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这是清华大学仪器分析实验有关电子能谱实验的教材。由于很多人对XPS还比较了解,对俄歇电子能谱并不是非常了解。但在材料分析和器件分析,尤其是薄膜材料分析中,俄歇电子能谱具有重要的作用。希望对大家有帮助!朱永法2006.8.19
公司内部俄歇电子能谱仪培训教材
近年来,在测定表面的化学成份方面,俄歇电子能谱法(AES)作为一种最广泛使用的分析方法而显露头角。这种方法的优点是:在靠近表面5-20埃范围内化学分析的灵敏度高;数据分析速度快;能探测周期表上He以后的所有元素。虽然最初俄歇电子能谱单纯作为一种研究手段,但现在它已成为常规分析手段了。它可以用于许多领域,如半导体技术、冶金、催化、矿物加工和晶体生长等方面。俄歇效应虽然是在1925年时发现的,但真正使俄歇能谱仪获得应用却是在1968年以后。 3-3-1 工作原理 当一个具有足够能量的入射电子使原子内层电离时,该空穴立即就被另一电子通过L1→K跃迁所填充。这个跃迁多余的能量EK-EL1如使L2能级上的电子产生跃迁,这个电子就从该原子发射出去称为俄歇电子。这个俄歇电子的能量约等于EK-EL1-EL2。这种发射过程称为KL1L2跃迁。此外类似的还会有KL1L1、LM1M2、MN1N1等等。 从上述过程可以看出,至少有两个能级和三个电子参与俄歇过程,所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。同样孤立的锂原子因为最外层只有一个电子,也不能产生俄歇电子。但是在固体中价电子是共用的,所以在各种含锂化合物中也可以看到从锂发生的俄歇电子。俄歇电子的特点是: ①俄歇电子的能量是靶物质所特有的,与入射电子束的能量无关。下图是一些主要的俄歇电子能量。可见对于Z=3-14的元素,最突出的俄歇效应是由KLL跃迁形成的,对Z=14-40的元素是LMM跃迁,对Z=40-79的元素是MNN跃迁。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。 [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300909_25075_1609228_3.jpg[/img] ②俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来,因而带有表层物质的信息,即对表面成份非常敏感。正因如此,俄歇电子特别适用于作表面化学成份分析。 3-3-2 俄歇电子能谱仪 俄歇能谱仪包括电子光学系统、电子能量分析器、样品安放系统、离子枪、超高真空系统。以下分别进行介绍。 1 电子光学系统 电子光学系统主要由电子激发源(热阴极电子枪)、电子束聚焦(电磁透镜)和偏转系统(偏转线圈)组成。电子光学系统的主要指标是入射电子束能量,束流强度和束直径三个指标。其中AES分析的最小区域基本上取决于入射电子束的最小束斑直径;探测灵敏度取决于束流强度。这两个指标通常有些矛盾,因为束径变小将使束流显著下降,因此一般需要折中。2 电子能量分析器 这是AES的心脏,其作用是收集并分开不同的动能的电子。 由于俄歇电子能量极低,必须采用特殊的装置才能达到仪器所需的灵敏度。目前几乎所有的俄歇谱仪都使用一种叫作筒镜分析器的装置。 [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300910_25076_1609228_3.gif[/img]分析器的主体是两个同心的圆筒。样品和内筒同时接地,在外筒上施加一个负的偏转电压,内筒上开有圆环状的电子入口和出口,激发电子枪放在镜筒分析器的内腔中(也可以放在镜筒分析器外)。由样品上发射的具有一定能量的电子从入口位置进入两圆筒夹层,因外筒加有偏转电压,最后使电子从出口进入检测器。若连续地改变外筒上的偏转电压,就可在检测器上依次接收到具有不同能量的俄歇电子,从能量分析器输出的电子经电子倍增器、前置放大器后进入脉冲计数器,最后由X-Y记录仪或荧光屏显示俄歇谱 俄歇电子数目N随电子能量E的分布曲线[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300912_25077_1609228_3.gif[/img]若将筒镜分析器与电子束扫描电路结合起来可以形成扫描俄歇显微镜(下图)。电子枪的工作方式与扫描电镜类似,两级透镜把电子束斑缩小到3微米,扫描系统控制使电子束在样品上和显像管荧光屏上产生同步扫描,筒镜分析器探测到的俄歇电子信号经电子倍增器放大后用来对荧光屏光删进行调制,如此便可得到俄歇电子像。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300913_25078_1609228_3.jpg[/img]