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电致发光光谱仪

仪器信息网电致发光光谱仪专题为您提供2024年最新电致发光光谱仪价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括电致发光光谱仪参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的电致发光光谱仪您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合电致发光光谱仪相关的耗材配件、试剂标物,还有电致发光光谱仪相关的最新资讯、资料,以及电致发光光谱仪相关的解决方案。

电致发光光谱仪相关的仪器

  • 碳纳米管,是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级,轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口)的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离,约为0.34nm,直径一般为2~20nm。由于其独特的结构,碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值,如:其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维,其强度为钢的100倍,重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线,纳米半导体材料,催化剂载体,分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具,采用近红外光谱相机,搭载与近红外显微平台,并配合压电陶瓷纳米位移台,实现碳纳米管的影像及光谱扫描,不仅可以用于电致发光的光谱分析,也可用与光致发光光谱测量,为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围:970nm- 2500nm(900nm-1700nm)。
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  • 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点: 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询;**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长:325nm,功率:20mW,制冷机最低制冷温度:10K ZnO材料的PL谱: 激发波长:325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带,而在500 ~ 600nm 波段,有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带,可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。
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  • Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打:010-56370168-601 性能特点:● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询; **需根据实际需要进行配置确定。产品简介: 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“Flex One( 微光)”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考,以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分:紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分:优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分:影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分:xyz三维可调样品台(手动或自动)、超低温样品台参数规格表:主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*:以上为基本规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件:325nm激发,功率30mW● 光谱范围:340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下,GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带,InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极,电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射,测量其电致发光光谱曲线如下(红色),峰值在475nm 附近。
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  • OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率,用在荧光光谱测量中,不仅可以进一步提升系统的信噪比,更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光)”系列显微光致发光光谱仪一体机,还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块,一种是不带显微镜的水平光路显微模块,另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块,它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选,组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定;**选配项,请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*:以上为基本规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成,光路垂直更有利于一般的样品放置,测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体,光路水平输出,需将样品竖直放置,系统可以配置多维可调的样品架,可以夹持固体、液体等多种类型的样品;水平光路更适合于液体样品,以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数(垂直光路型)系统指标与功能● 荧光光谱测量范围:350-800nm● 激发波长:325nm● 样品形态:固态(片状、粉末)● 预留CCD接口● 可升级电致发光(EL)测量● 可升级扩展至NIR波段测量(~1600nm)详细配置及规格参数- 光源? 类型:HeCd激光器? 功率:≥20W- 显微光路模块(OmniPL-KS-A)? 显微物镜:20X紫外? 光谱适用范围:250-800nm? 标准显微镜(带样品X-Y手动调节台)? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪(Omni-λ500i)? 焦距:500mm? f/#:f/6.5? 光谱覆盖范围:200-1000nm? 光谱分辨率:优于0.05nm@435.8nm(1200g/mm光栅)? 入口形式:狭缝? 出口形式:狭缝+CCD? 狭缝宽度:0.01-3mm? 通讯接口:USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管(PMTH-S1-R928)? 光谱响应范围:200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器(DCS202PC)? 有效计数率:≥5Mcps- 计算机(JSJ)? 一体机,安装光谱采集软件- 光学平台(OTB15-10)? 台面尺寸:1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数(水平光路型)系统指标与功能● 荧光光谱测量范围:350-800nm● 激发波长:325nm● 样品形态:固态(片状、粉末)、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量(~1600nm)● 可升级至超低温(10K)测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型:HeCd激光器? 功率:≥20mW- 显微光路模块(OmniPL-K1-325)? 显微物镜:20X紫外? 光谱适用范围:250-800nm? 样品架:固体(片状、粉末)、液体比色皿样品池,可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪(Omni-λ500i)? 焦距:500mm? f/#:f/6.5? 光谱覆盖范围:200-1000nm? 光谱分辨率:优于0.05nm@435.8nm(1200g/mm光栅)? 入口形式:狭缝? 出口形式:狭缝+CCD? 狭缝宽度:0.01-3mm? 通讯接口:USB2.0- 光电倍增管(PMTH-S1-R928)? 光谱响应范围:200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器(DCS202PC)? 有效计数率:≥5Mcps- 计算机(JSJ)? 一体机,安装光谱采集软件- 光学平台(OTB15-10)? 台面尺寸:1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料(测试设备:OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统)
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  • 组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光(photoluminescence)即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光(如激光器等)激发样品/ 材料(如GaN/ZnO 等)产生荧光,通过对其荧光光谱的测量,分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计,在满足PL 光谱测量的同时,用户可以根据不同的实验需求,选择不同的配件,灵活的进行系统功能的扩展。系统组成:激发光源+ 样品室+荧光光谱仪+数据采集及处理系统+软件+计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源:HeCd激光器● 激发光功率:20mW● 激发波长:325nm● 瑞利散射截止滤光片,OD6● 荧光光谱仪光谱范围:300-850nm(可扩展至2500nm)● 荧光光谱分辨率:优于0.2nm(@1200g/mm光栅)● 波长准确度:±0.2nm● 波长重复性:±0.1nm● 光探测器:科研级制冷型背感光CCD,300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机,最低温度可达2K● 系统扩展性:系统采用模块化设计,可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能,可随时储存和提取图谱,并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱
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  • PMEye-3000光致发光光谱成像(PL-Mapping)测量系统是卓立汉光最新研制的,用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等,在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像,扫描结果以3D方式进行显示,使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好,操作简单,只需简单培训就能使用。测试原理:PL(光致发光)是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下,电子吸收激发光子的能量,向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态,会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁,这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部,一定的电子能级跃迁的机制,也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术,可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例:LED外延片,太阳能电池材料,半导体晶片,半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点:◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度:180点/秒◆ 空间分辨率:50um◆ 光谱分辨率:0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计,操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计,关键尺寸根据人体工学理论设计,不管是样品的操作高度和电脑使用高度,都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成,方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台,可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮,方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想,可根据用户的样品特点来选择规格配置,让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统,采用整机设计,用户只需要根据需要放置检测样品,无需进行复杂的光路调整,操作简便;所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计,采用真空吸附方式对样品进行固定,避免了用传统方式固定样品而造成的损坏;可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位,提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式,直流模式用于常规检测,交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度,而没有对激发光源进行监控,而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控,并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选,系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器,标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器,使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有: 405nm,442nm,532nm、785nm、808nm等,外置选配激光器波长为:325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台,最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等,扫描速度可高达每秒180个点,空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示,以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验,,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯,从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示,单波长的X-Y Mapping测量,给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示,Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下,将呈现不同的荧光效果,这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示,从图中我们可以发现在室温时,GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围,且强度的最高峰出现在580nm附近,但整体而言其强度并不强;随着温度的降低,发光强度开始慢慢的增加,直到110K时,我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现,且当温度越降越低,这个小峰强度的增加也越显著,一直到最低温25K时,基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm,而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值,因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去,则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV,即特征波长为357.1nm,非常靠近实验所得的356.6nm,因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。
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  • 荧光光谱分析仪Flex One性能特点:● 一体化的光学调校——整机设计,结构稳固,光路稳定,确保高效性和易用性● 简单易用的双样品光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样品夹具● 超宽光谱范围**——200nm-2500nm● 视频监视光路 ——通过监视器,查找微米级样品,可供精确调整,定位测试样品点● 多种激发波长可选**——266nm,325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm标准测量区间,可定制特殊规格,步进精度1μm特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——可配置多种低温样品台*选配项,请详细咨询; **需根据实际需要进行配置确定荧光光谱分析仪Flex One产品简介: 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“Flex One( 微光)”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上高性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。荧光光谱分析仪Flex One系统组成● 激发光源部分:紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分:优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分:影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分:xyz三维可调样品台(手动或自动)、超低温样品台荧光光谱分析仪Flex One参数规格表:主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长266nm,325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等探测器类型单点Si单点PMT单点InGaAs制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs阵列512×1制冷型InGaAs阵列512×1有效范围200-1100nm200-870nm800-2500nm300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率50μm注*:以上为参考规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!
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  • 荧光光谱仪在许多领域中被广泛应用,如:材料学(宽禁带半导体材料发光特性检测)、生物学(叶绿素和类胡萝卜素检测)、生物医学(恶性病的荧光诊断)和环境监测中都可以用到荧光检测技术。 OmniFluo “卓谱”系列荧光光谱测量系统采用模块化的组合方式集成而成,吸收了我公司 15 年的光谱系统设计、制造经验,通过不同配件的选择,不仅可以实现荧光光谱测量,还能够实现功能的多样化,如 PL、拉曼、透射反射吸收、探测器定标等光谱测量,有效解决了传统荧光分光光度计光谱范围有限及拓展功能不足的问题。 OmniFluo “卓谱”系统采用高性能“谱王”Omni-λ系列光谱仪 / 单色仪、高灵敏度单通道或多通道探测器,采用单光子计数技术或锁相放大技术,极大的提高了荧光探测的灵敏度,使得纯水拉曼信噪比达到 1000:1 以上的水平。 OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统将 PL 和 PLE 两种荧光测试需求完美结合,采用模块化设计,可以根据需要进行系统架构的灵活调整,实现常温及低温下的荧光光谱、激发光谱测量。 OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统性能特点 ■ 模块化的结构设计——各功能模块完美结合,根据需要进行选择,后续升级方便■ 合理的空间布局——在满足功能需求的前提下尽可能占用更少的空间,且方便测量操作■ 超宽光谱范围*——200nm-2500nm■ 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性■ 宽波段、高输出功率光源——150W、500W氙灯光源可选■ 多种激光器波长可选*——266nm/325nm/375nm/405nm/442nm/532nm/785nm/1064nm等■ 量子产率测量功能可选**——扩展选项■ 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项■ 超低温测量附件可选**——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定;**选配项,请详细咨询。OmniFluo“卓谱”组合式荧光光谱测量系统参数规格表(*) 主型号OmniFluo光谱测量范围200-2500nm荧光光谱分辨率0.1nm激发光源基于150W或500W氙灯可调单色光源激发光输出带宽0.1nm-30nm激光器可选波长266nm/325nm/375nm/405nm/442nm/532nm/785nm /1064nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs 512×1单点 PMT 单点制冷型 InGaAs探测光谱范围200- 1000nm800-2200nm200-870nm800- 2500nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器
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  • 仪器简介:PerkinElmer LS45/55型为多功能、可靠和易用的发光分光光度计。是在LS-50B型基础上的改进型。结合一定的附件和软件,本机可以有广泛的应用范围,不论工作中需要荧光、磷光或化学发光及生物发光的检测,这都是恰当的选择。LS 55荧光/磷光/发光分光光度计可测定荧光、磷光、生物发光或化学发光。激发狭缝2.5—15nm,发射狭缝为2.5—20nm。脉冲式氙灯(寿命长、电源供应简单,产生臭氧极少,不需长时间预热;大大减少光解作用;每一脉冲间测定暗电流,增进低荧光量的测定;用软件控制即可测定磷光,不需附件;磷光的灵敏度不损失脉冲率、延迟时间及门限时间均可变更);信噪比:750:1(RMS,350nm处纯水拉曼谱带),基线处为2000:1(RMS);大样品室保证可安装多种计算机控制的专用附件、可提供的附件最全;包括固体样品架;新概念的软件;FL WinLabTM(具有强大的二维/三维显示功能,开辟了分析复杂组份混合物的新途径)。技术参数:波长精度: ±1nm波长重复性: ±0.5nm带宽: 激发狭缝缝2.5-15nm, 发射狭缝2.5-20nm调节步距均为0.1nm扫描速度: 10-1500nm/分, 调节步距为1nm 亦可按时间收集数据发射滤光片: 290, 350, 390, 430, 及515nm, 5片 另有1%衰减片,均由软件选择灵敏度: 用350nm激发波长测定纯水拉曼谱带,在拉曼峰处最低信噪比为750:1(RMS), 在基线处最低信噪比为2500:1(RMS)主要特点:使用方面,性能稳定,可配备多种附件适应不同的应用范围。
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  • SmartFluo系列稳态荧光光谱仪SmartFluo-QY是卓立汉光公司第一台基于单光子计数技术的一体式稳态荧光光谱仪。SmartFluo-QY经过了卓立汉光近20年的光学系统优化设计,并采用了“单光子计数器”作为数据采集装置,具备了对极微弱荧光信号的探测能力,通过纯水拉曼测试信噪比可达到3000:1以上。SmartFluo-QY可以实现宽光谱探测范围,能够满足包括物理、化学、生物学、医学、半导体材料学、环境学等各种科研及工业应用的荧光测量要求。 SmartFluo系列稳态荧光光谱仪应用领域举例:l 生物化学:细胞毒性,离子浓度定量分析,细胞增殖,DNA定量,化学定量分析等l 环境监测:各种微量药物残留检测,水质评测,食品安全监管,污染物分析等l 药物开发及药理学:常规药物分析,蛋白质新药开发,生物体系中的药物作用机理,喹诺酮类药物,du品检测,高通量筛选等l 食品科学与农业:食品保质期评估,细菌生长测量,杀虫剂分析,食品质量控制等 挑战灵敏度极限——“单光子计数技术”“单光子计数技术”是利用在弱光下光电倍增管输出信号自然离散化的特点,采用精密的脉冲幅度甄别技术和数字计数技术,把淹没在背景噪声中的弱光信号提取出来。当弱光照射到光电子阴极时,每个入射光子以一定的概率(即量子效率)使光阴极发射一个电子,这个光电子经倍增系统的倍增,最后在阳极回路中形成一个电流脉冲,通过负载电阻形成一个电压脉冲,这个脉冲称为单光子脉冲。而“单光子计数技术”可测得低至单个不重叠的光子能量脉冲,通过精密的鉴别手段进行工作,从而实现探测“单光子”级别微弱信号的目的。系统灵敏度SmartFluo-QY中采用的单光子计数技术,提供了峰值计数速率超过100Mcps,标准条件下水拉曼信噪比达到3000:1以上的测试结果,相比较于常规的荧光光谱仪,灵敏度提高了10-100倍,更有利于微弱发光样品的检测,可以检出低至1×10-15mol/L浓度的荧光素。其所具备的高灵敏度为各种普通荧光及微弱荧光信号检测提供了可靠保障。光谱范围激发光源采用150W氙灯,提供紫外-近红外波段的高效激发能量;荧光检测采用高灵敏度的“单光子计数技术”,检测范围为185-670nm或185-900nm。 杂散光对于实验样品尤其是微量样品测试,杂散光抑制是影响信噪比的至关重要的因素。SmartFluo-QY的光路及结构设计,极大的降低了杂散光对信号的干扰,可达到10-5杂散光抑制比。 光谱校正未经校正的光谱图由于存在光源光谱及光路系统的光学传递函数等各项因素的干扰,会造成难以预测的谱线失真,进而影响最终的光谱结论。SmartFluo-QY使用内置标准探测器模块以及出场测试的校正数据,为整个系统提供光谱校正支持。SmartFluo-QY的激发光部分包含了保准参考探测器,在每次测量时均经过标准参考探测器校正,保证150W氙灯在各个波长激发能量的一致性;SmartFluo-QY的荧光检测部分在出厂时都经过标准光源校正光谱响应度,将发射谱的光学部件与探测器的光谱响应度借由标准光源作修正得到绝对的系统光谱响应度曲线,荧光普在各波长的强度因此具有可比性,提供更详实的图谱数据,做出更为正确的分析。 光谱分辨率与激发光强控制SmartFluo-QY的激发和荧光分光器各采用一套300mm焦长的高分辨率单色仪光路,激发光源可通过自动光阑灵活调整5%-100%的光通量,激发波长最小带宽可达到0.1nm,荧光检测可分辨0.1nm荧光峰,优良的机械性能确保了波长重复性高达0.1nm。强化的软件功能专门设计的配套软件,为用户提供对SmartFluo-QY硬件的完整控制、多种测量方案选择、数学算法处理等多项强大功能。SmartFluo-QY的配套软件以数据为中心设计,用户只需要关注实验操作流程,软件将协助完成大部分数据采集与分析工作。测量模式激发光谱扫描荧光发射光谱扫描同步光谱扫描电致发光光谱扫描偏振光谱扫描三维荧光扫描动力学扫描荧光量子产率测量数据处理及显示数学算法(+,-,×,÷)光谱校正(实时校正或后处理)归一化处理光谱平滑处理擦除射线色度坐标量子产率计算2D、3D显示定义扩展扫描方式控制特性激发及发射波长自由选择自定义光谱扫描范围激发及发射带宽自由选择积分时间自由设置偏振角度选择(需配相应附件)自动样品台控制(需配相应附件)实时光谱校正吸收光谱测量控制(需配相应附件)动力学测量控制磷光寿命测量控制运行方案存储及重复测量三维荧光测量控制同步光谱测量在同步光谱测量中,激发单色仪和发射单色仪以用户预设的偏移量做同步扫描,可以应用于区分和识别混合物质样品中的荧光组分。荧光量子产率测量荧光量子产率(Quantum Yields)是荧光物质的重要发光参数之一,定义为荧光物质吸光后所发射的光子数与所吸收的激发光的光子数之比值。与传统的对比测试法不同,SmartFluo-QY采用积分球对样品进行绝对量子产率的测量,测量结果更准确可靠。采用四步测量方法,可消除激发光二次吸收对测量结果的影响,进一步提高了测量结果的准确性附件l 比色皿样品架主机标配的的样品架及比色皿;可用于液体样品测量,带有一维水平调节(±6.5mm)和Z轴旋转调节(360°),可安装比色皿尺寸:45(高)×12.4×12.4mm。 l 固体、粉末样品架用于固体、粉末样品的测量,也可安装比色皿用于液体样品的测量,样品架特别设计,确保激发光不直接进入荧光接收单色仪,可以有效减少杂散光,提高信噪比;带有一维水平调节(±6.5mm)和Z轴旋转调节(360°),可安装比色皿尺寸:45(高)×12.4×12.4mm。l 水浴恒温样品架用于液体样品恒温测量(不包含水循环温控装置),通过外置控制器控制水流和水温,使样品支架内保持恒定温度;带有一维水平调节(±6.5mm)和Z轴旋转调节(360°),可安装比色皿尺寸:45(高)×12.4×12.4mm。l 积分球附件用于荧光量子产率测量,内置于主机样品室内,不额外占用空间;可用于液体、固体、粉末等各种样品测量。l 偏振测量附件用于测量荧光偏振角度(0-90°)和荧光各向异性,使用波长范围:230-2000nm。可有效用于医学与生化领域的抗原-抗应、生物细胞、蛋白质、酶等的测量。主要技术参数结构设计: 采用一体式结构设计,机电分离无干扰光源: 150W 连续氙灯光源(230-1800nm) 单色仪: 300mm 焦距,CT 结构,三光栅塔台设计, 低杂散光标配光栅(激发): 1200g/mm@300nm 标配光栅(发射): 1200g/mm@500nm 选配光栅: 可选配多光栅激发光谱覆盖范围: 200-600nm(标配) 发射光谱覆盖范围: 200-1000nm(标配) 滤光片轮: 标配六档自动滤光片轮光谱分辨率: 0.1nm(@1200g/mm,435.83nm) 光谱带宽: 0.1-30nm(取决于光栅刻线数和狭缝宽度) 波长准确度: ±0.2nm(@1200g/mm) 扫描速度: 100nm/s 积分时间: 10s-200s 光谱探测器: R1527P(蓝敏,200-670nm) R928P(红敏,200-870nm) R2658P(NIR,200-1010nm) 参考探测器: 紫敏硅探测器(200-1100nm) 偏振测量附件: 可选配,0-90°,230-2000nm 水拉曼信噪比: 3500:1(蓝敏) 2000:1(红敏) 仪器尺寸(主机): 840×620×330mm(L*H*W) 仪器重量:
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  • 仪器简介: 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL(光致荧光)光谱仪;MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源,配合独特的光路设计,采用高灵敏度PMT作为探测器件,并通过仪器内置的门闸积分平均器(Boxcar)进行数据处理,实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等,不仅可用于科研领用,更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数:主要规格特点:■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围:190~650nm(标准),190~850nm(选配)■ 高分辨率:0.2nm(@1200g/mm光栅,标配),0.07nm(@3600g/mm光栅,选配)■ 门闸积分平均器(Boxcar)进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品,样品可实现XYZ三维手动调整(标准)■ 可选配自动样品扫描装置,实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化,体积:15 × 18 × 36cm,重量:8kg主要特点: 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL(光致荧光)光谱仪;MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源,配合独特的光路设计,采用高灵敏度PMT作为探测器件,并通过仪器内置的门闸积分平均器(Boxcar)进行数据处理,实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等,不仅可用于科研领用,更可用在半导体LED产业中的品质检测。
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  • 多种光谱技术集于一身-高灵敏度和宽范围的荧光光谱和生物发光、化学发光、电致发光光谱测量-高速三维荧光采集,实现荧光快速定位。性能优异-高灵敏度、高稳定性-高信噪比1200:1(RMS)/ 15000:1( RMS(BG))-30000 nm/min超快扫描速度-标配宽范围的光电倍增管(波长至900 nm)出色的易用性-中文界面的FL Analyst软件,简化分析流程-标配仪器性能自动确认功能-超大样品室适合多种分析和应用-丰富的功能和配件满足现在和未来的不同应用需要应用领域:制药、生命科学、医疗卫生、环境、化工、食品、电子/半导体、教学科研等各种领域
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  • 瞬态电致发光模块 及推荐系统配置及功能整套包括: 成像光谱仪及冷冻CCD面阵检测器;单光子计数检测器;时间分辨多通道采集模块;真空液氮变温样品支架;积分球及器件夹具;常温样品支架;光激励用激光器;外加电场的电致发光驱动模块;标准发光光源;相关软件;以上功能模块可以根据需要取舍;选择需要的系统模块满足 光/电致发光 及 时间分辨测试(瞬态测试) 需要;电致发光光谱ELS电致发光效率QE时间分辨电致发光TREL外建偏压电场对发光寿命影响发光色度;时间分辨发射光谱TRPL/TRES瞬态电致发光模块EzTime-EL 主要技术指标1. 时间分辨区间:25ps-10s;2. 波长:350nm-1050nm;(依赖于配置)3. 电驱动脉宽20ns-1s可调区间;4. 电驱动电压 0-12V 步进0.1V;5. 外加电场延迟时间0-1000微秒可调;技术理解时间分辨的光致发光,可以了解材料的发光分子内部及分子间相互作用及能量转移效率,包括发光中心的空间间距; l 电致发光:发光对应开关电压,电压V-电流I关系;发光光谱;色坐标,发光效率QE;l 观察角度:采用高光谱模式,球面任意位置强度分布及发光光谱;l 时间分辨电致发光:发光器件对驱动电场的响应;发光衰减曲线;l 外建偏压电场:了解偏压对发光衰减的影响; l 真空和液氮低温环境:减少器件的气氛及温度干扰;
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  • 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点: 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询;**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长:325nm,功率:20mW,制冷机最低制冷温度:10K ZnO材料的PL谱: 激发波长:325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带,而在500 ~ 600nm 波段,有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带,可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。
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  • 产品关键词:电致发光、IVL、电致发光量子效率、量子效率、亮度、前向亮度、角度分辨、器件寿命、外量子效率、发光量子产率测量系统、绝对量子效率、EQE、JV、IV、绝对发光量子产率测量系统 、CIE、色温、光谱功率分布 λ、辐射通量、光通量、相关色温(CCT)、显色指数(CRI)、电功率密度、积分球▌ 产品简介电致发光量子效率测量仪HiYield-EL是东谱科技 HiOE 综合发光特性测量平台中的重要成员,用于对电致发光样品的发光特性进行精确测量。HiYield 系统能够以一流的检测精度对电致发光器件进行纵深测量,得到全面的绝对法测量的电致发光效率参数(量子效率EQE等)以及相关的电学、辐射度学、光度学、色度学等参数;同时该系统集成了稳定性测试模块,可以对器件的老化过程进行测试,且同时得到器件老化过程的全面信息,即涵盖了上述发光效率、电学、辐射度学、光度学、色度学等全面参数(通常的老化测试仪,仅对电流、电压和相对亮度进行测试),典型的包括电致发光效率/量子效率EQE、寿命测试、CIE、CRI、CCT、光谱响应、光谱功率分布、IV、JV、总光谱辐射通量、辐射通量、光通量、光效、光谱强度、峰值波长、FHWM等,广泛应用于各种类型的电致发光器件测量。▌ 产品特点□ 能够以一流的检测精度对电致发光器件进行纵深测量,得到全面的绝对法测量的电致发光效率参数(外量子效率等)以及相关的电学、辐射度学、光度学、色度学等参数;□ 集成了稳定性测试模块,可以对器件的老化过程进行测试,且同时得到器件老化过程的全面信息,即涵盖了上述发光效率、电学、辐射度学、光度学、色度学等全面参数(通常的老化测试仪,仅对电流、电压和相对亮度进行测试);□ 由软件控制测试过程,操作便捷,图表和数据实时显示;□ 可快速、可靠对样品的测试过程进行追踪;□ 具有实时测量、预测量、定制测量、扫描测量、时间依赖测量等丰富的测量模式。▌ 产品功能□ 效率参数:发光效率/外量子效率EQE、电流效率、功率效率等;□ 电学参数:电压(V)、电流(I)、电流密度(J)、电功率(W)、电功率密度等;□ 辐射度学:光谱功率分布、辐射通量、光通量、光视效能、峰值波长、主波长等;□ 色度学:CIE 色度坐标、相关色温(CCT)、MK-1(mred)、显色指数(CRI)、RGB 颜色值等;□ 稳定性测试。■ 包含测量模式√ 电压扫描(含分段扫描、循环扫描等);√ 电流扫描(含分段扫描、循环扫描等);√ 恒压单点测量;√ 恒流单点测量;√ 稳定性测量:不同老化时间下测量。▌ 产品应用□ 量子点发光二极管(QLED)□ 有机发光二极管(OLED)□ 发光二极管(LED)□ 钙钛矿发光二极管(PeLED)□ 其它各种类型的电致发光器件等▌ 规格型号绝对法电致发光特性测量系统系列HiYield-EL光谱仪*光谱范围210-980nm225-1000nm350-1050nm900-1700nm探测器制冷CCD系统信噪比1000:1A/D分辨率16/18 bit光学分辨率0.14-7.7 nm FWHM动态范围85000(典型)杂散光0.08% at 600 nm 0.4% at 435 nm源表电压范围-210V~210V电流范围-1.05A~1.05A*分辨率1pA / 100nV10fA-10nV积分球*材料Spectralon、PTFE、Spectraflect、BaSO4等*内径3.3 / 6 / 10 / 15 inch可选*反射率400至1500 nm,大于99%>97%@600 nm 97-98%>95%软件测量模式 电压扫描(含分段扫描、循环扫描等); 电流扫描(含分段扫描、循环扫描等); 恒压单点测量; 恒流单点测量; 稳定性测量:不同老化时间下测量。功能参数类别 效率参数(外量子效率、电流效率、功率效率等); 电学参数:电压(V)、电流(I)、电流密度(J)、电功率(W)、电功率密度等; 辐射度学:光谱功率分布、辐射通量、光通量、光视效能、峰值波长、主波长等; 色度学:CIE色度坐标、相关色温(CCT)、MK-1(mred)、显色指数(CRI)、RGB颜色值等; 稳定性测试。测量夹具*定制夹具根据客户样品封装设计夹具*该产品或参数可根据客户需求灵活配置▌ 产品特点
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  • 产品关键词:电致发光、IVL、电致发光量子效率、量子效率、亮度、前向亮度、角度分辨、器件寿命、外量子效率、发光量子产率测量系统、绝对量子效率、EQE、JV、IV、绝对发光量子产率测量系统、自动对焦、朗伯假设、相对法、光分布法、光谱功率分布( λ)、辐射通量、光通量、相关色温(CCT)、显色指数(CRI)、电功率密度▌ 产品简介电致发光测量系统NovaLum是东谱科技HiOE稳态综合光电特性测量平台中的重要成员,用于对电致发光样品的性能进行精确测量。该系统包括IVL测试、器件寿命测试、空间角度分布测试等功能,可以便捷、快速地得到电致发光器件全面的性能参数,如电致发光效率(电流效率、功率效率、外量子效率等)、光度学、色度学、稳定性、发光角度分布等相关性能参数。该设备很好地解决了行业上:(1)利用分光辐射度计测试时,存在低亮度测试速度慢、高亮度过曝的问题,从而不能用于易老化器件的测试,也不适宜用于宽亮度范围的器件测试;(2)利用积分球系统测试时,无法得到准确的前向亮度参数,且高亮度时也存在过曝问题,不能对强发光样品进行测试等的问题。▌ 产品特点□ 可以得到准确的亮度,因而适宜OLED、钙钛矿LED、量子点LED、显示屏等面光源的测量。□ 配备自动化的角度分辨测试功能,可以快速得到样品发光的空间分布特性。□ 配备了稳定性测试功能,进行老化测试,具有宽的亮度检测范围(1cd/m^2 ~999900 cd/m^2 )。□ 可以进行各种环境的测试,如气体氛围、器件不封装转移测试等,同时可以实现手套箱内快速换样测试。□ 配备自动对焦和观察、自动位移、自动子器件切换等系统,可以极大地提升测试效率。▌ 产品功能□ 多种扫描模式:电压扫描、电流扫描、角度扫描、时间扫描。 □ 分段循环电流、电压扫描:可以研究器件的迟滞效应等。□ 实时测量:可以实时单点测量,灵活判断器件的工作情况。 □ 两线/四线测量:四线测量可更加准确地测量器件的电流电压。 □ 自动切换器件:通过软件选择测量的子器件。□ 自动积分时间:避免因为亮度过低导致测不出信号、或亮度过高导致的过曝的问题。□ 配备可视化实时观察及位移系统:在软件中可以实时观察到器件的表面发光情况,可软件操作对焦。□ 自动保存数据:测量过程中自动保存数据,避免数据丢失等状况。▌ 规格参数亮度测量光谱测量亮度范围0.01~9,999,000 cd/m^2波长范围200-850nm 或者 350-1000nm测试角1/3°积分时间4 ms - 10 s视角9°动态范围1300:1相对光谱敏感度匹配 CIE 光谱发光效率函数 V (λ)校准线性度99.8%最小测量面积 Ø 4.5 mm (0.4mm)光学分辨率~1.5 nm (FWHM)最短测量距离 1012mm (213mm)电流电压测量测量时间AUTO:0.7~4.3 s电压范围/分辨率-210V~210V/100nVMANUAL:0.7~7.1 s电流范围 /分辨率-1.05A~1.05A/1pA▌ 产品应用□ 量子点发光二极管(QLED)□ 有机发光二极管(OLED)□ 发光二极管(LED)□ 钙钛矿发光二极管(PeLED)□ 其它各种类型的电致发光器件▌ 测试案例LED器件测试示例显示屏测试示例
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  • 产品关键词:多通道电致器件稳定性测试、多通道电致器件寿命测试、电致发光、IVL、电致发光量子效率、量子效率、亮度、前向亮度、角度分辨、器件寿命、外量子效率、发光量子产率测量系统、多通道、电致发光器件老化系统、光谱功率分布( λ)、光谱功率分布( λ)、光通量、相关色温(CCT)、显色指数(CRI)、电功率密度▌ 产品简介多通道电致发光特性测量系统EL-Lab是东谱科技 HiOE 综合发光特性测量平台中的重要成员,与东谱科技的绝对法电致发光特性测量系统 HiYield 共同为行业提供了完善的电致发光的测量方案。该系统由一系列相应的分布测量组件组成,包括光电测量模块、亮度校准模块、光谱测量模块等。利用该系统组件的分布特性,可以灵活搭建适用于不同类型器件的测量系统。该系统可以便捷地扩展测量通道数量,且可以为不同的测试通道配备相同或者差异的测试功能,从而可以适应丰富的测量场景,如批量测量、手套箱测量、变温测量、老化测量等。▌ 产品特点□ 多通道批量测量;□ 可放进手套箱内测试;□ 支持长时间的多个器件的老化测试;□ 支持宽温度范围的变温测试;□ 全面的电致发光测量参数。关于测试通道:可灵活定制不同数量的测试通道和功能,如:■ 总测试通道:6 个■ IVL 测试通道:5 个■ 光谱测试通道:1 个■ 老化(稳定性)测试通道:5 个■ 变温测试通道:选配▌ 产品功能□ 发光效率参数:外量子效率、电流效率、功率效率等;□ 电学参数:电压(V)、电流(I)、电流密度(J)、电功率密度等;□ 辐射度学参数: 光谱功率分布、辐射通量、光视效能、主波长等 ;□ 光度学参数:亮度、光通量等;□ 色度学参数: CIE 色度坐标、相关色温(CCT)、MK-1、显色指数等 ;□ 器件老化参数:不同老化时间下的上述参数;□ 变温测量等。▌ 规格参数光电测量模块光谱测试模块波长范围350-1100 nm波长范围200-1100 nm峰值波长970 nm积分时间3.8 ms – 10 s灵敏度 0.725 A/W动态范围3.4 x 10 ^6 (system) 1300:1 for a single acquisition有源面积100 mm^2杂散光0.05% at 600 nm 0.10% at 435 nm上升/下降时间65 ns(632 nm, RL=50Ω , 5V)光学分辨率~1.5 nm(FWHM)噪声等效功率2.07x10-13 W/√Hz(970 nm, 5 V)源表暗电流600 nA (Max. 5V)参数电压范围-20 V~20 V;电流范围-120 mA~120 mA;分辨率 100 pA/0.1 mV结电容 375 pF (Typ. 5V)▌ 产品应用□ 量子点发光二极管(QLED);□ 有机发光二极管(OLED);□ 发光二极管(LED);□ 钙钛矿发光二极管(PeLED);□ 其它各种类型的电致发光器件。
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  • 光焱科技 电致发光效率测试系统 LQ-50X-EL 介紹目前 LED 发展所面临的挑战包含:(1) 新型态的 LED 具备低亮度 ( 50000 cd/m2)、衰减快的特性(2) 发光半宽(FWHM)较传统 LED 小 (OLED~100 nm PVSK LED~50 nm)(3) 非朗伯体 (Non-Lambertian) 分布,使得辉度 (cd/m2) 换算 EQE 时误差很大(4) 发光波长超过视函数波段 (可见光范围),无法以光通量与辉度评价其中「衰减快」与「红外发光的准确评价」,是与转换效率高低最息息相关,因此光焱科技推出 LQ-50X-EL,采用单光子侦测技术、NIR 增强光学设计与组件并拥有简便的设计可与手套箱直接整合。特色 光焱科技电致发光效率测试系统LQ-50X-EL的特色如下:*采用单光子侦测技术,克服传统光谱仪在低亮度需要长曝光时间 (1~3秒) 的特征,加快测试速度,以确保测试的准确性与高效率。*采用 NIR 增强光学设计与组件,使其涵盖波长可达到 1100 nm,更可扩展到 1700 nm。*设计简便,并且可与手套箱直接整合,同时对于各种样品形式都可以做很好的适配。LQ-50X-EL 可快速测试每个电压下的发光光谱,并可取得辐照度、辉度、CIE坐标等多项参数值,实测无机 LED 测试量测不重复性小于 0.2 %。LQ-50X-EL 为 NIST 溯源,与国外校正的白光与绿光 LED 比对,差异值小于 0.5 %。规格标准配置:*全向式收光系统 (50 mm 积分球)*增强型多信道光谱仪测试系统*探针系统*量测软件*工控机与屏幕选配规格:*红外光谱扩充模块 (900 – 1700 nm)*手套箱整合套件应用范围 光焱科技 电致发光效率测试系统 LQ-50X-EL 可用于:*Perovskite LED / Perovskite Laser Diode*Organic IR LED*QD LED / QD Laser Diode*VESEL Laser Diode实证量测结果总览
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  • Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打:010-56370168-601 性能特点:● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询; **需根据实际需要进行配置确定。产品简介: 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“Flex One( 微光)”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考,以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分:紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分:优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分:影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分:xyz三维可调样品台(手动或自动)、超低温样品台参数规格表:主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*:以上为基本规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件:325nm激发,功率30mW● 光谱范围:340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下,GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带,InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极,电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射,测量其电致发光光谱曲线如下(红色),峰值在475nm 附近。
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  • SpectrumTEQ-EL系列电致发光量子效率测量系统,可以针对发光器件的光电特性进行有效测量,系统搭配的QEpro光谱仪具有信噪比、低杂散光等特性,可确保测量结果得准确性;同时,系统配有强大的测试软件,对话框式的软件操作界面让测量过程变得更为简单。测量参数量子效率亮度量子效率随电流密度的曲线色坐标辐射通量,光通量峰值波长 应用领域无机电致发光有机电致发光分子薄膜EL器件 产品优势体积小巧:便于灵活使用及运输。原位测量:可放至手套箱内,实现原位测量流程化操作:设备无需频繁校准。产品参数 系统配置配置方案 方案1 方案2光谱仪型号QEPro / QE65Pro(可选)光谱范围(nm)350-1100信噪比1000:01:00分辨率2.5 nm (FWHM)动态范围85000:1(QEPro单次采集);25000:1(QE65Pro单次采集)AD位数18-bit(QEPro);16-bit(QE65Pro)积分球尺寸3.3”1.5”材质Spectralon源表Keithley2400光纤芯径1000um(可更换其他芯径)校准灯角度2 Pi 型号HL-3-INT-CAL亮度50 流明功率5W(电功率)无线遥控 通道数4无遥控软件SpectrumTEQ-EL专用软件
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  • SpectrumTEQ-EL电致发光测试系统以模块化思路设计,特别适合手套箱内使用,使用业内旗舰级光谱仪,能够进行准确的量子效率,亮度,色度等测量,真正的实现了制备和测试同时进行。EL测试方案共有两种配置,分别适配不同的样品形貌,器件亮度和测试需求。搭配源表和软件,可以对器件进行更精确的四点法测量。方案一:集成化程度高,适配无线遥控自动化测试,3.3寸积分球更适合高亮度样品,可以根据器件定制专用夹具,且能进行PL扩展。方案二:高灵活度探针台方案,单点测试,小体积异形样品均适用,1.5寸积分球,可以测试低亮度样品,安装方便,小巧灵活。电致发光系统可以通过增加光致发光系统配件,实现电致发光和光致发光的两种功能,同样的,光致发光系统也可以通过定制夹具,实现两种功能。测量参数亮度色坐标量子效率主波长辐射通量量子效率随电流密度的曲线 应用领域无机电致发光有机电致发光分子薄膜EL器件 产品优势体积小巧:便于灵活使用及运输。原位测量:可放至手套箱内,实现原位测量流程化操作:设备无需频繁校准。产品参数
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  • 基于发光成像和激光扫描的太阳能电池检测工具.该系统提供多种成像测试解决方案,如电致发光、光致发光、热成像和光束感应电流测量,用于检测太阳能电池的内部缺陷和器件故障。-电致发光成像-光致发光成像-光束感应电流(LBIC)成像-热成像-通过发光检测,检测出太阳电池和组件的缺陷,如裂纹、暗区和指状缺陷.....
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  • SpectrumTEQ-EL系列电致发光量子效率测量系统,可以针对发光器件的光电特性进行有效测量,系统搭配的QEpro光谱仪具有信噪比、低杂散光等特性,可确保测量结果得准确性;同时,系统配有强大的测试软件,对话框式的软件操作界面让测量过程变得更为简单。测量参数量子效率亮度量子效率随电流密度的曲线色坐标辐射通量,光通量峰值波长 应用领域无机电致发光有机电致发光分子薄膜EL器件 产品优势体积小巧:便于灵活使用及运输。原位测量:可放至手套箱内,实现原位测量流程化操作:设备无需频繁校准。产品参数 系统配置配置方案 方案1 方案2光谱仪型号QEPro / QE65Pro(可选)光谱范围(nm)350-1100信噪比1000:01:00分辨率2.5 nm (FWHM)动态范围85000:1(QEPro单次采集);25000:1(QE65Pro单次采集)AD位数18-bit(QEPro);16-bit(QE65Pro)积分球尺寸3.3”1.5”材质Spectralon源表Keithley2400光纤芯径1000um(可更换其他芯径)校准灯角度2 Pi 型号HL-3-INT-CAL亮度50 流明功率5W(电功率)无线遥控 通道数4无遥控软件SpectrumTEQ-EL专用软件注:对于医疗器械类产品,请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况
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  • 仪器简介:太阳能电池 电致发光成像检测仪根据客户的应用分为研发型(手动)和生产型(全自动),研发型适合太阳能电池研究实验室用,性价比高,稳定性好,价格适中。另外,根据客户的需要也可做成跟光致发光检测仪(PL Imaging system) 一体机。同时可扩展到反射率 mapping的功能,也可以为改进工艺提供有效的参考依据。 技术参数:-DC/Pulse electrical power source/meter-constant current/voltage operation-电压:-20V~+5V-电流:Max.30mA,1A,20A(客户可选)-多种电流范围主要特点:&bull 通过对太阳能电池EL检测,可检测出Micro crack,印刷/烧结缺陷,电致发光强度,热点 ,颜色缺陷分析,串联电阻(mapping)。。。等。&bull 交流 EL影像检查适用(顺方向/逆方向同时测定)&bull 高分辨率 CCD影像检查&bull 太阳能电池cell及大面积模组对应&bull 生产检查用及研发分析用等多种型号&bull Hardware/Sofrware/Jig 等Total Solution 提供&bull LBIC, 外观检查等其他综合检测功能
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  • OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率,用在荧光光谱测量中,不仅可以进一步提升系统的信噪比,更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光)”系列显微光致发光光谱仪一体机,还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块,一种是不带显微镜的水平光路显微模块,另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块,它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选,组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定;**选配项,请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*:以上为基本规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成,光路垂直更有利于一般的样品放置,测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体,光路水平输出,需将样品竖直放置,系统可以配置多维可调的样品架,可以夹持固体、液体等多种类型的样品;水平光路更适合于液体样品,以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数(垂直光路型)系统指标与功能● 荧光光谱测量范围:350-800nm● 激发波长:325nm● 样品形态:固态(片状、粉末)● 预留CCD接口● 可升级电致发光(EL)测量● 可升级扩展至NIR波段测量(~1600nm)详细配置及规格参数- 光源? 类型:HeCd激光器? 功率:≥20W- 显微光路模块(OmniPL-KS-A)? 显微物镜:20X紫外? 光谱适用范围:250-800nm? 标准显微镜(带样品X-Y手动调节台)? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪(Omni-λ500i)? 焦距:500mm? f/#:f/6.5? 光谱覆盖范围:200-1000nm? 光谱分辨率:优于0.05nm@435.8nm(1200g/mm光栅)? 入口形式:狭缝? 出口形式:狭缝+CCD? 狭缝宽度:0.01-3mm? 通讯接口:USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管(PMTH-S1-R928)? 光谱响应范围:200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器(DCS202PC)? 有效计数率:≥5Mcps- 计算机(JSJ)? 一体机,安装光谱采集软件- 光学平台(OTB15-10)? 台面尺寸:1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数(水平光路型)系统指标与功能● 荧光光谱测量范围:350-800nm● 激发波长:325nm● 样品形态:固态(片状、粉末)、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量(~1600nm)● 可升级至超低温(10K)测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型:HeCd激光器? 功率:≥20mW- 显微光路模块(OmniPL-K1-325)? 显微物镜:20X紫外? 光谱适用范围:250-800nm? 样品架:固体(片状、粉末)、液体比色皿样品池,可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪(Omni-λ500i)? 焦距:500mm? f/#:f/6.5? 光谱覆盖范围:200-1000nm? 光谱分辨率:优于0.05nm@435.8nm(1200g/mm光栅)? 入口形式:狭缝? 出口形式:狭缝+CCD? 狭缝宽度:0.01-3mm? 通讯接口:USB2.0- 光电倍增管(PMTH-S1-R928)? 光谱响应范围:200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器(DCS202PC)? 有效计数率:≥5Mcps- 计算机(JSJ)? 一体机,安装光谱采集软件- 光学平台(OTB15-10)? 台面尺寸:1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料(测试设备:OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统)
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  • 组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光(photoluminescence)即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光(如激光器等)激发样品/ 材料(如GaN/ZnO 等)产生荧光,通过对其荧光光谱的测量,分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计,在满足PL 光谱测量的同时,用户可以根据不同的实验需求,选择不同的配件,灵活的进行系统功能的扩展。系统组成:激发光源+ 样品室+荧光光谱仪+数据采集及处理系统+软件+计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源:HeCd激光器● 激发光功率:20mW● 激发波长:325nm● 瑞利散射截止滤光片,OD6● 荧光光谱仪光谱范围:300-850nm(可扩展至2500nm)● 荧光光谱分辨率:优于0.2nm(@1200g/mm光栅)● 波长准确度:±0.2nm● 波长重复性:±0.1nm● 光探测器:科研级制冷型背感光CCD,300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机,最低温度可达2K● 系统扩展性:系统采用模块化设计,可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能,可随时储存和提取图谱,并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱
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  • PMEye-3000光致发光光谱成像(PL-Mapping)测量系统是卓立汉光最新研制的,用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等,在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像,扫描结果以3D方式进行显示,使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好,操作简单,只需简单培训就能使用。测试原理:PL(光致发光)是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下,电子吸收激发光子的能量,向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态,会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁,这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部,一定的电子能级跃迁的机制,也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术,可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例:LED外延片,太阳能电池材料,半导体晶片,半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点:◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度:180点/秒◆ 空间分辨率:50um◆ 光谱分辨率:0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计,操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计,关键尺寸根据人体工学理论设计,不管是样品的操作高度和电脑使用高度,都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成,方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台,可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮,方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想,可根据用户的样品特点来选择规格配置,让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统,采用整机设计,用户只需要根据需要放置检测样品,无需进行复杂的光路调整,操作简便;所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计,采用真空吸附方式对样品进行固定,避免了用传统方式固定样品而造成的损坏;可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位,提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式,直流模式用于常规检测,交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度,而没有对激发光源进行监控,而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控,并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选,系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器,标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器,使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有: 405nm,442nm,532nm、785nm、808nm等,外置选配激光器波长为:325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台,最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等,扫描速度可高达每秒180个点,空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示,以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验,,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯,从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示,单波长的X-Y Mapping测量,给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示,Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下,将呈现不同的荧光效果,这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示,从图中我们可以发现在室温时,GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围,且强度的最高峰出现在580nm附近,但整体而言其强度并不强;随着温度的降低,发光强度开始慢慢的增加,直到110K时,我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现,且当温度越降越低,这个小峰强度的增加也越显著,一直到最低温25K时,基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm,而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值,因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去,则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV,即特征波长为357.1nm,非常靠近实验所得的356.6nm,因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。
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  • 产品关键词:稳瞬态荧光光、稳态瞬态荧光光谱、TRPL、TRES、荧光寿命、电致瞬态、TREL、荧光光谱、瞬态荧光、荧光量子产率、PLQY、变温荧光、时间分辨光致荧光光谱、激发谱、发射谱、同步谱、瞬态磷光、磷光寿命、荧光磷光衰减寿命、超快光谱、动力学扫描、多发射谱扫描、多同步扫描▌ 产品简介光电一体化时间分辨光谱仪HiLight是东谱科技自主研发的业内首款光电一体化时间分辨光谱仪(又称光致/电致稳瞬态/时间分辨荧光光谱仪TRPL),该设备拥有光致和电致荧光光谱模块,可以对各类型的光致(荧光、磷光、延迟荧光等)和电致发光样品进行全面的稳、瞬态测试分析,可在200 nm 至5500 nm、宽波长、2.5 ns至1200 s宽时域范围上对微弱发光信号进行精准测量。基于其光电一体的独特优势,HiLight可同时用于材料与器件的研究,从而极大地拓展了传统荧光光谱仪的适用范围。基于模块化的设计理念,HiLight可以提供灵活的配置方案,以适应多样化的测试需求,可广泛应用于材料科学、分析科学、生物医药、食品科学、石油化工、地质学、考古、法医学等领域。▌ 产品特点□ 模块化设计,可选配置丰富灵活,易升级维护;□ 光电一体,同时适用于材料与器件; □ 宽时域时间分辨:2.5ns-1200s; □ 时间分辨率:最小305fs; □ 宽波长范围可选:200-5500nm; □ 多种光源、光栅、探测器可选; □ 全反射式光路设计,影像校准技术; □ 配置SpectraHub软件,功能丰富。▌ 产品功能荧光/磷光时间分辨发射谱吸收与透射电致荧光/磷光荧光磷光寿命量子产率上转换荧光时间分辨电致发光光谱变温荧光比较荧光电致发光响应时间低温荧光时间相关动力学多维光谱显微荧光▌ 规格参数光谱范围激发光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-2500nm发射光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-5500nm时间范围SPC动力学1 ms~10 hMCS10 ns~1200 sTCSPC50 ps~100 μs激发源稳态MCSTCSPC350W氙灯脉冲氙灯Mic-MLD微秒激光器Mic-MLED微秒LED光源Pina-PLD皮秒激光器Pina-PLED皮秒LED光源NanoQ-NLD纳秒激光器NanoQ-NLED纳秒LED光源皮秒白光光源纳秒OPO可调谐激光器电致发光部件SMU电压范围±15 V电流范围±40 mA电压设置分辨率10 mV电流设置分辨率10 μA电压测量分辨率1 mV电流测量分辨率1 μA瞬态电致发光驱动源输出电压范围-10V~+10V电压分辨率16 bits信号频率范围10 mHz~10 MHz驱动电压信号类型脉冲、正弦波、三角波、方波等水拉曼信噪比12,000:1;可选配优化信噪比▌ 产品应用□ 荧光粉□ 上转换材料□ TADF□ 光伏材料□ 荧光微球□ 有机发光材料□ 荧光探针□ 天然染料□ 镧族稀土元素□ 碳点□ 钙钛矿材料□ AIE□ 二维材料□ 室温磷光材料□ 稀土发光材料□ 量子点□ 纳米微球□ 量子棒□ 合成染料□ 各类电致发光器件▌ 产品型号型 号特 点光电一体化时间分辨光谱仪HiLight 990 模块化,可选配置功能;升级与拓展功能强稳瞬态荧光光谱仪HiLight HS15 一体机;稳态和瞬态荧光功能荧光寿命测量仪HiLight T30 寿命测量功能;可选滤光片分光瞬态电致发光光谱仪HiLight E60瞬态电致发光功能荧光光谱仪HiLight S20稳态和磷光功能
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  • GCSM-A超灵敏化学与生物发光光谱分析仪化学发光免疫检测的常规科研设备和体外诊断产品通常采用光电倍增管 /光子计数器检测器类点式探测器,仅能无差别 型检测不同波段的光子总数,已到达其器件灵敏度和分析通量极限。GCSM-A/B超灵敏化学与生物发光光谱分析仪采用色 散曝光摄谱原理,以条带 (A)和方形 (B)面阵探测器与色散装置复配方式,同步检测不同波段 /波长化学发光辐射的强度分布。 GCSM-A/B超灵敏化学与生物发光光谱分析仪具有检测灵敏度高、光学响应范围宽和硬件噪声背景低的装备技术优 势,适用于深入开展超灵敏与全光谱化学发光光谱分析的基础与应用研究。仪器特点●硬件高度集成,光路设计精密,超低温热电制冷技术充分抑制探测器背景噪声,曝光时积间分和面阵探测器纵向积分技术相结合,适用于实施超弱、非稳态辐射的光谱分析●超弱与非稳态辐射的信号响应灵敏度高,光谱分辨率高 (1纳米),光强测定准确度高(RSD 0.5%),适用于实施自发光与免激发光源类辐射的定性分析与高灵敏定量分析●仪器运行采用国晨生物科技自主研发的专用科学仪器软件,兼容LightField等商业软件;硬件支持与其它科研设备的同步启动与联用,软硬件的开放性和兼容性良好●单分散态钌联吡啶的电化学发光检测限10pM,能够灵敏检测表面固定态CdSe纳米粒子的电化学发光光谱,检出限可达单颗粒水平●光谱响应范围宽300-1050纳米,单次采谱宽幅优于500纳米,采用转动光栅设计调整光学响应波段,适用于在指定波段灵敏检测超弱辐射,实施超灵敏的基础与应用研究2、应用领域● 超灵敏的激素、炎症因子和肿瘤标志物检测技术 ● 超微弱化学发光过程研究● 超弱辐射光谱的动态检测及其辐射过程动力学 ● 免疫检测多组分分析● 化学发光机理研究 ● 化学发光物质开发 ● 核酸分析与肿瘤标志物检测 ● 量子点电荷注入与转移机制研究2、技术参数 ● 光谱分析: 光学响应范围 : 300-1050 纳米 单次采谱时间 : 50 毫秒-60 分钟 波长分辨率 : 1.5 纳米 连续摄谱次数 : 1-50 次 ● 光强准确度 : RSD0.5% (标准汞谱线 ) ● 防尘效果 : 整机无静电防尘● 面阵 CCD(制冷温度 -65 ℃) 空间分辨率 : 1024x 400/1024 最大曝光摄谱时间 : ≥ 60 分钟 最小曝光摄谱时间 : 优于 10 微秒 ● 电化学发光检出限 : 10 pmol/L Ru(bpy)3 2+
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  • GCHW-A近红外化学发光光谱分析仪化学发光免疫检测的常规科研设备和体外诊断产品通常采用光电倍增管/光子计数器检测器类点式探测器,其光学响应的上限为900~1000 纳米。围绕突破化学发光基础研究的可见光和近红外I区限制,山东国晨生物科技采用国产化技术整合 色散装置、近红外面阵探测器和超低温热电制冷器件,主导开发了光学响应位于900-1700 纳米波段的科研级近红外化学发光光谱分析仪。仪器特点●光学系统高度集成,精密光路自主设计,整机国产化程度高,超低温热电制冷、曝光时间积分和面阵探测器纵向积分技术相结合,适用于实施超弱、非稳态辐射的近红外光谱分析●信号响应灵敏度高,光强测定准确度高 (RSD 0.5%),推动近红外区域自发光与免激发光源类辐射的定性分析与高灵敏定量分析●仪器运行采用国晨生物科技自主研发的专用科学仪器软件,兼容 LightField等商业软件●硬件支持与其它科研设备的同步启动与联用,软硬件的开放性和兼容性良好●光谱响应范围宽 900-1700 纳米,单次采谱宽幅优于 300 纳米,采用转动光栅设计调整光学响应波段,适用于在指定波段实施近红外辐射的基础与应用研究应用领域● 超微弱与近红外化学发光过程研究● 长波段化学发光物质与发光体系开发 ● 量子点化学发光机理研究● 长波段化学发光免疫检测研究 ● 超越禁带宽机制的量子点化学发光 ● 长波段化学发光分子诊断研究
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