等离子体特量仪

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪(SEM及TEM样品/样品杆清洁专用等离子清洁仪)PIE Scientific专注研发先进的实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。特有的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。特别设计的适配器可以清洁不同厂家的TEM样品杆。 可用于煤的灰化。特点：1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化2. 13.56MHz高频射频发生器3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的专用适配器7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪之外，PIE还提供Tergeo、Tergeo Plus、Tergeo Pro等一系列台式等离子清洁刻蚀灰化仪。

产品信息将光谱学与QCM-D相结合。同时使用纳米等离子体光谱技术（NPS）和耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）进行实时测量。 主要特征a、同时获得相同表面上相同样品的干质量（折射率RI）、湿质量（声学）和黏弹性的实时变化。b、使用Insplorion的纳米等离子体光谱技术（NPS）和Q-Sense的耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）在完全相同的实验条件下同时测量。c、非常容易使用当配备Q-Sense窗口模块时，Insplorion Acoulyte直接安装在Q-sense Explorer（E1）和Analyzer（E4）仪器上。Insplorion Acoulyte传感器是具有NPS结构的Q-Sensor。技术指标传感器 尺寸直径 14 mm 衬底 SiO2涂层的QCM-D传感器 表面 纳米结构金 标准涂层 Si3N4, SiO2, Al2O3, TiO2 测量特征 光源 卤钨灯 灵敏度* 0.03单分子层 测量点直径 3 mm 时间分辨率 每秒10个采样点 典型噪音 0.01 nm 波长范围 450-1000 nmQCM-D的测量不受Acoulyte的影响。 尺寸(宽度x深度x高度) Acoulyte模块 8x5x3 cm Insplorion光学单元 25x27x9 cm 软件 兼容软件 Insplorer 操作系统 兼容Microsoft Windows操作系统 数据输出格式 ASCII码文本文件格式，直接使用的任何绘图软件都兼容此格式 分析的参数 分析的参数多参数输出(比如：LSPR峰处的共振波长和消光)应用领域NPS和QCM-D的互补性测量 感应深度 NPS干质量 30 nmQCM-D湿质量 300 nmAcoulyte干质量和湿质量深度分析InsplorionNPS技术在纳米等离子体光谱技术（NPS）中，纳米结构传感器的局域表面等离激元共振技术（LSPR）用于探测邻近传感器表面（30 nm）的折射率（与光/干质量有关）的微小变化。它能够极其灵敏地检测发生在传感器/样品界面处的变化过程。分子解吸附（吸附） 时间和深度分辨测量厚膜（~1 mm）的分子解吸附（吸附）。Acoulyte也可以辨别溶胀和吸附/解吸附事件。检测到什么？ NPS 邻近表面（30 nm）的折射率变化QCM-D 整个膜的质量变化。 脂质双层膜 Acoulyte能够更详细地阐释表面薄膜的形成过程。检测到什么？ NPS 囊泡吸附时折射率增大囊泡坍塌时折射率增大QCM-D 囊泡吸附时质量增大囊泡坍塌时质量减小气体吸附/解吸附 通过QCM-D技术和NPS技术的联用，就可以实现深度分析以及研究表面支撑膜内的扩散时间和机制。检测到什么？ NPS传感器/样品界面的折射率变化。QCM-D 整个膜和膜的顶部的质量变化。

产品详情德Sentec电感耦合等离子体ICP干法刻机SI 500 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 型号：SI500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C型号：SI500C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C型号：SI500-RIE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS型号：SI500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片

Aurora Z10冷等离子体种子处理仪统提供“Activated Air”活性气体，就像雷击周围的空气一样，可以改善种子健康，提高整体植物产量。冷等离子体种子活化过程的核心优势是提高发芽的一致性和发芽率以及幼苗的生长速度，这反过来又提高了种植者的产量和产量。该系统是移动的，需要外部电源和互联网连接。系统通过云连接，远程机器监控易于掌控整个活化过程。特点：&minus CEA的先进种子健康系统，冷等离子体促进种子健康和作物产量&minus 仅使用空气和电力，不添加化学物质&minus 低工作功耗（200W）&minus 专为垂直农场和温室设计规格：样品仓：10L处理量：2升（1公斤）的种子10.4英寸触摸显示屏远程监控控制超低功耗小于200w重量：143Kg

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

沃特塞恩DM-8000型微波等离子体CVD设备可提供最大70mm金刚石生产能力，实现高效率、无人化管理的稳定批量产出。 超洁净级的真空系统 全进口的集成化供气系统 样品台冷却系统采用Duel-Loop控制 自动化的工艺生长控制系统 在线视觉检测功能DM-8000型微波等离子体CVD设备-专业的培育钻石设备，工艺简单易学，生长迅速，提供技术支持。人造钻石就是这么简单。需要更详细的参数请联系沃特塞恩销售人员，我们会给你发送详细的规格书，也可为你解答各种疑问！

低温等离子体源--基于压电变压器直接放电，同时在元件的输出端直接产生冷等离子，等离子通过电离空气或气体来形成。性能特点◆ 专为敏感基材设计◆ 手持操作◆ 高效激发冷等离子体◆ 直接放电，低输入电压、高输出电压◆ 等离子功率密度高◆ 产生温度50 ℃冷等离子体◆ 不需外部气体供应◆ 设计精巧◆ 使用简单◆ 运行可靠◆ 最佳效率◆ 可变喷嘴◆ 免维护可实行的应用&bull 活化表面能实验室科学、医学技术、精密机械、微观力学、光学、 装配技术、电子技术、模型制作&bull 增强润湿性&bull 改善粘结力&bull 印刷和胶粘喷墨印刷、移印、微隙填充、自动化流程的润湿操作、点胶、胶粘&bull 杀菌和消毒微生物学技术、医疗技术、食品装、微流体技术可用于以下工序预处理&bull 胶粘 &bull 印刷 &bull 印染 &bull 铸造 &bull 层压 &bull 发泡 &bull 涂层 &bull 清洗 &bull 键合 &bull 密封应用材料广泛&bull 合成纤维 &bull 天然织物 &bull 金属 &bull 塑料&bull 复合材料 &bull 玻璃钢 &bull 玻璃 &bull 木材&bull 电子组件 &bull 铝合金 &bull 陶瓷 &bull 粉末技术参数名称技术参数单位电源连接110-240V/50-60Hz 15VDCV功率需求Max.30W 规格书Hand-held device with power supply unit,Integrated ventilator重量170g等离子体温度50℃标准的处理距离2-10mm标准的处理宽度5-20mm

PVA-TePla微波等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，去胶均匀。典型应用：去除光刻胶 Photo-resist stripping 去除残胶 Wafer descum晶圆和衬底的清洁 Wafer and substrate cleaningsu-8灰化 Su-8 ashing氮化硅、聚酰亚胺等的刻蚀 Etching of silicon nitride, pi, etc.刻蚀钝化层 Etching of passivation layers逆向分析/失效分析中的器件开封 Device decapsulation for failure analysis微量分析中低温材料灰化 low temperature ashing of materials for chemical trace analysis过滤器和薄膜的清洁 Cleaning of filters and membranes规格参数：2.45GHz风冷微波电源（0～600w可调），石英或陶瓷腔体，防腐蚀不锈钢MFC,多至6路气体，兼容8英寸及以下晶圆PC 工控机控制，运行数据自动存储；分级控制权限，防止操作图形化触控屏界面，运行状态图形化实时显示。自动/手动随意切换可选配法拉第桶可选配温控系统可选配压力控制系统外形尺寸：775×749×781 mm 认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001IoN Wave 10 等离子体去胶机是PVA TePla 在微波等离子体处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适用、性能先进。IoN Wave 10 使用新的、性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。其工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。IoN Wave 10 占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时，降低了产品暴露在静电中风险。

Tergeo系列刻蚀灰化仪_等离子体表面处理仪Tergeo Basic基本型等离子清洁仪来自美国PIE Scientific出品的小型台式等离子清洁仪，可以用来清洁纳米级样品、蚀刻光刻胶、激活聚合物表面功能团、获得亲水或疏水性，增强粘合强度以及可印染性、促进医学器件生物相容性，Tergeo系统集成了常规的浸入式清洗模式和特有的远程清洗模式。可用于煤的灰化。注：针对煤的灰化用途，覃思科技为PIE Scientific指定的中国独家代理商。特点：1. 标配浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻以及煤的等离子低温灰化；可选双等离子源，其远程等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化。（注Tergeo EM标配双源）2. 13.56MHz高频射频发生器，3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了基本型的Tergeo系列刻蚀灰化仪_等离子体表面处理仪之外，另有Tergeo Plus和Tergeo Pro大腔室等离子清洁仪和Tergeo EM型SEM & TEM样品及TEM样品杆清洁专用等离子清洁仪，欢迎选购！

一、系统设备概述多腔等离子体沉积/刻蚀系统是一款先进的沉积/刻蚀设备，广泛应用于半导体制造和微电子领域。该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体对材料进行选择性沉积/刻蚀，能够实现高精度和高均匀性的沉积/刻蚀效果。多腔设计使得设备能够同时处理多个晶圆，提高生产效率和吞吐量。该设备适用于多种材料，包括硅、氮化物和金属等，广泛用于集成电路、MEMS 以及光电器件的制造。凭借其良好的沉积/刻蚀性能和灵活的工艺调节能力，多腔等离子体沉积/刻蚀系统在现代微纳米加工中发挥着重要作用。二、设备用途与原理1.设备用途多腔等离子体刻蚀沉积/刻蚀主要用于半导体制造、微电子和纳米技术领域。它广泛应用于集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、光电器件及其他高精度微纳加工，能够实现对硅、氮化物、金属等多种材料的选择性沉积/刻蚀。2.工作原理该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体与材料表面反应，选择性去除材料。首先，反应气体被引入刻蚀腔室，经过电场激励后形成等离子体。等离子体中的活性粒子与待刻蚀材料表面发生化学反应，产生挥发性副产物，从而实现材料的去除。多腔设计使得系统能够同时处理多个晶圆，显著提高生产效率和均匀性。此外，系统的工艺参数可调节，允许用户优化刻蚀速率和选择性，以满足不同应用的需求。三、设备组成1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统；2.系统可用于研发和小批量生产；3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空； 4.系统包括： 一个六端口的转接腔、带机械手 六个端口分别连接：（1）一个 ALE 刻蚀腔模块：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子层刻蚀；（2）一个ICPECVD 沉积腔模块：用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜；（3）一个低温 ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于低温深硅刻蚀、常温锗刻蚀等； （4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样；（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样；（6）一个端口备用，未来可升增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块工艺系统。

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

泽攸科技 等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。利用等离子体修饰系统，在自限生长的前提下，目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长（百分百覆盖度，成膜均匀），并通过改进转移设备，实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上，而且没有缝隙，没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米，相对取向为 60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。等离子体修饰系统产品优势1. 有效避免固态源中毒；2.成膜均匀性好；3.成膜面积大；4.快速、生长速度可控。 图：两英寸单层二硫化钼的取向外延生长以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体修饰系统的介绍，了解更多直接咨询：原文： 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展，精密定位不仅在实验室用途广泛，工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上，发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品，填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块，通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移，可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前，在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内，团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息，压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技，型号为旋转纳米位移台，价格为面议，更多相关信息可来电咨询，公司客服电话7*24小时为您服务

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的用系统，可以在小的洁净室空间内安装。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。3. 设备特点 新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测,干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计,TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

低损伤刻蚀 由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI500SI 500 CSI 500 RIESI 500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20&thinsp °C到300&thinsp °C联系我们 想获取更多信息，请点击此处。

Vitesse飞行时间等离子体质谱仪（TOF-ICP-MS）速度快，灵敏度高，选择性强——Nu Instruments宽质量数范围快速数据采集：适合于激光剥蚀成像和纳米颗粒分析灵敏度高：可分析固体样品中的微米级痕量元素特征，测定纳米颗粒物的元素组成分析物选择性强： 分段式反应池针对多元素分析进行了优化物理分辨率高：飞行时间 (TOF) 质谱仪可提供无干扰分析反应池前可选加一个全尺寸四极杆，增强干扰处理能力Vitesse是一种飞行时间电感耦合等离子体质谱仪，它为高速多元素测试应用而专门设计的终极工具，如激光剥蚀成像和纳米粒子分析。通过一系列的样品附件装置，也可以进行高速的传统ICP-MS分析。反应池前可选加一个全尺寸四极杆，用以增加所使用的化学药剂的选择性，增强干扰处理能力。从 ICP 源采样，获得全部或部分质量数范围的同时离子包，几乎不会丢失样品信息。低至 30μs 的快速读取时间，能够测定单个纳米颗粒物中的所有金属元素和大多数非金属元素。在使用最新激光剥蚀系统时，单激光点样品洗出时间为毫秒级，能够实现从微米大小的样品获得宽范围的元素信息或在几分钟内生成几平方毫米的元素图像。通过组合谱图，可获得更好的数据统计，可获得溶液样品的高度精度的元素和同位素组成。Nu Instruments成立于1995年，是电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、辉光放电质谱(GD-MS)、同位素比质谱(IRMS)、热电离质谱(TIMS)和惰性气体的市场领导者。Nu的高端质谱仪是用于表征各种样品的同位素或元素组成的分析仪器，提供宝贵的信息，如历史，年龄，来源或纯度。Nu的创新质谱仪安装在世界各地的学术界，政府和工业研究实验室，并服务于广泛的应用，如：测定各种地质样品中的同位素比率以提供数据数据，创建生物医学或地质样品的元素图像，测量同位素比率以确定出处，食物样品的起源，测量纳米颗粒大小和确定材料的纯度。Nu于2016年加入AMETEK。Nu的总部，制造工厂和实验室位于英国北威尔士。

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。主要技术参数QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)高真空HV腔体2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure9E-6Torr工艺腔极限真空 Ultimate Pressure5E-7Torr等离子体 Plasma最大600W RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ200mm，氧化铝均匀性1%高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-500±1oC前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h传输高真空自动化传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

电弧等离子体沉积系统日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。主要应用领域制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电催化剂，制氢催化剂）用热电材料靶材制备热电效应薄膜技术原理在触发电上加载高电压后，电容中的电荷充到阴（靶材）上。真空中的阳和阴（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体。通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。适用性APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 产品特点1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱系统参数1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm 产品对比测试数据■ 利用APD制备氧化铁纳米颗粒图1 三种不同碳基支撑物表面获得的氧化铁颗粒的HAADF-STEM图像及粒径分布统计图表1 铁负载量、纳米颗粒粒径与电弧脉冲次数的关系引用资料：Yumi Ida, et al. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.■ 利用APD制备Fe-Co纳米颗粒APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱发表文章20211. Kamal Prasad Sharma, Aliza Khaniya Sharma, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. Transmissible Plasma-Evolved Suspended Graphene for TEM Observation Window. ACS Appl. Nano Mater. 2021, XXXX, XXX, XXX-XXX.2. Ai Misaki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 2021, 60, 015003. 2020 1. Yumi Ida, Atsushi Okazawa, Kazutaka Sonobe, Hisanori Muramatsu, Tetsuya Kambe, Takane Imaoka, Wang-Jae Chun, Makoto Tanabe, Kimihisa Yamamoto. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.2. K Miyazawa, T Nagai, K Kimoto, M Yoshitake, Y. Tanaka. HRTEM-EELS cross-sectional characterization of HOPG substrate with platinum nanoparticles deposited using a coaxial arc plasma gun. Diam. Relat. Mater., 2020, 101, 107623.3. Xiao Zhao, Yutaka Hamamura, Yusuke Yoshida, Takuma Kaneko, Takao Gunji, Shinobu Takao, Kotaro Higashi, Tomoya Uruga, Yasuhiro Iwasawa. Plasma-Devised Pt/C Model Electrodes for Understanding the Doubly Beneficial Roles of a Nanoneedle-Carbon Morphology and Strong Pt-Carbon Interface in the Oxygen Reduction Reaction. ACS Appl. Energy Mater. 2020, 3, 6, 5542–5551.4. Naoto Todoroki, Shuntaro Takahashi, Kotaro Kawaguchi, Yusuke Fugane, Toshimasa Wadayama, Dry synthesis of single-nanometer-scale Ptsingle bondSi fine particles for electrocatalysis. J. Electroanal. Chem., 2020, 876, 114492.5. Hiroshi Yoshida, Yusuke Kuzuhara, Tomoyo Koide, Junya Ohyama, Masato Machida. Pt-modified nanometric Rh overlayer as an efficient three-way catalyst under lean conditions. Catal. Today, (On line, in press).6. Takahiro Maruyama, Takuya Okada, Kamal Prasad Sharma, Tomoko Suzuki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumi Iijima. Vertically aligned growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition with Ir catalyst. Appl. Surf. Sci., 2020, 509, 145340.7. Teppei Ikehara, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Masamichi Nishihara, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Porous Metal Support for Gas Diffusion Electrode of PEFCs. ECS Trans., 2020, 98, 573.8. D. Kawachino, M. Yasutake, Z. Noda, J. Matsuda, S. M. Lyth, A. Hayashi, K. Sasaki. Surface-Modified Titanium Fibers as Durable Carbon-Free Platinum Catalyst Supports for Polymer Electrolyte Fuel Cells. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 104513.9. Masahiro Yasutake, Daiki Kawachino, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Stephen M. Lyth, Kohei Ito, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Catalyst-Integrated Gas Diffusion Electrodes for Polymer Electrolyte Membrane Water Electrolysis: Porous Titanium Sheets with Nanostructured TiO2 Surfaces Decorated with Ir Electrocatalysts. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 124523.用户单位北海道大学日本产业技术综合研究所东北大学（Tohoku University）韩国科学技术研究院九州大学京都大学大阪大学山梨大学东京理科大学东京工业大学

产品详情 德国Sentech等离子体沉积机PECVD Depolab 200 成本效益 PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。 可升级性 根据其模块化设计，depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。 SENTECH控制软件 用户友好功能强大的软件包括模拟GUI，参数窗口，食谱编辑器，数据日志，用户管理。 Depolab 200是由SENTECH公司开发的一种基本的等离子体增强化学沉积(PECVD)工具，它将用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计与直接负载的经济有效设计相结合。从2英寸到8英寸的晶圆片和样品片上的标准应用开始，它可以逐步升级以适应复杂的加工。 Depolab 200的突出特点是系统的坚固性设计、可靠性和软硬件的灵活性。在这个系统上开发了不同的程序。用于高品质氮化硅和氧化硅层沉积。Depolab 200包括带有气箱、控制电子、计算机、背泵和主连接箱的反应器单元。 Depolab 200等离子体增强沉积工具可在400℃以下的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- si薄膜。Depolab 200特别适用于蚀刻掩膜、膜、电隔离膜等介质薄膜的沉积。 Depolab 200由森泰克先进控制软件操作，使用远程现场总线技术和非常友好的通用用户界面。 Depolab 200 PECVD等离子体沉积工具打开盖子加载适用于200毫米晶圆基片温度可达400℃低应力薄膜可选低频混频干式抽油机占用空间小

1. 产品概述RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电材料等难蚀材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

1. 产品概述RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

一、系统设备概述多腔等离子体刻蚀系统是一款先进的刻蚀设备，广泛应用于半导体制造和微电子领域。该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体对材料进行选择性刻蚀，能够实现高精度和高均匀性的刻蚀效果。多腔设计使得设备能够同时处理多个晶圆，提高生产效率和吞吐量。该设备适用于多种材料，包括硅、氮化物和金属等，广泛用于集成电路、MEMS 以及光电器件的制造。凭借其卓越的刻蚀性能和灵活的工艺调节能力，多腔等离子体刻蚀系统在现代微纳米加工中发挥着重要作用。二、设备用途与原理1.设备用途多腔等离子体刻蚀系统主要用于半导体制造、微电子和纳米技术领域。它广泛应用于集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、光电器件及其他高精度微纳加工，能够实现对硅、氮化物、金属等多种材料的选择性刻蚀。2.工作原理该系统通过在多个腔室中产生等离子体，利用反应气体与材料表面反应，选择性去除材料。首先，反应气体被引入刻蚀腔室，经过电场激励后形成等离子体。等离子体中的活性粒子与待刻蚀材料表面发生化学反应，产生挥发性副产物，从而实现材料的去除。多腔设计使得系统能够同时处理多个晶圆，显著提高生产效率和均匀性。此外，系统的工艺参数可调节，允许用户优化刻蚀速率和选择性，以满足不同应用的需求。三、设备组成1.方案是适用于大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统2.系统可用于研发和小批量生产3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空4.系统包括：一个六端口的转接腔、带机械手六个端口分别连接： （1）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：用于刻蚀铌酸锂； （2）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去胶等；（3）一个 RIE 刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等； （4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样；（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样； （6）一个端口备用，未来可升增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块。

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。性能特点 手持操作 专为敏感基材设计 等离子功率密度高 高效激发冷等离子体 产生温度 50 °C冷等离子体

1. 产品概述：SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统代表了电感耦合等离子体 （ICP） 处理的前沿技术，其最宽温度范围为 -150 °C 至 150 °C。 该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电极、一个受控的真空系统和一个非常易于操作的用户界面。灵活性和模块化是设计特点。该系统可以配置为处理各种精细结Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP2. 低损伤等离子体蚀刻由于离子能量低和离子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蚀刻工具进行低损伤蚀刻和纳米结构。3. 使用低温加工的深硅蚀刻电感耦合 SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子体蚀刻系统设计用于硅的低温蚀刻以获得光滑的侧壁、室温下的硅蚀刻以及使用气体切碎工艺的深硅蚀刻，应用在流体学、传感器、光电子学、光子学和量子技术中。4. SENTECH专有的等离子体源技术SENTECH 平面三重螺旋天线 （PTSA） 是一种ICP 等离子体源。PTSA 源产生具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体，适用于传感器和量子点的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，适用于处理各种材料和结构。5. 动态温度控制等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和衬底背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。通常，低温电极使用液氮冷却，但是，低温电极也可用于使用冷却器进行室温处理。有一个选项可用于在低温蚀刻和室温蚀刻之间自动切换。6. 灵活性和模块化从150 mm晶圆到直径200 mm的各种衬底，以及载体上的衬底，都可以通过SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等离子蚀刻系统中内置的灵活负载锁来处理。单晶圆真空负载锁定保证了稳定的工艺条件，并允许直接切换工艺。

等离子体热处理炉为德国生产，具有等离子清洗、表面处理、材料表面修饰、材料热处理的功能。 仪器特点及基本参数：具有等离子体清洗、表面修饰、表面处理、表面活化的功能；具有真空能力(10-5mbar)；芯片倒装凸点(Bump)；凸点焊接；键合；功率器件焊接；样品尺寸：170X200mm，或300x300mm；温度：650摄氏度；24支红外灯加热；2路MFC气路；