当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

微波流量探测器

仪器信息网微波流量探测器专题为您提供2024年最新微波流量探测器价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括微波流量探测器参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的微波流量探测器您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合微波流量探测器相关的耗材配件、试剂标物,还有微波流量探测器相关的最新资讯、资料,以及微波流量探测器相关的解决方案。

微波流量探测器相关的仪器

  • 仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中: ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1) ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2) ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)主要特点:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:铟镓砷探测器使用建议: ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
    留言咨询
  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
    留言咨询
  • 仪器简介:热释电探测器&mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um技术参数:技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe(标配)波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正(P)主要特点:&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器,适合经济型的测量,集成前置放大器,由LATGS晶体制成,仿热电偶结构,专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议:● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器,实际工作波长范围受到窗口材料限制,可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420(Page97-98)● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比,所以需工作在低频(70Hz左右)条件下
    留言咨询
  • 仪器简介:■ 硫化铅探测器(PbS)&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.8-3.2&mu m技术参数: DPbs2900 DPbs3200光敏面尺寸 mm 1× 5 6× 6波长范围 &mu m 0.8~2.9 0.8~3.2峰值波长 &mu m &ge 2.2 &ge 2.1响应Su V/W &ge 3× 104 &ge 300电阻Rd M&Omega 0.2-2 0.1-0.3D* cm(Hz) 1/2/W &ge 5× 108 &ge 1× 108时间常数 &mu s &le 200 &le 400放大倍数 × 1,× 10,× 100输入端失调电压 µ V <± 1前放输入端的漂移 µ V ± 1频率响应范围 Hz 100&mdash 1000 (推荐400Hz)信号输出模式 电压 电压输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ 硫化铅探测器(PbS)&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.8-3.2&mu mDPbS2900/3200两种型号,两种探测器室的外观相同(内带前置放大器),其中:◆ DPbS2900内装进口硫化铅探测器(光谱响应度曲线参考图1)◆ DPbS3200内装国产硫化铅探测器(光谱响应度曲线参考图2)硫化铅探测器使用建议:● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器为光导型红外探测器,使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830型(Page98)或Model 420型(Page97);● DPbS2900和DPbS3200硫化铅探测器集成了前置放大器,输出信号模式为电压模式,在与DCS103或DCS300PA数据采集系统(Page95)配合使用时,需要选择电压信号采样模式。
    留言咨询
  • 仪器简介:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu m技术参数:主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)推荐使用前置放大器型号:ZAMP主要特点:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议:● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制。
    留言咨询
  • DPe系列为常温型热释电探测器,适合经济型的测量,专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成,允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议:DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器,推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比,最优工作频率在低频(10HZ左右)区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器,实际工作波长受窗口材料限制,可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线: 窗口透过率曲线: 光谱响应曲线: 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标:型号/参数DPe16DPe22工作区域面积(㎜2)1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸(㎜2)3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围(μm)2-162-22信号输出模式电压电压响应率(V/W)12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP(W/Hz1/2)13.82×10-103.82×10-10反馈电阻(GOhm)1010反馈电容(fF)200±50 200±50 工作电压(V)±2.2~±8±2.2~±8环境温度(℃)-10~+50-10~+50输出信号极性正(P)正(P)备注125℃,10Hz,带宽1Hz黑体T = 500K;E = 38 W / m2不含窗口材料
    留言咨询
  • 仪器简介:■ 锑化铟探测器(InSb)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5&mu m技术参数:型号列表及主要技术指标:型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正(P)主要特点:■ 锑化铟探测器(InSb)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型,其中:◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型,x-01/ 02/ 04/ 07,四种光敏面尺寸可选,适合一般测量,须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型,集成前置放大器,响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内,用于与光谱仪狭缝连接
    留言咨询
  • 仪器简介:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22&mu m。技术参数:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns)         25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正(P) 正(P) 正(P) 正(P) 正(P)主要特点:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型,其中:◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型,x-12/ 14/ 16/ 22,四种截止波长可选,适合一般测量,须选配前置放大器;◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型,集成前置放大器,响应时间小于50ns;◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内,用于与光谱仪狭缝连接。
    留言咨询
  • 微波射频热声探测器 400-860-5168转3512
    太赫兹探测器/微波射频热声探测器(RF Thermoacoustic Microwave and Millimeter Detector)品牌: Tydex型号: TAD-ATydex的热声探测器 TAD-1 被专门设计用来测量微波频段的脉冲电磁波,可测量脉冲宽度1-500ns,响应的波谱范围为3-300GHz。当微波脉冲激发探测器内部层结构时,会产生声波信号。探测器TAD-1可以被用来测量以下微波辐射源: √ 初级回旋谐振振荡管 √ 二次和三次回旋谐波的大尺寸回旋振动管 √ 毫米波段的表面波相对产生器 √ 脉冲式磁控管产生器 √ 相对返波管振荡器 √ 毫米波段的调速管 √ 其它光源 此探测器能将大功率的射频电磁波脉冲精确地以相同的形状轮廓转换为声波信号。因此根据示波器的响应,可以计算出脉冲能量的时间依赖关系,并由此描绘出输入脉冲时间依赖的能量相对值形貌。性能参数:参数数值探测器窗口尺寸,mm20.0可测量的脉冲宽度范围,ns1-500可测量的频率范围,GHz3-300脉冲重复频率,kHz最高可测5Hz微波脉冲峰值输出,MW1-500推荐的微波功率通量密度,W/cm250—1×104操作温度,℃5—45存储温度,℃0—60空气湿度,%5—85整体尺寸(L×W×H),mm105.0×60.0×60.0重量,Kg0.35微波射频热声探测器?
    留言咨询
  • 热声探测器 TAD-1 被专门设计用来测量微波频段的脉冲电磁波,可测量脉冲宽度1-500ns,响应的波谱范围为3-300GHz。当微波脉冲激发探测器内部层结构时,会产生声波信号。探测器TAD-1可以被用来测量以下微波辐射源:l 初级回旋谐振振荡管l 二次和三次回旋谐波的大尺寸回旋振动管l 毫米波段的表面波相对产生器l 脉冲式磁控管产生器l 相对返波管振荡器l 毫米波段的调速管l 其它光源此探测器能将大功率的射频电磁波脉冲精确地以相同的形状轮廓转换为声波信号。因此根据示波器的响应,可以计算出脉冲能量的时间依赖关系,并由此描绘出输入脉冲时间依赖的能量相对值形貌。技术参数
    留言咨询
  • Standa高速光纤输入光电探测器产品特点:●只使用GHz带宽部件●使用阻抗匹配的微带线连接二极管输出到输出连接器●使用微波级SMA电磁波发射器将信号耦合到示波器●每个探测器使用20GHz取样示波器测试,只有由于振荡造成峰峰失真4%才合格型号11HSP-V211HSP-IR6波长范围320-1100nm900-1650nm探测器材料SiInGaAs探测器直径0.4mm0.08mm带宽2GHz~6GHz上升下降时间150ps70ps脉冲后振荡(最大值百分比)20%光纤输入接口FC输出阻抗50Ohms最大安全输出2V电池电压20V电池寿命~5年探测器尺寸25x25x38mm
    留言咨询
  • 仪器简介:薄膜热释电探测器主要用锆钛酸铅铁电薄膜(PZT film)作为光电转换元件,其厚度仅为1um,构成一个微型的光电系统,其产生的电流通过两个电极搜集起来。 这种探测器具有以下特点: 薄膜热释电探测器带给用户的好处灵敏度高,辐射灵敏度可到106 V/W,D*可以达到1× 109,远远高于其他热释电传感器可用来检测更为微弱的信号,提升产品的档次,增强竞争力,降低生产成本噪声低且随着温度升高,噪声依然可以维持在较低水平 提高用户系统的信噪比,大幅降低温度对系统的影响频率特性好,响应速度快,可达5ms (200Hz)提高用户系统的响应速度熔点高,约600℃,耐高温 无需额外的恒温系统及探测器保护装置,大大提高产品在复杂环境下工作的稳定性探测器的面积可选的范围很宽,从150um× 150um到3mm× 2mm,封装形式多样化用户有更多选择,系统设计更加灵活光谱响应范围从1.2um-20um根据不同应用,客户可选择装配有滤光片的探测器,用于气体检测或光谱分析应用中技术参数:薄膜热释电探测器主要用锆钛酸铅铁电薄膜(PZT film)作为光电转换元件,其厚度仅为1um,构成一个微型的光电系统,其产生的电流通过两个电极搜集起来。 红外光谱1.线阵列型探测器+线性变化红外滤光片(Linear Variable Filter) 目前可提供的标准的线阵探测器包括:128× 1,128× 2,512× 1。红外滤光片的波长范围有近红外1.3-3.2um和中远红外2-20um两种,根据不同应用,选择相应波长范围的LVF滤光片,可直接得到光谱信息。 2. 单点探测器 此种探测器主要是针对FT-IR光谱仪。提供不同感光面积的单点探测器,根据客户需求,可选配适当的红外滤光片,滤光片的波长范围:2-20um。气体检测 感光面D*NoiseFrequencyResponsivity1mm× 1mm~3.5 x 108 cm&radic Hz/ W @10Hz~ 0.4mV&radic Hz/W1-30Hz ~150,000 V/ W @500K, 10Hz 火灾预警,行为监控及客流量计数 与传统的红外发射、接受的方式相比,如果选择合适焦距的红外镜头,配合不同阵列的红外探测器,不仅能够直接捕捉到由被测物体发射的红外信号(去掉了发射这一步骤),还能够获得包括空间位置等更详细的信息,有助于后续的分析系统作出正确的判断,降低误判率。 主要特点:红外光谱 与FT-IR光谱领域常用的DTGS探测器相比,产品具有以下特点: 薄膜热释电探测器带给用户的好处价格低, 各波段的辐射灵敏度相对DTGS探测器更平坦降低用户的成本的同时不降低性能,有效提高了性价比固态的探测器,不需要额外加光窗 降低用户系统复杂性高居里点(500℃),低颤噪声(microphonics),性能稳定,受温度上升的影响小,不需要额外加制冷 提高用户系统的稳定性,降低系统复杂性灵敏度D*为1× 108@500k,1000Hz;响应度可达到10,000V/W;频率响应范围到3.3kHz很好的灵敏度可在探测器前面加Lens,以收集更多的光提高信噪比 可更加客户应用的要求,调整探测器的参数,以达到最佳的性能系统性能进一步提升气体检测目前,针对气体检测领域可以提供薄膜热释电传感器,包括单通道、双通道和四通道的气体传感器。由于这种探测器具有低功耗,探头小巧,灵敏度高,性能稳定,频率响应快等优势,可广泛应用于红外气体检测领域,可用来也制作气体分析仪(含便携式),如检测CO2、CO、CH4、H2S、碳氢化合物、氮氧化合物等。火灾预警,行为监控及客流量计数与传统的红外发射、接受的方式相比,如果选择合适焦距的红外镜头,配合不同阵列的红外探测器,不仅能够直接捕捉到由被测物体发射的红外信号(去掉了发射这一步骤),还能够获得包括空间位置等更详细的信息,有助于后续的分析系统作出正确的判断,降低误判率。
    留言咨询
  • 红外探测器制造厂商: 美国 Infrared Associates有各种标准的碲化汞和锑化铟红外探测器,以及覆盖1至25微米波长范围的定制设备 红外探测器(Infrared Detector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外辐射是波长介于可见光与微波之间的电磁波,人眼察觉不到。要察觉这种辐射的存在并测量其强弱,必须把它转变成可以察觉和测量的其他物理量。一般说来,红外辐射照射物体所引起的任何效应,只要效果可以测量而且足够灵敏,均可用来度量红外辐射的强弱。现代红外探测器所利用的主要是红外热效应和光电效应。这些效应的输出大都是电量,或者可用适当的方法转变成电量。红外探测器的基本原理是,将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外辐射是波长介于可见光与微波之间的电磁波,人眼察觉不到。要察觉这种辐射的存在并测量其强弱,把它转变成可以察觉和测量的其他物理量。一般说来,红外辐射照射物体所引起的任何效应,只要效果可以测量而且足够灵敏,均可用来度量红外辐射的强弱。这些HgCdTe和InSb探测器提供多种冷却方案,包括:液氮、斯特林闭式循环和热电冷却器。 InfraRed Associates还提供一整套配件,以补充探测器。InfraRed Associates 产品1.锑化铟探测器—InSb Detectors2.碲镉汞–HgCdTe (MCT) 探测器3.热电冷却导碲镉汞探测器–Thermoelectric Cooled HgCdTe (MCT)4.液氮冷却的碲镉汞探测器–LN2 Cooled HgCdTe Detectors5.常温碲镉汞探测器–Room Temperature HgCdTe6.锑化铟/碲镉汞双色红外探测– InSb/HgCdTe 2-color7.阵列—Arrays8.象限阵列碲镉汞–Quadrant Arrays HgCdTe9.标准包10.斯特林冷却探测器–Stirling Cooled Detectors11.前置放大器— Pre-Amplifiers 12.配件
    留言咨询
  • NLIR(非线性红外传感器)公司是由丹麦技术大学(DTU Fotonik)光子学工程系的3名研究人员和NLIR的首席执行官创立的一家初创公司,隶属于Nynomic集团。该公司基于新颖的上转换专利技术,开发了中红外光谱仪、单波长探测器和光源等一系列产品。相较于传统的红外光谱仪,NLIR公司的同类产品具有快几个数量级的光谱扫描速度和更高的灵敏度。上转换技术的核心是可将中红外光转换为近可见光的非线性晶体。这使得可以使用快速高效的硅基传感器来检测中红外(MIR)光。非线性中红外光谱仪的实现代表了一种新测量范式。该公司被命名为非线性红外传感器(NLIR),以突出与当今领先的傅里叶变换红外光谱(FTIR)的MIR光谱方法的技术差异。NLIR公司开发的产品可广泛应用于中红外光谱领域,如光谱测量、光学镀膜、激光系统诊断、光纤光谱探针(样品检测)、实时工业过程监控、颜色识别、快速事件光谱分析、弱光光谱测试、自由空间光通信等。 中红外探测器面临的最大挑战通常是大量的固有噪声,并且它们从周围环境中收集大量噪声。NLIR单波长探测器通过使用窄带和高效的上转换技术以及低噪声硅基探测器来突破这两个限制。处理细节在即插即用探测器模块中完成,其中红外信号与NLIR的高功率泵浦激光器混合,以产生可被各种高响应硅基探测器检测到的近可见信号。如果客户不需要超弱光信号检测,NLIR还提供宽带解决方案搭配中红外探测器使用,这些解决方案会降低效率,但适配客户的宽带光源,并可产生高速和低噪声的中红外信号。 NLIR先进的中红外探测器产品可以满足客户对小信号和快速信号的探测需求。 产品特点-高达10 GHz的电气带宽-2.2–5.0 μm中心波长-高达GV/W响应-自由空间或光纤耦合输入-即插即用,内置前置放大 应用领域-脉冲表征-快速事件分析-超低电平信号提取-自由空间光通信-遥感-QCL和OPO光束分析 测量中红外纳秒脉冲来自NKT Photonics MIR紧凑型超连续谱源的光,以40 kHz发射5 ns脉冲,覆盖2 μm至4.2 μm的光谱,使用两个不同的点探测器进行测量。MIR 单色器选择波长为 2.4 μm 的 20 nm 带宽,输出耦合到 200 μm 的 MIR 光纤。光纤的输出依次发送到两个探测器中的每一个:NLIR 240 MHz 2.4 μm 单波长探测器(衰减为 50 dB)和市售的 9 MHz InAsSb 探测器,可直接曝光。图显示了两个探测器的响应。产品参数 型号D2250-DCD2250-2MD2250-100MD2250-240MD2250-1GD2250-10G中心波长(μm)2.2-5.0 (调谐可选2.7-4.3 μm)光学带宽(1),(2)(nm)15-200电气带宽,3dB(Hz)DC-20DC-2×106103-1006103-240×106103-1×10920×103-109噪声等效功率(W/√Hz)10×10-153×10-130.5×10-120.5×10-122×10-121×10-9最小探测功率(3)(W)45×10-154×10-105×10-98×10-96×10-8100×10-6交流电响应(4)(V/W)NA20×106600×103300×1033×103120直流电响应(4)(V/W)200×10920×106NANANA50暗噪声标准差(mV)93.56446输出电压,限阻50Ω(V)104.71.51.510.45抬升时间(10%-90%)(ns)NA1703.41.410.340.034输入接口类型(5)SMA光纤接头(可拆卸用于自由空间光输入)偏振方向垂直最佳输入光斑尺寸(mm)0.5(可定制)最大操作温度(℃)30尺寸(高×长×宽)(mm3)100×306×200重量(kg)5封装4×1英寸支柱(1)最小带宽取决于中心波长,中心波长越长,最小带宽越大;(2)带宽可根据要求选择:更宽的带宽会降低响应值;(3)最小功率是在全电气带宽情况下测得;(4)该参数是在中心波长为3.5 μm的最小光谱范围条件下获得;(5)使用数值孔径(NA)为0.26的200 μm光纤可获得较好测量结果。
    留言咨询
  • Bolometer探测器 400-860-5168转2831
    BOLOMETER探测器Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感,主要用于10至5000μm(30THz至60GHz)的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻,进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化,这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化,所以入射辐射必须经过调制,这允许Bolometer被能量激发和释放,从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素,如果需要,这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer系统都安装在IRLabs的HDL-5型号液氦杜瓦瓶中,带有液氮冷却辐射屏蔽。4.2K系统的标准灌装间隔时间大于20小时,1.6K型号的标准灌装时间大于10小时。Bolometer探测器配有红外光收集锥组件、真空密封楔形窗、视场挡板和低噪声电子设备。并且,Bolometer系统可配红外截止滤光片或手动操作的2或3位置滤光片转轮。远红外长波通截止型滤波器,波长范围从10um到285μm。如果您的应用需要更长的保持时间、双探测器或更多的滤波器位置等,我们可以提供定制设计的系统,以满足您的个人需求。欢迎对定制设计提出特殊要求。应用领域:■ 傅里叶变换红外光谱 ■ 分子束光谱 ■ 强磁场研究 ■ 太赫兹探测关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。
    留言咨询
  • 亚太赫兹超快探测器 TeraSense公司简介: TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商,主要产品包括:低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队,包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位,代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果,并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。 产品介绍: TeraSense生产出了超快亚THz辐射探测器。它在0.05 - 0.7THz的带宽范围,具有亚纳秒响应时间,以及很高的敏感度。为了满足客户的需求,可以对设备的尺寸和输出连接器进行调整。 TeraSense的超快探测器的响应时间,始终少于150 ps。探测器可以在0.1- 3THz的频谱范围内,被200 nJ,1 ps 激光脉冲激发,并且它的响应会被高速示波器记录下来。由于可以测量很短的响应时间,我们的探测器可以直接用于研究THz科学和电子通信的快速瞬变过程。技术参数: 响应时间: 150 ps 频谱范围: 0.05 THz - 0.7 THz 响应率 (典型值): 1 V/W 噪声等效功率 : 1 nW/Hz0.5 被动工作方式(无需电源) 敏感区域:3 × 3.5 mm 紧凑型: 23 x 29 x 6.5 mm 产品应用: 虽然其频率响应不是连续的,而是由多个频段组成的,TeraSense探测器仍然在很宽的频率范围内有很高的灵敏度。在生产阶段,响应率曲线的峰值位置可以进行调整,以满足客户的需求。 我们的超快高灵敏度亚THz探测器可以用来探索快速变化和瞬态亚THz信号和脉冲。Terasense超快探测器是表征,校准和调谐脉冲亚THz源的理想工具。
    留言咨询
  • PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉(MCT)探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点:&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用:&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数:像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz(请联系PhaseTech了解更高的帧速率)比检测率(D*)4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声(1σ)*10次计数,超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸(21.6 x 10.2 x 25.9厘米) 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数(1000次拍摄时为1σ)垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比,信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸,直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序,可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf
    留言咨询
  • Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点:1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间:15 ps - 500ps3.带宽:highest达25 GHz4.光谱范围:170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用:1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号:快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器,上升时间15ps,带宽25 GHz,光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入, FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数,请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。
    留言咨询
  • 这款新型霍尼韦尔 Searchzone Sonik 凭借其强大且可靠的气体泄漏探测装置,可有效“监听”探测区域内任何高压气体的泄漏。Searchzone Sonik 是一款通过 SIL 2 认证的用于危险区域的先进超声波气体泄漏探测器,能够对任何加压气体泄漏产生的超声波声压级作出反应,因此不受环境状况的影响。超声波气体泄漏探测器产品优势 &bull 应用广泛,且在各种工作环境中都能提供可靠的气体泄漏探测结果其固态传感器完全密封,隔绝湿气和污染物,因此即使在较恶劣的环境和天气状况下,Searchzone Sonik 也能识别气体泄漏。&bull 降低误报风险凭借背景噪音检测系统,该探测器拥有强大的灵敏度,不会因任何过程或维护活动出现误报。&bull 提高移动性且易于使用在 20 米(65 英尺)范围内,您都可通过智能手机对 Searchzone Sonik 进行测试和置信度检查。&bull 极大限度降低拥有成本并节省时间Searchzone Sonik 易于安装、调试和维护,而且通过专用的移动应用程序,瞬间就可以实现设备连接。&bull 紧急情况下反应可靠Searchzone Sonik 的安全等级为SIL2,适用于需要紧急停机和其他自动控制的应用。&bull 防止火灾、爆炸和毒气泄漏通过识别高压气体泄漏,Searchzone Sonik 支持自主行动以避免可能危及工人生命和企业资产完整性的致命危险。超声波气体泄漏探测器技术参数 超声波气体泄漏探测器应用与工作环境&bull 生产勘探船、井口装置、压缩机、计量滑道、阀门&bull 存储泵、阀门、密封装置&bull 收集与处理压缩机、处理厂、涡轮机、气体安全阀&bull 输配工程压缩机、管道、 计量站、阀门
    留言咨询
  • 三波段红外火焰探测器 MIC-200-IR3MIC-200-IR3三波段红外火焰探测器是一种质量可靠的高效能火焰探测器,它运用先进的火焰分析和识别技术,能快速响应火灾中的红外辐射,且具有最高的误报免疫力。MIC-200-IR3探测器内含三个窄带红外传感器(4-6微米)和光学过滤器,对二氧化碳发射光谱(4.4微米)具有较高的灵敏度,能有效排除干扰,实现更远距离地有效探测火焰。三波段红外火焰探测器特点:1、 由三波长红外探测原理研发,对误报具有极高的免疫力 2、 高速响应火焰 3、 内置高性能微处理器 4、 优异的抗射频和电磁干扰性能 5、 可靠的系统故障自诊断功能 6、 三线电流环和继电器两种输出方式可选 7、 专利信号处理算法,最大程度消除误报的可能性 8、 多级灵敏度设置,满足更多场合的不同需求 9、 安装方便,探测角度可360°调节 10、 ExdⅡ CT6防爆等级,适用于1区和2区危险场所。三波段红外火焰探测器参数:工作电压: DC24V电压范围: DC18~30V工作电流:≤30mA,报警≤45mA光谱范围: 4-5um,三个IR传感器视角范围: 90°探测距离: 燃烧物 火源大小 探测距离正庚烷 0.3m×0.3m 50米汽 油 0.3m×0.3m 50米柴 油 0.3m×0.3m 45米煤 油 0.3m×0.3m 45米酒 精 0.3m×0.3m 45米甲 烷 0.5m×0.2m 30米纸 张 0.3m×0.3m 30米响应时间:5-10s 不同介质的响应时间不一样灵敏度等级: 5级灵敏度(通过遥控器设定)信号输出: 4~20mA三线制输出故障 ≤3mA,正常 5mA,报警 15mA继电器型 2路继电器(火警、故障)常开触点输出,触点容量30V,3A工作温度: -40℃~70℃工作湿度: ≤95%RH (不结露)电磁兼容及环境试验: 符合国家GB16838标准要求,应用于高温、高盐、高温和低温等环境。抗点瞬变、浪涌电压干扰、抗静电干扰防爆认证: ExdⅡCT6/DIP A20 TA,T6防护等级: IP 66壳体材料: 铝合金,表面防腐漆喷塑电气接口: M20X1.5mm满足标准: GB15631-2008,GB3836-2000系列重 量: 1.7kg
    留言咨询
  • 探测器 400-860-5168转2255
    探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品,能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数,如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷(InGaAs)光电二极管,磷化镓 (GaP)光电二极管,硅(Si)光电二极管, 和锗(Ge)光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管,它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管,两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管,波长范围从1200到2600纳米,能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71,它是一种磷化镓(GaP)光电二极管,它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的,从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管,有库存随时发货,包括一种铟镓砷(InGaAs)、两种硅(Si)和两种锗(Ge)光电二极管。校准特性:在光电二极管的整个光谱范围内,每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此,您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异,但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度,并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05(Ø 0.535英寸-40)和SM1(Ø 1.035英寸-40)外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头(SM05PD系列)或BNC接头(SM1PD系列)提供的。该光电二极管可分为A型(阴极接地)或B型(阳极接地)布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管,设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性,是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管,用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化,以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤:FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤,780-970纳米,芯径5微米,数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP,单模光纤,610-770纳米,芯径4微米,数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤,320-1000纳米,芯径62.5微米,数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射,同时单模光纤也能抑制模式干扰(也称为MPI-多路径干扰),是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要,可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外,光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器,以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动,传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米,然而,我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同,横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息,与光斑形状,尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值(300微伏有效电压),对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关,表示为以下方程,这里,&Delta R是分辨率,Lx是探测器长度,9毫米,en是输出噪声电压,300微伏有效电压,Vo是总输出电压水平,4伏特最大值因此,对于最高功率水平,分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装,提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和,结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的(NIST标定)和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口,能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口,这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型,硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感,最高灵敏度在500纳米(见图1)。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲,然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号,可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息,请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度,使之降低到环境温度以下,那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择,SPCM20A 和 SPCM50A,其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹,能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路,从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子,取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米,而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置:手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息,请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围:280&ndash 630纳米,或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益:阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔,用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变(0-1.8伏直流)电源(不包括)Thorlabs提供两种光电倍增管模块,结合了一个端窗型光电倍增管(PMT),外壳,以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器:PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围,PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极,与PMM02(点击规格标签了解详细信息)相比,它具有更高的增益,&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更低的暗电流,但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配,双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下,PMM02具有半透明的多碱(S20型)光电阴极,具有&lambda 500纳米时更高的量子效率,和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路,消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块,Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小,以及触电的风险。此外,该PMT模块由± 12伏直流电源(包括120伏和230伏插接适配器)和0&ndash 1.8伏的可变直流电源(不包括在内)供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹,可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E(8-32至M4)适配器。此外,在该模块的正面有4个4-40螺纹孔,使其与我们的30毫米笼式共轴系统 (点击笼式兼容性标签了解更多信息)兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖,该模块带有的SM1兼容内孔,可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此,成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外,使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器,这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应:185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管(PMT)模块设计使成像系统,如我们的激光扫描必备套件,更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测,并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽,这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1(1.035英寸-40)螺纹,可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直,可以和附带的滤光片立方插件配合使用,该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块(PMTSS2-SCM),该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户,我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹,可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线,用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的,该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米,高灵敏度型号185-900纳米,标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通:440 ± 40纳米带通:525 ± 50纳米长通:600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管(PMT)单元,用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带,标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个(PCU1B)或者两个(PCU2B)高灵敏度低噪声PMT模块(详细信息请看表格)。双PMT单元(PCU2A或者PCU2B)是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择,因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片,能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间,或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片,请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机,以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备,提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用,我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入,可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机,C形安装 CCD相机,C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性(CG和AG)偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围,以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地(CG)以及阳极接地(AG)光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列,我们的光电流放大器符合RoHS标准,此外,还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。
    留言咨询
  • 短波线阵探测器 400-860-5168转6159
    产品特点 应用领域高灵敏度InGaAs线阵探测器 工业检测1024x1线列规格、12.5um像元间距 医疗、科学成像光谱响应范围0.9um~1.7um 高光谱成像14x2pin 陶瓷管壳封装 激光光斑成像两路模拟视频输出 垃圾分拣有效像元率≥99% 搜救遥感量子效率≥70% 半导体检测 性能指标探测器类型铟镓砷光谱响应0.9±0.1μm ~ 1.7±0.1μm分辨率1024 x 1像元尺寸12.5μm x 12.5μm像素可操作率≥99%量子效率≥70%响应非均匀性<6%功能指标最短积分时间 5μs输出通道个数 512×1(单通道)、1024×1(双通道)通道增益电容16档,6.4fF~2.1pF 模拟输出范围1.8V(设计值)信号读出方式Snapshot;CDS 模式工作;积分再读出(ITR);积分同时读出(IWR) 数据输出速率18MHz典型值;22MHz最高值电源特性电源3.6V±0.05V物理特性封装形式28-pin DIP陶瓷封装(金属管壳封装可选) 工作温度-40℃~+50℃重量≤10g外形尺寸19.5mm x 40.0mm x 3.9mm(不含DIP插针长度)结构尺寸图管脚定义图
    留言咨询
  • 德国Alphalas公司创建于1997年,主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有:分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器,超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒,光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中,使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲,因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作,或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性,能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列:可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出,可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式,非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。
    留言咨询
  • DUMA 位敏探测器 SpotOn USB 2.0既可测光束位置,又可测功率最大可测直径:9mm功率范围:10uW-2.5mW(无衰减片时)位置分辨率:0.1微米精度:±25um或±1um波长范围:350nm-1100nm型号SPOTUSB-LSPOTUSB-LSPOTUSB-QSPOTUSB-U探测器采用Lateral Effect PnP探测器,10×10mm,有玻璃罩采用Lateral Effect PnP探测器,9×9mm,无玻璃罩采用Four Quadrant PnP探测器(30um间隙),10×10mm,无玻璃罩采用Four Quadrant PnP探测器(10um间隙),10×10mm,有玻璃罩探测器尺寸10×10mm9×9mm10×10mm10×10mm位置精度±25μm±12.5μm±1μm, ±0.025% of beam size±1μm, ±0.025% of beam size光谱范围350-1100nm功率范围10μW-10mW功率精度±5%接口类型USB2.0相关词:位置灵敏探测器,PSD位敏探测器,PSD,position sensitive detector,duma,ccd位敏探测器,位敏探测系统应用: 激光准直 光学系统品质监控 目标物旋转和位移测量 平面度校准 机床准直工具 振动、运动、缺陷的监控
    留言咨询
  • 德国总部直接采购,原厂产品,采购货期短,支持选型,为您提供一对一解决方案:赫尔纳贸易(大连)公司在中国设有8个办事处,可为您提供维修售后服务。 一、法国ELVEFLOW 公司介绍法国Elveflow自2012年以来我们一直致力于制造优质的微流体处理仪器,至今为止,我们已经科研和工业用户提供多达2,000套系统。我们的产品是围绕畅销的OB1流量控制器构建,包括液体处理的全套部件。我们的仪器可以同时使用我们的软件和软件开发包进行控制,实现您的系统完全自动化。我们仪器具有模块化的,可升级的特点,提供标准和OEM的版本。产品有用于微流体的单通道压力泵,多通道压力真空控制器,旋转分配阀,流量开关,阀门及阀门控制器,流量传感器,压力传感器,传感器读取器,气泡探测器,储液管及适合微流体的成套系统。二、 MBD微流体气泡探测器法国Elveflow 的MBD微流体气泡探测器用于检测透明管道内是否存在流体,并向另一台仪器发出信号以采取相应措施:例如停止、等待一段时间、允许足够的流量充满管路或重置传感器。MBD 微流体气泡探测器用于气泡监测和液体界面检测,其性能: 与相机相比,成本低 基于真/假逻辑 非侵入式技术 防止气泡破裂损伤细胞 微流体气泡探测器有两种不同的外壳,适合与外径为1/16″或者1/4″外径的管线一起使用MBD气泡探测器的应用: 气泡检测 液位传感 血液处理设备 与患者相连的医疗设备 基于空气检测的双向再循环赫尔纳贸易020线上线下的融合发展欧洲工业品发展新趋势:线上 : 赫尔纳贸易(大连)有限公司 --欧洲设备备品备件业务 .赫尔纳德国(Heilna Trade GmbH)-负责欧洲供货商联络、拼单发货.线下: 大连力迪流体控制技术有限公司及8个办事处.可以向用户提供产品选型、工程设计、安装、调试及阀门维修业务服务商。
    留言咨询
  • 位敏探测器(PSD) 新势力光电供应位敏探测器(PSD),是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件,将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号,以实现位置探测。Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)Type No.Active areaRise time DimensionsChipPackageSizeArea865nm 10V 50&Omega mmmm2nsOD3.5-6SO83.5× 13.5200singleOD3.5-6SMD3.5× 13.5200singleOD6-6SO166× 16200singleOD6-6SMD6× 16200singleDL16-7CERpin4× 416500dual a× isDL16-7CERsmd4× 416500dual a× isDL16-7LCC10G4× 416500dual a× isDL100-7CERpin10× 101004000dual a× isDL100-7CERsmd10× 101004000dual a× isDL100-7LCC10G10× 101004000dual a× isDL400-7CERpin20× 204004000dual a× isDL400-7CERsmd20× 204004000dual a× is相关商品雪崩二极管(APD) 光电二极管(PIN) 四象限探测器(QP) 光电二极管模块
    留言咨询
  • 超快探测器 ALPHALAS 400-860-5168转1545
    超快光电探测器产品简介: ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。 完美的阻抗匹配和最先进的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点: 超高速运行 上升时间:15 ps - 500ps 带宽:最高达25 GHz 光谱范围:170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用: 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量UPD系列:型号上升时间(ps)带宽(GHz)光谱范围(nm)量子效率光敏面 (Dia. μm/mm2)噪声相对功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型输入接口UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacleSMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber,9μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 1506) 0.4800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 0.3800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P750000.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3)750000.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC
    留言咨询
  • 火焰探测器 400-803-3696
    火焰探测器 UVTRON是一款紫外ON/OFF传感器管,利用了金属的光电效应和气体放电的电流倍增效应。它具有从185nm到300nm的极窄的灵敏度宽度,并且对可见光完全不敏感。因为利用了放电现象,它可以获得很高的灵敏度和足够大的输出,从而通过简单的电路就可以实现高灵敏度和快速响应的紫外探测。UVTRON能可靠地探测火焰的微弱紫外发光,从而可以将其理想地应用在火灾报警器,纵火监视,燃烧器的燃烧监控设备中。UVTRON还能用于探测诸如高压输电线路的放电等现象中。产品实例:产品图像产品型号产品名称短波限长波限 R2868火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nm R9454火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nm R9533火焰探测器(UVTRON)185 nm260 nmR2868参数:详细参数 短波限 185 nm 长波限 260 nm 电极材料 Ni 重量 约1.5 g [最大速率]供给电压(直流) 400 V [最大速率]平均放电电流 1 mA [最大速率]峰值电流 30 mA [最大速率]工作环境温度 -0.333333333 ℃ 开始放电电压(直流) 280 V 连续放电电压(直流) 240 V 灵敏度(典型值) 5000 min-1 背景值(最大值) 10 min-1 平均寿命 10000 h [推荐工作参数]供给电压(直流) 325 +/- 25 V [推荐工作参数]平均放电电流 0.3 mA [推荐工作参数]灭弧时间(最小值) 2 ms
    留言咨询
  • 红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合,可以实现多种类型,涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息!热电堆探测器 为了满足多种应用的需求,我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域,比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型,具有更高的信噪比,广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器,可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术,在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器,在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型:液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器,光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱(双色)探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用,沿着统一光轴,一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽,为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性,光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度,可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。
    留言咨询
  • 波长敏感探测器(WS) 新势力光电供应波长敏感探测器(WS),利用特定波长在硅基材料的辐射吸收深度来实现。硅晶体两个相互垂直的p-n结的结构特征,特别适合于单色光的波长检测。Wavelength sensitive diodes (particularly suitable for monochromatic light)Type No.Dark currentRise time Diode 1Rise time Diode 2ChipPackage5V0V 1k&Omega 0V 1k&Omega nAnsnsWS7.56(Discontinued)PCBA10100001000WS7.56TO510100001000WS7.56TO5i5100001000相关商品光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 光电管接收模块 光电管放大器
    留言咨询
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制