894.6 nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs
总览垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。中心波长894.6nm输出功率0.3mW技术参数应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片 芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 894.6 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值 Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流(保持单模)直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值1.5 mA正向电流直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值3 mA反向电压 不适合反向操作ESD 耐电压acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)VESD最大值250 V 注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成永久性损坏。 特点Ta = 80°C, IF = 1.4 mA DC = 100% - Group 3 参数符号值正向电流VF典型值1.78 V输出功率Φ典型值0.3 mW阈值电流Ith典型值0.61 mA斜率效能SE典型值 0.37 W / A单模抑制比SMSR最小值20 dB偏振消光比5)PER最小值15 dB峰值波长λpeak-v最小值 典型值最大值894.1 nm894.6 nm895.1 nm光谱线宽度Λlinewidth最大值100 MHz调频调制带宽Fm最小值4.6 GHz波长温度系数TCλ典型值0.06 nm / K半峰全宽处视场(50% of Φmax)φxφY 典型值典型值12°12°1/e2处 视场φxφY典型值典型值20°20° 注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。