来自数千 个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。 适合于测量出料或进料晶片的材料质量，以及在晶片级别内识别结晶问题，例如在光伏行业.适用于扩 散工艺的完 整性控制、钝化效率和均匀性控制。 快速自动扫描系统MDPinline ingot优势 测量速度，用于先进的光伏工厂的在线多晶硅表征。用1毫米分辨率测量少子在两块上的寿命。同时测 量了导电 类型变化的空间分辨测量和电阻率线扫描. 客户定义的切割标准可以传送到工厂数据库，该数据库允许为下一代光伏工厂进行全自动材料监测。从 而实现了材料质量控制，监测炉的性能，以及失效分析. 特殊的"表面以下”测量技术大大减少了由表面复合造成的数据失真。 激光扫描系统MDPpro优势机或晶圆的整体工具系列• 少子寿命、光电导率、电阻率、p/n导电类型变化和几何样品平整度的同 时自动扫描. 对于156x156x400mm标准砖，测量速度小于4分钟，分辨率为1mm,所有5幅测量图形同时绘制。 坚固耐用的设计和易于设置的性能.对于安装，仅需要电源。带有数据库的工作站包含。

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

德 Iplas 微波等离子化学气相沉积详细细介绍德国 IPLAS 微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是世界公认的制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司专利的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，最大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。 化学机理概要：碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。 适用合成材料：大尺寸宝石级单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC） 多种等离子发生器选择： 频率：2.45GHz, 915MHz: 功率：1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW，5-30kW 等离子团直径：70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范围：0-1000mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。

玻璃光学等离子清洗机作为重要的材料表面改性方法,可以应用于玻璃光学领域,处理温度可以低至80℃、50℃以下,低的处理温度可以确保对样品表面不造成热影响.玻璃光学等离子清洗机技术规格书 深入表面 魅力科学（1）产品简述 （1.1）等离子清洗的作用等离子清洗的作用原理主要是：（A）对材料表面的刻蚀作用--物理作用等离子体中的大量离子、激发态分子、自由基等多种活性粒子，作用到固体样品表面，不但清除了表面原有的污染物和杂质，而且会产生刻蚀作用，将样品表面变粗糙，形成许多微细坑洼，增大了样品的比表面。提高固体表面的润湿性能。（B）激活键能，交联作用等离子体中的粒子能量在0~20eV，而聚合物中大部分的键能在0~10eV，因此等离子体作用到固体表面后，可以将固体表面的原有的化学键产生断裂，等离子体中的自由基与这些键形成网状的交联结构，大大地激活了表面活性。（C）形成新的官能团--化学作用如果放电气体中引入反应性气体，那么在活化的材料表面会发生复杂的化学反应，引入新的官能团，如烃基、氨基、羧基等，这些官能团都是活性基团，能明显提高材料表面活性。 （1.2）大气低温等离子清洗的优势等离子清洗作为重要的材料表面改性方法，已经在众多领域广泛使用。与传统的一些清洗方法，如超声波清洗、UV清洗等，具有以下优点：（A）处理温度低处理温度可以低至80℃、50℃以下，低的处理温度可以确保对样品表面不造成热影响。 （B）处理全程无污染等离子清洗机本身是很环保的设备，不产生任何污染，处理过程也不产生任何污染。可以与原有生产流水线搭配，实现全自动在线生产，节约人力成本。（C）处理效果稳定等离子清洗的处理效果非常均匀稳定，常规样品处理后较长时间内保持效果良好。 （D）可以完美搭配自动化流水线，提高生产效率根据用户现场需求，配置最优的流水线生产方案，大大提高生产效率。 （1.2）产品原理等离子清洗机的结构主要分为三大组成部分，分别是高压激励电源、等离子发生装置喷枪、控制系统。 （A）高压激励电源：等离子体的产生需要高压激励，大气低温等离子采用中频电源进行激励，频率在10-40KHz。高压则在4-10KV。参数根据样品实际情况可进行调节，已达到最优的改性效果。（B）等离子发生装置喷枪：大气低温等离子发生装置喷枪，可分为射流直喷和旋转直喷两种，区别在于处理面积不同。（C）控制系统：控制系统作用在于控制整个大气低温等离子清洗设备的运行，以及整体系统的保护。达因特简介　　达因特智能科技，致力于为用户提供表面性能处理及检测整体解决方案，自主研发生产及销售等离子清洗设备、接触角测量仪、全自动百格刀、表面洁净度仪、达因笔等表面性能处理及检测产品。公司由多年从事表面性能研究的团队组成，立志发展民族工业品牌。坚守持续创新的宗旨，达因特智能科技通过不懈努力和过硬的产品品质，以及专业优质的服务，已经赢得国内外广大用户的一致认可。不但产品系列完善齐全，达因特还具有严格的产品生产标准，高精度的数控加工机床等精密生产设备、还有进口的质量检测工具，以及科学规范的管理体系，确保提供给用户的每一套产品都是精益求精。　　至今，达因特的产品已经广泛应用汽车制造、手机制造、玻璃光学、材料科学、电子电路、印刷造纸、塑料薄膜、包装技术、医疗医用、纺织工业、新能源技术、航天军工、手表首饰等等领域。达因特将继续孜孜不倦，为“向全球提供最具性价比的表面性能处理及检测整体解决方案”的奋斗目标而不懈努力！ （2）技术规格系统标准配件设备尺寸160W * 500D * 400Hmm重量20KG输入电源220V，50/60Hz功率1000W可调高压频率10-40KHz保护防护过载保护、短路保护、断路保护、温度保护远程控制本地控制与远程控制均可喷枪选择直喷喷枪2mm、5mm磁悬浮旋转电机喷枪50mm、70mm （3）性能优势（1）德国电路技术：采用德国高压激励电源电路技术，产生高密度等离子体，确保出众的清洗效果。 （2）全面安全防护：温度安全防护功能，过载防护功能，气压失常防护功能，短路断路报警防护功能，各种误操作保护功能。（3）独有放电技术：特殊处理及特殊结构的放电装置，确保形成稳定均匀的等离子体。 （4）搭配流水线生产：根据用户现场需求，配置最优的流水线生产方案，大大提高生产效率。（5）优质产品部件：产品全部部件采用国内外顶尖优质部件，确保设备性能优越 （6）低温清洗：满足不同场合温度要求，不对清洗产品造成温度影响（7）精密数控加工：进口精密CNC数控机床加工工艺，并配备进口三坐标测量仪进行质量监控

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

PVA-TePla微波等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，去胶均匀。典型应用：去除光刻胶 Photo-resist stripping 去除残胶 Wafer descum晶圆和衬底的清洁 Wafer and substrate cleaningsu-8灰化 Su-8 ashing氮化硅、聚酰亚胺等的刻蚀 Etching of silicon nitride, pi, etc.刻蚀钝化层 Etching of passivation layers逆向分析/失效分析中的器件开封 Device decapsulation for failure analysis微量分析中低温材料灰化 low temperature ashing of materials for chemical trace analysis过滤器和薄膜的清洁 Cleaning of filters and membranes规格参数：2.45GHz风冷微波电源（0～600w可调），石英或陶瓷腔体，防腐蚀不锈钢MFC,多至6路气体，兼容8英寸及以下晶圆PC 工控机控制，运行数据自动存储；分级控制权限，防止操作图形化触控屏界面，运行状态图形化实时显示。自动/手动随意切换可选配法拉第桶可选配温控系统可选配压力控制系统外形尺寸：775×749×781 mm 认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001IoN Wave 10 等离子体去胶机是PVA TePla 在微波等离子体处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适用、性能先进。IoN Wave 10 使用新的、性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。其工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。IoN Wave 10 占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时，降低了产品暴露在静电中风险。