电流霍尔传感器

霍尔电流传感器霍尔传感器 安科瑞 霍尔传感器厂家直销 霍尔传感器全国批发AHKC-EKAA霍尔电流传感器主要适用于交流、直流、脉冲等复杂信号的隔离转换，通过霍尔效应原理使变换后的信号能够直接被AD、DSP、PLC、二次仪表等各种采集装置直接采集，广泛应用于电流监控及电池应用、逆变电源及太阳能电源管理系统、直流屏及直流马达驱动、电镀、焊接应用、变频器，UPS伺服控制等系统电流信号采集和反馈控制，具有响应时间快，电流测量范围宽精度高，过载能力强，线性好，抗干扰能力强等优点。1开环霍尔电流传感器1.1.1型号说明1.1.2技术指标1.1.3开口式开环霍尔电流传感器1.1.3.1 规格尺寸(mm)1.1.3.2规格参数对照表注:额定电流未标注表示输入电流交直流均可测量，订货时请注明。1.2闭口式霍尔电流传感器1.2.1 规格尺寸1.2.2规格参数对照表注:额定电流未标注表示输入电流交直流均可测量，订货时请注明。1.2.3接线方式1.2.3.1霍尔开口/闭口式开环电流传感器接线端子定义1.2.3.2霍尔（真有效值）电流传感器接线端子定义2闭环霍尔电流传感器闭环霍尔电流传感器又叫霍尔磁平衡式电流传感器，它是在上述原理的基础，加上了磁平衡原理，即集磁环将原边电流所产生的磁场聚集后，作用于霍尔元件，使其有电压信号输出，经放大输入到功率放大器，输出补偿电流流经次级补偿线圈。级次线圈产生的磁场与原边电流产生的磁场相反，因而补偿了原边磁场，使霍尔输出逐渐减小，当原次级磁场相等时，补偿电流不再增大，这就是磁平衡原理。这种线路主要由磁电转换部分、放大电路部分及驱动补偿线路部分等组成。2.1型号说明2.2规格尺寸2.2.1AHBC-LTA外形尺寸2.2.2AHBC-LT1005外形尺寸2.2.3 规格参数对照表注:输入电流交直流均可测量，订货时请注明。2.2.4接线方式接线端子定义注：①模拟量输出地需要和电源地连接。②请选择正确的电流流入方向。3直流漏电流传感器直流漏电流传感器是一种利用磁通门原理（Fluxgate）将被测直流电流转换成与该电流成比例输出的直流电流或电压信号的测量模块，原副边之间高度绝缘。通常输出标准的直流DC4-20mA、DC0-5V、DC0-10V等信号，此标准信号可以被多种采集设备采集，如PLC、RTU、DAS卡等，用于多种电流监控的场合。漏电流传感器环绕安装在直流回路的正负出线上，当装置运行时，实时检测各支路传感器输出的信号，当支路绝缘情况正常时，流过传感器的电流大小相等，方向相反，其输出信号为零；当支路有接地时，漏电流传感器有差流流过，传感器的输出不为零。因此通过检测各支路传感器的输出信号，就可以判断直流系统接地支路。该原理选线精度高，不受线路分布电容的影响。3.3.1型号说明3.3.2 规格尺寸3.3.3 规格参数对照表3.3.4接线方式接线端子定义4直流电压传感器ACTDS系列直流电压传感器是一种利用光电隔离原理将被测直流电压转换成将原边电压转换成与原边电压成比例输出的直流电流或直流电压信号的测量模块，原副边之间高度绝缘，具有高精确度、高线性度、高集成度、体积小结构简单、长期工作稳定且适应各种工作环境的特点。广泛地应用在电力、石油、煤矿、化工、铁路、通信、楼宇自控等行业的电气设备的系统控制及检测。★用于测量直流电压★响应速度快★过载能力强★精确度高★DIN导轨安装★原副边3.5kV高度绝缘4.1型号说明4.2 技术指标4.3 规格尺寸4.4 接线方式霍尔传感器霍尔变送器电流变送器电流传感器开口式霍尔开环霍尔电流传感器

耐高压高灵敏度单极霍尔开关1. 规格说明商品名称耐高压高灵敏度单极霍尔开关（单极感应N极）感应方式磁铁感应电源电压5-24VDC检测距离有效检测距离0-10mm负载电流不超过40MA输出形式NPN三线常闭型输出状态无磁场时输出高电平，有磁场时输出低电平检测物体金属材料外接引线30cm外形规格M6×0.75，全螺纹，长度10mm接线方式红线正极，黑线负极，黄线信号，请勿接反典型应用无刷电机换向、流量传感器、位置传感器、速度传感器2. 详细参数（Ta=25℃，Vsup=5V）参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VSUP3.8540V工作电流ISUP69mA输出电流Isink30mA输出上升时间Tr1us输出下降时间Tf1.5us工作点Bop306080Gauss释放点Brp104060Gauss回差Bhys102040Gauss工作温度Ta-40125℃3. 磁电转换特性该传感器设计用于北极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量（B）小于释放点Brp时，输出以高电平。该产品20元/只，100只起订。

霍尔效应是指当电流流动时，导体置于磁场中，导体片上会产生电压。霍尔效应传感器通过提供与磁通密度成正比的输出电压来测量或检测磁场。Lake Shore为各种应用提供一系列霍尔传感器，不仅仅局限于简单的磁场检测应用，例如编码器、非接触式开关和电子罗盘，也适用于现场测量应用。主要特征 ☛ 多种封装类型☛ 有效面积小☛ 单轴或三轴配置☛ 适用于极端环境（低温、辐射、真空）霍尔传感器是一种 4 引线装置。控制电流 (IC) 引线通常连接到一个电流源，如 Lake Shore 的121型。121型可提供多个与各种霍尔传感器兼容的固定电流值。 霍尔电压引线可直接连接到高阻抗电压表等读出仪器上，也可连接到电子电路上进行放大或调节。设备信号电平范围为微伏至数百毫伏。 霍尔传感器的输入与输出并不隔离。事实上，两个端口之间通常只存在输入电阻数量级的阻抗。为防止错误的电流路径导致较大的误差电压，电流供应必须与输出显示器或下游电子设备隔离。不同类型霍尔传感器性能对比 2DexInAs—stableInAs—sensitiveGaAs材料类型使用二维电子气（2DEG）结构的薄膜技术砷化铟块状材料，掺杂后具有高稳定性砷化铟块状材料，掺杂后具有高灵敏度砷化镓薄膜温度范围1 K* ~ 402 K (-272 °C* ~ 125 °C) * 低温版本在研发中1.5 K ~ 375 K (-271.5 °C ~ 102 °C)208 K ~ 373 K (-65 °C ~ 100 °C)233 K ~ 402 K (-40 °C ~ 125 °C)互换性好—灵敏度值范围窄、线性度优异、偏移电压小差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值坚固性好差差好Lake Shore 仪器兼容性F71 或 F41 特斯拉计选择即插即用传感器--完整的传感器校准和温度补偿功能，可提供与完整的高斯计探头相当的精度425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿不兼容平面霍尔效应无，是测量未知方位场的理想选择显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场部分，薄膜元件可能会出现少量的平面霍尔效应误差额定电流下的灵敏度50.5 ~ 52.5 mV/T5.5 ~ 11 mV/T55 ~ 125 mV/T110 ~ 280 mV/T灵敏度温度系数200 ppm/°C50 ppm/°C800 ppm/°C600 ppm/°C额定驱动电流1 mA100 mA100 mA1 mA典型输入电阻800 Ω2 Ω2 Ω750 Ω典型输入电阻温度系数0.7%/°C0.15%/°C0.18%/°C0.2%/°C最佳偏移电压（等效磁场）±25 µ V (0.5 mT)±50 µ V (4.5 mT)±75 µ V (0.6 mT)±2.8 mV (10 mT)

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6

Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx昊量光电全新推出的Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx.Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx是一种 cmos 磁场传感器，可在同一时间和同一地点采集所有三个磁场分量（Bx、By 和 Bz）。该传感器集成了三组相互正交的霍尔效应元件（一组水平元件和两组垂直元件），每组元件都配有偏置电路和放大器。集成霍尔元件非常紧凑，占地面积小，约为 100 x 100 μm2。因此，传感器的空间分辨率非常高。所采用的 CMOS 技术实现了垂直和水平霍尔元件的高精度制造，从而使三个测量轴具有较高的角度精度（正交性）。在霍尔元件偏压中应用旋转电流技术，可显著抑制偏移、低频噪声和平面霍尔效应。 传感器提供从直流到 300kHz 的高模拟带宽。内置的温度传感器可以测量场敏感区域的当前芯片温度。Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx参数规格：可选择主动灵敏度轴 1D、2D 或 3D高磁分辨率：1uT高空间分辨率：100um x 100um for 3轴六种可选范围：从 40mT 到 4T高频带宽，DC 至 300kHz内置高分辨率温度传感器灵敏度、失调、噪声和漂移的片内校正片上参数化模拟、PWM 和 SPI 数字输出可编程阈值比较器Senis 3轴霍尔磁传感器芯片 SENM3Dx应用领域：3D定位传感器（线性和角度）1D、2D 和 3D 接近传感器磁力计测量探头多探头阵列具有可选量程的电流传感器选件SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套SENIS 3轴霍尔磁传感器芯片评估套设计用于评估真正的三轴磁场传感器，该传感器是 CMOS 集成器件，可在 100 x 100 x 10 µ m3 的场敏感体积 (FSV) 中矢量测量三个磁通分量 Bx、By 和 Bz（图 1）。FSV 低于芯片封装表面约 0.75 mm。产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

微小流量传感器多年来，它巩固了其在全球市场的影响力，以提供定制的电子解决方案。在某些领域，它是影响力很大，尤其是在咖啡机自动化领域。凭借其在电子领域的多年经验，其有效员工由多名技术人员组成，能够满足客户的自动化需求。微小流量计传感器产品类别：Gicar显示器Gicar通讯接口Gicar探头Gicar电源Gicar电平调节器Gicar微小流量计产品介绍：压力：1.2MPA螺纹连接温度： 120°C（适用于 John 型号：65°C）喷嘴直径0.57, 0.7,1.0 ,1.1 ,1.15, 1.3,1.5 , 1.8, 2.0,2.5 ,3.7, 6.0 毫米扇子:2个磁铁（2M），电源电压: 5-24VDC输出电压： 25 伏直流输出电流： 25毫安电力输出： 极化 2.2 kΩ 不带 LED | 10 kΩ 带 LED | 打开收集器测量精度： +/- 3%重复性：优于 0.25%优势特点：结构设计小巧，易于安装维护防水防尘，经久耐用，使用寿命长超声波焊接，性能稳定作用于积聚在不锈钢表面的铅（脱铅）的化学清洗工艺适用于食品行业的电沉积金属间合金由不锈钢加工制成微小流量计传感器主要应用：1、工业洗碗机2、工业包装3、医用器材4、电器面板及自动化5、浓缩咖啡机微小流量传感器是一种采用涡轮原理设计专门测量微小流量的专用流量计，它具有极高的精度，特别是在高温和高压的条件下也是如此。由于灵巧的结构设计，在工作时不会形成沉淀，所以仪表的工作完成是洁净的。例如半导体集成电路和芯片的生产流程中使用的刻蚀剂，具有极强的耐腐蚀性，并如有一个极微小的颗粒落下，也会使芯片成为废品，这些产品都能满足。工作参数使用条件压力范围：可耐压2MPa精度等级：±3%提供电源：5~24VDC温度范围：-10℃~+120℃电流输出：25mA电压输出：25VDC壳体：不锈钢塑胶 轴承：INO×18/8（1.4305）不锈钢 叶轮：PVDF（聚偏氟乙烯） 磁体：SrFeO陶瓷，超声焊接密封：MVQ（硅橡胶“O”型圈）安装方式：水平安装重复精度：±0.25%外形尺寸（L×B×H）：40×55×40mm螺纹：G1/4输出：NPN霍尔集电极开路三线制脉冲流量范围表：仪表口径（mm）测量范围 （L/min） 仪表系数(cm3/imp) 流量频率特性1.0mm 0.03-0.45L/MIN 2223P/L F=37Q1.2MM 0.1-1L/MIN 1830P/L F=30Q2.5MM 0.15-2.4L/MIN 776P/L F=13Q3.0MM 0.2-5L/MIN 577P/L F=9.2Q4.0MM 0.24-8L/MIN 406P/L F=6.76Q

技术参数：32925-50 流量计，椭圆齿轮，1/4英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），0.53至26.4加仑/小时 液体类型：无颗粒高粘度液体（5至1000厘泊） 最大颗粒尺寸：127微米 流速：0.53至26.4加仑/小时 最高环境温度：176华氏度（80摄氏度） 最大压力：75磅/平方英寸（5.2巴） 准度：读数的± 1% 连接：1/4英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹） 输出：集电极开路NPN 传感器输出：3785脉冲/加仑 剩余电压：4.5至24伏直流 接触材料：聚苯硫醚（PPS）主体，聚苯硫醚（PPS）转子，316不锈钢轴，腈O型环 规格：2英寸长x 2英寸宽x 2 -5/8英寸高 32925-52 流量计，椭圆齿轮，316不锈钢，1/4英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），0.53至26.4加仑/小时 32925-54 流量计，椭圆齿轮，聚苯硫醚（PPS），1/4英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），4至132加仑/小时 32925-56 流量计，椭圆齿轮，316不锈钢，1/4英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），4至132加仑/小时 32925-58 流量计，椭圆齿轮，铝，1/2英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），0.26至8加仑/分 32925-60 流量计，椭圆齿轮，316不锈钢，1/2英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），0.26至8加仑/分 32925-62 流量计，椭圆齿轮，聚苯硫醚（PPS），1英寸美国标准锥管螺纹（阴螺纹），0.8至21加仑/分主要特点：坚稳设计无需流量调节 具有霍尔效应开关的流量计 可以通过NPN集电极开路产生脉冲输出，要求有4.5至24伏直流的输入

大电流传感器测试系统电流传感器didt测试设备简介 电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快的达到50A/us级上升沿、可测量KHz级带宽等特点，能实现零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间等参数的自动化测量。 普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。 产品应用 开环/闭环霍尔电流传感器、罗氏线圈电流传感器、皮尔森线圈电流传感器； 产品特点 1000A自动测试平台； 50A/us上升沿； 精度0.1%； 支持集成示波器、温控台； 正负极反转； 模块化设计； 可定制化开发； 技术指标 电流传感器测试平台50A/us上升沿订货信息 以1000A开环2KHz测量为例，一般配置如下： 软件界面及功能 系统软件测试界面 不同温度线性度测试 响应时间测试界面 典型夹具图片 穿心式 PFF/PSF芯片封装

产品简介 SM200是一款专为霍尔效应测试设计的设备，可输出微弱电流，并检测返回的电压信号。SM200也适用于其他的微弱电流源应用功能特点 一体化高精度电压源&电流源可独立使用，也可与Instec温控装置联合使用可同时进行样品温控、光学观察与电测试内置精密电源，1mA~20mA电流源，4½ 数字DMM 五合一测试设备（含IV和IVR测试），方便快捷标准BNC接口可在内部定义电极输入与输出，测试时不用变更接线单通道4x4矩阵电源输入/输出最多6端子电流编程范围，以实现高精度2或4端子电压输出与测量10Hz ~ 470Hz 读取速率（4 ½ digits via GPIB）USB接口或以太网接口可提供LabView样本程序和SCPI通讯协议InstecAPP控制软件，包含样品温控、光学观察与电测试功能典型应用 半导体、骑车、医疗行业的敏感电气测试常规电路板和芯片测试I-V特性曲线击穿电压和漏电流直流电源的参数测试光伏电池输出与效率电阻和介电常数范德堡电阻率和霍尔效应测试电气系统的温度依赖测试调试半导体组件和期间测试气囊操作或缺陷评估保险丝和电路保护装置确保电子医疗设备的安全性测试激光二极管和LED性能

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

HSPM-05VT变温霍尔测试系统由霍尔测试仪、液氮存储式恒温器以及永磁铁运动机构组成，可以给样品提供一个80K到500K的连续变温、0.5T垂直磁场测试环境，可以测试变温下的霍尔参数，为既需要低温又需要高温的科学实验提供了极大的便利。这是一款性价比极高，也是使用用户较多的霍尔测试系统，可以实现较大范围的温度测试，也可配其它电表，作为一个纯粹的温度环境和磁环境用于其它测试。系统特点：&bull 双层样品座设计，底部为光学样品座，通过增加四探针加四接线柱样品座盖板实现探针样品座功能。接线柱支持增加探针，改造为六探针样品座，能同时满足霍尔巴样品和范德堡样品的测试。&bull 装有调节支架，可调整恒温器竖直方向的位置。&bull 磁铁移动装置可使永磁铁前后移动和翻转。&bull 可快速打开样品室，更换样品。&bull 液氮可以通过顶端的液氮补充口方便的灌装，补充液氮不会影响系统的控温。&bull 恒温器带有液氮流量调节杆，可以用来调节恒温器的冷量。&bull 与低温同轴电缆和三同轴/SMA接头配合使用，漏电流小于1pA@1V。&bull 内置加热器和传感器与外部的控温仪配合实现低温恒温器的变温和控温。测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）&bull 有机材料：（OFET、OLED）&bull 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（铟镓锌氧化物）等）&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率10-2-106cm2/VS载流子浓度8x102-8x1023/cm3电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品尺寸Φ50mm样品接触方式四探针样品座，可升级六探针或接线柱样品温度80-500K样品环境真空磁场0.5T磁场调节方式手动位移及翻转磁铁间隙30mm磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

华中区销售工程师 周钟平电话：邮箱： 霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。霍尔效应测试系统产品特点自主知识产权产品。采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。霍尔效应测试系统测试实例山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果太原理工硅化镁样品测试结果霍尔效应测试系统技术参数型号HET-RTHET-HT磁场强度6800Gs5000Gs磁场稳定性±2％/每年温度范围RT100K~600K（可连续变温）温控精度\±0.5K输出电流100pA-100mA迁移率1-107cm2/Volt-sec阻抗10-6 -107?CM载流子浓度107 -1021cm-3样品测量板样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm主机尺寸570x545x380，单位mm\重量50kg80kg霍尔效应测试系统技术原理　　采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度（d）均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率，样品和四个电极联接，相邻的电极通入电流，在另一对电极之间测量电位差，利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量，测得电阻RA和RB，然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系：　　在垂直样品的磁场（感应强度B）作用下，电流通过样品的一对不相邻电极，如由电极1到电极3，测得电极2、4之间的电位差V2,4 （VH），可计算出霍尔系数。

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示 特点? 载流子浓度? 电阻率? 迁移率? 电导率? α (水平电阻值/垂直电阻值)? 霍尔常数? 磁致电阻输入电流:500nA 到 10mA (500nA 步长)霍尔电压:0.5 到 4.5V分辨率:65pV样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm磁场强度:可达 1T传感器:液氮温度到 240°C

特斯拉计和高斯计需要霍尔探头来感应磁场，Lake Shore为用户提供多种类型的霍尔探头，以适应不同的场景。请确保所选探头与连接的特斯拉计或高斯计兼容。Lake Shore霍尔探头选型指引FP系列H系列M系列兼容主机F71/F41特斯拉计475/455/425高斯计460/421/420高斯计性能地磁场至35 T地磁场至35 T地磁场至30 T超高的精度和分辨率高精度和分辨率高精度和分辨率DC ~ 50 kHzDC ~ 20 kHzDC ~ 20 kHz外形因素手持式探头手持式探头手持式探头可安装探头——校准过的传感器未校准过的传感器—方向轴向轴向轴向横向横向横向三轴—三轴Lake Shore霍尔探头概览FP系列霍尔探头 ✔ 适用磁场范围广，从地磁场至35 T超强磁场✔ 0.1 mm2超小的传感器有效面积，测试精度更高✔ 内置温度和线性（磁场）补偿功能✔ 多种手柄和测量杆可选，适合各种应用TruZero&trade 技术使探头无需重新校零✔ 易于使用的功能，如有效区域和极性指示器✔ 可根据具体应用定制探头400系列霍尔探头✔ 适用磁场范围广，从地磁场至30~35 T超强磁场✔ 灵活的探头配置，满足您的各种应用需求✔ 提供多种具有不同性能特点的传感器类型✔ 可根据具体应用定制探头

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。 系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。系统特点：&bull 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）&bull 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试&bull 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试&bull 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求&bull 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ&bull 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空&bull 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等&bull 有机材料：OFET、OLED等&bull 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：主机型号HSPM-07RT标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率 10-2 -106 cm2/VS载流子浓度 8x102 -8x1023/cm3霍尔电压分辨率为1μV电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品测试四探针样品卡样品尺寸：25mm*25mm焊接样品卡样品尺寸：10mm*10mm可选样品尺寸：50mm*50mm样品接触方式手动探针扎针或焊接样品温度室温，可选77K单点样品环境气氛（氮气或氩气）或真空磁场0.7T（室温）0.5T（液氮单点）永磁铁运动方式手动水平移动及翻转运动磁铁间隙20mm（室温）30mm（77K单点选件）磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %3-3测试样品：3-3-1样品测试仓：全封闭、带玻璃窗口3-4温 度：3-4-1温度区域：80K ~730K3-4-2温控精度：0.1K3-4-3温控稳定性：± 0.1 K3-5电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度：102~1022cm-33-8迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流：3-9-1电流范围：0.1 pA~10mA3-9-2电流精度：2%3-10输入电压：3-10-1电压范围：± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率：3× 10-7V3-10-3电压精度：2%

全自动变温霍尔效应测试仪HMS-5000.HMS-5300,HMS-5500产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格： 1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

• 电阻率测量范围:10-4-109?cm(取决于样本)• 迁移率:1-107cm2/VS(取决于样本)• 载流子浓度: 107 -1021 per cm3 (取决于样本)• 电流源:±2nAto±20mA,±12Vcompliance• 小测试霍尔电压:0.1μV• 支持霍尔巴和范德堡样品测试• 磁场大小:0.6Tor1T永磁铁• 温度 HT head (300-800K) RT head (300K) LT head ( 80-500K)• 样本量 LT ａnd HT heads 5x5mm -15x15mm RT head 10x10mmThickness ≤2 mm for 1T magnetic fieldThickness ≤5 mm for 0.6T magneic field• 通过软件控制电磁铁运动