硅片铁损测试仪

普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布、土工布、硅片等各种材料的厚度精确测量。 技术参数：测量范围 0～2mm(标准)，0～6mm，0～12mm(可选) 分辨率 0.1μm （1μm可选） 测试速度 1～25次/min 测量头平行度 ±0.2μm（机械调整，量块校验） 精度 ±＜0.3μm 测量压力 17.5±1kPa(薄膜)；50±1kPa(纸张)；其它测试可定制 接触面积 球形接触 电源 AC220V50Hz/ AC120V60Hz 外形尺寸 300mm(L)×400mm(W)×435mm(H) 约净重 30Kg普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品标准：GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D645、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、DIN 53105、 DIN 53353、JIS K6250、JIS K6328、JIS K6783、JIS Z1702、BS 3983、BS 4817 ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、 ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品应用：测厚仪适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。产品特征：测头采用标准M2.5螺纹连接方式，可连接各种形式百分表，千分表表头进行测量； 可拆卸螺纹连接配重块，可满足各种标准要求及非标压力定制； 嵌入式高速微电脑芯片控制，简洁高效的人机交互界面，为用户提供舒适流畅的操作体验 标准化，模块化，系列化的设计理念，可最大限度的满足用户的个性化需求触控屏操作界面 7寸高清彩色液晶屏，实时显示测试数据及曲线 进口高速高精度采样芯片，有效保证测试准确性与实时性 内置微型打印机，可实现实时历史数据打印功能 标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制高精度测厚传感器，精度高重现性好 可采用标准厚度计量工具标定、检验 多种测试量程可选实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断产品配置：标准配置：主机、微型打印机、标准量块一件 配种砝码、非标测量头、自动进样装置普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A

太阳能电池硅片测厚仪 硅片厚度测试仪 电池薄膜厚度仪采用机械接触式测量方式，严格符合标准要求，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。Labthink兰光，致力于通过包装检测技术提升和检测仪器研发帮助客户应对包装难题，助力包装相关产业的品质安全。了解关于更多相关信息，您可以登陆济南兰光公司网站查看具体信息或致电咨询。Labthink兰光期待与行业中的企事业单位增进技术交流与合作。太阳能电池硅片测厚仪 硅片厚度测试仪 电池薄膜厚度仪技术特征：严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制测试过程中测量头自动升降，有效避免了人为因素造成的系统误差支持自动和手动两种测量模式，方便用户自由选择实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断配置标准量块用于系统标定，保证测试的精度和数据一致性系统支持数据实时显示、自动统计、打印等许多实用功能，方便快捷地获取测试结果系统由微电脑控制，搭配液晶显示器、菜单式界面和PVC操作面板，方便用户进行试验操作和数据查看标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输支持LystemTM实验室数据共享系统，统一管理试验结果和试验报告执行标准：ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702、 BS 3983、BS 4817技术指标：负荷量程：0～2 mm（常规）　　　　　0～6 mm；12 mm （可选）分辨率：0.1 μm测量速度：10 次/min （可调）测量压力：17.5±1 KPa（薄膜）；50±1 KPa（纸张）接触面积：50 mm2（薄膜）；200 mm2（纸张）　　　　　注：薄膜、纸张任选一种；非标可定制电源：220VAC 50Hz / 120VAC 60Hz外形尺寸：461mm(L)×334mm(W)×357mm(H)净重：32kg仪器配置：标准配置：主机、标准量块一件选购件：专业软件、通信电缆、测量头、配重砝码、微型打印机

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

RSM-S40K光伏硅片烧结炉专用炉温测试仪专用于电池片烧结炉测温，是光伏电池片烧结炉烧结测温利器。

专注于非接触式半导体计量分析技术的开发和生产 ，攻克被国外卡脖子技术。 产品广泛应用于半导体、光伏、科研以及平板材料测试领域。借助公司先进计量分析测试技术，为晶圆、碳化硅、硅片、封装测试等生产和品质监控，提供一整套完整测试和解决方案。

Sinton Instruments-硅片寿命测试仪-WCT-120PL产品型号：WCT-120PL产品介绍：WCT-120PL是使用光致发光传感器的硅片寿命测试仪。WCT-120PL硅片寿命测试工包含了WCT-120仪器独特的测量和分析技术的同时，又增加了光致发光(PL) 传感器，以基于PL信号测试寿命和掺杂水平。准稳态导(QSSPC) 寿命测试方法和瞬态光电导衰减寿命测试方法都增补了校准的基于PL信号的寿命测试。也可以简单地将工具作为标准的WCT-120使用。性能特点：一键识别硅片的关键特性参数：产地：美国是否进口：是寿命测量范围：100 ns至大于10 ms测量（分析）模式：QSSPC、瞬态和广义寿命分析传感器区域：直径40 mm保修：所有部件和软件的一年有限保修标准：符合SEMI标准PV-13环境工作温度：20°C–25°C尺寸：宽22.5厘米x深28厘米x高57厘米通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。2）检测晶元重金属含量处理3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散4）电池片制造工艺的监控和优化5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆8）电源供应器一套9）校准套件 一套

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化少子寿命，PN结的好坏，表面及体内的复合情况,材料质量、钝化效果等" b3 X _6 K$ b1 u" ~- I. E1 V ALife time,Pseudo-EFF, Pseudo-Voc, Pseudo-FF, Ideality factor 对比该曲线与最后测定的I至V曲线，可以准确测量出电池的串联电阻。 Suns-Voc系统特征晶元测定的温控为25°C电压探针的高精准度兼容磁性探针配备全套浓度补正滤色片的疝气灯后支柱可调节高度，准确调节亮度适用标准I至V曲线图及Suns-Voc曲线图不受串联电阻的影响，测定晶片特征Suns-Voc ApplicationsBy either probing the silicon p+ and n+ regions directly or probing the metallization layer (if present), the illumination-Voc curve can be measured. This curve can be displayed as our well-known Suns-Voc plot or in the form of a standard photovoltaic curve which can be used to characterize shunting. The entire curve is measured at the open-circuit voltage, so it is free from the effects of series resistance. Comparing this curve to the final I-V curve gives a precise measure of the series resistance in the cel

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W 10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测 14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。 3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高 11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套 7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套

仪器简介：铁素体测试仪FERITSCOPE MP30E-S微处理器控制的手提式铁素体含量测试仪，根据磁感应的方法（DIN EN ISO 2178）测量奥氏体钢和双联钢中的铁含量。电源供电通过电池，可充式电池或交流稳压器插拔式探头连接器。 用于测量数据和文字显示的大液晶显示器，有两条双行16个字母显示，分别显示测 量参数和操作指导等。 能记忆100个应用程式和在最大1，000个数据块中的最多10，000个测量数据。动态的存储器管理。 * 测量数据块的储存带日期及时间特征。 * 储存的测量数据可以进行选择和纠正。 * 自动探头识别功能。 * 双向的RS232口用于PC或打印机连接。 * 带听觉信号的规格限制。 * 统计评估功能。适宜探头型号：EGAB1.3-Fe, EGABW1.3-Fe和EGABI1.3-Fe。该价格中包括：保护罩，手提箱，电池和操作手册，但不包括测量探头，标准块%Fe-WRC和交流稳压器技术参数：主机尺寸：160×80×30 mm主机重量：230 g（不含电池）电源：1节9V电池或稳压电源大容量：100个应用程式，1000个数据组，10000个测量数据测量范围：0.1-80％或0.1-110 FN测量原理：磁感应测量探头：3种：同轴探头EGAB1.3-Fe，测孔内壁及凹处EGABI1.3-Fe，90°弯头EGABW1.3-Fe标准片：4套：0.3/10，1.5/30，10/80％Fe三种校准标准片套装和0.3/80％Fe主校准片套装。所有的标准片均出具fischer证书，并可追溯至国际公认的IIW二级调校标准片，结果可靠，完全满足ANSI/AWS A4.2-91和DIN 32514 及“Basler”标准的要求。软件功能：统计评估；上下限设置；连续测量；外部触发；自动关机；公/英制转换；密码保护；按键锁定；5种语言；自动手动分组外围设备：通过RS232接口可与计算机或打印机连接主要特点：微处理器控制的手提式铁素体含量测试仪，根据磁感应的方法（DIN EN ISO 2178）测量奥氏体钢和双联钢中的铁含量。

贴骨袋折断测试仪贴骨袋是医疗行业中常用的包装材料之一，主要用于存储和保护手术刀片、缝合针和线等医疗器械。贴骨袋的热合强度和折断性能是评估其质量的重要指标。本文将介绍使用拉力试验机检测贴骨袋热合强度和折断、手术刀片锋利度和切割力、缝合针和线连接强度、组合盖拉环开启力的方法。 贴骨袋热合强度和折断在袋子受到拉伸的过程中，拉力试验机会记录力和位移数据，并计算出袋子的热合强度。在完成热合强度测试后，继续拉伸样品至袋子折断，记录折断时的力和位移数据。。手术刀片锋利度和切割力选取一定数量的手术刀片样品，确保刀片无锈蚀、无弯曲且无明显磨损。记录切割时的力和位移数据。分析数据，评估刀片的锋利度和切割力性能。缝合针和线连接强度在针和线受到拉伸的过程中，拉力试验机会记录力和位移数据，并计算出针和线的连接强度。组合盖拉环开启力在拉环受到拉伸的过程中，拉力试验机会记录力和位移数据，并计算出组合盖拉环的开启力。评估组合盖拉环的开启力性能。 通过以上方法使用拉力机进行检测贴骨袋热合强度和折断、手术刀片锋利度和切割力、缝合针和线连接强度、组合盖拉环开启力等指标可以评估医疗包装材料的质量和使用安全性。这些数据可以作为生产厂家和使用者的重要参考依据，帮助改进产品设计和提高使用安全性。同时，定期进行这些测试也是保证产品质量的重要手段之一。 技术参数 测量范围： 20N、50N、300N、500N、1000N、1500N（可选其一或多个）测量精度： ±0.5%误差测量速度： 1-500mm/min（无极变速）速度精度： ±2%误差机器尺寸： 570mm×430mm×1170mm(长宽高)重 量： 78Kg环境温度： 15℃-50℃相对湿度： 80%，无凝露工作电源： 220V 50Hz贴骨袋折断测试仪此为广告

高温铁电测试仪一、高温铁电测试仪简介：铁电材料参数测试仪主要是由正弦波、三角波、间歇三角波、梯形波发生器及正、负矩形脉冲和双极性双脉冲发生器外加铁电材料电滞回线、I-V特性及开关特性测量电路构成。适用于铁电薄膜、铁电体材料的电性能测量，可测量铁电薄膜电滞回线、I-V特性及开关特性，可准确地测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。可测铁电体材料的电滞回线及IV特性。同时也可作为一台通用信号发生器、高压信号发生器使用。二、系统：本测试系统采用虚地模式测量电路，与传统的Sawyer-Tower模式相比，此电路取消了外接电容，可减小寄生元件的影响。此电路的测试精度仅取决于积分器积分电容的精度，减少了对测试的影响环节，比较容易定标和校准，并且能实现较高的测量准确度，它不仅能画出铁电薄膜的电滞回线，还可以定量得到铁电薄膜材料的饱和极化ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流Ik等参数，以及对铁电薄膜材料铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试。能够较全面准确地测量铁电薄膜的铁电性能。仪器采用一体化设计，实现测试结果全数字化，操作简单方便。三、技术参数：电压范围：±30V（可扩展至±4KV）输出电流峰值：±1Azui大负荷电容：1μF动态电滞回线测试频率：0.001Hx～100kHz铁电材料漏电流的测试：10pA～100mAzui小脉冲宽度：25ns上升时间：7ns极化测试精准到：10fC块体材料样品盒可进行室温～1200℃电滞回线测定

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能 1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数 1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor 2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns 7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm 10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。 4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高 11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数 4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套 7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化少子寿命，PN结的好坏，表面及体内的复合情况,材料质量、钝化效果等" b3 X _6 K$ b1 u" ~- I. E1 V ALife time,Pseudo-EFF, Pseudo-Voc, Pseudo-FF, Ideality factor 对比该曲线与最后测定的I至V曲线，可以准确测量出电池的串联电阻。 Suns-Voc系统特征晶元测定的温控为25°C电压探针的高精准度兼容磁性探针配备全套浓度补正滤色片的疝气灯后支柱可调节高度，准确调节亮度适用标准I至V曲线图及Suns-Voc曲线图不受串联电阻的影响，测定晶片特征Suns-Voc ApplicationsBy either probing the silicon p+ and n+ regions directly or probing the metallization layer (if present), the illumination-Voc curve can be measured. This curve can be displayed as our well-known Suns-Voc plot or in the form of a standard photovoltaic curve which can be used to characterize shunting. The entire curve is measured at the open-circuit voltage, so it is free from the effects of series resistance. Comparing this curve to the final I-V curve gives a precise measure of the series resistance in the cel

BLS-I/BCT-400少子寿命测试仪●非接触方式量测真正意义上的硅块少子寿命●涡电流法量测技术符合SEMI最新的PV13标准●相比业界其他少子寿命测试仪BLS-I/BCT系列是性能更优越的少子寿命测试仪●Wafer厂品质监控必不可缺的量测设备，拥有广泛的客户群。一、 产品概述BLS-I/BCT-400型号少子寿命测试仪可以量测P型或者N型单晶或者多晶硅块少子寿命，不需要表面钝化处理就可以量测少子寿命。少子寿命的量测对于监控硅块在长晶过程引入的缺陷或者污染物造成的缺陷有着重要的意义。通过使用少子寿命测试仪BCT-400可以直接判断硅块的质量好坏。BLS-I可以量测表面不平的硅块样品。而不同于BLS-I，BCT-400只能量测表面平坦的硅块。二、 产品性能主要应用：• 量测高纯度硅少子寿命（范围在1ms-5ms）• 量测掺硼的CZ 单晶硅少子寿命• 量测多晶硅的少子寿命，陷阱浓度等其他应用：• 量测B-O缺陷，铁杂质浓度，以及表面的损伤• 监控CZ和FZ单晶，多晶硅等硅片质量

BLS-I/BCT-400少子寿命测试仪●非接触方式量测真正意义上的硅块少子寿命●涡电流法量测技术符合SEMI最新的PV13标准●相比业界其他少子寿命测试仪BLS-I/BCT系列是性能更优越的少子寿命测试仪●Wafer厂品质监控必不可缺的量测设备，拥有广泛的客户群。 一、 产品概述BLS-I/BCT-400型号少子寿命测试仪可以量测P型或者N型单晶或者多晶硅块少子寿命，不需要表面钝化处理就可以量测少子寿命。少子寿命的量测对于监控硅块在长晶过程引入的缺陷或者污染物造成的缺陷有着重要的意义。通过使用少子寿命测试仪BCT-400可以直接判断硅块的质量好坏。BLS-I可以量测表面不平的硅块样品。而不同于BLS-I，BCT-400只能量测表面平坦的硅块。二、 产品性能主要应用：• 量测高纯度硅少子寿命（范围在1ms-5ms） • 量测掺硼的CZ 单晶硅少子寿命• 量测多晶硅的少子寿命，陷阱浓度等其他应用：• 量测B-O缺陷，铁杂质浓度，以及表面的损伤 • 监控CZ和FZ单晶，多晶硅等硅片质量

介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪：GDAT-A 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 二、介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的技术指标 1．Q值测量 a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。 c．标称误差项 目 GDAT-A频率范围20kHz～10MHz；固有误差≤5％±满度值的2％；工作误差≤7％±满度值的2％；频率范围10MHz～60MHz；固有误差≤6％±满度值的2％；工作误差≤8％±满度值的2％。电感测量范围介电常数介质损耗试验仪电容测量14.5nH~8.14H1~ 460 项 目GDAT-A直接测量范围1～460pF主电容调节范围30～500pF，精准度150pF以上±1％ 150pF以下±1.5pF； 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则 4．介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪信号源频率覆盖范围项 目 GDAT-A： 频率范围10kHz～50MHz频率分段(虚拟)10～99.9999kHz100～999.999kHz1～9.99999MHz10～60MHz 频率指示误差3×10-5±1个字Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。Q表正常工作条件环境温度：0℃～+40℃； 相对湿度80％电源220V±22V，50Hz±2.5Hz。消耗功率约25W；净重约7kg外型尺寸(l×b×h)mm：380×132×280 8．产品配置：a. 测试主机一台；b. 电感9只；c. 夹具一套 电感：线圈号 Q 值 测试频率 分布电容p 电感值 9100KHz 98 9.4 25mH8400KHz 13811.4 4.87mH7 400KHz 20216 0.99mH61MHz 196 13252μH52MHz 198 8.749.8μH4 4.5MHz 231 7 10μH 312MHz 1936.9 2.49μH2 12MHz 229 6.4 0.508μH1 25MHz，50MHz233，2110.9 0.125μH 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的详细资料： 一、 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。介电常数介质损耗试验仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有专业的工程师为您解决您的疑问！！ 北广公司其它绝缘材料检测仪器: BDJC-0-100KV 介电击穿试验仪 BDJC系列绝缘材料工频率介电击穿试验仪 BDJC系列电压介电强度试验仪器 BDJC系列 电压击穿试验仪 BDJC系列绝缘漆漆膜击穿强度试验仪 BDJC电容器纸工频电压击穿试验仪 EST-121 体积表面电阻率测定仪 GDAT-A介质损耗测试仪/介电常数测试仪 GDAT-C新型介电常数介质损耗测试仪 BDH 耐漏电起痕试验仪 BDH-B耐电弧试验仪 中国检测行业与验证服务的尖端者和智领者，帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。 注重每一个细节是北广公司对于每个客户的承诺 ， 也是北广公司一直追求的宗旨。北京北广精仪仪器设备有限公司

电感测试仪 MADMIX是一种独特的专利测量技术，用于在真实环境下测量SMPS电感。所有的关键电感参数都可以测量，包括交流损耗，而不需要额外的绕组。 MADMIX电感测试仪测试功能：1、 平均电感2、 核心损耗3、 绕组损耗4、 总交流损耗5、 BH-loop6、 饱和电流7、 电感饱和前后 MADMIX电感测试仪特点：1、 测试电感在实际工作条件：硬开关、大电流和电压。2、 可以应用和实际应用相同的波形 3、 可以测试铁芯和绕组损耗，并确定自热。4、 可以解决客户在应用中使用哪个感应器的困惑。5、 在电感器上施加方形电压，产生三角电流。6、 将大信号三角电流(0.1-120Aptp)与直流偏置电流(0-48A)相结合7、 我们可以测量不同频率(10kHz-10MHz)和脉宽(5-95%) MADMIX应用领域：1、 电感厂2、 铁氧体制造商 3、 SMPS设计4、 科研单位。 三角磁通激发相对于传统的小信号正弦波励磁，大信号三角磁通励磁揭示了被测电感器的真实性能。 不再使用假设来推断，但真正的激发使性能达到极限。 为未来做好准备大程度的自动化和灵活性由内部开发的软件。强大的ＤＳＰ计算确保稳定和准确测量。我们不断的创新是由先进的技术推动的在电力电子领域 模块化硬件构建针对电子行业的未来发展。 硬开关原理开关电源采用硬开关，使高效化。功率感应器可以“看到”一个矩形的电压产生三角形电流的波形。这种特定的电流波形与频率和占空比将导致特定的交叉在感应器里。 这些损失可能会很严重与正弦激励相比具有差异 哪些参数可以被调优ＭＡＤＭＩＸ软件可以选择和自动化扫描：开关频率占空比输入电压直流偏电流温度 技术规格及选配主要参数 输入电压: 0.2V to 70V 频率: 10kHz to 10MHz 频宽比: 10% to 90% 交流电流: 0.1Aptp to 60Aptp 直流偏置: 0A to 24A 铁芯绕组分离一个真正的１０位示波器功率损失在兆瓦范围内测量并改进高频率（ＭＨｚ范围） 低频率下的精度电感部件（１００ｎＨ以下）将交流损耗分为：铁芯损耗和绕组损耗或无附加绕组 同时启用ＢＨ回路的生成。 耦合电感器耦合功率电感器的测量， 变压器，无线供电线圈．．．．这个测量同时返回损耗和ｋ系数。 知名用户：Vishay、NXP、TDK、Sumida、Würth Elektronik、MURATA、Cochlear… …

电感测试仪 MADMIX是一种独特的专利测量技术，用于在真实环境下测量SMPS电感。所有的关键电感参数都可以测量，包括交流损耗，而不需要额外的绕组。 MADMIX电感测试仪测试功能：1、 平均电感2、 核心损耗3、 绕组损耗4、 总交流损耗5、 BH-loop6、 饱和电流7、 电感饱和前后 MADMIX电感测试仪特点：1、 测试电感在实际工作条件：硬开关、大电流和电压。2、 可以应用和实际应用相同的波形 3、 可以测试铁芯和绕组损耗，并确定自热。4、 可以解决客户在应用中使用哪个感应器的困惑。5、 在电感器上施加方形电压，产生三角电流。6、 将大信号三角电流(0.1-120Aptp)与直流偏置电流(0-48A)相结合7、 我们可以测量不同频率(10kHz-10MHz)和脉宽(5-95%) MADMIX应用领域：1、 电感厂2、 铁氧体制造商 3、 SMPS设计4、 科研单位。 三角磁通激发相对于传统的小信号正弦波励磁，大信号三角磁通励磁揭示了被测电感器的真实性能。 不再使用假设来推断，但真正的激发使性能达到极限。 为未来做好准备大程度的自动化和灵活性由内部开发的软件。强大的ＤＳＰ计算确保稳定和准确测量。我们不断的创新是由先进的技术推动的在电力电子领域 模块化硬件构建针对电子行业的未来发展。 硬开关原理开关电源采用硬开关，使高效化。功率感应器可以“看到”一个矩形的电压产生三角形电流的波形。这种特定的电流波形与频率和占空比将导致特定的交叉在感应器里。 这些损失可能会很严重与正弦激励相比具有差异 哪些参数可以被调优ＭＡＤＭＩＸ软件可以选择和自动化扫描：开关频率占空比输入电压直流偏电流温度 技术规格及选配主要参数 输入电压: 0.2V to 70V 频率: 10kHz to 10MHz 频宽比: 10% to 90% 交流电流: 0.1Aptp to 60Aptp 直流偏置: 0A to 24A 铁芯绕组分离一个真正的１０位示波器功率损失在兆瓦范围内测量并改进高频率（ＭＨｚ范围） 低频率下的精度电感部件（１００ｎＨ以下）将交流损耗分为：铁芯损耗和绕组损耗或无附加绕组 同时启用ＢＨ回路的生成。 耦合电感器耦合功率电感器的测量， 变压器，无线供电线圈．．．．这个测量同时返回损耗和ｋ系数。 知名用户：Vishay、NXP、TDK、Sumida、Würth Elektronik、MURATA、Cochlear… …

介质损耗测试仪/介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 介质损耗测试仪/介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。 主要技术特性 :Q 值测量范围 2 ～ 1023 量程分档 30 、 100 、 300 、 1000 ，自动换档或手动换档固有误差≤ 5 ％ ± 满度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）≤6％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）工作误差≤7％ ± 满度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）≤8％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）电感测量范围 4.5nH ～ 140mH 电容直接测量范围1 ～ 200pF 主电容调节范围18 ～ 220pF 主电容调节准确度 100pF 以下 ± 1pF 100pF 以上 ± 1 ％ 信号源频率覆盖范围 100kHz ～ 160MHz 频率分段 （ 虚拟 ）100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz, 10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz频率指示误差3 × 10 -5 ± 1 个字 搭配了全新的介质损耗装置与GDAT系列q表搭配使用 概述BD916介质损耗测试装置与本公司生产的各款高频Q表配套，可用于测量绝缘材料的介电常数和介质损耗系数（损耗角正切值）。BD916介质损耗测试装置是BD916914的换代产品，它采用了数显微测量装置，因而读数方便，数据精确。测试装置由一个LCD数字显示微测量装置和一对间距可调的平板电容器极片组成。平板电容器极片用于夹持被测材料样品，微测量装置则显示被测材料样品的厚度。BD916介质损耗测试装置须配用Q表作为调谐指示仪器，通过被测材料样品放进平板电容器和不放进样品时的Q值变化，测得绝缘材料的损耗角正切值。从平板电容器平板间距的读值变化则可换算得到绝缘材料介电常数。 BD916介质损耗测试装置技术特性 ：平板电容器极片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可选 极片间距可调范围≥15mm 夹具插头间距25mm±0.01mm 夹具损耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 测微杆分辨率0.001mm 电感：线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值 9100KHz 98 9.4 25mH8 400KHz138 11.4 4.87mH7400KHz 202 16 0.99mH6 1MHz 196 13 252μH5 2MHz198 8.7 49.8μH4 4.5MHz 231 7 10μH 3 12MHz 1936.9 2.49μH212MHz2296.40.508μH 125MHz，50MHz233，211 0.9 0.125μH 介质损耗测试仪/介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪作为最新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内最高的160MHz。GDAT高频 Q 表采用了多项技术：A.双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。 B.双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。 C.双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。 D.自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。 E.全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。 F.DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。 计算机自动修正技术和测试回路最优化 —使测试回路 残余电感减至最低，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。 感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介质损耗测试仪/介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有专业的工程师为您解决您的疑问！ 北广公司其它绝缘材料检测仪器: BDJC-0-100KV 介电击穿试验仪BDJC系列绝缘材料工频率介电击穿试验仪BDJC系列电压介电强度试验仪器BDJC系列 电压击穿试验仪 BDJC系列绝缘漆漆膜击穿强度试验仪BDJC电容器纸工频电压击穿试验仪BEST-121 体积表面电阻率测定仪 GDAT-A介质损耗测试仪/介电常数测试仪 GDAT-C新型介电常数介质损耗测试仪BDH 耐漏电起痕试验仪BDH-B耐电弧试验仪

GBT3960摩擦磨损测试仪物料的内摩擦角，(°) 另物料的自然堆积角，(°)。JBT 9014.8-1999h)毛刷、钢直尺。4.3试验步骤4.3.1试验准备)试体制备按JB/T9014.2-1999中表2要求备好试样。按表3规定选取对开膜(或承膜筒)及橡皮膜:表3mm物科轮度对开膜(或承膜简)尺寸橡皮膜民寸39.1(≠42)39.1≠61.8466)61.810101( 104)101将橡皮膜一端固定在压力室的底座中心，套上对开膜，用螺钉压紧。将橡皮膜另一端翻转套在对开膜上口上，膜壁不得扭约。吸出模壁与橡皮膜间空气，使之相互贴紧。用料铲将试样装人对开模内，装满、刮平，加上压帽。将橡皮膜上端再翻转固定压帽上。将试体内部抽成部分真空，拆除对开模。当使用承膜筒制备试体时，先将橡皮膜放在筒内，两端翻转套在简外。吸出橡皮膜与筒壁间空气，使之相互贴紧。将承膜筒与橡皮膜一起装在压力室底座上，固紧，加料，刮平，加压帽。将橡皮膜翻转固定在压帽和底座上。将试体内部拍成部分真空，拆下承膜筒。b)试验仪器安装调整按要求安装好试验装置。开启空压机，全部系统内充水排气。调整、检查测试系统，调整升降机构，使活塞杆，压帽、测力环、百分表等加压系统处于正常状态。c)调整电接点压力表到所需要的下限压力。4.3.2测试过程a)按试验要求对试体加以50-600Pa范围内的某一稳定围压力(即试体周围的压力)。b使压力机活塞以小于0.20mm/min 的速度上升，缓慢地对试体施加轴向压力。通过测力钢环和应变百分表读出试验过程中试体的轴向压力和高度应变的变化值，直至试体发生剪切破坏为止，并记录。c)通过测定记录的一系列的轴向压力p,及高度变化值△h,，确定出试体发生剪切破坏时的轴向压应力p和试体高度变化值△h。d)重新安装试体，重复上述试验过程，测定各种不同围压力条件下物料试体发生剪切破坏时的轴向压应力p和试体高度变化值Ah。4.4结果计算活塞杆作用于试体的轴向压应力按式(3)计算:..(3)式中:p一-升降活塞作用于物料试体的轴向压应力，MPa 3.5结果评定在每种正压力条件下重复试验三次，取其中抗剪强度较小值为报告值。3.6试验报告按JB/T 9014.2-1999中3.6的要求提出试验报告。4三轴切应力试验4.1方法要点将散粒物料制成圆柱试体，对试体施以三向应力，使其在三向应力作用下发生剪切破坏，依次测定各向应力，用试体发生剪切破坏时的不同大小的应力作出一系列的摩尔圆，求取各摩尔圆的破坏包络线，从而得到物料的内摩擦角φ。和初抗剪强度r。.4.2仪器和工具a)三轴切应力仪(图3) b)空压机:工作压力1MPa c)侧压力稳压装置板(图4) 重复上述过程，依次在料盖上加砝码2.3.4.5kg。分别测定牵引下集料框开始滑动瞬时的量杯及水的合重P、P。、P,、P。，以及上集料框内物料及上盖板的合重G，、G。、G，、G。，并记录。(分套上集料柜上周板紧定销下料智机星加载量杯加载托涅图13.4结果计算不同正压力条件下物料的抗剪强度按式(1)计算(准确至小数点后两位数字):,P-n.......………*…(1)式中:，,一不同正压力条件下物料的抗剪强度，MPa P 一-第1次试验时加载量杯和水的合重，N1P--空载(未加物料)时加载量杯和水的合重，N F一集料框的内框截面积(即物料层截面积)。mm’。每次测定时物料剪切层的正应力按式(2)计算(准确至小数点后两位数字):式中:一第1次试验时物料剪切层所受的正应力，MPa G,一-第1次试验时上集料框内物料与料盖的合重，NGBT3960摩擦磨损测试仪技术参数：1、速度精度：1%2、负荷精度：0.5%3、摩擦力矩精度：1%4、具有试验人员分级管理功能。5、实时显示摩擦系数-时间，扭矩-时间曲线。6、试验报告可打印试验参数，试验数据，曲线，备注等信息，简单，方便，可编辑。7、试样尺寸： 30mm×7mm×6mm8、转动速度： 0-500转/分 （可调）9、负 荷： 196N ± 0.1%（可增至392N）10、摩擦环尺寸：￠40×10mm ，倒角0.5×45°，外圆表面与内圆同心度偏差小于0.01 11、摩擦环材质：45号钢,淬火,热处理HRC40-45,外圆表面光洁度▼812、摩擦力矩： 0--4Nm 13、砝码重量：4KG砝码一件，1KG砝码4件，可实现重量叠加功能。14、计数器精度：1S15、传感器测量精度：1% FS16、系统运行稳定，可靠性高。17、结构紧凑，使用方便，简单。18、采用高精度电机、驱动机、传感器，精度高。GBT3960摩擦磨损测试仪符合标准：GB/T 3960-1983 塑料滑动摩擦磨损试验方法 GB/T 9141.8-1999 柔性石墨板材滑动摩擦系数测试方法另外本厂生产的计算机控制塑料滑动摩擦试验机是在现有电子塑料滑动摩擦试验机的基础上又增加了很多试验功能，可以同时显示扭矩-时间曲线，随意设定试验次数，显示当前试验次数，设定时间及当前试验时间等多种功能，本机还配有彩色打印机，可以打印出带有曲线，表格数据，试验单位名头的精美的试验报告单。GBT3960摩擦磨损测试仪适用于塑料制品、橡胶制品、石墨板材或其他复合材料的滑动摩擦，磨损性能测试，也可对试验中试样的磨擦力、磨擦系数和磨损量进行测定。也可对试验中试样的磨擦力、磨擦系数和磨损量进行测定。本机采用高精度扭矩传感器，16 位单片机电子处理系统，使得本仪器各项测试指标精度非常高。由于集成程度很高，所以设备本身的稳定性极好，本机具有一次设置，全自动运行，实验结束后自动停机GBT3960摩擦磨损测试仪并检测磨损程度，同时通过打印机打印试验数据等功能。是各个科研单位，大学，企业实验室的必备检测设备。本仪器融合了当前新的智能电路系统进行控制，并结合老式M-200摩擦磨损试验机的功能进行升级改造而成，本仪器具有测控精度高，操作便捷等优势，是科研院所、质检机构、实验室研究首选的试验设备。

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积：4个隔室，1.7 x 2.4mm2&bull 用于室内连续晶体学实验&bull 安装在标准磁性底座上

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积： 1.5 x 2.5 mm2&bull 用于低温的连续晶体学应用&bull 安装在标准磁性底座上

一般造.口袋的标准是GB/T 20407. 2一2006/ISO 8670.2: 1996，造.口袋GB/T 20407. 2一2006/ISO 8670.2: 1996要求检测造.口袋的渗漏测试和耐压（静压）测试、造.口袋贴在人皮肤上的黏贴性测试、造.口袋的持久粘贴性测试。造口袋黏贴性测试仪由上海保圣生产的TAXTC-20进行检测造.口袋黏性和持久粘贴性，造口袋黏贴性测试仪TAXTC-20也可以在恒定温度下，也就是人体的温度条件下进行测试。造.口袋的持黏性测试主要用来检测造.口袋在皮肤上的保持力，恒温持黏性测试仪，TAXTC-20型号的机器具有非常高的精度，TAXTC-20型号粘性测试仪可以对初粘性测试仪：适用于各类贴膏剂、贴剂、的初黏性测试，参考标准药典2015年版 黏附力测定法、GB/T 4851、ASTM D3654、JISZ0237、GB/T23260。TAXTC-20型号粘性测试仪可以对贴膏剂黏着力测试仪适用于贴膏剂、贴剂、橡胶膏剂、凝胶剂等黏着力测定，药典2015年版 黏附力测定法。TAXTC-20型号粘性测试仪可以对环形初粘性测试仪适用于各种胶带、粘合剂类等各种不同产品的初始黏着力。产品满足FINAT（ FINAT Test Method No. 9:measurement） ，ASTM等国际标准，适合研究机构、胶粘剂进出口企业 、检验检疫机构等。参考标准FINAT Test Method No. 9:measurement、GB/T31125-2014 。 TAXTC-20型号粘性测试仪还可以进行剥离强度试验机适用于胶粘剂、胶粘带、不干胶、、保护膜、离型纸、复合膜、薄膜、纸张等相关产品的剥离、拉断等性能测试。

一般造.口袋的标准是GB/T 20407. 2一2006/ISO 8670.2: 1996，造.口袋GB/T 20407. 2一2006/ISO 8670.2: 1996要求检测造.口袋的渗漏测试和耐压（静压）测试、造.口袋贴在人皮肤上的黏贴性测试、造.口袋的持久粘贴性测试。造口袋持久粘贴性测试仪由上海保圣生产的TAXTC-20进行检测造.口袋黏性和持久粘贴性，造口袋持久粘贴性测试仪TAXTC-20也可以在恒定温度下，也就是人体的温度条件下进行测试。造.口袋的持黏性测试主要用来检测造.口袋在皮肤上的保持力，恒温持黏性测试仪，TAXTC-20型号的机器具有非常高的精度，TAXTC-20型号粘性测试仪可以对初粘性测试仪：适用于各类贴膏剂、贴剂、的初黏性测试，参考标准药典2015年版 黏附力测定法、GB/T 4851、ASTM D3654、JISZ0237、GB/T23260。TAXTC-20型号粘性测试仪可以对贴膏剂黏着力测试仪适用于贴膏剂、贴剂、橡胶膏剂、凝胶剂等黏着力测定，药典2015年版 黏附力测定法。TAXTC-20型号粘性测试仪可以对环形初粘性测试仪适用于各种胶带、粘合剂类等各种不同产品的初始黏着力。产品满足FINAT（ FINAT Test Method No. 9:measurement） ，ASTM等国际标准，适合研究机构、胶粘剂进出口企业 、检验检疫机构等。参考标准FINAT Test Method No. 9:measurement、GB/T31125-2014 。 TAXTC-20型号粘性测试仪还可以进行剥离强度试验机适用于胶粘剂、胶粘带、不干胶、、保护膜、离型纸、复合膜、薄膜、纸张等相关产品的剥离、拉断等性能测试。

介质损耗因数正切值测试仪/介电常数测试仪满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法介质损耗因数正切值测试仪/介电常数测试仪主要技术特性 Q 值测量范围 2 ～ 1023 ， 量程分档： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自动换档或手动换档 固有误差 5 ％工作误差 2％ 电感测量范围 4.5nH ～ 140mH 电容直接测量范围 1 ～ 200pF 主电容调节范围 18 ～ 220pF 主电容调节准确度 1pF 信号源频率覆盖范围 100kHz ～ 160MHz 频率分段 （ 虚拟 ） 100 kHz ～ 160MHz 频率指示误差 1 个字 介质损耗因数正切值测试仪/介电常数测试仪电感： 线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值 9 100KHz 98 9.4 25mH 8 400KHz 138 11.4 4.87mH 7 400KHz 202 16 0.99mH 6 1MHz 196 13 252&mu H 5 2MHz 198 8.7 49.8&mu H 4 4.5MHz 231 7 10&mu H 3 12MHz 193 6.9 2.49&mu H 2 12MHz 229 6.4 0.508&mu H 1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125&mu H 介电常数介质损耗测试仪技术特性 平板电容器： 极片尺寸： 50mm/ 38mm 可选 　　　　　 极片间距可调范围： 15mm 2. 夹具插头间距：25mm 0.01mm 3. 夹具损耗正切值 10-4 （1MHz） 4．测微杆分辨率：0.001mm 搭配了全新的介质损耗装置与GDAT系列q表搭配使用介电常数介质损耗测试仪售后服务承诺： 售后服务及保修承诺：多年来，我公司一直生产研究电气试验设备，经研究、摸索、总结出一套完整的产品服务保障体系，向用户提供优质及时的售前、售中、售后服务为创造名牌，提高企业知名度，树立企业形象，我们本着“一切追求高质量，用户满意为宗旨”的精神，以“ 优惠的价格、 周到的服务、 可靠的产品质量”的原则向您郑重承诺： 一、产品质量承诺：1、我公司保证向需方提供的设备是原厂生产的，并且出厂资料配件齐全。为保持合同设备的正常运行和维护，我公司保证提供的技术资料和图纸是完整、清楚和正确的。2、产品的制造和检测均有质量记录和检测资料。3、对产品性能的检测，我们诚请用户亲临对产品进行全过程、全性能检查，待产品被确认合格后再装箱发货。 二、产品价格承诺：1、为了保证产品的高可靠性，系统的选材均选用国内或国际优质名牌产品。2、在同等竞争条件下，我公司在不以降低产品技术性能、更改产品部件为代价的基础上，真诚以 优惠的价格提供给贵方。三：安装调试及验收承诺：1、协助设备的安装，负责设备的运输、调试。2、设备按订货技术附件进行验收。终验收在买方进行，对用户提供的试样进行试验，并提供测试报告。3、安装调试同时，在仪器操作现场一次性免费培训操作人员2-3名，该操作人员应是由需方选派的长期稳定的员工，培训后能够对设备基本原理、软件使用、操作、维护事项理解和应用，使人员能够独立操作设备对样品进行检测、分析，同时能进行基本的维护。四、保修承诺：1、设备保修二年，终身服务，二年内非人为损坏的零部件免费更换，保修期内接到用户邀请后， 迟响应时间为2小时内，在与用户确认故障后，我公司会在48小时内派工程师到达现场进行 免费服务，尽快查清故障所在位置和故障原因，并向用户及时报告故障的原因和排除办法 。2、保修期内人为损坏的零部件按采购（加工）价格收费更换。3、保修期外继续为用户提供优质技术服务，在接到用户维修邀请后3天内派工程师到达用户现场进行维修。并享有优惠购买零配件的待遇。　4、传感器过载及整机电路超压损坏不在保修范围内。 五、保修： 1、设备保修两年，终身售后服务，一年内非人为损坏的零部件免费更换，保修期内接到用户邀请后， 迟响应时间为2小时内，在与用户确认故障后，我公司会在48小时内派工程师到达现场进行免费服务，尽快查清故障所在位置和故障原因，并向用户及时报告故障的原因和排除办法。 2、保修期内人为损坏的零部件按采购（加工）价格收费更换。 3、保修期外继续为用户提供优质技术服务，在接到用户维修邀请后3天内派工程师到达用户现场进行维修。并享有优惠购买零配件的待遇。　 4、传感器过载及整机电路超压损坏不在保修范围内。 六、售后管理： 我公司实现计算机化管理，实行客户定期电话回访制度，定期复查设备的工作情况，定期电话指导用户对设备进行保养和检测，以便设备正常运转，跟踪客户的设备使用情况，以便及时对设备进行维护感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介电常数介质损耗测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有的工程师为您解决您的疑问！！ 标签：百度 介电常数测试仪 介电常数介质损耗测试仪 介质损耗因数测试仪

一、概述： ZJD-C型介电常数测试仪/GB/T1409-2006介电常数介质损耗测试仪/相对介电常数测试仪/介质损耗测试仪/介质损耗因数测试仪/介质损耗角正切值测试仪/GB/T1693-2007硫化橡胶高频介电常数测试仪/工频介电常数测试仪/固体介电常数介质损耗测试仪/液体介电常数介质损耗测试仪/材料介质损耗和电容率测试仪/阻抗分析仪/GBT5594.4-2015陶瓷件介电常数测试仪/ASTM D150-11交流损耗特性和电容率测试仪/介电常数及介损测试仪作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz.ZJD-C介电常数测试仪采用了多项领先技术。双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至最低，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。二、主要技术特性：*1.信号源: DDS数字合成信号 100KHZ-160MHZ*2.信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数3．Q值测量范围：1～10234．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；*5．电感测量范围：1nH～140mH 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能*6．电容直接测量范围：1pF～25nF 7．主电容调节范围： 17～240pF 8．准确度 150pF以下±1pF；150pF以上±1% 9．信号源频率覆盖范围100kHz～160MHz10．合格指示预置功能范围：5～100011．环境温度：0℃～+40℃；12．消耗功率：约25W；电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。13. S916（数显）介电常数εr和介质损耗因数tanδ测试装置：数显式微杆，平板电容器：极片尺寸： 38mm极片间距可调范围：≥15mm夹具插头间距：25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10－4 （1MHz）测微杆分辨率：0.001mm测试极片：材料测量直径Φ38mm厚度可调 ≥ 15mm *液体杯：测量极片直径 Φ38mm； 液体杯内径Φ48mm 、深7mm14. 介电常数测试仪/GB/T1409-2006介电常数介质损耗测试仪/相对介电常数测试仪/介质损耗测试仪/介质损耗因数测试仪/介质损耗角正切值测试仪/GB/T1693-2007硫化橡胶高频介电常数测试仪/工频介电常数测试仪/固体介电常数介质损耗测试仪/液体介电常数介质损耗测试仪/材料介质损耗和电容率测试仪/阻抗分析仪/GBT5594.4-2015陶瓷件介电常数测试仪/ASTM D150-11交流损耗特性和电容率测试仪/介电常数及介损测试仪电感组LKI-1：分别有0.05μH、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十个电感组成。三、配置：主机 一台电感 九支夹具 一套液体杯 一套随机文件一套