1.设备名称:霍尔效应测试仪2.功能描述:测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细:3-1测试范围:Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场:3-2-1磁场强度:0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选)3-2-2磁场类型:电磁体3-2-3磁场均匀性:磁场不均匀性<± 1 %3-3测试样品:3-3-1样品测试仓:全封闭、带玻璃窗口3-4温 度:3-4-1温度区域:80K ~730K3-4-2温控精度:0.1K3-4-3温控稳定性:± 0.1 K3-5电阻率范围:10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度:102~1022cm-33-8迁移率:10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流:3-9-1电流范围:0.1 pA~10mA3-9-2电流精度:2%3-10输入电压:3-10-1电压范围:± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率:3× 10-7V3-10-3电压精度:2%
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