半导体元件分析

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

正业科技半导体分立元件在线全自动X-RAY检测设备应用介绍：该设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

BPZ电子半导体元件专用干燥箱用途概述：本产品适用于电子产品生产过程的脱泡，脱水，硬化和洗净处理后的干燥等真空状态下的热处理，广泛用于锂离子电池、LED光电元件、晶振等电子产品生产工艺的真空干燥处理，可同时满足不同试验条件下的实验对比，为用户节省试验时间提高效率。产品特点：工作室采用不锈钢板制成，确保产品经久耐用，外箱体可选配全不锈钢SUS304材料，便于清洁。长方形真空室，使用容积大，能充分利用空间。弹性双层钢化玻璃门观察工作室内物体，一目了然。箱门闭合松紧可调节，整体成型的合成硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。增设超温保护温控口，有效的防止温度失控等安全问题。 （选配）每层箱体可独立加温、独立抽真空、独立注氮气，互不干扰。低噪声进口真空泵，真空控制稳定可靠。（带“B”为进口真空泵）可增配置多层隔板（选配）可增配LED照明（选配）程序控制(选配) 程序控制操作，可根据工艺需求设定加热、真空保持和氮气保持时间，确保每批次烘烤一致性，降低产品的烘烤差异性。技术参数：型号多箱真空干燥箱BPZ-6090-2BPZ-6090-2B（二箱）BPZ-6120-2BPZ-6120-2B（二箱）BPZ-6210-2BPZ-6210-2B（二箱）BPZ-6140-3BPZ-6140-3B （三箱）电源电压AC220V 50HZ输入功率2200W3350W3550W3100W控温范围RT+10～200℃温度分辨率/波动度0.1℃ /±1℃达到真空度133Pa真空表机械指针式工作环境温度＋5～40℃内胆尺寸(mm)W×D×H450×450×450（单层）500×500×500（单层）600×600×600（单层）380×600×620（单层）外形尺寸(mm)W×D×H740×810×1470790×860×1570880×960×1770880×980×1910搁板2块(独立控温)×23块(独立控温)×23块(独立控温)×22块(独立控温)×3工作室材料不锈钢304 (1Cr～18Ni9Ti) / 静电喷塑工艺真空表进口真空表价格RMB41900RMB51900RMB56000RMB66000RMB69000RMB79000RMB89000RMB99000注：1、带“B”为进口真空泵。 2、BPZ系列真空干燥箱配真空泵和干燥罐

4156C 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。大量二手仪器仪表，欢迎咨询主要特性与指标用于高级器件表征的高精度实验室台式参数分析仪4x 高分辨率 SMU、2xVSU 和 2xVMU前面板填空操作包括用于基于 PC 的 GUI 仪器控制的 Desktop EasyEXPERT 软件测量能力1 飞安和 0.2 微伏测量分辨率QSCV、压力模式、旋钮扫描、待机功能+/- 200 伏特和 +/- 1 安培大功率 SMU，可选 41501B 提供脉冲发生器功能桌面 EasyEXPERT 软件B1500A 半导体器件分析仪的相同测试和测量环境直观、面向任务的参数测试方法配备 80 多个预定义的、用户可修改的应用程序测试自动将数据保存到硬盘驱动器或任何网络驱动器通过 Desktop EasyEXPERT 软件进行离线数据分析和应用测试开发

SCD-1500型半导体C-V特性分析仪关键词：半导体，C-V特性，集成电路 SCD-1500型半导体C-V特性分析仪创新性地采用了双CPU架构、Linux底层系统、10.1英寸电容式触摸屏、中英文操作界面、内置使用说明及帮助等新一代技术，适用于生产线快速分选、自动化集成测试及满足实验室研发及分析。半导体C-V特性分析仪测试频率为10kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，足以满足二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体件CV特性测试分析。一、主要应用范围：半导体元件/功率元件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析半导体材料晶圆、C-V特性分析液晶材料弹性常数分析二、性能特点：通道：2（可扩展至6）高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V双CPU架构，最短积分时间0.56ms（1800次/秒）10.1英寸电容式触摸屏，分辨率1280*800，Linux系统点测、列表扫描、图形扫描(选件)三种测试方式四寄生参数（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏显示快速导通测试Cont一体化设计：LCR+高压源+继电器矩阵快速充电，缩短电容充电时间，实现快速测试自动延时设置10档分选三、功能特点A.单点测试，10.1英寸大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗10.1英寸触摸屏、1280*800分辨率，Linux系统、中英文操作界面，支持键盘、鼠标、LAN接口，带来了无以伦比的操作便捷性。MOSFET最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一个界面直接显示测量结果，并将四个参数测试等效电路图同时显示，一目了然。多至6个通道测量参数可快速调用，分选结果在同一界面直接显示。B.列表测试，灵活组合SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持最多6个通道、4个测量参数的测试及分析，列表扫描模式支持不同通道、不同参数、不同测量条件任意组合，并可设置极限范围，并显示测量结果 。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。。C.曲线扫描功能（选件）SCD-1500型半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线 。D.简单快捷设置E.10档分选及可编程HANDLER接口仪器提供了10档分选，为客户产品质量分级提供了可能，分选结果直接输出至HANDLER接口。在与自动化设备连接时，怎么配置HANDLER接口输出，一直是自动化客户的难题，TH510系列将HANDLER接口脚位、输入输出方式、对应信号、应答方式等完全可视化，让自动化连接更简单。F.支持定制化，智能固件升级方式SCD-1500型半导体C-V特性分析仪客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级G.半导体元件寄生电容知识在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因数在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。 技术参数1、 通道：2通道（可扩展6通道）2、 显示：液晶显示，触摸屏3、 测量参数：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|4、 测试频率：10kHz-2MHz5、 精度：0.01%6、 分辨率：10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz7、 电压范围：5mVrms-2Vrms8、 精度：±（10%×设定值+2mV）9、 VGS电压： ±40V，准确度：1%×设定电压+8Mv,分辨率 1mV(0V-±10V)10、 VDS电压：0 - 200V11、 精度：1%×设定电压+100mV12、 1%×设定电压+100mV13、 输出阻抗：100Ω，±2%@1kHz14、 软件：C-V特性曲线分析，对数、线性两种方式实现曲线扫描

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。半导体参数分析仪RTM2主要功能：&bull 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。&bull 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性，可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。&bull 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围，并将交流带宽提高了约两个数量级，以测试MΩ器件。&bull 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量（Rx、Ry、RH），即使是在无图案的薄膜上。&bull 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力，可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点：&bull 万用表或锁相放大 器等传统精密设备依赖于与被测设备（DUT）静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。&bull 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响，但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性，这在实践中是无法实现的。&bull 相比之下，矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精确区分纵向和横向电阻，即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。&bull 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零（auto-zeroing）"，以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。&bull 可以对偏移和增益漂移进行补偿，从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思：可实现的精度不是 7、8 或 10 位数，而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧！&bull 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性，从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。半导体参数分析仪RTM2突出亮点&bull 基于集成开关矩阵的可重构设备架构&bull 8 个用户自定义端口（BNC 连接器），功能（输入、输出和/或参考）可自由确定&bull BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽&bull 使用固定连接（开尔文或霍尔几何）进行传统的交流和直流 4 线测量&bull 交替连接的交流和直流测量（电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量）&bull 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值，无需光刻图案&bull 常用测量模式的软件预设，可指定任何用户特定的切换序列&bull 基于 TCP 的通信，可轻松集成到任何环境中（如 Labview、C、Python）半导体参数分析仪RTM2主要的优势：&bull 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM）&bull 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性&bull 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值，并允许用户进行全面配置&bull 无需进行复杂的样品制备（如平版印刷）。&bull 可轻松连接多种不同的测量装置（如探针台 、低温 恒温器、真空系统等）&bull 节省测量时间，提高样品吞吐量半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域&bull 材料研究与表征&bull 固体物理 &bull 半导体物理&bull 磁性器件 &bull 柔性电子器件&bull 自旋电子学 &bull 新型功能电子材料和器件工业研发和晶片/设备测试&bull 微电子设备 &bull 存储器&bull 晶体管、二极管 &bull LED/OLED &bull 太阳能电池 &bull 显示器、TCO &bull 传感器半导体参数分析仪RTM2典型测试示例：&bull 在标准几何结构（开尔文和霍尔布局）中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量&bull 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量&bull 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量&bull 零偏移霍尔 4 线测量（即使是非结构化样品，也能准确分离纵向电阻和横向电阻）&bull 比率电阻测量，消除样品和设备漂移&bull 高驱动谐波失真测量&bull 脉冲和测量例程半导体参数分析仪RTM2规格参数：产品详细信息可联系我们或下载数据资料！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

4156B 安捷伦半导体参数分析仪　　41568 是安捷伦的半导体参数分析仪。半导体参数分析仪是用于各种测量功能的多合一工具。半导体参数分析仪可以测量和分析多种电子设备、材料、有源或无源元件、半导体或任何其他类型的电子设备的电气特性。工程师使用这台测试设备来监测不同类型设备中的电流和电压响应。附加的功能:　　高分辨率/准确度和宽范围。I:1 fA 至1A(20 fA 偏移精度),V:1μV 至 200 V采用直流或脉冲模式的全自动 I 扫描测量，可扩展至 6个 SMU同步应力/测量功能，两个高压脉冲发生器单元(±40 V)时域测量:60us-可变间隔，多 10,001 个点　　易于使用:类似于曲线跟踪器的旋钮扫描，自动分析功能自动化:内置 HP Instrument BASIC、触发 //O 功能设置测量和/感压力条件控制测量和/或压力执行　　执行算术计算　　在 LCD 显示屏上显示测量和计算结果　　执行图形分析　　存储和调用测量设置，以及测量和图形显示数据　　转储到打印机或绘图仪以进行硬拷贝输出　　使用内置的 HP Instrument BASIC 执行测量和分析　　自检、自动校准　　Agilent HP 4156B 是下一代精密半导体参数分析仪。您将获得好的数字扫描参数分析仪、可靠性测试仪、功能强大的故障分析工具和自动进货检测站，所有这些都集成在一台仪器中。这个新系列经过明确设计，旨在为评估您的亚微米几何器件提供的精度和功能。使用一台灵活的仪器，您可以从材料评估和器件表征一直到终封装部件检查和现场故障分析，提高您的半导体质量。　　Agilent HP 4156B 提供四个内置电源/监控器单元 (SMU)、两个电压源单元 (VSU)和两个电压监控器单元 (VMU)。　　Agilent HP 41568 将电流分辨率扩展至 1fA,准确度扩展至 20 fA。HP 4156B 在每个 SMU 上使用全开尔文遥感。　　您可以随时添加配备 0V/1.6 A 接地装置的 Agilent HP 4150 1B SMU 和脉冲发生器扩展器。扩展器接受两个 10 0mA/100 VSMU 或一个 1A/200V SMU,以及两个特别同步的 40V/200 mA/1 us 脉冲发生器。　　设置和测量　　Agilent HP 41568 可以使用许多测量单元(包括 Agilent HP 415018 中的单元)执行阶梯和脉冲扫描测量以及采样(时域)测量，而无需更改连接。此外，您可以轻松地执行应力测量循环测试以进行可靠性评估,例如热载流子注入和闪存 EEPROM 测试。　　设置和测量是通过设置页面并从前面板按键、键盘或 GPIB(SCPI命令)填写空白来进行的。您还可以使用类似于曲线跟踪器操作的旋钮扫描功能即时测量和查找设置条件。　　显示和分析　　测量和分析结果显示在彩色液晶显示屏上，您可以将四个图形存储器中存储的图形叠加起来进行比较。许多强大的图形分析工具可以轻松分析和提取许多参数，例如 hFE 和 Vth。　　-旦找到参数提取条件，就可以使用自动分析功能自动获取参数。　　输出和存储　　设置、测量和分析数据可以通过 GPIB、并行或网络接口 10 Base-TLAN 输出到彩色绘图仪和打印机。您还可以通过网络将数据以 MS-DOS 或 LIF 格式保存到磁盘或 3.5 英寸磁盘上。图形(HP-GL、PCL 或 TIF)输出文件允许您将图形传输到桌面出版软件。　　重复和自动化测试　　HP 4156B 中内置的 Agilent HP Instrument BASIC 控制器可以使用外部仪器构建自动测量系统,而无需控制器。Agilent HP 4156B 可以通过多功能触发 I/0 功能与外部仪器同步　　公司主营产品还有：　　射频微波测试仪器：频谱分析仪，网络分析仪，信号发生器，射频功率计，5G综测试仪；　　光通信测试仪器：光谱分析仪，光源，光功率计及模块，光采样示波器及模块，光波长计，光衰减器，消光比测试仪，误码分析仪，光可调滤波器，空间光调制器，偏振控制器，色散分析仪，光通信测试系统，激光二极管驱动器，光纤应变分布测试仪，光时域反射仪，光开关，光纤熔接机，端面检查仪；　　通用基础仪表：数字源表，皮安表，通用电源，电子负载，实时示波器，万用表...　　主要品牌：　　安捷伦、是德、横河、惠普、罗德与施瓦茨安立、爱德万、吉时利、泰克、德天（DESKY）唯亚威（VIAVI）、捷迪迅...　　※销售、维修、租赁、回收都可咨询　　※有意者可联系王先生

产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

半导体可饱和吸收体 目前，可饱和吸收体产品包括：SAM半导体可饱和吸收镜（Semiconductor Saturable absorber mirror）、SA 可饱和吸收体（Saturable Absorber in transmission）、RSA 谐振饱和吸收器（Resonant Saturable Absorber in transmission）、RSAM共振可饱和吸收镜（Resonant Saturable absorber mirror）、SANOS 可饱和噪声去除腔(Saturable Noise Suppressor)。 我司所提供的可饱和吸收产品，可以覆盖620nm到3.5μm的常用激光波长范围。SAM-半导体可饱和吸收镜 (Saturable Absorber Mirror)SAM结构是由一面反射镜和前面的一个饱和吸收体组成。镜子的单晶层和吸收体生长在GaAs等晶圆上。SAM实际上是一面非线性的反射镜，反射率随脉冲能量的增加而增加。应用：利用饱和吸收镜(SAM)，可以实现具有非常稳定脉冲重复率的自启动被动锁模二极管泵浦激光器、固体激光器和光纤激光器，光谱范围涵盖620nm~3.5μm内都可以使用。此外，还可以利用SAM作为非线性光学器件来实现Q开关微片激光器。RSAM 共振饱和吸收镜(Resonant Saturable Absorber Mirror)用于固态激光器的无源锁模，用作激光输出元件。RSAM被设计成谐振Gires Tournois干涉仪结构，吸收层位于共振腔内波腹处。RSAM是一种非线性光学器件，对如噪声具有很低的反射率，对高功率信号(如光脉冲)具有很高的反射率。光脉冲使吸收器材料在RSAM的共振腔内饱和。由于吸收材料的恢复时间短，RSAM在反射脉冲后及时过滤噪声。RSAM的重要参数是共振波长、带宽和饱和通量。RSAM应用于光噪声抑制，例如在EDFA或脉冲选择器之后光-光波长转换。SOC饱和输出耦合器(Saturable Output Coupler )用于固态激光器的无源锁模，用作激光输出元件。使用饱和输出耦合器(SOC)，一个自启动，被动锁模或Q开关二极管泵浦固体或光纤激光器，结构非常简单。SOC是一个饱和吸收镜(SAM)与输出耦合镜的组合。SANOS饱和噪声抑制器(Saturable Noise Suppressor)用于抑制光噪声，例如光放大器后的ASE或脉冲提取器后的剩余脉冲。可以提供自由空间或光纤耦合类型。SA可饱和吸收器( Saturable Absorber )适用于用于固态、环形或光纤环形激光器的无源锁模。可以提供自由空间或光纤耦合类型。SA的典型饱和通量比SAM高RSA共振饱和吸收体( Resonant Saturable Absorber in transmission )共振饱和吸收体可用于环形激光器的被动锁模。具有以下特殊性能：低强度时，共振波长处的反射率为零。共振之外的所有波长的透过率为零。在共振波长处，透射率随脉冲强度的增大而增大。饱和通量明显低于SA，甚至低于典型的SAM。上述特性使被动锁模光纤环形激光器的构建成为可能，该激光器的激光波长固定在RSA的谐振波长处，连续波锁模启动的功率阈值较低。 ** 关于可饱和吸收体的详细规格参数要求，可咨询上海昊量光电设备有限公司。 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品简介:FS-Pro系列是业内的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统，单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力，内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整，性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro不仅被多家全球先进的设计公司和半导体代工厂，IDM和设计公司采用，在学术界也受到广泛认可，已被数十所大学及研究机构所采用。 张先生 产品优势一体化: 集成IV测试、CV测试、低频噪音(1/f noise)于单台仪器中，无需换线和更新连接即可完成全部低频参数化表征。超快速：FS-Pro系列较传统半导体参数测试系统，其测试速度高达10倍，业界首创AI测试加速卡，体验强大速度提升，同时保持测试精度。模块化架构：PXI模块化架构，可轻松扩展支持生产测试（如 WAT），辅以其高速和完整特性，可以大幅加速量产测试。操作便捷：内置测量控制软件LabExpress™ ，拥有直观的用户图形界面，仅需点击几下鼠标就可以完成强大的器件特性分析功能。可选工业级测试软件FastLab, 支持自动探针台，第三方仪器和SRAM，可靠性测试等工业测试需求。宽量程：高达200V，1A（脉冲3A），0.1fA的灵敏度。建模仿真：可选内置器件建模与仿真软件（BSIMProPlus/MeQLab/NanoSpice），形成测试，建模仿真系统。产品应用可应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。IV电流电压测试。CV电容电压测试。1/f noise低频噪音测试。Pulse脉冲生成。高采样率的IV-T模式。 产品指标IV电流电压测试高精度参数测量 ，电压200V, 分辨率0.1fA，电流测量精度30fA，直流电流1A，脉冲电流3A。高采样率的IV-T模式FS-Pro的SMU的I-T采样率指标，最小设定1e-6s（1us），数据存储达10万个点，目前在业界已经验证。CV电容电压测试内建CV频率范围10Hz~10kHz，最小可测电容20fF，直流偏置电压200V。外置LCR提供高精度（10fF@2MHz，内建直流偏置40V）和高带宽（8MHz）两个选项，同时软件支持第三方工业主流LCR，如E4980A，428x系列等。1/f noise低频噪音测试 带宽：0.001Hz-100KHz 噪音分辨率： 2e-28A2/Hz 测量速度： 10秒钟/偏置（f0.5Hz）DUT最小阻抗：500欧姆 DUT直流偏置和电流：200V, 1A Pulse脉冲生成功能 电压范围±200V, 最小脉宽50us，最小分辨率100nV张先生 FS-Pro支持与MPI、Cascade厂家的半自动,全自动探针台连用,已于国内外大型半导体厂、科研院所等有着广泛的合作。

产品详情美国TEK Keithley 泰克半导体参数分析仪4200A-SCS使用 4200A-SCS 加快半导体设备、材料和工艺开发的探索、可靠性和故障分析研究。 业内领先性能参数分析仪，提供同步电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 和超快脉冲 I-V 测量。 直流电流-电压(I-V)范围：10 aA - 1A，0.2 μV - 210 V电容-电压：(C-V) 范围，1 kHz - 10 MHz，± 30V 直流偏置脉冲 ：I-V范围：±40 V (80 V p-p)，±800 mA，200 MSa/s，5 ns 采样率 参数查看，快速清晰。 大胆发现从未如此容易。 4200A-SCS 参数分析仪可将检定和测试设置的复杂程度降低高达 50%，提供清晰且不折不扣的测量和分析功能。 另外，嵌入式测量专业知识（业界首创）可提供测试指南并让您对结果充满信心。 特点 内置测量视频采用英语、中文、日语和韩语 使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试 自动实时参数提取、数据绘图、算数函数 测量、 切换、 重复。 4200A-CVIV 多通道切换模块自动在 I-V 和 C-V 测量之间切换，无需重新布线或抬起探头端部。 与竞争产品不同，四通道 4200A-CVIV 显示器提供本地可视查看，可快速完成测试设置，并在出现意想不到的结果时轻松排除故障。 特点 无需重新布线即可将 C-V 测量移动到任何设备终端 用户可配置低电流功能 个性化输出通道名称 查看实时测试状态 检定、 自定义、 最大化。 简单地说，4200A-SCS 可以完全自定义且全面升级，您可以对半导体设备、新材料、有源/无源组件、晶片级可靠性、故障分析、电化学或几乎任何类型的样本执行电气检定和评估。 特点 NBTI/PBTI 测试 随机电报噪声 非易失内存设备 稳压器应用测试带分析探测器和低温控制器的集成解决方案。4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories. 特点 “点击”测试定序 “手动”探测器模式测试探测器功能 假探测器模式无需移除命令即可实现调试 降低成本并保护您的投资 保障计划以按需服务事件的一小部分成本提供快速、高质量的服务。 只需点击一下或拨打一个电话即可获得维修服务，在此过程中，无需报价或填写采购单，也不会有审批延误。

Toptica数控可调半导体激光 DLC pro 其它通用分析可调谐半导体激光 pro design 对温度变化和声音影响稳定配有数字控制模块 DLC pro: 更少频率漂移，更窄线宽运行时线宽可达 10 kHz在与外腔参照锁模情况下，线宽可达 1 Hz我们的 DL pro 是zhong极可调谐二极管激光器。其ge ming性的机械设计可同时实现简单的操作和ji高的稳定性。它提供最高的输出功率和优化的无跳模调谐，具有wan美定位的光栅运动虚拟枢轴点。与数字控制DLC pro控制器一起，它显示出的线宽和漂移 - 具有zui舒适和直观的用户界面。可以购买软件许可证来启用频率锁定功能。DLproHP 二极管激光器采用特殊的谐振腔设计，允许“可见”激光二极管提供更高的单模输出功率。与 DL pro 一样，它是一种扩展腔二极管激光器 (ECDL)。两种激光器都具有各种调制输入，并且可以配备各种选项，如光纤耦合、光束整形等。DL pro FL 锁定比以往任何时候都更快，为下一代量子技术奠定了基础。我们的 DL pro 的 FL 变体具有腔内 EOM，可提供两个反馈通道。一个用于快速调整，确保出色的锁定性能，另一个保证锁具的高坚固性。我们提供范围广泛的畅销产品，它们是典型应用的交钥匙解决方案，例如原子或离子的激光冷却。这些系统结合了DLC pro和 DL pro、DL pro HP 或 DL pro FL，包括适当的隔离器。它们可以与光纤耦合和启用频率锁定功能的软件许可证相结合。Toptica数控可调半导体激光 DLC pro畅销产品可提供以下波长：369、397、399、420、461、633、637、670、674、729、780 和 850 nm。有关详细信息，请参阅下面的其他畅销产品部分。此外，DL pro 适用于我们的增透膜和法布里-珀罗激光二极管库存清单中列出的所有激光二极管。生成的波长覆盖范围的概述显示在下面的附加信息部分。

高性价比半导体激光器Oxxius 公司简介：Oxxius（法国）是一家激光设计和制造公司，旨在为可见光激光器市场带来颠覆性创新。Oxxius为科研和工业客户开发优质的连续激光器，在生物光子学、计量学、光谱学和其他分析仪器中广泛应用。450nm半导体激光器、607nm固体激光器、785nm半导体激光器、808nm半导体激光器、915nm半导体激光器、980nm半导体激光器、1064nm半导体激光器：体积小、功耗低。部分参数/配件可定制。兼容Oxxius L4Cc 和 L6Cc 多波长合束激光器。有即插即用（符合 CDRH 标准）版本和OEM版。Oxxius激光器内置智能芯片，具备强大软件控制功能、工作状态记录功能、远程诊断及自我修复功能，我们的工程师可以为客户远程维修。单横模半导体激光器产品特性图：光斑模式图TTL调制图模拟调制图单横模半导体激光器应用：超分辨成像,荧光激发,共聚焦显微镜,流式细胞术,DNA测序,光遗传学,多波长合束,聚合物固化,材料分析,激光打标。Oxxius公司单横模激光器系列：关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学 、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪无等离子体设计,可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 与光学发射光谱 OES 对比, Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 适用于半导体工艺中蚀刻计量控制, ALD, 3D-NAND 和新兴的堆叠式 DRAM.半导体蚀刻工艺挑战日益增加蚀刻是半导体制造中常用的工艺之一. 介电蚀刻用于形成绝缘结构, 触点和通孔, 多晶硅蚀刻用于在晶体管中创建栅极, 金属蚀刻去除材料以显示电路连接图案并钻穿硬掩模.连续蚀刻铝 Al, 钨, 铜 Cu,钛 Ti 和氮化钛 TiN 等工艺金属具有挑战性, 因为许多金属会形成非挥发性金属卤化物副产品（例如六氯化钨 WCl6）, 这些副产品会重新沉积在蚀刻侧壁上, 导致成品率降低（通过微粒污染或沉积材料导致短路）.随着半导体行业不断缩小关键特征尺寸并采用垂直扩展 (如 3D-NAND 存储器和全环绕栅极先进技术节点), 各种新的蚀刻挑战已经出现. 这些包括在晶圆上蚀刻更小的特征, 高展弦比 HAR 沟槽蚀刻 (具有小的开放面积百分比- OA%), 以及在新兴的非挥发性存储器和高 k介质中蚀刻金属闸极, 稀土金属等新材料. 对于先进的纳米级工艺, 如蚀刻到硅介质和金属薄膜, 选择性处理, 如原子层蚀刻 ALE 一次去除材料的几个原子层. ALE 提供了比传统蚀刻技术更多的控制. 对于 3D-NAND 和先进 DRAM 来说, 向批量生产过渡的重大挑战包括解决导体蚀刻困难的要求, 满足积极的生产斜坡和实现所需的吞吐量, 以推动成本效益.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供高性能, 嵌入式和可靠的原位定量分子气体计量已经成为验证工艺室和持续监测工艺化学过程的关键工具, 确保生产环境中的高产率和更大吞吐量.Aston™ 质谱分析仪提供全腔室解决方案使用上海伯东 Atonarp Aston™ 质谱仪通过实时, 定量和精确的分子传感器来解决半导体新兴蚀刻工艺技术相关的关键挑战. 通过解决传感器耐久性, 灵敏度, 匹配, 系统集成和易用性等方面的挑战, 日本 Atonarp Aston™ 质谱仪升级了传统的气体分析计量方法. Aston 是一种全室解决方案, 用于在各种工艺步骤中实时监测前体, 反应物和副产物.这些包括基准室和过程指证, 腔室清洁, 过程监测 (包括存在腐蚀性气体), 颗粒沉积和气体污染物凝结. 小的占地面积和灵活的通信接口允许在室内安装和集成到过程设备控制系统. 为了集成到半导体工艺工具中, Aston 质谱分析仪的高性能和可靠性设计用于生产晶圆的大批量生产过程控制.Aston™ 质谱分析仪半导体蚀刻计量控制半导体行业正从二维结构的扩展转向复杂三维结构的挑战性要求. 传统的离线晶圆测量已不足以实现性能和良率目标, 原位蚀刻测量传统上缺乏生产所需的鲁棒性和可重复性. Aston™ 质谱分析仪的结构中嵌入了专利技术, 使其具有卓越的分析和操作性能. 为了满足过程控制和跨工厂生产工具匹配的严格要求, Aston 从头开始设计, 高运行时间和低维护的吞吐量, 长期信号稳定性和可重复性.为了承受腐蚀和沉积过程的恶劣环境, Aston™ 引入了两个的功能: 等离子电离和自清洁 (ReGen™模式). 等离子体电离消除了由于与腐蚀性气体(如NF3, CF4, Cl2)的反应而导致的灯丝降解. 此外, 除去(正硅酸四乙酯) TEOS 等颗粒和蒸汽污染物沉积, 同时定期进行室内清洁循环, 延长了 Aston™ 质谱仪的使用寿命. ReGenTM 模式使仪器能够使用高能等离子离子清洗自身, 通过去除在膜沉积过程中可能发生在传感器和腔室壁上的沉积. 结合这两个功能, 传感器的灵敏度可维持在数百个RF(射频)小时的操作. Aston质谱仪支持的基于测量的控制, 有可能延长清洗间隔 MTBC 的平均时间. MTBC 的增加意味着工具可用性和长期吞吐量的增加. 除了等离子电离器(用于工艺), 传感器还配备了传统的电子冲击 EI 灯丝电离器, 用于基线和校准.分子传感器的分析级是使用微米级精密双曲电极的四极杆. 由高度线性射频(RF)电路驱动, Aston 质谱的HyperQuad 传感器在 2到300 amu的质量范围内具有更高的分析性能.Aston™ 质谱分析仪技术参数参数值质量分辨率0.8u质量数稳定性0.1u灵敏度(FC / SEM)5x10-6 / 5x10-4 A/Torr最低可检测的部分压力(FC / SEM)10-9 / 10-11 Torr检测极限10 ppb最大工作压力1X10-3 Torr每 u 停留时间40 ms每u扫描更新率37 ms发射电流0.4 mA发射电流精度0.05 %启动时间5mins离子电流稳定 ±1%浓度的准确性 1%浓度稳定±0.5%电力消耗350w重量13.7kg尺寸400 x 297 x 341mm高展弦比 HAR 3D 蚀刻随着多模式技术和 3D器件结构的出现, 高度密集的蚀刻和沉积过程驱动了计量需求. 3D多层膜栈, 如 NAND 存储架构, 代表复杂的, 具有挑战性的蚀刻过程, 具有关键的蚀刻角度, 统一的通道直径和形状要求, 尽管高蚀刻纵横比通道 100:1 是常见的. 对于 3D-NAND, 关键导体蚀刻过程包括阶梯蚀刻(下图)和用于垂直通道和狭缝的 HAR 掩模打开. 通过硝酸硅和氧化硅交替层蚀刻需要高速定量终点检测. 对于 DRAM, 蚀刻过程包括 HAR 门, HAR 沟槽和金属隐窝. 对于阶梯蚀刻, 关键是在整个 3D堆栈的每个介质膜对的边缘创建等宽的“步骤”, 以形成阶梯形状的结构. 在器件加工过程中, 这些步骤的大量重复要求蚀刻高吞吐量和严格的过程控制.多功能现场气体计量需要在一个工具中执行多种监测功能:• 检测和量化污染, 交叉污染, 气体杂质和工艺室内的工艺化学• 评估已开发的蚀刻过程在生产工具 / 运行的复杂功能上的性能• 测量刻蚀后的清洁 (包括先进的无晶圆自动清洁 WAC) 作为腔条件对于消除工艺漂移和确保可重复性性能是至关重要的• 快速准确的蚀刻端点检测 EPD, 通过等离子体或气体监测, 因为这是一个关键的控制功能. 举例包括一氧化碳 CO 副产物在介电蚀刻中下降或氯 Cl 反应物在多晶硅和金属蚀刻端点上升.• 全面的实时计量数据, 允许过程等离子体和反应物的动态腐蚀控制, 以管理要求的腐蚀剖面Aston™ 质谱分析仪无等离子体终点检测虽然光学发射光谱 OES 已被广泛用于蚀刻 EPD, 但低开放面积 OA 和 HAR 设计的趋势使其在许多蚀刻任务中无效. OES 技术需要等离子体'开'和发光物种. 随着昏暗和远程等离子体越来越多地用于 3D设备和原子水平蚀刻 ALE 工艺, 需要更多敏感的数据和分析技术来实现迅速和确定的 EPD. 此外, 脉冲等离子体通常用于管理 HAR 和 低 OA% 工艺的蚀刻剖面, 这使得 OES 对于 EPD 来说是一个不切实际的解决方案. 在3D 结构中, 多层薄膜和多个接触深度阻碍了每一行触点到达底部时端点的光学发射信号的急剧步进变化其他 OES 限制包括:• 在电介质蚀刻中, 在 OA 5% 的模式上进行 EPD一直具有挑战性, 因为 OES 在低浓度下具有低信噪比.在高压Si深蚀刻(例如博世工艺)中, 要求 OA% 的 EPD低于 0.3%, OES 中较大的背景噪声水平抑制了对发射种数量的任何变化的检测.• 在金属蚀刻中, OA% 可能低于10%, 这取决于所涉及的互连尺寸. 对于接触和通过蚀刻, OA 可以在0.1-0.5%之间或更低, 这取决于所涉及的特征的大小. 在钨 W 蚀刻的情况下, 随着 OA的减小, 氯 Cl 反应物的消耗减少, 由于材料运输到 HAR 蚀刻特征, 蚀刻趋于放缓. 这两个因素都降低了反应气的消耗率. 因此, 由于等离子体中反应物的耗尽, 很难看到在终点处 OES信号的显著变化.Aston™ 质谱仪可以利用蚀刻反应物和 EPD 的副产物. 此外, Aston 能够在小的, 有限体积的传感器上运行周期性清洗, 以保持其性能(灵敏度), 在延长晶圆运行次数的情况下获得更大的正常运行时间. 然而, OES 要求在腔室上有一个需要保持清洁的访问窗口，以获得足够强度的稳定信号。通常，加热石英窗用于减缓工艺产品的堆积. 使用 Aston™质谱分析仪，在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱的影响, 也不受射频功率脉冲期间等离子体强度波动的影响.图 3a/3b 显示了 CO+和 SiF3 +的副产物 OA%下降到0.25%的电介质腐蚀EPD数据数据清楚地显示了线性行为和在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱影响. Aston 质谱的 ppb 灵敏度是针对 0.1%以下的 OA性能.原子级蚀刻 ALE在三维结构中, ALE 过程中的逐层去除需要脉冲射频电源来控制自由基密度和较低的离子能量, 以减少表面损伤和保持方向性. 在这样的光源中, 等离子体的整体光强较低, 并表现出波动幅度. 通常等离子体离晶圆区很远(距晶圆区25厘米), 而且等离子体激发的副产物很少, 使得光学测量不切实际.在 ALE中, 由于每个周期都是自我限制的, 端点检测可能不那么重要. 然而, 在缺乏气体分析的情况下, 工艺工程师对监测腔室和工艺健康状况“视而不见”, 因为无法看到化学状态, 特别是在工艺步骤 (吸附/净化/反应/净化) 之间过渡时的动态状态, ALE 的自限性并不能使它不受过程漂移的影响. 此外, 由于 ALE 不是基于等离子体的, 因此过程中的化学变化不一定可以通过等离子体监测检测到.有一种误解, 认为 ALE 技术实际上是一次一个原子层 相反, 它们每循环的去除/沉积量可能比单分子膜多一点(或少一点). 由于真空泵性能, 晶圆温度或离子轰击能量 (电压) 的变化分别导致表面饱和度和表面反应性的变化, 工艺移位(Å/周期的变化)可能发生.在 ALE (下图)中,由于等离子体的使用不一致, 化学监测方面的差距就不那么明显了. 在这种情况下, Aston™ 质谱仪具有以下优点:• 在每个工艺步骤中建立一个腔室化学状态的指证. 这可以参照其自身的正常行为, 也可以参照标准腔• 描述和监控与化学变化相关的动态过程中, 从一个步骤过渡到下一个步骤• 监测在 ALE 循环第一步之后从系统中清除吸附物质的时间. 等离子体通常用于产生吸附物质(自由基), 但它是在远离晶圆片的地方产生的• 监测 ALE 循环第二步反应产物的变化. 等离子体光强通常较低, 因为它使用了低占空比的脉冲射频• 监测反应产物和反应物在ALE循环第二步后被净化的时间结论原子级蚀刻只能使用像上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪这样的分子传感器进行真正的测量和监测. 它的高灵敏度, 速度和对等离子体强度变化的低敏感性产生可靠的定量测量, 即使在低浓度的反应物和副产物, 具有低于1% 水平的高精度, 可以监测微妙的过程漂移和过程变化效应, 提供了可用于机器学习模型的见解.利用其高扫描速度, 通过监测反应产物减少的时间来实现步进时间优化, 因为它是表面反应活性变化的指示, 增加了总体吞吐量.ALE 是先进的蚀刻技术, 上海伯东 Aston 质谱仪为 ALE 提供了先进的化学计量技术, 可以测量和控制反应及其持续时间, 为大批量生产提供了可靠的解决方案.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

普泰克主要经营恒温循环器/冷水机/低温恒温器/低温冷却液循环泵/（生物）低温恒温循环泵/超低温恒温器/超高温恒温器/工业级冷水机 /冷却水循环器 /超高温工艺过程恒温器/工艺过程恒温器/冷却水循环机/大功率循环冷却器/高低温动态温度控制系统/加热制冷循环器/动态温度控制系统/油浴循环器/低温恒温器 /加热制冷循环器/工艺过程恒温系统/高精度恒温器/TCU温度控制/实验室冷阱/投入式制冷器/动态温度控制系统/工业级冷水机 /半导体温控/反应釜温控/汽车温控/加热制冷恒温器 /制冷加热一体机/制冷加热循环装置/制冷加热设备/制冷加热循环机/高低温循环泵价格 /密闭高低温一体机/高品质低温冷冻机 /优质密闭低温冷冻机/低温冷冻机产品参数/精准控温高低温循环器/全封闭小型高低温循环装置 /微型高低温冷却循环器 /低温制冷循环器/加热循环器/制冷加热控温系统/低温冰机价格/半导体晶圆温度控制/样品冷热台高低温设备/冷热恒温一体机/高精度动态温度控制系统/半导体冷却加热恒温一体机/冷热源动态恒温控制系统/动态温度控制恒温循环器/精密冷水机/精密型冷水机/双温半导体冷水机/半导体冷水机/半导体冷却一体机/半导体制冷冷水机/半导体风冷式冷水机/半导体芯片测试冷水机/芯片半导体专用冷水机/恒温恒流恒压冷水机/半导体致冷冷水机/SMC国产替代水冷机/气体冷却机/气体温控设备/气体温度控制设备/冷气制冷机/气体冷却器/晶圆气体冷却设备/半导体测试国产替代温控设备/汽车行业温控设备/新能源行业温控设备/测试分选机高低温设备/电源模块及组件测试台/汽车冷却液循环泵(CCP)性能测试台/ECP电子元件性能试验台/新能源电池性能测试台/汽车热管理系统温度控制单元/汽车热管理系统温度控制系统/喷油器性能测试台/转换器 / 逆变器性能测试台/汽车无线电充系统性能测试台/液体冷却设备/液体冷却器/外部温度控制循环器/高低温一体机加热制冷温控系统/超低温气体制冷机/医疗设备气体制冷机/医用恒温、恒压、恒流功能制冷机/制冷型低温制冷机/冷水机厂家/半导体温控厂家/汽车温控厂家

1 产品概述: 半导体烘箱是一种专门用于半导体芯片、电子元器件等材料进行热处理的设备。它通过高温加热的方式，对半导体芯片进行烘干、固化、烘焙等处理过程，以提高半导体芯片的性能稳定性和可靠性。半导体烘箱采用先进的温度控制系统和加热技术，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，确保半导体芯片在热处理过程中不受损害。2 设备用途：半导体烘箱的主要用途包括：半导体芯片制造：在半导体芯片制造过程中，烘箱用于烘干、固化和烘焙芯片，以提高芯片的稳定性和可靠性。电子元器件处理：对于电子元器件，如LED封装、印刷电路板等，半导体烘箱可用于去除水分、气体，保证元器件的质量稳定性和寿命。热处理实验：在科研和实验领域，半导体烘箱也常用于烘烤、老化实验，检验电子元气件、仪器仪表等材料在温度环境下的性能指标。3 设备特点半导体烘箱的特点主要体现在以下几个方面：高精度温度控制：半导体烘箱具备高精度的温度控制系统，能够精确控制加热过程中的温度波动范围，通常误差小于1℃，确保热处理过程的稳定性和可靠性。先进加热技术：采用不锈钢加热管等高效加热元件，加热速度快，热效率高，且使用寿命长。多种送风方式：部分高端半导体烘箱采用独特的水平+垂直送风相结合的强压鼓风循环系统，使温度更加均匀，提高热处理效果。 4 技术参数和特点：1. 含氧控制：500PPM以内 2. 温度范围：Room temp. +20~500℃3. 控温精度：±1.0℃4. 温度均匀性：±2.5%℃5. 升温时间：RT~ 500℃≤60min

1. 产品概述：MCF 的半导体研磨抛光机是用于半导体材料表面处理的关键设备。它通过机械研磨和化学抛光的协同作用，能够对半导体晶圆等材料进行高精度的平坦化处理，有效去除表面的瑕疵、划痕和不均匀层，以达到半导体制造过程中对材料表面质量的严苛要求。例如，可对硅晶圆、砷化镓晶圆等进行研磨抛光，为后续的光刻、蚀刻、薄膜沉积等工艺步骤创造理想的表面条件。2. 设备应用： 半导体制造：在半导体芯片的生产过程中，对晶圆进行研磨抛光是必不可少的环节。该设备可用于晶圆的初始表面处理，使其达到高度的平整度和光洁度，以便后续的电路图案制作；也可用于芯片制造过程中的中间阶段，对晶圆进行局部或全面的抛光，以改善电学性能和提高芯片的成品率。例如在逻辑芯片和存储芯片的制造中，都需要高精度的研磨抛光来确保芯片的质量和性能。 光电领域：用于制造光学元件，如激光器中的半导体激光芯片、光学传感器中的敏感元件等。通过对这些半导体材料进行精细的研磨抛光，可以提高光学元件的透光率、折射率均匀性等性能指标，从而提升整个光电系统的性能。 科研领域：为高校和科研机构的半导体材料研究提供有力的实验工具。科研人员可以利用该设备探索不同的研磨抛光工艺参数对半导体材料性能的影响，开发新的半导体材料和工艺技术。3. 设备特点： 高精度加工：能够实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度控制，确保半导体材料表面的平整度和光洁度达到极高的标准，满足半导体制造对表面质量的苛刻要求。 工艺灵活性：可适应多种半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅等，并且针对不同材料和应用场景，能够灵活调整研磨抛光的工艺参数，如研磨压力、转速、抛光液配方等，以实现最佳的加工效果。 可靠的性能：具备稳定的机械结构和先进的控制系统，确保设备在长时间运行过程中保持高精度的加工性能，减少设备故障和停机时间，提高生产效率。 先进的监控系统：配备实时监控功能，能够对研磨抛光过程中的关键参数，如温度、压力、转速等进行实时监测和反馈，以便操作人员及时调整工艺参数，保证加工质量的稳定性。 易于操作和维护：具有人性化的操作界面，使操作人员能够方便快捷地进行设备操作和参数设置。同时，设备的维护保养也相对简便，降低了设备的使用成本和维护难度。4. 产品参数：1. 抛光盘规格：380mm 2. 陶瓷盘规格：139mm 3. 抛光头数量：2 4. 抛光盘转速范围：0~ 70RPM5.摆动幅度：±5mm实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE新世代光电探测器 (PD) 的完整解决方案传统的量子效率系统在新型光电探测器面临许多测试方法挑战。如：偏置电压无法超过 12V：传统量子效率系统使用锁相放大器，其承受直流电压无法过大，因此在一般的量子效率测试仪，电偏压无法施加超过 12V。无法做噪声频率分析。无法直接测得 NEP 与 D*。光焱科技针对新世代的光电探测器 (PD) 提供了完整解决方案~命名为 PD-QE。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 特色：PD-QE 系统是光焱科技在过去十年的小光斑 (power mode) 基础上，进化开发完成。可应用在 PV 的 EQE 量子效率测试、新型光传感器的研究。在全新的软件平台 SW-XQE 上，具有便捷的扩展性：可测试标准 EQE 外，更可整合多种 SMU 的控制，并量测IV曲线。同时具备各种分析功能，如 D*、NEP、频率噪声图。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 规格:PD-QE 有不同的模块，偏置电压也可由 20 V 到 1000 V。同时，可测量高分辨率的光电流，分辨率最高可达 10-16 A。波长扩充可达 1800 nm。可选配软件升级控制 Kiethley 4200 SMU半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 应用有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证：PD-QE 已整合 Keithley 与 Keysight 出产的多种 SMU，进行多种的 IV 曲线扫描。用户无需另外寻找或是自行整合 IV 曲线测试。图中显示 PD-QE 测试不同样品的 IV 曲线，并进行多图显示。PD-QE 凭借先进数字讯号采集与处理技术，直接可测试各种探测器在不同频率下的噪声电流图。用户无需在额外购买、整合频谱分析仪进行测种测试！并且软件可以进行多种频段的特性分析，如 Shot Noise、Johnson Noise、1/f Noise 等。PD-QE 是针对新世代 PD 测试的完整解决方案。

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

prepFAST SF超纯化学品全自动在线稀释系统 （半导体应用）prepFAST SF彻底改变了使用ICP-MS检测分析超纯半导体级化学品的方式。prepFAST SF利用UPW、半导体级酸和标准溶液的注射器驱动流，实现样品稀释和标准曲线生成的自动化。prepFAST SF消除了对样本的手动处理，从而提供了低于ppt检测极限的功能。 prepFAST SF 自动校准prepFAST SF自动为半导体制造过程中控制的40多种元素准备校准曲线。校准是通过自动稀释封闭储备的多元素标准品而产生的。高纯度prepFAST SF的自动化实现了低ppt到亚ppt 的校准。具有PPT/PPQ结果的高纯自动化自动化 &bull 外部标样自动标定标准曲线法和自动标准加入法 (MSA) &bull 自动化样品处理 -计算粘性并自动调整时间-检测并注入样品，触发启动ICP-MS&bull 自动注射器驱动样品导入 -样品装载-样品制备-在线稀释-加酸超洁净&bull 超洁净样品制备 &bull 一体化超清洁样品环境 &bull 超清洁荧光自动进样器和空气淋浴器 - 选项包括: &bull ULPA (超净空气) 过滤器 &bull PFA 容器的样品架 (1 mL to 500 mL) &bull 连续流动的高纯度UPW冲洗液（用户提供UPW）&bull 适用于低背景的UPW抛光柱PPT/PPQ 结果 &bull 能够分析所有半导体级化学品 &bull 所有半导体元件的PPT/PPQ检测限值

半导体xray检测设备用途：公司半导体元立件在线全自动XRAY检测设备具有一套Xray成像系统，四轴机器人自动上下料，针对半导体行业内的分立元件进行在线全自动检测，可自适应7英寸，11英寸，13英寸的料盘。该设备通过Xray发生器发出X射线，穿透芯片内部，由平板探测器接收X射线进行成像，通过图像算法对图像进行分析、判断，确定良品与不良品，并通过复盘功能，确定芯片在料盘中的序号，以便后端将不良芯片挑出。 半导体元立件在线全自动XRAY检测设备产品特色：? 算法软件功能强大：1. 自主研发的复盘算法能够实时复盘，边采图边复盘。2. 人机交互功能丰富。界面图片可拖拽、缩放，可在复盘图上双击NG芯片，即可索引并显示出该芯片的原图、NG类型等信息。3. 自主研发的检测算法能够自动准确地检测芯片的线型及芯片导物等不良项。4. 软件具备扫码、MES上传、人工复判等功能。? 检测效率高：整盘矩阵式采图，无需拉料卷料；具有CCD视觉定位系统，机器人自动上料。7英寸料盘检测用时3min(3000pcs)。? 生产线对接：具备与AGV对接功能。? 安全环保：整个设备安全互锁，三重防护功能，机身表面任何部位均满足安全辐射标准。

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

半导体变径直通PFA厚管接头，作为半导体行业中的重要元件，以其独特的性能和广泛的应用领域，正逐渐受到业界的广泛关注。这种接头不仅具有优异的耐腐蚀性、耐高温性和良好的绝缘性能，而且其变径直通的设计使得管道连接更加灵活方便，大大提高了工作效率。　　在实际应用中，半导体变径直通PFA厚管接头被广泛用于各种高纯度、高洁净度要求的管道系统中。无论是用于输送高腐蚀性液体，还是用于连接高温环境下的设备，这种接头都能展现出其卓越的性能。同时，其良好的绝缘性能也使其在半导体设备的电气连接中发挥着重要作用。　　然而，随着半导体技术的不断发展，对半导体变径直通PFA厚管接头的性能要求也在不断提高。为了满足这些需求，制造商们正在不断研发新的材料、工艺和技术，以提高接头的性能和使用寿命。　　除了技术方面的进步，半导体变径直通PFA厚管接头在应用领域也在不断拓展。未来，随着新能源、环保等领域的快速发展，这种接头有望在更多领域得到应用。例如，在太阳能光伏产业中，由于需要使用高纯度、耐腐蚀的材料来构建电池板和组件，半导体变径直通PFA厚管接头有望发挥重要作用。　　综上所述，半导体变径直通PFA厚管接头作为半导体行业中的重要元件，其性能和应用领域都在不断发展和拓展。我们有理由相信，在未来的发展中，这种接头将继续发挥重要作用，为半导体行业的进步和发展贡献力量。

半导体测试专用 快速温变试验箱概要：适用于半导体、仪器、仪表、电工、电子产品，为电子零组件，成品、半成品、化学、材料等个中环境测试整机及零部件等作温度快速变化或渐变条件下的适应性试验及应力筛选试验以便对试品在拟定条件下的性能、行为作出分析及评价（快速变化）半导体测试专用 快速温变试验箱特点：1.内箱材料采用SUS304不锈钢 外箱材料采用双面镀锌钢板表面静电喷塑处理。外观采用简约实用设计风格，具有耐用性和抗磨损性等特点2.先进的冷平衡控制技术，实现冷量自动调节，节能环保3.独特的风道设计，提供大风量循环的同时保证温度均匀度4.跨平台控制系统可实现远程监控、数据上抛,异常推送，手机程序监管及兼容MES数据交互5.具有程式修正，清除，预约启动，停电记忆等功能6.升温，降温，加湿，除湿之所有元件，完全由微电脑自动控制，系统个别完全独立7.对应客户所需求的快速温度变化试验要求能进行特殊设计。同时合理的结构设计，优化的冷冻设计，完善的内部控制核心，满足5℃/分钟，10℃/分钟，15℃/分钟的升降温要求，最快能够做到25℃/分钟8.设备采用模块化微控技术，具有自我诊断功能，智能故障解除提示及断电讯息保护功能半导体测试专用 快速温变试验箱规格参数：型号KTK-408KTK-4800KTK-1600KTK-2000内部尺寸（WxHxD) cm80x85x60100x100x60100x125x95150x150x100容积/L40880016002000温度范围-70℃～+100℃（150℃）( A:0℃ B:-20℃ C:-40℃ D:-60℃ E:-70℃)湿度范围(仅湿度型）10%～98%RH温湿度控制稳定度±0.3℃ ±2.5%RH温度分布偏差1.0℃(-40～100℃) /+1.5℃(-40.1～-70℃:100.1～150℃)±3% R.H(75%)/±5% RH(≤75%)升温速度3～25(℃/min)降温速度3～25(℃/min)可选设备干风吹扫 (Dry Air Purge) 时序插座 (Power Supply Socket)大视窗 (Large Viewing Window) 玻璃中门(Glass Door) 液氮 (Liquid Nitrogen)满足的标准及试验方法GB11158、GB10589、GB10592、GB/T 24231 GB/T 2423.2、GB/T 2423.3GB/T 2423.4、GB/T10586、GJB150.3、GJB1504GJB150.9、IEC60068-2