场效应管测试仪

有机场效应晶体管(organic field—effecttransistors)作为新一代电子元器件，自1986年问世以来，引起了学术界和工业界的广泛关注。与传统的无机半导体材料相比，有机半导体具有材料来源广，制备工艺简单，可与柔性衬底兼容等优点，在众多领域具有广泛的应用。有机场效应管性能的调解可以采用两种不同的手段：一、通过化学修饰来调解分子聚集态结构与界面电荷陷阱；二、提高载流子注入电的效率，通常方法为采用钙、镁等低功函数材料或采用复合电，减小接触电阻。Science China Chemistry近发表的一篇文章，报道了一种基于C60单晶的新型有机场效应管。通过PFN+Br-中间层的引入，大大地减小了电与半导体层的接触电阻，提高了载流子注入电的效率。其电子迁移率高达5.60cm2V-S-，阈值电压能够低至4.90V，性能远远高于没有PFN+Br-中间层的器件。 图1. C60带状晶体的形貌与晶体结构图：（a）C60晶体光学成像图；（b）C60晶体的AFM形貌图；（c）C60晶体的TEM成像图；（d）C60晶体的SAED图本研究采用美国Delong公司生产的超小型低电压透射电镜—LVEM5来表征C60的单晶带结构（如图1c所示），其主机采用Schottky场发射电子枪，能够提供高亮度高相干的电子束，并可直接放置于实验室的桌面上。在输出曲线中可以看出，IDS与VDS具有良好线性，表现出良好饱和特性。（如图2所示）。图2. 场效应管的性能表征：C60单晶不涂覆（a-c）/涂覆（d-f）共轭聚电；(a,d)转移曲线图；（b,e）45个器件电荷迁移率柱状图；（c,f）输出曲线图LVEM5加速电压只有5KV，但可以实现1.5 nm的分辨率，纳米结构可以获得高质量的电镜照片，且直接保存Tiff格式，无需转码。无需液氮，无需专人操作管理，操作维护简单快捷，是实验室的理想选择。* 展会快讯：Quantum Design中国子公司参加了 10月17-22日 在 成都 举办的“2017年电镜年会”，欢迎各位感兴趣的老师、同学亲临展台，参观指导，我们随时期待与您相会！ * 参考文献：Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.相关产品及链接：LVEM5 超小型透射电子显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C157727.htmRHK 扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C44442.htm电导率-塞贝克系数扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C71734.htm美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C205015.htm超高分辨散射式近场光学显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm

2021年5月26日下午，联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士主持，联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充，具有十分重要的意义，目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速，国内外都非常的关注，但是缺乏相关的标准，该项标准的制定有助于促进相关平台的建设，推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论，并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用，热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息，为器件设计与优化改进提供参考，衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。

我司于2017年1月在上海某高校成功安装基于Janis 探针台和Keithley 4200半导体特性仪的测试系统。该探针台配置四个三同轴探针臂和两个光纤探针臂，漏电流优于50fA。该探针台变温范围大（8K-675K）。我司提供Keithley 4200半导体特性仪，并提供集成变温IV、CV和输运和转移特性等测试软件 变温测量IV和VI曲线 变温场效应管（横坐标Vgs，纵坐标Ids， 不同曲线代表不同的Vds和温度） 变温场效应管（横坐标Vds，纵坐标Ids， 变温CV测试（横坐标偏压，纵坐 不同曲线代表不同的Vgs和温度） 标电容，不同曲线代表不同温度）

近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势，是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示，MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道（500 纳米）的器件，没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题，刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化，首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米，并实现了超低的亚阈值摆幅（SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec）、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件，平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec，沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩，对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据：(c)转移曲线和(d)输出曲线

碳化硅（SiC）具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。而金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。2020年12月28日，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布一项联盟标准T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》。该项标准由中国科学院微电子研究所牵头起草，按照CASAS标准制定程序（立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。标准于2021年1月1日施行。附件下载https://www.instrument.com.cn/download/shtml/976637.shtml【相关阅读】企业成半导体刻蚀设备采购主力——半导体仪器设备中标市场盘点系列之刻蚀设备篇超亿采购中磁控溅射占主流——半导体仪器设备中标市场盘点系列之PVD篇上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇第27批国家企业技术中心名单出炉，涉及这些仪器厂商探寻微弱电流的律动：超高精度皮安计模块亮相三家半导体设备商上榜“中国上市企业市值500强”862项标准获批，涉及半导体、化工检测和检测仪器等领域盘点各地十四五规划建议”芯“政策湖北省集成电路CMP用抛光垫三期项目拟购置43台仪器设备

【期刊】Nature Biomedical Engineering IF=25.7DOI：https://doi.org/10.1038/s41551-021-00833-7 【成果简介】 由于许多疾病相关生物标志物的浓度超低，所产生的信号往往会被其他高浓度分子所产生的信号所干扰，因此从生物流体中进行超低浓度样品（每100 μL中有1到10份）的检测一直是医学/生物分析领域的一个难题。近日，复旦大学魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备了基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片解决了这一难题。所制备的芯片实现了对低浓度离子，生物分子和新冠病毒（每100 μL中有1到2份）的快速检测。使用该芯片对新冠病毒进行检测时，仅需鼻咽样本即可，无需RNA提取和核酸扩增，四分钟内就可得到检测结果。相关研究论文已在国际知名期刊《Nature Biomedical Engineering》（IF=25.7）上发表。 【图文导读】图（1） 分子微纳机电和基于石墨烯场效应管的微纳机电芯片示意图。A)分子微纳机电芯片示意图。B) 分子微纳机电探针在不同静电场中工作原理示意图。探针与作为悬臂梁的单链DNA相连，然后被一个由双链DNA所组成的四面体结构固定在石墨烯表面。E为外加电场方向。C)基于液态门石墨烯场效应管的微纳机电芯片示意图。D)使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备器件的数码照片。E) 小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备电的光学显微照片。F)制备后的石墨烯表面的AFM表面成像结果。G)-I)不同外加电场条件下，单链DNA的荧光表征结果。图（2）超灵敏生物探测系统和芯片稳定性结果。A) Vlg为-0.5V条件下和B) Vlg为0V条件下实时ΔIds的变化曲线。C)不同Vlg下，ΔIds随着凝血酶浓度的变化。D)分子微纳机电部分探测原理。由于探针较高的表面覆盖率，通过探针对特定目标进行特定吸附，避免了非特定吸附，然后再转换为不同电信号。E)制备芯片的ΔIds/ΔIds0随着时间的变化。 图（3）芯片的通用性，特性和结构设计。A) ∣ΔIds/ΔIds0∣曲线随着不同检测样品浓度的变化。B) ΔIds/ΔIds0随着ATP浓度的变化。C)制备芯片对选定样品和非选定样品不同的∣ΔIds/ΔIds0∣结果。D)DNA四面体示意图。E)不同的DNA结构对狄拉克点位移的影响。 图（4）新冠病毒的核酸检测。A)使用制备芯片和传统PCR法进行核酸检测的工作流程。B)用于探测和样品选定的基因序列图。C）∣ΔIds/ΔIds0∣曲线随着不同检测样品浓度的变化。插图中展示了检测的灵敏度。D) ∣ΔIds/ΔIds0∣随着不同样本的改变。F1为PCR检测为阴性的1号样本。P1为PCR检测为阳性的1号样本。插图中展示了芯片对25个阳性样本的平均反应时间。E) 芯片对新冠感染者，普通发烧和流感患者以及健康人群的检测结果。F) ΔIds/ΔIds0对不同浓度样品的反应时间。插图为在样品采集后0-21天时间内的表征结果。G)制备的芯片和传统PCR法对样品检测灵敏度的比较。H) 通过和其他测试新冠病毒方法的比较，说明制备的芯片检测新冠病毒更快更灵敏。 【结论】 魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片在检测离子，生物分子和新冠病毒等方面具有快速超高灵敏度等特点。该工作为医学/生物快速诊断领域的研究打下了坚实的基础。同时，从文中也可以看到随着医学/生物检测领域的需求逐渐增多，如何快速开发出符合需求的生物芯片显得十分重要性。由于实验过程中需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，十分依赖灵活多变的光刻手段。小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3可以任意调整光刻图形，帮助用户快速实现原型芯片的开发，助力医学/生物检测领域的研究。

期刊：Nature communication IF 14.92文章DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】 石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】 近日，复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体（MoS2）栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺，并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中，晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程，随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备，优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。（a）CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。（b）MoS2场效应管的各种截面图。（c）晶体管的表现和各类参数的关系。（d）从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和（h）相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】 随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展，如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出，小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发，助力微电子相关领域的研究。 鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出，课题组相关研究团队继续紧追热点，把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统，力争更优的器件性能，图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展！

期刊：Nature communication IF 14.92文章DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】近日，复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体（MoS2）栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺，并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中，晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程，随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备，优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。（a）CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。（b）MoS2场效应管的各种截面图。（c）晶体管的表现和各类参数的关系。（d）从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和（h）相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展，如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出，小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发，助力微电子相关领域的研究。鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出，课题组相关研究团队继续紧追热点，把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统，力争更优的器件性能，图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展！

期刊：ACS NanoIF：18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】MoS2是一种典型的二维材料，也是电子器件的重要组成部分。研究者发现，当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用，使之具有良好的电学特性，可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点，不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外，电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响，进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能，但这些研究主要基于理论计算，缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。 【成果简介】2021年，意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件，在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性，发现在n通道的跨导输运被抑制，这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版，可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便，同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：图4. MoS2的输运特性。（a）室温条件下，MoS2在0-80V的VG范围内的I-V特性曲线。（b）转移特性显示出强烈的迟滞。红色箭头表面扫频方向，红色虚线为场效应移动的预计值。其中插图为测量器件的光学照片，电极用黑色圆点表示。图5. MoS2覆盖层对石墨烯的电子输运的影响。（a，b）石墨烯上不同MoS2覆盖面积的器件光学照片。（c-g）石墨烯上不同MoS2覆盖面积的转移特性，黑色覆盖率0%，橘色48%，蓝色 55%，黄色69%，紫色79%。图6. 硫空位对场效应的影响。（a）MoS2-石墨烯界面的能带结构和态密度。（b）不同门电压条件下，场效应所导致的电子和空位的分布。蓝色表示电子，红色表示空位。（c，d）在不同门电压条件下，MoS2-石墨烯界面的侧视图以及硫空位（绿色）的位置。图7. 不同硫空位密度条件下，石墨烯导电性能计算值。 【结论】Ciampalini教授课题组首先制备了MoS2-石墨烯二维材料的异质结构，在此基础上使用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3制备了多场效应管器件。通过对多场效应管器件的直接测量，发现了MoS2覆盖层对石墨烯电输运性能的独特抑制作用。为了更好地理解这一独特电输运现象，采用第一性原理的方法，计算了硫空位对石墨烯导电性能的影响。该工作为后续的石墨烯场效应电学及光电器件的研究和应用打下良好的基础。同时，从文中也可以看出，课题组最主要的优势是能够制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件。在制备该器件过程中，需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，十分依赖灵活多变的光刻手段，小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3可以任意调整光刻图形，对二维材料进行精准套刻，帮助用户快速实现器件制备，助力电输运研究。小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3

长期以来，大规模可靠制备高性能有机电化学晶体管（organic electrochemical transistor，OECT）是领域内的瓶颈问题。相对于普通的薄膜晶体管，要实现高性能的 OECT，需要对器件进行严格封装和图案化，以尽量避免电解质和源漏电极的直接接触产生寄生电容，这直接导致了冗长的制备流程、高昂的制备成本等系列问题。另外，OECT 在稳定性和 N 型性能上亟需大幅提升，以契合产业化需求。近期，电子科技大学（以下简称“电子科大”）和美国西北大学等团队合作，设计了一种兼容低成本制备流程的新型垂直结构，实现了具有更小体积、更高跨导、更优循环特性的 OECT。具体来说，相对于传统平面结构，在相同面积下，实现了 N 型器件跨导 1000 余倍的提升（即实现相同跨导，器件面积可缩小 1000 余倍）；在低于 0.7V 的驱动电压下，实现了 5 万次以上的稳定循环。该研究解决了 OECT 在性能、集成度及稳定性方面的系列问题，为 OECT 的大规模可靠制备及应用拓展奠定了坚实的基础。审稿人对该论文评价道：“本文展示了基于 P 型和 N 型 OECT 垂直架构的有趣示例。结果是原始的、新颖的，同时 N 型和 P 型特性非常平衡且特别稳定。”图丨相关论文（来源：Nature）近日，相关论文以《用于互补电路的垂直有机电化学晶体管》（Vertical organic electrochemical transistors for complementary circuits）为题发表在 Nature 上[1]。电子科技大学自动化工程学院黄伟教授为该论文的共同一作兼通讯作者，程玉华教授、美国西北大学安东尼奥法切蒂（Antonio Facchetti）教授、托宾・J・马克斯（Tobin J. Marks）教授及郑丁研究助理教授为论文共同通讯作者。N 型 OECT 循环 5 万次仍无明显衰退此前，基于 N 型的 OECT 的循环稳定一般不会超过千次。该研究解决最重要的难题在于其性能异常稳定，特别是对于 N 型的 OECT，在低于 0.7V 的驱动电压条件下，垂直型 OECT 在循环 5 万次条件下仍无明显衰退。黄伟表示：“器件性能的数量级提升，对未来技术的产业转化奠定了良好的基础。”由于制备高性能的 OECT 程序比较繁复、制备时间长、制备成本也高，因此对相关设备的资金投入也会比较高。该工艺兼容了低成本溶液制备流程，不需要比较复杂的光刻工艺（包括干法和湿法刻蚀工艺），采用直接光照交联以及简单的金属掩模板蒸镀电极的方式，就可以实现比以前性能更优异的晶体管性能。特别是在单位面积的性能上，由于垂直堆叠结构的独特性，在占用同样面积的情况下，垂直结构的跨导对于 P 型 OECT 来说，比平面结构增加了十几倍；对于 N 型 OECT 来说，则有上千倍的增加。黄伟指出，量级的增加意味着如果想实现之前的 OECT 的性能，在体积上可以做得更小。因此，对于制备轻便且高度集成的传感器非常有优势。图丨新型垂直器件结构表征及其性能（来源：Nature）该研究源于黄伟在做有机电化学晶体管相关研究时，偶然发现的“反常现象”。有意思的是，当时该团队并不认为该种垂直堆叠结构的器件会工作，因此相关测试是作为原始参照组来进行的。一方面，对于有机电化学晶体管来说，需要离子完全渗入到半导体中，而垂直堆叠的结构中由于沟道完全被上电极覆盖，离子只能从边缘注入，这会导致离子传输路径受限，直观上掺杂难度极大。黄伟指出，一般来说，若电极直接设计在 OECT 的半导体上，其被离子掺杂后会导致明显的微观结构变化，因此必然对电极的接触造成损伤。前人做出的垂直结构在损失部分有效沟道的前提下，采用较为复杂的光刻手段将上电极固定。图丨新型垂直结构构建的垂直电路及其输出特性（来源：Nature）该研究由电子科大、美国西北大学、云南大学、浙江大学等多个团队共同完成，其中美国西北大学研究的重点方向是化学和材料，电子科大团队则偏重器件和测试方面。黄伟表示，器件结构设计得益于新材料的合成，其特点在于它能够同时导电子（空穴）及离子，也就是说，它的工作原理类似神经突触，电学信号转化为化学信号，然后再转为电学信号的器件。在课题组成员研究初期“不相信”的问题上，审稿人也提出了同样的疑问：这样的结构得到这么好的性能，真的是因为离子完全注入了沟道吗？为了回答离子注入的问题，该团队花了很多精力不断地设计对比实验，用新材料、新结构最终证明了该现象的正确性及普适性。有望应用于柔性电子、仿生传感、脑机接口等领域由于 OECT 具备良好的生物兼容性，因此有望应用于柔性电子、仿生传感、生物化学及电信号（包括脑机接口等）方向。一方面，它的工作原理类似神经突触，能模拟神经突触的传感功能，例如像人类皮肤那样能感受到温度、压力、湿度，以及探测到心电、脑电等人体信号等。该器件由于集成度高，相对于原来的平面结构，可在达到同样的性能的前提下缩小千倍，有利于在探测高精度的脑部活动或神经活动时避免/减小对组织的损伤。另一方面，由于它可以做得轻便、柔软，还可以拓展到仿生机器人对外界环境的传感，以及对生命健康的探测。黄伟认为，该技术可能最先应用在柔性仿生传感领域。此外，由于该器件和神经突触类似，其也有望应用于人工智能硬件。“它可以通过器件与器件之间相连，形成神经网络。这里的神经网络是基于模拟生物或生物的神经网络形成的网络硬件。”黄伟说道。下一步，该团队计划将器件的性能、稳定性进一步提升。目前阶段，课题组成员还没有系统地探讨它的柔性及可拉伸特性，他们希望未来能尽量往皮肤或器官上贴合。此外，他们将会把该新型器件与后端系统进行集成，形成小型、快速、准确的传感特色，进而实现低功耗柔性可拉伸的便携传感系统。从光学工程到自动化工程，致力于将研究成果进一步集成黄伟从南开大学物理学院本科毕业后，在电子科大光电科学与工程学院完成了博士阶段的学习（师从于军胜教授），期间前往美国西北大学联培，研究方向偏材料及器件。随后，黄伟在西北大学材料科学与工程中心进行了博后训练，并担任研究助理教授。随着研究的深入，他希望能够将研究成果进一步推广应用，形成传感设备、测试系统，以期实现研究成果的落地。因此，在西北大学进行博后研究和担任研究助理教授后，2021 年，他选择回到母校电子科大任教，加入自动化工程学院测试技术与仪器研究所。此前，黄伟与团队解决了柔性可拉伸性与传感信号输出稳定性同步提升的难题[2,3]。他们通过将先进柔性可拉伸场效应管制备技术与原位“传感与放大一体化”集成方法的融合，进一步结合复合互补电路与应力释放制备工艺，实现了在复杂应力条件下，针对关键生理参数的稳定传感信号输出。该课题组的主要研究方向集中在柔性仿生传感技术、有机电化学晶体管以及柔性可拉伸电子器件。一方面，在基础的元器件开发上，他们期望通过引入更多性能好的传感元器件，推进功耗、灵敏度方面的进展。另一方面，基于现有的元器件进一步地集成和驱动，朝着疾病诊断、健康管理等应用方向发展。在黄伟看来，做科研的关键品质之一是长期保持好奇心。因此，即便实验失败了，也好奇失败的具体原因。“科研工作者追求的并不是表面的结果，而是从现象背后的原理到应用都高保真的全过程。对科学问题的探索，我们要像挖金矿那样直到‘挖不动’为止。”他说。面对研究中失败的结果，黄伟也有一套自己的科学价值观。他表示，爱迪生在发明电灯泡时用了六千多种材料，尝试了七千多次才获得最后的成功。因此，即便有 1% 的希望，也要坚持和勇于尝试。此外，他还指出，由于个人的思想和经验非常局限，因此通过学科交叉定期地进行“头脑风暴”，可以从不同的视角提出新的创意，这也是目前工科发展的一大特色。参考资料：1.Huang, W., Chen, J., Yao, Y. et al. Vertical organic electrochemical transistors for complementary circuits. Nature 613, 496–502 (2023). 2.Chen, J., Huang, W., Zheng, D. et al. Highly stretchable organic electrochemical transistors with strain-resistant performance.Nature Materials 21, 564–571 (2022). 3.Yao,Y.,Huang,W.et,al.PNAS,118,44,e2111790118(2021).

2013年2月27日，质检总局公布第二批部门计量检定规程清理结果，本次清理范围涉及轻工、电子、化工、建材、民航等领域，涉及的仪器包括实验室、表面粗糙度仪等大量仪器。详情如下： 国家质量监督检验检疫总局《关于公布第二批部门计量检定规程清理结果的公告》(2013年第32号) 2013年第32号 质检总局关于公布第二批部门计量检定规程清理结果的公告 　　根据《中华人民共和国计量法》的规定，为进一步做好部门计量检定规程备案工作，质检总局组织有关单位对已备案的部门计量检定规程进行了集中清理，现将清理后的第二批现行有效的部门计量检定规程公布如下(见附件)。 　　附件：现行有效的部门计量检定规程(第二批) 现行有效的部门计量检定规程(第二批) 序号 规程编号 规程名称 主管部门 1 JJG(轻工) 2-89 自行车滑行道检定规程 工业和信息化部 2 JJG(轻工) 4-89 自行车车架精度检具检定规程 工业和信息化部 3 JJG(轻工) 5-89 自行车前后叉中心测量轴检定规程 工业和信息化部 4 JJG(轻工) 6-89 自行车车架中接头垂直度检具检定规程 工业和信息化部 5 JJG(轻工) 7-89 自行车前叉精度检具检定规程 工业和信息化部 6JJG(轻工) 8-89 自行车车把精度检具检定规程 工业和信息化部 7 JJG(轻工) 9-89 自行车车圈接口凹陷量检具检定规程 工业和信息化部 8 JJG(轻工)10-89 自行车窜动量调整架检定规程 工业和信息化部 9 JJG(轻工)11-89 自行车车轮静负荷能力试验台检定规程 工业和信息化部 10 JJG(轻工)12-89 自行车后轴身螺纹圆跳动量检具检定规程 工业和信息化部 11 JJG(轻工)13-89 自行车曲柄心轴检定规程 工业和信息化部 12 JJG(轻工)14-89 自行车飞轮心轴检定规程 工业和信息化部 13 JJG(轻工)15-89 自行车脚蹬轴冲击试验台检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 14 JJG(轻工)16-89自行车链条灵活性测量板检定规程 工业和信息化部 15 JJG(轻工)17-89 自行车轴挡碗耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 16 JJG(轻工)18-89 自行车漆膜冲击器检定规程 工业和信息化部 17 JJG(轻工)20-89 自行车负荷试验砝码检定规程 工业和信息化部 18 JJG(轻工)21-89 自行车盐雾试验箱检定规程 工业和信息化部 19 JJG(轻工)22-89 自行车鞍座疲劳试验机检定规程 工业和信息化部 20 JJG(轻工)23-89 自行车车把鞍座夹紧力矩试验台检定规程 工业和信息化部 21 JJG(轻工)24-89 自行车车架前叉组合件落重试验机检定规程 工业和信息化部 22 JJG(轻工)25-89 自行车车架前叉组合件冲击试验机检定规程 工业和信息化部 23 JJG(轻工)26-89 自行车前后轴灵敏度光电计数器检定规程 工业和信息化部 24 JJG(轻工)28-89 自行车飞轮圆跳动量测试仪检定规程 工业和信息化部 25 JJG(轻工)29-89 自行车前后轴灵敏度试验检具检定规程 工业和信息化部 26 JJG(轻工)32-89 自行车轴脚蹬耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 27 JJG(轻工)35-89 自行车外露突出物测试圆柱棒检定规程 工业和信息化部 28 JJG(轻工)36-89 自行车检测专用角度块检定规程 工业和信息化部 29 JJG(轻工)40-89 自行车道路试验障碍器检定规程 工业和信息化部 30 JJG(轻工)41-89 自行车车铃寿命试验机检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 31 JJG(轻工)45-89 自行车链条耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 32 JJG(轻工)46-89 自行车脚蹬静态试验机检定规程 工业和信息化部 33 JJG(轻工)47-89 自行车脚蹬动态试验机检定规程 工业和信息化部 34 JJG(轻工)48-2000 反射光度计 工业和信息化部 35 JJG(轻工)49-2000 纸板压缩强度试验仪 工业和信息化部 36 JJG(轻工)50.1-2000 纸与纸板厚度测定仪 工业和信息化部 37 JJG(轻工)50.2-2000 瓦楞纸板厚度仪 工业和信息化部 38 JJG(轻工)50.3-2000 可变压力厚度仪 工业和信息化部 39 JJG(轻工)51-2000 纸与纸板透气度仪 工业和信息化部 40 JJG(轻工)52-2000 纸与纸板粗糙度测定仪 工业和信息化部 41 JJG(轻工)53-2000 纸浆打浆度测定仪 工业和信息化部 42 JJG(轻工)54.2-2000 纸与纸板定量测定仪 工业和信息化部 43 JJG(轻工)55-2000 纸与纸板吸收性测定仪 工业和信息化部 44 JJG(轻工)56-2000 纸板戳穿强度测定仪 工业和信息化部 45 JJG(轻工)57-2000 纸板挺度测定仪 工业和信息化部 46 JJG(轻工)58.1-2000 摆锤式纸张抗张力试验机 工业和信息化部 47 JJG(轻工)58.2-2000 卧式纸张抗张试验机 工业和信息化部 48 JJG(轻工)59-2000 MIT式耐折度仪检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 49 JJG(轻工)60-2000 肖伯尔式耐折度仪 工业和信息化部 50 JJG(轻工)61-2000 纸与纸板耐破度仪 工业和信息化部 51 JJG(轻工)62-2000 纸和纸板平滑度仪 工业和信息化部 52 JJG(轻工)63-2000 纸与纸板撕裂度仪 工业和信息化部 53 JJG(轻工)64-2000 柔软度仪 工业和信息化部 54 JJG(轻工)65-2000 纸张透油度测定仪 工业和信息化部 55 JJG(轻工)66-2000 纸张光泽度计 工业和信息化部 56 JJG(轻工)67-2000 IGT印刷适应性测定仪 工业和信息化部 57 JJG(轻工)68-2000 纸与纸板油墨吸收性试验仪 工业和信息化部 58 JJG(轻工)69-2000 纸与纸板葛尔莱式透气度仪 工业和信息化部 59 JJG(轻工)70-2000 佛格式纸与板耐磨试验仪 工业和信息化部 60 JJG(轻工)72-2000 实验室PFI磨浆机 工业和信息化部 61 JJG(轻工)73-2000 纸浆用毛细管粘度计 工业和信息化部 62 JJG(轻工)74-2000 实验室VALLEY打浆机 工业和信息化部 63 JJG(轻工)76-91 SCI.327石英晶体阻抗计SPM.327 PPM计数器检定规程 工业和信息化部 64 JJG(轻工)77-91 盐雾试验箱检定规程 工业和信息化部 65 JJG(轻工)78-91 Ω打印计时仪检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 66 JJG(轻工)79-91 钟表仪器校验仪检定规程 工业和信息化部 67 JJG(轻工)80-91 钟表用齿轮、宝石元件投影样板检定规程 工业和信息化部 68 JJG(轻工)81-91 机械钟表校验仪检定规程 工业和信息化部 69 JJG(轻工)82-91 石英钟表校验仪检定规程 工业和信息化部 70 JJG(轻工)83-91 石英钟表仪器精度校验仪检定规程 工业和信息化部 71 JJG(轻工)84-91 手表防水测试仪检定规程 工业和信息化部 72 JJG(轻工)85-91 手表防震试验仪检定规程 工业和信息化部 73 JJG(轻工)86-91 手表综合测试仪检定规程 工业和信息化部 74 JJG(轻工)87-92 便携式地毯测厚仪 工业和信息化部 75 JJG(轻工)88-92 数显式地毯测厚仪 工业和信息化部 76 JJG(轻工)89-92 地毯绒簇拔出力测试仪 工业和信息化部 77 JJG(轻工)90-92 地毯四足踩踏试验仪 工业和信息化部 78 JJG(轻工)91-92 地毯动态负载仪 工业和信息化部 79 JJG(轻工)92-92 地毯静态负载试验仪 工业和信息化部 80 JJG(轻工)93-92 YGW-872型地毯染色牢度摩擦仪 工业和信息化部 81 JJG(轻工)94-92 水平法地毯燃烧试验装置 工业和信息化部 82 JJG(轻工)95-92 FL-45°型燃烧仪 工业和信息化部 83 JJG(轻工)98-93 家用制冷器具检测装置Ⅱ检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 84 JJG(轻工)100-1993 单盘闪光音准仪检定规程 工业和信息化部 85 JJG(轻工)101-1993 十二盘闪光音准仪检定规程 工业和信息化部 86 JJG(轻工)102-1994 便携式数字显示音准仪检定规程 工业和信息化部 87 JJG(轻工)103-1995 便携式指针显示音准仪检定规程 工业和信息化部 88 JJG(轻工)105-94 制冷压缩机量热计(第二制冷剂量热器法)检定规程 工业和信息化部 89 JJG(轻工)106-94 卤素检漏仪检定规程 工业和信息化部 90 JJG(轻工)107-94 洗净率检测装置检定规程 工业和信息化部 91 JJG(轻工)108-96 翘曲度指示器检定规程 工业和信息化部 92 JJG(轻工)109-96 150mm平整度指示器检定规程 工业和信息化部 93 JJG(电子)01001-87 SCP-2型时畴测频器试行检定规程 工业和信息化部 94 JJG(电子)03001-87 521A型PAL矢量示波器试行检定规程 工业和信息化部 95 JJG(电子)04001-87 JS-2C型晶体管反向截止电流测试仪试行检定规程 工业和信息化部 96 JJG(电子)04002-87 BJ3030型高频小功率晶体管CCrbb，乘积测试仪试行检定规程 工业和信息化部 97 JJG(电子)04003-87 BJ2952A(JS-3A)型晶体管反向击穿电压测试仪试行检定规程 工业和信息化部 98 JJG(电子)04004-87 BJ2911(HQ-1B)型晶体管综合参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 99 JJG(电子)04006-87 BJ2913型场效应管参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 100 JJG(电子)04008-87 QE1A型双基极半导体管测试仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 101 JJG(电子)04009-87 BJ2983型晶体三级管正偏二次击穿测试仪试行检定规程 工业和信息化部 102 JJG(电子)04010-87 BJ2961型晶体管集成电路动态参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 103 JJG(电子)04011-87 QG21~QG25型高频小功率晶体管Ft测试仪试行检定规程 工业和信息化部 104 JJG(电子)04012-87 BJ3022(QJ30)型低频大功率晶体管Ft测试仪试行检定规程 工业和信息化部 105 JJG(电子)05006-87 1620型电容测量装置试行检定规程 工业和信息化部 106 JJG(电子)05007-87 HP4192A型低频阻抗分析仪试行检定规程 工业和信息化部 107 JJG(电子)09002-87 WILTRON6409射频分析仪试行检定规程 工业和信息化部 108 JJG(电子)12004-87 363型电视频道信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 109 JJG(电子)12005-874001A型音频扫频信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 110 JJG(电子)12009-87 MSG-2161型调频立体声/调频-调幅信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 111 JJG(电子)12011-87 XT24型立体声信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 112 JJG(电子)12012-87 SBUF型电视测试发射机试行检定规程 工业和信息化部 113 JJG(电子)12014-87 MDA-456型立体声解调器试行检定规程 工业和信息化部 114 JJG(电子)12015-87 811B型电视机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 115 JJG(电子)12016-87 843型收音机录音机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 116 JJG(电子)14002-87 HL-12A型雷达综合测试仪试行检定规程 工业和信息化部 117 JJG(电子)15001-87 HP8970A型噪声系数仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 118 JJG(电子)18002-87 2307型电平记录仪试行检定规程 工业和信息化部 119 JJG(电子)02001-88 2610型测量放大器试行检定规程 工业和信息化部 120 JJG(电子)02003-88 DO30-C型数字式三用表校验仪 工业和信息化部 121 JJG(电子)04013-88 BJ2912(QE7)型稳压二极管测试仪检定规程 工业和信息化部 122 JJG(电子)04014-88 晶体管特性图示仪试行检定规程 工业和信息化部 123 JJG(电子)04015-88 QZ3.QZ4型高频小功率晶体管NF测试仪检定规程 工业和信息化部 124 JJG(电子)04016-88 BJ2984(QR-3)型晶体三极管瞬态热阻测试仪试行检定规程 工业和信息化部 125 JJG(电子)04017-88 BJ2900型双极型晶体管反向截止电流计量标准仪器试行检定规程 工业和信息化部 126 JJG(电子)04018-88 BJ2901型双极型晶体管反向击穿电压计量标准仪器试行检定规程 工业和信息化部 127 JJG(电子)04019-88 BJ2920型双极型晶体管h21E、VBE(sat)、VCE(sat)计量标准仪试行检定规程 工业和信息化部 128 JJG(电子)05009-88 TS-109型电解电容器半自动分选仪试行检定规程 工业和信息化部 129 JJG(电子)05010-88 RT150/RT160型继电器测试仪器试行检定规程 工业和信息化部 130 JJG(电子)05011-88 WZC-1A型电位器综合测试仪试行检定规程 工业和信息化部 131 JJG(电子)05013-88 AV2551型电位器动态接触电阻变化测量仪试行检定规程 工业和信息化部 132 JJG(电子)05014-88 HP4274A.HP4275A型多频LCR表试行检定规程 工业和信息化部 133 JJG(电子)05015-88 HP4342A型Q表试行检定规程 工业和信息化部 134 JJG(电子)05016-88 HL2801型数字式自动Q表试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 135 JJG(电子)05017-88 HP4276A.HP4277A型LCZ表试行检定规程 工业和信息化部 136 JJG(电子)05020-88 GR1658型RLC数字电桥试行检定规程 工业和信息化部 137 JJG(电子)07001-88 HP8901A型调制度分析仪试行检定规程 工业和信息化部 138 JJG(电子)07002-88 MSW-721E型中频扫频仪试行检定规程 工业和信息化部 139 JJG(电子)07003-88 MSW-7124型调频调幅扫频仪试行检定规程 工业和信息化部 140 JJG(电子)09004-88 AV3611型自动标量网络分析仪试行检定规程 工业和信息化部 141 JJG(电子)11001-88 杂音仪试行检定规程 工业和信息化部 142JJG(电子)12018-88 ZN3991型双通道分离度计试行检定规程 工业和信息化部 143 JJG(电子)15003-88 3280型射频晶体标志信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 144 JJG(电子)18003-88 261型微微安电流源试行检定规程 工业和信息化部 145 JJG(电子)01003-89 AD5121型数字群时延测量仪试行检定规程 工业和信息化部 146 JJG(电子)01004-89 AD5122型微波群时延测量仪试行检定规程 工业和信息化部 147 JJG(电子)02007-89 2627型前置放大器试行检定规程 工业和信息化部 148 JJG(电子)04021-89 BJ3110型MOS集成电路测试仪试行检定规程 工业和信息化部 149 JJG(电子)04022-89 QO1型高频小功率晶体三极管fT计量标准装置试行检定规程 工业和信息化部 150 JJG(电子)04023-89 BJ2970型大功率半导体三极管tf测试仪试行检定规程 工业和信息化部 151 JJG(电子)04026-89 BJ2985型晶体三极管维持电压测试仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 152 JJG(电子)04028-89 BJ3190型集成运算放大器测试仪试行检定规程 工业和信息化部 153 JJG(电子)08001-89 DB-1型电场标准装置试行检定规程 工业和信息化部 154 JJG(电子)11008-89 3764A型数字传输分析仪试行检定规程 工业和信息化部 155 JJG(电子)12019-89 ZW3765A型调频广播接收机和录音机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 156 JJG(电子)12020-89 电视视频电平表试行检定规程 工业和信息化部 157 JJG(电子)12023-89 MDA-453型调频线性解调器试行检定规程 工业和信息化部 158 JJG(电子)12025-89 TA03BD型电视多伴音信号发生器试行检定规程工业和信息化部 159 JJG(电子)12028-89 4143型互易校准仪试行检定规程 工业和信息化部 160 JJG(电子)12033-89 电视视频电平标准装置试行检定规程 工业和信息化部 161 JJG(电子)03009-91 SQ-20型取样示波器试行检定规程 工业和信息化部 162 JJG(电子)04041-91 BJ-3192型集成运算放大器自动测试仪试行检定规程 工业和信息化部 163 JJG(电子)04043-91 CTG-1型高频C-V特性测试仪试行检定规程 工业和信息化部 164 JJG(电子)04044-91 YWS-2980A型整流二极管IFSM和I2t测试仪试行检定规程 工业和信息化部 165 JJG(电子)05038-91 715型电位器线性示波器试行检定规程 工业和信息化部 166 JJG(电子)05039-91 YY-2781型RLC三用表试行检定规程 工业和信息化部 167 JJG(电子)05041-91 CJ-2780型三用误差分选仪试行检定规程 工业和信息化部 168 JJG(电子)05044-91 HP-4272A型预置容量表试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 169 JJG(电子)05045-91 HP-4273A型预置容量表试行检定规程 工业和信息化部 170 JJG(电子)05046-91 GR-1687型LCR数字桥试行检定规程 工业和信息化部 171 JJG(电子)05048-91 DA-1型电气安全参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 172 JJG(电子)07008-91 SWOF型视频扫频频谱分析仪试行检定规程 工业和信息化部 173 JJG(电子)07009-91 HP-3577A型网络分析仪试行检定规程 工业和信息化部 174 JJG(电子)10002-91 射频通过式中功率计试行检定规程 工业和信息化部 175 JJG(电子)10003-91 射频终端式中功率计试行检定规程 工业和信息化部 176 JJG(电子)12034-91 1617型带通滤波器试行检定规程 工业和信息化部 177 JJG(电子)12035-91 2010型外差式分析仪试行检定规程 工业和信息化部 178 JJG(电子)12036-91 HY-6060型驻极体传声器测试仪试行检定规程 工业和信息化部 179 JJG(电子)12037-91 DF-5990A型扬声器谐振频率测量仪试行检定规程 工业和信息化部 180 JJG(电子)12038-91 MWS-672型抖晃校准仪试行检定规程 工业和信息化部 181 JJG(电子)15019-91 XT-22型梳状频率发生器试行检定规程 工业和信息化部 182 JJG(电子)18005-91 工作用热偶真空计试行检定规程 工业和信息化部 183 JJG(电子)18006-91 电阻真空计试行检定规程 工业和信息化部 184 JJG(电子)18007-91 QF-11601型低通滤波器试行检定规程 工业和信息化部 185 JJG(电子)12026-89 MR-611A VTR抖动测量仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 186 JJG(电子)12032-89 148型电视插入测试信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 187 JJG(电子)18004-89 HP4140B型微微安电流表/直流电压源试行检定规程 工业和信息化部 188 JJG(电子)01007-95 AD5120A型射频群时延标准检定规程 工业和信息化部 189 JJG(电子)01008-95 AD5120B型视频群时延标准检定规程 工业和信息化部 190 JJG(电子)01009-95 AD5120C型低频群时延标准检定规程 工业和信息化部 191 JJG(电子)02008-95 DA24型有效值电压表检定规程 工业和信息化部192 JJG(电子)02009-95 模拟电子电压表检定规程 工业和信息化部 193 JJG(电子)02010-95 QF2280A型超高频数字毫伏表检定规程 工业和信息化部 194 JJG(电子)02011-95 HP8405型矢量电压表检定规程 工业和信息化部 195 JJG(电子)04045-95 JS-7B型晶体管测试仪检定规程 工业和信息化部 196 JJG(电子)04046-95 QC-13型场效应管跨导参数测试仪检定规程 工业和信息化部 197 JJG(电子)04047-95 QG-6、QG-16型高频小功率晶体管fT参数测试仪检定规程 工业和信息化部 198 JJG(电子)04048-95 QG-29型高频晶体管GP(KP)、F(NF)、AGC特性测试仪检定规程 工业和信息化部 199 JJG(电子)04052-95 PTQ-2型晶体管快速筛选仪检定规程 工业和信息化部 200 JJG(电子)04055-95 安全栅检定规程 工业和信息化部 269 JJG(化工)9-89 指示计检定规程 工业和信息化部 270 JJG(化工)10-89 Q型操作器检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 271 JJG(化工)11-89 气电转换器检定规程 工业和信息化部 272 JJG(化工)12-89 电气转换器检定规程 工业和信息化部 273 JJG(化工)13-89 信号转换器检定规程 工业和信息化部 274 JJG(化工)14-89 隔离器、反向器、升压器检定规程 工业和信息化部 275 JJG(化工)101-91 橡胶圆盘摆动硫化仪检定规程 工业和信息化部 276 JJG(化工)102-91 橡胶门尼粘度计检定规程

随着国内各学科的发展和产业的升级，相关的科研院所和企事业单位对各种微纳器件光刻加工的需求日益增多。然而，这些微纳器件光刻需求很难被传统的掩模光刻设备所满足，主要是因为拥有这类的光刻需求的用户不仅需要制备出当前的样品，还需要对光刻结构进行够迅速迭代和优化。为了满足微纳器件对光刻的需求，Quantum Design中国推出了小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3作为微纳器件光刻的解决方案。与传统的掩模光刻相比，MicroWriter ML3根据用户计算机中设计的图形在光刻胶上制备出相应的结构，节省了制备光刻板所需要的时间和经费，可以实现用户对光刻结构快速迭代的需求。此外，MicroWriter ML3 可用于各类正性和负性光刻胶的曝光，最高光刻精度可达0.4 μm，套刻精度±0.5 μm，最高曝光速度可达180mm2/min。目前，MicroWriter ML3在国内的拥有量超过150台，被用于各类微纳器件的光刻加工。 人工智能领域器件制备人工智能相关的运算通常需要进行大量的连续矩阵计算。从芯片的角度来说，连续矩阵运算主要需求芯片具有良好的乘积累加运算（MAC）的能力。可以说，MAC运算能力决定了芯片在AI运算时的表现。高效MAC运算可以由内存内运算技术直接实现。然而，基于的冯诺依曼计算架构的芯片在内存和逻辑运算之间存在着瓶颈，限制了内存内的高速MAC运算。理想的AI芯片构架不仅要有高效的内存内运算能力，还需要具有非易失性，多比特存储，可反复擦写和易于读写等特点。复旦大学包文中教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于单层MoS2晶体管的两晶体管一电容（2T-1C）单元构架[1]。经过实验证明，该构架十分适用于AI计算。在该构架中，存储单元是一个类似1T-1C的动态随机存储器（DRAM），其继承了DRAM读写速度快和耐反复擦写的优点。此外，MoS2晶体管极低的漏电流使得多层级电压在电容中有更长的存留时间。单个MoS2的电学特性还允许利用电容中的电压对漏电压进行倍增，然后进行模拟计算。乘积累加结果可以通过汇合多个2T-1C单元的电流实现。实验结果证明，基于此构架的芯片所训练的神经网络识别手写数字可达到90.3%。展示出2T-1C单元构架在未来AI计算领域的潜力。相关工作发表在《Nature Communication》（IF=17.694）。 图1. 两晶体管一电容（2T-1C）单元构架和使用晶圆尺寸的MoS2所制备的集成电路。（a）使用化学气相沉积法（CVD）批量制备的晶圆尺寸的MoS2。（b）CVD合成的MoS2在不同位置的Raman光谱。（c）在2英寸晶圆上使用MicroWriter ML3制备的24个MoS2晶体管的传输特性。（d）MicroWriter ML3制备的2T-1C单元显微照片。图中比例尺为100 μm。（e）2T-1C单元电路示意图，包括储存和计算模块。（f）2T-1C单元的三维示意图，其中包括两个MoS2晶体管和一个电容组件。（g）2T-1C单元阵列的电路图。（h）典型卷积运算矩阵。 生物微流控领域器件制备酿酒酵母菌是一种具有高工业附加值的菌种，其在真核和人类细胞研究等领域也有着非常重要的作用。酿酒酵母菌由于自身所在的细胞周期不同，遗传特性不同或是所处的环境不同可展现出球形单体，有芽双体或形成团簇等多种形貌。因此获得具有高纯度单一形貌的酿酒酵母菌无论是对生物学基础性研究还是对应用领域均有着非常重要的意义。澳大利亚麦考瑞大学Ming Li课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备了一系列矩形微流控通道[2]。在制备的微流控通道中，通过粘弹性流体和牛顿流体的共同作用对不同形貌的酿酒酵母菌进行了有效的分类和收集。借助MicroWirter ML3中所采用的无掩模技术，课题组可以轻易实现对微流控传输通道长度的调节，优化出对不同形貌酵母菌进行分类的最佳参数。相关工作结果在SCI期刊《Analytical Chemistry》（IF=8.08）上发表。图2.在MicroWriter ML3制备的微流控通道中利用粘弹性流体对不同形貌的酿酒酵母菌进行微流控连续筛选。图3.在MicroWriter ML3制备的微流控流道中对不同形貌的酿酒酵母菌的分类和收集效果。（a）为收集不同形貌酿酒酵母菌所设计的七个出口。（b）不同形貌酵母菌在通过MicroWriter ML3制备的流道后与入口处的对比。（c）MicroWriter ML3制备的微流控连续筛选器件对不同形貌的酵母菌的筛选效果。从不同出口处的收集结果可以看出，单体主要在O1出口，形成团簇的菌主要O4出口。（d）MicroWriter ML3制备的微流控器件对不同形貌的酿酒酵母菌的分类结果，单体（蓝色），有芽双体（黄色）和形成团簇（紫色）。（e）和（f）不同出口对不同形貌的酿酒酵母菌的分离和收集结果的柱状图。误差棒代表着三次实验的误差结果。 医学检测领域器件制备在新冠疫情大流行的背景下，从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前，新冠病毒诊断采用的普遍标准主要是基于分析逆转录聚合酶链反应，可是在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长，很难满足对广泛人群进行筛查的要求。复旦大学魏大程教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于石墨烯场效应晶体管（g-FET）的生物传感器[3]。该传感器上拥有Y形DNA双探针（Y-双探针），可用于新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计，可以同时靶向SARS-CoV-2核酸的ORF1ab和N基因，从而实现更高的识别率和更低的检出极限（0.03份μL&minus 1)。这一检出极限比现有的核酸分析低1-2个数量级。该传感器最快的核酸检测速度约为1分钟，并实现了直接的五合一混合测试。由于快速、超灵敏、易于操作的特点以及混合检测的能力，这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的前景。该工作发表在《Journal of the American Chemical Society》（IF=16.383）。 图4. 利用MicroWriter ML3制备基于g-FET的Y形双探针生物传感器。（a）Y形双探针生物传感器进行SARS-CoV-2核酸检测的流程图。（b）选定的病毒序列和探针在检测SARS-CoV-2时所靶向的核酸。ORF1ab: 非结构多蛋白基因 S: 棘突糖蛋白基因 E: 包膜蛋白基因 M: 膜蛋白基因 N: 核衣壳蛋白基因。图中数字表示SARS-CoV-2 NC_045512在GenBank中基因组的位置。（c）经过MicroWriter ML3光刻制备的生物传感器的封装结果。图中的比例尺为1 cm。（d）通过MicroWriter ML3制备的石墨烯通道的光学照片。（e）在石墨烯上的Cy3共轭Y型双探针。图中的比例尺为250 μm。 二维材料场效应管器件制备石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能依然吸引着人们。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。近日，复旦大学包文中教授课题组通过利用机器学习 (ML) 算法来评估影响工艺的关键工艺参数MoS2顶栅场效应晶体管 (FET) 的电气特性[4]。晶圆尺寸的器件制备的优化是利用先利用机器学习指导制造过程，然后使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3进行制备，最终优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。相关工作结果发表在《Nature Communication》（IF=17.694）。图5. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的加法器和（h）相应的实验结果。图6. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用MicroWriter ML3无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）通过MicroWriter ML3制备的基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图7. 使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）MicroWriter ML3在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 钙钛矿材料柔性器件制备质子束流的探测在光学基础物理实验和用于癌症治疗的强子疗法等领域是十分重要的一项技术。传统硅材料制备的场效应管装置由于价格昂贵很难被大规模用于质子束流的探测。塑料闪烁体和闪烁纤维也可以被用于质子束流的探测。可是基于上述材料的设备需要复杂的同步和校正过程，因此也很难被大规模推广应用。在最近十年间科学家把目光投向了新材料，为了找出一种同时具有出色的力学性能和造价低廉的材料，用以大规模制质子束流探测设备。钙钛矿材料近来被认为是制备质子束流探测器的理想材料。首先，钙钛矿材料可以通过低温沉积的方法制备到柔性基底上。第二，该材料的制造成本相对较低。钙钛矿材料已被用于探测高能光子，阿尔法粒子，快中子和热中子等领域。对于利用钙钛矿材料制备的探测器探测质子束的领域尚属空白。近日，意大利博洛尼亚大学Ilaria Fratelli教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出用于质子束探测的3D-2D混合钙钛矿柔性薄膜检测器[5]。在5MeV质子的条件下，探测器的探测束流范围为从4.5 × 105 到 1.4 × 109 H+ cm&minus 2 s&minus 1，可连续检测的辐射最高敏感度为290nCGy&minus 1mm&minus 3，检测下限为72 μGy s&minus 1。该工作结果发表在学术期刊《Advanced Science》（IF=17.521）。图8. MicroWriter ML3在PET柔性基板上制备的3D-2D钙钛矿薄膜器件。（A）MAPbBr3 (3D) 和(PEA)2PbBr4 (2D)钙钛矿材料的结构示意图。（B）通过MicroWriter ML3无掩模激光直写机制备出的检测器，图中标尺长度为500 μm。（c）3D-2D混合钙钛矿材料的低掠射角XRD结果。（d）3D-2D混合钙钛矿材料的AFM表面形貌图。图9. 3D-2D钙钛矿材料的电学和光电学方面的性能。（Ａ）由MicroWriter ML3无掩模光刻机制备柔性器件。（Ｂ）通过MicroWriter ML3制备的柔性器件在不同弯曲程度条件下的电流－电压曲线图。（Ｃ）3D-2D钙钛矿材料柔性器件的PL光谱结果。（Ｄ）3D-2D钙钛矿材料柔性器件的紫外－可见光光谱。参考文献[1] Y. Wang, et al. An in-memory computing architecture based on two-dimensional semiconductors for multiply-accumulate operations. Nature Communications, 12, 3347 (2021).[2] P. Liu, et al. Separation and Enrichment of Yeast Saccharomyces cerevisiae by Shape Using Viscoelastic Microfluidics. Analytical Chemistry, 2021, 93, 3, 1586–1595.[3] D. Kong, et al. Direct SARS-CoV-2 Nucleic Acid Detection by Y-Shaped DNA Dual-Probe Transistor Assay. Journal of the American Chemical Society, 2021, 143, 41, 17004.[4] X. Chen, et al. Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning. Nature Communications, 12, 5953 (2021).[5] L. Basirico, et al. Mixed 3D–2D Perovskite Flexible Films for the Direct Detection of 5 MeV Protons. Advanced Science, 2023,10, 2204815. 小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3简介小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3由英国剑桥大学卡文迪许实验室主任/英国皇家科学院院士Cowburn教授根据其研究工作的需要而专门设计开发的科研及研发生产光刻利器。 图10. a)小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3。MicroWriter ML3 b)在正胶上制备线宽为400 nm的结构，c)正胶上制备的电极结构，d)在SU8负胶上制备的高深宽比结构和e)灰度微结构。 MicroWriter ML3的优势：☛ 实验成本低：相比于传统光刻机，该光刻系统无需掩膜板，同时它也可以用来加工掩膜板，年均可节省成本数万元；☛ 实验效率高：通过在计算机上设计图案就可轻松实现不同的微纳结构或器件的加工，同时具有多基片自动顺序加工功能；☛ 光刻精度高：系统具有多组不同分辨率的激光加工模块(0.4 μm，0.6 μm， 1 μm，2 μm, 5 μm)，且均可通过软件自由切换；☛ 加工速度快：最高可实现180 mm2/min的快速加工；☛ 具有3D加工能力：256级灰度，可实现Z方向的不同深浅的加工；☛ 适用范围广：可根据光刻需求的不同，配备365 nm，385 nm和405 nm波长光源或安装不同波长双光源；☛ 使用成本低：设备的采购，使用和维护成本低于常规的光刻系统。

当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS）为60mV/dec的室温极限，是实现高速度、低功耗CMOS技术和集成电路的重要途径。近年来，包括隧穿晶体管（TFET）、负电容晶体管（NCFET）、冷源晶体管（CSFET）等在内的多种器件技术为实现陡峭亚阈值摆幅和低功耗器件性能提供了思路。复旦大学微电子学院朱颢研究团队针对上述晶体管器件技术的关键需求，与美国国家标准与技术研究院（NIST）及美国乔治梅森大学合作，提出了一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果以《Steep-Slope Negative Quantum Capacitance Field-Effect Transistor》为题在近日召开的第68届国际电子器件大会（IEDM，International Electron Devices Meeting）上发表，微电子学院朱颢以及美国NIST的Qiliang Li为通讯作者，课题组杨雅芬博士为第一作者，复旦大学微电子学院为第一单位。该工作将单层石墨烯二维金属系统集成于MoS2晶体管的栅极结构中，构建负量子电容晶体管（NQCFET）器件，利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。类似于传统基于铁电材料的负电容器件，NQCFET器件中利用石墨烯提供的负量子电容贡献，实现内部栅压放大和小于60mV/dec亚阈值摆幅的特性。该工作中，通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化，实现了最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性，以及超过106的开关比，有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理，为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供了新的路径。该项研究工作得到了国家自然科学基金等项目的资助。负量子电容晶体管器件结构与器件性能图

焊接也被称作熔接，通常是一种以加热、高温或者高压的方式接合金属或其他热塑性材料如塑料的制造工艺及技术。焊接工艺多用于制造业，主要用途就是把小的金属材料连接成大的（按图纸或需要的尺寸），或通过连接（焊接）做出所需要的几何体。诸如造船厂、飞机制造业、汽车制造、桥梁等都离不开焊接。热源能量的分布即热量的传播和分布很大程度上与这些参数相关，然而由于热量的分布是呈现梯度的，从而造成焊缝周围的材料会受到影响，即所谓的“热影响区”（HAZ）。热影响区的形成原理非常简单，在焊缝周围的材料受到了热源的影响，而温度低于材料的熔点，但其温度足以让周围材料的显微组织发生变化。显微组织的变化可导致机械性能的变化，如可能会出现硬度增加和屈服强度降低。同时由于显微组织的发生变化，热影响区更容易出现开裂和腐蚀情况，所以热影响区通常是构件最薄弱的结构点。因此，了解热影响区和减少焊接所产生的不良热效应是至关重要。焊缝和热影响区的典型尺寸通常为数百微米至几毫米。为了研究由于焊接过程引起的局部材料变化，仪器化压痕测试方法是首选，因为它们提供了合适的位移分辨率。例如，安东帕微观组合测试仪（MCT3）可以获取焊缝或热影响区等等不同区域的硬度、弹性模量等力学性能。磨损量和摩擦性能可以很容易地通过摩擦磨损分析仪来测量，该分析仪测量摩擦系数并可用于估计磨损率。微观组合测试仪MCT3本文将展示焊缝及其邻近局部区域的机械性能的表征手段的实际例子，同时也将总结所用表征手段对于焊接工艺好坏的评定和意义。焊缝横截面的硬度分布情况图1： 焊缝及其热影响区的横截面的视图和相对应位置上的硬度变化情况如图1所示，使用Anton-Paar微观组合测试仪MCT3对采用弧焊工艺对球墨铸铁进行焊接后所产生的热影响区进行表征。简单来说，就是在焊缝截面上沿着从母材到焊缝的方向采用MCT3对材料进行压痕测试。压痕试验主要在两个位置上进行：焊缝区域横截面和焊缝顶面。使用的最大载荷为5 N，加载和卸载速率选择为30 N/min，在最大载荷下保载1 sec。具体是沿着从未受影响的母材穿过HAZ到焊芯进行压痕测试，单个压痕的间距为0.25 mm。压痕测试的大致位置和相应硬度分布如图1所示，结果清楚地表明了焊缝附近硬度的变化情况。靠近焊缝–在HAZ中–硬度在过渡区降低之前显著增加，在远离焊缝的未受影响母材中稳定在~3 GPa。在焊缝的上表面上发现了类似的结果（过渡区和热影响区的硬度增加），这证实了在横截面上获得的结果。该应用案例展示的是仪器化压痕测试方法对于测量焊接工艺产生的热影响区HAZ的材料性能变化的意义所在，用图1中所示的方法可以直观的获取相应位置的力学性能变化情况。从而，有助于科研人员及焊接工作者去估算HAZ的区域尺寸以及所检测出的焊缝及其周围局部区域的力学性能是否达标，更为如何优化焊接工艺参数提供一份助力。堆焊工艺下焊缝的摩擦学性能研究堆焊是将硬质金属焊接在母材上的一种工艺，旨在提高母材的耐磨性，是一个很广泛的焊接应用。它用于磨机锤、挤压螺钉、高性能轴承和土方设备。它也可用于压水反应堆的阀座和泵。与其他部件摩擦接触的此类堆焊焊缝的磨损和摩擦学性能对于实际应用至关重要。以下示例显示了对球墨铸铁进行的摩擦学试验，其中铸铁的堆焊层采用等离子转移电弧工艺焊接。图2： 热影响区和母材的摩擦系数变化情况由于焊接工艺也属于快速凝固的一种冷却方式，从而得到了3mm厚度的热影响区且发现该HAZ的微观结构中存在渗碳体结构，而且硬度明显高于铸铁。总共进行了两次摩擦试验：一次在母材上，另一次在焊接材料的热影响区内。在线性往复模式下均进行共5000次循环的摩擦学表征试验，而且在最大固定载荷为1 N情况下的最大线速度为1.6 cm/s，选取的摩擦副为直径为6 mm的100Cr6钢球。摩擦试验结果如图2所示：焊接层的热影响区（HAZ）的摩擦系数（~0.8）高于母材（~0.5）。图3： 采用表面轮廓仪测量并记录母材和热影响区的磨损轨迹轮廓图3展示的是运用表面轮廓仪采集并记录母材和热影响区在摩擦学试验后磨损轨迹的轮廓。通过比较图3的结果表明，热影响区的磨损远高于母材；母材的耐磨性高于热硬化区的耐磨性。图2和图3的表明，焊接工艺对焊接层热硬化区的摩擦系数和耐磨性产生了负面影响，尽管同一层的硬度有所增加。该问题的解决方案可以是改变焊接参数以提高热硬化区的耐磨性，或者减小其尺寸以最小化其对零件耐磨性的负面影响。总的来说，Anton-Paar自研自产的压痕仪和摩擦学表征仪器均能为焊接工艺的研究和生产提供非常大的助力，其新一代检测手段的开发对于焊接行业是非常有意义的。安东帕中国总部销售热线：+86 4008202259售后热线：+86 4008203230官网：www.anton-paar.cn在线商城：shop.anton-paar.cn

很多人说刘志军&ldquo 死心眼&rdquo 。美国、德国以及国内多家知名高端仪器制造企业先后多次向他许以高薪和优厚的条件让他&ldquo 跳槽&rdquo ，但他不为所动，仍坚定地选择留在马钢。每听到这些话，47岁的马钢技术中心检验技术研究所副所长、维修高级工程师刘志军总是一笑了之。 　　&ldquo 每个人都会对人生做出自己的选择。人的成长需要自身的努力，但如果没有老师、同事们的帮助，没有马钢的培养，就没有我今天小小的成就。我觉得，人不能只看个人利益，人要始终心存感激。而且，只要热爱，只要努力，平凡的岗位也能散热发光，也能找寻到体现价值的快乐。&rdquo 言为心声。如此看来，刘志军的&ldquo 傻&rdquo ，是源于感激和良心，是因为热爱和责任。时光就如流水，黑发已染秋霜。1991年，安徽宿州小伙刘志军怀揣着东北大学自动化系毕业证书走进了马钢。算一算，已经在马钢工作了整整25年。25年，他从一个初出茅庐的大学生成长为同事敬佩、业内折服的大型仪器维修&ldquo 大师级&rdquo 人才。 　　转变态度成为技术&ldquo 大拿&rdquo 　　刚到马钢时，组织分配刘志军做仪器维修工作。大学生当上了修理工，这让踌躇满志想要在科研天地里大展手脚的他有点失落。&ldquo 有一件事和一句话对我的人生态度产生了巨大影响，&rdquo 刘志军说。一次单位派他和主持仪器维修工作的一位老师到四川成都出差。走在大街上，这位老师突然兴奋地手舞足蹈，嘴里还不停地说：&ldquo 我知道了，我终于知道了。&rdquo 原来这位老师兴奋的原因是突然想到了一台仪器故障难题的破解方法。刘志军被老一辈工程技术人员这种忘我工作的精神深深地打动和感染。而另一位老师傅和他谈心时说的一句话成为他一生的座右铭：做人要知足，做事、学习要知不足。于是，他不再彷徨，立志要在仪器维修岗位上成就一番事业。 　　说起来容易，做起来很难。进口大型仪器技术含量高，工作原理复杂深奥。一台仪器就像一个&ldquo 黑匣子&rdquo ，破解其中的秘密非一日之功。对此，刘志军坚持向书本、操作人员、同行师傅学习，同时采取&ldquo 笨方法&rdquo 画出每个仪器元件、单元的实际连接图。遇到故障时，按图索骥。&ldquo 黑匣子&rdquo 逐渐变得&ldquo 透明&rdquo ，刘志军也逐渐成了技术&ldquo 大拿&rdquo 。 　　从&ldquo 大拿&rdquo 到&ldquo 大师&rdquo 　　从&ldquo 大拿&rdquo 到&ldquo 大师&rdquo ，不能仅靠按图索骥，还要主动担当、勇于创新，去为企业解难题、破&ldquo 瓶颈&rdquo 。在很多人看来，仪器维修过程枯燥乏味。但刘志军认为，只要热爱，其中也会有无穷的乐趣。2003年，技术中心从荷兰引进的XL-30扫描电镜放大器主板出了故障，急需维修。更换主板需要8万元，而且备用板要一个月后才能到货。对此，刘志军决定自主修复。但这个7层集成电路板上面有许多MOS芯片，动用烙铁很可能损坏芯片。他经过反复测量、模拟实验、仔细分析，最终查出故障是一个场效应管击穿引起的。最终，只更换了这个价值2元钱的场效应管后，仪器就恢复了正常。 　　2014年初，用于低温钢筋性能检测的zwick拉力试验机，夹持力达不到60吨的设定值。德国厂家多次派人前来维修，始终未能彻底修复。刘志军带领仪器维修组成员，下定决心要依靠自己的力量排除&ldquo 顽疾&rdquo 。他们挨个检查所有电子器件，测量电流、电压、检查液压系统、油路系统，进行了数百次的确认排查，终于诊断出故障是由液压油路系统导致。经过一系列处理，夹持力很快达到了设定值，&ldquo 老大难&rdquo 问题被他们解决了！ 　　多年来，刘志军承担约44台价值不菲的进口大型仪器的维修工作，排除故障约300台次，修复集成电路板15块，修复油扩散泵和高压发生器等辅助设备5次，为公司节约维修费及备品备件费约300万元，而且为公司科研及生产检验的顺利开展提供了有力支撑。 　　目前，业内进口仪器厂家维修收费很高，一天最高收费1万元人民币，还不包括备件费用、来往路费及住宿费等。为此，刘志军在管理上推出了加强仪器巡检、点检与维护的制度，强调大型仪器&ldquo 操检合一&rdquo ；同时，大力开展传、帮、带，把自己的经验和技术与大家分享。在他的带领下，维修组的同志们整体技术水平提高得很快，几年来，大型仪器维修组每年排除仪器故障达400多台次，修复率达到99%，基本无外委维修。 　　25年来，刘志军心无旁鹜、任劳任怨，坚定地守望在高精密大型仪器的维修岗位上，实现了自己的诺言，成就了一番事业，赢得了广泛尊重。他两次被马钢公司党委授予优秀共产党员光荣称号，多次被马钢和中心评为优秀技术人员，并享受了马钢专家津贴。 　　&ldquo 马钢为我搭建了舞台，让我能体现价值、感受尊重，我有责任竭尽全力回馈马钢，为马钢创造更大的价值。&rdquo 刘志军简洁地阐述了他对今后大型仪器维修工作的思考。

DNA合成领域的新兴企业「芯宿科技」宣布完成数千万元天使轮融资，本轮融资由峰瑞资本领投，嘉程资本跟投。“合成生物学”被认为即将推动“第三次生物科技革命”，是下一个千亿美元产业的孵化地。这个前沿学科自21世纪初兴起，在系统生物学基础上，结合了工程学思想与基因组测序、计算机模拟、化学合成技术等新技术，最终形成以重组或从重新合成新的、具有特定功能的人造生命为目标的，推动了生命科学由解读生命到编写生命的跨越。在国内，有能力涉足DNA合成行业的初创公司实属凤毛麟角；在全球，二代及三代DNA合成技术主要被TWIST等海外公司掌握。芯宿科技成立于2021年，将半导体技术应用于合成生物学，目标直指三代DNA合成技术。芯宿科技CEO赵昕博士表示：“DNA合成技术处于生物产业最上游，未来应用场景极为广泛，可应用于合成生物学、DNA存储、抗体药物筛选等诸多领域，DNA合成辐射超千亿美元市场。另一方面，免疫检测火热发展，临床诊断和科学研究，对免疫检测的灵敏度提出了更高的要求，比如ELISA再调高1000倍。可见，不论是DNA合成市场，还是免疫检测市场，都拥有巨大拓展潜力。但现有的DNA合成技术远远无法满足低成本、高通量和高准确度的要求。”国际上共同面临的挑战，是要把长链DNA合成成本降低下来。面对这个难题，芯宿科技的解决方案是利用硅芯片与微流控开发新一代DNA合成技术，硅芯片与微流控技术内在的小型化与高集成特性可提供超高通量与超高灵敏度，这将极大地降低长链DNA合成的成本，以满足合成生物学与DNA存储快速发展的需求。同时，利用同一技术平台，芯宿科技也在开发比传统检测方式灵敏度高2至3个数量级的数字免疫检测系统，以满足临床和生命科学研究中对低丰度蛋白质标志物的检测的要求。“当前企业处于研发阶段，将与科研院所及企业建立合作。有两种合作模式：针对大体量客户采用CRO模式，针对小体量客户则是销售打印机。”赵昕博士表示：“打印机设备是提高销售量最快的模式，很多二代DNA合成技术是做不了打印机的，芯宿科技能够跨越这个门槛，这也是我们的重要优势。”峰瑞资本创始合伙人李丰表示：“芯片和医疗是现在最热的两个领域，也是创新集中喷发的两个领域。在这两个领域的交叉节点，由MIT的年轻科学家来探索合成生物学和单分子检测的应用，我们非常看好。”芯宿科技的创始团队成员均为MIT博士，在半导体、微流控和生物科技等方面有十余年研究和开发的积累。联合创始人赵昕本科以第一名成绩毕业于北京大学物理学院，其后在MIT攻读博士，从事半导体工艺与器件研究，并入选国家级人才计划。赵昕在国际上首次设计并制备了世界上尺寸最小、跨导最高的垂直结构场效应管（MOSFET），被2017年国际元件与系统蓝图选为产业界未来二十年内最理想的场效应管，是下一代集成电路元器件最有力的竞争者之一。该器件技术发表40余篇论文（GoogleScholar引用700余次），工作受到世界多个顶尖科研小组的跟进（美国四院院士EliYablonovitch等）与高度评价（中国科学院黄如院士与郝跃院士等），其半导体器件研究成果被包括台积电、IBM、IMEC、Sematech、Lam Research与Oxford Instruments等在内的国际领先半导体公司采用，验证了创新技术转化为产品并且在产业上逐步落地的全过程。联合创始人吴丹毕业于MIT机械系，在超声影像、生化、细胞操控与微流控技术方面有超过10年的科研与产业经验，独立研发了用于检测脓毒症高通量，高灵敏度的POC免疫检测平台，该平台被诺华生物医学研究中心应用于监测CAR-TTherapy病人的细胞因子释放综合征。2021年，赵昕与吴丹从美国回到中国，联合创立芯宿科技。嘉程资本创始合伙人李黎表示：“合成DNA是合成生物学的基础，基于芯片的高通量合成难度很大，团队需要很强的交叉学科背景。”据了解，芯宿科技即将开展新一轮融资，目标融资额为5000-6000万元，倾向专注医疗或深科技的投资机构。2016年-2019年全球合成生物学领域投资情况，图源：Synbiobeta近年来，全球资本市场逐渐表现出对合成生物学产业的青睐。据Synbiobeta统计，2019年上半年全球65家合成生物学相关公司筹集资金达19亿美元的资金，行业发展十分迅猛。赛道上，国内先锐企业还有迪赢生物、蓝晶微生物等。峰瑞资本执行董事马睿表示：“作为新的智能基础设施，芯片+微流控往往能够为生物场景提供真正的高通量、超高灵敏的检测能力和高度集成的轻便硬件。芯宿科技创始团队均为MIT博士，在生物芯片、传感器、微流控系统、MEMS等的设计和制造领域有着多年工业经验和深厚的技术积累。非常看好公司利用新的生物芯片和半导体技术在合成生物学领域探索DNA高通量合成，以及在数字免疫领域推行蛋白质的单分子检测等应用的落地。”

粉体测试是粉体应用前必经的过程。随着粉体粒径的减小，其特性不仅取决于固体本身，而且还与表面原子状态有关，称其为表面效应 此外，当粉体的尺寸与光波波长、电子波长等特征物理尺度想当或更小时，周期性的边界条件将被破坏，声、光、电、磁、热力学等特征将会呈现出新的小尺寸效应。因此，粉体颗粒的尺寸对粉体的物理化学特性有重大的影响，从而决定着粉体在生产、生活应用中的好坏。随着纳米级别的粉体出现，以及纳米粉体在未来发展中的需求不断增加，也大大促进了粉体测试设备的改进与创新。 　　我国的粉体测试技术也随着需求的提高而快速发展。国产粉体测试仪器已经占领了国内市场的大部份份额。从市场占有率来看，我国的粉体设备从无到有发展到今天已经得到了长足的发展。 　　技术与设备的完美结合，才会创造出非凡的品牌。贝士德就是依靠着技术研发和创新，走出了一条辉煌之路。今天，贝士德的品牌已经享誉国内粉体行业。 　　◆技术成就设备 　　2010年，国家知识产权局授权柳剑锋研发成果‘比表面仪U型样品管’、‘氮气浓度检测器’、‘具有原位吹扫功能的比表面仪’、‘气体恒温装置及比表面仪’、‘气体净化冷阱及比表面仪’等六项国家专利。 　　专利的诞生解决了粉体测试仪器在测量中的重大突破。例如‘比表面仪U型样品管’的诞生，方便的了使用中装填样品及使用后清洗，也有利于减小“紊流”效应，可以很好的提高测试精度 ‘氮气浓度检测器’专利的诞生使氮气分压检测精度提高数十倍，并且解决了流量法浓度监测器难以校准的问题，具有检测精度高、校准方便的特点 ‘具有原位吹扫功能的比表面仪’专利，通过原位吹扫装置，实现不用将样品管移出比表面仪的仪器主机，即可进行原位吹扫，操作更简洁 ‘气体恒温装置及比表面仪’专利，该气体恒温装置用在比表面仪中时，串联设置在该比表面仪样品管与检测器之间的气路中，提高了检测器检测的准确度 ‘气体净化冷阱及比表面仪’专利，该气体净化冷阱用在比表面仪中时，串联设置在比表面仪中气体进入样品管的气路中，使通过该冷凝管的气体中的杂质冷凝，从而最大限度的净化进入样品管被测试的气体。 　　专利的诞生离不开技术创新，贝士德公司的科研人员在经过了大量研究分析之后，成功获得六项国家专利。 　　◆设备创造品牌 　　品牌的形成才能说明一个企业真正走上了发展壮大的道路。品牌是一个企业通过自身努力而得到的最好回报，品牌的力量是无穷的，价值也是无限量的。贝士德成功打造出贝士德品牌的产品，在用户当中口碑极佳。贝士德公司的3H-2000系列比表面及孔径分析仪分为动态和静态两大类，被广泛用于石墨、电池、稀土、陶瓷、氧化铝、化工等行业及高校粉体材料的研发、生产、分析、监测环节。 　　全自动智能运行的动态法3H-2000A/BET-A型系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测，证书编号为：HXwh2010-3491。 　　测试范围：测试范围广,可测定比表面积在0.01m2/g以上的范围内的物质，满足所有粉体物质及多孔物质比表面积的测试 样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等。测试精度： 测试精度高、重现性好。BET多点法、BET单点法、Langmuir多点法、测试相对误差小于±2% 固体标样参比法测试相对误差小于±1.5%。 　　全自动智能运行的静态法3H-2000PS系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测，证书编号为：HXwh2010-3538。 　　测试范围：比表面0.01m2/g以上，孔径0.35-500nm 样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等可装入样品管的材料。测试气体种类：N2，及其它吸附气体CO2，Ar，Kr,He等 测试精度：测试精度高、重现性好。重复性误差小于±2%。 　　◆品牌铸就辉煌 　　经过多年的潜心研究与发展，贝士德公司在国内取得6项比表面积测试仪相关专利 以多项专利技术取得2009年新标准的北京科技园区高新技术企业资质 为通过ISO9001国际质量体系认证的生产性企业。 　　贝士德公司为动态色谱法比表面仪最高精度的创造者与保持者，同时也是是静态容量法吸附仪先进性和智能化的代表。作为国内知名品牌，3H-2000系列产品2000年进入市场，经过多年的不断研发创新，性能达到国内领先，国际先进水平，其中多项性能指标超越进口仪器，是国内高精度比表面仪的典范。 　　相信品牌的力量，相信贝士德。

2023年6月，根据国家原子能机构和中核集团有关工作安排，由核工业北京地质研究院（以下简称“核地研院”）牵头组织采用“揭榜挂帅”方式，公开发布核质谱仪关键零部件科研攻关指南。现将有关事项通知如下：项目选题本批共发布7项“揭榜挂帅”项目，项目清单如下表所示，具体要求详见附件1。序号关键器件名称1高精密度数模转换器、高精密度模数转换器及基准电压参考源2高精密度高阻3fA级运算放大器4高精密度高阻电流放大器及低噪声高信噪比电容放大器组件5高精密度模拟量闭环控制霍尔探头及高精密度大功率高压场效应管磁流源组件6二次电子倍增器7抗辐射低纹波噪声高稳定度高压电源组织方式按照“揭榜挂帅”制方式组织实施，由核地研院针对相关科研攻关任务，凝练标的，公开发榜公布，征集揭榜方。核地研院将根据相关项目批复要求，组织专家对揭榜方的实施方案进行评审，择优予以经费支持。申报要求本批“揭榜挂帅”项目面向全国高校、科研院所、企事业单位等，对揭榜方不设行业门槛限制，揭榜单位应为国内法人单位，并须遵循下列条件。1.所有揭榜单位和参与人应遵守科研诚信管理要求，需承诺所提交材料真实性，揭榜单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的申请材料。2.所有揭榜单位和参与人应遵守中国知识产权法律、法规、规章、具有约束力的规范性文件及在中国适用的与知识产权有关的国际公约，所申报项目的知识产权明晰无争议，归属或技术来源正当合法，不存在知识产权失信违法行为。揭榜方式1.揭榜截止日期为2023年7月7日17:00。2.请有意向的填报《核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅”项目揭榜意向表》和《核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅“研究项目实施方案》，并签字确认。将签字确认的文件扫描件于截止日期前发送至联系人邮箱guodongfa@briug.cn。其他说明本批“揭榜挂帅”项目，将由核地研院邀请国内核质谱领域知名专家共同组成专家组，开展受理、评审、立项、验收等项目管理事项。评审答辩事宜，另行通知。咨询服务联 系 人：汤老师联系电话：13601230474附件1：2023年度核质谱领域“揭榜挂帅”科研项目指南附件2：核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅”项目揭榜意向表附件3：核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅”项目实施方案模板核工业北京地质研究院2023年6月28日附件1：核质谱仪关键零部件项目“揭榜挂帅”项目指南附件2：核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅”项目揭榜意向表附件3：核质谱仪关键零部件“揭榜挂帅“研究项目实施方案模板 扫描下方二维码查看附件1、2、3

近年来，我国在半导体科技领域取得了举世瞩目的成就，智能处理芯片、碳基芯片、光通信芯片、新型场效应管等关键核心技术取得突破性进展，有力支撑了我国新一代信息技术的发展。2月8日，《半导体学报》发布了2020年度中国半导体十大研究进展。1、全球首款多阵列忆阻器存算一体系统清华大学钱鹤、吴华强研究团队在国际上首次实现了基于多个忆阻器阵列的存算一体系统，通过引入新型忆阻器件结构和混合训练方法，解决了处理多层卷积神经网络时的误差累积问题，并使硬件系统整体能效比GPU高两个数量级，大幅提升了计算设备的算力，证明了存算一体技术在人工智能等领域应用的可行性及广阔前景。2、基于半球状半导体纳米线阵列仿生视网膜的电化学仿生眼人眼结构精致，功能强大，其球形结构使仿生人眼加工相当困难。香港科技大学范智勇教授团队创造性地以曲面纳米模板集成光敏纳米线为半球形状仿生视网膜，并开发系统集成策略，得到与人眼结构相似的仿生眼，有望实现超广角、超高分辨成像，促进视觉假体以及类人机器人的发展。3、用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列北京大学张志勇-彭练矛团队发展了高密度高纯半导体碳纳米管阵列薄膜晶圆制备技术，首次突破了超大规模碳管集成电路发展的材料瓶颈。基于该材料，首次展示了性能超过相同尺寸的硅基CMOS电路的碳纳米管集成电路。4、通讯波段的高性能钠基等离激元纳米激光器南京大学朱嘉、周林团队联合北京大学马仁敏等合作者，利用液态金属可控冷却旋涂技术，结合金属-绝缘体-半导体间隙等离激元优化设计，首次制备了高品质因子金属钠-InGaAsP量子阱复合微结构，实现了通讯波段纳米激光的室温激射，其激射阈值（140 KW/cm2）创同类激光器新低。5、米级高指数晶面单晶铜箔库制造北京大学-松山湖材料实验室-南方科技大学刘开辉、王恩哥、俞大鹏合作团队提出界面能驱动单晶金属“变异和遗传”的退火生长机制，在国际上首次实现种类最全（30余种）、尺寸最大（A4纸尺寸）的高指数晶面单晶铜箔库制造。该铜箔库为高功率电力、高频电子、选择性催化、量子材料外延等提供了关键功能材料。6、大面积范德瓦尔斯异质结阵列的通用合成湖南大学段曦东教授与加州大学洛杉矶分校段镶锋教授合作利用激光烧蚀制造缺陷阵列诱导合成了大规模金属/半导体垂直范德华异质结阵列。利用这种范德华接触制备的双层硒化钨晶体管开态电流高达900 μA/μm。本成果为二维半导体集成电路提供了一个新的技术途径。7、拓扑保护的单向导模共振态观测面向超大容量光互连需求，北京大学彭超副教授团队与合作者从拓扑视角出发，在光子晶体中构造了单向辐射导模共振态，实现了不依靠反射镜的光定向辐射。该技术有望显著降低片上光端口的插损，为高密度光子集成及光子芯片开拓新方向。8、单原子层沟道的鳍式场效应晶体管金属研究所、山西大学、湖南大学等多家研究机构合作，成功将鳍式场效应晶体管垂直沟道宽度缩小至物理极限，利用多种单原子层过渡族硫化物半导体展示了0.6纳米鳍片宽度原型器件，为后摩尔时代电子器件探索提供了参考。9、大面积全钙钛矿叠层太阳电池世界纪录效率南京大学谭海仁课题组通过在窄带隙钙钛矿前驱体溶液中添加两性离子还原剂，实现了大面积高质量钙钛矿薄膜的制备，创造了大面积全钙钛矿叠层电池世界纪录认证效率24.2%，使我国叠层太阳电池成果首次被太阳电池效率表《Solar cell efficiency tables》收录，为提升电池效率和降低发电成本提供了新思路。10、具有数字辅助分布驱动器和集成CDR的50Gb/s PAM4硅光子发射机中国科学院半导体所祁楠团队，联合国家信息光电子创新中心，提出一种光电融合的多幅值电光调制技术，通过协同设计分布式CMOS驱动电路和双段式硅光调制器，实现一款单波50 Gbps的光电集成发射机芯片，输出光眼图抖动小于1.4 ps。

粉体测试是粉体应用前必经的过程。随着粉体粒径的减小，其特性不仅取决于固体本身，而且还与表面原子状态有关，称其为表面效应；此外，当粉体的尺寸与光波波长、电子波长等特征物理尺度想当或更小时，周期性的边界条件将被破坏，声、光、电、磁、热力学等特征将会呈现出新的小尺寸效应。因此，粉体颗粒的尺寸对粉体的物理化学特性有重大的影响，从而决定着粉体在生产、生活应用中的好坏。随着纳米级别的粉体出现，以及纳米粉体在未来发展中的需求不断增加，也大大促进了粉体测试设备的改进与创新。 我国的粉体测试技术也随着需求的提高而快速发展。国产粉体测试仪器已经占领了国内市场的大部份份额。从市场占有率来看，我国的粉体设备从无到有发展到今天已经得到了长足的发展。 技术与设备的完美结合，才会创造出非凡的品牌。贝士德就是依靠着技术研发和创新，走出了一条辉煌之路。今天，贝士德的品牌已经享誉国内粉体行业。 ◆技术成就设备 2010年，国家知识产权局授权柳剑锋研发成果&lsquo 比表面仪U型样品管&rsquo 、&lsquo 氮气浓度检测器&rsquo 、&lsquo 具有原位吹扫功能的比表面仪&rsquo 、&lsquo 气体恒温装置及比表面仪&rsquo 、&lsquo 气体净化冷阱及比表面仪&rsquo 等六项国家专利。专利的诞生解决了粉体测试仪器在测量中的重大突破。例如&lsquo 比表面仪U型样品管&rsquo 的诞生，方便的了使用中装填样品及使用后清洗，也有利于减小&ldquo 紊流&rdquo 效应，可以很好的提高测试精度；&lsquo 氮气浓度检测器&rsquo 专利的诞生使氮气分压检测精度提高数十倍，并且解决了流量法浓度监测器难以校准的问题，具有检测精度高、校准方便的特点；&lsquo 具有原位吹扫功能的比表面仪&rsquo 专利，通过原位吹扫装置，实现不用将样品管移出比表面仪的仪器主机，即可进行原位吹扫，操作更简洁；&lsquo 气体恒温装置及比表面仪&rsquo 专利，该气体恒温装置用在比表面仪中时，串联设置在该比表面仪样品管与检测器之间的气路中，提高了检测器检测的准确度；&lsquo 气体净化冷阱及比表面仪&rsquo 专利，该气体净化冷阱用在比表面仪中时，串联设置在比表面仪中气体进入样品管的气路中，使通过该冷凝管的气体中的杂质冷凝，从而最大限度的净化进入样品管被测试的气体。专利的诞生离不开技术创新，贝士德公司的科研人员在经过了大量研究分析之后，成功获得六项国家专利。 ◆设备创造品牌 品牌的形成才能说明一个企业真正走上了发展壮大的道路。品牌是一个企业通过自身努力而得到的最好回报，品牌的力量是无穷的，价值也是无限量的。贝士德成功打造出贝士德品牌的产品，在用户当中口碑极佳。贝士德公司的3H-2000系列比表面及孔径分析仪分为动态和静态两大类，被广泛用于石墨、电池、稀土、陶瓷、氧化铝、化工等行业及高校粉体材料的研发、生产、分析、监测环节。 全自动智能运行的动态法3H-2000A/BET-A型系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测，证书编号为：HXwh2010-3491。 测试范围：测试范围广,可测定比表面积在0.01m2/g以上的范围内的物质，满足所有粉体物质及多孔物质比表面积的测试；样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等。测试精度： 测试精度高、重现性好。BET多点法、BET单点法、Langmuir多点法、测试相对误差小于± 2%；固体标样参比法测试相对误差小于± 1.5%。 全自动智能运行的静态法3H-2000PS系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测，证书编号为：HXwh2010-3538。 测试范围：比表面0.01m2/g以上，孔径0.35-500nm；样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等可装入样品管的材料。测试气体种类：N2，及其它吸附气体CO2，Ar，Kr,He等；测试精度：测试精度高、重现性好。重复性误差小于± 2%。 ◆品牌铸就辉煌 经过多年的潜心研究与发展，贝士德公司在国内取得6项比表面积测试仪相关专利；以多项专利技术取得2009年新标准的北京科技园区高新技术企业资质；为通过ISO9001国际质量体系认证的生产性企业。 贝士德公司为动态色谱法比表面仪最高精度的创造者与保持者，同时也是是静态容量法吸附仪先进性和智能化的代表。作为国内知名品牌，3H-2000系列产品2000年进入市场，经过多年的不断研发创新，性能达到国内领先，国际先进水平，其中多项性能指标超越进口仪器，是国内高精度比表面仪的典范。 相信品牌的力量，相信贝士德。

项目编号：M4400000707015234001项目名称：手套箱与电流电压测试仪等设备采购(四次)采购方式：公开招标预算金额：2,128,500.00元采购需求：合同包1(金相显微镜探针台等设备采购):合同包预算金额：2,128,500.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表金相显微镜探针台1(套)详见采购文件199,000.00-1-2其他专用仪器仪表高温分析探针台1(套)详见采购文件158,000.00-1-3其他专用仪器仪表探针台5(套)详见采购文件245,000.00-1-4其他专用仪器仪表电容电压特性测试仪5(套)详见采购文件180,000.00-1-5其他专用仪器仪表电流电压测试仪10(套)详见采购文件500,000.00-1-6其他专用仪器仪表少子寿命测试仪5(套)详见采购文件150,000.00-1-7其他专用仪器仪表霍尔效应测试仪5(套)详见采购文件27,500.00-1-8其他专用仪器仪表四探针测试仪5(套)详见采购文件115,000.00-1-9其他专用仪器仪表晶体管图示仪5(套)详见采购文件45,000.00-1-10其他专用仪器仪表数字荧光示波器16(套)详见采购文件496,000.00-1-11其他专用仪器仪表万用表10(套)详见采购文件13,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。同时，工业标准的PXI模块化硬件结构，通用的软件平台，内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验，使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手，产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来，随着半导体行业的快速发展，对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中，可以预见的是，复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下，关键领域的国产化成为竞争焦点，自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长，国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破，将会使其成为国内该行业的领头羊，有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析，以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件，具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点，能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源，两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张，相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面，概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等，在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上，通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动，能够打造以数据为驱动的EDA解决方案，紧密结合并形成业务链条，帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺，不断拓展产品的覆盖面，进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看，概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下，用相对较短的时间、较小的人员规模和投入，打造了全新的设计方法学和流程，逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务，并在国际主流市场获得产品验证机会，在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到，此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物，在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时，也代表了国内产学研深度合作的典范。当前，在国产EDA的发展过程中，人才是关键，创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走，需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入，长期坚持技术沉淀，通过客户需求引导，才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下，概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式，携手各界通力合作，共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战，构建中国EDA产业命运共同体，致力于突破困局并最终实现超越。

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（(Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 大面积高质量单晶的生长一直是现代电子技术得以高速发展的基石。为了突破硅基电子学摩尔定律的限制，当前电子学研究的热点和重点，即类石墨烯二维半导体如过渡金属硫族化合物（TMDs）等，目前面临着如何精确控制原子层级的二维晶体的外延逐层生长这个难题。单层高质量TMDs的生长和光电应用经常见诸主流期刊，但双层乃至多层高质量单晶TMDs的生长仍是一个巨大的挑战。目前用于基础研究和光电应用的双层及多层TMDs多来自于机械剥离法以及后处理方法（如激光刻蚀、等离子体刻蚀和热退火等），普遍存在产率低、层数和尺寸可控性差等问题。虽有少数工作采用化学气相沉积（CVD）法制备出双层及多层TMDs，但仍存在晶体质量差、尺寸和层数不可控等问题。根据生长动力学理论，双层单晶的生长至少需要两个不同温度的生长阶段来促使单层的垂直高阶堆垛，但是在传统CVD升温阶段过程中，对前驱反应气体的控制不良通常会导致形成不可控和不需要的成核中心，进而显著降低所制备晶体的质量和可控性。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 为了解决该问题，江南大学电子工程系教授、全国纳米技术标准化技术委员会低维纳米结构与性能工作组SAC/TC279/WG9委员肖少庆课题组（低维半导体材料与器件实验室）提出了一种具有普适性的氢气辅助反向气流化学气相外延法，实现了多种TMDs及其合金高质量双层单晶的大范围可控生长。相关成果以“Transition metal dichalcogenides bilayer single crystals by reverse-flow chemical vapor epitaxy”为题于2019年2月5日在线发表在《自然?通讯》上（Nat. Comm. 2019, 10, 598）。该方法通过在升温阶段引入氢气反向气流并控制生长温度梯度，不仅有利于减少外延生长时不需要、不可控的成核中心，而且有利于源自第一单层成核中心的第二单层的均质外延。这种方法的效率远超机械剥离法和传统的CVD方法，并在三层及多层单晶的逐层可控制备方面展现出巨大的潜力。另外，通过控制第二层的生长温度可以得到不同堆垛的双层TMDs单晶如AA堆垛和AB堆垛的二硫化钼（MoS2），实验结果发现AA堆垛的双层MoS2具有比单层更高的场效应管迁移率；通过采用多种源粉首次合成了MoWSSe四元合金双层单晶，实验结果表明其场效应晶体管表现出明显的双极性特征。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/c3614f1c-bb9c-42e1-a4f1-30e9b1035a63.jpg" title=" 微信图片_20190214133337.jpg" alt=" 微信图片_20190214133337.jpg" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong 基于氢气辅助反向气流化学气相外延法的TMDs双层可控制备及其光电性能展示 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 这项研究为TMDs的大范围逐层可控制备提供了一种可靠和通用的思路，为研究层与层之间的范德华力相互作用提供了良好的平台，为实现过渡金属硫属化合物薄膜及其异质结的按需可控制备打下了坚实的基础，极大地提升了TMDs等二维半导体在实际电子和光电器件的应用潜力。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 该研究得到了江南大学自主科研计划-重点项目、国家自然科学基金和江苏省自然科学基金的资助。2014级博士生张秀梅为第一作者，课题组的南海燕老师为共同第一作者，课题组负责人肖少庆校聘教授和团队负责人顾晓峰教授为共同通讯作者，电学测试和理论计算方面分别得到了东南大学倪振华教授课题组和澳大利亚昆士兰科技大学Kostya Ostrikov教授等的支持。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 课题组论文全文链接： a href=" https://www.nature.com/articles/s41467-019-08468-8" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " Transition metal dichalcogenides bilayer single crystals by reverse-flow chemical vapor epitaxy /span /a 。 /p p style=" text-align: right text-indent: 2em " 作者：肖少庆课题组 /p

当今科技迅猛发展，电子器件的小型化和性能提升是科研人员的极致追逐。其中，晶体管是当代电子设备中不可或缺的核心组件，其尺寸微缩和性能提升直接关系到整个电子行业的进步。与此同时，硅基场效应晶体管（FET）的性能逐渐逼近本征物理极限，国际半导体器件与系统路线图（IRDS）预测硅基晶体管的栅长最小可缩短至12 nm，工作电压不低于0.6 V，这决定了未来硅基芯片缩放过程结束时的极限集成密度和功耗。因此，迫切需要发展新型沟道材料来延续摩尔定律。 二维（2D）半导体具备可拓展性、可转移性、原子级层厚和相对较高的载流子迁移率，被视为超越硅基器件的下一代电子器件的理想选择。近年来，先进的半导体制造公司和研究机构，都在对二维材料进行研究。Lake Shore的低温探针台系列产品可容纳最大1英寸（25.4mm）甚至8英寸的样品，可以为二维半导体材料研究提供精准的温度磁场控制及精确可重复的测量，是全球科研工作者的值得信赖的工具。本文我们将结合近期Nature、Nature electronics期刊中的前沿成果，一起领略Lake Shore低温探针台系列产品在二维晶体管革新中的应用吧！ 图1. Lake Shore低温探针台1. 探针台电学测量揭秘最快二维晶体管——弹道InSe晶体管 对于二维半导体晶体管的速度和功耗方面的探索，北京大学电子学院彭练矛院士，邱晨光研究员课题组报道了一种以2D硒化铟InSe为沟道材料的高热速度场效应晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基FinFET（鳍式场效应晶体管），并将工作电压下降到0.5V，称为迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管。相关研究成功以“Ballistic two-dimensional InSe transistors”为题发表于《Nature》上。 基于Lake Shore 低温探针台完成的电学测试表明，在0.5 V工作电压下，InSe FET具有6 mSμm-1的高跨导和饱和区83%的室温弹道比，超过了任何已报道的硅基晶体管。实现低亚阈值摆幅(SS)为每75 mVdec-1，漏极诱导的势垒降低(DIBL)为22 mVV-1。此外，10nm弹道InSe FET中可靠地提取了62 Ωμm的低接触电阻，可实现更小的固有延迟和更低的能量延迟积(EDP)，远低于预测的硅极限。 这项工作首次证实了2D FET可以提供接近理论预测的实际性能，率先在实验上证明了二维器件性能和功效上由于先进硅基技术，为2D FET发展注入信心和活力。2. 探针台光电测量揭示光活性高介电常数栅极电介质——2D钙钛矿氧化物SNO 与2D半导体兼容的高介电常数的栅极电介质，对缩小光电器件尺寸至关重要。然而传统三维电介质由于悬挂键的存在很难与2D材料兼容。为解决以上问题，复旦大学方晓生教授等人进行了大量研究实验，发现通过自上而下方式制备的2D钙钛矿氧化物Sr10Nb3O10（SNO）具有高介电常数（24.6）、适中带隙、分层结构等特点，可通过温和转移的方法，与各种2D沟道材料（包括石墨烯、MoS2，WS2和WSe2）等构建高效能的光电晶体管。文章以“Two-dimensional perovskite oxide as a photoactive high-κ gate dielectric”为题发表在Nature electronics上。图3. 具有SNO顶栅介电层的双栅WS2光电晶体管的电特性和光响应 基于Lake Shore探针台的光电测试表明，SNO作为顶栅介电材料，与多种通道材料兼容， 集成光电晶体管具有卓越的光电性能。MoS2晶体管的开/关比为106，电源电压为2V，亚阈值摆幅为88&thinsp mVdec-1。在可见光或紫外光照射下，WS2光电晶体管的光电流与暗电流比为~106，紫外(UV)响应度为5.5&thinsp ×&thinsp 103&thinsp AW-1，这是由于栅极控制和光活性栅极电介质电荷转移的共同作用。本研究展示了2D钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10（SNO）作为光活性高介电常数介质在光电晶体管中的广泛应用潜力。 3. 探针台电学测量探索200毫米晶圆级集成——多晶MoS2晶体管 二维半导体，例如过渡金属硫族化合物（TMDs），是一类很有潜力的沟道材料，然而单器件演示采用的单晶二维薄膜，均匀大规模生长仍具挑战，无法应用于大尺度工业级器件制备。与单晶相比，多晶TMD的较大规模生长就容易很多，具备工业化应用集成的潜力。 有鉴于此，三星电子有限公司Jeehwan Kim和Kyung-Eun Byun 团队提出一种使用金属-有机化学气相沉积（MOCVD）制造大规模多晶硫化钼（MoS2）场效应晶体管阵列的工艺，与工业兼容，在商用200毫米制造设备中进行加工，成品率超过99.9%。文章以“200-mm-wafer-scale integration of polycrystalline molybdenum disulfide transistors”为题发表在Nature electronics上。 图4. 三种不同接触类型（a常规顶部接触，b多晶MoS2的底部接触，c单层MoS2底部接触）的电学特性和肖特基势垒高度 基于Lake Shore低温探针台CPX-VF的电学测试表明，相比于顶部接触，底部接触可以更好的消除2D FETs阵列中多晶2D/金属界面的肖特基势垒。没有肖特基势垒的多晶MoS2场效应晶体管表现良好，迁移率可达21 cm2V-1s-1，接触电阻可达3.8 kΩµ m，导通电流密度可达120µ Aµ m-1，可比拟单晶晶体管。4. Lake Shore低温探针台系列 美国Lake Shore公司的低温探针台根据制冷方式不同，主要分为无液氦低温探针台和消耗制冷剂低温探针台，其下又因为磁场方向、尺寸大小差别，有更多型号的细分，适用于不同应用场景（电学、磁学、微波、THz、光学等），客户可根据需要，选择不同的温度和磁场配置。客户可以选择自己搭配测试仪表集成各类测试，也可以选择我们的整体测试解决方案，如电输运测试、半导体分析测试、霍尔效应测试、铁电分析测试，集成光学测试等。图5. 低温探针台选型和适用的应用场景Lake Shore低温探针台主要特征☛ 最大±2.5 T磁场☛ 低温至1.6 K，高温至675 K☛ fA级低漏电测量☛ 最高67 GHz高频探针☛ 3 kV 高电压探针（定制） ☛ 大温区低温漂探针☛ 真空腔联用传送样品（定制）☛ ＜30 nm低振动适用于显微光学测量☛ 无需翻转磁场快速霍尔效应测试☛ 多通道高精度低噪声综合电学测量☛ 光电、CV、铁电、半导体分析测试参考文献：1. J. Jiang, L. Xu, C. Qiu, L.-M. Peng, Ballistic two-dimensional InSe transistors. Nature 616, 470-475 (2023).2. S. Li, X. Liu, H. Yang, H. Zhu, X. Fang, Two-dimensional perovskite oxide as a photoactive high-κ gate dielectric. Nature Electronics 7, 216-224 (2024).3. J. Kwon et al., 200-mm-wafer-scale integration of polycrystalline molybdenum disulfide transistors. Nature Electronics 7, 356-364 (2024).相关产品1、Lake Shore低温探针台系列

姚建年：化学的贡献将得到更加极致的体现 （作者为中国科学院院士、国家自然科学基金委员会副主任） 　　化学是一门在分子和原子水平上研究物质的性质、组成、结构、变化、制备及其应用，以及物质间相互作用关系的科学。作为一门极其重要的基础学科，化学与人类的衣食住行以及能源、信息、材料、国防、环境、医药等方面都有密切联系，在社会与经济发展以及人类生活质量的不断改善和提高中，都起着不可或缺的重要作用。举例来说，在“神七”飞天中，除了火箭推进剂材料、飞船的耐烧蚀蜂窝材料、密封胶粘剂等一大批结构材料外，航天员的舱外服和在舱外活动中取回的由我国自行研制的固体润滑剂样品等 又如奥运场馆水立方的充气外墙等新型建筑材料、游泳运动员穿的新一代鲨鱼皮泳衣等新型运动服装材料等，都饱含着化学工作者的重大贡献。过去和现在，化学一直是各国特别是发达国家科学研究中最受重视也是产生影响最大的学科领域之一。在特别强调坚持科学发展、可持续发展的今天，对于实现低能耗、低排放、资源再生、循环和综合利用、开发新型能源和绿色制品等一系列目标来说，化学的贡献都将得到更加极致的体现。 　　我国化学学科取得的进展 　　(一)概述 　　在坚决贯彻科学发展观、落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006—2020》的过程中，我国的化学学科取得了丰硕成果，基础研究更扎实、深入，更注重可持续发展，原创性成果不断涌现，学术交流更广泛，学术论文的数量和质量明显提升。 　　一是一批与化学相关的科研成果和化学科研工作者获得奖励。闵恩泽院士因其在石油炼制催化领域的杰出贡献获2007年国家最高科学技术奖 徐光宪院士因其在化学和稀土领域的杰出贡献获2008年国家最高科学技术奖。 　　二是学术交流更加广泛、深入。在中国化学会和相关方面的组织和推动下，一年来共举办了50余次全国性学术会议，尤其是2008年中国化学会组织的学术年会(由南开大学承办)，会议内容覆盖了当今化学科学的几乎所有分支与热点，并引起国际化学界的巨大兴趣与关注，诸多国际知名化学家在年会上作学术报告，美、英、德、日等国的化学会也都派学会领导或代表与会。这些学术会议的举办有力地推动了我国化学工作者的国内、国际交流。 　　三是学术论文数量明显增加、质量不断提高。内地科学家发表的化学方面的论文总数目前仅次于美国，居世界第二 同时论文的质量有了明显提高，在高影响因子的国际期刊上发表的论文数量和论文的总被引频次都大幅增长，增长的幅度与速度都远远超过论文数量的增幅。但是，篇均引频次还比较低，表明属于原创性的和国际前沿的热点领域的论文还不多，需要从跟踪、积累和扩展研究向源头创新推进、提升。 　　(二)近两年来我国化学学科取得的主要进展 　　1.一些新兴与交叉学科，如纳米科学，与生命现象相关的化学研究以及软物质科学等快速发展。 　　在纳米科学领域，实现了碳纳米管及其阵列的可控制备，发展了部分应用。证明了争议已久的氧化石墨烯的化学结构，制备了基于石墨烯的体相异质结有机光伏电池和超分子导电膜。 　　发展了多种新方法，实现了单分散的有机小分子单晶纳米结构及特定形貌和三维自组装超结构的可控制备，并在大面积有序生长纳米尺度功能有机材料方面取得进展。得到了羧基功能化的氮化硼(BN)纳米管，发展出了一种对BN纳米管进行碳掺杂的新方法。制备出具有周期性孪晶结构的SiC纳米线，具有特殊的光发射特征和化学稳定性。提出了一种碱腐蚀机制，适用于过渡金属氧化物空心球结构的制备，制备出氧化物空心笼状纳米结构。实现了有机/无机半导体p-n结纳米线的可控构筑，制备了带隙宽度组分可调的ZnSxSe1-x合金纳米线。制备出有序介孔碳单晶材料颗粒、有序介孔C/SiO2复合陶瓷材料和特殊的双模介孔材料。制备出纳米尺度的一维链状Cu@PVA导线结构、具有光控二极管效应的聚吡咯-CdS异质结纳米线和具有双功能的Ni/Ni3C核—壳结构纳米链。实现了浸润性光、热和电可控的固体表面的制备。研制成功了纳米光子学超精细加工系统，可实现纳米尺度的加工分辨率。 　　在与生命现象相关的化学研究中，生物合成基因簇中部分基因功能的研究及金属离子对某些重要生命过程的调控作用方面是研究的重点，同时在生命过程机制及其应用和相关的研究方法上也取得了较大进展。实现了ATP的生物合成，并借助中空蛋白胶囊内部，实现外缘物质的胞内输送。发展了分子和超分子聚合物有序结构的近程和远程控制原理及功能化，合成了一系列含有偶数喹啉酰胺结构单元的具有螺旋结构的喹啉酰胺寡聚物，自组装成为单、双螺旋和四螺旋超分子体系。模拟了具有重要生理作用和临床研究意义的烟碱乙酰胆碱受体在细胞膜中的动力学行为，发展出一套描述金属离子与蛋白质相互作用的理论模型。发展出一种基于生物靶分子特异性识别和核磁共振梯度场扩散序谱技术的方法，使天然植物中抗肿瘤活性成分快速筛选和结构鉴定成为可能。建立了人类口服生物利用度数据库和人类肠吸收数据库，开发了基于活性化合物三维结构寻找潜在结合靶标的反向分子对接方法和基于互联网的应用平台。 　　在软物质研究领域，超分子自组装及相关的组装规律、组装结构、组装调控和组装驱动力等，主客体分子识别、手性超分子以及功能胶体软物质分子聚集体方面的研究取得了一系列进展。 　　2.新理论、新技术、新装备和新方法上不断探索前进。 　　提出了诸多新的理论和计算方法，例如含转动效应的无辐射跃迁理论、轨道分解法等。开发了多项新实验技术，并研制成功一批具有自主知识产权的新仪器设备，如交叉分子束—离子速度成像仪、精密自动绝热量热装置等。在新方法的探索上也取得了一些具有较好原创性的成果，如提出了在熔盐中电解固态氧化物直接电化学还原制备重稀土金属的新方法，以及双氧水直接氧化丙烯制环氧丙烷新技术等。在色谱研究的新方法、新技术和新系统上，在多维色谱仪器、新型色谱填料和色谱柱、样品前处理方法等方面得到了迅猛发展。开发了包括搅拌棒吸附萃取技术在内的微型化处理技术、亲和色谱在内的选择性预处理技术、在线联用的柱上堆积富集技术等。针对复杂样品的分离分析，构建了全二维气相色谱、多维液相色谱、多维毛细管电泳等多维分离系统，有效提高了样品的分辨率。 　　3.新材料和元器件上有所突破。 　　在新能源的开发上，太阳能电池、锂离子电池、燃料电池、超级电容器、全钒液流储能电池等受到关注。开发出了一系列性能优异的染料敏化太阳能电池，光电转化效率最高达9% 提出了一种基于薄液层氧化还原对的新型超级电容器 成功研制出国内规模最大的第一代100kW级全钒液流储能电池系统。 　　有机场效应管(OFET)方面，制备了并五苯OFET，实现了在单个器件中起始栅极电压对器件阈值电压的调控，首次用低聚TTF化合物为活性层制备OFET器件，使微纳晶场效应管迁移率显著提高。有机发光材料及器件(OLED)方面，高分子发光材料体系、界面修饰材料体系和新型发光器件等取得了一系列研究成果。获得了目前发光效率最高的白光高分子单层器件 制备了可发红、橙、黄、绿四色光的QD-LED器件。 　　在生物医用高分子及生物传感方面，合成得到了高载药量聚乳酸—蛋白质复合物和用于骨修复的纳米粒子增强脂肪族聚酯复合材料等 构建了阳离子聚芴/DNA等阳离子聚合物/生物分子自组装体系，实现了DNA甲基化转移酶的高灵敏度检测和葡萄糖磷酸化及单链DNA水解的无标记、肉眼可视的传感检测。 　　此外，还设计了一系列新型给体—受体分子，实现了分子荧光开关、分子逻辑器件和分子内电子转移可逆调控。制备出表面光学、电学性质及浸润性可多重调控的聚合物光子晶体。 　　4.环境和绿色研究日益受到重视。 　　环境化学方面，新型化学污染物的环境问题、常见污染物的环境问题、污染物环境界面化学、复合污染、污染物毒性检测等成为研究重点，初步建立了各种水源中多种常见全氟化合物的液相色谱—串联质谱分析方法 绿色化学方面，重点放在了超临界流体、离子液体的应用上，开发出一种以离子液体为极性微环境的超临界CO2微乳液，其胶束结构和性质可通过CO2及离子液体的结构进行调节，使得该类微乳液在实际应用中具有非常明显的优势。 　　5. 传统学科知识不断积淀深化并产生新的研究热点。 　　在物理化学研究方面，催化机理研究不断深入，新的催化反应与催化剂不断产生。在电化学方法、生物电化学、有机电化学上不断创新，提出了研究不稳定体系电催化的流体动力学理论方法，制备出复合双极膜用于电有机合成反应。在无机化学研究方面，基于过渡金属配合物的分子磁体、分子固体及其相关的研究成为新的研究热点。在有机化学研究方面，有机反应依然是最为活跃的研究领域。在天然产物的合成上，则实现了一些环肽、三萜类糖苷、生物碱等的首次全合成，同时发现了多种新的天然产物。在高分子研究方面，聚合反应机理和新的聚合方法和聚合物合成取得了一系列进展，观察到线团—紧密小球转变的两级动力学，建立了描述分散相形变、破裂、凝聚等的流变学本构模型。此外，在导电高分子和生物高分子的研究上，实现了导电聚苯胺纳米材料的可控制备，并首次制备了含DNA的非交联、稳定多孔聚电解质复合物膜。在化学信息学研究方面，化学计量学方法与应用研究处于国际前沿，发展了多种新的化学计量学方法，如交替移动窗口因子分析等，可方便地对不同样本的共有化合物进行比较分析。 　　6.面向国家、社会重大需求和面向应用取得一系列成果。 　　例如，我国自行研制的航天飞行器用固体润滑材料已在神舟七号飞船上得到实际应用。此外还包括具有自主知识产权的世界第二条年产5000吨绿色可降解环保型聚乳酸树脂的工业示范线，催化裂化干气制乙苯气相烃化和液相反烃化优化组合的第三代技术，具有自主知识产权的甲醇制烯烃技术，可用于同位素生产堆的氢氧复合整体催化剂及复合器，用于丁基橡胶的生产装置中的可控正离子聚合新工艺技术，具有我国独立知识产权国内第一条彩色等离子显示屏PDP用荧光粉生产线，用于危险废物处理的贵金属—稀土金属双组分湿式催化氧化工业示范装置，合成第三代强效解热镇痛药双氯芬酸类药物的国际领先的新技术，还有化学信息管理系统CISOC-ChIMS的建立，等等。上述成果或者自主创新开发，或者深入生产生活实际，解决实际问题，都是科研转化为生产力的展示，产生了重大的社会效益和经济效益。 　　展望 　　当前，化学已经从传统意义上的实验科学向更深入的分子、原子水平探索和理论研究发展，由此诞生了一大批新的分支领域，尤其是在与材料科学、生物学、物理学等许多传统学科领域的交叉、融合中，自身得到了飞快发展，而一些传统领域也产生了新的生长点。作为一门与国民经济各个领域密不可分的基础科学，以及承上启下、渗透于各种新兴、交叉学科的中心科学，从总体来说，化学的未来发展，应该特别注重加强在资源的有效合理开发、无害化使用、再生和循环利用，以为经济的可持续发展提供物质保障和在为改善人类的生活环境、提高生活质量提供更加绿色、更为质优价廉的衣食住行条件，以及在加强科学积淀以促进学科自身发展等方面的研究。 　　为此，可以预见，在未来的相当一段时间内，纳米科技及其向各化学学科的渗透(例如纳米材料功能化和功能材料纳米化)、新型功能材料的制备与组装及相关器件的研发、材料工程与可控构筑、新型高效绿色催化剂的开发及其在反应与工业中的应用、新反应的发现及其机制的研究、与生物体和生命现象相关的化学和仿生学、纳米以至分子水平的探测与分析表征的新方法和新技术手段、绿色与原子经济化学、新能源材料的开发及相关研究、理论化学与方法从原子—分子体系向多体的宏观体系发展以及从解释现象向设计发展等，都还必将是化学学科的热点方向。 　　强化基础研究将始终是发展化学科学之根本，新进展与成果、新理论与观点、新材料与性能、新方法与工艺、新技术与装备将是推动化学发展的强大动力，而服务于社会和国民经济的发展则是化学工作者须臾不可忘的历史使命。

竹香米业有限责任公司成立于2012年，由竹香米厂改编而成，是一家农业产业化省级重点龙头企业，主要从事优质稻的种植、收购、加工及销售，实行“公司+基地+农户”的运行管理模式，走“市场带企业，企业带基地，基地连农户”的粮食产业化经营之路。公司坐落于黔北小江南之称的湄潭永兴镇，紧靠326国道，紧挨杭瑞高速公路进出口，交通便利。公司占地4.67公顷（70亩）。已完成投资6000万元，拥有日产400吨自动化生产线，年产精致高档大米1.5万吨，可年加工稻谷20万吨，公司拥有固定资产7000万元，固定员工100人，集中了全国各大粮食机器成产厂家的新型设备，其中包括冠亚快速水分测试仪。采用了低温冷藏加工、喷雾抛光，在确保产品质量上限度保留大米营养价值，努力实现标准化生产。我公司中低端产品主要销往重庆、四川及贵州各县市，正积极进入大型超市，高端产品主要销往上海、广州、贵阳等大中型城市，我们正在积极组建各级销售团队，相信在较短的时间里呈现出预期的效果。

5月30日，国务院国资委确定并发布了《中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）》（以下简称《目录》）。本次《目录》发布的成果涉及22项核心电子元器件、14项关键零部件、8项分析测试仪器 、10项基础软件、41项关键材料、12项先进工艺、53项高端装备和18项其他类型成果，共计178项成果，相关成果主要来自54家央企。《目录》中涉及的8项分析测试仪器成果如下，37分布式光纤传感系统航天科技分析测试仪器38全视角高精度三维测量仪航空工业集团分析测试仪器39色度亮度计兵器工业集团分析测试仪器40短波长X射线衍射仪兵器装备集团分析测试仪器414051系列信号/频谱分析仪中国电科分析测试仪器42汽车变速器齿轮试验测试装备机械总院集团分析测试仪器43电感耦合等离子体质谱仪中国钢研分析测试仪器44分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪中国信科分析测试仪器据了解，航天科技的分布式光纤传感系统是一种集光、机、电、算于一体的高性能新型传感系统，可以实现对探测目标的连续不间断测量，并形成全面的、精细的、准确的数字化描述。分布式光纤传感系统利用光纤后向散射效应与光时域反射技术，实现对应变/温度场的连续测量与定位 传感光纤既是传感介质也是传输媒介,是一宗集待测物理量感知和信号传输于一体的传感手段。传感光纤本身无源、抗干扰、耐腐蚀，是一种本征安全的材料，并且在性能指标和产品功能上均优于传统的电学传感技术。分布式光纤传感系统特别适用于易燃易爆场合；典型的应用领域包括长输油气管线的安安防监测、基础设施的结构健康监测、火灾预警、电缆效率分析、地热开采分析等。井下温度分布测量应用场景（图源 国资委）航空工业集团的这款全视角高精度三维测量仪，针对大部件变形和大空间内运动体参数实时监控的迫切需求，突破大视场、超清晰、高精度光学测量关键技术，解决测量距离大、精度要求高、测量环境复杂等技术难点，研制全视角高精度三维测量仪，填补国内空白，并在航空、航天等领域进行了应用验证。全视角高精度三维测量仪（图源 国资委）亮度色度计采用三色值过滤的测定方法，可测定亮度、色度、色温cielab、cieluv、色差等，4个量测角度可以切换。可适用于需要小范围量度角度(0.1°/0.2°)的低亮度领域的测定场合，若作远距离量测可选用延长线将主机与感应器分开进行测量。仪器附加键盘（选配）可作多种功能使用，包括输入颜色系数和亮度偏差。另外，也可在计算机中的进行数据的存储、分析、打印，在照明工程、电影和电视、建筑等领域中有较为广泛的应用。而兵器工业集团的色度亮度计可测量亮度范围为（1～3000）cd/m2，亮度测量精度为±4%，色度测量精度为（x,y）≤±0.004（10cd/m2以上，标准A光源。色度亮度计（图源 国资委）短波长X射线衍射仪是拥有自主知识产权的短波长特征X射线衍射技术产品，首先解决了我国无损测定厘米级厚度工件内部（残余）应力、织构、物相、晶界缺陷及其分布的难题，填补了国内外无损检测分析内部衍射信息的小型化仪器设备空白。该仪器利用重金属靶X射线管作为辐射源，采用光量子能量分析的无强度衰减单色化、精密测量分析等技术，最大可测厚度达40mm铝当量，晶面间距测试误差小于±0.00006nm，内部（残余）应力测试误差小于±25MPa。可应用于先进材料、先进制造和基础研究领域，如预拉伸铝板、涡轮叶片、装配件、焊接件、热处理件等控形控性的加工工艺优化和制造，以及材料/工件内部应力及其分布等的演变规律研究。短波长X射线衍射仪（图源 国资委）4051系列信号/频谱分析仪重点突破了110GHz超宽频带、大带宽、高灵敏度接收技术以及宽带信号高速处理技术，实现了最高同轴测试频率110GHz、最大分析带宽550MHz、显示平均噪声电平≤-135dBm/Hz@110GHz等核心指标，且具有全频段信号预选能力，打破了国外技术封锁，总体性能达到国际先进水平，在高精尖测量仪器方面实现了自主可控和自主保障，在航空航天、通信、雷达、频谱监测等军民领域得到广泛应用，为我国“载人航天”、“探月工程”、“北斗导航”等国家重大工程做出了重要贡献，解决了宽带卫星通信系统功放模块数字预失真测试、新型预警和跟踪雷达脉冲信号测试、超宽频带频谱测量等测试难题。4051系列信号/频谱分析仪（图源 国资委）汽车变速器齿轮试验测试装备是国家重点支持的发展专项；测试技术含量和技术水平高，创新性强，属国内首创；突破了汽车变速器传递误差测试方面的技术壁垒，解决了汽车变速器急需解决的啸叫难题；扭转了汽车变速器测试台架主要依赖进口的局面。试验台既可实现单对齿轮又可以实现变速器总成传递误差的测量，可以模拟齿轮啮合错位量工况，使得传递误差测量结果更具实际意义，可以更有效指导齿轮修形设计，达到减振降噪目的。试验台角度测量精度1ʺ，加载扭矩最大20000Nm。汽车变速器齿轮试验测试装备（图源 国资委）ICP-MS技术是将ICP的高温电离特性与四极杆质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种新型的最强有力的元素分析、同位素分析和形态分析技术。该技术具有检出限低、动态线性范围宽、干扰少、分析精度高、速度快、可进行多元素同时测定等优异的分析性能，已从最初在地质科学研究的应用迅速发展到环境保护、半导体、生物、医学、冶金、石油、核材料分析等领域。电感耦合等离子体质谱仪（图源 国资委）分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪主要用途是为石油天然气管线、高速铁路、高速公路、电力输送线路等大型基础设施的状态监测与安全管理提供完整先进的分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪，显著提升相关大型基础设施的运营能力、安全管理水平与应急管理能力。其基于光栅阵列的新一代光纤传感技术具有网络容量大、探测精度高、传感距离长、响应速度快、可靠性好等方面的突出优点，可实现超大容量、超长距离、超高精度的应变、温度、振动传感监测。光纤分布式温度探测器（图源 国资委）附件：中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）.doc

一、背景：溶解度测试的样品收集典型的溶解设备由6到14个容器组成，可安装或不安装自动取样器。在溶解度测试期间，会在预定的时间间隔内提取样品，并将收集到的样品与已知浓度的标准溶液进行比较评估。这种评估使用适当的分析技术进行，如高效液相色谱法或紫外光谱法。 最常见的取样技术涉及移除固定体积的样品，可能会用等量的溶液替换，也可能不替换。取样程序可以由自动取样器执行，在这种情况下，非常重要的是在收集样品进行分析之前清洗取样管。一些自动取样器设计为在收集样品前短暂保存已清洗的溶液。一旦样品被移除，已清洗的溶液会返回到容器中。二、实验在位于纽约切斯特努特岭的Teledyne Hanson分析研究中心，进行了多项实验以评估不同的取样技术及其对结果的影响。这些测试是在2022年2月到2022年3月期间进行的，使用了从美国一家零售药店购买的市售对乙酰氨基酚片剂，USP，批号# P119534，有效期至2022年3月。 溶解度测试是使用当前批准的USP专论进行的。次级参考标准购自美国的Sigma-Aldrich® 品牌。根据当前USP专论中的描述，制备了pH值为5.8的磷酸盐缓冲液作为溶解介质，并使用了从Sigma-Aldrich购买的化学品。 将900毫升的溶解介质转移到六个溶解容器中。一旦溶解介质的温度达到所需的37.0° ± 0.5 °C，测试就以50 RPM的速度使用装置II（桨叶）开始。每个容器中使用一片药片，并且多次重复实验以检查下面展示的四种取样技术。图片1：带有自动取样器的Hanson溶解度测试仪的图片 测试的技术1. 手动取样，不替换，在5、10、15、20和30时间点。2. 自动取样，不替换，在5、10、15、20和30时间点。3. 自动取样，替换，在5、10、15、20和30时间点。4. 使用回收储存器组件*，不替换，在5、10、15、20和30时间点。*回收储存器组件用于在取样过程中暂时保存样品。图片2：回收储存器组件 回收储存器是Teledyne Hanson AutoPlus&trade Maximizer&trade 的可选配件，它使得在多浴应用中能够将样品和清洗体积返回到溶解容器中。这种方法适用于两个带介质替换的溶解浴或三个不带介质替换的溶解浴。从溶解容器中收集的清洗体积通过样品路径被收集并分配到回收储存器中，在那里暂时保存。在从溶解容器中收集预定的样品体积后，对其进行检测并或分配到多填充收集架中，回收储存器中的样品和清洗体积（加上空气清洗）被分配回溶解容器中。 对于这项研究，采用了以下协议：&bull 在分析前，使用45 µ m、25 mm尼龙注射器过滤器对收集的溶液进行过滤。&bull 在相同的溶解介质中制备了已知浓度为0.01 mg/mL的参考标准溶液。&bull 样品溶液被稀释了10倍，以使用10 mm光程的石英细胞在243 nm波长下获得适当的吸光度读数。&bull 所有样品均使用Shimadzu UV-1800分光光度计进行分析。三、结果表1：取样技术#1结果 表2：取样技术#2结果 表3：取样技术#3结果 表4：取样技术#4结果图片3：通过使用四种不同的取样技术，对溶解的对乙酰氨基酚平均百分比进行了图形比较。四、讨论这项研究的结果表明，测试的取样技术对溶解的对乙酰氨基酚百分比结果没有显著影响。此外，是否取出并替换溶液或不替换溶液也对最终结果没有影响。当在采样前从容器中暂时移除4 mL的溶解介质，然后在采样后将其返回到容器中时，未观察到对最终结果的显著影响。应注意以下观察：&bull 用户应确保使用正确的计算方法（根据样品技术）来获得溶解百分比数据。具体来说，当从溶解容器中移除一定量然后替换时，应考虑稀释效应。&bull 当配置使用自动取样器的取样技术时，应考虑管长和替换管内溶液所需的体积。这项研究中使用了4 mL的回收体积。&bull 根据USP专论，每片溶解的对乙酰氨基酚百分比的限制是不少于（NLT）Q=80%。本研究中的所有样品都满足这一要求。五、结论基于本研究获取的数据，可以得出结论：依照美国药典专论的规定，所测试的溶解装置能够产生准确且稳定可靠的数据。在本研究中评估的任一样品采集技术均可在溶解度分布测试（或单一时间点测试）中采用。通过适当的取样技术公式，本研究获得的数据与Teledyne Hanson自动取样器平台保持一致。 相较于单一时间点或延长释放药物产品在较长时间点的采样，即时释放药物产品在早期时间点的样品采集更易受变异性影响。因此，日复一日、批次之间以及分析师之间的差异均可能对即时释放药物产品的分析结果产生影响。本研究中评估的任一取样技术均可便捷地应用于当前获批准的任何溶解度测试方法中。需要注意的是，在对现有取样技术进行修订前，应开展包括两种方法的交叉研究。 本研究是在Teledyne Hanson分析研究中心进行的，严格遵守了所有相关的内部标准操作程序，并按照美国食品和药物管理局制定的良好生产规范要求进行准备。这些设施可供协助开发客户协议。

进一步贯彻落实生态环境部《关于开展细颗粒物和臭氧污染协同防控“一市一策”驻点跟踪研究工作的通知》工作部署安排，加快推进漯河市细颗粒物（PM2.5）和臭氧（O3）协同防控“一市一策”驻点跟踪研究工作。5月下旬，驻点跟踪研究团队开展了漯河市道路积尘监测走航观测工作，获取了全市道路积尘数据，基本摸清了漯河市道路扬尘的特征。结合已经掌握的数据和资料，6月3日上午，漯河市“一市一策”驻点跟踪研究团队向漯河市市委常委、常务副市长、市污染防治攻坚办主任高喜东汇报了漯河市空气质量初步分析、道路积尘走航观测的情况，结合漯河市颗粒物来源解析结果，提出了漯河市粗颗粒物和臭氧协同控制的对策建议。高喜东市长充分肯定了驻点跟踪研究团队在短时间内开展的高效工作，并对下一步颗粒物和臭氧协同防治工作进行了布置，强调要认真研究落实研究团队提出的管控建议，加强研究成果的转化应用，按照专家组技术方案，制定臭氧管控总方案和若干专项方案，加速颗粒物和臭氧的协同控制。近期，驻点跟踪研究团队继续使用我公司的道路积尘负荷测试仪开展样品采集、清单构建和数据分析等工作，有效推动漯河市环境空气质量持续改善。