数字式导电率仪

数字式绝缘电阻测试仪 温度影响温度对不同物质的电阻值均有不同的影晌。导电体 在接近室温的温度，良导体的电阻值，通常与温度成线性关系：ρ=ρ0(1+αt)上式中的 a 称为电阻的温度系数。未经掺杂的半导体的电阻随温度升高而下降：有掺杂的半导体变化较为复杂。当温度从零度上升，半导体的电阻先是减少，到了绝大部分的带电粒子 （电子或电洞/空穴） 离开了它们的载体后，电阻会因带电粒子的活动力下降而随温度稍为上升。当温度升得更高，半导体会产生新的载体 （和未经掺杂的半导体一样） ，原有的载体 （因渗杂而产生者） 重要性下降，于是电阻会再度下降。绝缘体和电解质 绝缘体和电解质的电阻与温度的关系一般不成比例，而且不同物质有不同的变化，故不在此列出概括性的算式概述 本仪器既可测量超高电阻，又可测极微弱电流。具有精度高、显示迅速、稳定性好、读数方便, 适用于防静电产品 如防静电鞋、防静电塑料橡胶制品、计算机房防静电活动地板等电阻值的检验以及绝缘材料和电子电器产品的绝缘电阻测量。本仪器除能测电阻外，还能直接测量电流如电子器件暗电流等。 符合标准：GB/T 1410-2006 固体绝缘材料 体积电阻率和表面电阻率试验方法GB 12014 防静电工作服GB/T 20991-2007 个体防护装备 鞋的测试方法GB 4385-1995 防静电鞋、导电鞋技术要求GB 12158-2006 防止静电事故通用导则GB 4655-2003 橡胶工业静电安全规程GB/T 12703.4-2010 纺织品 静电性能的评定 第4部分 电阻率GB/T 12703.6-2010 纺织品 静电性能的评定 第6部分 纤维泄漏电阻GB 13348-2009 液体石油产品静电安全规程GB/T 15738-2008 导电和抗静电纤维增强塑料电阻率试验方法GB/T 18044-2008 地毯 静电习性评价法 行走试验GB/T 18864-2002 硫化橡胶 工业用抗静电和导电产品 电阻极限范围GB/T 22042-2008 服装 防静电性能 表面电阻率试验方法GB/T 22043-2008 服装 防静电性能 通过材料的电阻（垂直电阻）试验方法GB/T 24249-2009 防静电洁净织物GB 26539-2011 防静电陶瓷砖 Antistatic ceramic tilesGB/T 26825-2011 抗静电防腐胶GB 50515-2010 导（防）静电地面设计规范GB 50611-2010 电子工程防静电设计规范GJB 105-1998-Z 电子产品防静电放电控制手册GJB 3007A-2009 防静电工作区技术要求GJB 5104-2004 无线电引信风帽用防静电涂料及风帽静电性能通用要求标准配置：1,测试仪器：1台2,电源线：1条3,测量线：3根（屏蔽线,测试接线,接地线）4,使用说明书：1份5，电极：1套参数：01电阻测量范围1×104Ω ～1×1018 Ω 02电流测量范围2×10-4Ａ ～1×10-16Ａ 03显 示 方 式数字液晶显示 04 测试电压（V） DC—10VDC—50VDC—100VDC—500VDC—1000V（任意切换） 05基本准确度1% (*注) 06使用环境温度：0℃～40℃，相对湿度80% 07供电形式AC 220V，50HZ，功耗约5W 08仪器尺寸285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm 09仪器质量约5KG注意事项仪器使用前请仔细阅读以下内容，否则将造成仪器损坏或电击情况。1.检查仪器后面板电压量程是否置于10V档，电流电阻量程是否置于104档。2.接通电源调零，（注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接）在“Rx”两端开路的情况下，调零使电流表的显示为0000。然后关机。3.将待测试样平铺在不保护电极正中央，然后用保护电极压住样品，再插入被保护电极（不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路）。 4.测体积电阻时测试按钮拨到Rv边，测表面电阻时测试按钮拨到Rs边，5.接好测试线，将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档，打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如：GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定，那么电压就要升到500V)6.电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨档，每拨一次停留1-2秒观察显示数字，当被测电阻大于仪器测量量程时，电阻表显示“1”，此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下，在1min的电化时间后测量电阻，当前的数字乘以档次即是被测电阻。7.测试完毕先将量程拨至（104）档，然后将测量电压拨至10V档， 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8.应在“Rx”两端开路时调零，一般一次调零后在测试过程中不需再调零。9.禁止将“RX”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。10.不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11.测量时从低次档逐渐拨往高次档。12.接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分。13.不得测试过程中不能触摸微电流测试端。14.在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15.严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。16.严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档，更换试样。主要特点 电阻测量范围 1×104Ω ～1×1018 Ω； 电流测量范围 2×10-4Ａ ～1×10-16Ａ； 体积小、重量轻、准确度高； 独特的被测电阻、和流过电阻的电流双显示，使操作测量更加方便； 性能稳定、读数方便； 既能测电阻又能测电流； 测试电压有六种选择DC10V、50V、100V、250V、500V、1000V； 使用操作简便，在任何电阻量程和测试电压下均直接读显示数字结果，免去要乘以一个系数的麻烦，使测量超高电阻就如用万用表测量普通电阻样简便。

产品参数测量原理导电性应用Surface water + waterWaste waterProcess industryMedia separationIndustrial water特点Digital 2-electrode conductivity sensor测量范围k=1: 10 μS/cm to 20 mS/cm测量原理Conductive conductivity cell with graphite electrodes设计2-electrode conductivity cell with parallel arranged electrodes材质Sensor shaft: PESElectrodes: graphite外形尺寸Diameter: 24 mm (0.94 inch)Length: 61 mm (2.40 inch)过程温度-20 to 135 °C at 3.5 bar abs(-4 to 275 °F at 50 psi)过程压力17 bar abs at 20 °C(246 psi at 68 °F)温度传感器Pt1000防爆认证ATEX, CSA, NEPSI, EAC Ex, IECEx, INMETRO连接Process connection: DN25, DN40, G1, NPT 1"Sensor connection: Inductive, digital connection head with Memosens 2.0 technology防护等级IP68应用领域Memosens CLS21E电导率传感器，坚固耐用，适用于中电导率范围的各类水质测量。可靠输出高精度测量值，实现最优质量监测。传感器耐腐蚀，具有高机械稳定性，保证长使用寿命。CLS21E采用Memosens2.0 数字技术，具有最高过程和数据完整性，并且操作简单， 是实施预维护和推进IIoT技术的完美基础。Memosens CLS21E在各类水应用场合中测量，例如：自来水脱盐装置工业水处理河水或湖水监测通过国际防爆认证，例如：ATEX、FM、CSA和NEPSI，数字式传感器可以在危险区中使用。优势在中电导率范围内测量，可靠输出高精度测量值，实现最优质量监测。坚固耐用，强耐腐蚀性，低维护工作量：传感器不受腐蚀的影响，具有高机械和化学稳定性。质量证书中标识精确电极常数，保证高精度测量结果。采用非接触式感应信号传输方式，保证高过程和数据完整性。采用Memosens 2.0技术，传感器内保存大量标定和过程参数， 是实施预维护和推进IIoT技术的完美基础。成功案例法国Grand Belfort地区安装的饮用水分析面板安装饮用水分析面板，监测各类饮用水水质参全方位无忧分析面板瑞士Frasnacht水处理厂采用水分析面板轻松实现连续饮用水监测。轻松合规Liquiline System CA80PH自动监测磷酸盐，帮助Pasfrost食品厂实现工业生产废水始终合规排放。

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。