高精度电子吊秤

在工业生产过程，快速、高精度的称重设备将显著提高生产效率、提升质量控制水平。在包装生产环节，高精度秤被用来精确控制产品数量，大幅降低不合格包装的发生概率，在库存管理环节也使用高精度秤来提升库存控制的精确度。基于对客户在生产效率和质量控制需求的准确理解，奥豪斯重磅推出了符合GMP和QC要求的高精度秤Ranger7000。 快速准确 符合GMP要求：显示分度高达350000d的Ranger7000高精度秤，在同一级别中其准确度无以伦比。支持GLP/GMP数据输出（打印），Ranger7000可完全满足食品和制药行业可追溯的要求。 铝压铸金属外壳，模块化设计：Ranger7000高精度秤采用全新铝压铸结构的金属外壳，防护等级高达IP54，很好适应严苛的工业现场。特别突出的是仪表和秤体分离式模块化设计，根据客户使用环境采取灵活的安装方式，通过第二秤台接口连接平台秤或台秤秤体，满足更大范围准确称量的要求，两个秤体称量数据可同时显示。 Smart Text?2.0全新图标界面软件，称量操作直观、便捷：Ranger7000内置全新Smart Text?2.0图标界面软件，搭配4.3寸全彩色液晶触摸显示屏，使称量操作更加直观、便捷，无需培训即可轻松、快速开展称量操作。 高精度，质量控制更精确：Ranger7000高精度秤通过将实验室称重精度应用到工业生产环境，通过GLP/GMP数据输出功能，可为用户提供称量数据报告，帮助用户改进质量控制过程，提升质量控制精度。 最后，Ranger7000可通过RS232和USB实现数据的快速导出，选配以太网及扫描枪搭建完整的库存控制系统。

5月5日消息，以高精度电子测量为特色的西安模拟感知信息科技（模拟感知）有限公司近日宣布完成数千万元人民币的首轮融资，投资方为上海超越摩尔（超越摩尔）。模拟感知信息科技位于西安，公司核心团队利用在高精度仪器研发领域积攒的经验，“降维”研发了多种现场仪表电子测量模组。将低噪声模拟链路设计、温漂/零漂抑制和精度补偿等技术成功应用在工业现场领域。模拟感知团队表示我国在电子测量领域大幅落后于西方，目前远不能满足我国经济发展的要求，有巨大的市场机遇。模拟感知基于技术相通性和产品归一化和积木化的原则，在仪表和仪器领域同时布局：• 在仪表领域，公司提供测量的核心模组（电路板卡），目标客户群体是我国广大的仪表厂商。公司在首系列产品的研发过程中，深刻感受到了来自客户的热情与支持，产品在测试阶段就收到了数量可观的订单。在下游客户的鼎力支持下，目前公司超声波气体流量计核心模组已完成了市场的闭环验证，气超整表准确度达到了0.5%级。公司会持续在仪表核心测量领域投入，助力我国仪表厂商实现产品的升级换代。• 在测量仪器领域，公司将于近期陆续推出用于实验室研发、新能源汽车测试、电池测试、电源芯片测试和航空发动机发电系统测试的相关产品。超越摩尔表示现代测量的实质是电子测量，无论是流量、温度还是形变，都是将被测量作为电信号进行采集、抽象和处理。 在被测信号进入数字处理芯片之前的模拟电路部分是整个测量系统的重中之重，也是我国同西方集团在通用电子测量领域差距最大的部分。模拟感知核心技术团队在相关领域耕耘多年，主导过多款超高精度仪器的研发和上市工作，在通用电子测量方向有非常明显的技术和经验优势，有实力成为行业的领军企业。

仪器信息网讯 2023年2月1日，日本电子株式会社（JEOL Ltd.,）总裁兼首席执行官Izumi Oi宣布推出FIB-SEM系统"JIB-PS500i”【产品链接】。随着先进材料结构的精细化和工艺复杂性的提高，对形貌观察和元素分析等评价技术提出了更高的分辨率和精度要求。在半导体行业、电池和材料领域的透射电子显微镜(TEM)样品制备过程中，需要 “更高的精度”和“更薄的样品”。此背景下，日本电子此次推出的JIB-PS500i便是通过由高精度加工的聚焦离子束(FIB)系统和高分辨率的扫描电子显微镜(SEM)相结合的系统，来满足以上需求。高精度、高分辨率的FIB-SEM系统“JIB-PS500i"【产品链接】JIB-PS500i主要特点1. FIB镜筒可以使用高达100nA的大束流Ga离子束进行处理。大束流处理在制备用于大面积成像和分析的横截面样品方面特别有效。此外，FIB镜筒的工作距离也缩短了。与新开发的电源一起，帮助低加速电压下处理性能大大改善。2. 新开发的超锥形透镜系统应用于扫描电镜镜筒中，在低加速电压下大大提高了图像的分辨率。这种极好的成像对于利用扫描电镜检查薄片试样的端点铣削状态非常有用。3. JIB-PS500i采用了大型样品仓和新开发的样品台，增加了的移动范围，从而可容纳大型样品。此外，新开发的STEM检测器，可以在90度倾斜下使用，并可以实现从TEM标本制备到STEM观察的无缝过渡。4. 操作界面采用了在JSM-T800系列高分辨率扫描电子显微镜中广受好评的"SEM中心"，实现了EDS分析的完全集成。5.专用TEM样品杆和夹具等可实现更精确的对准，同时使TEM和FIB之间的样品转移更容易。使用双倾斜样品杆的样品转移工作流程多种探测器可供选择样品:5nm设计规则半导体器件(FinFET)；(左)加速电压2kV，探测器SED二次电子图像；(中右)加速电压200kV,TEM图像，电镜型号:JEM-ARM200F样品:半导体器件；加速电压3KV，探测器SED二次电子图像标本块(200X4X15pm)；用OmniProbe 400拾取标本块FIB主要规格参数图像分辨率3 nm (30 kV)放大倍率×50 to ×300,000加速电压0.5 to 30 kV束流1.0 pA to 100 nA离子源Ga liquid metal ion source铣削加工形状Rectangle, Circle, Polygon, Spot, Line, BMPSEM主要规格参数图像分辨率0.7 nm (15 kV), 1.4 nm (1 kV)1.0 nm (1 kV, BD mode)放大倍率×10 to ×1,000,000(128 mm x 96 mm print size)加速电压0.01 to 30 kV束流Approx. 1 pA to 500 nA or more电子枪In-lens Schottky Plus field emission electron gun物镜Super conical lens标准检测器Secondary electron detector (SED)Upper electron detector (UED)In-lens backscattered electron detector (iBED)样品台主要规格参数样品台移动范围X：130 mmY：130 mmZ：1.0 mm to 40 mmT：- 40.0 to 93.0°R：360°