霍尔式压量仪

一、产品简介 HD-LS300-A便携式流速仪（简称便携式流速仪）是为水文站、厂矿、环保监测站、农田排灌、水文地质调查等部门在野外进行明渠流速、流量测量而研制的。 二、产品用途 LS300-A便携式流速仪可配套流速旋浆传感器,，旋浆螺旋角、螺距、制作工艺和材料等都进行了重新设计，旋浆反光面采用的电镀工艺，耐磨损，信号强，起动流速、测速范围、线性度、同心度、率定系数和均方差等指标均较以往传感器有很大的改进和提高。 LS300-A流速流量测算仪作为传统型转子式流速仪器的主要配套产品，用于接收给定时段内流速仪产生的信号，并由此自动测算出该时段内平均流速、流量、可加扩展功能测量水位、计算规则断面面积。 LS300-A流速流量测算仪主要适用于接收各种干簧管式流速仪、接触丝式转子流速仪、光纤式流速仪、霍尔式流速各种流速仪产生的信号，并具有存储功能、通讯功能。 该仪器结构简易、轻巧方便、耗电省、、自动化程度高、稳定可靠，参照明渠流量测量标准，配置8高温旋桨，是国内目前一款便携式流速测量仪器。 二、技术参数 测速公式：v=a+b*R/T（m/s）（自动计算） 测速范围：0.01—4.00m/s（可到5.00m/s） 测算误差：≤1.5% 显示：4*16位液晶显示 测量方式：测杆定位测量 测量深度：0.45m 采样容量：采用mf-89可编程函数计算器读出结果值 读取方式：采用mf-89可编程函数计算器读出结果值 工作温度：0°C〜 50°C 功耗：50mA 电源：DC7.2V 通讯方式：RS232 时钟误差：小于等于2min/year 发射原件：原件寿命长，可达10000小时以上；发射光束穿透力强，可适用于一定浊度的液体 传感器：采用光纤导光，除非接触检测外，并具有防水耐温、防爆、抗强磁场和抗电器干扰等优点 仪表可以估测瞬时流量、累计流量，关于流量计算具灌溉渠道系统量水规范GB/T201303-201 三、功能特点 1.低功耗，可直流供电，手持式设计，携带方便； 2.传感器讯号线长度可定制，无需调节发射原件供电电压，简化操作； 3.发射光穿透力强，可以适用于一定浊度的液体； 4.传感器采用光纤导光，具有非接触检测、防水、防爆、耐温、抗强磁场和抗电气干扰等优点； 5.传感器头部微型设计，可应用于狭小的测量环境； 6.测量不受液体温度和质量的影响； 7.可编程函数计算器读取结果 8.仪器采用模块结构，便于检修更换 四、测量原理 流速测量：流速仪在水力推动下，其内置信号装置产生转数信号。从而，可根据某个单位时段内流速仪产生的信号总数，由以下公式计算出流速：v=a+b*R/T（m/s） v一测流时段内平均流速（m/s） b一旋桨（或旋杯）水力螺距（m） a一流速仪常数（m/s） T一测流历时（s） R—T时段内流速仪转子的总转数 对某个个体流速仪来说，b和a为定值。因此，测流时,只要测出T和R值，即可计算出流速。 流量测量：输入被测断面类型，并手工输入（或者通过辅助传感器测量）规则断面的水位、宽度计算断面面积，仪表更具Q=V*S测算流速Q值 五、测量模式 单次测量模式：仪器按“单次测量”仪表根据设置“测量时间”，和测量时间内的脉冲数，根据公式计算单位时间内的平局流速。每按一次“单次测量”测量一次流速； 连续测量模式：仪表按“测量时间”周期进行连续循环测量。 多点测量模式：先设置界面测量点位数，通常一个断面每个位置流速不一样，我们根据规范对被测断面进行多个流速点测量，获取数据后计算平均流速。

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计是基于霍尔效应的磁场强度测量仪表的进展，是目前采用DSP设计的手持式高斯计。量程0-30KG,很小基本误差1%。5170高斯计特点包括自动零点，自动量程，很大值/很小值/值保持，相对模式等。所有的型号均可以选择高斯或特斯拉读数。美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计产品说明： 美国F．W．BELL公司在世界上生产的高斯计/磁场计这个领域有很高声誉，具有五十多年的生产经验，产品在世界各国具有很好的口碑。公司严格执行ISO9001的生产标准，生产的十多种产品不但有很高的性能价格比，而且有完善的售后服务保证，解决客户的后顾之忧。有的产品十多年前随生产线配套进入中国，至今仍然可靠使用。2004年,F．W．BELL公司在世界上高斯计的市场占有率为46%，也是独占鳌头。 新的一代FW5100系列手持式高斯计替代了以前的5000系列手持式高斯计，代表了世界上先设计的磁场测试设备。5100系列手持式高斯计是基于霍尔效应的磁场强度测量仪表的较新代表，是目前独特采用DSP设计的手持式高斯计。F.W.BELL的探头动态补偿技术确保了在0～30000高斯量程内的1%的基本精度。新的一代FW5100主要功能包括：自动校零、很大/很小/很值保持、自动量程和相对模式。所有的型号均可以选择高斯、特斯拉或安倍每米读数。其中5180高斯计具有一个校准后的模拟输出（±3VFS）和一个USB通讯口与计算机通信，可以将测量的数据存到电脑上很久保存，方便以后数据整理。FW5100系列手持式高斯计的内置软件没了复杂的校准过程。大液晶显示器，方便用户可以简单快捷的通过按键来完成各种操作。FW5100系列高斯计配备了可拆卸的径向探头、校零盒、操作手册、便携箱、4节AA电池，配备的可选件有轴向探头、超薄探头、低场探头等。 FW5100系列高斯计适用范围从很敏感的实验室环境到很恶劣的工业环境。FW5100系列高斯计所有部件均按ISO9001标准生产，并通过CE认证。美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计特性： 数据记录功能 采用DSP设计的手持式高斯计 0.1 G 分辨率 单位可选择高斯，特斯拉，A/M 高精度 2倍于竞争对手的响应频率 模拟量输出及USB接口 轻便手持式 自动零点/自动量程 很大值/很小值保持 高性能价格比 测量 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计应用： 直流/交流电机测试 磁体测量及分类 磁场分布测试 扬声器品质控制 工具剩磁测量 实验室应用 无损探伤应用 发电厂/变电站干扰磁场测量 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计技术参数：型号51705180基本精度2%1%频率范围DC - 20 kHzDC - 40 kHz屏幕显示采样率模拟输出采样率4次/秒没有4次/秒200K次/秒量程3档3档低量程200G300G中量程2KG3KG高量程20KG30KG分辨率0.1G0.1G单位Gauss, Tesla,Gauss, Tesla, A/M显示位数3 1/2 LCD3 3/4 LCD模拟输出-+3V F.S.模拟输出-USB 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计一般信息：工作温度0℃ 至 +50℃储存温度-25℃ 至 +70℃电源4节AA电池或外接电源尺寸 (长 x 宽 x深)6.9" (175 mm) x 3.9" (100 mm) x 1.44" (37mm) 美国BELL FW5170数字式霍尔效应磁强计/高斯计探头和附件：5170探头型号5180探头型号HTH17-0604 4" Transverse ProbeSTH17-0404 4" Transverse Probe (incl. w/5170)STH17-0402 2" Transverse ProbeSAH17-1904 4" Axial ProbeSAH17-1902 2" Axial ProbeSTB1X-0201 Ultra Thin Probe (0.020" thick)HTD18-0604 4" Transverse ProbeSTD18-0404 4" Transverse Probe (incl. w/5180)STD18-0402 2" Transverse ProbeSAD18-1904 4" Axial ProbeSAD18-1902 2" Axial Probe STB1X-0201 Ultra Thin Probe (0.020" thick)

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

全自动变温霍尔效应测试仪HMS-5000.HMS-5300,HMS-5500产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格： 1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

华中区销售工程师 周钟平电话：邮箱： 霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。霍尔效应测试系统产品特点自主知识产权产品。采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。霍尔效应测试系统测试实例山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果太原理工硅化镁样品测试结果霍尔效应测试系统技术参数型号HET-RTHET-HT磁场强度6800Gs5000Gs磁场稳定性±2％/每年温度范围RT100K~600K（可连续变温）温控精度\±0.5K输出电流100pA-100mA迁移率1-107cm2/Volt-sec阻抗10-6 -107?CM载流子浓度107 -1021cm-3样品测量板样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm主机尺寸570x545x380，单位mm\重量50kg80kg霍尔效应测试系统技术原理　　采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度（d）均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率，样品和四个电极联接，相邻的电极通入电流，在另一对电极之间测量电位差，利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量，测得电阻RA和RB，然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系：　　在垂直样品的磁场（感应强度B）作用下，电流通过样品的一对不相邻电极，如由电极1到电极3，测得电极2、4之间的电位差V2,4 （VH），可计算出霍尔系数。

巴克霍尔兹压痕仪是检测仪器，用于色漆、清漆的单层涂膜或多层涂膜的压痕试验。此压痕仪仅用于塑性变形的表面测量抗压力。当使用压痕仪在规定条件下施压涂膜时，即可形成压痕长度。以压痕长度倒数的函数表示抗压痕性试验结果。当要求涂膜的性能（抗压痕性）提高时，抗压痕性值就增大。使用前务必仔细阅读说明书。并由专业实验人员操作，以避免操作不当引起的伤害。如需了解更多资料请与我公司客服人员联系。巴克霍尔兹压痕仪由上海荣计达仪器科技有限公司提供，设备质保期一年，一年内产品如有质量问题，供方负责免费维修。如果因操作不当或者人为损坏，我公司亦应提供维修、更换服务，由此产生的费用我公司会酌情收取。巴克霍尔兹压痕仪技术参数1、 压痕仪整个装置重1000±5g；2、 压痕仪上的有效负荷重500±5g；3、 读数显微镜：a、放大倍数20倍； b、附带光源入射角大于60°； c、读数精度0.1mm。结构1、 压痕装置它是由矩形金属块、硬质工具钢制的具有尖锐刀刃金属轮、以及两个尖脚所组成。2、 测量装置是由一个20倍读数显微镜，并附有大于60°的照明，以产生在压痕长度上一个影像。1、光源 2、显微镜 3、压痕处 4、漆膜 5、测试板 6、影像巴克霍尔兹压痕仪使用方法1、通常具备的要求a 、在一个硬的平整无扭曲、表面无可见隆起的底材上；b 、在测试负荷下，底材必须不变形；c 、在测试期间，漆膜一般表现塑性变形，而不是弹性变形；d 、漆膜必须在压痕装置的负荷下，膜厚仍保持至少10um的厚度；e 、漆膜必须均匀、光滑和清洁。2、取样按GB3186规定进行。3、试板按GB9275—88中第5条的要求制做。试验步骤（1）试验环境条件除非另有规定，试验应在温度23±2°C；相对湿度（50±5）%的条件下进行。（2）压痕长度测定a 、将试板漆膜朝上，放在稳固的试验台平面上；b 、将压痕器轻轻地放在试板适当的位置上；放时应首先使装置的脚与试板接触，然后小心地放下压痕器。可先在试验压痕的位置上做记号，以便压后重新找到压痕。放置30±1s后拾起装置离开试板时，应先是压痕器，后是装置的脚。c 、除非另有规定，移去压痕器后35±5s期间内，用显微镜放在测定的位置上，测定压痕产生的影像长度以毫米表示，精确到0.1mm，记录其结果。d 、在同一试板上的不同部位进行5次试验，计算其算术平均值。巴克霍尔兹压痕仪抗压痕性的计算a 、将平均值数字修约成最近似表中某一栏的值，用该压痕长度舍入值查表来得到抗压痕性。b 、通过下式计算抗压痕性：100/L 中式：L—压痕长度mmQHY巴克霍尔兹压痕试验仪注意事项1、测量使用后应将仪器擦干净放回包装盒内。2、仪器应放在干燥处。3、螺口聚光灯泡2..2V，0.2A为易损件。4、每次使用后应将手电筒中的电池（自备）拆下

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。 系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。系统特点：&bull 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）&bull 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试&bull 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试&bull 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求&bull 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ&bull 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空&bull 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等&bull 有机材料：OFET、OLED等&bull 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：主机型号HSPM-07RT标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率 10-2 -106 cm2/VS载流子浓度 8x102 -8x1023/cm3霍尔电压分辨率为1μV电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品测试四探针样品卡样品尺寸：25mm*25mm焊接样品卡样品尺寸：10mm*10mm可选样品尺寸：50mm*50mm样品接触方式手动探针扎针或焊接样品温度室温，可选77K单点样品环境气氛（氮气或氩气）或真空磁场0.7T（室温）0.5T（液氮单点）永磁铁运动方式手动水平移动及翻转运动磁铁间隙20mm（室温）30mm（77K单点选件）磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

产品概述： 霍尔德电子HED-YL01余氯检测仪配合快速显色检测试剂，可“快速、简单、准确、稳定”进行水中余氯指标的测量，该仪器拥有精美的外观造型，简单的操作界面，准确的检测系统，帮助用户获得精细的数据，可更准确、有效的分析水体状况，提前预防，及时避免损失。 应用行业： 适用于纯净水厂、自来水厂、生活污水处理厂、医疗废水、工业污水、游泳场馆、水产养殖、河流监测、水源保护、生产监测、科研实验等。 仪器特点： 安卓智能系统操作更佳简便快捷； 内置操作流程、操作简单、无需培训、直接上手； 检测速度快，现场读取数据； 便携式体积小，重量轻，方便户外检测； 外形小巧美观，工作稳定免维护，具有较好的性价比； 采用进口冷光源，光学性能稳定，寿命长达10万小时； 参数指标： 检测项目：余氯 测量标准：HJ586-2010 测量范围：0～3mg/L、0～20mg/L 波长范围：340~800nm 测量方式：光电比色 测量误差：≤5% 重复性：0.5% 稳定性：0.5% 波长选择：自动 操作系统：安卓智能操作系统 显示屏幕：3.5寸彩色液晶触摸屏 灵敏度（吸光度）：0.001 使用环境：温度0～50℃，湿度0～90% 数据存储：80000条以上 通讯：Type-C、WIFI、热点、蓝牙 电池：5600mAh锂电池 连续工作时间：12小时 供电电压：5V/DC直流 尺寸：180mm*80mm*70mm 重量：700g 支持语言：简体中文或英文

霍尔德水质浊度分析仪 产品概述： 霍尔德电子HED-NTU水质浊度快速测定仪用于测量悬浮于水或透明液体中不溶性颗粒物质所产生的光的散射程度，并能定量表征这些悬浮颗粒物质的含量. 应用行业： 可以广泛应用于发电厂、纯净水厂、自来水厂、生活污水处理厂、饮料厂、环保部门、工业用水、制酒行业及制药行业、防疫部门、医院、化工产品等部门的浊度测量. 仪器特点： 安卓智能系统操作更佳简便快捷； 内置操作流程、操作简单、无需培训、直接上手； 检测速度快，现场读取数据； 便携式体积小，重量轻，方便户外检测； 外形小巧美观，工作稳定免维护，具有较好的性价比； 采用进口冷光源，光学性能稳定，寿命长达10万小时； 参数指标： 检测项目：浊度 测量标准：GB13200-91 测量范围：0.05~100（NTU） 波长范围：340~800nm 测量方式：光电比色 测量误差：≤5% 重复性：0.5% 稳定性：0.5% 波长选择：自动 操作系统：安卓智能操作系统 显示屏幕：3.5寸彩色液晶触摸屏 灵敏度（吸光度）：0.001 使用环境：温度0～50℃，湿度0～90% 数据存储：80000条以上 通讯：Type-C、WIFI、热点、蓝牙 电池：5600mAh锂电池 连续工作时间：12小时 供电电压：5V/DC直流 尺寸：180mm*80mm*70mm 重量：700g 支持语言：简体中文或英文

霍尔德浊度分析仪 产品概述： 霍尔德电子HED-NTU水质浊度快速测定仪用于测量悬浮于水或透明液体中不溶性颗粒物质所产生的光的散射程度，并能定量表征这些悬浮颗粒物质的含量. 应用行业： 可以广泛应用于发电厂、纯净水厂、自来水厂、生活污水处理厂、饮料厂、环保部门、工业用水、制酒行业及制药行业、防疫部门、医院、化工产品等部门的浊度测量. 仪器特点： 安卓智能系统操作更佳简便快捷； 内置操作流程、操作简单、无需培训、直接上手； 检测速度快，现场读取数据； 便携式体积小，重量轻，方便户外检测； 外形小巧美观，工作稳定免维护，具有较好的性价比； 采用进口冷光源，光学性能稳定，寿命长达10万小时； 参数指标： 检测项目：浊度 测量标准：GB13200-91 测量范围：0.05~100（NTU） 波长范围：340~800nm 测量方式：光电比色 测量误差：≤5% 重复性：0.5% 稳定性：0.5% 波长选择：自动 操作系统：安卓智能操作系统 显示屏幕：3.5寸彩色液晶触摸屏 灵敏度（吸光度）：0.001 使用环境：温度0～50℃，湿度0～90% 数据存储：80000条以上 通讯：Type-C、WIFI、热点、蓝牙 电池：5600mAh锂电池 连续工作时间：12小时 供电电压：5V/DC直流 尺寸：180mm*80mm*70mm 重量：700g 支持语言：简体中文或英文

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

M91是一款全新的一体式霍尔分析仪，采用Lake Shore全新的FastHall测量专利技术（专利号：9797965和10073151），从根本上改变了霍尔效应的测量方式，在测量过程中无需翻转磁场，尤其是在使用强磁场超导磁体或测量极低迁移率材料时，可以实现更快、更精确的测量。同时，M91较短的测量窗口减少了样品因热漂移效应带来的误差，单向磁场测试模式消除了由于磁场对准引起的测量偏差，进一步提高了测量结果的准确性。M91 FastHall可以和任何类型的磁体搭配使用，尤其对于强磁场超导磁体研究平台。目前，M91已经推出了与PPMS系统联用的完整解决方案，显著提高了测量的精度、测量速度以及使用便利性，极大的拓宽了材料研究测试范围！M91主要特征 ☛ 全新的FastHall测试技术，测量过程中无需翻转磁场☛ 一体化设计☛ 可适配各种类型磁体☛ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍☛ 通过最小化热漂移提高精度☛ 测试迁移率低至0.001 cm2/(V&bull s)☛ 标准电阻范围从0.5 mΩ~10 MΩ，可选200 GΩM91主要参数 霍尔测量FastHall方法（无需翻转磁场）范德堡法测量样品传统直流磁场测试方法范德堡法/Hall Bar法测量样品测试参数间接测试参数类型霍尔系数，霍尔迁移率，电阻率，载流子浓度迁移率范围0.001 ~ 106 cm2/Vs（FastHall方法）M91标准测试电阻范围10 mΩ ~ 10 MΩ M91+ M9-ADD-HR高阻选件10 mΩ ~ 200 GΩ 解决了传统霍尔测试中的问题 √ 对于低迁移率的材料，尤其是新型半导体材料（如光伏、热电和有机材料），传统的直流霍尔效应测试系统往往难以测量；√ 交流霍尔效应测试系统可以解决上述问题，但测量时间较长，且测试中因热漂移效应产生误差；√ FastHall技术解决了上述两个问题，可以在几秒钟内精确测量流动性极低的材料。更简单，更方便√ 所有测试模块在一个仪表内√ 自动选择最佳激励和测量量程√ 自动执行测量步骤√ 提供完整的霍尔分析√ 易于使用，易与现有实验室系统集成更好、更快的测量√ 使用FastHall测试无需反转磁场√ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍√ 最大限度地减少热漂移，以提高测量精度更低成本√ 新搭建或快速升级现有系统√ 将先进的霍尔测量技术引进实验室√ 可与任意类型磁体一起使用

耐高压高灵敏度单极霍尔开关1. 规格说明商品名称耐高压高灵敏度单极霍尔开关（单极感应N极）感应方式磁铁感应电源电压5-24VDC检测距离有效检测距离0-10mm负载电流不超过40MA输出形式NPN三线常闭型输出状态无磁场时输出高电平，有磁场时输出低电平检测物体金属材料外接引线30cm外形规格M6×0.75，全螺纹，长度10mm接线方式红线正极，黑线负极，黄线信号，请勿接反典型应用无刷电机换向、流量传感器、位置传感器、速度传感器2. 详细参数（Ta=25℃，Vsup=5V）参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VSUP3.8540V工作电流ISUP69mA输出电流Isink30mA输出上升时间Tr1us输出下降时间Tf1.5us工作点Bop306080Gauss释放点Brp104060Gauss回差Bhys102040Gauss工作温度Ta-40125℃3. 磁电转换特性该传感器设计用于北极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量（B）小于释放点Brp时，输出以高电平。该产品20元/只，100只起订。

FastHall Station桌面式快速霍尔测试系统旨在结合M91快速霍尔测试仪打造一款紧凑型桌面式快速霍尔测试系统，包括一台带软件的电脑和一块1T的永磁体，高精度样品座和相应测试电缆，可选液氮低温测试模块。FastHall Station可测试电阻高达1GΩ以及迁移率低至约0.01cm2/Vs的材料，是实验室研究低迁移率材料的理想选择。主要特征☛ 完整的桌面式霍尔效应解决方案☛ 快速测量☛ 测试迁移率低至0.01cm2/Vs☛ 电阻范围：10 mΩ~1 GΩ☛ 磁场高达1 T☛ 可选液氮低温测试模块主要参数霍尔测量 FastHall方法（无需翻转磁场） 范德堡法测量样品 传统直流磁场测试方法 范德堡法/Hall Bar法测量样品 测试参数 间接测试参数类型 霍尔系数，霍尔迁移率，电阻率，载流子浓度 迁移率范围 0.01 ~ 106 cm2/Vs 电阻范围 10 mΩ ~ 1GΩ 电阻率 1 × 10-5 Ω cm ~ 105 Ω cm (典型值) 载流子浓度 800/cm3 ~ 8 × 1023/cm3 (典型值) 测试速度 ＜10 s （典型值） 磁场及温度 室温磁场 1 T 液氮选件磁场 0.75 T 温度 77 K液氮单点 最大样品尺寸 Solder card 10 mm × 10 mm × 3 mm Pin card 10 mm × 10 mm × 2 mm

台湾EMT7065霍尔效应仪 霍尔效应仪可以测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表，和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统，我们的霍尔效应仪温度范围可以达到4K-1000K，磁场可以升级到9T。可以结合许多极端环境平台： 从4K到1000K温度不改变样品架制冷机温度可达到1000K宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作坚固设计并安装在冷却器的上端，换样品时不会接触到。许多标准的安装配置可用-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷机提供高温系统以及温度控制器

产品概述： 霍尔德电子HED-S09型便携式水质检测分析仪是一款适用于工业污水、水产养殖、河流监测、游泳场馆等领域的检测仪，配合快速显色检测试剂，可“快速、简单、准确、稳定”进行测量，拥有精美的外观造型，简单的操作界面，准确的检测系统，帮助用户获得精细的数据，可更准确、有效的分析水体状况，提前预防养殖风险，及时避免损失。仪器特点： 可检测PH、溶解氧、氨氮、亚硝酸盐、总碱度、硫化氢、盐度、磷酸盐、总硬度9项指标；Android智能系统操作更佳简便快捷；内置操作流程、操作简单、无需培训、直接上手；检测速度快，现场读取数据；便携式体积小，重量轻，方便户外检测；外形小巧美观，工作稳定免维护，具有较好的性价比；采用进口冷光源，光学性能稳定，寿命长达10万小时；检测项目： 参数名称量程依据标准测量方式测量误差重复性PH1-14酸碱指示剂显色光电比色≤5%0.5%溶解氧0~12 mg/LGB 7489-87光电比色≤10%0.5%氨氮0~4mg/LHJ 586—2010光电比色≤5%0.5%亚硝酸盐0 ~2 mg/LGBT 7493-1987光电比色≤5%0.5%总碱度0~500 mg/L文献滴定法≤5%≤2%硫化氢0~4 mg/LGB-T 16489-1996光电比色≤5%0.5%盐度1.00-1.060/比重法0.0010.002磷酸盐0~2 mg/LGB11893-89光电比色≤5%0.5%总硬度0~10000mg/LGB7747-87滴定法≤10%≤2%检测方法光电比色测试模式浓度波长范围340~800nm系统安卓智能操作系统波长选择自动显示屏幕3.5寸彩色液晶触摸屏稳定性0.5%灵敏度（吸光度）0.001使用环境0~50℃ 0~90%的相对湿度数据存储80000条以上通讯Type-C、WIFI、蓝牙电池5600mAh锂电池连续工作时间12小时供电电压5V/DC直流尺寸18cm*8cm重量700g支持语言简体中文或英文配置清单：序号名称单位数量1仪器主机台12量杯只13离心管只24连盖圆底离心管只55塑料漏斗只16比色皿盒17塑料滴管只68滤纸盒19数据线根110充电器个1

一、仪器用途： 对地表水、地下水、海水中的石油类进行污染源实地监测、应急监测。 二、技术原理： HD-QH600A型便携式全自动紫外测油仪，以“HJ970-2018水质石油类的测定紫外分光光度法”为依据，使用搅拌扰动方式将萃取溶剂按一定比例将水体中的油类物质萃取出来，然后将萃取溶剂除水后，再经硅酸镁吸附除去动植物油类等极性物质后，于225nm波长处测定吸光度，石油类含量与吸光度值符合朗伯—比尔定律。 三、功能特点： 1、*仪器采用便携式一体化设计方式，采样瓶、试剂瓶、废液瓶、萃取装置、平板电脑、主机、锂电池等全部集成在同一个便携拉杆箱内，操作简便，方便携带； 2、*采用一键式全自动操作：一键运行，自动测量并导入水样体积后、通过精密注射器注入萃取剂、自动萃取、自动切换硅酸镁柱吸附动植物油，自动转移至比色皿测量、样品分析结束后自动清洗全流程管路，无记忆效应，各步骤之间无需人工干预； 3、*配有霍尔德电子专用分析软件，集图谱、扫描、分析、计算于一体；一键式全自动制作标准曲线、全自动检测标准样品、全自动检测水样； 4、光学系统设计稳定性好、抗震性能好，可以在监测车行驶状态下工作； 5、自动破乳功能，自动滴入破乳液发挥作用； 6、*内置热敏打印机，测试结束后自动打印数据； 7、配备10英寸平板电脑，Windows操作系统； 8、在10分钟左右即可完成单个样品的全自动分析测定； 9、配有废液回收装置，废正己烷试剂自动进入指定废液缸，废水自动进入另一指定废液缸，两者完全分离； 10、*交直流两用，内置大容量锂电池，在野外应急监测现场无需外接移动电源供电，更加便捷，电池充满电可连续工作可达8小时； 11、*实时显示电池电量和电压，现场可随时查看电池电量； 12、采用非接触式方式自动测量、读取水样体积，体积测量误差2%； 13、配备国家标准规定的广口瓶采样，采集样品后仪器能自动读取样品体积，直接上机萃取，无需转移到量筒中量取，避免样品转移带来的损失； 14、萃取：自动测量水样体积液位、自动加试剂、自动搅拌萃取、搅拌速率可调节，自动转移萃取液、自动排放水样为一体； 15、*光源：氩灯，使用寿命比传统光源更长，开机无需预热，检测效果更好； 16、测量方式：样品不转移，自动测量体积，自动加试剂，自动萃取，自动分离，自动测量；17、采样方式：棕色广口瓶采样，广口瓶直接上机萃取，自动测量、读取水样体积； 18、萃取试剂：正己烷； 19、校正方法：标准曲线； 20、具备硅酸镁装置切换功能：程序设定检测使用40次以后，自动切换另一硅酸镁装置使用。 四、技术参数： 测量范围：0-60mg/L（超量程会自动稀释）； 分辨率：0.001mg/L； 检出限：0.001mg/L； 重现性：RSD＜2% 准确度：±2%； 线性系数：R0.999； 测量波长：225nm； 光源：氩灯； 水样体积：10-700毫升； 整机重量：≤22Kg； 仪器尺寸：610*470*295mm； 五、配置清单： 主机1台（含便携拉杆箱）；平板操作终端1台；充电器1个；数据线1根；隔水过滤膜2包；废液桶1个；硅酸镁柱2根；正己烷中石油类质控样1支；操作手册、合格证、保修卡等资料一套。

ZH-02霍尔流速计/松装密度仪ZH-02霍尔流速计是根据GB1482-2010-T金属粉末流动性的测定【标准漏斗法(霍尔流速计代替GB1479-84、 GB1482-84标准规范制作。用于测试金属粉末和非金属粉末的流速和松装密度. 漏斗材料有分黄铜和不锈钢【黄铜容易氧化,不锈钢耐磨】本方法仅适用于能自由流过孔径为2.5mm或5.0mm标准漏斗的粉末。本标准的其他部分规定了不能通过孔径为5.0mm标准漏斗的粉末松装密度测定方法。原理:粉末从漏斗孔按一定高度自由落下充满杯子。在松装状态下，以单位体积粉末的质量表示粉末的松装密度。本标准等效采用ISO 3923/1—1979《金属粉末松装密度的测定 第1部分漏斗法》。装置结构1、漏斗：标准漏斗小孔直径d有两种规格，一种是直径2.5 mm；一种是直径5.0 mm 备注：漏斗孔径2.5mm测试粉末的流速 漏斗孔径5.0mm测试粉末松装密度2、漏斗角度：60度3、圆柱杯：容积25±0.05 cm3,内经为31±1mm。4、杯子和漏斗的制作：杯子和漏斗应由非磁性耐腐蚀的金属材料制成，且具有足够的壁厚和硬度，以防变形和过度磨损，通常选用黄铜材料或是不锈钢材料制作。漏斗和杯子的内表面要仔细抛光。5、支架和底座：支架用于固定漏斗。底座必须水平、稳固，不得振动，供安装支架和杯子使用。漏斗小孔底部和杯子上部之间的距离为25mm，可用定位块来调节，漏斗和杯子必须同心。5、天平（用户自备）:要有足够的测量范围，称量试样能精确到0.01g。标准配件：①安装支架②漏斗（根据实际情况）③25ml量杯④溢出盘/接收器⑤高度定位块测试松装密度的步骤：用天平测量一下量杯的重量W1→用手堵住漏斗,倒入一定量的粉末,然后迅速放开手,让粉末自由流出,直到完全溢出量杯→用不锈钢尺子刮平溢出的粉末,然后在测量一下此时量杯和粉末的重量W2→然后通过计算可以得出松装密度等于(W2-W1)除以标准体积量杯V=25ml测试流速的步骤: 称量50g样品,精确到±0.1g→用手堵住漏斗底部小孔，把称量好的50g样品倒进漏斗中→ 瞬间放手让粉末开始自由落下并开始计时，漏斗中粉末一经流完，立即停止计时T→然后通过公式计算50/T得出流速.

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点： 1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。 产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一] [HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格： 1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)； 测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户： HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...