半导体射线检测

请问X射线荧光半导体探测器谁家的产品比较好，国内的国外的都可以，要常温，无需冷却的，可以探测铝，铜，铁元素的

各位大侠， 一般情况是，分析固态物质的X射线衍射较多，，但是对于熔体的物质又是如何分析呢？特别是熔体半导体锗的X射线衍射数据，如何分析呀? 小的在此拜谢啦！

请问如何用x射线双晶衍射测量半导体异质结的晶格失配？

请问专家如何用x射线双晶衍射测量半导体异质结的晶格失配？急！谢谢！

能量色散 使用半导体探测器测低原子序数元素 是不是 效果会非常不好？？？

http://b.hiphotos.baidu.com/baike/w%3D268/sign=27a70225acaf2eddd4f14eefb5110102/2cf5e0fe9925bc310dce7dbb5edf8db1cb137005.jpg请问图中半导体探测器是在什么行业中应用的呢，这个探测器可以进行元素分析吗，这个探测器与常用的Si-Pin SDD有什么区别。另外X射线荧光用的探测器与X射线辐射剂量检测用的探测器有什么区别？

由于使用场所禁止易燃易爆气体，所以不能选用FID检测器。但是TCD的灵敏性距检测要求略低，因此打算采用半导体检测器。请各位前辈指点1、2，帮忙推荐几种性能比较稳定的半导体检测器。

各位大神好！ 小弟刚转到半导体行业做化学检测，之前工作无半导体行业测试经验，现在所测的化学品杂质含量极低，不稀释进样的话色谱柱超载，稀释的话又低于离子色谱检出限，导致实验室的ICS1100无法满足测试需求，还请各位帮忙是否有办法解决。 所测化学品：盐酸、硫酸、硝酸、双氧水、磷酸、氢氟酸等； 所测离子含量：小于200ppb； 设备：ICS-1100。

[b]新上讲座：XPS技术在能源电池及半导体领域的应用举行时间：2017-09-28 14:00立即免费报名：[url]http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting_2732.html[/url][/b]主讲人：范燕 赛默飞 XPS 应用工程师 硕士 毕业于中国石油大学（北京），硕士期间实习于中国计量科学研究院，主要研究课题为典型碳材料的定性与定量分析，并参与利用XPS进行纳米金颗粒有机壳层厚度的计算及X射线光电子能谱（XPS）能量标尺标物（Au、Ag、Cu）的研制等课题。发表文献：《XPS分析过程中X射线照射对PET的影响》。 本科及硕士期间曾获得“国家励志奖学金”、“山东省省级优秀毕业生”、“一等奖学金”、“校级优秀学生”等荣誉。[b]主要内容：[/b]XPS作为表面分析的重要手段，不仅被广泛地应用于化学分析、材料开发应用研究、物理理论探讨等学术领域，在机械加工、印刷电路技术、镀膜材料工艺控制、纳米功能材料开发等工业领域，XPS都能提供全方位的解决方案。在本次报告中，我们主要分享XPS在能源电池（包括MEA燃料电池层结构及元素扩散行为、太阳能电池质量评估、储氢材料中的H含量检测等）及半导体（包括触摸屏缺陷检测、硅晶圆片元素层间扩散、SiO2类栅极介电层材料检测）领域的广泛应用。

半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜（扫描频率最高可以达到２Ｇ）． 其主要是针对半导体器件 ,芯片，材料内部的失效分析．其可以检查到:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。ＸRAY 与C-SAM区别ＸRAY：X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像，因此，它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形　在电路测试中，引线断裂的结果是开路，而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上，则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置，塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞，很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难，因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移，所以，在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法，这已是破坏性分析了。C－SAM：由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力，根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时，若遇到不同密度或弹性系数之物质时，即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此，只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时，即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析，因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析，例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上，将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理，再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝，且拥有类似X-Ray的穿透功能，并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围：· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞（晶元接合面、锡球、填胶…等）· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性： 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）C-SAM的主要应用领域： 半导体电子行业：半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业：复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等； 生物医学：活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等；

现有一位客户要求检测其公司里的半导体金属粉里的化学成分,具体为:铁,铜,铬,镍.样品采用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]法,请问有人知道采用什么样的前处理方法吗?急求~希望高手帮我解决这个问题~(如果将金属粉酸化成溶液有什么具体的操作方法吗?)

荏原株式会社宣布，已开发出2种环保型无汞臭氧监测仪。该公司开发、设计、制造和维护正确使用臭氧所需的臭氧监测仪，以及结合了预处理系统和臭氧监测仪的臭氧浓度测量设备，以便在各种条件下进行精确测量。 它被用于许多领域，例如供水和污水处理设施的先进处理工艺以及半导体工厂的制造工艺。 为了应对社会对环境的日益关注，新开发的产品组的特点是采用UV-LED作为光源，在实现无汞使用的同时，实现高精度测量。第一类新产品是EG-3100系列，这是一款用于水和污水处理设施的高精度臭氧监测仪，它不含汞，并采用公司独特的发光校正技术，实现了与低压汞灯相同的精度。 除了提供涵盖水净化过程中臭氧处理中所有气体测量点的产品阵容外，该公司还实现了高精度和高分辨率，因此可以应用于研发应用。第二种是EG-690，这是一款用于半导体制造工艺的在线臭氧监测仪，与EG-3100系列一样，不含汞，并达到与低压汞灯产品相同的精度。 此外，它具有占地面积小的特点，可以在线安装在半导体制造工艺（生产线）的臭氧气体管道中，适用于设备嵌入。EG-3100 系列和 EG-690 的订单计划于 2024 年 4 月开始。[来源：仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

AI技术如何助力半导体失效分析？ [b]来源：[color=#ff0000] 黄承梁 蔡司显微镜 2024年08月13日 08:01 江苏[/color][/b] 随着显微镜技术的发展，半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上，而是希望通过[b]硬件和软件方案的相结合，提高失效分析（FA）的效率、准确率，并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。[/b] 为此，蔡司提供[b]客制化的软件解决方案[/b]，利用AI技术，在分类（classification）、图像分割（segmentation）和图像处理（processing）三大应用方向上助力半导体失效分析。 [img=,690,354]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534025783_9117_2942222_3.jpg!w690x354.jpg[/img] [b]01 图像处理： 提升SEM短扫描时间图像的质量[/b] SEM成像的一大挑战是快速的扫描和高信噪比的图像的矛盾。有时候为了追求高效率的分析或者减少电子束对敏感样品的辐照，我们会减少电子束扫描时间，但这会由于信噪比降低而影响图像质量。[b]使用AI降噪技术，我们在不丢失图像细节的情况下提升了原始图片的信噪比，从而兼顾了高效率和高图像质量。 [img=,690,394]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534258081_4451_2942222_3.jpg!w690x394.jpg[/img]02 图像处理： 提高XRM大视野扫描的分辨率[/b] 在三维X射线无损分析中也面临着类似的难题。高分辨的成像意味着缩小成像视野，有没有方法可以实现高效的大视野高分辨成像呢？利用[b]基于深度学习的DeepScout功能[/b]，我们使用局部的高分辨扫描作为训练模型，把大视野（LFOV）扫描的低分辨图像恢复成高分辨图像，从而实现了[b]大视野和高分辨兼得，把分析效率提升了数倍。 [img=,690,324]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534476641_1527_2942222_3.jpg!w690x324.jpg[/img][/b] [i][font=等线]▲蔡司X射线显微镜三维成像的先进封装样品虚拟截面，左：大视野扫描的原始图片；右： [i]AI恢复处理的高分辨图片[/i] [b]03 图像分割和分类： 从SEM图片中提取缺陷并分类[/b] 在化合物半导体的衬底缺陷检测中，需要的对大量的SEM图片（如CL或ECCI图片）进行分析，区分并统计缺陷类型。[b]借助机器学习算法，我们能够准确地从ECCI图片的背景中提取出位错和表面颗粒物的分布，自动完成缺陷分类和缺陷密度的计算。 [img=,690,345]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061535038929_4618_2942222_3.jpg!w690x345.jpg[/img][/b] [i]▲蔡司场发射扫描电镜拍摄的GaN晶圆的电子通道衬度图像（ECCI），左：原始图片；右：AI图形识别和分割处理后，红点为表面颗粒物，黄点为位错分布[/i] [b]04 分类和定制化的自动工作流程： 自动寻找目标结构、拍图和识别异常[/b] 我们还可以把一种或多种AI的显微镜应用和自动化的显微镜操作结合，形成[b]全自动的完整分析流程[/b]。例如这一案例中用户需要对样品上特定区域的DRAM晶体管进行连续的大面积拍摄，然后识别并分析异常。我们提供了完整的自动化工作流程，使电镜能够在数毫米长宽的样品上自动寻找所有的目标结构，把目标结构居中，并自动调节倍率、对焦、亮度对比度，成像保存，然后移动到下一位置重复上述步骤，最后在所有的图片中识别出异常结构。 [img=,690,219]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061536252137_1491_2942222_3.jpg!w690x219.jpg[/img] [i]▲使用可视化编程工具实现自动的DRAM样品拍摄和异常结构检测[/i] 可以看到[b]AI技术的快速发展为显微分析和失效分析带来了创新和便利[/b]，把AI和显微镜结合在一些半导体失效分析场景可以[b]提高分析效率及减少人为错误，从繁琐的重复性工作中解放工程师的双手，从而极大地提高实验室的产出。[/b][/font][/i]

听说半导体材料新的检测标准出台了，哪位同仁有电子版的能分享吗?有SEMI标准更好！xnhhsdgm@163.com

最近在研究变压器油色谱装置，看论坛上的检测器一般是TCD和FID，不知一般的半导体气敏传感器能否作为检测器？

本人急需半导体材料检测的SEMI标准，中英文版的都可以，那位同仁有啊？期待分享！谢谢！xnhhsdgm@163.com

半导体材料检测用超净间在洁净度、温度湿度、振动方面都有严格要求，但不知道在哪可以找到相关标准？

【摘要】硅酸盐在酸性介质中与钼酸铵反应生成硅钼黄，硅钼黄还原为硅钼蓝后，可被HLB小柱定量萃取。在此基础上，建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。反应生成的硅钼蓝经HLB小柱萃取后，用水清洗去除杂质，NaOH溶液洗脱，分光光度法检测。实验对各参数进行了优化，优化后的参数为：洗脱剂浓度0.01mol/L;试样上柱流速28.0mL/min;洗脱流速3.5mL/min;反应温度45℃;硅钼黄与硅钼蓝反应时间均为5min;钼酸铵混合溶液、草酸溶液、抗坏血酸溶液的用量分别为3.5，3.5和1.75mL。本方法具有良好的重现性和灵敏度，测定含硅9.33μg/L的硅酸盐水样7次，RSD值为1.8%;选取不同的试样富集时间，可将定量分析的线性范围扩展为0.47～117μg/L;检出限0.18μg/L;回收率为96.8%～105%。可满足特殊工业用水中痕量硅检测的需要。1、引言工业用水中的硅含量若超出允许范围，将对产品产生不良影响，甚至造成严重事故。例如，可溶性硅浓度是火力发电厂、试剂厂、半导体厂等用水质量的重要控制指标之一。半导体工业用水的硅浓度限制在1μg/L以下。水中的可溶性硅主要以硅酸形式存在，经典的测定方法为硅钼蓝分光光度法。该法检出限较高，不能满足工业用水中硅的检测要求。近年来新的检测方法相继出现，包括改进的硅钼蓝法、碱性染料分光法、动力学光度法、鲁米诺化学发光法、荧光法、电化学法以及原子光谱法等。这些方法，或灵敏度达不到要求，或干扰严重，实验操作要求高，均未得到广泛应用。本研究以流动注射分析(FI)技术控制分析过程，将硅钼蓝富集在HLBTM固相萃取(SPE)小柱上，以少量NaOH溶液洗脱，由可见分光光度计在线检测，由此建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。2、实验部分2.1仪器和试剂732PC型可见分光光度计(上海光谱仪器有限公司);FIA3110型流动注射分析处理仪(北京吉天仪器有限公司);HH1型数显恒温水浴锅(金坛市顺华仪器有限公司);OasisHLB小柱(美国Waters公司)。实验器皿用HCl(1∶4,V/V)浸泡10min后，用纯水清洗。蠕动泵管为硅橡胶管，流路管道为PTFE管，实验器皿均为非玻璃材质器皿。试剂均由MiliQ纯水机(美国Millipore公司)制备的纯水(18.2MΩ·cm)配制。硅标准溶液(100mg/L(以SiO2计)，国家标准物质研究中心);1.5mol/LH2SO4(优级纯，广东汕头化学试剂厂);钼酸铵(分析纯，国药集团)混合溶液：称取2.1g(NH4)6M7O24·7H2O溶于50mL水中，将此溶液缓慢地加入到50mLH2SO4中;100g/L草酸(分析纯，广东汕头市西陇化工厂)溶液;28g/L抗坏血酸(分析纯，国药集团)溶液。0.6mol/LNaOH(优级纯，上海山海工学团实验二厂)贮备液;0.01mol/LNaOH使用液;无水乙醇(分析纯，国药集团)。1.钼酸铵混合溶液(Ammoniummolybdate);2.草酸溶液(Oxalicacid);3.抗坏血酸溶液(Ascorbicacid);4,6,8.H2O;5.无水乙醇(Ethnaol);7.NaOH;V1.八位阀(8Positionvalve);V2.八通阀(8Portrotoryvalve);P1，P2.蠕动泵(Pump);Rc.反应瓶(Reactioncontainer);D.检测器(Detector);W.废液(Waste)。实线阀位(Valvepositioninrealline)：Inject;虚线阀位(Valvepositionindashedline)：Fill。2.2实验方法与流动注射分析流路图

[size=3]中国国家半导体光电产品检测实验室落户广东江门[/size] 中新社江门6月4日电 记者4日从江门出入境检验检疫局获悉,日前,中国国家质检总局下发文件,正式批准江门市筹建“国家半导体光电产品检测重点实验室”。　　为支持江门市发展新兴产业,推动绿色(半导体)光源产业上规模、上层次,江门出入境检验检疫局申报的“国家半导体光电产品检测重点实验室”项目,日前得到国家质检总局正式批准筹建。　　据江门出入境检验检疫局介绍,近年来,由于节能环保等“低碳”要求,包括LED(发光二极管)照明在内的半导体光电产业的技术创新和产业发展突飞猛进。世界发达国家高度重视LED测试方法及标准研究,争相建立相关的标准体系,而在中国国内还基本处于空白。

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

大家好，请问变压器专用色谱柱配合半导体检测器TGS813使用时，色谱峰为什么分不开，理论上半导体检测器的灵敏度要高于TCD检测器，但测试结果却不然，色谱柱配合离线色谱仪的TCD检测器使用时，色谱峰的分离效果很好，请大家帮我分析一下是什么原因，是那个环节出问题了，是不是与进样方式有关系呢，是不是进样速度不够快呢？

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=152866]关于半导体检测分析设备[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]的日常维护[/url]摘要：介绍了半导体检测设备ICP—MS在半导体3-业中的发展及几个重要组成部件的功用，着重介绍了该设备各主要部件的维护。

由于美国调整芯片出口规则，中国对芯片国产化的重视程度越来越高，并定下了2025年将芯片自给率提高到70%的目标，国内半导体行业也掀起了投资热潮。近年来，随着国家的对于集成电路产业的重视以及资本的支持，国内的集成电路产业发展迅速，但是与国外仍有不小的差距，特别是在上游的半导体材料等领域，更是差距巨大。不过，随着国内半导体制造的崛起，也推动了半导体材料的国产化进程。虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足，但整体对外依存度仍在 60%以上，特别是大尺寸半导体硅片、光刻胶、电子特气等材料更为依赖进口，进口替代空间巨大。除技术难题外，还有一个阻绊我们半导体制造的崛起的难题：在芯片制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材。在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中，全部工艺步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的气体。一般把气体分为大宗气体和特种气体两种。大宗气体一般是指集中供应且用量较大的气体，特种气体主要有各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体以及其他广为各种制程设备所使用的惰性气体等。如沉积工艺中作为所用的NH3氨气、O2氧气等，光刻时常用的H2氢气等，刻蚀时常用的HCL氯化氢、Cl2氯气、F2氟气等。热处理时常用的O2氧气和H2氢气等。腔室清洗时常用的卤化物HCI氯化氢、Cl2氯气、HF氟化氢、HBr溴化氢和O2氧气等以及离子注入法作为n型硅片离子注入磷源、砷源的PH 3磷化氢和AsH3砷化氢等。从以上的应用可以看出，气体在半导体晶圆代工厂有着非常重要的作用。因为各种气体的特性不同，所以要设计出不同的气体来满足各种不同制程的需求。[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055.png][img=QQ图片20220714171055,401,300]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055-401x300.png[/img][/url]半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性，[b][b]可分为易燃性气体、毒性气体、腐蚀性气体、惰性气体和氧化性气体五大类。[/b][/b]隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害，在气体传输过程中，相对于安全上的要求不如以下其他气体严格。惰性气体具有窒息特性，不开阔空间下发生少量泄漏不会使人窒息而造成工伤事故；易燃性气体一般指可发生自燃、易燃的可燃气体。当环境温度达到一定时，PH3等气体也会产生自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围，即上限、下限值。此范围越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高，属于易燃气体有H2,NH3,PH3, 等等；毒性气体是指在半导体制造行业中使用的气体很多都是对人体有害、有毒的。如PH3、NH3、HCL、CL2、AsH3、CO等气体在工作环境中的允许浓度极微，因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体；腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属，但在遇到水的环境下就显示出很强的腐蚀性，如HCl, HF, 等；氧化性气体有较强的氧化性，一般同时具有其他特性，如毒性或腐蚀性等。属于这类的气体有ClF3 ,Cl2,NF3等。半导体制造业被美国(FMS)组织列为”极高风险”的行业。主要是因为它在制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材，再加上无尘室的密闭作业环境及回风系统,所有这些因素都大大增加了半导体厂房的风险。作为半导体晶圆代工厂气体的使用者，每一位工作人员都应该在使用前对各种危险气体的安全数据加以了解，并且应该知道如何应对这些气体外泄时的紧急处理程序。一般来讲，我们将有三重保障来防范万一有意外发生的危险气体外泄进入到工作环境中。一个是特种气体的气瓶以及全部经过正负压测漏的气体输送管路；第二个是持续不断的排气抽风系统（Exhaust），管路节点如气瓶柜、VMB、工作台等均具有很强排气抽风系统，以确保每一管路节点外围都处于负压环境。若发生微量的有毒气体的泄漏，排气抽风系统将第一时间抽出。另外一个很重要的是：根据现行国家标准[b][b]《特种气体系统工程技术规范》GB50646-2011[/b][/b]和[b][b]《有毒气体检测报警仪技术条件及检验方法》HG23006[/b][/b]中的有关规定，同时结合半导体工厂使用气体检测装置产品的快速响应要求作出检测报警响应时间规定。要求处于抽风口或环境点安装[b][b]毒性气体侦测器[/b][/b]及系统，若发生任何有毒气体的泄漏将会被气体侦测系统所侦测到，这个控制系统将根据气体外泄对人体危害的大小来确定整个气体输送系统的相关互锁动作，严重时紧急关闭上游所有气源，同时会驱动中央控制室和现场的相关报警系统LAU，甚至会驱动全厂的自动语音广播系统通知立即疏散，要求相关人员迅速撤离报警区域。因此只要工程技术人员严格按照所制定的标准作业程序操作，所有这些安全装置都将确保人员不会有安全上的顾虑。[b][b]工采网提供监测[/b][/b]一氧化碳CO、氨气NH3、氧气O2、氯化氢HCL、氯气CL2、氟化氢HF、磷化氢PH3和氢气H2等有毒有害/易燃易爆气体传感器，是针对半导体制造业毒气监测应用的专业级传感器产品，传感器寿命长，可长时间稳定持续监测，可大大降低半导体制造业毒气监测成本，实现大范围安装应用，为半导体制造业毒气监测提供了切实可行的安全生产监测解决方案。具体产品如下：[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png][img=QQ图片20220714171413,756,222]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png[/img][/url]

半导体生产：在晶圆的制备过程中，由于生产流程长，工序繁多，不可避免的会遇到污染，那么该如何分析检测这些濡染物呢？如何评价清洗工序的清洗的效果呢？可以考虑采用飞行时间-二次离子质谱仪来检测。样品制备：飞行时间-二次离子质谱仪作为一种表面分析工具，对样品制备要求非常严格。样品分析的表面绝对不能接触任何包装物，尤其是防静电袋，双面胶等等，这些都会对样品进行污染，常见的污染特征峰，防静电剂：阴离子：311，325，339等，对于双面胶其常见的污染物峰为（硅氧烷）：阳离子：28，43，73，143，281 等等，另外，样品也不能在空气或者办公室内放置过长时间，要不同样会测到大量污染物，而测不到污染物下面的成分，因为，其分析深度只有3~6nm。例如,在晶圆的表面上永远都可以测到大量的CH峰，其本质原因就是生产工艺或者空气中的CH化合物吸附在其表面。众所周知，其分析的检测限为ppm~ppb，相当高。所以，样品制备要极其严格。数据处理：一般上分析过程中要考虑，组合峰的出现，比如我们在分析单晶硅得时候，样品表面会不可避免地出现（正离子）１４，２７，２８，４５，等等一系列的峰，首先要学会辨认他们。比如２８，它可能是Ｓｉ２８，也可能是ｃ２ｈ４２８，如何区分他们，这就需要经验。欢迎大家分享自己的经验。

虽然波长色散型（ED-XRF）X射线荧光光谱仪与能量色散型（WD-XRF）X射线荧光光谱仪同属X射线荧光分析仪，它们产生信号的方法相同，最后得到的波谱或者能谱也极为相似，但由于采集数据的方式不同，ED-XRF（波谱）与ED-XRF（能谱）在原理和仪器结构上有所不同，功能也有区别。　　（一）原理区别　　X-射线荧光光谱法，是用X-射线管发出的初级线束辐照样品，激发各化学元素发出二次谱线（X-荧光）。波长色散型荧光光仪（WD-XRF）是分光晶体将荧光光束色散后，测定各种元素的含量。而能量色散型X射线荧光光仪（WD-XRF）是借助高分辨率敏感半导体检测器与多道分析器将未色散的X-射线按光子能量分离X-射线光谱线，根据各元素能量的高低来测定各元素的量。由于原理不同，故仪器结构也不同。　　（二）结构区别　　波长色散型荧光光谱仪（WD-XRF），一般由光源（X-射线管）、样品室、分光晶体和检测系统等组成。为了准确测量衍射光束与入射光束的夹角，分光晶体系安装在一个精密的测角仪上，还需要一庞大而精密并复杂的机械运动装置。由于晶体的衍射，造成强度的损失，要求作为光源的X-射线管的功率要大，一般为２～３千瓦。但X-射线管的效率极低，只有１％的电功率转化为X-射线辐射功率，大部分电能均转化为热能产生高温，所以X-射线管需要专门的冷却装置（水冷或油冷），因此波谱仪的价格往往比能谱仪高。能量色散型荧光光谱仪（WD-XRF），一般由光源（X-射线管）、样品室和检测系统等组成，与波长色散型荧光光谱仪的区别在于它用不分光晶体。由于这一特点，使能量色散型荧光光仪具有如下优点：　　①仪器结构简单，省略了晶体的精密运动装置，也无需精度调整。还避免了晶体衍射所造成的强度损失。光源使用的X-射线管功率低，一般在100W以下，不需要昂贵的高压发生器和冷却系统，空气冷却即可，节省电力。　　②能量色散型荧光光仪的光源、样品、检测器彼此靠得很近，X-射线的利用率很高，不需要光学聚集，在累积整个光谱时，对样品位置变化不象波长色散型荧光光谱仪那样敏感，对样品形状也无特殊要求。　　③在能量色散谱仪中，样品发出的全部特征X-射线光子同时进入检测器，这就奠定了使用多道分析器和荧光屏同时累积和显示全部能谱（包括背景）的基础，也能清楚地表明背景和干扰线。因此，半导体检测器X-射线光谱仪能比晶体X-射线光谱仪快而方便地完成定性分析工作。　　④能量色散法的一个附带优点是测量整个分析线脉冲高度分布的积分程度，而不是峰顶强度。因此，减小了化学状态引起的分析线波长的漂移影响。由于同时累积还减小了仪器的漂移影响，提高净计数的统计精度，可迅速而方便地用各种方法处理光谱。同时累积观察和测量所有元素，而不是按特定谱线分析特定元素。因此，见笑了偶然错误判断某元素的可能性。（选自网络，侵删）

能量色散X射线荧光光谱开关电源能量色散X射线荧光光谱采取脉冲高度剖析器将不同能量的脉冲离开并测量。能量色散X射线荧光光谱仪可分为具备高分别率的光谱仪，分别率较低的便携式光谱仪，和介于两者之间的台式光谱仪。高分别率光谱仪通常采取液氮冷却的半导体探测器，如Si（Li）和高纯锗探测器等。低分别便携式光谱仪经常采取反比计数器或闪耀计数器为探测器，它们不须要液氮冷却。近年来，采取电致冷的半导体探测器，高分别率谱仪已不必液氮冷却。同步辐射光激起X射线荧光光谱、质子激起X射线荧光光谱、喷射性同位素激起X射线荧光光谱、全反射X射线荧光光谱、微区X射线荧光光谱等较多采取的是能量色散方法。编纂本段非色散谱仪　　非色散谱仪不是采取将不同能量的谱线分别开来，而是通过抉择激起、抉择滤波和抉择探测等方法使测量剖析线而消除其余能量谱线的搅扰，因而个别只实用于测量一些简朴和组成基础固定的样品。假如n1n2，则介质1相关于介质2为光密介质，介质2相关于介质1为光疏介质。关于X射线，个别固体与空气相比都是光疏介质。所以，假如介质1是空气，那么α1α2（图2。20右图），即折射线会倾向界面。假如α1足够小，并使α2=0，此时的掠射角α1称为临界角α临界。当α1α临界时，界面就象镜子一样将入射线整个反射回介质1中，这就是全反射景象。X射线荧光光谱法有如下特征：剖析的元素规模广，从4Be到92U均可测定； 　　荧光X射线谱线简朴，互相搅扰少，样品不必分别，剖析方法对比简便； 　　剖析浓度规模较宽，从常量到微量都可剖析。重元素的检测限可达ppm量级，轻元素稍差。待续。。。。。非色散？不是很理解。楼主，你有示意图来介绍一下吗。

可调谐半导体激光器吸收光谱（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy）技术简称 TDLAS 技术，该技术是根据气体选择吸收理论为基础，即不同的气体只对特定波长范围内的光进行吸收，利用可调谐半导体激光器可以输出窄带激光的特点，波长可以通过电流和温度控制调谐的特点，将激光器输出波长控制在待测气体吸收波长附近扫描输出。这样在激光透射气体前后会产生光强差，只需测得这个光强差即可获得气体浓度信息。这种技术可以实现对甲烷气体的在线实时测量，并且由于每种气体的吸收波长峰值不同，因此在检测单一气体浓度时不容易被其他气体干扰，灵敏度较高，分辨率较高，并且由于近年来半导体激光器的发展，可做到检测装置的小型化，为该技术在实际生产生活中的应用提供了便利条件，有相当广阔的发展应用前景。

我们现在要搞一个LED半导体照明的检测中心，将来还要有能力出具检测报告。实验室，目前有5人，不是简单的实验室操作人员，而是将来实验室管理的负责人，问题是：我们现在不知道，要拿到哪些上岗证或者说是从业证？要具体的名称。谢谢