双电四探针测试仪

四探针,四探针测试仪,表面电阻测试仪,电阻率测试仪,方阻计,方阻仪,FT-361超低阻双电四探针测试仪一、概述：本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率，最小可以测试到1uΩ方阻值，是目前同行业中能测量到的最小值，采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

双电测电四探针方阻电阻率测试仪环境要求环境温度为23℃±1℃,相对湿度不大于65%。干扰因素光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周围的光不敏感。3.2当仪器放置在高频于扰源附近时,测试回路中会引入虚假电流，因此仪器要有电磁屏蔽。3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃±1 ℃.3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量,一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59mm,非仲裁测量可选择其他探针间距。4方法提要直排四探针测量示意图5测量仪器5.1探针装置由以下几部分组成。5.1.1探针用钨,碳化钨或高速钢等金属制成,针尖呈尽可能使用非导电的工作桌工作台。操作人员和待测物之间不得使用任何金属。操作人员的位置不得有跨越待测物去操作或调整测试仪器的现象。测试场所必须随时保持整齐、干净，不得杂乱无章。测试站及其周边之空气中不能含有可燃气体或在易燃物质。4.3.4人员资格本仪器为精密仪器，必须由训练合格的人员使用和操作。4.3.5安全守则操作人员必须随时给予教育和训练，使其了解各种操作规则的重要性，并依安全规则操作。圆锥型,夹角为45°~150*,尖端初始标称半径为25 μm~50 μm。5.1.2探针压力,每根探针压力为1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分别用于硅单晶棒的电阻率测量,也可选择其他合适的探针压力。5.1.3绝缘性,一探针(包括连接弹簧和外部引线)与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10’Ω.5.1.4探针排列和间距,四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时,探针间距(相邻探针之间的距离)标称值应为1.59mm。其他标称间距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁测量,探针间距按7.2测定。5.1.5探针架,能在针尖几乎无横向移动的情况下使探针下降到试样表面.双电测电四探针方阻电阻率测试仪技术参数：1.电阻率：10-5～2×106Ω-cm2.电 阻：10-5～2×106Ω3.电导率：5×10-6～105ms/cm4.分辨率： 小0.1μΩ测量误差±（0.05%读数±5字）5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。量程：1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，1000mA, 误差：±0.2%读数±2字8.显示方式：液晶显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算9.传感器压力：200kg (其他规格可以定制)10.粉末测量装置 模具：内径10mm；高：25mm；加压方式：手动液压加压/自动加压方式11.电源：220±10% 50HZ/60HZ12.主机外形尺寸：330mm*350mm*120mm双电测电四探针方阻电阻率测试仪安全要点● 非合格的操作人员和不相关的人员应远离测试区。● 万一发生问题，请立即关闭电源并及时处理故障原因。双电测电四探针方阻电阻率测试仪衣着规定操作人员不可穿有金属装饰的衣服或戴金属手饰和手表等，这些金属饰物很容易造成意外的感电。4.3.7医学规定绝对不能让有心脏病或配戴心律调整器的人员操作。4.4测试安全程序规定 一定要按照规定程序操作。操作人员必须确定能够完全自主掌控各部位的控制开关和功能。双电测电四探针方阻电阻率测试仪操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④_x0001_ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.

FT-346双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-2～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

FT-340系列双电测电四探针方阻电阻率测试仪应用说明：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，提供中文或英文两种语言操作界面选择，二．描述：采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻 10-5～2×105Ω/□10-4～2×105Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×104Ω /□10-2～2×105Ω/□10-2～2×104Ω/□2.电阻率 10-6～2×106Ω-cm10-5～2×106Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×105Ω-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA.μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA0.1μA、1μA、10μA，100μA，1mA，10mA，100mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA4.电流精度 ±0.1% ±0.2% ±0.2% ±0.3% ±0.3% ±0.3% 5.电阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤0.3% ≤0.5% ≤0.5% ≤0.5% 6.显示读数屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：30W 9.误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台；5.标准电阻.111.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪关键词：双电测，导电薄膜，导体SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高正确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。一、主要特点： 1、 根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2、 也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。3、 换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。4、由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。 二、基本技术参数3.1 测量范围 电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm 方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□ 电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω3.2 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定) 直 径：圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限 SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限. 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限. 测量方位: 轴向、径向均可3.3. 4-1/2 位数字电压表： (1)量程： 20.00mV～2000mV (2)误差：±0.1%读数±2 字3.4 数控恒流源 (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA，1A (2)误差：±0.1%读数±2 字3.5 四探针探头（选配其一或加配全部） (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调 (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调3.6 电源 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：20W3.7 外形尺寸： 主机 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）

1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值

4. 整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%5. 四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。9. 可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。11. 厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。13. 双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.14. 具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。3档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。17. 丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数据

概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … 标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

低阻双电四探针测试仪HRDZ-300C电阻率测量的标准（ASTM F84）及国家标准设计制造；GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.表面电阻或电导不能准确测量，只能近似测量，因为体积电阻或电导总是受到测量方法的影响。测量值还受到表面污染的影响。表面污染及其积聚速度受到许多因素的影响，包括静电充电和界面张力。这些因素反过来可以影响表面电阻。当包括污染，但是在通常常识下判断不是电绝缘材料的材料性能时，此时表面电阻或电导可视为与材料性能相关。适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。低阻双电四探针测试仪HRDZ-300C功能及参数介绍：1.聚苯乙烯板10mm厚度；电流电极长5mm，电极间距：50mm±1mm或100mm±1mm；2.宽试样接触力：10mm宽试样约0.65N 20mm宽试样约1.3N3.试样尺寸：宽10mm±0.5mm或20mm±0.5mm；长70mm；厚度为2mm，4mm或6.3mm厚度均匀度为±5%.4. 液晶显示， 数字按键操作，可选配PC软件报表导出和数据管理；5.电阻测量范围：104Ω～1×1013Ω6.电阻率测量范围：104～ 2.0×1013 Ω-cm7.测试电压：0-1000V8.基本准确度：2%以内（标准电阻）9.液晶显示：电阻率、电阻、温度、电流、电压、可输入测试样品数据10.使用环境：温度：0℃～40℃，相对湿度80%11.电源：”AC 220V，50HZ12.测量模式：配置232和USB通讯接口，液晶显示测试或PC软件测试.低阻双电四探针测试仪HRDZ-300C参照标准：GB/T 22042-2008《服装 防静电性能 表面电阻率试验方法》；EN 1149-1-1995 《防护服 静电性能 No.1部分表面电阻检验方法和要求》；GB/T 1410-2006《固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》（与国际标准IEC93-1980等效）；FZ/T 64013-2008 《静电植绒毛绒》；低阻双电四探针测试仪HRDZ-300CSJ/10694-2006《电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范》6.1及ASTM D257《绝缘材料的直流电阻或电导试验方法》要求制作。GB/T 2439-2001《硫化橡胶或热塑性橡胶 导电性能和耗散性能电阻率的测定》；GB/T 10581-2006 《绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法》 ；GB/T 1692-2008 《硫化橡胶绝缘电阻率的测定》；GB/T 12703.4-2010 《纺织品 静电性能的评定 第４部分：电阻率》 GB/T 10064-2006《测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法》。低阻双电四探针测试仪HRDZ-300C电阻或电导可用于间接预测某些材料的低频率电介质击穿和损耗因数性能。电阻或电导通常作为湿度含量，固化程度，机械连续性或不同类型老化的间接测量方式。这些间接测量的效用取决于通过理论或经验研究确立的相关度。表面电阻的降低可导致因为电场强度降低而发生电介质击穿电压的增加，或者由于应力面积的增加而发生电介质击穿电压的降低。

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪四探针电阻率/方阻测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。四探针电阻率/方阻测试仪 规格型号FT-341FT-342FT-343FT-345FT-346FT-3471.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6～2×106Ω-cm10-5～2×104-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×106Ω-cm3.测试电流范围0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数大屏液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式双电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤3%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪四探针方阻电阻率测试仪,四探针电阻率/方阻测试仪

操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。

概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … 测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作：1.1.开机预热：将220V电源插头插入电源插座，打开电源开关，让仪器预热15分钟，保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动，请按以下步骤检查：①检查电源线是否接触良好；②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断，如有必要，请更换保险丝④ 如经上述检查无误后，测试仪仍未正常启动，请联系本公司进行解决。1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示”键进入，1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻”，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料”则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.以下分别讲解方阻和材料测试的设置四探针双电方阻测试步骤上述步骤中1项，使用前期准备把被测物测试所需要之参数数据设定：依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流”功能，按“设置”键进入；再按“左右”方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定”键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距”按“设置”键进入，通过面板上面的“数字”按键输入数据按“确定”键进行确认；按照以上方法和步骤设定”厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。2.3.测试探头和测试平台操作选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取方阻测试时，在测试时电流的选择也不同根据国标GB/T1552-1995和根据ASTM F374-84标准方法测量方块电阻所需要的电流值