利用近朗伯特性光谱辐射光源表征CMOS传感器的光谱响应和量子效率
根据应用的不同,每个CMOS传感器都会对入射到其上的光线做出不同的响应。 造成这种情况的因素很多,包括波长,入射角,成像光学系统,光阑和有效光敏面积。 传感器被表征为一个不带成像光学系统的焦平面阵列(FPA),然后在成像应用程序中测试它们的用途。其中表征其特性的一个值是其光谱响应度或量子效率(QE)。 CMOS成像传感器的光谱响应度和QE由传感器的耗尽区对光子的吸收能力所决定。在这个区域,光子被转换成电荷,随后被形成像素的电场所控制。然后,耗尽区所控制的电荷被转移并以电子方式测量。为了表征传感器的特性,需要一个已知的近朗伯表面的光谱辐照度照射在传感器。优势-可靠产品质量和性能-使用设计好的应用几何结构表征量子效率-使用一个通用系统,可以对每个被测设备进行多项测试