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半导体激光治仪

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半导体激光治仪相关的论坛

  • 【转帖】He-Ne激光器与半导体激光器

    半导体激光器又称激光二极管(LD)，是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低，此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用。 在气体激光器中，最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好，光束发散角小，可以连续工作，所以这种激光器的应用领域也很广泛，是应用领域最多的激光器之一，主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大，启动和运行电压高，电源复杂，维修成本高。

  • 半导体激光器的优点和缺点

    半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。

  • 半导体激光器的优点和缺点有哪些？

    [font=&]半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展[/font][font=&]的最新成果之一。[/font][font=&]半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激[/font][font=&]光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光[/font][font=&]器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被[/font][font=&]半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波[/font][font=&]长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。[/font][font=&]早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之[/font][font=&]间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，[/font][font=&]目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多[/font][font=&]数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，[/font][font=&]在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。[/font]

  • 氦氖激光器与半导体激光器的性能有何差异？

    [font=宋体]同样作为激光器，氦氖激光器稳定性比普通半导体激光器的稳定性更高，主要原因在于激光器受温度影响，激光波长会发生偏移，氦氖激光器的温度稳定度相比半导体激光器更稳定，受环境影响更小。[/font]

  • 【讨论】谈半导体激光打标机寿命问题

    有关于半导体激光打标机寿命的问题，具体都没有明确的时间。如果是打单个的你说的那样的图案，如雾灯。半导体激光打标机寿命在1年半到2年半之间，与激光机的整体品质及使用与维护有关，打标一个汽车按键，打文字需要1--6秒之间， 打标的图案2-18秒，与图案填充密度有关。激光打标机里面的一个激光模块，理想使用寿命是1W小时（此数据是由激光器生产厂家提供），按照每天正常上班时间的话基本可以用个3 4年，至于半导体激光打标机其他部件都是电子器件集成，使用寿命视你具体使用情况而定，电子器件都会随时间及你的使用慢慢老化！如果设备保养好的话也许用个上10多年都没什么问题。至于激光打标机寿命有多长，取决于个人保养。

  • 半导体激光器自动温度控制设备配件故障解决办法

    半导体激光器自动温度控制中配件比较多，不同的配件在运行中如果使用不当的话，就会造成半导体激光器自动温度控制配件故障，如果发生故障，改怎么解决呢？　　半导体激光器自动温度控制压缩机结霜，可能是循环水流通或阀未打开，检查水阀，所有管路，保证畅通，加装短路管道。可能是循环水管道配置过小，加大循环水管直径，保证水循环正常。　　半导体激光器自动温度控制循环水箱内结冰可能是设定温度过低更正设定值；可能水箱内水无循环水，在冷冻水出口和进口之间短接一条循环水路；可能是温控表失控，更换温控表 高压故障 散热不良，散热器过脏，清洗散热器 能风不好，改善通风条件 散热风机不工作，检查风机马达是否烧坏短路维修或更换电机马达；高压擎损坏，更换高压擎； 制冷不良，冷媒不足或管道漏媒，补充冷媒或检漏后补焊，抽真空再补充冷媒 散热不良，散热器过脏、散热水阀门未打开或打开太小，将散热器清理干净，将阀门全开。　　半导体激光器自动温度控制水泵故障可能是半导体激光器自动温度控制水泵电机线圈短，断路，修理电机线圈或更换电机，如果是水泵过载保护器自动跳开，将保护器的电流限数在允许的范围内适当调高半按下复位键。　　半导体激光器自动温度控制温按表温度显示数字上下跳动可能是温控表损坏，修理或更换温控表，可能是感温线接触不良，修理或更换感温线，可能是感温线及测温体有污，将测温体擦干净。　　半导体激光器自动温度控制压缩机故障可能是压缩机线圈短，断路，更换匹配的压缩机，压缩机过载保护器自动跳开，将保护器的电流限数在允许的范围内适当调高并按下复位键。　　半导体激光器自动温度控制的配件要想避免一些故障的话，建议平时多多保养半导体激光器自动温度控制的有关说明，做好保养工作。

  • 【我们不一YOUNG】+可调谐半导体激光器吸收光谱监测气体技术应用

    可调谐半导体激光器吸收光谱（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy）技术简称 TDLAS 技术，该技术是根据气体选择吸收理论为基础，即不同的气体只对特定波长范围内的光进行吸收，利用可调谐半导体激光器可以输出窄带激光的特点，波长可以通过电流和温度控制调谐的特点，将激光器输出波长控制在待测气体吸收波长附近扫描输出。这样在激光透射气体前后会产生光强差，只需测得这个光强差即可获得气体浓度信息。这种技术可以实现对甲烷气体的在线实时测量，并且由于每种气体的吸收波长峰值不同，因此在检测单一气体浓度时不容易被其他气体干扰，灵敏度较高，分辨率较高，并且由于近年来半导体激光器的发展，可做到检测装置的小型化，为该技术在实际生产生活中的应用提供了便利条件，有相当广阔的发展应用前景。

  • 【分享】科学前沿－－宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破

    863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破，在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射，所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。该成果由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的合作研究团队，经过将近一年的艰苦研发，攻克高质量增益区材料的生长、高反射介质膜分布布拉格反射镜的制作和蓝宝石衬底剥离等关键技术难题后得以实现。所使用的增益区是研究团队自主设计的由纳米级尺寸氮化物量子阱材料构成的新型特殊结构，利用该结构容易获得光场波峰与增益区峰值高的匹配因子，使激射阈值降低了一个量级。激光剥离后氮化物材料的表面平整度小于几个纳米，可以直接沉积反射镜，免除了减薄抛光工艺，简化了制作过程。该研究得到激射峰值波长449.5纳米，激射阈值6.5毫焦/平方厘米，半高宽小于0.1纳米。以上结果在国际上处于前沿先进水平。氮化物面发射激光器在激光显示、激光照明、激光高密度存储、激光打印，水下通信等方面有着广阔的应用前景。该成果为进一步研制实用化氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。来源：科技部

  • 长春光机所在低发散角半导体激光器芯片技术上获得突破

    2W，斜率效率0.531W/A，快、慢轴发散角被降低到7.5o和7.2o，出光光斑近圆形 (如图2)。 该类器件结构不仅可以用于量子阱激光器，还可以拓展到不同波长、不同增益介质的半导体激光器，如量子点、量子级联激光器等，这可以从芯片结构角度彻底改变半导体激光器发散角大而不对称的缺点。该器件核心结构已经申请国家发明专利4项，目前，研究人员正在抓紧时间优化工艺，进一步提高器件的性能，努力实现实用化。http://www.cas.cn/ky/kyjz/201211/W020121102346159410465.png图1. (a)半导体激光器结构示意图及典型远场图，(b)布拉格反射波导激光器结构示意图。http://www.cas.cn/ky/kyjz/201211/W020121102346159426694.png 图2. (a)808nm 布拉格反射波导激光器L-I-V特性，内插图为激射谱，(b) 3A工作电流下的远场发散角，内插图为测量的二维远场光斑图。

  • 激光诱导荧光光谱的构建：弱荧光半导体性能初探

    激光诱导荧光光谱的构建：弱荧光半导体性能初探

    [align=center][b][font=黑体]激光诱导荧光光谱的构建：弱荧光半导体性能初探[/font][/b][/align][align=center][font=宋体]魏[/font][font=宋体]巍[/font], [font=宋体]朱倩倩，李莉，李军，李艳肖[/font][/align][align=center][font=宋体]江苏大学[/font][font=宋体]分析测试中心[/font], [font=宋体]江苏[/font] [font=宋体]镇江[/font] 212013[/align][b][font=黑体]摘[/font][font=黑体]要[/font]: [/b][font=宋体]通过激光诱导荧光光谱测试模块的搭建，利用激光诱导荧光光谱对氧化钛、多氧酸盐等半导体固体材料的稳态荧光测试手段，通过多组分调控稳态荧光强度，发现光催化材料的协同作用影响荧光强度，为新型光催化材料体系筛选提供理论指导。将检测模块扩大到物理、化学、生物、医药和材料科学等研究领域。作为学校公共服务平台，支撑了学校的物理、化学、材料、环境等学科的发展。[/font][b][font=黑体]关键词[/font]: [/b][font=宋体]激光诱导荧光；弱荧光[/font][font=宋体]；荧光光谱；测试[/font][align=center][b]Construction of laser induced fluorescence spectrum module:Study on properties of weak fluorescence semiconductor[/b][/align][align=center] WEI Wei, ZHU Qian-qian, LI Li, LIJun, LI Yan-xiao[/align][align=center]Analysis &Testing Center, Jiangsu University,Zhenjiang 212013, China[/align][b]Abstract:[/b]Through the construction oflaser-induced fluorescence spectroscopy test module, laser induced fluorescencespectroscopy was used to test steady-state fluorescence of semiconductor solidmaterials such as titanium oxide and polyoxate. Through multi-componentregulation of steady-state fluorescence intensity, it was found that thesynergistic effect of photocatalytic materials affects the fluorescenceintensity, providing theoretical guidance for the screening of newphotocatalytic material systems. The detection module will be expanded to theresearch areas of physics, chemistry, biology, medicine and materials science.As a public service platform for the school, it supports the development ofphysics, chemistry, materials, environment and other disciplines of the school.[b]Key words:[/b] Laser inducedfluorescence Weak fluorescence Fluorescence spectrum test[font=宋体]众所周知，荧光光谱（[/font]Photoluminescence Spectroscopy[font=宋体]）是研究材料的电子结构和光学性能的有效方法，特别是对于一些缺陷的判断，并且能获得光生载流子的迁移、捕获和复合等信息。分析测试中心的稳态瞬态荧光测量系统中的稳态荧光模块由激发光源、单色器、试样池、光检测器及读数装置等部件组成。采用的激发光源为[/font]75W[font=宋体]的氙灯。该灯通常具有较宽的连续输出波长范围，在稳态荧光光谱仪上的应用最多，通常对于分子荧光检测以及光致发光材料的检测都具有较好的信号，系统信噪比一般为[/font]6000:1[font=宋体]，最高可达[/font]10000:1[font=宋体]，采样频率：[/font]50000[font=宋体]点[/font]/[font=宋体]秒～[/font]1[font=宋体]点[/font]/100[font=宋体]秒，波长范围从紫外到近红外[/font]185 [font=宋体]～[/font] 1700nm[font=宋体]，样品所处的环境温度可调变温条件下荧光测量[/font]77[font=宋体]～[/font] 320K[font=宋体]。在稳态光谱测量中，通过使用光子计数技术，提供最高的微弱信号检出能力，可对荧光物质进行定性检测和定量分析。但是对于荧光信号较弱的半导体固体材料，由于弧光灯光源经单色器分光后，其光强较弱相应发射谱信号也较弱，这时[b][u]很难探测到半导体固体材料的微弱荧光信号[/u][/b]。[/font][font=宋体]光催化材料作为当今国际材料研究领域中的重大科学前沿存在亟待解决的诸多问题，如：由于缺少光催化材料设计理论，认识不足，导致高效光催化材料开发研究进展缓慢。在光催化及光伏材料研究中，对于光诱导电荷分离及其迁移过程的深入认识是一个非常关键的科学问题。通过研究半导体光催化材料的荧光衰减动力学信息，对于理解纳米尺度电荷及能量的传输过程都异常重要。[/font][b] 1[font=宋体]研究背景[/font]1.1[font=黑体]选题背景[/font][/b][font=宋体]江苏大学分析测试中心于[/font]2009[font=宋体]年[/font]12[font=宋体]月购置美国[/font]Photon Technology International[font=宋体]公司（现被日本[/font]HORIBA[font=宋体]公司收购，致力于高性能荧光光谱测量技术和系统的研发与生产）所生产的高级稳态瞬态荧光测量系统（英文名称：[/font]QuantaMaster & TimeMasterSpectrofluorometer[font=宋体]，产品型号：[/font]QuantaMaster[sup]TM[/sup]40[font=宋体]）。该系统是一套高性能荧光光谱测量系统，用于测试材料的激发发射光谱、磷光[/font]/[font=宋体]荧光寿命、量子化产率、变温及显微荧光测试。主要应用于物理、化学、生物、医药和材料科学等研究领域荧光性能测试。作为学校公共服务平台，该测试系统服务江苏大学相关研究团队的光催化剂的荧光性能分析和评价，近[/font]3[font=宋体]年（[/font]2015[font=宋体]年至[/font]2018[font=宋体]年）支撑学校光催化领域发表[/font]SCI[font=宋体]论文[/font]303[font=宋体]篇，含[/font]16[font=宋体]篇高被引论文，总被引频次达[/font]3579[font=宋体]，在[/font]web of science[font=宋体]中以“[/font]photocatalyst”[font=宋体]（光催化）关键词检索，江苏大学位列全球发文量排名第二位，促使江苏大学在国际光催化领域的发展，支撑了学校的物理、化学、材料、环境等学科的发展（工程学、材料科学、化学、农业科学进入[/font]ESI[font=宋体]排名全球前[/font]1%[font=宋体]），为荧光光谱在若干新型光催化材料设计中的应用提供了重要的理论基础和工艺参数，达到国内领先水平。[/font][font=宋体]与此同时，光催化材料作为当今国际材料研究领域中的重大科学前沿存在亟待解决的诸多问题，如：由于缺少光催化材料设计理论，认识不足，导致高效光催化材料开发研究进展缓慢。在光催化及光伏材料研究中，对于光诱导电荷分离及其迁移过程的深入认识是一个非常关键的科学问题。通过研究半导体光催化材料的荧光衰减动力学信息，对于理解纳米尺度电荷及能量的传输过程都异常重要。伴随着校内样品体系的多样性和测试要求的可选性，运行近十年的稳态瞬态荧光测量系统面临着前所未有的升级挑战。[/font][b]1.2[font=黑体]拟改进的问题[/font][font=宋体]如何探测半导体固体材料的微弱荧光信号[/font][/b][font=宋体]由荧光的发光原理可知，分子荧光光谱与激发光源的波长无关，只与荧光物质本身的能级结构有关，所以，可以根据荧光谱线对荧光物质进行定性分析鉴别。照射光越强，被激发到激发态的分子数越多，因而产生的荧光强度越强，测量时灵敏度越高。一般由激光诱导荧光测量物质的信号比由一般光源诱导荧光所测的灵敏度提高[/font]2~10[font=宋体]倍。利用激光光源强度大，单色性好的特点，可以大大提高荧光测定的灵敏度和检测限，以激光为光源的荧光检测技术被称为[b][u]激光诱导荧光光谱（[/u][/b][/font][b][u]Laser-Induced Fluorescence Spectroscopy, LIF[font=宋体]谱）[/font][/u][font=宋体]。[/font][/b][font=宋体]激光诱导荧光光谱（图[/font]2[font=宋体]为核心部件）可用于测量原子与分子的浓度、能态布居数分布、探测分子内的能量传递过程等方面。[/font][font=宋体]激光诱导荧光光谱仪器组成：与普通的荧光检测器一样，激光诱导荧光检测器主要由光源、光学系统、检测池和光检测元件组成，两者最重要的区别是[b][u]激光诱导荧光检测器的光源是激光器[/u][/b]。[/font][font=宋体]核心激光器：激光器是激光诱导荧光检测器的重要组成部分，用脉冲激光为光源，采用时间分辨技术可消除瑞利散射光（半径比光或其他电磁辐射的波长小很多的微小颗粒对入射光束的散射）和拉曼散射光（光波在被散射后频率发生变化）对测定的干扰，同时增加被测成分之间测定的选择性。以上这些特性使激光诱导荧光检测器的信噪比大大增强，显示出最高的灵敏度和较好的选择性。[/font][b]1.3[font=黑体]拟采取的方法[/font][/b][font=宋体]现有的高级稳态瞬态荧光测量系统为多重模块（光源模块、样品室模块、检测器模块）组成，主机光路系统：[/font]X-[font=宋体]型结构（图[/font]1,2[font=宋体]），极易拆卸装载新模块，在改造方面具有独特的优势。搭建以激光为光源的荧光检测技术被称为激光诱导荧光光谱。从仪器各模块的布局来判定，目前稳态瞬态荧光测量系统已拥有样品室、检测器等模块，缺少的是激光器，将购置的新型激光器作为配件装载至测试系统，通过调整光路。采用对应的长通滤光片可实现激光诱导荧光光谱的测试。但是由于激光光源波长单一，因此实际测试中需选取合适的激发波长进行相应的检测。选择合适的波长以应对测试需求。[/font][align=center][img=,690,259]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310101625013372_3443_5248244_3.png!w690x259.jpg[/img][/align][align=center][b][font=宋体]图[/font]1. [font=宋体]主机光路系统及光源模块[/font][/b][/align][align=center][img=,690,255]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310101625122837_8467_5248244_3.png!w690x255.jpg[/img][/align][align=center][b][font=宋体]图[/font]2. [font=宋体]样品室模块和检测器模块[/font][/b][/align][b] 2 [/b][font=宋体]结果与分析[/font][b]2.1 [font=宋体]设计思路[/font][/b][align=center][img=,645,267]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310101625230462_867_5248244_3.png!w645x267.jpg[/img][/align][align=center][b][font=宋体]图[/font]3 [font=宋体]激光诱导荧光光谱测试模块[/font](a)[font=宋体]搭建前[/font] (b)[font=宋体]搭建后[/font][/b][/align][font=宋体]伴随着校内样品体系的多样性和测试要求的可选性，运行近十年的稳态瞬态荧光测量系统面临着前所未有的升级挑战。改进的问题：如何探测半导体固体材料的微弱荧光信号作为主要研究问题。借助江苏大学自制实验仪器设备项目（[/font][b]ZZYQSB201910[/b][font=宋体]）的资助下[/font][font=宋体]，明确激光诱导荧光光谱模块所需激光器的测试要求，利用所购置的配件（样品架，激光光源，载样台等），完成原测试系统的拆卸和搭建。对现有高级稳态瞬态荧光测量系统的样品室模块组成（图[/font]3 (a)[font=宋体]），进行样品室搭建（图[/font]3 (b)[font=宋体]），对小功率光纤耦合激光器的波长进行筛选以应对测试需求，申请发明专利：一种含外接激光光源的高级稳态荧光光谱仪[/font]([font=宋体]发明专利号：[/font]202110297550.4) [font=宋体]，利用激光光路搭建以激光为光源的荧光检测技术被称为激光诱导荧光光谱（[/font]Laser-Induced Fluorescence Spectroscopy, LIF[font=宋体]谱）。[/font][align=center][img=,534,296]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310101625329704_3414_5248244_3.png!w534x296.jpg[/img][/align][align=center][b][font=宋体]图[/font]4 [font=宋体]激光诱导荧光光谱调制模块及测试数据[/font][/b][/align][font=宋体]搭建的激光诱导荧光光谱，可用于测量原子与分子的浓度、能态布居数分布、探测分子内的能量传递过程等方面。对于荧光信号较弱的半导体固体材料，采用激光诱导方式，持续激光光源经单色器分光后，其光强较弱相应发射谱信号也相对增强，通过调节激光调制器（图[/font]4[font=宋体]左所示）探测到半导体固体材料的微弱荧光信号，如图[/font]4[font=宋体]右，测量到三氧化钨，氧化铋及其二者复合材料的荧光信号。[/font][b][font=宋体]代表性案例[/font][/b][font=宋体]：（[/font][b][i]ChineseJournal of Catalysis[/i][/b], 2021, 42(1), 87-96.[font=宋体]）[/font][align=center][img=,690,306]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310101625433210_7114_5248244_3.png!w690x306.jpg[/img][/align][align=center][b][font=宋体]图[/font]5[font=宋体]激光诱导荧光光谱测试模块的应用案例[/font][/b][/align][font=宋体]图[/font]5[font=宋体]左显示了[/font]Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S [font=宋体]和[/font] 25% MO-ZnCdS[font=宋体]的稳态荧光光谱，可以清晰的看到[/font] 25% MO-ZnCdS[font=宋体]具有更低的荧光强度，说明[/font]25% MO-ZnCdS [font=宋体]在光照激发下产生的光生电子[/font]-[font=宋体]空穴对更不容易发生复合猝灭，而光生电子[/font]-[font=宋体]空穴对的快速复合是限制材料光催化活性的重要因素。[/font]Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S [font=宋体]和[/font]25% MO-ZnCdS [font=宋体]的时间分辨荧光衰减光谱被呈现在了图[/font]5[font=宋体]右，[/font]Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S [font=宋体]的平均荧光寿命为[/font] 2.76 ns[font=宋体]，[/font]25% MO-ZnCdS [font=宋体]的平均荧光寿命为[/font] 2.76 ns[font=宋体]。[/font]25% MO-ZnCdS [font=宋体]具有更低的平均荧光寿命，说明其光生载流子更容易分离和转移到催化剂的表面。以上结果证明了，[/font]Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S [font=宋体]在与[/font] MoO[sub]3-x[/sub] [font=宋体]复合形成[/font] 1D/2D Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S/MoO[sub]3?x[/sub][font=宋体]复合光催化剂后，光生电荷的分离和迁移效率提高了，而光生电子[/font]-[font=宋体]空穴对的复合猝灭被抑制了。这可能是由于一维的[/font] Zn[sub]0.1[/sub]Cd[sub]0.9[/sub]S[font=宋体]与二维的[/font] MoO[sub]3?x [/sub][font=宋体]纳米片之间形成了紧密的界面接触，二者之间形成了异质结构，在两相界面处产生了内建电场，这会促进光生载流子的分离和转移。[/font][b]3[font=宋体]结[/font][font=宋体]论[/font][/b][font=宋体]搭建的激光诱导荧光光谱测试模块，对于荧光信号较弱的半导体固体材料，采用激光诱导方式，持续激光光源经单色器分光后，其光强较弱相应发射谱信号也相对增强，通过调节激光调制器探测到半导体固体材料的微弱荧光信号，筛选激光器以达到探测半导体固体材料的荧光信号。将新功能应用更好地应用于物理、化学、医药和材料科学等研究领域，以满足日益增长的科研测试需求，从而进一步反馈学校科研项目的发展和高质量科技成果的产出，系统的研制将对我国在激光诱导荧光光谱测量方面取得重要进展。[/font][b][font=宋体]参考文献：[/font][/b][1][font=宋体]朱倩倩[/font], [font=宋体]李艳肖[/font],[font=宋体]魏巍；一种含外接激光光源的高级稳态荧光光谱仪。申请发明专利号：[/font]202110297550.4[font=宋体]。[/font][2]Peng, J., Shen, J., Yu, X., Tang, H., Liu, Q. (2021). Construction ofLSPR-enhanced 0D/2D CdS/MoO[sub]3?x[/sub] S-scheme heterojunctions forvisible-light-driven photocatalytic H[sub]2 [/sub]evolution. [b][i]ChineseJournal of Catalysis[/i][/b], 42(1), 87-96.[3]Li, L., She, X., Yi, J., Pan, L., Xia, K., Wei, W., Li, H. (2019). IntegratingCoO[sub]x [/sub]cocatalyst on hexagonal α-Fe[sub]2[/sub]O[sub]3[/sub] foreffective photocatalytic oxygen evolution. [b][i]Applied Surface Science[/i][/b], 469,933-940.[hr/]

  • 美证实二维半导体存在普适吸光规律

    中国科技网讯 以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。而据物理学家组织网近日报道，现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半导体也同样普遍适用于一个类似的简单吸光规律。他们利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体，包括受太阳能薄膜和光电器件行业青睐的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，都有一个通用的吸收光子的量子单位，他们称之为“AQ”。相关研究论文发表在美国《国家科学院学报》上。 从太阳能电池到光电传感器再到激光器和各类成像设备，许多当今的半导体技术都是基于光的吸收发展起来的。吸光性对于量子阱中的纳米尺度结构来说尤为关键。量子阱是由带隙宽度不同的两种薄层材料交替生长在一起形成的具有量子限制效应的微结构，其中的电荷载流子的运动被限制在一个二维平面上，能带结构呈阶梯状分布。 “我们使用无需支撑的厚度可减至3纳米的砷化铟薄膜作为模型材料系统，来准确地探测二维半导体薄膜的厚度和电子能带结构对光吸收性能的影响。”论文的通信作者、劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部的科学家兼加州大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授阿里·贾维说，“我们发现，这些材料的阶梯式光吸收比与材料的厚度和能带结构无关。” 他们将超薄的砷化铟膜印在由氟化钙制作的光学透明衬底上，砷化铟膜吸收光，氟化钙衬底不吸光。贾维说：“这样我们就能够根据材料的能带结构和厚度来研究厚度范围在3纳米到19纳米之间的薄膜的吸光性能。” 借助伯克利实验室先进光源的傅立叶变换红外分光镜，贾维团队在室温下测出了从一个能带跃迁到下一个能带时的光吸收率。他们观察到，随着砷化铟薄膜能带的阶梯式跃迁，AQ值也以大约1.7%的系数相应地逐级递增或者递减。 “这种吸光规律对于所有的二维半导体来说似乎是普遍适用的。”论文另一个通信作者、电气工程师伊莱·雅布洛诺维奇说，“我们的研究结果加深了对于强量子限制效应下的电子—光子相互作用的基本认识，也为了解如何使二维半导体拓展出新奇的光子和光电应用提供了独特视角。”（陈丹） 《科技日报》（2013-8-5 二版）

  • 半导体恒温系统性价比怎么选择？

    半导体恒温系统在选择的时候除了看必要的品牌，其性价比也是我们需要重视的，无锡冠亚半导体恒温系统是集合公司制冷加热控温人才研发出来的，用户在选择半导体恒温系统的时候，需要注意性价比的选择。　　现在，可以说各类的工业生产大多都需要半导体恒温系统来提供专业制冷，一台高效的半导体恒温系统对于各种工业生产都能够提供较大的帮助，那么，到底什么样的半导体恒温系统性价比比较高呢?这可能是不少企业都非常想了解的一个关键性问题？　　半导体恒温系统的不少技术人员认为，在选择半导体恒温系统的时候，一定要注意几个相关的因素。 一台半导体激光器自动温度控制 半导体恒温系统使用费用是否省钱，我们是看它的综合总花费来看：如购买价格，耗电量，维护费，故障检修费等。半导体恒温系统组耗电量都是不同，有的比较省电，有的又比较耗电，所以在选型的时候，一般都会比较是否有耗电大的可能。　　无锡冠亚的半导体恒温系统以科技为中心，应用国际先进技术，不断推陈出新，紧随市场步伐，满足市场需求，坚持从产品的设计、元器件的采购、筛选，到生产工艺流程、包装运输等都严格 ISO9001-2008 国际质量认证要求规范化管理，力求产品精益求精、价格合理、服务满意周到。　　另外，在选择半导体恒温系统的时候，还要考虑到以上因素相关联的一些问题，比如，选择半导体恒温系统还要考虑是否适合用该行业，那么显而易见的是需要半导体恒温系统组的进行多方面了解，除了用电量外，还需要了解维护费用的高低、故障检修的时间设定等等。　　半导体恒温系统的选择，想必大家也心中有数，性价比对于半导体恒温系统来说也是比较重要的，所以我们选择也是很重要的。

  • 求助：半导体PL谱，激发光波长选择

    我有一半导体晶片想做PL谱看看空位和缺陷。材料的Eg是2.2-2.4ev问;我应选516nm（对应能量2.4ev）以下波长的激光如325nm 的he-cd激光来做激发光么？不同波长的激发光对PL谱强度和峰位有什么影响没？还有，为什么低温的时候谱峰强度高呢？

  • 【转帖】半导体型号命名方法

    一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

  • 【原创】Solid State Cooling System的半导体制冷器

    【原创】Solid State Cooling System的半导体制冷器

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/11/201011081606_258146_2142897_3.jpg用先进可靠的半导体热电技术(TEC)和液体循环冷却技术，Solid State Cooling System的制冷器具有外形小巧、性能可靠、温控精确、制冷效率高等优点，广泛应用于激光、半导体、军事和医疗等需要精确控制温度的产品和行业。相比于传统的压缩机冷却技术半导体冷却技术具有如下优势：1）可靠的无氟热电制冷技术；2）中等热载荷条件下的最优选择；3）精确温度控制，响应速度极快；4）能量利用效率高；5）无机械振动。

  • 激光测氧仪

    哪位大神用过激光测氧仪？谁知道里面的激光器一般选用哪种激光器啊？是不是DFB半导体？功率一般是什么级别的？

  • 【分享】半导体照明的重大应用（中国科学院半导体研究所）

    【分享】半导体照明的重大应用（中国科学院半导体研究所）

    半导体照明是固态冷光源，它具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、寿命长等优点。与传统的白炽灯、荧光灯相比。同样亮度下可节电达80%以上，而寿命却达到普通白炽灯的100倍。以每天使用6个小时计算，一个半导体灯正常情况下可以使用50年。统计资料表明，我国目前每年用于照明的电力接近2500 亿度，若其中1/3采用半导体照明，每年可节电800亿度，相当于三峡电站的年发电量。　　半导体照明是绿色照明光源，非常环保。它无频闪，有利于保护视力；它产生的光谱中没有紫外线、红外线，没有热量和辐射，不会产生过多的光污染；由于寿命长，可节约生产资源；报废之后，相关配件可以回收利用，不象荧光灯有汞、铅等污染。由于能耗低，半导体还可以和风能、太阳能的使用结合起来，为边远地区送去光明。　　此外，半导体灯应用非常灵活，可以做成点、线、面各种形式的轻薄短小产品；色彩丰富且控制极为方便，加上时序控制电路就能达到丰富多彩的动态变化效果；光束集中，可以减少眩光，节省遮光设备，同时穿透力强，不易破碎、抗震耐冲击，使用安全性、可靠性非常高。 目前，一些厂家根据市场需求，把ＬＥＤ制成多种模块，可以方便地制出各领域需要的产品。LED应用领域（1）交通信号灯 在我国的大中城市，已经普遍采用ＬＥＤ交通信号灯取代白炽灯交通信号灯，取得很好的效果。ＬＥＤ交通信号灯节能省电、亮度高、色彩纯正，接近平行光束，不易造成假显示，使用寿命长，灯具造型美观，是交通信号照明的发展和推广方向[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/03/200903200026_139532_1634653_3.jpg[/img]

  • 【讨论】激光粒度仪谁家的激光器最好？

    我觉得是法国Cilas的，他们用的是半导体激光器。这个公司主要的业务还是激光器这块嘛，在全世界范围来说生产的激光器都是数一数二的。马尔文，贝克曼这些公司都是买了人家的。

  • 半导体晶片温度控制中制冷原理说明

    半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备，无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热，制冷加热的温度不同，型号也是不同，同时，在选择的时候，也需要注意制冷原理。　　半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变，从较低温度的热源汲取必需的热量Q0，通过一个消费功W的积蓄过程，向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中，由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移，之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程，并连续不断地从被冷却物体汲取热量，在制冷技巧的界线内，实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度，令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流，使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆，可以在一端发生冷效应，在另一端发生热效应。　　半导体晶片温度控制在运行过程中，高温时没有导热介质蒸发出来，而且不需要加压的情况下就可以实现-80～190度、-70～220度、-88～170度、-55～250度、-30～300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势： 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触（而且膨胀箱的温度在常温到60度之间），可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。　　半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示，用户在操作半导体晶片温度控制的时候，需要注意其制冷的原理，在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

  • 基于半导体制冷片的高精度温度控制系统

    基于半导体制冷片的高精度温度控制系统

    成果简介 半导体制冷片是利用特殊半导体材料构成的PN结产生Peltier效应制成，具有无噪声、体积小、结构简单、加热制冷切换方便、冷热转换具有可逆性等优点。化工安全组对基于半导体制冷片温控系统的影响因素进行了全面、系统分析和实验研究，设计完成了大功率、高可靠性的半导体制冷片驱动电路，并积累了半导体制冷片加热制冷切换双向温控算法的丰富经验，形成了半导体制冷片整套的研究方法和应用手段。目前，半导体制冷片的高精度温度控制系统已应用在产品中。系统组成http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/07/201607121459_600117_3112929_3.jpg图1 基于半导体制冷片的温度控制单元结构http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/07/201607121500_600118_3112929_3.png图2 高精度温度控制系统硬件组成技术指标（1）温度范围：0~120℃；（2）控温精度：±0.05℃；（3）半导体制冷片驱动电路能够最大支持20V 15A输出。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/07/201607121500_600119_3112929_3.jpg图3 0℃和120℃温度控制曲线图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/07/201607121500_600120_3112929_3.jpg图4 37.8℃温度控制过程曲线图 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/07/201607121500_600121_3112929_3.jpg图5 37.8℃稳态控制精度曲线图技术特点（1）高精度温度采集电路：创新性采用比率法和激励换向技术，系统温度分辨力达到0.001℃，检测精度达到±0.01℃。（2）大功率高可靠性的半导体制冷驱动：采用H桥电路形式实现半导体制冷片加热制冷方式的切换，解决了该类驱动电路无死区防护、功率小等问题；设计引入滤波和保护电路，大大增强了半导体制冷片的寿命及驱动电路的可靠性。（3）双向多模式温控：温控策略充分考虑半导体制冷片加热制冷输出功率差异、功率随温度变化以及系统加热制冷方式切换的随机性等因素，综合采用了单点与扫描结合、高低温分段处理、随环境温度变化动态调节等多重温控调节方式。获得研发资助情况浙江省公益项目前期应用示范情况已用于微量蒸气压测定仪产品中的温度控制，温度范围为0~120℃，控温精度为±0.05℃，驱动电路输出12V/10A。相关产品已通过批量试产，温控系统运行稳定可靠，可复制性强，实现成本低，适合于批量生产。转化应用前景半导体制冷片因加热制冷切换方便、结构简单、系统噪音小、控温精确度高以及成本低等优点，有望在科学仪器温度控制、温度发生和电气设备散热等领域获得广泛应用。特别是随着仪器仪表尤其是生命科学仪器、化学分析仪器等逐渐向高精度、小型化方向快速发展，高精度的小型温度控制系统需求越来越旺盛，因此半导体制冷片具有良好的应用前景。合作方式（1）技术转让；（2）委托开发；（3）双方联合开发。应用领域分析仪器、医疗仪器、生命科学测试仪器、家用电器等领域中高精度的恒温、匀速升降温等多模式的温度控制，以及电气装置散热等。联系人：杨遂军；联系电话：0571-86872415、0571-87676266；Email:yangsuijun1@sina.com；工贸所网址：http://itmt.cjlu.edu.cn；工贸所微信公众号：中国计量大学工贸所。中国计量大学工业与商贸计量技术研究所简介 中国计量大学是以“计量、测试、标准”为特色的院校，主要培养测试技术、仪器开发方向的专属人才。 中国计量大学工业与商贸计量技术研究所是学校为进一步推动高水平研究团队的建设而在2014年设立的两个学科特区之一，主要针对工业生产与贸易往来中关乎国计民生的计量测试问题，以新方法、技术、设备及评价为研究对象，主要研究方向为化工产品及工艺安全测试技术与仪器、零部件无损检测技术与设备、光栅信号处理与齿轮精密测量，涉及的单元技术有高精度温度检测技术、快速热电传感技术、高稳态温度场发生技术、低热惰性高压容器制备工艺、激光和电磁加热、非稳态传热反演、基于幅值分割原理的光栅信号数字细分、光栅信号短周期误差补偿、机器视觉高精度尺寸测量。研究所同时是化工产品安全测试技术及仪器浙江省工程实验室，先后承担国家重大科学仪器设备开发专项、国家公益性行业科研专项、国家自然基金、973等国家级项目，科研经费超千万。现有专职科研人员9人、工程技术人员2人、在读研究生30余人、行政与科研管理人员3人。 “应用驱动、产研融合”是研究所的标签，以应用驱动为前提，通过方法技术化、技术产品化、产品市场化，将科研成果落脚于实际应用，为经济与社会发展提供推动力，同时为研究所提供持续发展所需资金、影响力、信息等各类资源的支撑，目前研究所已拥有2家产业化公司。 更多研究所介绍请登录研究所网站itmt.cjlu.edu.cn或微信公众号。

  • 20余位行业大咖，与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议

    [font=&]当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了![/font][font=&]　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。[/font][font=&]　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。[/font][align=center][url=https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs][img=,690,151]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/10/202010131056049558_673_3295121_3.jpg!w690x151.jpg[/img][/url][/align][font=&]　　会议日程：[/font][table=484][tr][td=3,1,484][b]10[font=宋体]月[/font]15[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上）[/font][/b][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center][font=宋体]报告时间[/font][/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]报告题目[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]报告人[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:00--09:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]钙钛矿纳米材料与[/font]SPP[font=宋体]激光器[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王智杰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]赛默飞世尔科技应用专家[/font][font=宋体]钟新林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center]PerkinElmer[font=宋体]在半导体制程中的检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家[/font] [font=宋体]华瑞[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]布鲁克（北京）科技有限公司应用经理[/font] [font=宋体]黄鹤[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多公司半导体行业检测方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]梅特勒[/font]-[font=宋体]托利多产品专员[/font] [font=宋体]李玉琪[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:30--12:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]InP[font=宋体]基光子集成材料与器件及标准代工平台[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]赵玲娟[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]12:00--13:30[/align][/td][td=2,1,361][align=center][font=宋体]午休[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center]Si[font=宋体]基[/font]GaN[font=宋体]材料的[/font]MOCVD[font=宋体]外延生长及杂质缺陷研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]北京大学高级工程师[/font] [font=宋体]杨学林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]荷兰[/font]Delmic[font=宋体]公司应用专家[/font]Sangeetha Hari[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]电子级水在半导体行业中的应用及解决方案[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]默克化工技术（上海）有限公司高级应用专家[/font] [font=宋体]李子超[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]日立电子显微镜在半导体分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]日立高新技术（上海）国际贸易有限公司经理[/font] [font=宋体]周鸥[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]暨南大学教授[/font] [font=宋体]谢伟广[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授[/font] [font=宋体]李露颖[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体材料研发、应用及分析检测技术（下）[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]09:30--10:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]氧化镓基半导体器件研究进展[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]复旦大学青年研究员[/font] [font=宋体]刘文军[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:00--10:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]高纯半导体材料的无机元素分析[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师[/font] [font=宋体]应钰[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]10:30--11:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center]HORIBA[/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]11:00--11:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体光电子外延材料国产化[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]江苏华兴激光科技有限公司总经理[/font] [font=宋体]罗帅[/font][/align][/td][/tr][tr][td=3,1,484][align=center][b]10[font=宋体]月[/font]16[font=宋体]日半导体器件研发、应用及分析检测技术[/font][/b][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]13:30--14:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]双模微腔激光器及其应用[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]黄永箴[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:00--14:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅光通信与互连：一种变革性的技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]杨林[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]14:30--15:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院半导体研究所研究员[/font] [font=宋体]王晓东[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:00--15:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]待定[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院电工研究所副所长[/font][font=宋体]韩立[/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]15:30--16:00[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体][color=#333333]半导体产业现状及相关检测技术进展[/color][/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体][/font][color=#333333]国家半导体器件质量监督检验中心副主任 席善斌[/color][font=宋体][/font][/align][/td][/tr][tr][td=1,1,123][align=center]16:00--16:30[/align][/td][td=1,1,189][align=center][font=宋体]硅基[/font]III-V[font=宋体]族光电器件及其缺陷的表征[/font][/align][/td][td=1,1,172][align=center][font=宋体]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员[/font][font=宋体]樊士钊[/font][/align][/td][/tr][/table][font=&]　　[/font][b]报名链接（点击下方链接皆即可报名）[/b][font=&]:[/font][font=&]　　[/font][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/?bbs[/url]

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