集路封装测试仪

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

泡罩药板密封性测试仪的工作原理在医药包装、食品封装等领域，产品的密封性能直接关系到其保质期、安全性和使用效果。因此，对包装材料的密封性进行准确、高效的检测显得尤为重要。泡罩药板密封性测试仪，作为一种采用色水法原理的检测设备，凭借其直观、可靠的检测方式，在行业内得到了广泛应用。本文将详细介绍基于色水法原理的泡罩药板密封性测试仪的工作原理、操作流程及其在评估试样密封性能中的关键作用。一、工作原理泡罩药板密封性测试仪MFY-05S通过模拟包装物在特定条件下的压力变化，检测其密封完整性。其核心在于利用色水（常选用亚甲基蓝溶液以增强观察效果）作为介质，在真空室内形成一定深度的水层。当测试样品置于该水层之上，并对真空室进行抽真空操作时，样品内外形成显著的压力差。这一压力差促使空气（如果存在泄漏通道）从样品内部通过潜在泄漏点逸出，并在释放真空后，通过观察样品形状的恢复情况及色水是否渗入样品内部，来评估其密封性能。二、济南三泉中石的MFY-05S泡罩药板密封性测试仪操作流程准备阶段：首先，向真空室中注入适量的清水，并加入适量的亚甲基蓝溶液，搅拌均匀，使水呈现明显的蓝色，便于后续观察。同时，将待测样品按照测试要求放置在真空室上方的指定位置。抽真空过程：启动真空泵，对真空室进行抽气，直至达到预设的真空度。在此过程中，随着真空度的增加，样品内外压力差逐渐增大，可能存在的微小泄漏通道将被放大，使得空气或气体从样品内部向外逸出。保压与观察：在达到所需真空度后，保持一段时间（根据测试标准设定），以便充分观察样品在压力差作用下的反应。此时，若样品密封良好，则形状基本保持不变，色水不会渗入；若存在泄漏，则可能观察到样品形状发生变化，且色水会沿泄漏路径渗入样品内部。释放真空与评估：释放真空室内的真空状态，恢复至常压。仔细观察样品表面是否有色水渗入痕迹，以及样品形状的恢复情况。根据观察结果，结合测试标准，判定样品的密封性能是否符合要求。三、济南三泉中石的MFY-05S泡罩药板密封性测试仪优势与应用直观性：色水法的应用使得泄漏现象一目了然，无需复杂的数据分析即可快速判断样品的密封性能。高效性：测试过程简单快捷，提高检测效率。广泛适用性：不仅适用于泡罩药板包装，还可用于其他类型包装材料的密封性检测，如瓶盖、软管等。总之，济南三泉中石的MFY-05S泡罩药板密封性测试仪以其独特的色水法原理，为包装材料的密封性检测提供了一种高效、直观且可靠的解决方案。

1)目前的现状： 　　中国测试仪器的普遍水平还停留在20世纪80年代初国际水平上 大型和高档仪器设备几乎全部依赖进口 许多急需的专用仪器还是空白 中低档产品保证质量上还有许多难关需要攻克。 　　据海关统计，中国每年进口各类测试仪器总额接近中国测试仪器产业总产值50%。此外，在6000多家企业中，年销售收入超过1000万元的不足1000家，全行业经济效益低下。 　　高档、大型仪器设备几乎全部依赖进口，同时国外公司还占有国内中档产品以及许多关键零部件市场60%以上的份额。科技创新及其产业化进展滞缓，是制约中国测试仪器产业发展的一个&ldquo 瓶颈&rdquo 。 　　2) 差距存在的原因 　　1、从业人员素质较低： 　　仪器虽小，但是反映出从业人员素质，中国仪器行业绝多多数为私营企业，而此类私营业主，大多数文化水平较低，仪器有个最大的特点，在于标准的吻合度，而标准的解读，往往需要从业人员具备一定的文化素质，就和文章的读后感相似，不同的知识背景的人读一篇相同的文章，会得出截然不同的感受和理解，换而言之，不同的人去读标准，就会出现完全不同的理解，也就会制造出完全不同的测试仪器，以及得出不同的测试结果。 　　2)工业化水平： 　　就目前中国工业发展而言，我们的大工业，如高铁、军事等，绝对不输给大多数工业化国家，比如法国和英国等，但是在我们日常生活中所遇到的工业化程度就完全不同，这受国家的政策有着非常大的影响，因为国家政策本身就不惠及那些中小型的企业，这就造成了在我国去生产一台精密仪器的困难。作为生产企业，如果去买个温控器、买支热电偶等非常简易的产品，其实遍寻市场，你无法找到一个真正的国内的品牌，或是一个真正高质量的配件 再比如加工行业，国内手工加工作坊式企业非常多，那你拿着这些土枪土炮，又怎么能和人家那些武装到牙齿的生产装备去抗衡呢? 　　3)国内市场因素： 　　价格!价格!价格! 这个是买国产仪器的客户所最关心的问题，一般购买国产仪器的用户，主要是因为价格原因去购买国产仪器，极少是因为品牌导向或是自身的专业背景去做出采购决策的。其实用户本身也造成了国产仪器商之间进行了恶性的价格竞争，在恶性价格竞争的状态下，你又怎么能去要求你的供应商去保证他的产品质量呢? 现在的国产仪器，价格只有更低、没有最低，大家都为了生计去奔波，又有谁可以沉下心去搞研发工作和进行科技发展的投入呢? 而对比于进口仪器，价格竞争也是存在的，但是国内用户在价格方面对于进口仪器的宽容度是远远大于国产仪器的。一方面用户在抱怨国产仪器品质的低劣，另一方面，又不断成为打压国产仪器价格的推手。 　　4)市场的诚信度以及浮躁情绪 　　对于诚信度，比如技术指标，极少有供应商会因为撒谎而付出代价，这就造成了，说假话比说真话，有着更大的盈利，这在投标中是比比皆是的 供应商的短期思维，总想做下这个客户，赚到这笔钱为眼前最大事宜，而不顾及后期产品的使用结果 也就是说，没有人会因为自己制造了一台低劣的仪器而付出代价，也没有人为自己的谎言产生损失，其代价在短期是无法体现的，长远来看，如果市场中没有追求高品质的竞争对手出现的时候，那么他所有的谎言和浮躁，都是有利可图的。 　　5)知识产权的保护 　　对于大多数客户而言，购买了进口仪器后，其实极其不愿意国产仪器上去考察和抄袭，非常忌讳国内生产商去考察，你有这么好的意识，为啥不去打击国内的盗版呢?国外仪器行业毕竟发展多年，通过模仿和抄袭，可以极大的缩短研发的周期和投入，然后在国外同行业对手的基础上，再去改进他的某些缺点，慢慢去形成自我的风格和自己的技术，&ldquo 师夷长技以制夷&rdquo ，为何不将这些高端的进口仪器向你的同胞们去大胆的开放呢? 　　另外，国内制造厂商之间的知识保护确又极差，大家互相抄袭成风，最终的结果，是谁也不敢去做技术上的革新以及创新。 　　就笔者多年的经验而言，如欲打败国外同行，个人体会如下： 　　1、多练习内功： 　　在自己所从事的行业，多了解国外同行的产品特性、技术特点、操作的合理化等详细信息，必须知道对方的优点，以及自身的缺点，&ldquo 不以物喜，不以己悲&rdquo ，在充分了解竞争对手的情况下，找出自己的长处不断发扬，找到自己的缺点不断的修正，必须以十年磨一剑的心态去做产品，在自己产品的使用中，不断询问用户，让他们提出宝贵意见。 　　2、专注于自己的行业： 　　专注于自身所处的行业，不要这山看着那山高，只有专业才是长久之计，不要把自己变为一个杂货铺，什么都能干，什么都做不精。国外仪器制造商，比如安捷伦、瓦里安、英斯特朗，人家往往都是一招吃遍天下，而不是像我们这样，面面俱到的经营。 　　3、价格的控制 　　低价客户，其实就是低质量客户，当你将每天的精力放在那些低质量的客户身上，你不如多关注那些有着高品质追求的客户，他们才是你利润的来源，同时也是你提高产品质量和性能的最好的伙伴。当你在不断降价的同时，也是你不断降低质量，以及降低自我要求的开始。 　　4、竞争对手的定位 　　不要轻易降价，也不要去和你的同行打价格战，你的同行是激励你进步的动力，不是你的敌人，打败你的竞争对手最好的方式，就是制造出他不可以逾越的产品，试问，在中国，你见过几家仪器商是因为被竞争对手的低价给打垮的呢? 当你使用价格战术去打击对手的时候，其实伤害的是你们双方，当你用高性能的产品去攻击你的对手的时候，那么你才可以掌握住战斗的主动权。市场上最大的份额占有者是进口仪器及其代理商，他们才是真正的敌人。 　　5、不要欺骗你的用户 　　你可以选择不说，但是不可以选择欺骗，没有人愿意上当受骗，包括你自己在内。 　　以上所述，为笔者从事仪器行业多年的体会，可能有所偏颇，但是借网站一发，供大家参考!欢迎就此话题进行探讨。 　　莫帝斯燃烧技术(中国)有限公司全资子公司，成立于2008年，是一家年轻并极富创新性的国际化科技公司。 　　已经为众多阻燃测试机构提供优质的燃烧测试仪器，如中国铁道科学研究院、公安部四川消防研究所、中国船级社远东防火检测中心、中国科学研究院力学研究所、桂林电器科学研究院、中国标准化研究院、中国纺织科学研究院、SGS 通标标准技术服务有限公司、INTERTEK 天祥质量技术服务有限公司、TUV 南德意志集团、TUV 莱茵、北京理工大学等国内知名检测机构及科研院所。 　　更加详细信息可浏览网站：www.firetester.cn www.motis-tech.cm

医用注射器滑动性能测试仪的应用与重要性在制药包装行业中，医用注射器作为一种不可或缺的医疗器械，扮演着至关重要的角色。它们被广泛用于临床医学中，通过吸入并注射药品至患者体内，以实现治疗目的。医用注射器的使用不仅需要确保药品的精确剂量，还需保证其在使用过程中的安全性和可靠性。因此，对医用注射器进行严格的性能测试，特别是滑动性能测试，显得尤为重要。医用注射器的应用与用途医用注射器通常由针管、活塞（芯杆）、针座、活塞柄、护帽和胶塞等部分组成，其设计精巧，操作简便。在制药包装行业中，医用注射器被用于封装各种药品，如注射液、疫苗等，以便安全、有效地传输给患者。其精确的剂量控制和密封性能，使得医用注射器成为临床治疗中不可或缺的工具。滑动性能测试的必要性为了确保医用注射器的使用质量，国家标准《GB15810-2001使用注射器》对其活塞滑动性能做出了严格规定。滑动性能是指活塞在注射器内移动时的顺畅程度，直接关系到注射过程中药品的推送效果和患者的感受。如果注射器的滑动性能不佳，可能会导致药品推注不畅、注射阻力过大或泄漏等问题，进而影响治疗效果和患者安全。因此，进行医用注射器滑动性能测试，是保障其使用质量、确保患者安全的重要措施。通过测试，可以评估注射器的滑动性能是否符合标准要求，及时发现并解决潜在问题。医用注射器滑动性能测试仪及其测试方法医用注射器滑动性能测试仪是一种专门用于检测注射器滑动性能的仪器。该仪器通过模拟实际使用过程中的推拉动作，对注射器的芯杆施加一定的力，并在一定速度下测量其试验拉力和试验推力。具体测试方法如下：固定器身：首先，将注射器的器身固定在测试仪上，确保其在测试过程中不会移动。施加力并测量：然后，给芯杆一端施加一个力，并设定测试仪的速度（通常为100mm/min±5mm/min）。在此速度下，测试仪将记录芯杆与注射器身之间的试验拉力和试验推力。数据记录与分析：测试仪将自动记录施加的力、芯杆的运动情况以及相应的拉力和推力数据。通过这些数据，可以分析注射器的滑动性能是否符合标准要求。值得注意的是，济南三泉中石实验仪器生产的注射器滑动性测试仪还配备了定制注射管夹具，可以精确测定注射时的初始力、滑动力以及保持力等参数。在拉伸和压缩技术试验模式下，控制横梁的上下移动模拟液体的注入和射出过程，生成相关数据，并计算分析报告初始、平均、最大和最小力等关键指标。综上所述，医用注射器滑动性能测试仪在制药包装行业中具有广泛的应用和重要的意义。通过严格的性能测试和评估，可以确保医用注射器的使用质量符合标准要求，保障患者的安全和治疗效果。

英肖仪器上海成为英国哈奇Hitech氧气分析仪热导氢气测试仪全新代理商Hitech Instruments公司成立于1981年，是集气体分析仪设计、生产和经销为一体的专业厂家。成立以来，一直是各种工业领域用气体分析仪的主要供货商之一。独特的创新设计理念为HITECH在不同的行业应用中赢得了优良的口碑。主要产品：SADP露点仪|在线露点仪| 肖氏露点传感器|肖氏露点仪|顶空分析仪|药品残氧仪|压缩空气露点仪|Mocon透氧仪|膜康透湿仪|PBI顶空分析仪|露点仪品牌|露点仪价格|露点仪批发|Hitech氧气分析仪|Hitech热导气体分析仪|Hitech氢气分析仪|露点仪厂家HITECH标准的产品有分析如氧气、氢气、二氧化碳、一氧化碳及氩气等所有常见气体的气体分析仪表；英肖仪器上海成为英国哈奇Hitech氧气分析仪热导氢气测试仪全新代理商此外，HITECH还为一些特殊应用提供气体分析仪，如氯中氢、氨分解、六氟化硫、发电机吹扫气气氛、封装气氛（如MAP）和燃烧过程监测（如预混空燃比监测）应用等。K850便携式氢气纯度仪使用一个不消耗的热导传感器**检测氢气纯度。K850便携式氢气纯度仪典型用于制氢工艺、气体纯度检测、食品加工、制冷系统、发电厂、酿造厂、冶金气氛控制等。主要产品：SADP露点仪|在线露点仪| 肖氏露点传感器|肖氏露点仪|顶空分析仪|药品残氧仪|压缩空气露点仪|Mocon透氧仪|膜康透湿仪|PBI顶空分析仪|露点仪品牌|露点仪价格|露点仪批发|Hitech氧气分析仪|Hitech热导气体分析仪|Hitech氢气分析仪|露点仪厂家HITECH氧分析仪产品范围：英肖仪器上海成为英国哈奇Hitech氧气分析仪热导氢气测试仪全新代理商HITECH氧分析仪英国HITECH气体分析仪、HITECH氧分析仪、HITECH、HITECH便携式氢气纯度仪、HITECH氧传感器 主要型号：英肖仪器上海成为英国哈奇Hitech氧气分析仪热导氢气测试仪全新代理商主要产品：SADP露点仪|在线露点仪| 肖氏露点传感器|肖氏露点仪|顶空分析仪|药品残氧仪|压缩空气露点仪|Mocon透氧仪|膜康透湿仪|PBI顶空分析仪|露点仪品牌|露点仪价格|露点仪批发|Hitech氧气分析仪|Hitech热导气体分析仪|Hitech氢气分析仪|露点仪厂家K1550、K1550R、K1550Fx、K1550C、K1550C-Fx、ATEX-K1550Fx、G1010、G1010R、G1010X、G1010TxX、G1010Tx、G210、G610、、G810、Z110、Z1400、Z4010、Z230、Z1030、Z130、Z1110、Z530、Z1920C、K850、K6050、K850AP、K6050AP、K1650、K522、KG1550、KG850、KG6050、KK650、IR600、IR250、GIR5500、GIR5000、MAPtest800、MAPtest3050、MAPtest4050主要产品：SADP露点仪|在线露点仪| 肖氏露点传感器|肖氏露点仪|顶空分析仪|药品残氧仪|压缩空气露点仪|Mocon透氧仪|膜康透湿仪|PBI顶空分析仪|露点仪品牌|露点仪价格|露点仪批发|Hitech氧气分析仪|Hitech热导气体分析仪|Hitech氢气分析仪|露点仪厂家更多英肖仪器上海成为英国哈奇Hitech氧气分析仪热导氢气测试仪全新代理商信息请致电英肖仪器上海021-66015906

江苏天瑞仪器股份有限公司余正东副总经理 　　近年来分析仪器行业的市场需求快速增长，国产品牌占有率仅为14%且主要分布在中低端市场。关于国产分析测试仪器行业的出路与思考，以“天瑞仪器”为案例：(1)融资；(2)掌握核心技术；(3)自我培养多重结构的人才架构；(4)对国内中小优势仪器企业进行并购、重组；(5)争取国家政策的支持。从大研发、大生产、大营销、大品牌四个方面对天瑞仪器的发展战略进行展望。

纽扣撞击强度测试仪︳纽扣撞击强力测试仪︳标准集团品质供应︳咨询电话：13671843966纽扣撞击强度测试仪，又称纽扣撞击强力测试仪，是通过检测塑钮、胶钮的抗撞击阻力从而检测所有类型纽扣（直径10mm或以上）在服装制造或日常使用过程中对强拉或撞击的承载能力的仪器。标准集团（香港）有限公司自主研发的Gellwoen G289 纽扣撞击强度测试仪是严格符合ASTM D5171标准的纽扣测试仪器。测试时，将质量为0.84kg（29.5oz）重物从67mm（2.625英寸）或其他规定高度（至多200mm（8英寸））落下，以纽扣的破裂程度作为考核。该仪器包括一个轴承套，其内配合一个标准质量的冲击头，用于从指定高度下落以冲击纽扣试样。纽扣依据其莱尼尺寸放置于底座金属平台的中心位置，并用定位夹具夹持，冲击强度由重物的质量和下落的高度来评估。详情请访问：http://www.lalianniukou.com/product/2015/98.html 标准集团（香港）有限公司是一家提供材料测试仪器设备的综合供应商，成立于2003年，公司总部在中国香港，在上海设有分公司，在长沙、武汉、济南、沈阳、成都、杭州等地设有办事处及售后维修中心。上海泛标纺织品检测技术有限公司为标准集团上海分公司，全面负责中国大陆地区的销售和售后服务。一直以来，公司始终坚持引进国际最先进的产品，依赖专业高效的服务团队，整合技术和资源优势，为客户解决科研生产中遇到问题提供支持，从而带动国内科研及相关行业水平的提高。通过个性化的售前产品咨询，高效率的售后安装、维护和维修，专业级的技术支持及应用支持，标准集团正赢得越来越多制造商和客户的双重信赖。24小时服务热线：021-64208466、13671843966或登录：http://www.standard-groups.com/

三泉中石参与起草的《鲁尔圆锥接头性能测试仪校准规范》开始实施Sumspring三泉中石作为检测仪器行业的佼佼者，以其强大的技术实力努力推动本行业国家标准的建立和更新。近日，Sumspring三泉中石参与起草的JJF(京) 139-2024《鲁尔圆锥接头性能测试仪校准规范》已通过严格的审核程序，于2024年7月1日开始实施，适用于鲁尔圆锥接头性能测试仪的校准。这一规范填补了我国对于鲁尔圆锥接头性能测试仪校准方法的空白。JJF(京) 139-2024《鲁尔圆锥接头性能测试仪校准规范》的制定过程，充分参考了国内外相关标准要求，如药包材标准《4040 预灌封注射器鲁尔圆锥接头检查法》、GB/T 1962.1-2015《注射器、注射针及其他医疗器械 6%(鲁尔) 圆锥接头》、GB/T 1962.2-2001《注射器、注射针及其他医疗器械 6%(鲁尔)圆锥接头》，以及YY/T 0916.1-2021《医用液体和气体用小孔径连接件》和YY/T 0916.20-2019《医用液体和气体用小孔径连接件》等。这些标准均为药品及医疗器械领域的重要指导文件，此次校准规范的制定，对于规范行业、提升产品品质，为我国在此领域与国际标准接轨具有重要意义。在规范编制过程中，三泉中石充分发挥了其在药包材和医疗器械测试领域的专业优势，结合实际使用情况，对校准流程、参数设置、测试方法等进行了细致的梳理和优化。同时，该规范还严格遵循了国家计量技术规范JJF1071-2010《国家计量校准规范编写规则》、JJF 1001-2011《通用计量术语及定义》以及JJF1059.1-2012《测量不确定度评定与表示》等标准，确保了校准结果的准确性和可靠性。随着JJF(京) 139-2024《鲁尔圆锥接头性能测试仪校准规范》的实施，将有力推动我国药包材和医疗器械校准工作的规范化、标准化进程。同时，这也将有助于提高药品和医疗器械的安全性和有效性，保障人民群众的生命健康。作为参与起草单位之一的Sumspring三泉中石，将继续秉承“专业、精准、高效”的服务理念，为中国包装和医疗器械检测技术与世界同步而不懈努力。

世界计量领域的领导者雷尼绍公司，将在2012年8月15-17日举行的国际质量检测分析技术及测量测试仪器仪表展览会(Control China 2012)上推出一系列新型产品，包括Equator&trade 多功能比对仪、PH20全自动五轴旋转测座、XL-80激光干涉仪、XR20-W无线型回转轴校准装置以及QC20-W无线球杆仪等，并将展出一系列快速成型制造技术和新型车床工件检测头。欢迎您莅临我们的展位,为您介绍最新测量技术与应用。（展位号：W5-B16） 展品介绍 Equator&trade &mdash 多功能比对仪 全新的专利Equator&trade 比对仪能够国际质量检测分析技术及测量测试仪器仪表展览会降低购买、维护和夹具成本，可对多种工件预编程，而且可在几分钟之内对设计变更进行重新编程。Equator是传统专用比对测量的全新替代方案，它前所未有地填补了市场空白。它不仅是一款新型比对仪，还标志着雷尼绍首个比对仪产品线的问世。 快速成型制造 AM250激光熔融快速成型机 雷尼绍的激光熔融工艺是一种新兴的制造技术，主要用于医疗（整形外科）行业和航空航天、高科技工程以及电子领域。激光熔融是全数字快速成型制造工艺，利用激光聚焦能量将金属粉末熔化制成三维实体。 激光熔融技术是全数字化快速成型制造工艺，直接根据三维CAD分层的各界面数据生产全高密度金属零件，熔化制造成金属层厚度从20微米到100微米的2D截面，从而构成三维模型。制造零件时，首先使用刮板将金属层分布均匀，然后在在严格控制的空气环境中分别熔化各金属层。制造完成后，将零件从铺粉台面上取下，根据具体应用对其进行热处理和抛光。 AM250激光熔融快速成型机 激光干涉仪及球杆仪 XR20-W无线型回转轴校准装置 XR20-W无线型回转轴校准装置集雷尼绍独有的先进轴承和光栅技术以及蓝牙（Bluetooth® ）无线技术等特点于一体。与现有的RX10相比，雷尼绍XR20-W更为小巧轻便。它的重量仅约1公斤，在使用便利性和灵活性方面具有极大的优势。XR20-W回转轴校准装置包括&ldquo 内置&rdquo 反射镜，反射镜壳体的背面另带有准直光靶。这些特性确保设定速度更快，并大大降低准直误差和由此导致的测量误差。 QC20-W新型无线球杆仪 采用全新设计开发的直线位移传感器和蓝牙 (Bluetooth&trade ) 无线技术。一次安装设定即可测量XY、YZ、ZX三个正交平面内的空间精度。具有使用方便和耐用性强的优点。Ballbar20系统软件功能大幅增强，测试和报告的灵活性更强。 XL-80全新轻型激光干涉仪测量系统 采用稳定可靠的激光波长进行测量，可溯源至国家标准和国际标准。提供4 m/s最大的测量速度和50 kHz记录速率。即使在最高的数据记录速率下，系统准确性可达到± 0.5 ppm（线性模式）和1纳米的分辨率. 机床测头 RMP600 新型紧凑型触发式测头 雷尼绍RMP600是一种紧凑型高精度触发式测头，采用无线电信号传输，不仅具有自动工件找正测头的所有优点，还能够在各种加工中心上测量复杂的三维工件几何特征。RMP600触发式测头结构坚固，采用成熟的半导体电子元件和抗干扰信号传输方式，能够适应极恶劣的机床环境。RMP600采用独创的RENGAGE&trade 应变片技术，能够比标准机械式测头实现更高的精度水平，因而适用于各种要求高精度测量的应用场合。 NC4 紧凑型固定式系列测头 NC4 系统能够在间隔长达 5 米的情况下实现高重复精度的对刀操作。根据间隔不同，在激光光束所及的任何选定点，可测量直径小如 0.2 mm 的刀具，并可对小如 0.1 mm 的刀具进行破损检测。 NC4 激光对刀测头的外壳为坚固的不锈钢，按 IPX8 标准封装，能适应极恶劣的机床环境。MicroHole&trade 保护系统利用连续的压缩气流对系统提供不间断的保护，使其免受金属碎屑、冷却液和石墨等的污染，即使在测量过程中也不例外。 位置编码器 RESOLUTE&trade 绝对式直线光栅及圆光栅系统 世界上第一款能够在36 000转/分转速下达到27位分辨率的绝对式直线光栅。真正的绝对式精细栅距光栅系统，具有优异的抗污能力和超凡的技术指标。 TONiC&trade 超小型直线光栅和圆光栅 TONiC&trade 是Renishaw推出的新款超小型非接触式光栅，在线性和旋转应用中均可达到10 m/s的速度和高至5 nm的分辨率。TONiC&trade 显著提高了Renishaw现有高速非接触式光栅的性能，同时进一步改善了信号稳定性和长期可靠性，产品拥有成本低，简便性无与伦比。 坐标测量机用测头 PH20坐标测量机用新型全自动五轴测座 运用独特的&ldquo 测座碰触&rdquo 方法进行快速触发测量和快速五轴无级定位，确保实现最佳工件测量。简洁小巧的设计既适用于新购的坐标测量机，也适用于大多数现有的用于触发测量的坐标测量机改造。可搭配各式TP20模块，自定旋转角度，精度好，效率高。

MITA8120,一套用于PortaCount呼吸器密合度测试的配件，是用来进行包括自给式呼吸器，过滤式呼吸器以及核生化面罩在内的各种全面式呼吸器的密合度测试. 　　伦敦，2013年2月14日-每一个用到呼吸器的用户都需要最高级别的防护.对于面罩服务中心，生产商或者类似军事，生产设施救护队的组织，以及在危险环境中工作的工人，测试这些呼吸装备是否符合最高级别的标准是非常必要的.有了 PortaCount呼吸器密合度测试仪，TSI公司能够提供一套综合性的定量进行呼吸器密合度测试的工具.现在有了MITA， PortaCount呼吸器密合度测试仪的附件，TSI完成了一个进行面具完整性和密合度测试的安全解决方案.面罩完整性测试附件(MITA)8120MITA和PortaCount® 呼吸器密合度测试仪一起串联使用以测试全面式呼吸防护面罩是否漏气并且确保他们和设计的一样正常工作. 　　通过进行气溶胶泄露测试，一个全面的面罩完整性测试会被执行.在负压和恒流条件下，面具会在一个完整头模上做测试，并使用一个增强型的气囊密封系统为大多数防毒面具和各种尺寸和类型的全面式呼吸防具提供一个良好的密封环境.这样的配置将测试面罩或者呼吸器的完整性以保证高级别的防护因素能够被测试.如果仪器检测到面具或者呼吸器有泄露，整合的气溶胶棒和气溶胶生成器会被用来精确地找到难以发现的泄露并且快速的评估以决定是否需要修理或者直接将面罩或者呼吸器报废处理.一起不仅仅是提供一个&ldquo 合格或者不合格&rdquo 的测试结果，MITA能够鉴别正在测试的面具或者呼吸器需要修理的部分.为了达到上述目的，操作者使用一根气溶胶棒将浓缩的粒子流导向在面罩附近的某个位置以精确找到泄露.这时候，仪器会测试到一个突然的浓度升高，并且会提醒操作者，这样面罩的的修理可以在当场完成. 　　某些面罩有其他一些潜在的薄弱环节包括封接面，呼气阀以及饮用管(用于核生化防护面罩).MITA能够测试所有以上提到环节的完整性.MITA能够和8020,8020M,8030以及8038型PortaCount呼吸器密合度测试仪一起使用.面罩接口套件适用于包括Avon,Draeger,Scott,3M以及MSA在内的所有主流生产厂商的呼吸器.多达4,000组面具测试结果能够存储于一起的内部存储中，并且可以后面下载到电脑中.MITA和PortaCount 配套使用易于操作，并且包括一个易于读数的显示器，能够提供一个直观的检测序列.操作者不需要很多培训就能够进行面具完整性测试，而且MITA的菜单结构消除了使用错误或者多余按键造成的风险.在效率方面，这款仪器已经设立了行业基准：在保证品质的条件下，每小时可以测试多达12-20个面具

6月22日，杭州士兰微电子股份有限公司发布《关于向关联方采购设备的关联交易的公告》。信息显示，公司控股子公司成都士兰半导体制造有限公司（以下简称“成都士兰”）拟向关联企业厦门士兰集科微电子有限公司（以下简称“士兰集科”）采购9台12吋晶圆外延炉、测试仪等设备，交易总金额为46311685.64元（不含税）。据了解，成都士兰为公司在成都-阿坝工业集中发展区投资建设的大型硅外延片制造基地。本次向关联方采购的12吋晶圆外延炉、测试仪等设备为成都士兰正常生产经营所需，可节省采购周期，降低生产成本，提升设备运营能力，增强12吋晶圆外延片制造能力，促进公司主营业务的发展。本次关联交易遵循市场化原则 及公允性原则，经双方公平友好磋商后订立，不存在损害公司及股东尤其是中小 股东合法权益的情形。本次关联交易对公司财务状况和经营成果无重大影响。

仪器简介：NCY系列粘度测试仪是为塑料、化纤产品的特性粘度、平均聚合度，石油产品的运动粘度等专门设计研制的电脑化测试设备，仪器设计先进,操作方便,非其它设备可以比拟。根据系统配置的测试单元数，型号分别定为NCY－2、NCY－3、NCY－4，NCY－5、NCY－6，相应配置二～六组测试单元，可同时测试二～六个试样。系统设置有多达10项的测试公式供用户选择，可用于多种条件下的聚酯、尼龙、浆粕、聚氯乙PVA的材料的特性粘度、粘数、平均聚合度的测试。NCY粘度测试仪由下列部分组成： *带玻璃毛细管粘度计的测试单元，内置信号处理装置，按型号，分别为带二～六单元； *至少具备软驱、48X光驱、128M内存及40G硬盘，C1.7G处理器，RS232串口，运行在Windows98中文平台的台式计算机； *驱动及执行机构； *连接电脑主机与驱动机构的枢纽─RS232串行接口系统； *放置测试单元，保证单元正常工作环境的配备有0.01℃分度的高等级温度计的温度波动及分布均在± 0.01℃以内的精密恒温槽。 技术参数：温度范围：0～80℃(超范围另议)温度波动： ± 0.01℃温度分布：± 0.01℃(专配0.01℃分度高等级精密温度计)计时范围：0.01～999.99S计时分辨率：0.01s测量范围：特性粘度 0.1～4.0dl/g(一般0.5～1.5)平均聚合度 100～10000(一般1200左右)动力粘度5～800mpa.S (一般100～300)运动粘度 0.1～300mm2/s加热功率：1kw制冷量：125/220kcal/h电 源： 220v 6～10A主要特点：使用NCY自动粘度仪以后：原来由人工进行的溶液的抽吸，将由系统担任 原来由人工进行的时间的测定，将由系统担任 原来由人工进行的数据判定，也由系统担任 系统将自动地计算，得出数值 系统将自动地反复测试，剔除超差结果 系统将即时形象地显示各单元中毛细管粘度计中的溶液流动情况 系统具备的数据库，将自动地记录每次测试值，并为用户方便调用,杜绝作假 系统具备的精密恒温槽，将提供± 0.01℃的温度波动与分布，保证任一时刻、任一位置测试数据的一致性 系统具备的计算机，还将为用户提供除粘度测定外的其他应用 系统具有多种打印格式，还能为用户打印绚丽多彩的画页。高效的系统具有交叉工作的能力，在某些单元正在测试的过程中，对不测试的单元可同时进行参数修改。一切的一切，系统将按照本公司自行研制的软件（版权所有）在中文界面上有条不紊地运行，用户将与系统通过中文轻松对话。创新点：使用NCY自动黏度仪以后： 原来由人工进行的一定量溶液流过毛细管所需时间的测定，将由系统担任 原来由人工进行的溶液的抽吸，将由系统担任 原来由人工进行的数据有效与否的判定，也由系统担任 系统将即时形象地显示各单元中毛细管黏度计中的溶液流动情况 系统将自动地反复测试，剔除超差结果，得到准确的流经时间 高效的系统具有交叉工作的能力，在某些单元正在测试的过程中，对不测试的单元可同时进行参数修改。 系统将自动地计算，得出数值 系统具备的数据库，将自动地记录每次测试值，并为用户方便调用 系统具备的精密恒温槽，将提供± 0.01℃的温度波动与分布，保证任一时刻、任一位置测试数据的一致性 一切的一切，用户将与系统通过中文轻松对话。 粘度仪/粘度计/自动粘度仪/粘度测试仪

药用PVC硬片的耐冲击性能检测是一个关键的质量控制步骤，以确保药品包装的完整性和保护药品免受运输和处理过程中的冲击。落镖冲击测试仪和落球冲击测试仪都是用于评估材料耐冲击性能的设备，但它们在设计和应用方面存在差异。落镖冲击测试仪落镖冲击测试仪通常用于评估软包装材料如薄膜、复合膜等的抗冲击穿透能力。它使用一个或多个特定重量和形状的落镖，从一定高度落下冲击试样。这种测试方法更多地侧重于材料的抗穿透性能，适用于检测软包装材料在实际使用中抵抗尖锐物体冲击的能力。落球冲击测试仪落球冲击测试仪则通常用于测试硬质塑料材料如药用PVC硬片的冲击强度。它使用一定质量的球体从预设高度自由落体，冲击试样，以此来模拟实际使用中可能遇到的冲击情况。落球冲击试验可以检测药用PVC硬片的耐用性、硬度、强度和韧性等性能。比较与选择在选择落镖冲击测试仪还是落球冲击测试仪时，需要考虑以下因素：材料特性：药用PVC硬片作为一种硬质塑料材料，更适合使用落球冲击测试仪进行测试。测试目的：如果测试目的是评估材料的耐冲击能力以及硬度和强度，落球冲击测试仪可能更为合适。标准遵循：应参考相关的医药包装材料测试标准或国际标准，如YBB00212005-2015等，这些标准可能指定了特定的测试方法。设备能力：确保所选设备能够满足药用PVC硬片的测试要求，包括试样尺寸、冲击高度和能量等。结论根据上述信息，对于药用PVC硬片的耐冲击性能检测，落球冲击测试仪 更为适合，因为它专门设计用于评估硬质塑料材料的冲击强度，并且符合药用PVC硬片的测试标准和要求。

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 83" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong TTE /strong strong 系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 167" p style=" line-height: 1.75em " 冯士维 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " shwfeng@bjut.edu.cn /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □正在研发& nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □技术转让 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " align=" center" valign=" top" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title=" 1.jpg.png" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 & nbsp br/ /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title=" 54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width=" 400" height=" 203" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 203px " / /p p & nbsp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title=" 3.png" width=" 400" height=" 146" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 146px " / /p p & nbsp & nbsp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title=" 4.png" width=" 400" height=" 143" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 143px " / /p p TTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title=" 5.png" width=" 400" height=" 185" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 185px " / /p p & nbsp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title=" 6.png" / /p p TTE-S200 LED热特性快速筛选仪 /p p style=" line-height: 1.75em text-indent: 0em " & nbsp & nbsp TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ & nbsp & nbsp （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

一、项目基本情况项目编号：SDSM2022-4295项目名称：齐鲁中科光物理与工程技术研究院高精度光学面形测试仪采购项目预算金额：630.0000000 万元（人民币）采购需求：包号货物名称数量（台/套）是否允许采购进口产品采购预算（万元人民币）1高精度光学面形测试仪1是630合同履行期限：合同签订后10个月内本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：（1）在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）中被列入失信被执行人、税收违法黑名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的投标人，不得参加本次政府采购活动。（2）本项目非专门面向中小企业采购。（3）为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得参加本项目投标。（4）投标单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一合同项下的政府采购活动。（5）按本投标邀请的规定获取招标文件。3.本项目的特定资格要求：投标货物为进口产品的，须提供制造商或可追溯到制造商的授权书（复印件胶装至投标文件中并加盖投标人公章）三、获取招标文件时间：2022年05月26日 至 2022年06月01日，每天上午8:30至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：济南市市中区二环南路6636号中海广场8楼805(山东三木招标有限公司)方式：线上获取招标文件。登录山东三木招标网（http://www.chinasanmu.com.cn），点击“报名系统入口”报名，审核通过后招标文件将发送至报名邮箱。未按上述要求报名及未报名但已获取招标文件的，报名均无效。本项目实行资格后审，报名成功不代表评标现场通过资格审查。报名咨询电话：0531-81764009（开户单位：山东三木招标有限公司，开户银行：中国工商银行济南六里山支行，账号：1602001319200062147）。招标文件售出不退。售价：￥300.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年06月16日 09点30分（北京时间）开标时间：2022年06月16日 09点30分（北京时间）地点：济南市市中区二环南路6636号中海广场11层1105B室。五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜本项目落实的政府采购政策1、政府采购促进中小企业发展2、政府采购支持监狱企业发展3、政府采购促进残疾人就业4、政府采购鼓励采购节能环保产品七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：齐鲁中科光物理与工程技术研究院     地址：山东省济南市历城区彩石镇中科光物院（济南科创城内）        联系方式：0531-55853088      2.采购代理机构信息名 称：山东三木招标有限公司            地 址：济南市市中区二环南路6636号中海广场8层805室            联系方式：王传栋、陈涵0531-82906138            3.项目联系方式项目联系人：王传栋、陈涵电 话：  0531-82906138

p style=" text-indent: 0em text-align: center " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/292673aa-e45e-4b57-a7c3-93a83223508b.jpg" title=" 1.jpg.png" alt=" 1.jpg.png" style=" text-align: center max-width: 100% max-height: 100% " / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 176, 240) text-align: center text-indent: 0em " & nbsp Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter：提供卓越的范围和灵活性 /span /p p style=" text-indent: 2em " strong 仪器信息网讯 /strong 美国时间2020年10月14日，布鲁克纳米机械测试业务（Bruker Nanomechanical Testing business）宣布发布Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter& #8482 ，可在扫描电子显微镜（SEM）内提供比以往更大的负载和更极端环境提供纳米机械测试功能。将有助于研究人员进一步理解高强度材料的变形机理。新产品系统结合了布鲁克的高性能控制器、专有的电容式传感器和固有位移技术，以实现卓越的力和位移范围。 /p p style=" text-indent: 2em " PI 89 SEM PicoIndenter是第一台具有两种旋转和倾斜台配置的原位仪器。这使得样品可以灵活地朝向电子柱进行自顶向下的成像、向FIB柱倾斜进行铣削、主轴旋转进行晶体对准，并与多种检测器兼容以实现复杂材料的结构-性能相关性。 /p p style=" text-indent: 2em " “阿拉巴马大学很高兴成为布鲁克公司Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter原位纳米机械测试装置的第一批用户，” span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 阿拉巴马州分析研究中心主任Gregory Thompson博士 /span 表示。 /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 机械工程学教授Keivan Davami博士 /span 补充说：“该平台的先进功能，可以在达到极限温度的同时，同时施加负载，将提供前所未有的结构表征捕获，包括透射菊池衍射和电子背散射衍射，以支持多个研究项目。” /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 布鲁克纳米机械测试业务总经理Oden Warren博士 /span 表示：“ Hysitron PI 89是我们用于电子显微镜原位纳米机械测试的PicoIndenter系列的有力补充。” “新平台具有出色的多功能性，易用性和刚度，可支持更高的负载，并拥有多项专利功能，可为客户在SEM中提供更广泛的测试灵活性和行业领先的性能。我们很高兴看到这个新一代仪器使新的研究成为可能。” span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 关于Hysitron PI 89 SEM PicoIndenter /strong /span /p p style=" text-indent: 2em " Hysitron PI 89系统是布鲁克知名的Hysitron PicoIndenter用于SEM的测试仪器系列。 PI 89以布鲁克最先进的电容换能器技术为基础，为研究人员提供了一种功能强大的先进仪器，具有卓越的性能和多功能性。它的功能包括自动纳米压痕、加速机械性能映射（XPM）、疲劳测试、纳米摩擦学、薄膜和纳米线的推拉（PTP）张力（已获得专利）、直接拉力、SPM成像、电特性模块、高温测试（已获得专利）、旋转和倾斜台（已获得专利），并与使用EBSD，EDS，CBD，TKD和STEM检测器的分析成像兼容。 /p p style=" text-indent: 2em " strong span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 关于Hysitron /span /strong /p p style=" text-indent: 2em " 2017年2月，布鲁克宣布收购纳米力学仪器制造商Hysitron(海思创)。该收购将Hysitron的创新纳米机械测试仪器添加到布鲁克已有的原子力显微镜(AFM)，表面轮廓仪，摩擦学和机械测试系统的产品组合中，大大提高了布鲁克在纳米材料研究市场的领先地位。 /p p style=" text-indent: 2em " Hysitron总部位于明尼苏达州的伊登普雷利，公司自1992年成立以来率先开发了用于测量纳米级材料的机械性能的解决方案。其领先的纳米压痕产品被学术界和工业研究人员用于材料科学、生命科学和半导体领域的应用。除纳米压痕和微压痕外，Hysitron的仪器产品还包括摩擦学、模量映射、动态机械分析、原位SEM(扫描电子)和TEM(透射电子)纳米机械测试。 /p p br/ /p

新华网成都3月26日电 26日,英特尔成都芯片封装测试厂第4.8亿颗芯片下线,最先进的2010全新酷睿移动处理器正式投产。至此,成都成为英特尔全球最大芯片封装测试中心之一。 　　作为中国唯一的英特尔芯片封装测试中心,成都厂已封装测试4.8亿颗芯片,确立了其在英特尔全球布局中的重要地位。2010年下半年,成都工厂还将建设成为英特尔全球集中进行晶圆预处理的三大工厂之一,成为全球封装测试来料的重要供应基地。 　　2009年,英特尔成都封装测试工厂年出口额约占成都出口加工区总额的80%,占四川省加工贸易出口的约30%。成都市委副书记唐川平表示,英特尔落户成都后,对成都加快信息产业集群发展,吸引更多世界知名企业入驻起到积极作用,并助推成都及西部实现经济结构调整和产业升级,迈向世界高新技术产业行列。 　　2003年8月,英特尔宣布投资建设英特尔成都芯片封装测试中心。截至目前,英特尔不断扩大成都厂的生产能力,在成都的总投资额已达到6亿美元。

广东鲁华新材料科技股份有限公司成立于2000年1月，国内以改性塑料为主营的产品及应用服务供应商，致力于为汽车领域. 能源领域. 消费电子客户群体和光电行业为客户提供高性能材料和应用一站式解决方案。感谢广东鲁华新材料科技有限公司对我司维卡软化点测试仪的认可

p style=" text-indent:2em" 8月4日，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。《若干政策》表现出国务院对半导体产业的密切关注和重视。集成电路主要由设计、制造以及封测三大板块组成。2017年，中国集成电路这三块的营收占比分别为38.3%、26.8%、34.9%。相比世界IC产业三业合理占比3:4:3,我国封测行业占比偏高，表明我国封测产业相对先进。 /p p style=" text-indent:2em" 未来随着物联网、智能终端等新兴领域的迅猛发展，先进封装产品的市场需求将会获得明显增强。据统计，我国封测产业规模从2004年的282.60亿元快速增长至2018年的2193.90亿元。2019年，我国封装测试行业市场规模将近2500亿元，预计2020年将超过2800亿元。随着半导体行业进入成熟期，我国晶圆厂的建设迎来高峰，将带动下游封测市场的发展。为规范半导体的封装测试，我国出台了大量的相关标准。 /p h3 一、封装材料标准 /h3 p style=" text-indent:2em" 绝大多数封装采用塑料封装，原材料主要是树脂，其他还会用到金属引线和金属引脚。高端的封装如陶瓷封装，原材料主要是陶瓷，包括基板和管壳，内部也会有金属引线和填充物。对于半导体封装材料，我国制定了相应的国家标准对其进行测定。 /p p img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/7fccdbc5-a8f9-4615-9dab-084fc3927b6d.jpg" title=" 表1.png" alt=" 表1.png" / /p p br/ /p h3 二、封装外形标准 /h3 p style=" text-indent:2em" 半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，对于半导体封装的机械外形，我国也有相应的标准规范。 /p p img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/39c737df-076d-484b-846d-bfd9c29c5588.jpg" title=" 表2.png" alt=" 表2.png" / /p h3 三、封装后性能测试标准 /h3 p style=" text-indent:2em" 封装结束后，还需要对半导体器件的各方面性能进行测试。为了规范半导体的封装后的测试，我国推出了一系列的相关标准。如下表所示 /p p img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/4f6a6b6d-8588-4798-b9e5-9e2fcfd00f21.jpg" title=" 表3.png" alt=" 表3.png" / /p h3 四、其他封装测试相关标准等 /h3 p style=" text-indent:2em" 此外，为了方便半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等，对于封装测试中的各种名称术语，甚至厂房建设等也都有相关联的标准， /p p img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/d026d0c2-0bbb-4a11-9e8b-30bbb832401c.jpg" title=" 表4.png" alt=" 表4.png" / /p p style=" text-indent: 2em " 相关国家标准的发布实施，对半导体封装行业有重要的引导作用，规范了相关行业，也提升了我国封测行业的竞争力。 /p

标准早有规定：对于医用防护型口罩，《GB 19083-2010 医用防护口罩技术要求》中规定了口罩的密合性参数。另外，对于呼吸防护装备，《GB 2626-2019 呼吸防护自吸过滤式防颗粒物呼吸器》与《EN 149 Respiratory protective devices — Filteringhalf masks to protect against particles — Requirements, testing, marking》中规定了泄露率参数。适合因子和泄露率都是用数据来表示口罩与面部的贴合程度，其数据获得原理主要是在真人佩戴口罩的条件下按照要求做动作模拟生活中的运动，同时实时监测口罩内外的颗粒物浓度，通过对应公式计算来获得。经过多年科研攻关，青岛众瑞推出质变新品：ZR-1240型红外热成像穿戴泄露测试仪。这款产品是青岛众瑞参加国家“十三五”传染病防治重大专项的成果转化，为口罩泄漏率的检测方式带来了革命性的改变，真正做到了实时快速检测！那么如此先进的检测方式，这款仪器是如何做到的呢？这主要是依靠人工智能的加持！简单来说，就是能够通过红外成像获得实时口罩内气体流动情况，利用人工智能算法分析判断是否出现泄露，而且算法和人一样还能自己学习，变得越来越准确！ZR-1240是众瑞向着高精尖设备制造迈进的里程碑之作，解决了传统检测方式的不足。智能化的产品不仅适用于口罩生产厂商的质量自控以及其他单位的质量监督，也适用于医院洁净病房、P3/P4级生物实验室以及GMP制剂车间等医疗场所和人流量、车流量大的公共场所（如车站、地铁站、机场、高速检查站、机关单位、学校、银行、商场以及电影院）进行口罩密合度筛查。真正实现了一机打通生产到使用的全部通道，具有极高的普适性。智能机器人应用场景不断扩展，大量产品应用到社会生产生活的方方面面，青岛众瑞也将在生物安全领域不断发力，在个人防护类、实验室检测类与环境采样等方面，助力抗击疫情。我们秉持用心做好仪器的信念，积极推动传统制造业的产业升级，以创新精神实现“中国智造”。

Dansensor® LeakPointer 3 和LeakPointer 3 + 专为气调包装质量把关的离线检漏设备没有人想要在生产线上出现什么意外，更没有人希望发生召回、延期、又或者是包装错误等情况。而目前，我们有了一种简易的方法来避免这些意外发生。Dansensor LeakPointer 3可以非常有效的检测包装过程中存在的问题，快速的检测时间可以帮助您在发生泄漏的时候及早发现，减少损失。专为食品行业而设计，作为一种高精度的设备，可以检测非常小的泄漏。特别是对于产品的保质期及零售期。操作简易：测试设置简单方便，当不同人员及时间操作设备时，可以采用预设值的方式来保证检测的参数的一致。只需要根据设置说明，选择相应产品进行测试，关闭上盖，就可以开始测试。速度更快捷：Dansensor LeakPointer 3可以一分钟内检测6个包装（10秒钟一个循环）。Dansensor LeakPointer 3+ 有更大的腔室适合多种包装测试或非常大的包装测试，而实际测试时间只是需要增加一点点而已。可以检测低至50微米的微小泄漏孔径，所以可以根据测量数据来设置保质期，避免产品浪费。 优点：l 无损测试减少了成本l 确保产品质量l 检测低至50微米的包装泄漏l 用户使用界面与Dansensor其他品牌一致l 具有数据收集及数据共享的功能。l 操作简单Dansensor LeakPointer 3的独特优势l 快速计算出泄漏孔经的大小l 测试时间减少至每循环10秒l 额外选配：Dansensor® PackBaseDansensor LeakPointer 3+的独特优势l 可以同时测试多种包装产品特点：l 专为食品行业设计l 触摸屏操作，操作简单l 可选择扫描仪或使用设定程序来操作l 高级用户可设置更多测试参数l 精度达微米级l 快速抽取真空并吸住上盖l 全自动存储数据l 可通过网线实现每次循环的数据导出l 可连接打印设备（USB）l 对周围环境内的CO2敏感度低 如何工作：l 每一个独特的产品测试程序应当在测试之前便被提前设定完成。选择正确测试程序可使用触屏选择或者扫描选择。l 当测试程序选择完成后，将待测产品放入腔室内并关闭上盖，此时测试将会自动开始l 在测试过程中，用户自定义的真空被测试出来，在封装产品及腔室内产生一个压力差。Dansensor LeakPointer 3将全程感应其中的压力差是否保持一致。如果存在泄漏，压力差将会导致包装内的CO2泄漏至腔室内，整个测试过程将持续10-35秒钟，根据用户自定义设置l 当自动检测完成后，屏幕上将会显示OK 或者leak，清除相应指示如果泄漏或者没有泄漏。对于单个包装检测来说，测试结果将会显示出更多数据，像孔经直径的微米大小等，对于多个包装同时检测模式来说，测试结果将会显示腔室内CO2的ppm值的增加值 参数配置Dansensor LeakPointer 3Dansensor LeakPointer 3+包装类型软性或硬质包装，单独包装软性或硬质包装，多种类型的包装可测量的最大尺寸（见上图）有Dansensor Packfix 的：W1=325, W2=295H1=40, H2-86没有Dansensor Packfix的W1=325, W2=268H1=40, H2=110W1=465, W2=363H1=40, H2=155电源100-260VAC, 50/60Hz115VAC, 60Hz /230VAC, 50Hz大小及重量盖子打开：543mm X 400mm X 617mm (HxWxD)20kg盖子打开：751mm X 555mm X 812mm (HxWxD)50kg气源5.5±0,5bar (venturi 真空系统)真空泵集成腔室真空低至-750mbar低至-800mbar技术参数传感器类型NDIR CO2传感器，单独电缆产品内包含CO2浓度低至10%环境温度使用温度：+5℃-+35℃存储温度：-20℃-+60℃环境湿度使用环境湿度：10-90%RH，无冷凝水存储环境湿度：低于95%RH，无冷凝水环境CO2浓度最大不高于4500ppm，建议低于1500ppm最小测量精度50微米产品数量（测试程序）100存储数据容量高于1000000次测试数据连接2XUSB,1XLAN RJ45，气管接口为6mm（仅Dansensor LeakPointer 3）执行CE可选校准每12个月 创新点：专为食品行业而设计，作为一种高精度的设备，可以检测非常小的泄漏。特别是对于产品的保质期及零售期。 操作简易：测试设置简单方便，当不同人员及时间操作设备时，可以采用预设值的方式来保证检测的参数的一致。只需要根据设置说明，选择相应产品进行测试，关闭上盖，就可以开始测试。 速度更快捷：Dansensor LeakPointer 3可以一分钟内检测6个包装（10秒钟一个循环）。Dansensor LeakPointer 3+ 有更大的腔室适合多种包装测试或非常大的包装测试，而实际测试时间只是需要增加一点点而已。 可以检测低至50微米的微小泄漏孔径，所以可以根据测量数据来设置保质期，避免产品浪费。 Dansensor 密封测试仪 LeakPointer 3

肉类水分快速测试仪需要用检测试剂吗，肉类水分快速测试仪一般不需要使用检测试剂。这种仪器通常采用物理方法，如烘干法或电阻法等，来直接测量肉类的水分含量。在使用肉类水分快速测试仪时，用户需要将仪器的检测探头针状电极插入被测样品的肌肉中（避免插入脂肪、筋腱、骨头和空气中），然后按照仪器的操作步骤进行测量。测量过程中，仪器会自动计算出基准值并显示结果。然而，需要注意的是，不同的肉类水分快速测试仪可能具有不同的操作方法和测量原理，因此在使用前建议仔细阅读仪器的说明书，并遵循正确的操作步骤和注意事项。此外，还有一种肉类水分检测试纸盒的方法，这种方法需要使用检测试纸来间接判断肉类是否注水。这种方法虽然简便快速，但并不能直接测量肉类的水分含量。因此，如果需要准确测量肉类的水分含量，建议使用肉类水分快速测试仪。

Copley创建于1946年的英国诺丁汉，是全球知名的药物检测仪器研发和制造商，为全球超过96个国家的用户提供药物测试解决方案和仪器。而在这些仪器中，Copley研发专家创新地设计了一款用于评估清洁剂清洁效果的测试仪器，为客户带来清洁剂测试的更高效、节能而准确的方法。“背景资料大家日常使用的清洁剂有洗衣粉、洗衣液、洗洁精等等，这些清洁剂需要有良好的清洁力，在相对低温的溶剂中也能达到良好的清洗效果，又要对环境的影响降到zui低。 传统的测试方法往往需要更大的实验空间、比较大的噪音、更大的能量消耗、测试效率 也比较低。需要有一种比传统方法更适合于日常检测的、实用的、可靠的、重复性好的，性价比高的测试方法，Copley研发的TRG 800i清洁剂测试仪就是这类仪器。“测试方法简介影响清洁剂洗涤效果的因素一般有：洗涤剂浓度、水温、水的硬度、pH值 、漂白性、洗涤时间、冲洗时间、洗涤程序和污染程度等等。洗衣粉/洗衣液类清洁剂主要由表面活性剂、缓冲剂、酶、合成分子、芳香剂、增白剂组成。评价这类产品需要考虑以下方面：去污效果、防沉积、不掉色和抗染色等。测试材料：特定污物污染后的一定材质的纺织物，样品尺寸为12.5*5/6cm或8*8cm。洗洁精类产品有粉态、液态、凝胶态、片状等，由表面活性剂、漂白、酶、润湿剂等组成。评价这类产品需要考虑以下方面：去油污效果、防沉积和光亮度等。测试材料：模拟瓷、玻璃和不锈钢表面的预污染瓷材，样品尺寸为 7.5*2.5cm。“Copley TRG 800i清洁剂测试仪介绍在上述背景下，Copley TRG 800i清洁剂测试仪应运而生。她比传统方法有以下优点：1) 8个样品同时做，效率提升，结果平行性好；2) 测试参数精zhun可控；3) 更少的样品、试剂和材料消耗；4) 体积小巧，节约实验室空间。5) 选配制冷模块，模拟常温或低温条件下清洗。6）触摸屏操作，方便快捷。7）模拟洗衣机清洗，单向或双向转动。8）数据可打印导出，或输出到电脑。“Copley TRG 800i清洁剂测试仪技术参数

p 　　仪器信息网讯 4月24日， “CHINAPLAS 2018 国际橡塑展” 于上海虹桥的国家会展中心拉开璀璨帷幕。CHINAPLAS 2018围绕“创新塑未来”的主题，携手全球40个国家及地区的3,948家展商，展会面积突破34万平方米，相比两年前在上海举办的展会已增加近10万平方米。展会特设“辅助设备及测试仪器专区”，约160家相关企业参展，其中近半为橡塑相关的各类测试仪器生产销售企业，如：试验机、包装检测仪器、颜色测试仪器、老化试验设备、热分析仪器等。仪器信息网编辑作为本次展会认证专业记者，汇集部分主流仪器设备生产企业及其特色产品，以飧读者。截止至本报道发出，CHINAPLAS & nbsp 2018专业观众已经突破15万人，其中约1/4为海外观众。 /p p style=" text-align: center " img title=" 测试仪器专区_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/f100cccf-374a-45d9-9733-9f956a5211f4.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　辅助设备及测试仪器专区 /p p 　　 strong 包装检测仪器云集 /strong /p p 　　“包装”无处不在，作为最重要的包装原材料——橡塑，各类包装检测仪器自然不会错过本次橡塑展。水蒸汽透过率测定仪、氧气透过率测定仪、撕裂度试验机、摩擦系数测定仪、总迁移量测定仪等产品云集，国际、国内包装检测仪器生产主流企业悉数到场。 /p p 　　济南兰光机电技术有限公司(Labthink)3年前开始发展自主传感器技术，在国内总部和美国总部的研发中心共同努力下，今年掌握了自主专利的传感器核心技术。本次展会带来了基于自主专利传感器技术的C系列包装阻隔性检测仪器。主要包括基于库伦氧气分析传感器和等压法测试原理的C230氧气透过率测试系统， 以及基于红外法水分分析传感器的测试原理的C390水蒸气透过率测试系统。两款仪器为高、中、低阻隔性材料提供了宽范围、高效率的氧气/水蒸气透过率检测试验。可以预计，2018年将是Labthink产品和技术大爆发的一年。据透露，“Labthink通过搭载这颗强劲的引擎，将陆续推出一系列触及现阶段测试极限的高端包装阻隔性检测仪器新品，精度和稳定性将优于进口品牌仪器。” /p p style=" text-align: center " img title=" 济南兰光_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/7c8b864b-9937-46f9-8ec5-e54fad7a2fc7.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　济南兰光机电技术有限公司 /p p 　　成立于2002年的广州标际包装设备有限公司同样不容小觑，在传统的优势产品氧气透过率分析仪、水蒸气透过率分析仪之外，特别展示了颇具特色的全自动总迁移量测定仪，相比现有测试方法，能为用户节约大量的试验时间。 /p p style=" text-align: center " img title=" 标际_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/811992d3-42d2-445f-9d36-92e94ef5d6fe.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　广州标际包装设备有限公司 /p p 　　美国工业物理集团手握12个品牌的各类产品可应用于材料物理性能测试，在包装、金属、橡塑行业应用广泛。针对本次展会，特别展示Systech Illinois氧气透过率分析仪、水蒸气透过率分析仪，以及TMI摩擦系数仪、Ray-Ran溶指仪等产品。 /p p style=" text-align: center " img title=" 美国工业物理_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/8ff2a463-2cc8-4d04-b5a6-77ea28a0bcc3.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　美国工业物理集团 /p p 　　济南思克测试技术有限公司、山东德瑞克仪器有限公司等更多的企业带来品种丰富的各类包装测试专用设备，共同成就了橡塑展的包装测试仪器设备的盛会。 /p p style=" text-align: center " img title=" 济南思克_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/b9b1fafc-9278-4daa-a573-49c64b43587d.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　济南思克测试技术有限公司 /p p 　　 strong CMF 灵感之源 /strong /p p 　　ChinaPlas2018同期活动“设计 x 创新：CMF 灵感之源”以CMF(Color 色彩，Material 材料的运用 & amp Finish 表面处理工艺)为主轴，开启两大活动：“CMF 灵感库”及“CMF 设计论坛” 成功的品牌在选择色彩(Color)、材料(Material)及表面处理工艺(Finish)方面特别讲究，因 CMF 在产品设计中极其重要，直接主宰着用户的产品体验。本次展会测配色仪器重磅玩家纷纷与会，如：柯尼卡美能达(中国)投资有限公司、爱色丽(上海)色彩科技有限公司、德塔颜色商贸(上海)有限公司等，亦不乏众多国内生产企业。产品覆盖色差计、分光光度计、配色仪等，手持式、便携式、台式均备。其中德塔带来的可连接到手机的手持式色差计吸引众多观众的关注。 /p p style=" text-align: center " img title=" 柯尼卡美能达_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/429fdfca-4225-4d9a-8c12-e57bc22f191d.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　柯尼卡美能达(中国)投资有限公司 /p p style=" text-align: center " img title=" 德塔颜色_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/46cc2539-d6fa-4214-8444-52f0f2c39248.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　德塔颜色商贸(上海)有限公司 /p p style=" text-align: center " img title=" 爱色丽_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/e43525b9-171f-4d63-a227-00eaced9440d.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　爱色丽(上海)色彩科技有限公司 /p p 　　 strong 百花齐放才是春 /strong /p p 　　试验机、包装检测仪器、颜色测试仪器层出不穷 热分析仪器、耐候试验箱、在线测厚仪等产品同样精品不断。 /p p 　　日立仪器(上海)有限公司，带来热分析系列产品，STA7000热重-差热同步热分析仪、DSC7000X高敏感度差式扫描量热仪、DMA7100动态热机械分析仪等。其中STA7000热重-差热同步热分析仪这款设备，与同类产品相比，独具样品实时观测系统。通过样品实时观测系统，在样品加热的同时，看到样品在加热过程中的实际变化过程，这对于材料开发研究提供了一个有用的功能。此外，针对欧盟RoHS指令2.0的实施，日立仪器推出全新的、独具特色的邻苯二甲酸酯筛选装置HM1000，HM1000可实现10分钟内完成单个样品的高速筛选测定。 /p p style=" text-align: center " img title=" 日立_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/5537c961-ed27-4547-bdcb-22ebc509003a.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　日立仪器(上海)有限公司 /p p 　　赛默飞世尔科技虽然只带来几台仪器，一台在线测厚仪依然非常抢眼 但却也夺不过为用户展示的聚合物和塑料完整解决方案和材料表征解决方案的风采，尤其是利用其自身产品线丰富的优势，其聚合物和塑料完整解决方案颇具特色，整合了在线测量解决方案、流变仪、粘度计、红外光谱仪、拉曼光谱仪、手持塑料分析仪，针对聚合物起花、隆起等问题，提供分析可能的原因、如何测量、如何识别问题的不同配置。 /p p style=" text-align: center " img title=" 赛默飞世尔_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/6f44e33c-142b-452b-94f1-57152fef4430.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　赛默飞世尔科技 /p p 　　美国Q-LAB公司，服务塑料行业60年，为塑料行业提供耐候测试解决方案，苏州广名发贸易有限公司为其橡塑行业的独家代理在展示氙灯老化试验箱。标格达精密仪器(广州)有限公司展示不同规格的氙灯老化试验箱，均配备进口氙灯。 /p p style=" text-align: center " img title=" q-lab_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/3e8a85b3-d057-4955-977d-e68d4192fe60.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　美国Q-LAB公司 /p p 　　深圳市高精达精密工具有限公司展出的橡胶硬度计定压测试台、全自动橡胶硬度测试仪等产品也得到观众的青睐。 /p p style=" text-align: center " & nbsp img title=" 国际橡塑展_副本.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201804/insimg/be9dad19-2f56-4c6b-a092-2d905e8697ea.jpg" / /p

对于参与北京奥运会的运动员的违禁药物的独立检查将多达大概4500项，为了跟上不同违禁药物化合物的改变和伪装的步伐，由安捷轮公司提供的测试仪器必须不断地更新气相检测、液相检测和质谱仪检测的的兴奋剂分析。 　　中国反兴奋剂中心(China Anti Doping Agency, CADA)会负责这次奥运会的禁药检查，CADA已经获得了国际反兴奋剂机构的认证，对任何运动员的禁药的测试可以在任何时候、任何地点、无争议的进行。但一些运动员也许还是想钻空子。 　　“近年来，反兴奋剂调查越来越有挑战性，”安捷伦公司的产品经理Terry Sheehan表示，“运动员已经不会采用容易被检出的兴奋剂和止痛剂。他们会采用一些新的化合物，这些药物会模拟成为正常的生理活动的一部分。这种猫捉老鼠的游戏需要新的分析方法。” 　　首次在奥运会的禁药测试在1972年进行，采用了安捷伦的测试设备对改变机体的化合物进行测试，比如能减轻疲劳的安非他明。从那时开始，不断有许多新的药物被加入禁药清单，比如可以在比赛前几个月停止注射的类固醇。安捷伦运营了独立的测试实验室研究独立增强的仪器并研发测试方法来检测那些甚至是模仿人体自然机能的化合物，比如，类固醇睾丸激素与自然差生的单原子结合的睾丸激素就不一样。 　　成千上万的化合物 　　在禁药清单上有兴奋剂、镇静剂、合成代谢物、类固醇、利尿剂、缩氨酸和相应的化合物等等。总体来说，有400多种物质和上千种化合物需要得到测试。CADA估计在这届夏季奥运会要做4500项样本测试。另外，实验室在这个八月会加班加点工作来寻找新的药物变种。 　　CADA使用的安捷伦设备与用于国家安全、犯罪调查和环境监控、食物筛选所用的设备是差不多的。近几年来，安捷伦提高了设备的灵敏度来跟上使用者为逃避检查进行的更为复杂的变化。如今的测试仪器在运动员提前十个月停止使用合成类代谢固醇的情况下也能检测出来。尿检对所有测试都是适用的，如果尿检有嫌疑的话会进行血液检查。 　　对于任何时间和地点收集来的测试样本，最后要做的是安捷伦7890A气相色谱仪检查，7890A能分开样本不同的化合物，将违禁药物同正常的生理分子分开。样本加热蒸发后，气体进入7890A的分离部分，因为成份分子不同的重量，通过分离器的速度各不相同(轻的分子更快的通过分离器)。通过测试通过分离器的成分的不同速度、数量和顺序，测试者可以分析样本含有的违禁药物成分。但一些化合物，比如缩氨酸荷尔蒙，会在蒸发的过程中被破坏掉，这时就需要先进行液相检测。与7890A通过测试分子重量分辨成分类似，安捷伦1200系列液相色谱仪将样本溶液通过分离器。分离液体比分离气体耗费的时间长，但可以检测那些会被加热蒸发破坏的物质。 　　Sheehan表示：“一般来说四分之三的物质都可以通过气相检测出来，不过需要液相检测的药品越来越多，因为目前很多新的化合物都会被蒸发破坏。” 　　如果气体或者液体测试显示出可疑的物质，样本就会采用质谱分光检测器检测，以分辨出该成分或其化合物。质谱仪测试出可疑物质的分子量，并于已知的违禁药物的分子式进行对应，这样就能提供一个明确的结果。 　　为了进行实时检测，CADA实验室为每台气相或液相测试仪都配备了质谱仪，一共有19套气相/质谱测试系统和18套液相/质谱测试系统。

9月22日，佛山市联动科技股份有限公司（简称：联动科技）成功登陆创业板。公司本次公开发行股票1160.0045万股，占发行后总股本的比例为25.00%。本次募集资金项目包括半导体封装测试设备产业化扩产建设项目、半导体封装测试设备研发中心建设项目、营销服务网络建设项目、补充营运资金。其中半导体封装测试设备产业化扩产建设项目达产后将具备年产1180台/套半导体自动化测试系统和 340 台/套激光打标及其他机电一体化设备的生产能力。联动科技成立于1998年，专注于半导体行业后道封装测试领域专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体自动化测试系统、激光打标设备及其他机电一体化设备。据招股书披露，半导体自动化测试系统主要用于检测晶圆以及芯片的功能和性能参数，包括半导体分立器件（功率半导体分立器件和小信号分立器件）的测试、模拟类及数模混合信号类集成电路的测试，广泛应用于半导体产业链从设计到封测的主要环节，包括芯片设计验证、晶圆制造中的晶圆检测和封装完成后的成品测试；激光打标设备主要用于半导体芯片的打标，应用于半导体后道封装环节。招股书显示，联动科技自成立以来，一直坚持自主创新，旗下产品填补国内技术空白。在集成电路测试领域，公司 QT-8200 系列产品是国内少数能满足Wafer level CSP（晶圆级封装）芯片量产测试要求的数模混合信号测试系统之一，能提供高质量的系统对接和测试信号，具备256工位以上的并行测试能力和高达 100MHz 的数字测试能力，产品性能和指标与同类进口设备相当。在功率半导体分立器件测试领域，公司近年来推出的 QT-4000 系列功率器件综合测试平台，能满足高压源、超大电流源等级的功率器件测试要求，测试功能涵盖直流及交流测试并能够进行多工位测试的数据合并，包括但不限于直流参数测试（DC）、热阻（TR）、雪崩（EAS）、RG/CG（LCR）、开关时间（SW）、 二极管反向恢复时间（TRR）、栅极电荷测试（Qg）以及浪涌测试等，是目前国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一。在小信号分立器件测试领域，公司旗下 QT-6000 系列产品是国内较早实现自主研发、生产的高速分立器件测试系统之一，能够满足小信号器件多工位并行测试要求，具有较高的测试效率。QT-6000 系列产品的测试的 UPH 值可达 60k，达到国际先进水平。联动科技深耕半导体后道封装测试专用设备领域 20 余年，目前在国内半导体分立器件测试系统市场占有率在20%以上。在模拟及数模混合集成电路测试领域的市场开拓情况良好，2019年-2021年营业收入分别为1.48亿元、2.02亿元、3.44亿元，实现净利润分别为3174.01万、6076.28万、1.28亿，保持较快增长。近年来随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，先进封装技术越来越受到半导体行业的关注，成为行业的研究热点，基于此，仪器信息网联合电子工业出版社特在“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会上设置了“封装及其检测技术”，众多行业大咖将详谈封装工艺与技术。主办单位：仪器信息网电子工业出版社直播平台：仪器信息网网络讲堂平台会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/semiconductor20220920/会议形式：线上直播，免费报名参会（报名入口见会议官网或点击上方图片）点击图片免费报名抢位

ROCK HILL, S.C. – SDL Atlas一直致力于技术创新，开发新的台式 PnuBurst测试仪器，此仪器内已预先设定好测试程序，使用便捷，非常适合只需要一般性爆破测试的客户群体，但不可代替受许多企业青眯的AutoBurst测试仪器。 　　不管是公司新型号PnuBurst胀破强度测试仪，还是公司原有型号AutoBurst数字式自动胀破强度测试仪，都符合国际安全与测试标准。可用于检测梭织、无纺布、纸、纸板和薄膜，具有重复性和准确性。 　　PnuBurst属于经济的台式爆破测试仪 主要采用气动爆破装置 彩色触摸屏 用户预先选择好测试要求、自动测试夹持杯尺寸和探测夹持环，然后按要求预先设定程序控制。 PnuBurst操作非常方便，爆破测试功率达到1500kPa (15bar, 217psi.) 。 　　配有USB 端口、数据线和可随身带的软件，方便用户保存和分析测试数据，通过简单地观测和记录PnuBurst显示屏上的结果，就可简化日常的工作。 　　对于需要更为复杂爆破测试的用户，SDL Atlas的全自动AutoBurst数字式自动胀破强度测试仪，采用传统的液压技术，功率达到6000kPa (60bar, 870psi)– 性能明显优于其他品牌同类产品。AutoBust可检测纸、服饰用纺织品、技术纺织品和其它对爆破强度要求相当重要的相关材料。 　　此外关于测试夹持杯的选择，SDL Atlas的爆破测试仪可测最大面积达到直径为 70mm – 对弹性织物的精确测试至关重要。 　　SDL Alta可为用户提供一站式的全面的纺织测试品、物料、消耗品及服务。我们在英国、美国、香港及中国均设有办事处，并在全球100多个国家设有代理处。SDL Atlas可以为全球各地的客户提供全方位的服务。我们的目标是为客户提供最优惠、最完善的解决方案。

注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪的原理与应用在现代医疗与制药行业中，注射剂瓶作为药物传输的关键容器，其密封性与安全性直接关系到患者的健康与生命安全。而注射剂瓶的胶塞，作为连接瓶体与外部世界的“门户”，不仅需具备良好的密封性能，还需在药物输送过程中承受各种穿刺操作而不失效，确保药物的无菌、无污染传递。因此，使用三泉中石的注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪CCY-02对其进行穿刺力测试，成为了保障药品质量与患者安全不可或缺的一环。注射剂瓶胶塞的使用用途与重要性注射剂瓶胶塞，作为药品包装系统的重要组成部分，其主要功能在于提供可靠的密封屏障，防止药品在储存和运输过程中受到外界污染，同时确保在药物使用过程中（如注射给药）能够顺利穿刺而不泄漏。其材质多为橡胶或热塑性弹性体，需具备良好的弹性、耐化学性、生物相容性及适当的硬度，以适应不同药物的存储需求和穿刺操作。穿刺力测试的必要性与意义随着医疗技术的不断进步和药品包装的多样化发展，对注射剂瓶胶塞的性能要求也日益严格。穿刺力测试作为评估胶塞质量的重要手段之一，旨在模拟实际使用过程中穿刺针或输液针等医疗器械对胶塞的穿刺行为，通过量化分析穿刺过程中的力值变化与位移变化，评估胶塞的耐穿刺性能、密封保持能力及可能的破损风险。这对于确保药品在传输过程中的完整性和无菌性至关重要，直接关系到患者的用药安全与治疗效果。注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪的测试原理与技术应用济南三泉中石的注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪CCY-02采用力学测试技术，将试样装夹在测试仪器的两个夹头之间，通过精密控制的相对运动，使标准要求的穿刺针以恒定速度或预设条件刺入试样。在此过程中，仪器实时记录并显示穿刺力（即刺破试样所需的最大力）和拔出力（即将穿刺针从试样中拔出时所需的力）等关键参数。这些数据不仅反映了胶塞的物理强度特性，还能揭示其潜在的密封失效风险，为产品设计与质量控制提供科学依据。注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪的广泛应用领域由于穿刺力测试技术的广泛适用性和重要性，其应用范围已远远超出了注射剂瓶胶塞本身，涵盖了各种薄膜、复合膜、电池隔膜、人造皮肤、药品包装用胶塞、组合盖、口服液盖以及各类医疗穿刺器械（如注射针、穿刺针、输液针、采血针等）的穿刺力强度试验。这些测试在质检中心、药检中心、包装厂、药厂、医疗器械厂等单位得到了广泛应用，成为保障产品质量、提升生产效率、降低安全风险的重要工具。总之，三泉中石的注射剂瓶胶塞穿刺力测试仪CCY-02作为现代医疗与制药领域的一项重要检测设备，通过科学、精准的测试手段，为药品包装与医疗器械的安全性与有效性提供了坚实保障。

【自动 连续 温控 安全 智能】全自动热变形维卡软化点测试仪实机展示：让测试更加简单！ Easy！！”◆ 独特全自动机械手设计，可自动进行试样加载、自动测试、自动冷却、自动回收、自动更换样条，可连续测试多达120个样品，实现夜间无人化运行模式； ◆ 内置冷冻机，采用双管冷却系统，具有稳定的温升精度，可在30分钟内，由250℃快速冷却至23℃，便于快速开始下一个试验； ◆ 压力杆尖端可更换，系统可同时进行DTUL测试和VICAT测试，此外还可以专门进行球压测试。适配标准：GB/T1633,1634；ISO-75-1,306；ASTM-D648；JIS-K7191-1；K7206；D1525；IEC-335-1。

药典0952第四法 贴膏剂黏着力测试仪在现代医药领域，贴膏剂、贴剂、橡胶膏剂及凝胶剂等外用制剂因其使用方便、疗效显著而备受青睐。这些制剂的黏附性能直接关系到其治疗效果与患者使用的舒适度。因此，准确测定这些产品的黏着力成为制药厂家、药检机构等单位的重要任务之一。依据《中国药典》中的0952黏附力测定法第四法要求，济南三泉中石研制了一款高性能的NLT-30S贴膏剂黏着力测试仪，旨在为行业提供精准、可靠的测试解决方案。一、仪器概述本NLT-30S贴膏剂黏着力测试仪专为贴膏剂、贴剂、橡胶膏剂、凝胶剂及医用辅料等材料的胶粘表面设计，能够精确测量这些材料在敷贴于模拟皮肤或实际皮肤后所产生的黏附力大小。其独特的卧式结构结合精密丝杠传动系统，确保了测试过程中的位移精度与稳定性，为科研与生产提供了坚实的技术支撑。二、济南三泉中石的NLT-30S贴膏剂黏着力测试仪-技术特点1.高精度传动系统：采用精密丝杠传动，有效减少传动过程中的摩擦与误差，确保测试结果的准确性。2.微电脑控制器：内置高性能微电脑控制器，实现测试过程的自动化控制，包括测试参数的设定、数据采集与处理、结果显示与打印等，操作简便快捷。3.微型打印机：配备微型打印机，可即时打印测试报告，便于数据记录与存档。4.广泛适用性：不仅适用于贴膏剂、贴剂等传统剂型，还兼容凝胶剂、医用辅料等多种材料的黏着力测定，满足多样化测试需求。三、济南三泉中石的NLT-30S贴膏剂黏着力测试仪-应用领域制药厂家：在产品研发、质量控制及生产过程中，使用本仪器对贴膏剂、贴剂等产品的黏附性能进行定期检测，确保产品质量符合标准。药检机构：对市场上流通的贴膏剂、贴剂等产品进行抽检，保障公众用药安全。科研机构：在药物研发、材料科学等领域，用于研究不同配方、工艺对黏附性能的影响，推动技术创新与进步。