光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器
光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管(APD)及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管,在400~1000nm范围具有高灵敏度,相当快的响应速度,峰值响应位于650nm,适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点: 高量子效率 低噪声,高速度 高增益,M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值:0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值:1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值:1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm,50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值:3.5典型值:1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注:Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm,50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值:0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值:0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管,是非常经济适用的InGaAs APD,在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm,特别适合人眼安全的激光测距,自由空间光通讯,OTDR及高分辨OCT。 特点: 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器(参造Alpha) 光电倍增管 光电倍增管(Photomultiplier Tube, PMT)是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件,是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器,广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外,响应波长150nm~2.6μm,光敏面包括InGaAs,GaP,Si,Ge,以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性: 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度,最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器,采用自主设计生产的PD芯片,并且针对不同应用领域做了优化设计,使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号:PDS443-C-C特点:◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计,透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项:a 请在ESD防护下使用,避免在加电和加光时安装或拆卸器件;b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V(nA)(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术,连续的模拟信号输出,正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点: 应用: 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V(nA)Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值:1.0典型值:0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛,包括:共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点:量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.