半导体失效分析

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半导体失效分析相关的厂商

  • 矽万(上海)半导体科技有限公司是一家致力于设计、研发、生产、销售和服务高精密半导体设备的高新技术中外合资企业。我们专注于为客户提供PicoMaster无掩模激光直写光刻机,包括设备的安装调试、工艺改进、软件开发、以及可选配的涂胶显影清洗设备等。我们的产品和服务主要应用于全息防伪、半导体、微纳光学器件、掩模版制作、光学衍射器件、微流控芯片、MEMS器件等领域。 公司注册于上海浦东国家自由贸易区,在上海设有技术服务中心,在荷兰设有生产研发中心,其母公司为注册在香港的Simax Asia Pacific Limited。我们已于2019年和2020年分别在深圳和武汉建立了演示中心 2021年3月上海演示中心也建成并投入使用。演示中心将在3D光刻软件开发、客户定制设计、客户工艺改进等方面发挥巨大作用。 我们以“品质创造价值,服务实现共赢”为经营理念。通过先进的技术,严格的质量管控,为客户提供完整的高品质解决方案。
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  • 深圳市矽电半导体设备有限公司(简称“深圳矽电”),成立于2003年,是一家由海外博士和国内专业团队联合创办的高科技公司。公司于2006年被授予自主创新型留学生企业、2008年被授予国家高新技术企业,是深圳市LED产业联合会、半导体行业协会会员单位。 历经九年的沉积,深圳矽电已经成长为国内规模最大的探针台(点测机)生产企业,是中国大陆最早研制,批量生产全自动探针台、LED点测机,专业从事研发、生产各种半导体设备的中国国家高新技术企业。主要产品有:8吋全自动探针台,4~8吋多款探针台、双面探针台、LED探针台、LED全自动抽测探针台、焊卡台、全自动芯粒镜检机(AOI)等芯片测试相关设备及配件,在国内同行业处于领先地位。公司拥有专业的、完整的产业结构及配套能力。可为客户提供从研发、生产、测试技术解决方案的一条龙专业服务。 深圳矽电不仅能提供标准的产品,深圳矽电而且可为客户量身定做订制机型,例如温控环境测试、高压环境测试、磁场环境测试和辐射环境测试等需求。 深圳矽电的产品覆盖企业,科研院所,高校等,得到了客户的认可和信赖。
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  • 晶圆电阻率测试仪硅片方阻测试仪涡流法低电阻率分析仪晶锭电阻率分析仪迁移率测试仪少子寿命测试仪半导体、晶圆、硅片、光伏等电阻率一站式解决方案。
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半导体失效分析相关的仪器

  • SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面,提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑,实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源,例如超连续白光激光器,皮秒脉冲激光器,半导体激光器,卤素灯,氙灯等,满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能:■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV;■ 不同辐照度IT曲线(分辨率200ms)■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC,Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压(载流 子迁移率)■ 瞬态光电流(载流子扩散长度)光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源,如EQ 光源,氙灯光源,氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点:■ 光谱范围宽:190-1700nm宽光谱范围;■ 光源本身发光点小,百微米级别;■ 紫外波段亮度高;■ 寿命长,理论寿命可达9000h;■ 体积小,重量轻;散热好;氙灯光源特点:■ 光谱范围宽:250-1700nm宽光谱范围;■ 光源本身发光点较小,mm级别;■ 总功率大,亮度高;适合紫外-可见-近红外光谱测试;■ 灯泡更换简单,成本低;氙灯卤素灯双光源特点:■ 光谱范围:250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外,且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单,成本低。数采选项测试案例
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  • 半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能:&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化,该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构:性能参数: 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x,半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台(12寸可定制)&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪,接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息,样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动,可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比,是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰,并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆,直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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  • SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒:内置常用激光器及激光片组,拓展激光器包含自由光及单模光纤输入;② 光路转向控制:光路转向控制可向下或向左,与原子力、低温、探针台等设备连用,可升级振镜选项③ 明视场相机:明视场相机代替目镜④ 显微镜:正置科研级金相显微镜,标配落射式明暗场照明,其它照明方式可升级⑤ 电动位移台:75mm*50mm 行程高精度电动载物台,1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合:光纤共聚焦耦合为可选项,提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合:标配CCD- 狭缝耦合方式,可使用光谱仪成像模式,高光通量⑧ 光谱CCD:背照式深耗尽型光谱CCD相机, 200-1100nm 工作波段,峰值QE > 90%⑨ 320mm 光谱仪:F/4.2高光通量影像校正光谱仪, 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪,只含一路532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪,含532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪,含532nm 激光器,定制开放式显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm,100mW 激光器,其他激光可选,最多耦合4 路激光,可电动切换,功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪,光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm,最大300mm*300mm显微镜正置显微镜,明场或者暗场观察,带10X,50X,100X 三颗物镜;开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3,重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性(拉力/ 张力),针对特种样品,可直接计算应力大小,应力均匀性分析(需额外配置电动位移台), 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰,自动拟合,自动计算出晶化率,并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例
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半导体失效分析相关的资讯

  • 盘点|半导体常用失效分析检测仪器
    失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。常见的半导体失效都有哪些呢?下面为大家整理一下:显微镜分析OM无损检测金相显微镜OM:可用来进行器件外观及失效部位的表面形状,尺寸,结构,缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机(数码相机)通过光电转换有机的结合在一起,不仅可以在目镜上作显微观察,还能在计算机(数码相机)显示屏幕上观察实时动态图像,电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。金相显微镜可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用,实现样品外观、形貌检测 、制备样片的金相显微分析和各种缺陷的查找等功能。体视显微镜OM无损检测体视显微镜,亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器,从不同角度观察物体,使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作,直接放入镜头下配合照明即可观察,成像是直立的,便于操作和解剖。视场直径大,但观察物要求放大倍率在200倍以下。体视显微镜可用于电子精密部件装配检修,纺织业的品质控制、文物 、邮票的辅助鉴别及各种物质表面观察等领域,实现样品外观、形貌检测 、制备样片的观察分析、封装开帽后的检查分析和晶体管点焊检查等功能。X-Ray无损检测X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子突然减速,其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化,产生的对比效果可形成影像,即可显示出待测物的内部结构,进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。X-Ray可用于产品研发,样品试制,失效分析,过程监控和大批量产品观测等,实现观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板,观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况,芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷等功能。C-SAM(超声波扫描显微镜)无损检测超声扫描显微镜是一种利用超声波为传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查材料内部的晶格结构,杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。I/V Curve量测可用于验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中,I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步(外观检查排在第一步),可见Curve量测的重要性。I/V Curve量测常用于封装测试厂,SMT领域等,实现Open/Short Test、 I/V Curve Analysis、Idd Measuring和Powered Leakage(漏电)Test功能。SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸)扫描电镜(SEM)SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的,根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行微区成分分析。在军工,航天,半导体,先进材料等领域中,SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可实现材料表面形貌分析,微区形貌观察,材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析,薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析,纳米尺寸量测及标示和微区成分定性及定量分析等功能EMMI微光显微镜微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination会放出光子(Photon)。如在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴(或N端的电子)做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面,微光显微镜可分析P-N接面漏电;P-N接面崩溃;饱和区晶体管的热电子;氧化层漏电流产生的光子激发;Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题Probe Station 探针台测试探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本,可用于Wafer,IC测试,IC设计等领域。FIB(Focused Ion beam)线路修改FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。在工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域,FIB可以实现芯片电路修改和布局验证、Cross-Section截面分析、Probing Pad、 定点切割、切线连线,切点观测,TEM制样,精密厚度测量等功能。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。取die用酸法去掉塑封体,漏出die decap(开封,开帽)利用芯片开封机实现芯片开封验证SAM,XRAY的结果。Decap即开封,也称开盖,开帽,指给完整封装的IC做局部腐蚀,使得IC可以暴露出来,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备,方便观察或做其他测试(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。化学开封Acid DecapAcid Decap,又叫化学开封,是用化学的方法,即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全,并且产生干净无腐蚀的芯片表面。研磨RIERIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。 自动研磨机自动研磨机适用于高精微(光镜,SEM,TEM,AFM,ETC)样品的半自动准备加工研磨抛光,模块化制备研磨,平行抛光,精确角抛光,定址抛光或几种方式结合抛光,主要应用于半导体元器件失效分析,IC反向等领域,实现断面精细研磨及抛光、芯片工艺分析、失效点的查找等功能。 其可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率等。去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也需要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。芯片失效分析步骤:1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部结构,等等;2、电测:主要工具,万用表,示波器,sony tek370a3、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析(原作者:北软失效分析赵工)
  • 直播预告!半导体可靠性测试和失效分析技术篇
    2023年10月18-20日,仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设:半导体材料分析技术新进展、可靠性测试和失效分析技术、可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)、缺陷检测和量测技术4个主题专场,诚邀业界人士报名参会。主办单位:仪器信息网,电子工业出版社参会方式:本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名“可靠性测试和失效分析技术(上午场)”专场预告(注:最终日程以会议官网为准)时间报告题目演讲嘉宾专场:可靠性测试和失效分析技术(10月19日上午)9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌(中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人)10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起(中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师)10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕(北京软件产品质量检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理)11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁(甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司 失效分析工程师)嘉宾简介及报告摘要(按分享顺序)田鸿昌 中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人【个人简介】田鸿昌,工学博士,博士后,高级工程师,主要从事宽禁带半导体功率器件与应用研究。2010年于西安电子科技大学自动化专业获学士学位,2015年于上海交通大学电子科学与技术专业获博士学位,2017年-2020年作为浙江大学-中国西电集团有限公司联合培养博士后从事电气工程专业研究。现任中国电气装备集团科学技术研究院电力电子器件专项负责人、中国电气装备集团有限公司科学技术委员会电力电子专家委员,兼任中国电工技术学会电力电子专委会委员、中国西电集团有限公司高层次科技创新领军人才、陕西省半导体与集成电路共性技术研发平台技术负责人、西安电子科技大学和西安交通大学研究生校外导师、陕西省电源学会常务理事、陕西省秦创原“科学家+工程师”团队首席工程师、陕西省“三秦学者”创新团队骨干成员。获得授权发明专利18项,发表学术论文20余篇,出版专著1部。主持科技部国家重点研发计划课题“高可靠性碳化硅MOSFET器件中试生产关键技术研究”,主持和参与国家级、省市级、企业级科研项目10余项。报告题目:碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究【摘要】报告首先从“双碳”目标下新型电力系统的发展需求,联系到碳化硅功率半导体器件的特性优势与发展现状,而后讨论了碳化硅功率在新型电力系统的多方面应用情况,最后介绍了对碳化硅器件发展起着重要作用的可靠性测试研究与相应的研究进展。马英起 中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师【个人简介】马英起,男,中国科学院国家空间科学中心正高级工程师,太阳活动与空间天气重点实验室空间天气效应中心主任,中科院大学博士生导师,中科院青促会优秀会员,中国光学工程学会激光技术应用专委会委员。主要研究方向为航天器空间环境效应研究与应用、电路与电子系统设计。在卫星器件电路抗辐射研究领域,系统开展辐射效应机理、评估及加固设计验证技术研究,形成的单粒子效应脉冲激光关键技术相关研究成果及系列抗辐射试验平台,支撑了空间科学先导专项、载人航天空间站、月球与深空探测、核高基、高分六号等国家重大任务,形成国家级标准2项。近年来发表论文50余篇、授权发明专利10余项,获省部级科技进步一等奖1项、二等奖1项。报告题目:集成电路激光试验测试技术研究【摘要】概述基于激光光电效应、光热效应、电光效应等机制,开展航天单粒子效应及集成电路缺陷检测应用研究。江海燕 北京软件产品质量检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理【个人简介】擅长半导体集成电路失效分析FIB,SEM,EDX,SAT,EMMI,Decap,X-RAY,IV,Probe,OM分析等。报告:失效半导体器件检测技术及案例分享【摘要】本次报告聚焦于集成电路失效分析技术分享,从失效分析的研究方法展开,重点分享失效分析检测手段应用,包含设备基本功能介绍和案例展示,致力于检测技术推广。贾铁锁 甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司 失效分析工程师【个人简介】贾铁锁,毕业于大连海事大学材料科学与工程专业,对电子元器件失效模式和失效机理有丰富的理论和实践经验,为产品失效分析提供专业解决方案。甬江实验室材料分析与检测中心失效分析技术工程师,长期从事半导体器件失效分析工作,对元器件可靠性、失效分析、失效模式、失效机理等基本概念有科学认知,熟悉电子元器件常见失效模式与失效机理,建立一套对不同元器件失效分析的思路和方法,通过坚实的理论基础与科学的检测仪器分析相结合,解决元器件失效分析相关问题。报告:半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析【摘要】 报告如下 1. 半导体元器件门类,16大类49小类,挑选部分元器件做讲解。 2. 失效分析的相关介绍:定义和作用、典型失效机理介绍、失效分析的一般流程、关键站点的介绍等 3. 分析技术:方法论和技术介绍,常用失效分析方法,常用技术分析,诸如电性测试、样品制备、失效点定位,FIB微区加工等 4. 失效分析案例解析。会议联系会议内容仪器信息网康编辑:15733280108,kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn
  • 岛津NDI在半导体与元器件失效分析中的应用
    为推动我国无损检测技术发展和行业交流,促进新理论、新方法、新技术的推广与应用,仪器信息网定于2024年9月11-12日组织召开第三届无损检测技术进展与应用网络会议,邀请领域内科研、应用等专家老师围绕无损检测理论研究、技术开发、仪器研制、相关应用等方面展开研讨。期间,岛津企业管理(中国)有限公司高级应用工程师黄军飞将作报告《NDI在半导体与元器件失效分析中的应用》,介绍岛津NDI在半导体材料与元器件失效分析中的应用案例。本次会议于线上召开,欢迎大家参会交流!关于岛津NDI事业部岛津作为一家著名的测试仪器、医疗器械及工业设备制造厂商,于1909年开发出了日本历史上第一台商用医疗X光机。随着焊接技术的发展,客户中产生了用无损的方法检测钢管焊接的需求,岛津便将其引用到工业领域。1999年,岛津成功开发出日本第一台微焦点X射线CT系统。此后,又陆续推出了一系列X-ray检查装置和测量用X射线CT系统。例如,2023年推出台式X射线CT系统XSeeker 8000,2024年推出倾斜CT和透视一体机 XslicerSMX-6000。目前,岛津NDI拥有微焦点X射线透视检查装置 、微焦点X射线CT系统 、X射线测量CT系统等系列产品。

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  • 半导体芯片失效分析实验室汇总

    半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展,芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而,芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障,这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题,半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成,包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析:1.失效分析如果芯片出现了故障,失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试,如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等,以找出故障根源,如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制,以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验,如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室(简称:北软检测)成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析,可靠性测试,安全验证等。主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测(2D X-ray,3D X-ray)、超声波扫描显微就(SAT)、缺陷切割观察系统(FIB系统)、体式显微镜、金相显微镜、研磨台(定点研磨,非定点研磨,封装研磨)、激光黑胶层取出系统(自动decap,laser decap)、自动曲线追踪仪(IV)、切割制样模块、扫描电镜(SEM)、能谱成分分析(EDX)、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人:赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术,可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年,是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果,并不断引入先进的设备和技术,为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备,能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台,依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源,致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代,针对集成电路芯片的失效问题,建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析,如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代,主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面,该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如,该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法,推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期,由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导,主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外,该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队,能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作,可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所,能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台,提供专业的半导体芯片失效分析服务,包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学,其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器,为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务,涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持,结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备,可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务,包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室,随着技术的不断更新和进步,相信未来将会涌现更多实验室,并且实验室之间也将进行更多的协作与交流,加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才,可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作,并为客户提供专业的技术支持和服务。此外,在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室,如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才,还通过与多家知名公司合作,积累了丰富的经验和数据资源。同时,这些实验室还开展了大量的研究工作,不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之,半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍,可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况,为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

  • AI技术如何助力半导体失效分析?

    AI技术如何助力半导体失效分析? [b]来源:[color=#ff0000] 黄承梁 蔡司显微镜 2024年08月13日 08:01 江苏[/color][/b] 随着显微镜技术的发展,半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上,而是希望通过[b]硬件和软件方案的相结合,提高失效分析(FA)的效率、准确率,并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。[/b] 为此,蔡司提供[b]客制化的软件解决方案[/b],利用AI技术,在分类(classification)、图像分割(segmentation)和图像处理(processing)三大应用方向上助力半导体失效分析。 [img=,690,354]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534025783_9117_2942222_3.jpg!w690x354.jpg[/img] [b]01 图像处理: 提升SEM短扫描时间图像的质量[/b] SEM成像的一大挑战是快速的扫描和高信噪比的图像的矛盾。有时候为了追求高效率的分析或者减少电子束对敏感样品的辐照,我们会减少电子束扫描时间,但这会由于信噪比降低而影响图像质量。[b]使用AI降噪技术,我们在不丢失图像细节的情况下提升了原始图片的信噪比,从而兼顾了高效率和高图像质量。 [img=,690,394]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534258081_4451_2942222_3.jpg!w690x394.jpg[/img]02 图像处理: 提高XRM大视野扫描的分辨率[/b] 在三维X射线无损分析中也面临着类似的难题。高分辨的成像意味着缩小成像视野,有没有方法可以实现高效的大视野高分辨成像呢?利用[b]基于深度学习的DeepScout功能[/b],我们使用局部的高分辨扫描作为训练模型,把大视野(LFOV)扫描的低分辨图像恢复成高分辨图像,从而实现了[b]大视野和高分辨兼得,把分析效率提升了数倍。 [img=,690,324]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061534476641_1527_2942222_3.jpg!w690x324.jpg[/img][/b] [i][font=等线]▲蔡司X射线显微镜三维成像的先进封装样品虚拟截面,左:大视野扫描的原始图片;右: [i]AI恢复处理的高分辨图片[/i] [b]03 图像分割和分类: 从SEM图片中提取缺陷并分类[/b] 在化合物半导体的衬底缺陷检测中,需要的对大量的SEM图片(如CL或ECCI图片)进行分析,区分并统计缺陷类型。[b]借助机器学习算法,我们能够准确地从ECCI图片的背景中提取出位错和表面颗粒物的分布,自动完成缺陷分类和缺陷密度的计算。 [img=,690,345]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061535038929_4618_2942222_3.jpg!w690x345.jpg[/img][/b] [i]▲蔡司场发射扫描电镜拍摄的GaN晶圆的电子通道衬度图像(ECCI),左:原始图片;右:AI图形识别和分割处理后,红点为表面颗粒物,黄点为位错分布[/i] [b]04 分类和定制化的自动工作流程: 自动寻找目标结构、拍图和识别异常[/b] 我们还可以把一种或多种AI的显微镜应用和自动化的显微镜操作结合,形成[b]全自动的完整分析流程[/b]。例如这一案例中用户需要对样品上特定区域的DRAM晶体管进行连续的大面积拍摄,然后识别并分析异常。我们提供了完整的自动化工作流程,使电镜能够在数毫米长宽的样品上自动寻找所有的目标结构,把目标结构居中,并自动调节倍率、对焦、亮度对比度,成像保存,然后移动到下一位置重复上述步骤,最后在所有的图片中识别出异常结构。 [img=,690,219]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/09/202409061536252137_1491_2942222_3.jpg!w690x219.jpg[/img] [i]▲使用可视化编程工具实现自动的DRAM样品拍摄和异常结构检测[/i] 可以看到[b]AI技术的快速发展为显微分析和失效分析带来了创新和便利[/b],把AI和显微镜结合在一些半导体失效分析场景可以[b]提高分析效率及减少人为错误,从繁琐的重复性工作中解放工程师的双手,从而极大地提高实验室的产出。[/b][/font][/i]

  • 半导体器件/材料焊接层\填充层空洞分析手段-超声波扫描显微镜

    半导体器件芯片内部失效分析 超声波扫描显微镜(扫描频率最高可以达到2G). 其主要是针对半导体器件 ,芯片,材料内部的失效分析.其可以检查到:1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/emyc1002.gif请点激链接:半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层,孔洞气泡失效分析C-SAM的叫法很多有,扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope)总概c-sam(sat)测试。XRAY 与C-SAM区别XRAY:X射线可以穿过塑封料并对包封内部的金属部件成像,因此,它特别适用于评价由流动诱导应力引起的引线变形 在电路测试中,引线断裂的结果是开路,而引线交叉或引线压在芯片焊盘的边缘上或芯片的金属布线上,则表现为短路。X射线分析也评估气泡的产生和位置,塑封料中那些直径大于1毫米的大空洞,很容易探测到. 而小于1毫米的小气泡空洞,分层.就非常难检测到.用X射线检测芯片焊盘的位移较为困难,因为焊盘位移相对于原来的位置来说更多的是倾斜而不是平移,所以,在用X射线分析时必须从侧面穿过较厚的塑封料来检测。检测芯片焊盘位移更好的方法是用剖面法,这已是破坏性分析了。C-SAM:由于超声波具有不用拆除组件外部封装之非破坏性检测能力,根据其对空气的灵敏度非常强的特性.故C-SAM可以有效的检出IC构装中因水气或热能所造成的破坏如﹕脱层、气孔及裂缝…等。 超声波在行经介质时,若遇到不同密度或弹性系数之物质时,即会产生反射回波。而此种反射回波强度会因材料密度不同而有所差异.C-SAM即最利用此特性来检出材料内部的缺陷并依所接收之讯号变化将之成像。因此,只要被检测的IC上表面或内部芯片构装材料的接口有脱层、气孔、裂缝…等缺陷时,即可由C-SAM影像得知缺陷之相对位置C-SAM服务超声波扫描显微镜(C-SAM)主要使用于封装内部结构的分析,因为它能提供IC封装因水气或热能所造成破坏分析,例如裂缝、空洞和脱层。C-SAM内部造影原理为电能经由聚焦转换镜产生超声波触击在待测物品上,将声波在不同接口上反射或穿透讯号接收后影像处理,再以影像及讯号加以分析。C-SAM可以在不需破坏封装的情况下探测到脱层、空洞和裂缝,且拥有类似X-Ray的穿透功能,并可以找出问题发生的位置和提供接口数据。主要应用范围:· 晶元面处脱层· 锡球、晶元、或填胶中之裂缝· 晶元倾斜· 各种可能之孔洞(晶元接合面、锡球、填胶…等)· 覆晶构装之分析C-SAM的主要特性: 非破坏性、无损伤检测内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及百分比的计算 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷(裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等)C-SAM的主要应用领域: 半导体电子行业:半导体晶圆片、封装器件、红外器件、光电传感器件、SMT贴片器件、MEMS等; 材料行业:复合材料、镀膜、电镀、注塑、合金、超导材料、陶瓷、金属焊接、摩擦界面等; 生物医学:活体细胞动态研究、骨骼、血管的研究等;

半导体失效分析相关的耗材

  • 佰氟达半导体清洗设备配件耐高温PFA阀门
    半导体清洗设备配件中的耐高温PFA阀门,无疑是保障整个清洗流程稳定运行的关键一环。PFA阀门,以其卓越的高温耐受性能,成为半导体清洗设备中不可或缺的组成部分。在半导体制造过程中,清洗环节对设备配件的性能要求极高,特别是在高温环境下,阀门必须能够保持稳定的工作状态,确保清洗效果达到预期。  PFA阀门以其独特的材料特性,在高温环境下展现出优异的性能。PFA,即全氟烷氧基聚合物,具有出色的耐高温、耐腐蚀和耐磨损等特性,使得阀门在高温、高压、强腐蚀的半导体清洗环境中能够长期稳定运行。此外,PFA阀门还具有良好的密封性能,能够有效防止清洗液泄漏,确保清洗过程的安全性和可靠性。  在半导体清洗设备中,耐高温PFA阀门的应用广泛。它不仅能够满足设备对高温清洗的需求,还能确保清洗过程中不会产生有害物质,从而保障半导体产品的质量和安全。同时,PFA阀门的维护成本相对较低,使用寿命长,有助于降低设备运行成本,提高生产效率。  总之,半导体清洗设备配件中的耐高温PFA阀门,以其卓越的性能和广泛的应用领域,为半导体制造业的发展提供了有力保障。随着半导体技术的不断进步和清洗工艺的日益完善,耐高温PFA阀门将在未来的半导体制造过程中发挥更加重要的作用,推动整个行业的持续发展和创新。
  • 半导体清洗设备配件PFA扩口直通接头
    半导体清洗设备配件中的PFA扩口直通接头,无疑是现代高科技产业中不可或缺的一环。其优异的性能与广泛的应用,使得它在半导体制造过程中占据了举足轻重的地位。  PFA扩口直通接头以其独特的材料特性和设计优势,满足了半导体清洗设备对高精度、高洁净度和高耐腐蚀性的严苛要求。它的扩口设计不仅提高了接头的连接强度,还增强了其密封性能,有效防止了清洗液的泄漏。而直通式的结构则减少了流体在管道中的阻力,提高了清洗效率。  此外,PFA材料本身具有极佳的化学稳定性和耐高温性,能够抵抗各种强酸、强碱和有机溶剂的侵蚀,保证了接头在长期使用过程中的稳定性和可靠性。这种材料还具有良好的自润滑性,降低了接头在运转过程中的摩擦系数,延长了使用寿命。  在半导体清洗设备的运行过程中,PFA扩口直通接头发挥着至关重要的作用。它不仅能够确保清洗液的顺畅流通,还能够有效防止杂质和颗粒物的进入,从而保证了半导体器件的清洗质量和生产效率。  随着半导体技术的不断发展,对清洗设备及其配件的要求也越来越高。PFA扩口直通接头作为半导体清洗设备中的重要配件,其性能的提升和创新将直接影响到整个半导体产业的发展。因此,我们应该继续加大对该领域的研发力度,推动PFA扩口直通接头技术的不断进步,为半导体产业的繁荣发展贡献力量。
  • 佰氟达半导体清洗设备配件PFA石英卡套接头
    在半导体清洗设备中,PFA石英卡套接头扮演着举足轻重的角色。它以其出色的性能和耐用性,为半导体清洗设备的稳定运行提供了有力保障。然而,随着半导体技术的飞速发展,对于PFA石英卡套接头的性能要求也日益严格。因此,对于其研发和生产,我们需要不断探索和创新,以满足市场的需求。  PFA石英卡套接头的优点在于其优良的耐腐蚀性、耐高温性和耐磨损性。这些特性使得它在半导体清洗过程中能够抵御各种化学物质的侵蚀,保持稳定的性能。同时,其独特的结构设计使得安装和拆卸变得更为便捷,提高了工作效率。  然而,随着半导体清洗设备对清洗精度和效率的要求不断提高,PFA石英卡套接头的性能也需要不断升级。例如,我们需要进一步提高其耐腐蚀性能,以应对更为复杂的清洗环境 同时,还需要优化其结构设计,使其更加适应自动化生产线的需求。  为了满足这些需求,我们需要加大研发力度,不断探索新的材料和技术。例如,可以尝试采用新型的PFA材料,以提高接头的耐腐蚀性和耐高温性 同时,也可以借鉴其他领域的先进技术,对PFA石英卡套接头的结构进行优化和创新。  总之,PFA石英卡套接头作为半导体清洗设备的重要配件,其性能的提升和创新对于半导体产业的发展具有重要意义。我们期待未来能够有更多的技术突破,为半导体清洗设备的发展注入新的活力。
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