图像传感器

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  • 安徽天光传感器有限公司
    安徽天光传感器有限公司创建于1991年，占地面积22000平方米。主要研发、生产、销售：称重传感器,电力覆冰检测传感器,扭矩传感器,拉力传感器,轴销传感器,压力传感器,拉压力传感器以及相配套测控仪表等产品。二十多年来天光不断吸取国内外的先进技术，引进国外领先的设备与工艺，学习与吸收现代企业管理理念，先后研发、生产了百余种测力传感器及配套仪器仪表，产品广泛应用于军工、航空航天、油田、交通、医药、冶金建材、教学等行业的计量与自动化过程中的检测等方面，其半导体应变计的生产工艺、设备及产量为国内领先，已申报发明专利。2008年我公司荣幸为北京奥运会主体育场鸟巢提供专用传感器，并获得好评。 陈圆圆180 5523 0933
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  • 湖北五岳传感器有限公司
    湖北五岳传感器有限公司是中国第一支高温熔体压力传感器的诞生公司，成立20多年来，一直专注于PT111系列、PT124系列、PT131、PY1366B、PT167B系列传感器，压力传感器，压力变送器，高温压力传感器，熔体压力传感器，流体压力传感器，高温熔体压力传感器，高温熔体压力变送器，挤出机熔体压力传感器，化纤挤出机压力传感器，橡胶挤出机压力传感器，塑料机械熔体压力传感器，工业熔体压力传感器，和PY909、PY208、PY508、PY600、PY708系列高温熔体压力传感器智能数字显示压力仪表的开发，研制，销售及工程配套。是国内替代同类进口高温熔体压力传感器产品的最大生产商。五岳牌高温熔体压力传感器，变送器系列及高温熔体压力传感器智能数显仪表等产品在塑料，化纤，橡胶，石化等诸多工业门类的应用始终居于领导地位。五岳系列高温熔体压力传感器、高温熔体压力变送器、智能数字显示压力仪表还出口到东南亚、港澳台、韩国、中东及世界其它地区。同时维修美国DYNISCO意大利GEFRAN的同类高温熔体压力传感器产，提供关于各类高温熔体压力传感器的技术支持、使用维护！湖北五岳传感器有限公司荣誉榜：在中国制造出：第一支高温熔体压力传感器；第一支超高温熔体压力传感变送器；第一支**高温熔体压力传感器；第一台**高温熔体压力表；第一支高温熔体压力变送器；第一家与国际著名挤出业龙头企业合作的公司。
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  • 福建省莆田市衡力传感器有限公司
    福建省莆田市衡力传感器有限公司是一家集专业高精度传感器研发、设计、生产、销售为一体的传感器制造厂家。 公司位于中国海峡西岸经济中心地，素有东方“夏威夷”之称，海上女神妈祖故乡——福建莆田。公司主要以生产称重、非标等数字传感器为主，目前产品已销往全国各省市地区，在河南、河北、山东等地设有办事处，打开东南亚、南亚等国际市场，为进一步实现以技术创市场的目标，公司与国内著名院校结成研发队伍，实现了“销售一代、试制一代、研发一代”的技术成建设，为衡力发展国内市场，走向国际市场，成为数字化传感器专家型企业，奠定了雄厚的技术基础。 十年来福建省莆田市衡力传感器有限公司严格依照国际计量组织（OIML）相关建议组织生产，在生产上建立起以ISO为标准的基础质量体系，并积极引进CE认证、5S管理，不但保证了产品品种全，性能好，还具有防腐、防水、防震等持久耐用特点，产品近年来在机械、衡器、化工、钢铁、科研等行业广受好评，在市场上获得了衡力“以优质创市场，技术创品牌”的良好口碑。 规范化、数字化、专业化、国际化、服务化是衡力走向国际化一流传感器企业的五大战略标准，当公司初步达成专业化、数字化、规范化三大目标时，下一个目标就是向国际化、服务化迈进，为向客户提供一个具有专业技术、一流服务、高附加值专业数字化传感器品牌进军.....
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  • InGaAs红外图像传感器 400-803-3696
    红外图像传感器 InGaAs红外图像传感器是一种用来探测红外光谱的半导体探测器。这种探测器被广泛的应用在谷物色选机和光谱测量仪器中。 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息、下载文件！ 产品列表产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G11620-512DA铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷1830 lines/s950 to 1700 nm G10768-1024D铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.1 mm25 x 100 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s900 to 1700 nm G10768-1024DB铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s39000 lines/s G11135-512DE铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷8760 lines/s0.95 to 1.7 nm G9201-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9202-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9203-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm12.8 x 0.5 mm50 μm256非制冷1910 lines/s900 to 1700 nm G9203-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9204-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷970 lines/s900 to 1700 nm G9204-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G9205-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1910 lines/s900 to 1850 nm G9206-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2050 nm G9207-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2250 nm G9208-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2550 nm G9211-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9212-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9213-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9214-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9494-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.05 mm50 x 50 μm50 μm256非制冷7200 lines/s900 to 1700 nm G9494-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷3750 lines/s900 to 1700 nm G11097-0606S铟镓砷面阵图像传感器3.2×3.2 mm50 x 50 μm50 μm4096一级TE制冷1031 frames/s950 to 1670 nm G11097-0707S铟镓砷面阵图像传感器6.4×6.4 mm50 x 50 μm50 μm16384一级TE制冷279 frames/s950 to 1700 nm 应用领域 微弱光分析 荧光探测 光子计数器 PET DNA测序 环境分析仪器 高能物理
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    厂商： 滨松光子学商贸（中国）有限公司
    品牌： 未知
    型号： InGaAs
    价格： 10万 - 30万元
  • CMOS图像传感器 400-803-3696
    CMOS线性图像传感器在一款芯片中集成了时序电路和信号处理放大器，可在单电源、简单输入脉冲的情况下工作，因此外部电路可以简化。以下为部分产品，更多产品敬请下载综合样本查看：产品图像产品型号产品名称类型感光面积像素尺寸总像素个数线速率（典型值）S11639CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.200 mm14 x 200 μm2048 pixels4672S12706CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.007 mm7 x 7 μm40962387S11106CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm12864935S11107CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64111111S8377-128QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm50 x 500 μm1283846S8377-256QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm2561938S8377-512QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm50 x 500 μm512972S8378-1024QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm25 x 500 μm1024487S8378-256QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938S8378-512QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972S10123-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938 line/sS10123-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972 line/sS10124-1024QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型25.6 x 2.5 mm25.6 x 2.5 mm1024243 line/sS10124-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 2.5 mm6.4 x 2.5 mm256969 line/sS10124-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 2.5 mm25 x 2500 μm512486 line/sS10227-10CMOS线阵图像传感器塑料封装6.4 x 0.25 mm12.5 x 250 μm5129434 line/sS11106-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm128 pixels64935 line/sS11107-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64 pixels111111 line/sS11662CMOS面阵图像传感器陶瓷封装4.736 x 3.552 mm7.4 x 7.4 μm680 x 520 pixels
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    厂商： 滨松光子学商贸（中国）有限公司
    品牌： 滨松/hamamatsu
    型号： S1
    价格： 3001 - 9999元
  • CCD图像传感器 400-803-3696
    CCD图像传感器 CCD图像传感器的噪声极低，因此可以获得高信噪比的图像信号。滨松公司的CCD图像传感器使用FFT—CCD，达到了100%填充因数，零损失收集光线，是高精密光度测量的理想选择。我们共有两种类型的产品，前照式和高量子效率背照式。两种类型都有各种像素尺寸和布局的型号可选择，使您可根据需要获得最佳器件。滨松有CCD传感器70多种可选， 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！可选种类前照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD面阵传感器（适合分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式TDI-CCD可选标准标准型 高分辨率型 低标准具效应型 红外增强型 大满井容量型 内置电子快门型全耗尽背照式可选像素尺寸12 x 12 μm 14 x 14 μm 24 x 24 μm 48 x 48 μm 14 x 200 μm 14 x 500 μm 14 x 1000 μm可选像素个数水平512像素 水平1024像素 水平2048像素 水平4096像素 水平1536像素部分产品：产品图像产品型号产品名称类型像素尺寸有效像素个数帧速率（典型值）光谱响应范围 S11151-2048前照式CCD线阵传感器标准型14 x 200 μm2048 × 1 pixels200 to 1000 nm S11850-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels106 frames/s200 to 1100 nm 11851-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels651 frames/s200 to 1100 nm S11155-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 500 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S11156-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 1000 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S7030-0906背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-0907背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 122 pixels239.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1006背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 58 pixels192.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1007背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 122 pixels160.0 frames/s200 to 1100 nm S7031-0906S背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm
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    厂商： 滨松光子学商贸（中国）有限公司
    品牌： 滨松/hamamatsu
    型号： S11
    价格： 面议
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  • 全球CMOS图像传感器需求预计将推动市场增长
    据Research Nester 最近发表的一份报告，全球 CMOS 图像传感器市场预计在预测期内(即 2022-2031 年)以 6.32% 的复合年增长率增长，预计到 2031 年将达到 395.4 亿美元。对高清图像捕捉设备不断增长的需求预计将推动市场增长。 　　例如，索尼公司于 2019 年 6 月推出了 IMX485 型 1/1.2 4K 分辨率背照式 CMOS 图像传感器和 IMX415 型 1/2.8 4K CMOS 图像传感器。索尼创造了这两款安防摄像头传感器，以满足不断增长的需求一系列监控应用中的安全摄像头，例如防盗、灾难预警和交通监控系统，或商业综合体。 　　此外，医疗保健行业对 CMOS 图像传感器的需求不断增长。它们通常用于在手术过程中观察病人。美国国家医学图书馆最近的一份报告指出，全世界每年进行的主要手术数量达到惊人的 3.1 亿次，其中 4000 至 5000 万次发生在美国，2000 万次发生在欧洲。 　　CMOS 图像传感器广泛用于安全和监控目的。CMOS图像传感器具有将光电信号转换为数字信号的能力。安全是每个人最关心的问题。因此，由于盗窃和犯罪事件的增加，预计将安装更多具有 CMOS 传感器的安全摄像头，从而促进市场增长。据估计，大约 82% 的窃贼在闯入之前会检查警报系统是否存在。 　　但是，由于隐私问题，它们不能随处安装。因此，许多组织提出了有望推动市场发展的创新想法。例如，2021 年 12 月，佳能发布了一款全新的户外 4K 摄像机，既可以用作传统摄像机，也可以用作安全摄像机。此外，它还可以组合 4K UHD CMOS 图像传感器捕获的每个 4K UHD 像素。 　　按照报告，全球 CMOS 图像传感器市场分为五个主要区域，包括北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲以及中东和非洲地区。 　　到 2031 年底，亚太地区的 CMOS 图像传感器市场预计将获得 177.593 亿美元的最大收入。政府对智慧城市的举措预计将推动市场增长。印度电子和信息技术部委托 ERNET India 和 IISc 开发 LoRa 网关(极网关)，这是一种低成本的计算设备，可以连接摄像头、温度、湿度、空气质量和其他传感器。这是 　　此外，北美地区预计将进一步增长，到 2031 年底收入将达到 125.79 亿美元，2022-2031 年的复合年增长率为 6.14%。对智能手机的需求增加推动了市场增长。到 2025 年，美国大约 85% 的移动用户预计将拥有智能手机。包括智能手机、电视、可穿戴设备等在内的各种电子产品都包含该地区需求巨大的传感器。许多智能手机制造商在其智能手机中使用图像传感器。例如，小米 12S Ultra 智能手机包含世界上最大的智能手机传感器。作为新系列的一部分，小米推出了 12S 系列，其中包括徕卡设计的 Ultra。 　　根据报告，到 2031 年底，消费电子领域的收入预计将达到 270.104 亿美元。消费电子领域对 CMOS 的需求增加预计将推动市场增长。这种 CMOS 技术广泛用于智能手机。CMOS 以使用更少的功率而闻名，因此它们在智能手机中的需求正在增加。它不是在单个实例中捕获整个图像，而是以扫描类型的方式捕获图像。此外，带有 CMOS 传感器的相机具有更好的饱和能力，因此许多制造商将其安装在他们的智能手机中。例如，安森美半导体推出了 XGS 系列中最新的 CMOS 图像传感器。称为 XGS 16000 的 16Mp 传感器可为工厂中的机器人和检测系统提供出色的全局快门成像。XGS 16000 以低功耗提供出色的性能，同时为典型的 29 x 29 毫米工业相机提供最高分辨率，在 65FPS 时仅消耗 1 瓦。在北美，到 2031 年底该部门的收入最大，为 85.764 亿美元，而在亚太地区，该部门预计到 2031 年底将实现 121.243 亿美元的最大收入。 　　预计到 2031 年底，背面照明 (BSI) 部分将获得最大的收入，在预测期内以 6.68% 的最高复合年增长率增长。这种增长可归因于 BSI 技术在高质量和更高像素相机中的使用越来越多。智能手机生产商对 BSI 技术的偏好正在增加，预计这也将带动需求增长。例如，索尼在 4200万像素的 Sony Alpha A7R Mark II 中添加了一个 BSI 全画幅传感器。Sony Cyber-shot RX10 II 和 RX100 IV 均具有“堆叠式”传感器，可实现更快的连拍和高速视频录制。在亚太地区，该细分市场预计在预测期内以 7.34% 的复合年增长率增长。
    时间： 2022-12-22
    作者： 情绪波动
  • 为什么说量子效率是图像传感器的重要指标？如何提高QE？
    每种传感器技术的 QE 都不同，某种图像传感器达到 95% 的 QE。但是，它是由被检测光的波长和 半导体材料决定的。对于CCD、EMCCD、(em)ICCD 和sCMOS技术，在某些波长范围内可能达到 95% 的 QE，但可见光谱中近红色和紫外区域的光子具有较低的 QE，因此传感器的效率较低。为了改善这些区域的 QE，已经开发了Deep-depleted硅传感器和涂层传感器，从而增加了 QE。 　　大多数图像传感器都是由硅制成的。由于 QE 取决于材料，该元素的特性以及它如何与光相互作用非常重要。 　　在高纯度晶体形式中，相邻的硅原子彼此共价键合。打破这些键以产生电子/空穴对(~1.1 eV)需要大于带隙能量的能量。入射光的波长与光子吸收深度直接相关；波长越短，进入硅的深度越短。 　　Deep-depleted硅传感器比传统的硅传感器更厚 ，因此能够检测更长波长的光(即 700 nm，NIR)。NIR 光在硅中的穿透深度比典型的硅传感器更深，因此在没有深度耗尽的情况下，硅传感器对入射的 NIR 光有效透明。如下图所示，Deep-depleted硅传感器在 700 – 850 nm 范围内可提供 90% 的 QE，而传统硅传感器可提供 60% 的 QE。 为了进一步改善 QE，可以通过前照式或背照式设备来改变设备内传感器的方向。前照式设备的入射光通常通过并行寄存器的门进入传感器。这些栅极由非常薄的多晶硅组成，在长波长下相当透明，但在短于 400 nm 的波长下变得不透明。因此，在短波长下，栅极结构会衰减入射光。 　　如果硅传感器均匀变薄，图像可以聚焦在没有栅极结构的传感器后端。由于栅极结构没有光限制，背照式器件对光表现出高灵敏度，使 95% 的 QE 成为可能。采用前照式技术的图像传感器，入射光在撞击传感器之前必须穿过微透镜和金属线，从而降低了最大量子效率。背照式图像传感器的入射光首先会照射传感器，因此设备的 QE 不会降低。 InGaAs 传感器 　　只有当光子具有比材料的带隙能量更高或更短的波长时，半导体才会检测到光子。InGaAs 传感器是由 InAs 和 GaAs 的合金制成的半导体，传统的 InGaAs 传感器具有 x:1-x 的 InAs:GaAs 比率。由于 InGaAs不是天然存在的材料，因此必须在 InP 衬底上生长单晶。 　　InGaAs 传感器的带隙能量通常低于硅，这意味着它们能够检测更长的波长，例如短波红外 (SWIR) 区域 (900-1700 nm)。因此，InGaAs 摄像头在 950-1600 nm 区域内的 QE 80%。显示了典型 InGaAs 传感器的 QE 曲线。通过增加单晶内 InAs 的浓度，截止波长可以扩展到 2600 nm。 尽管 InGaAs 相机在 900 – 1700 nm 范围内具有高 QE，但远端波长截止会随着设备冷却而降低。每冷却 10 摄氏度，这通常会偏移 8 纳米。这意味着进入设备的光子吞吐量很重要，但是远端截止的这种转变可能是有利的，因为它允许传感器充当“可调”低通滤波器。 　　总结 　　QE 是衡量设备在将入射光子转换为电子方面的有效性的指标。不仅 QE波长取决于，它还取决于传感器材料。 　　如果能量高于半导体带隙能量，传感器将检测到入射光子。这就是为什么硅在 500-600 nm 之间具有 95% 的 QE，但对于较长的红外/较短的紫光波长具有较低的 QE，而 InGaAs 在 SWIR 范围(900-1700 nm)上具有高 QE，而不是可见区域或中红外波长范围( 1700 nm)。
    时间： 2022-03-29
    作者： 情绪波动
  • 德国研制出高速CMOS图像传感器
    据美国物理学家组织网1月3日报道，由于排列在矩阵上的大像素不支持较高的读出速度，因此传统的“互补金属氧化物半导体”(CMOS)影像传感器不适合荧光灯等低光亮度应用。德国弗劳恩霍夫研究所研制出的一种新型光电组件能加速这一读出过程，催生出更佳的图像质量。目前该技术已申请了专利，有望于明年正式投入生产。 　　CMOS影像传感器早已成了数码摄影的主要解决方案。它们比现存的其他品种传感器更加经济，在能量消耗和处理方面也很出色。因此，手机和数码相机制造商几乎无一例外地将CMOS芯片应用在自家的产品之中。这不仅降低了数码产品对电池的需求，也使生产出更多越来越小的相机成为可能。 　　然而这些光学半导体芯片已经达到了自己的极限，当消费类电子产品体积越来越小时，像素的大小也随之递减至1微米左右。但特定的应用需要超过10微米的更大像素，尤其是在X射线摄影或天文学研究等光线十分有限的领域，而较大的像素可以补偿光线的缺失。针状光电二极管(PPD)可被用于将光信号转化为电脉冲，这种光电组件对于图像处理十分关键，也可以作为CMOS芯片的组成部分。“然而当像素超过一定的尺寸，PPD就会产生速度问题。低亮度的应用需要更高的图像率，但使用PPD的读出速度明显偏低。”弗劳恩霍夫研究所微电子电路和IMS系统部门的负责人维尔纳布洛克赫德解释说。 　　研究人员现在提出了有关这一问题的解决方案，他们研发出了名为“横向漂移场光电探测器”(LDPD)的新型光电组件。在这个组件中，高速移动的入射光能在读出点产生电荷载子，借助PPD则可将电子扩散至出口。这一过程相对缓慢，但它却足以满足多种应用。 　　为了生产出新的组件，研究人员基于0.35微米的标准改进了当前使用的CMOS芯片的制造过程。布洛克赫德表示，附加的LDPD组件不会损害其他组件的特性，利用模拟计算，专家会对其进行管理以满足这些需求。目前，新型高速CMOS图像传感器的原型已经成形，有望于明年得到批准开始大批生产。
    时间： 2012-01-06
    作者： 秦丽娟
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    一般的ccd只能到1100nm（对1000nm以上已经很不敏感）请问能不能买到响应在1000nm或者更高的图像传感器另外想购买1100nm左右的红外LED，不知道有没有谢谢[em46]

  • 【原创】固体光图像传感器的器件技术的开展现状与趋向

    固体光图像传感器的器件技术的开展现状与趋向　　1、固体光摄像器件—理想的星载光图像传感器　　固体光电子图像传感器技术包括可见光硅图像传感器和短波、中波和长波红外焦平面阵列技术。由于图像传感器器件的不时开展，目前的固体图像传感器从可见光和近红外波段的CCD器件开展到了短波、中波和长波红外焦平面阵列。与星载反束光导摄像管相比起来，由于固体图像传感用具有一系列优点，十分适用于用作空间星载图像传感器，如：　　(1)体积小，重量轻;　　(2)无图像扭曲;　　(3)光响应工作波段宽，可见光硅CCD和CMOS图像传感器的光谱响应可从紫外区延伸到红外区，而红外焦平面的光谱响应波段掩盖了从1mm～14mm和远红外更宽的电磁波谱区;　　(4)高分辨率，可在焦平面上集成数十万、百万乃至千万像元的大格式阵列、完成大视场空间传感器;　　(5)同焦平面信号处置，像CCD、CMOS和各种红外焦平面阵列器件，由于微型加工技术的开展，可采用混合式或单片集成方式把焦平面上光电转换的焦平面探测器阵列与信号处置电路集成微小的集成电路块，完成同焦平面信号处置;　　(6)采用电子自扫描或注视工作形式工作，简化和完整取消机械扫描，完成系统小型化和微型化;　　(7)低功耗工作，数伏电压下即可工作;　　(8)低本钱;　　(9)牢靠性高。　　总之，小型化的小体积、轻重量、低功耗、低价钱和高性能、高牢靠性的固体空间光图像传感器为空间系统的设计和应用提供了极大的灵敏性。　　2、可见光固体图像传感器　　可见光固体图像传感器已使成像技术完成了小型、低功耗、低本钱和便携式应用、使成像系统技术了发作了反动性的变化。虽然迄今为止已开展了多种固体摄像器件，但是CCD器件和已在快速开展的CMOS图像传感器却占领了整个该范畴的95%的份额，CMOS是继CCD之后的后起之秀。　　(1)图像传感器件　　CCD图像传感器件技术已开展了三十多年，早已是成熟和提高应用到各种军用和民用系统的器件，在红外焦平典型面阵列技术适用化之前很长一段时间极受军用注重，目前仍在可见光波段普遍采用。　　①像元集成度：摄像阵列像元的几是摄像系统分辨率性能的关键性要素，目前的CCD器件已可依据系统应用目的请求同芯片集成或多芯片拼接，或多器件组合成恣意像素数的器件。　　· 线阵：常用单芯片像元集成度为512、1024、2048、4096、5000、7450和8000等;多芯片像元集成是用二个或多个单线阵芯片组合起来构成数万像元的专长线阵列，常用作星载或机载多光谱传感器;　　· 时间延迟与积分(TDI)阵列：常用的单芯片是2048×96、2048×144和4096×96的阵列;多芯片是用多个单芯片拼合起来，常用作星载或机载推帚式扫描传感器，加拿大的DLSA公司制造的这种传感器在全球很有名;　　· 面阵列：大格式阵列像元集成度为1024×1024、2048×2048、4096×4096 少数如科学研讨和天文应用方面阵列达7000×9000、8192×8192和9126×9126元，最大的9126×9126元阵列是美国Farchild Imaging公司研制的;　　②像元尺寸：CCD的像元尺寸不能太小，过小将影响曝光性能，目前的大格式阵列像元尺寸已小达7.0mm×7.0µm;　　③灵活度，通常为几个Lux~Lux-1，加上加强器处于微光工作形式时为Lux-3;采取冷却时为Lux-5~Lux-7;　　④分辨率：大型阵列通常的电视分辨线为1000×1000TV线，依据系统请求可更高，光学尺寸通常为2/3、1/2、1/3、1/4in.，目前最小已做到1/7in.。　　(2)CMOS图像传感器件　　由于CMOS图像传感器件与CCD相比功耗更低，可完成极高帧速工作和低本钱化，.本钱仅为CCD的1/4，因此开展极快，可能最终在某些范畴取代CCD。　　① 像元集成度：由于器件技术的停顿，目前的像元集成度常用的为几十万到100万像素，如512×480和1280×1000，已能制出4096×4096和6144×6144元的阵列;　　② 像元尺寸：由于制造技术的不时改良，像元尺寸已可小达3.3mm×3.3mm;　　③ 高灵活度：在近红外光谱区(900nm)光电转换效率高达50%;　　④ 宽动态范围：CMOS的动态范围通常为60dB以上，已到达170dB;DALSA CMOS-1M28/1M751024×1024元摄像机的动态范围也高达1,000,000:1。　　⑤ 高帧速和超高帧速：随着CMOS图像传感器技术的开展，2003年中不时报道了高帧速和超高帧速CMOS图像传感器，美、日公司在高帧速工作方面获得了显著的停顿.。DALSA和红湖公司的CMOS图像传感器帧速居然高达100000frame/s。　　⑥ 功耗：CMOS最明显的特性是低功耗，目前高帧速工作时仅为50mW。　　(3)趋向　　CMOS图像传感器是目前和将来该范畴正在开展中的主流技术。CCD主要是在应用上想方法，依据不同的应用目的和系统设计计划组合应用。由于CCD图像传感器技术极为成熟， 预期最终CMOS图像传感器难以取代CCD图像传感器，将是二者长期共存的场面。但是， CMOS图像传感用具有本钱低、集成度高、低功耗的突出优点，假如再处理了影响性能和图像质量的噪声问题，CMOS就将成为极佳选择。　　3、红外焦平面阵列　　红外焦平面阵列技术的开展已惹起了商界和军界军火商的极大关注。红外焦平面阵列技术对军事配备更新换代的深远影响正在改动现代战场作战的特性和概念。　　刚完毕的伊拉克倒“萨”战争再次显现了在现代战争

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    总览ISDI是高性能CMOS图像传感器领域的创新者，提供定制传感器设计和标准产品。产品范围包括专用设计到大批量制造。ISDI成立于2010年，团队由一群在CMOS图像传感器方面拥有丰富知识和经验的半导体设计师组成，他们从科研项目获得了经验。自成立以来，ISDI已从科学传感器的设计师发展为广泛应用的晶圆级成像设备的制造商。数字接口设计可以直接连接到FPGA或ASIC。对于50μm和100μm传感器，开发板可配备相机链、USB或GigEVision连接，用于快速评估传感器性能，这些也可作为成像系统硬件快速原型设计的参考。所有传感器均设计用于X射线环境下的低噪声操作，适用于光纤板（FOP）键合或直接沉积型闪烁体。包含多型号可选: TY-2222 TY-1511 TY-1412 TY-1107 HP-1615 HP-2301 HP-1501 IS-3131 IS-2121 IS-1510 IS-0510 IS-1512 IS-1207 PS-2824 PS-1412 PS-1206 PS-0606 IS-1313技术参数CMOS图像传感器: 产品系列多功能、功能丰富的图像传感器，结合了ISDI专利的抗辐射低噪声像素结构。 特点:滚动快门曝光可切换高低满井来提高和降低灵敏度芯片上的温度传感器动态可编程感兴趣区域(ROI) 有效面积 (h x v) cm分辨率(h x v)最大帧率( fps)数据输出包装尺寸(cm)单芯片ADCRow time ( ROI) µs低满井Low full well高满井High full well低频焊LFW 高频焊HFWTY-2222 21.7 x 22.02173 x 220111268 x LVDS27.0 x 21.8 16/14 bit 8.2 360 ke- 3.2 Me- 72.7dB 81.0dBTY-151114.5 x 11.01451 x 110011222 x LVDS14.5 x 13.5TY-1412 14.0 x 12.01401 x 120011618 x LVDS14.0 x 14.4TY-11077.2 x 11.1721 x 111011212 x LVDS7.2 x 13.5HP-161516.1 x 15.01610 x 15009224 x LVDS16.1 x 17.6 14 bit 7.1 365 ke- 3.0 Me- 70.2dB 73.6dBHP-230123.3 x 0.762331 x 76480 44 x LVDS23.5 x 6.1HP-150114.8 x 0.761484 x 7648028 x LVDS 15.0 x 6.1IS-313130.9 x 30.73095 x 307366300 x CMOS31.2 x 35.5 14 bit 9.8 410 ke- 2.6 Me- 72.0dB 74.0dBIS-212120.6 x 20.52063 x 204966200 x CMOS 11.5 x 14.81537 x 198430 (86 @ 2*2 binning)6 x analogue
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