磁控离子溅射仪

日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000采用了电磁管电极，能够最大限度地减轻对样品的损坏，并在样品表面涂覆一层均匀粒子。适用于高分辨率的扫描式电子显微镜。日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品直径：60 mm日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品高度：20 mm 特点：采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件可处理较厚或较大的样品(选配件)记忆功能可存储常用加工条件规格：

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点1.基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上面两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2.颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.GVC-2000磁控离子溅射仪低压大电流溅射，效率更高。

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

LJ-18M磁控离子溅射仪是由裕隆时代精心设计制造的新一代磁控镀膜系统。 配置平面磁控靶头，膜层均匀致密，大幅提升镀膜效率，降低样品表面温度。特别适用于薄膜、生物等对热敏感样品镀膜、高分辨钨灯丝或场发射扫描电镜样品制备，及电极制作等领域。 ● 配置高质量真空系统和微调阀，结合自动控制电路，预置工作真空和电流，无需反复调节，● 操作极为简洁。可自选所需电离气体（氩气，空气），以获得最佳镀膜效果。● 棱角成型工艺制成高强度真空玻璃罩，防止轻易磕碰损伤及边缘“崩边”。● 标配Ф57mm X 0.12mm大尺寸铂靶，溅射范围更大，靶材使用时间更长。● 高级铝制机箱，机身小巧，坚实美观。模块化设计，便于安装及检修。 标准配置型号技术参数1LJ-18M1.1溅射靶头：平面磁控靶头1.2溅射电流：0-100mA1.3玻璃处理室： Ф 125mm x 130mm1.4试样台尺寸： Ф 40mm，可同时放6个样品台1.5靶材尺寸： Ф57mm X 0.12mm1.6真空系统： 直联旋片真空泵，2L/S1.7真空保护： 20Pa，配有微量气体调节阀控制工作真空1.8工作电源： 220 VAC 50Hz1.9定时开关： 控制溅射时间，范围10～110S。1.9可用靶材： 铂靶（标准配置），金靶，铜靶，银靶等1.10工作气体： 空气或氩气20000倍塑料薄膜样品敬请联络。

产品简介：VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪靶头尺寸为2英寸，且样品台的高度可以调节。此款镀膜仪设计主要是制作一些金属薄膜，最大制膜面积为4英寸。 产品型号VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪 主要特点1、特别为SEM样品镀导电性薄膜设计。2、体积小巧，操作简单，容易上手。3、拥有小型磁控靶头，可以镀金银铂等金属。 技术参数1、输入电源：220V AC 50/60Hz2、功率：200W3、输出电压：500 VDC4、溅射电流：0-50 mA可调5、溅射时间：0-120S可调6、溅射腔体1）采用石英腔体，尺寸：166 mm OD x 150 mm ID x 150 mm H2）密封：采用不锈钢平法兰的O形密封圈7、溅射头&样品台l）溅射头可安装靶材直径为2英寸，厚度0.1 - 2.5mm 2）溅射时间1-120S可调3）仪器中安装有直径为50mm的不锈钢样品台，其与溅射头之间距离30-80mm可调。 4）可选购加热型样品台，其最高加热温度为500℃ 5）安装有一可手动操作的溅射挡板，可进行预溅射6）最大可制膜的直径为:4英寸（仅供参考，详情请点击） 8、真空系统l）安装有KF25真空接口2）数字真空压力表（Pa）3）此系统可通入气体运行4） 1.0E-2 Torr （采用机械泵）5） 1.0E-5 Torr（采用涡旋分子泵）9、进气l）设备上配1/4英寸进气口，方便连接气瓶 2）设备前面板上装有一气流调节旋钮，方便调节气流10、靶材 l）靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1 - 2.5) mm(厚度) 2）设备标配为铜靶11、产品外型尺寸L460 mm × W 330 mm × H 540 mm 净重：20 kg（不包括泵） 可选1、可在本公司选购各种靶材对于溅射各种金属靶材，需要摸索最理想的溅射参数，下表是本公司实验所设置的参数，欢迎您带料来科晶实验室摸索工艺（仅供参考）靶材种类真空度（Pa）溅射电流（mA） 时间 （s）溅射次数Au31-3328-301001Ag31281001 2、可在本公司选购各种真空泵 3、可在本公司选购薄膜测厚仪安装在溅射仪上 质量认证CE认证 质保期 一年保修，终身技术支持。特别提示：1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 使用提示 l、有时为了达到理想的薄膜厚度，可能需要多次溅射镀膜2、在溅射镀膜前，确保溅射头、靶材、基片和样品台的洁净3、要达到薄膜与基底良好结合，请在溅射前清洁基材表面4、超声波清洗（详细参数点击下面图片）：（1）丙酮超声，（2）异丙醇超声-去除油脂，（3）吹氮气干燥，（4）真空烘箱除去水分。5、等离子清洗（详细参数点击下面图片）：可表面粗糙化，可激活表面化学键，可祛除额外的污染物。6、制造一个薄的缓冲层（5纳米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以应用于改善金属和合金的附着力。7、请使用5N纯度氩气等离子体溅射8、溅射镀膜机可以放入Ar或N2气体手套箱中溅射9、由于能量低，该模型不适用于涂层的轻金属材料如Al，Mg，Zn，Ni。请考虑我们的磁控溅射镀膜机或热蒸发镀膜机。 超声波清洗机等离子清洗机大功率磁控溅射仪 蒸发镀膜仪 警告 注意：产品内部安装有高压元件，禁止私自拆装，带电移动机体。气瓶上应安装减压阀（不包括），保证气体的输出压力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。溅射头连接到高电压。为了安全，操作者必须在关闭设备前装样和更换靶头。

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

VTC-2RF是一款小型的射频（RF）等离子体磁控溅射镀膜仪系统，系统中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF电源、2"的磁控溅射头、石英真空腔体、真空泵和温度控制器等。对于制作一些金属薄膜及非金属薄膜，它是一款物美价廉的实验帮手。我们用此设备得到择优取向的ZnO薄膜 技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内(点击图片查看详细资料）磁控溅射头一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为50mm,最大厚度6.35mm一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）同时可选配1英寸溅射头真空腔体真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为165 mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体真空度：10-3 Torr （采用双极旋片真空泵） 10-5 torr （采涡旋分子泵）载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：1 - 20 rpm样品的最高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证使用注意事项这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

采用旋片泵快速产生一个 2 Pa的真空压强，通常抽真空时间小于1 分钟。采用磁控溅射技术，以大幅度减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤。特别适用于灯丝或台式SEM 电镜样品的喷金、喷铂等贵金属镀膜用途。外型紧凑，触摸屏控制，即插即用。 选配旋转/偏转样品台，适用于3D立体和空隙样品内/外表面均匀镀膜需求。

磁控离子溅射仪为扫描电镜用户在制样过程中提供了更广泛的选择，以便适用支持扫描电子显微镜所需的涂层要求。磁控溅射的原理是，在电场内在叠加一个磁场，这样电子在叠加场内做螺旋运动，行程很长，每个电子电离的气体分子比直流多很多很多，所以可以在低电压下，有较好的真空度。溅射产生同样的镀膜效果。但是因为磁控真空度相对高，所以镀膜的颗粒小，膜层附着力好，靶材的利用率也高。 在直流溅射过程中，样品的温升主要来自于负离子在电场作用下对样品的轰击，在磁控溅射中，负离子都被磁场束缚了，所以基本没有对样品的轰击，所以温升基本没有，很适合温度敏感性的样品制备。

磁控溅射仪 SSG-50M　　为了使电子显微镜中的样品能够成像，它们需要有导电性，通过在样品上形成导电层的镀膜，用来抑制电荷，减少热损伤，并提高在SEM中定位检查所需的二次电子信号。测试原理：　　在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，在磁力的束缚下在一定范围内沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察效果。平时使用时，最常见靶材的是金靶。正是这个原因，离子溅射仪也俗称“喷金仪”。然而，为了获得更细小的晶粒尺寸、更薄的连续镀层，有时候也会使用其他靶材（比如铬、铂金、铜）。产品概览 产品特点样品腔尺寸：圆柱形，直径150mm x高度120mm；样品腔真空度：极限真空度：＜0.1Pa，工作真空度：0-10Pa，恒压控制；样品台：可以装载样品8-15个，高度可调范围为40mm；靶材：Au 靶为标配，Pt，Cu（选件）规格：直径57mm x 0.1mm厚；溅射电流：微处理器控制，安全互锁，可调，最大电流200mA，程序化数字控制；溅射头：低电压平面磁控管，靶材更换快速，环绕暗区护罩；真空计：皮拉尼真空计，测量范围：0.01Pa-常压；真空泵：双级直连式高速真空泵，抽速：66L/min，真空度：10-2Pa；厚度监控：使用高分辨厚度监控仪，精确测定所镀膜的厚度；（选配）操作方式：触摸屏控制，手动和自动模式可选，操作简便；机箱设计：长宽高40*35*50cm，坚固防腐蚀的箱体，带有电源、电压、电流、真空度等显示。

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

GVC-2000磁控离子溅射仪颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜；低压大电流溅射，效率更高。GVC-2000磁控离子溅射仪（镀金仪）特点基本无温升、样品表面无热损失 GVC-2000制样效果图 其他制样设备效果图上两张图片为滤膜类样品的电镜图片，左侧图片为GVC-2000喷金后的电镜观测图，可以看出，样品形貌真实完整，右侧图片为其他设备喷金后的电镜观测图片，可以看出，热损伤严重，几乎无法识别为同种样品。2. 颗粒更小，更适宜于高倍图像观测，适配场发射/高分辨场发射电镜 金颗粒尺寸：6~10nm 陶瓷膜，镀层材料Pt，10万倍图片，无颗粒感 滤膜材料，镀层材料Pt，20万倍图片，无颗粒感3.低压大电流溅射，效率更高

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

J20是一款低真空双靶离子溅射仪，基于磁控溅射原理，采用高性能旋片泵快速产生一个 小于3Pa的真空压强，搭配自主研发的旋转偏转样品台，在样品表面沉积一层更均匀稳定的导电膜层，广泛适用于追求更高分辨率或温度敏感SEM电镜样品、特别是3D粉末类样品的喷金、喷铂、喷镀铂金合金等用途。自动化程序控制，触摸屏操作，即插即用。

采用旋片泵快速产生一个 2 Pa的真空压强，通常抽真空时间小于1 分钟。采用磁控溅射技术，以大幅度减少等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤。特别适用于灯丝或台式SEM 电镜样品的喷金、喷铂等贵金属镀膜用途。外型紧凑，触摸屏控制，即插即用。 选配旋转/偏转样品台，适用于3D立体和空隙样品内/外表面均匀镀膜需求。

产品介绍磁控溅射系统MS-300具有超高真空、单原子层沉积精度的特点，可以灵活选择阴极向上或向下溅射。磁控溅射系统MS-300标配3个2英寸超高真空阴极。满足实验室中科学研究的需求,维护简单,运行稳定。晶圆尺寸4inch向下兼容镀膜均匀性士2%极限真空5x10-8mbar(金属密封)温控RT-800°C沉积精度0.1nm可选低温泵、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单、等离子体分析仪等

SD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致。可用于不耐高温的样品，对不耐温的样品起到保护作用。不至于产生形变等（如：薄膜类样品，树脂类等等） 磁控溅射是物理气相沉积的一种。 一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点， 磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 经工程师测试3分钟内的工作温度约为60度。可升级为手套箱专用手套箱版图需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料原理： 在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：100mA定时器：数码 最长时间：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）输入电压：220V(可做110V),50HZ溅射速录：40nm/min特点：1、经济、可靠、外观精美。2、成膜速率高。3、基片温度低。4、膜的粘附性好。5、可实现大面积镀膜。6、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。7、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。8、真空保护可避免真空过低造成设备短路。

Angstrom Sciences ONYX-Φlux Control ONYX-Φlux 控制 磁控溅射靶材Angstrom Sciences ONYX-Φlux Control ONYX-Φlux 控制Angstrom Sciences 为磁控溅射应用带来的尖端技术而享誉国际。我们现在已经开发出一种方法来控制穿过靶材表面的等离子体。ONYX-Φlux 控制，（通量控制）为平面和圆形磁控管开发，允许用户最大化均匀性或目标利用率。控制均匀度磁场在目标表面上特定点的可编程停留时间。提供对电场和磁场交叉点的精确控制，以聚焦腐蚀轮廓并调整均匀性。 控制材料利用率以恒定速率将等离子体扫过目标表面。在厚度高达 1.4 英寸（35 毫米）的平面目标上可以实现高达 65% 的目标利用率，从而实现极长的运行时间。用户友好的软件直观的用户界面三种用户模式 - 运行、编辑、手动触摸屏技术等离子体的输入位置和停留时间

多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology推出的一款高精度的磁控溅射喷金仪。该系统可配备SEM样品托、TEM网、普通样品等多种专用样品台，满足各种高精度的喷金或电生长需求。除了溅射金属电外，nanoEM还具有大的拓展空间，虽然作为台式设备，nanoEM配备了输出功率可达300W的溅射源，系统还可选择样品台旋转、样品倾斜、自动压强控制等多种功能。丰富的选件和配置可以满足学术研究的多种样品生长需求，可升成为一台多功能的磁控溅射薄膜制备系统。该设备作为灵活的高精度金属溅射仪备受各大实验室的青睐。主要特点：◎ 能够达到学术研究的多功能喷金仪◎ SEM托、TEM网、普通样品多种专用样品台可选◎ 可安装两个2英寸溅射源◎ 通用的溅射靶材◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 流量计控制生长气氛◎ 可调式DC溅射源，输出功率可达300W◎ 全自动，引导式触屏控制◎ 完备的安全性设计◎ 易于维护◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 腔体视窗◎ 真空泵型号可选◎ 气压全自动控制系统◎ 溅射源挡板◎ 等离子体辉光电◎ 样品台旋转与倾斜◎ 晶振膜厚监测系统

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

一、产品应用： JS-600M小型磁控溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，带磁控靶头，有水冷功能。设备操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 磁控溅射为冷溅射，对样品表面的升温较低，适用对温度较敏感的薄膜样品。用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。二、配置及技术指标：1.水冷却磁控靶，靶面直径为50mm；冷却水接口：6*4mm快速插头。2.主机规格：L360mm*W300mm*H380mm3.靶（上部电极）：金：直径：50mm，厚度：0.1mm4.真空样品室：直径：160mm，高：110mm5.溅射面积：Ф50mm 6.工作真空：2×10-1—6×10-2 mbar7.离子电流表：0-100mA8.定时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。9.针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。10.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体11.溅射电压：-1600 DCV12. 飞跃真空泵（VRD-4）：1.1L/S三、 产品特点1. 轻便、溅射面积大2. 可以溅射铂、金及银等金属3. 溅射效率高，可水冷降温 备注：JS-600M小型磁控溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

SBC-16 是一款结构紧凑的桌上型镀膜系统，特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。主要特性 通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程，避免样品表面受损。 操作容易快捷， 控制的参数包括放气以及氩气换气控制。 数字化的喷镀电流控制不受样品室内气压影响，可得到一致的镀膜速率和最佳的镀膜效果。 可使用多种金属靶材：Au， Au/Pd,，Pt,，Pt/Pd（Au 靶为标配）， 靶材更换快速方便。技术参数溅射系统 靶材Au 靶为标配，可选 Pt，直径 57mm x 0.1mm 厚标准样品台可以装载 12 个 SEM 样品座，高度可调范围为 60mm旋转倾斜样品台（选配）旋转速度： 0~60rpm 连续可调，倾斜角度： -90°~ 90°连续可调；不锈钢腔体：直径 120mm X 高 75mm；观察窗：直径 120mm X 高 45mm；标配旋转台直径 40mm，可放 4 个标准样品台， 其它规格可订做； 具有双重锁紧装置， 可确保样品在旋转倾斜时不会松动脱落。溅射电流微处理器控制， 安全互锁，可调，电流 5~30mA，程序化数字控制计量表真空： Atm - 1*10-3 mbar，电流： 0~99mA控制方法带有 “开始”“暂停”按钮的微处理控制器（1－999s），自动抽气、溅 射、关机后自动放气。真空系统抽气速率133L/MIN极限真空10-4 mbar 级 噪音56dB

1.技术参数：输入电压AC220V±10%，50Hz工作电压DC2400V最大功率（主机与机械泵）500W工作原理磁控溅射可选靶材金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属真空泵两级直联旋片式真空泵 1L/s真空腔φ128×130mm样品杯φ90×1 / φ25×4 / φ15×6整机尺寸（长×宽×高）424×271×255（mm）重量（主机）11 kg工作环境温度 5～40℃，湿度60%存储环境温度-10~60℃，湿度80%工作气体Air / Ar保护功能过流、真空双保护2.效果图：2.1 陶瓷滤膜铂靶10万倍（ SU5500 ）：2.2 喷金样品电镜观测图对比GVC-2000: 样品形貌真实完整：其他设备喷金的效果图（热损伤严重）：

GVC-1000 全自动离子溅射仪主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC系列为您提供优质的样品制备，轻松助您取得更好地材料研究样品， 获得高质量的显微镜观测效果。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)性能参数1、离子溅射仪工作原理：磁控溅射2、可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等3、真空室：φ128×100高硅硼玻璃4、全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等（1）溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；（2）无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。（3）溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；（4）参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；（5）工作完成自动放气；（6）样品台高度调节1秒完成；（7）溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。（8）极限真空：小于1Pa5、软硬件互锁，防误操作，安全可靠（1）真空度高于100Pa，启动真空保护，无法溅射；（2）溅射电流高于50mA，停止溅射过程；（3）真空泵工作时，系统无法进行放气操作；6、镀层均匀，导电性良好。

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；