半导体固体激光器

必达泰克公司的半导体泵浦固体激光器近日获得了美国专利 (专利号: US 7,218,655 B2), 为环境温度变化较大时的激光器应用提供了新的选择。 该激光器采用了必达泰克公司自主研发的先进技术，使其在没有致冷/加热控制器的情况下也能在环境温度变化较大的情况下获得稳定的输出，从而避免了带有温度控制系统的激光器所常有尺寸大、功耗高的弊病，使其更适用于如搜索营救时的信号指示、现场检测设备以及激光指示器等应用。该专利可应用于蓝光、绿光等固体激光器上，在拓宽激光器的适用温度范围和延长其使用寿命方面有显著的效果。 美国必达泰克公司一直致力于激光器和微型光纤光谱仪的研发生产，在激光器和光谱仪的研发生产上有着丰富的经验。目前必达泰克公司在激光器和光谱仪方面已获得两项美国专利，并且还有十几项专利正在审核中。美国必达泰克公司，竭诚为您的激光应用服务！

近日活力激光科技有限公司(以下简称“活力激光”)宣布完成数千万人民币A轮融资，由亦庄资本独家投资。本轮资金将主要用于研发和生产千瓦级半导体激光器(1千瓦至1万瓦)系列产品，在激光焊接和激光表面处理领域进行推广应用。　　活力激光成立于2019年12月，主要专注于高功率半导体激光器的研发、生产和销售，整体技术及生产能力覆盖各种功率、波长和封装形式的半导体激光器，核心产品包括固体激光器泵浦源、千瓦级半导体激光器、以及应用于医疗美容等领域的小功率半导体激光器。公司在深圳宝安设有一处工厂，面积达3500平方米，其中无尘车间2000平米。　　目前，活力激光团队规模超70人，核心成员曾任职于JDSU等头部激光器公司。公司创始人兼CEO蔡万绍拥有二十余年半导体激光器研发与生产经验，先后任职于JDSU/Lumentum、Oclaro、西安炬光等公司。　　据Emergent Research相关报告数据，2021年全球半导体激光器市场规模为81.9亿美元(约551.9亿人民币)，预计2022-2030年间年复合增长率为6.7%。值得一提的是，半导体激光器在医疗保健领域的应用价值高，目前已广泛用于医疗诊断、美容手术和治疗，这一方向也将成为半导体激光器市场增长的重要驱动力，而随着技术的突破，半导体激光器在工业加工领域的直接应用也将被打开，想象空间极大。　　全球激光器市场核心玩家包括起步较早的通快、朗美通、恩耐、相干、业纳等国外公司，也有起步较晚但发展较快的锐科、英诺、炬光、长光华芯等国内公司。在成熟的光纤激光器领域，市场竞争相当激烈，从各大上市光纤激光器公司的财报中，可明显看到竞争激烈导致的价格下跌。　　蔡万绍告诉36氪，为了避开同质化竞争激烈的细分市场，活力激光以产品创新作为突破口，采用国产芯片，率先在国内开发出878.6nm锁波长窄光谱的半导体激光器，以及1440nm二维点阵激光器，在固体激光器泵浦和激光嫩肤美容领域，打破了国外玩家的垄断，实现国产替代，目前该产品已逐渐放量增长。　　“未来3-5年是激光芯片国产替代的重要时间窗口，也是半导体激光器创新发展的关键机遇。”蔡万绍提到，活力激光已经和国内多家激光芯片供应商展开合作，定制开发波长多样化的半导体激光器，包括1550nm(照明应用)、1470nm(医美应用)、780/766nm(碱金属气体激光器泵浦)、405nm/450nm/650nm(加工及照明应用)、以及常见的976nm和808nm激光波长，并同步研发千瓦级半导体激光器，覆盖1千瓦至1万瓦功率，取得了巨大进展。　　相对来说，固体激光器的优势应用领域是非金属材料及合金材料的精细加工，光纤激光器的优势应用领域是钢铁材料的大功率激光切割，而半导体激光器凭借高功率、低能耗、高性价比、体积小、重量轻、波长多样性等优势，将在铁、铜、铝等金属材料的激光焊接和激光表面处理领域得到举足轻重的应用。　　在蔡万绍看来，如果充分利用半导体激光器的优势展开产品研发布局，有望让半导体激光器在工业加工、医疗美容、照明显示、激光雷达等领域的总体应用量，提升至与光纤激光器、固体激光器同等的水平，逐步构建出三种激光器三分天下的格局。“我们的中期目标是成为国内领先的半导体激光器供应商。”他说。　　目前，活力激光客户已覆盖多家激光器、机器视觉、医疗美容等领域上市公司，并在公司成立以来，保持了100%以上的年营收增长率，预计2023年收入将突破亿元关口。

成果名称 400um光纤耦合千瓦半导体激光器 单位名称 北京工业大学 联系人 李强 联系邮箱 ncltlq@bjut.edu.cn 成果成熟度 □研发阶段 &radic 已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产 合作方式 &radic 技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他 成果简介： 　　400&mu m光纤耦合千瓦半导体激光头实物图 　400&mu m光纤耦合千瓦半导体激光器整机实物图 本项目研发的光纤耦合半导体激光器光纤耦合输出功率大于1000W，光束质量好，耦合光纤芯径400&mu m，光纤耦合效率大于96%，总的电光效率42.99%。样机集成激光模块、电源、冷却、控制等为一体，通过触摸屏实现激光器开关、输出功率设置、状态监测显示。激光器可以放置于机柜上方，也可以与机柜分离放置，适应科研应用及工业加工配合机床或者机械手的应用需求。产品化样机配备了用于激光焊接、激光熔覆的加工头，已进行了不锈钢等材料的激光焊接、激光熔覆加工应用。 本项目研发的高光束质量光纤耦合输出半导体激光器，采用标准的半导体阵列（10mm bar），避免采用特殊的半导体激光器所带来的器件成本增加；采用微光学元件对半导体阵列的发光单元重构、变换，单阵列输出功率高，组合阵列数减少，装配工艺相对简单，降低了制作成本；耦合传输光纤采用高功率石英传输光纤，提高激光器的传输效率和可靠性，满足推广应用的要求。 本项目创新点是采用标准的半导体阵列（10mm bar），通过微光学元件将阵列发光单元重构、变换的新方法，极大提高阵列的光束质量。本项目所研制的400&mu m光纤耦合千瓦激光器中，所使用的每一个半导体阵列都采用了该技术提高了光束质量，使得每个空间合束模块能够获得高功率、高光束质量的激光输出。 该项技术不仅可以应用于半导体激光器的直接应用，而且在用于泵浦源应用时，可以提高泵浦激光的功率密度，可以为提高输出激光的功率和光束质量。可以预期的是，利用该项技术，在现有的400&mu m光纤耦合千瓦激光器的技术基础上，通过合束更多的激光波长，获得2000W，甚至更高的激光输出功率，为工业应用提供更高功率的激光源。而且该项技术应用于泵浦固体激光器、光纤激光器等方面，提高了泵浦光的功率密度，也为实现高性能的固体激光器、光纤激光器等提供更好的技术支持。 应用前景： 输出激光光强分布图 半导体激光器与其他传统的材料加工用大功率激光器如 CO2 激光器、YAG 激光器相比，具有体积小巧，结构紧凑，是灯泵 Nd：YAG 激光器的1/3，光电转化效率高，节省能源，无污染，系统稳定性高，寿命长，维护费用低的特点。 目前大功率光纤耦合半导体激光器用于激光熔覆、激光焊接在中国处于启动阶段，国产光纤耦合半导体激光器，只能将标准半导体阵列激光耦合入大芯径光纤（芯径600&mu m以上光纤），由于激光亮度低，只能用于金属材料的激光熔覆。而本项目研制的400um光纤耦合千瓦半导体激光器，由于光束质量好，可直接用于激光熔覆、激光焊接、切割等领域，代替国外产品。 本项目开发的千瓦级光纤耦合半导体激光器除了具有国内外的半导体激光亮度的基础指标外，还具有其它优点：1. 自主开发，具有完全的自主知识产权；2.采用标准半导体阵列，使整体原材料成本降低20%－25%；3.空间合束组合模块后，进行偏振、波长合束的方法组合，使产业化中方便进行模块化工艺设计，适于大批量生产；4.采用微光学元件对光束进行整形，使装配难度及后端光纤耦合难度降低，从而降低生产成本；可附加多种功能，如指示光、光电探测器等，更灵活适应用于各种行业；5.多个半导体阵列模块可灵活组合，可方便为用户提供多种解决方案。 知识产权及项目获奖情况： 本项目开发的千瓦级光纤耦合半导体激光器受到北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助，是自主开发产品，具有完全的自主知识产权。 专利情况： （1）大功率固体激光高效率光纤耦合方法，专利号：CN101122659A （2）激光二极管电极连接装置，专利号：CN100527532C

有机固体激光器因其制备简单、价格低廉和易于集成等优势，一直以来备受科研工作者的关注。与无机激光介质相比，有机激光材料来源广泛，并且具有发射光谱宽、受激发射截面积大等特性，近年来在激光显示、生物传感器等应用方面显示出很大的应用前景。在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，中国科学院化学研究所分子动态与稳态结构国家重点实验室和光化学院重点实验室研究员付红兵课题组近期在设计有机共轭小分子近红外发光材料的基础上，发展了有机固体微纳近红外激光器。　　传统无机半导体垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser, VCSEL)由上下两层反射腔镜以及夹在中间的活性层材料组成，需要复杂的工艺流程和昂贵的成本。相比较而言，有机半导体材料可以通过低温溶液加工工艺进行激光器谐振腔的构筑。科研人员从1，4-二芳乙烯基苯(DSB)入手，利用溶液自组装的方法制备了六边形微米盘单晶。利用这种微米片状结构所形成的回音壁模式(Whisper Gallery Mode)的光学微腔，通过调控微米片的尺寸，分别实现了单模和多模的激光发射 (Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 5863) 进一步基于有机分子的可裁剪性，系统研究并揭示了分子结构—微纳谐振腔—激光性能三者之间的内在关联规律，为高性能有机固体激光器提供了新的设计思路 (J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 16602) 与此同时科研人员把材料体系拓展到有机无机杂化钙钛矿材料，实现了绿光波段的激光发射 (Adv. Mater. 2015, 27, 22)。　　最近，研究人员通过把“分子内氢键”引入有机共轭小分子的策略，合成了固体发光量子效率高达15.2%的近红外发光材料?查耳酮衍生物DPHP。由于DPHP的双亲性质，用溶液自组装方法自下而上构筑了有机微米半球的回音壁谐振腔。与此同时，DPHP材料自身超快的辐射速率，避免了在高强度泵浦光下的激子-激子湮灭现象，使得DPHP材料发出的近红外荧光在回音壁腔中实现了光的受激发大，这也是基于非掺杂型有机固体近红外激光的首例报道(J. Am. Chem. Soc. 2015, DOI:10.1021/jacs.5b03051)。文章在线发表后，美国《化学与工程新闻》(C&EN)周刊网站，以Organic Lasers Shine Bright in the Infrared 为题对此工作进行了相关报道并且给予了高度评价：“Easy-to-build hemispheres could prove widely useful for lasing applications”。图1 北京天坛(回音壁)和有机六边形微米盘中光波的回音壁现象图2 有机固体近红外激光器示意图

美国耶鲁大学的科学家开发出一种新的半导体激光器，成功解决了长期困扰激光成像技术的&ldquo 光斑&rdquo 问题，有望显著提高下一代显微镜、激光投影仪、光刻录、全息摄影以及生物医学成像设备的成像质量。相关论文发表在1月19日出版的美国《国家科学院学报》上。 　　物理学家组织网1月20日报道称，全视场成像应用近几年来已经成为众多研究所关注的焦点，但光源问题却一直未能得到解决。这项由耶鲁大学多个实验室合作完成的项目成功破解了这一难题，为激光成像技术大范围的应用铺平了道路。 　　耶鲁大学物理学教授道格拉斯· 斯通说，这种混沌腔激光器是基础研究最终解决实际应用问题的一个典型范例。所有的基础性工作，都是由一个问题驱使的&mdash &mdash 如何让激光成像技术更好地在现实中获得应用。最终，在来自应用物理、电子学、生物医学工程以及放射诊断等多个学科的科学家努力下，这一问题得到了解决。 　　此前，科学家们发现激光在成像领域极具潜力。但&ldquo 光斑&rdquo 问题却一直困扰着人们：当传统激光器被用于成像时，由于高空间相干性，会产生大量随机的斑点或颗粒状的图案，严重影响成像效果。一种能够避免这种失真的方法是使用LED光源。但问题是，对高速成像而言，LED光源的亮度并不够。新开发出的电泵浦半导体激光器提供了一种不同的解决方案。它能发出十分强烈的光，但空间相干性却非常低。 　　论文作者、耶鲁大学应用物理学教授曹辉(音译)说，对于全视场成像，散斑对比度只有低于4%时才能达到可视要求。通过实验他们发现，普通激光器的散斑对比度高达50%，而新型激光器则只有3%。所以，新技术完全解决了全视场成像所面临的障碍。 　　论文合著者、放射诊断和生物医学助理教授迈克尔· 乔马说：&ldquo 激光斑点是目前将激光技术用于临床诊断最主要的障碍。开发这种无斑点激光器是一项极其有意义的工作，借助这一技术，未来我们将能开发出多种新的影像诊断方法。&rdquo

9月29日，兴证创新资本发布消息称，兴证资本旗下基金近日完成了对山东华光光电子股份有限公司（以下简称“华光光电”）的投资，投资细节未披露。华光光电成立于1999年，是国内规模较大的半导体激光外延材料生长、芯片制备及器件封装为核心产品的高新技术企业。作为国内较早引进生产型MOCVD设备进行半导体激光器研发和生产的高新技术企业，华光光电拥有国内规模较大的激光外延片、芯片、器件、模组及应用产品一条龙生产线，产品从毫瓦级到千瓦级，波长覆盖紫光波段到近红外波段，多项成果达到世界领先水平，是国际上极少数具有研发实力、并能量产高功率半导体激光器芯片及器件的公司之一。随着研发实力的不断提升，华光光电自2008年以来，先后获批山东省重点实验室、山东省工程实验室、山东省工程技术中心、山东省企业技术中心、山东省协同创新中心等一系列省级研发创新平台、国家级企业技术中心，并在今年8月份凭借在半导体激光器领域的领先技术、行业专业定位及发展潜力等优势，获批2022年度国家级专精特新“小巨人”企业。

双模激光器适用于光纤毫米波通信，甚至是速度更高的亚太赫兹的通信，即通过把两个模式的信号光通过光纤传输到信号的位置，在所需要的地点再用高速的探测器把微波信号发射出去。光纤通信相比于微波最大的好处是损耗更低，适用于长距离的传输。使用双模激光器，光纤毫米波借由光纤可以进行低损耗的传输，从而传输到很远的位置，直到需要的地方再转换成微波。　　视频选自2020年半导体材料与器件研究与应用网络会议(报告人：中科院半导体所研究员 黄永箴)

仪器信息网讯 2011年3月7日至14日，中国科学院半导体研究所携IS-3000CB工业用高功率全固态激光器亮相国家“十一五”重大科技成就展。 IS-3000CB工业用高功率全固态激光器 　　高功率全固态激光器是应用于现代工业加工的新一代激光光源。与传统的气体激光器相比，具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点。我国自主研制的全固态激光器，功率高达6kw，功率不稳定度优于±0.77%，关键部件全部国产化，可广泛用于汽车焊接、铁路轮轨及风电轴承的表面淬火和熔覆等工业加工中，对提升我国工业加工装备水平具有重要意义。 　　关于中国科学院半导体研究所： 　　中国科学院半导体研究所是1956年按照“12年科学发展远景规划‘中’四项紧急措施”开始着手筹建的，是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究所，正式成立于1960年。目前，该所是集半导体物理、材料、器件及其应用研究于一体的半导体科学技术的综合性研究所。为了适应知识创新的需要，经过学科调整和目标凝练，主要研究领域包括：光电子及其集成技术 体材料、薄膜材料、微结构半导体材料科学技术 低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究 半导体人工神经网络和特种微电子技术。

“民用半导体激光器件我们已摆脱长期依赖进口的局面。现在,我们已经发明成功,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。”1月10日,记者在山东浪潮华光公司采访,听着技术专家高兴地介绍着,看到那长长的流水线正“收获成熟的芯片”。如今,我们的企业真正拥有了世界顶尖的核心技术,产品价格大幅度下降,让“等面值人民币”买到“等面值美元”的产品不再是梦想。 　　民用激光显示技术能够完美地再现自然色彩,是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。目前,国际上激光显示技术已发展到产业化前期阶段,未来3至5年,将是全球激光显示技术产业化发展的关键时期。为加快推进光电技术研究,打破关键技术的“封锁”,我国把“新一代激光显示技术工程化开发”列为863计划重点项目,其中的“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题让山东浪潮华光光电子有限公司所承担。 　　浪潮华光是国内唯一一家拥有从激光器材料生长到器件制作的完整生产线的高新技术企业,自1999年建厂以来,其半导体激光二极管及大功率激光器的产销量持续稳居国内第一。为推进课题进展,浪潮华光组建精英团队,加速科研攻关。公司成立了由总经理、国务院特殊津贴专家郑铁民研究员担任组长的项目小组,调动公司所有资源,完善了科研团队建设,从半导体激光器的材料生长、管芯工艺制作、器件封装等整个制造工艺链均配备了专业人才。组建了以长江学者徐现刚教授为学术带头人的研发团队,有研究员、高级工程师和博士、硕士等80余人。强大的科研团队借助公司已有的省级半导体激光器技术实验室、山东省半导体发光材料与器件工程实验室等科研平台,开展了技术攻关。 　　期间,在徐现刚教授的引领下,技术总监夏伟博士组织浪潮华光的精英团队成员,集思广益,刻苦钻研,成功实现了三大关键技术突破:一是TM偏振808nm半导体激光器外延材料与芯片研制。围绕实现项目要求的特定偏振激光输出,项目组从理论设计激光器的材料结构开始,进行了系统的研究,有效采用了MOCVD技术制备这种特殊材料,加快了科研步伐。目前,该技术世界上只有为数不多的几个大公司掌握。通过5个月的努力,浪潮华光成功掌握了自主生长技术,满足了项目需求。二是635nm激光器外延材料与芯片研制。为了增加红光分量的亮度,激光显示项目在红光波段选择了波长最短的635nm半导体激光器。浪潮华光在650nm半导体激光器方面积累了丰富经验,形成了稳定的650nm半导体激光器产品,占据市场70%的份额。虽然635nm激光器相比650nm红光激光器只有十五纳米的波长差异,但是其带来的技术难题却成几何级数增长。目前,只有日本的几家公司掌握了635nm激光器的制作技术。浪潮华光研发团队经过上千次的试验,最终突破了635nm红光激光器材料的生长技术难点,实现了红光激光器的大功率输出和长期可靠工作。三是模组封装及集成技术。浪潮华光的封装技术人员克服时间紧任务重的困难,与863项目的用户积极配合,实现了高精度多管芯封装技术、新型热沉制作技术、微透镜整形技术等多项自主创新技术,完成了项目要求的模组封装和整形。 　　目前,针对所承担的“863”项目,浪潮华光已成功研制出满足激光显示工程化要求的808nm、635nm高可靠性、低成本半导体激光器件,并已经初步实现了规模化的生产。从目前的科研和生产进度上看,浪潮华光有望提前全面完成项目预定任务,并能实现批量提供民用激光显示用激光光源的目标,将会大大降低激光器的价格,并带动国内激光器应用市场的发展和更加广泛的应用,实现了“替代进口产品、提高我国半导体激光器的地位、实现激光器显示用核心元器件国产化”的梦想,让该公司产品在国际激光显示产业中独占鳌头。

从中国科学院长春光学精密机械与物理研究所了解到，由该所研究员王立军带领的课题组攻克了大功率半导体激光器关键核心技术，成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体激光光源，并将成为工业激光加工领域的新一代换代产品。 　　王立军对记者说，大功率半导体激光器是激光加工、激光医疗、激光显示等领域的核心光源和支撑技术之一。由于西方发达国家掌控着大功率半导体激光器关键核心技术，长期以来，我国工业用激光加工设备不得不依赖进口。 　　王立军介绍说，他们的团队历经数年努力，通过激光光束整形、激光合束等关键技术，实现了高光束质量半导体激光大功率输出。 　　据了解，日前由王立军团队承担的这项研究——“高密度集成、高光束质量激光合束高功率半导体激光关键技术及应用”荣获了2011年度国家技术发明奖二等奖。项目组已经开始与一汽集团和北车集团接洽，尝试将这项技术应用于汽车制造等领域。

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品。 　　太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结构材料的导带中形成电子的受激光学跃迁而产生相干极化THz辐射的新型太赫兹光源。半导体材料科学重点实验室经过多年的基础研究和技术开发，目前推出系列太赫兹量子级联激光器产品。频率覆盖2.9~3.3 THz，工作温度10~90 K，功率5~120mW。 　　太赫兹波介于中红外和微波之间，是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低(1 THz对应的能量大约4meV)，穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏，在应用到对生物组织的活体检验时，比X光更具优势。它的波长比微波短，能够被用于更高分辨率成像。THz波在分子指纹探测、诊断成像、安全反恐、宽带通讯、天文研究等方面具有重大的科学价值和广阔的应用前景。 半导体研究所制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品

硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。 　　近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。 　　6月1日，相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题，发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。

夏普于2012年12月25日宣布，开发出了世界光转换效率最高的红色半导体激光器，型号为“GH0641FA2C”，其光转换效率达到33%。该产品振荡波长为640nm，通过优化材料组合和构造，提高了转换效率，在单模振荡红色半导体激光器中实现了业界最高的转换效率。该激光器计划主要用于车载用平视显示器及小型投影仪等。 　　该产品的最大光输出功率为150mW，阈值电流为55mA(标准)。光输出功率为150mW时，工作电流为182mA(标准)，工作电压为2.5V(标准)。峰值振荡波长为642nm。光束发散角度为水平方向9度、垂直方向17度。样品价格(含税)为5000日元，预定从2013年1月31日开始样品供货，2013年3月29日开始量产，计划每月量产1万台。

2023年6月25日，中科院长春分院在吉光半导体科技有限公司组织召开了由长春光机所承担的中国科学院科技服务网络计划(STS计划)吉林省区域重点项目暨院省科技合作重点任务“高端半导体激光器件及核心设备产业化”(“芯”创激光)验收会议。 　　中科院长春分院分党组书记、院长甘建国，科技合作处处长侯鹏、业务主管梁川，长春光机所所务委员孙守红、成果转化处副处长吕宝林、财务管理处副处长周舒，吉光半导体科技有限公司总经理佟存柱、项目评审专家组、项目组成员及合作企业代表参加会议，会议由甘建国主持。 　　甘建国首先介绍了STS专项基本情况和验收要求，孙守红代表中科院长春光机所对参会领导和专家的到来表示欢迎和感谢， 　　与会专家先后听取了项目组三个子课题负责人张建伟、彭航宇、何峰赟的项目验收报告，审查了项目相关材料，现场查看了成果技术研发及产业化情况，并提出了相关意见和建议，一致认为项目完成了任务书目标。 　　中科院STS重点项目“高端半导体激光器件及核心设备产业化” 针对目前我国半导体激光产业在高端半导体激光器件和设备核心部件受制于人“大而不强”的现状，围绕高端半导体激光技术产业上下游核心部件的研发、制造和服务等关键环节，以吉林省企业需求为牵引，突破高端半导体激光芯片、模组与设备核心技术，实现产业新旧动能转换，助力提升吉林省区域核心竞争力和综合实力！

近日，由长春新产业光电技术有限公司研制成功的紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机，倍受市场青睐。 　　激光打标是指利用激光束使打标表面物质气化或发生化学物理变化，从而显出刻蚀图形和文字的方式。与传统标记方式相比，激光打标技术具有标记速度快、字迹清晰永久、污染小、无磨损、操作方便、防伪能力强、可以做到高速自动化运行等优点，因此在工业领域逐渐从电加工进入光加工时代的今天，激光打标已被广泛应用到各种加工领域，包括五金制品、金属器皿、精密机械、汽车配件、电子器件、集成电路块、食品包装、刀具、礼品、钟表、电脑键盘等产品的表面，必将代替传统的标记工艺，给产品注入新的活力。 　　目前市场上，激光打标机根据工作方式不同可分为灯泵YAG激光打标机、半导体侧泵激光打标机、半导体端泵激光打标机、光纤打标机等。其中，半导体端泵激光打标机不仅可以实现更为精细的打标效果，而且更加具有体积小、价格低的优势。 　　长春新产业光电技术有限公司是依托中科院长春光机所设立的高新技术企业，成立于1996年3月主要从事半导体泵浦全固态激光器的研发、生产和销售，其全固态激光器产业化规模和产品技术水平近年来一直保持国际先进、国内领先水平，产品遍布全球81个国家和地区，同类产品的国际市场占有率约为30%，国内市场占有率70%以上。紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机的研制是公司依托原有半导体泵浦全固态激光器方面的技术优势，逐步实现对激光器下游产品的开发，进一步促进固体激光技术及其器件的应用发展，而且将带动晶体材料、半导体材料、光电器件工艺、加工领域的发展，其带来的直接效益和二次效益都会对国民经济和地区发展带来新的活力。 　　该公司研制成功的紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机，发光源采用半导体列阵，光光转换效率高 采用特殊耦合泵浦方式，光源结构更加紧凑 热耗损低，无需单独配备冷却系统，是目前国内同类产品中体积最小的设备。

近日，中国科学院空天信息创新研究院牵头承担的中科院科研仪器设备研制项目“万瓦级半导体激光器综合测试系统研制”通过测试验收。 会上，介绍了空天院承研中科院条件保障与财务局科研仪器设备研制的总体情况及该项目的基本情况。项目负责人、空天院正高级工程师麻云凤汇报了项目总体情况，并与与会专家讨论交流。验收专家组现场考核仪器设备总体研制情况并现场测试，肯定了研制核心器件积分球的技术水平，一致同意通过测试验收。“万瓦级半导体激光器综合测试系统研制”项目瞄准我国半导体激光器、光纤激光器等高功率激光综合测试需求，解决激光功率、光谱、发散角等核心参数的综合测试难题，开发可承载万瓦级激光功率的1.2米口径积分球、发散角测试仪，并集成高功率多参数测试功能。项目组通过两年的技术攻关，掌握了各类积分球涂层制备核心技术，申请了6项发明专利，转化了若干小型积分球产品。可承载万瓦级激光功率1.2米直径积分球

垂直集成光电子产品制造商Thorlabs公司从Physical Sciences(PSI)公司收购了Maxion Technologies公司。Maxion公司致力为客户提供交钥匙型的中红外激光器，其由美国军队研究实验室的几位科学家和工程师于2000年创建，并于2009年被PSI公司收购。Maxion公司的带间级联(IC)激光器和量子级联(QC)激光器产品能够为化学传感、红外对抗以及自由空间光通信中等应用提供3-12μm的产品解决方案。 　　Maxion将加入Thorlabs的量子电子(TQE)团队。Thorlabs公司总裁兼创始人Alex Cable表示，“非常欢迎Maxion团队加入Thorlabs的大家庭。Maxion的IC/QC激光器的加入，将为TQE现有半导体激光技术提供有力补充。” 　　收购Maxion将进一步增强Thorlabs的TQE部门的设计和制造能力，包括高功率GaAs激光二极管和最先进的基于MEMS的可调垂直腔面发射激光器(VCSEL)。有了强大的QC/IC设计和专业知识和SB-MBE生长技术，Thorlabs公司将可以生产全系列的半导体激光器，波长覆盖0.7-12μm，这也将使其成为工业传感、医疗、生命科学、电信/仪器仪表领域的可靠商业合作伙伴。

近日，Coherent 相干公司紧凑型连续可见光激光器Sapphire出货量已突破 50000 台。Sapphire是全球首款可产生488 nm的商用化固态激光器，采用相干公司独有的光泵半导体激光（OPSL）技术, 取代了传统的笨重、高能耗气体激光器。 相干公司 Sapphire 光泵半导体激光器 光泵半导体激光器具有灵活可调的波长、可扩展的功率、高效的倍频转换、优异的光束质量等多种优势, 无论是在使用成本、可靠性和使用寿命等方面都极具竞争力。 数十年来，光泵半导体激光（OPSL）技术已在医学诊断、生物成像和其他生命科学应用领域的各种仪器中得到广泛应用。其典型的应用实例包括流式细胞仪、共聚焦显微镜、高通量基因测序、病毒检测等。流式细胞仪领域一直都非常活跃，它的应用涉及免疫学、药物研究，以及用作一线临床诊断工具。随着越来越多研究机构以及临床实验室对多参数流式细胞仪的使用，进一步增加可同时分析的参数数量，加快仪器开发速度并降低总体使用成本益发重要。增加可分析参数的数量能够推动免疫学和细胞生物学等领域开展更复杂的实验。在临床应用领域，这能够让一些数据更加具体，从而为越来越普及的“个性化医疗”（尤其是肿瘤医疗）提供支持。很显然，激光波长的数量是所能测量参数最大数量的制约因素之一。相干公司即插即用的小型化光泵半导体（OPSL）OBIS系列激光器可提供的波长不仅已基本覆盖整个可见光光谱，还把波长带宽拓展到了近红外及更重要的紫外波段，拓展了流式细胞仪多参数测量的能力。 对用于流式细胞仪的激光器而言，还有一个重要趋势是，多波长的激光引擎在临床仪器中的应用越来越普及。相干公司集成化的光引擎OBIS CellX，将4种波长的激光器以及其相关的电子元件、光束整形器和光学聚焦器件都封装在一个模块内，简化并加速了仪器制造商开发新仪器的过程，缩短了产品上市的时间，降低了开发成本。同时，集成化光引擎的这些优势使仪器制造商能够专注于荧光染料化学和可带来优势的其他关键领域的开发（如创新的数据分析技术及其他功能）。相干公司用于生命科学领域的激光器

分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高要求。近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室研究员杨涛-杨晓光团队与研究员陆丹，联合浙江大学兼之江实验室教授吉晨，在高功率、低噪声的量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展。该团队采用高密度、低缺陷的叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，结合低损耗侧向耦合光栅作为高效选模结构，研制出宽温区内高功率、高稳定、低噪声、抗反馈的高性能O波段量子点DFB激光器。在25-85 °C范围内，激光器输出功率均大于100 mW，最大边模抑制比超过62 dB；最低的白噪声水平仅为515 Hz2 Hz-1，对应的本征线宽低至1.62 kHz；最小平均RIN仅为-166 dB/Hz（0.1-20 GHz）。此外，激光器的抗光反馈阈值高达-8 dB，满足无外部光隔离器下稳定工作的技术标准。该器件综合性能优异，兼具低成本、小体积的优势，在大容量光通信、高速片上光互连、高精度探测等领域具有规模应用前景。相关研究成果以High-Power, Narrow-Linewidth, and Low-Noise Quantum Dot Distributed Feedback Lasers为题，发表在Laser & Photonics Reviews上。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1. 量子点材料的形貌和荧光特性，以及器件与光栅结构图2. 器件的输出特性、光谱特性、光频率噪声特性和外部光反馈下的光谱稳定性

DFB-2000是海尔欣推出的新一代DFB激光器驱动控制器，整合了全新设计的触摸屏UI界面，激光电流源，以及温度控制功能，极大的方便了用户的操作、使用及测量。海尔欣自主研发的电路，具有极低的电流噪声与极低的温度漂移，最适合精密光学测量。驱动器包含散热单元，TEC温度控制电路和低噪声电流驱动，支持外部任意波形的模拟信号调制，并将状态监控实时显示于驱动器触摸屏上。与QC750-TouchTM量子级联激光驱动器类似，考虑到激光器芯片的昂贵成本，海尔欣特殊设计的最大电流软钳制功能，可有效规避异常情况下大电流对激光管造成的损伤。除此以外，DFB-2000同时具备多种安全保护机制，zui大限度保证激光器的安全。该产品可被广泛使用在基于实验室和现场部署的多种近红外光谱测量系统，集成度高，稳定可靠。产品特色• 一体化集成电流源及温控驱动，功能完备• 温度控制驱动采用非PWM式的连续电流输出控制，大大延长TEC器件的使用寿命• 多种输出保护机制，确保芯片安全，如可调电流钳制、输出缓启动、过压欠压保护、 超温保护、继电器短路输出保护等• 最大电流软钳制功能，避免误操作大电流损坏激光管• 全液晶触控UI界面，便于用户操作使用及数据观测• 全自主研发，集成度高，性价比高参数指标电流源驱动性能 输出电流范围 10 ~ 250mA 漂移24hr(@25℃) 5V 模拟调制带宽 DC - 100kHz 缓启动时间 3 ~ 4s 电流噪声密度 (10kHz~100kHz@250mA) TEC最大控制电流 ±2A TEC最大控制电压 5V 最大热功率耗散 12W 设置温度范围 10 ~ 50℃ 控温范围 10 ~ 50℃ 控温稳定度 0.01℃（环境温度25℃恒温） 0.05℃（室温环境） 温度传感器类型 适用10 kΩ或20kΩ热敏电阻模拟外调制 输入阻抗 10 kΩ 调制系数 100mA/V ±1% 3dB带宽 DC -100kHz 调制电压范围 ±2.5V通用参数 供电电源 5V DC，15W (含电源适配器) 工作环境温度 10 ~ 40℃ 储存环境温度 -10 ~ 85℃ 输出接口 RS232通讯（含模块通讯线缆） 人机界面（含触控笔） 全液晶触摸屏显示与控制，报警，日志记录功能 尺寸（长*宽*高） 16.2×11.56×5.37 cm3 重量 ＜1.5kg结构尺寸（单位：mm）接口定义序号名称备注1. 液晶显示屏 显示界面，详见用户手册3. 旋转编码器微调电流、温度、快速开机等，详见用户手册232 通讯接口6. 电源接口供电输入8. 触控笔 方便进行屏幕操作 表1 壳体面板说明（部分）1. TEC+14. TEC-2. Thermistor13. Case3. NC12. NC4. NC11. LD Cathode5. Thermistor10. LD Anode6. NC9. NC7. NC8. NC注：可根据客户实际需要更改引脚定义。 表2 DFB发射模块接口说明（部分）界面视图（部分）图1 主界面1）激光器电流：显示了实际的激光器电流值。2）TEC温度：显示了实际的TEC温度值。3）激光器电流和TEC温度左边的选择按钮：一旦选中相应的选项可以用旋转按钮进行微调。4）激光器开关：控制激光器电流源开启/关闭。开启状态时开关为橙色，关闭状态时为灰色。图2 设备连接创新点：• 一体化集成电流源及温控驱动，功能完备 • 温度控制驱动采用非PWM式的连续电流输出控制，大大延长TEC器件的使用寿命 • 多种输出保护机制，确保芯片安全，如可调电流钳制、输出缓启动、过压欠压保护、 超温保护、继电器短路输出保护等 • 最大电流软钳制功能，避免误操作大电流损坏激光管 • 全液晶触控UI界面，便于用户操作使用及数据观测 • 全自主研发，集成度高，性价比高 DFB-2000 半导体激光器屏显驱动

美、中科学家联合研制出世界最小的半导体激光器。这项被称为“表面等离子体激光技术”的研究在激光物理学界堪称里程碑，于八月三十日在《自然》杂志上刊登，由加州大学伯克利分校华裔教授张翔率领的研究团队、北京大学戴伦教授及其博士生马仁敏共同完成。 　　两年前，张翔的研究团队开始与戴伦教授合作，使用戴伦等研制的硫化镉纳米线，这种纳米线比人类头发细一千倍。张翔将纳米线与银金属相隔，二者之间仅有深亚波长五个纳米的绝缘间隙，在这个比真空波长还小二十倍的空间里产生激光出射，由于激光大量储存在这个非金属的狭小间隙里，大大降低了光流失的可能性。 　　曾经因研制隐身衣技术被美国《时代》杂志列入二00八年十大科学发现的张翔教授三十一日接受中新社访问时表示，这项研究成果打破了激光限度的传统概念，人类第一次能够把光聚到只有头发丝万分之一的范围实现激光出射，第一次实现了表面等离子体激光技术，这个尺寸仅相当于单个蛋白质分子的大小，已经很接近电子波长，光子和电子在今后能够真正实现相互作用。 　　这项技术对人类将产生怎样的影响?张翔说，这项技术不仅在基础科学研究获得重大突破，而且对生物医学、通信和电脑等应用科学也将产生深远影响。“以生物医学来说，科学家可以在分子尺寸上检测DNA和癌症。而对通信和电脑技术而言，可以帮助实现更高密度的光或磁信息储存。” 　　由此我们可以相信，在不远的将来，一张光盘可以储存一个图书馆的藏书量。 　　张翔在南京大学物理系完成了学士和硕士学位，一九九六年自加州大学伯克利分校获得博士学位，分别在宾州州立大学、加州大学洛杉矶分校任教，二00四年回到伯克利分校，目前是Ernster SKur讲座教授，同时担任美国国家纳米科学与工程研究中心主任。他率领的研究团队去年八月研制出隐形材料技术，将人类制做隐身衣实现真正隐身的梦想变为可能。

中金公司研报认为，车载激光雷达放量，有望推动半导体激光器市场快速增长。半导体激光器行业的市场扩容依赖于下游核心场景的快速放量。往前看，半导体激光器市场增长动力来自：1)激光器降价带动激光加工渗透率提升；2)车载激光雷达渗透率提升，发射模组占激光雷达成本比重20%左右，我们预计2025年全球车载激光雷达发射单元市场规模有望达到107亿元；3)激光医疗美容，例如激光脱毛、激光无创溶脂等技术的应用。

24日，美国商务部通过其工业和安全局（BIS）对俄罗斯进一步入侵乌克兰做出了回应，实施了一系列全面的严格出口管制，这将严重限制俄罗斯获得维持其侵略性军事能力所需的技术和其他物品。这些控制措施主要针对俄罗斯的国防、航空航天和海事部门，并将切断俄罗斯获得重要技术投入的机会，使其工业基础的关键部门萎缩，并削弱其在世界舞台上施加影响的战略野心。国际清算银行的行动，以及财政部的行动，是拜登-哈里斯政府对俄罗斯侵略迅速而严厉回应的一部分。当天宣布的出口管制措施是商务部出口当局对美国物品（包括技术）以及针对单个国家使用美国设备，软件和蓝图生产的外国物品的最全面应用。国际清算银行针对俄罗斯的出口管制措施对莫斯科国防、航空航天和海运业所依赖的敏感物品实施了拒绝政策。这些物品，其中许多以前在运往俄罗斯时不受控制，包括半导体，计算机，电信，信息安全设备，激光器和传感器。制裁措施还对49个俄罗斯军事最终用户实施了严格的控制，这些最终用户已被添加到BIS的实体清单中。欧盟、日本、澳大利亚、英国、加拿大和新西兰已宣布计划实施实质上类似的限制，并免除对其本国生产的物品的新要求。

一般而言，分析仪器的发展可分为两种：一是分析仪器本身、内部的发展，二是分析仪器相关器件的发展所带动的分析仪器的发展。光探测器是光谱类科学仪器的“眼睛”，是搜集信号、进行信号转换的核心、关键部件，其发展对分析仪器产业的发展起着巨大的推动作用。 　　光电倍增管是大家熟知的光探测器，广泛应用于各类光谱仪器中。但近年来，一些国际仪器生产厂家已开始将ICP、光电直读光谱仪等仪器中采用的光电倍增管逐渐换成了半导体光探测器，其中使用较多的是CCD(Charge-Coupled Devices，电荷耦合检测器)。那么，半导体光探测器能否取代光电倍增管？半导体光探测器技术发展现状与趋势如何？日本滨松公司未来将如何发展半导体光探测技术？该公司是如何看待中国仪器行业？未来将如何拓展中国市场？本文将逐一为大家解答。 　　日本滨松光子学株式会社(以下简称“日本滨松公司”)是光子技术和光电探测器的世界知名企业，其主要产品有光电倍增管、光电二极管、图像传感器、各种光源、大功率半导体激光器等光器件。该公司固体事业部主要研发、生产各种半导体光电器件及其模块化产品。 　　2010年9月1日，日本滨松公司固体事业部在北京举办“2010 HAMAMATSU光半导体技术交流会之专家交流会”。日本滨松公司专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生亲临现场。以此为契机，仪器信息网编辑在专家交流会现场就半导体光探测器的技术发展现状和趋势、日本滨松固体事业部未来的发展方向采访了山本晃永先生。 日本滨松公司专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生 半导体光探测器的发展现状与趋势 　　“Photon is Our Business”，日本滨松公司最初是靠光电倍增管起家，主要用该产品来探测肉眼看不见的光子。该公司致力于了解光子以及光子与其他物质的相互作用，将相关技术转化为产品并使其产业化。经过几十年的发展，日本滨松公司不仅不断改良真空管探测器，同时也大力发展了半导体光探测器。 　　该公司固体事业部多年来一直从事半导体光探测器相关技术的研究。近几年，固体事业部非常重视图像传感器的研发，并在半导体光探测器的集成化、模块化上取得了较大进展。山本晃永先生详细地阐述了滨松的研究成果以及他对半导体光探测器技术发展的看法。 日本滨松公司固体事业部的主要产品 　　(1)在光探测器领域，从真空管技术到半导体技术是大势所趋 　　山本晃永先生认为，从真空管技术到半导体技术是大势所趋，日本滨松公司不能逆流而上。光电倍增管虽然是高性能的探测器，公司也对真空管探测器进行了一些改进，如增强其量子效率、使其小型化等，但仍残留一些难以解决的问题，比如操作上玻璃材料的繁难性、高电压的必须性等，这些难题限制了光电倍增管的使用。 　　但光电倍增管拥有光子探测灵敏度高的固有优势，半导体光探测器不可能完全取而代之，但后者的市场主导优势将日益明显。目前在日本滨松内部，固体事业部的销售额已超过了生产光电倍增管的电子管事业部，占据滨松所有产品总销售额的半壁江山。 　　日本滨松公司在继续研究真空管技术和半导体技术的基础上，将专心致力于相关模块和系统的开发。总之，所有与光子相关的技术，日本滨松公司都将采取积极的态度。 　　(2)CCD已发展得比较成熟 　　随着技术的进步，用于分光光度计、近红外光谱、拉曼光谱等光谱仪器的CCD已发展得比较成熟，其性能已有了很大改进。 　　日本滨松公司研发出的背面入射(Back-illuminated)CCD图像传感器，能减少CCD的Etaloning Effect（注：Etaloning Effect是存在于非常薄的CCD芯片中，入射光线因为在芯片前、后表面发生光反射而产生干涉，导致CCD分光灵敏度曲线在900nm附近凹凸不平的现象），从而能显著提高图像传感器的灵敏度、量子效率、响应时间以及信噪比。通过拼接技术，滨松将许多CCD加以拼接，使其面积增大。目前最大的CCD平板图像传感器大小可达2mX2m，量子效率非常高，同时对近红外长波的探测能力也大幅提高，可用于天文和宇宙探测领域。目前，全世界大部分的天文望远镜、人造卫星都在使用日本滨松的半导体光探测器产品。 各类CCD图像传感器 　　(3)CMOS发展前景看好，日本滨松公司力求让其取代CCD 　　山本晃永先生说到，CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器与CCD在生产工艺上有许多相似之处，因其在集成化、生产成本、响应时间、使用方便、耗电量等方面的优势，发展尤为迅速，甚至可能比CCD图像传感器发展更为快速。目前，CMOS和CCD各有所长，CMOS还不能完全取代CCD，但是未来在很多领域CCD会被CMOS所取代。 　　日本滨松非常看好CMOS的发展前景，在CMOS上倾注很大精力，不断加大该产品的研发力度，力求让CMOS取代CCD。公司针对CMOS的缺点进行了一些改进，引入背面入射技术(back-illuminated)的同时，采用碘化铯作为转化晶体，提高探测器的灵敏度与效率。经过改造之后，APS(Active Pixel Sensor，有源像素传感器，是CMOS的一种)的性能几乎可以做得与CCD一样好。 　　近期日本滨松推出了多款大小不一、功能各异的CMOS新产品。例如用于牙科检查的CMOS，形状小巧、适合人的嘴型，且可以一次成像 而用于乳腺癌检测的CMOS平板检测器具有面积大、探测速度快、解析度高、低剂量的特点，能避免X射线对人体的伤害。 日本滨松生产的各类CMOS图像传感器 　　(4)MOEMS、MEMS促成了半导体光探测器的模块化、小型化 　　MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System，微光机电系统)是在MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微机电系统)基础上发展起来的新技术，该系统把微光学元件、微电子和微机械装置有机地集成在一起，能够充分发挥三者的综合性能，可实现光学元件间的自对准，可用于光学器件和装置的制造。 　　日本滨松公司不仅生产各类半导体探测器，还生产与各种探测器相关的信号处理电路、数据采集卡以及模块产品。固体事业部充分利用MOEMS与MEMS技术，在光电二极管、雪崩二极管、图像传感器等产品的基础上，生产出了光电二极管电路及模块、硅雪崩二极管模块、图像传感器模块等模块化产品。以CMOS图像传感器为例，采用MOEMS技术可将图像传感器、光栅、后续电路加工在同一块硅片上，这样实现了元器件的集成化、小型化，同时也方便用户的使用。 小型分光计系列产品 拇指大小的超小型分光计 　　近期研发出来的超小型分光计，采用了MEMS的纳米压印(NanoTechnology)技术，只有拇指大小，敏感波长范围为340-750nm。从产品到产品模块、系统，这将是日本滨松公司固体事业部以后所要坚持的方向。 　　随着时代的发展，人们对于小型、可携带的东西的需求将增加。在日本，一些测试化妆品美白效果的小仪器很流行，类似的小型仪器在美国也很受欢迎。分析仪器、医疗仪器要走进寻常百姓家，就必然要求其小型化，而仪器小型化必然要求其器件也小型化。半导体技术就是满足这种需求的有效手段，其目前发展的重要主题是MEMS，而NanoTechnology(纳米技术)应该是关键。 　　从真空管技术到半导体技术、MEMS、纳米技术，这是滨松技术的变迁。未来几年，日本滨松公司仍要彻底地钻研这些技术，这是不变的方针。而唯一要改变的是各项技术的开发速度。技术开发得越早，日本滨松的产品在技术上就越有竞争力，这是很重要的。 与会滨松高层 　　(日本滨松光子学株式会社专务取缔役兼固体事业部部长山本晃永先生(右二)、北京滨松光子技术股份有限公司总经理席与霖先生(左二)、北京滨松光子股份有限公司总经理助理兼第一事业部部长段鸿滨先生(左一)、日本滨松光子学株式会固体事业部伊藤伸治先生(右一)) 与会专家 　　(从左到右依次为：中国仪器仪表行业协会朱明凯副理事长、国家地质测试实验中心杨啸涛研究员、中科科仪原董事长金鹤鸣先生、中国分析测试协会汪正范研究员) 滨松将加大半导体光探测器在中国市场的推广力度 　　采访中，山本晃永先生表达了对中国科学仪器行业发展情况的看法：中国科学仪器行业正蓬勃发展，虽然目前日本滨松的半导体光探测器在中国的用户并不是很多，但公司更重视中国市场，将把最新的产品和技术推广到中国来。 　　(1)中国科学仪器行业必将崛起，其市场容量巨大 　　回顾过往，手机、计算机在中国发展都很快，下一步中国的仪器仪表行业一定也会快速发展。医疗仪器、分析仪器都与人们的健康密切相关。中国人口是日本的十倍，这意味着如果中国仪器行业发展起来，那么其市场容量可能会是日本的10倍。而跟科学仪器发展密切相关的就是仪器探测器件的发展。 　　满足用户的需求始终是日本滨松公司努力的方向。作为仪器元器件的供应商，日本滨松公司一定要领先市场一步，这样才能提供市场需要的产品。虽然中国科学仪器行业可能还需要十年、二十年才能发展起来，但日本滨松对此非常有耐心，会非常关注中国市场需要什么样的技术和产品，也会不断地研发新产品去满足这些需求。 　　(2)加大半导体光探测器在中国分析仪器行业的推广力度 　　山本晃永先生介绍了日本滨松中国用户的一些情况。滨松固体事业部生产的各式各样的半导体探测器有50%销往国外，其余在日本国内销售。许多国际知名的仪器生产商都在使用滨松的探测器。但在中国，虽有仪器企业也使用滨松的半导体探测器，但是数量较少。 　　日本滨松公司固体事业部的约50%的产品都应用于医疗仪器，这个领域仍然是其非常重视的领域。同时，因为医疗仪器与分析仪器存在许多相似之处，所以日本滨松公司打算将在医疗仪器领域的优势发展到分析仪器等领域。 　　同时，该公司将加强与中国用户的沟通与交流，加大市场推广力度，把固体事业部的半导体光电器件的新技术、新产品介绍给中国用户，同时也要告诉他们如何选择、使用和应用滨松的产品，希望能为中国仪器行业的发展尽一份力。 采访现场 　后记 　　在采访过程中，笔者仔细聆听山本晃永先生对仪器企业发展的一些看法，他提到：“小规模的科学仪器企业若没有特色，就没有发展潜力与市场竞争力。岛津、贝克曼等国际知名企业都是由有特色的小企业发展起来的。企业规模小并不可怕，可怕的是小企业没有自己的特色、随波逐流，只知模仿重复，不知发明创造，最终导致价格竞争，互相残杀。日本滨松公司虽然是一家小公司，但一直很努力地研发光子相关的各种技术与产品，希望能够通过公司的产品来促进科学仪器行业的发展。” 　　也许，日本滨松公司能够发展壮大就在于它五十余年来一直坚持自己的特色，将主要精力集中在自己优势的光探测器领域，因而能在仪器光电元器件市场上占有其他公司不可替代的一席之地。然而相比之下，目前国内科学仪器企业总体“大不够大，小不够专”，仪器元器件企业发展更是缓慢，这些客观因素决定中国仪器行业短时间内或不会有较大改观。同时， 中国仪器生产企业不仅只盯着整机仪器的研发，也不能忽视仪器元器件的开发。 　　采访编辑：杨丹丹 　　附录1：山本晃永先生简介 　　1970年3月毕业于静冈大学研究生院工学部应用化学专业 　　1970年3月入职日本滨松公司 　　1985年1月就任日本滨松公司固体事业部部长至今 　　1985年12月就任取缔役 　　1987年12月就任常务取缔役 　　2004年12月就任专务取缔役 　　2005年7月就任代表取缔役专务取缔役 　　附录2：日本滨松光子学株式会社 　　http://www.hamamatsu.com/ 　　附录3：北京滨松光子技术股份有限公司 　　http://www.bhphoton.com/

半导体是指具有半导体特性的材料，它们在一定条件下能够传导电流，但在其他条件下却能阻止电流的通过。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。半导体作为当代科技的核心组成部分，半导体目前在电子、通信、计算机、医疗、光伏和汽车领域发挥着举足轻重的作用。通过对半导体材料、工艺和使用技术的不断探索，未来在新材料和新工艺的研究与应用、集成化与智能化、环保和可持续发展、生物电子与神经科技和量子计算与量子通信等领域都极可能是新的趋势。半导体产品的制造需要数百个工艺，通常来讲，整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。卓立汉光作为国内一家光谱、光机和激光设备制造商，在半导体制造过程中可以提供一些加工或者测试设备。晶圆加工：所有半导体工艺都始于一粒沙子！因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂，一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料，也是制作晶圆的主要原材料。晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。在晶圆切割中，卓立汉光提供压电系列产品，比如Carrier系列物镜对焦台和Carrier系列多维运动位移台。亚纳米物镜自动对焦台Carrier.OBHLxx.C.HV系列特点：&bull 最快稳定时间(90% 位置稳定) 15ms 以内&bull 闭环分辨率优于 1nm&bull 最大负载 500 g&bull 控制器兼容多场科技 Motion Controller - Archimedes Series&bull 支持无磁 (.NM) 、高真空 (HV) 和超高真空 (.UHV) 选件Carrier.S200.xy/xyz.C系列中空压电扫描台产品特⾊ &bull 两维度XY 扫描运动 200 um × 200 um；&bull 闭环定位精度优于 1nm；&bull 最⼤ 负载 500 g；&bull 针对光学显微镜-超分辨定制化解决⽅ 案；&bull ⽀ 持⽆ 磁( .NM)和⾼ 真空( .UHV)选件升级CarrierHS100.xxx.C/S系列中空压电扫描台&bull 闭环分辨率优于 1nm&bull 最大负载 3.5 kg&bull 针对光学显微镜-超分辨定制化解决方案&bull 支持无磁 (NM) 和高真空 (UHV) 选件升级光刻光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上，我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高，必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说，光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。在光刻工艺中，卓立汉光可以提供主动隔振台、气浮直线电机、单维或多维扫描描台和物镜对焦台等压电产品和193nm激光器。主动隔振台主要特征&bull 无低频共振 - 低频范围内具有优异的隔振特性&bull 低至0.6Hz开始主动隔振(200Hz被动隔振）&bull 只需0.3秒的设置时间&bull 自动调节负载&bull 因固有刚度具有高度的位置稳定性&bull 接电即可，无需压缩空气&bull 真正的主动隔振：即时产生反作用力来抵消振动气浮直线电机特点：&bull 最高可实现1um左右的运动直线度与运动平行度。&bull 最高可实现亚微米级别定位精度&bull 支持龙门结构定制。&bull 气浮直线电机是实现长行程、大负载、高速、高精度的需求的*优解。深紫外单纵模固体激光器Ixion193IXION 193为全固化单频激光器，其线宽达到变换极限，可用于光学计量、193nm 步进光学系统校准、高功率准分子激光器种子等。典型应用：&bull 光谱仪校准；&bull 光刻；&bull 干涉仪；&bull 193nm 计量测量&bull 准分子激光器种子源薄膜沉积为了创建芯片内部的微型器件，需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百万分之一米）、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。要形成多层的半导体结构，需要先制造器件叠层，即在晶圆表面交替堆叠多层薄金属（导电）膜和介电（绝缘）膜，之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积 (CVD)、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积 (PVD)，采用这些技术的方法又可以分为干法和湿法沉积两种。化学气相沉积原子层沉积物理气相沉积在薄膜沉积的过程中，卓立汉光可以提供一系列的压电位移台，比如：LsXX.lab/LsXX.lab.E系列压电纳米线性位移台特点：&bull 超安静运动，20Hz驱动频率&bull 闭环控制位置传感支持电阻型(R和光学型(.0)&bull 高精度空间传感分辨率(.0)10nm(默认)；4.88nm2.44nm,lnm可选&bull 经济型空间传感分辨率(R)100-200nm&bull *小步伐约10 nm&bull 可提供多轴堆叠安装转接件&bull 控制器兼容旋转台，摇摆台&bull 高真空 (HV) 和超高真空支持无磁 (NM) 、(UHV) 选件晶圆测试半导体晶圆PL光谱测试系统针对第三代半导体，如GaN、InGaN、AlGaN等，进行温度相关光谱和荧光寿命测试。同时可测量外延片的膜厚、反射率及相应的Mapping图。荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度。半导体晶圆PL光谱测试系统半导体晶圆PL光谱测试系统随着半导体技术的进步和更新，卓立汉光也会及时推出符合科研和工业生产需要的配套加工和检测设备，敬请关注。

中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光技术与应用系统实验室李建郎研究员课题组“径向偏振光纤激光器”研究工作近日取得突破性进展。该研究组从掺镱光纤激光器中获得2.42瓦高效率、高偏振纯度和高轴对称性的径向偏振激光输出，创造了目前径向偏振光纤激光器研究的最高纪录。 　　径向偏振光束在离子捕获、生物光镊、高分辨率显微镜技术、电子加速以及高效率高精度金属材料加工等领域有着非常重要的应用，通过固体、气体激光器的输出来直接产生该种光束已经成为国际研究热点领域之一。2006年李建郎等人首次提出利用稀土掺杂的多模光纤作为增益介质来直接输出径向偏振激光的概念，并在掺镱光纤激光器实验中获得了近40毫瓦的径向偏振激光输出(Opt. Lett., 31, 2969, 2006 Opt. Lett., 32, 1360, 2007 Laser Phys. Lett., 4, 814 2007)。继该研究领域被开拓后，以色列魏兹曼研究所(Weizmann Institute of Science, Israel)、美国代顿大学(Dayton University, USA)等研究机构的科学家相继通过努力在掺铒光纤激光器中实现了140毫瓦(斜坡效率约为3%) 的径向偏振激光输出(Appl. Phys. Lett., 93, 191104, 2008 Appl. Phys. Lett., 95, 191111, 2009)。在这些前期研究中，由于寄生振荡等因素的干扰，激光器效率和功率很低，并且存在偏振纯度低以及光束轴对称性差等关键性缺陷，限制了径向偏振光纤激光器技术的进一步实用化。 　　该课题组李建郎、林迪等经过约一年时间的奋斗摸索，在实验中采用光纤耦合的976nm二极管激光器从端面泵浦1.8米长的多模掺镱双包层光纤。该增益光纤具有低V参量，仅支持光纤基模以及其邻阶模(其中包括TM01模，即径向偏振模)传输。同时增益光纤的一个端面被切成8o斜角以抑制光纤端面之间的寄生振荡。实验采用具有径向偏振选择性的光子晶体光栅镜做为激光器的输出耦合器。实验测得激光器阈值泵浦功率为0.9W，在最大泵浦功率7W 时输出功率达到2.42W，光—光效率为35%(对应的斜坡效率43.8%)，激光器波长为1050nm。激光器输出圆环形光斑，且为径向偏振，偏振纯度为96%。 　　此结果目前已远优于其他国际同行的工作。该研究首次实验证明了径向偏振光纤激光器完全可以达到与同类的固体激光器相比拟的性能指标，从而基本消除了困扰径向偏振光纤激光器发展及应用的技术障碍。

自1953年成立以来，滨松公司一直积极投入与人们日常生活息息相关的领域。从扫地机器人到LIDAR小车，从可穿戴健康监测设备到健康随时报警器，再到用于检测晶圆等产品的半导体失效分析设备，滨松公司在半导体制造、健康监测，激光加工，智能设备以及未来的太赫兹等应用领域持续创新，致力于为人们的生活带来便捷与创新。接下来小编会与大家共同分享，在此次光子展中滨松的半导体应用，激光加工应用，X射线应用等相关产品如何将光技术融入我们的日常生活，为我们的生活带来便捷与希望。半导体制造行业在信息时代的大潮中，半导体成为了不可或缺的基石，如同粮食对于工业的重要性，它是电子设备的心脏，深深影响着我们的生活。从尖端的科技领域到日常生活的方方面面，半导体无处不在。比如，半导体芯片在智能汽车、5G通信、航空航天、国防军工、医疗卫生等领域中发挥着关键作用。滨松，一直致力于半导体产业的发展，通过自主研发，推出了多款创新产品，满足各种应用技术的需求。例如，一款独特的电离静电消除器，它能在低到高真空级别下工作，无需吹气。此外，还有用于检测micro LED晶圆的系统、高精度高速膜厚测量仪、丰富的光谱仪产品线以及小型化高输出的UV-LED单元等。那么，这些产品在实际使用中有哪些独特的优势和表现呢？让我们一探究竟！VUV电离器静电消除器VUV静电消除装置，真空静电消除器是使用“光离子化”来应用真空紫外光去除静电的静电电荷去除器。这种创新的离子化方法利用真空紫外光的独特功能来消除真空（减压状态）中不需要的静电电荷，这是此前一直无法实现的。主要用于消除工业生产过程中真空的静电，例如半导行业，LCD行业以及其他自动化工序的关键工艺中。产品特点：■可真空中和 、高水平的静电消除性能(0 V静电消除)；■不需要吹气 、支持低到高真空级别；■防止反向充电，无粉尘产生。MiNYPL:微型LED PL测试仪MiNYPL 是一种使用光致发光 (PL) 测量方法的微型 LED 晶圆检查系统。MiNYPL是一种独特的二维成像技术，不必使用光谱仪，就可以一次性计算出平面内的发光波长。主要应用于Micro/Mini LED产品的发光和波长异常的检测中，可以在产品出现缺陷问题时帮助客户进行精准、快速定位。产品特点：■能够检测到仅通过外观检查无法发现的发光异常和波长异常；■实现电致发光(EL)测试无法实现的详尽测试；■通过在生产前进行检验来提高良率。高精度膜厚测量仪Optical NanoGauge 膜厚测量系统 C15151-01 是一种利用光谱干涉法的非接触式膜厚测量系统。这种大功率、高稳定的白光光源支持精确测量薄膜厚度，包括超薄薄膜（1 nm）。此外，光源的使用寿命为 10,000 小时，适用于在线操作。产品特点：■支持超薄薄膜测量(1 nm甚至更换激光器后更低)； ■高度精确(测量重复性：0.1 nm以下)；■采用大功率白光光源；■使用寿命长(维护周期1年以上)。光谱仪光谱分析是物质分析中的一种重要方法，在工业，农业，环境，食品，医药和制药等领域中的应用都十分普遍，而光谱仪则是长期征战于第一线的核心器件之一。针对于光谱仪来说，滨松可谓是拥有各种型号不同性能的全线产品。并且就连光谱仪需要的软件滨松也在近期有了升级，”尖雀“光谱仪软件全新亮相。1、滨松超小型光谱仪家族全亮相，满足不同波段需求（可量产）2、从图像传感器到微型光谱仪的进阶之路，滨松有话说3、滨松光谱仪软件升级了，诚邀测试反馈4、三招提升光谱仪信号质量 LIGHTNINGCURELC-L5G线性照明型UV-LED单元滨松 LIGHTNINGCURE LC-L5G 系列是线性照射型 UV-LED 光源系列，有多种波长范围如365 nm / 385 nm /395 nm / 405 nm可供选择，具有许多出色的特点，如小型化、重量轻、高输出和大片照射区域，使其成为包括 UV 印刷、UV 涂布和 UV 粘合剂固化等各种用途的理想选择。为了实现最高的 UV-LED 光源性能，滨松采用了名为 ThoMaS 的专利型空气制冷法，名为 HANCE (*1) 的专利型氮气吹扫法，以及可延长产品保修期的保修延期选项 ALiCE。*1：ThoMaS 和 HANCE 仅适用于 GH-103A 型号。激光加工行业在当今高速发展的科技时代，激光技术已经渗透到各个领域，尤其在中国制造2025的大背景下，它已成为不可或缺的重要支撑。从晶圆切割、手机屏幕粘贴，到玻璃切割、塑料焊接以及表面处理，激光技术的身影无处不在。众所周知，半导体激光器因其大输出功率、低价格的优势，使得激光器处理的用途越来越广泛。但随之而来的是可靠性和质量控制的担忧，成为了阻碍其普及的难题。对此，滨松认为激光器处理过程的稳定性与视觉控制是消除这些担忧的关键。如今，滨松光已经将半导体激光器应用于各类产品中，从研发到生产现场，无一不是它的用武之地。SPOLDld辐照光源L13920系列印刷电子是通过印刷制造电子电路的技术，只需将设计好的电路用金属纳米油墨印刷在衬底上，加热（烧结）即可制成电子电路。金属纳米油墨加热（烧结）过程的热源可以采用滨松的SPOLD辐照激光产品，使用激光束照射金属纳米油墨加热，使金属纳米颗粒粘合在一起进行烧制。产品特点：■由于只有激光应用的纳米墨水被加热和烧结，它几乎不影响周边；■即使是不耐热的材料也可以用作基板；■可以节省电力，因为电路可以只使用能量来加热工件；■由于从电到激光的高转换效率，卓越的能源效率(电光转换效率:60%或更高)。硅基液晶-空间光调制器滨松LCOS-SLM 是反射空间光相位调制器，可自由调制光相位，而激光的光相位由液晶调制。光的波前控制可应用于光束光刻、像差校正。并且滨松最近也发布了最新款SLM，通过应用我们专有的热设计技术和改善散热性能，我们能够将耐光性能提高到世界级的700 W(大约是以前型号的3.5倍)。配合大功率激光，可实现灵活、高精度、高效率的加工，点击此处了解新品详情。针对于SLM需要的代码，滨松现在也免费提供给大家，详情可以点击此处了解。iPMSEL 可积相位调制表面发射激光器iPMSEL全称是Integrable Phase Modulating Surface Emitting Lasers，是滨松开发的一种芯片大小的光源，可以从半导体芯片直接控制光束输出，可集成相位调制表面发射激光器，通过超小模式光源实现自然立体显示。由于它们的精细性，集成是可能的，并且在未来，正在进行的技术目标是将大量光束转向灵活的方向。安全检测产业随着世界各地海关港口、民用航空和交通运输的飞速进步，人们对安全的重视程度与日俱增，安检市场也因此蓬勃发展。在这样的背景下，快速、准确地识别和应对危险因素变得至关重要。滨松凭借其独特的X射线技术，精心打造出微焦点射线源和相关的X射线探测器，广泛应用于无损检测等关键领域。这些产品不仅代表了滨松的技术实力，更为安检行业树立了新的标杆。低真空操作离子探测器机场安检拥堵、漫长的排队等待，让人疲惫不堪？这一切都因为传统的检测方式太粗糙，许多细小的物件常常被遗漏，导致误报频发，而重复检测又耗费大量时间。那么，有没有一种方法能解决这个问题呢？答案是肯定的！低真空操作离子探测器就是救星！只需将检测板与待测物品轻轻一碰，然后立即放入检测设备中，即可迅速完成安全检测。这种高科技设备不仅对目标材料极其敏感，而且还能大大简化检测流程，再也不用为机场安检排队而烦恼了！X射线检测X射线可以穿透普通可见光无法穿透的物质，穿透能力与X射线的波长及穿透材料的密度、厚度有关。X射线波长越短，穿透率越高；待测物密度越低且厚度越薄，X射线穿透就越容易。X射线成像的基本原理便是根据X射线的特性以及零件的密度和厚度的差异来进行。可以清楚地观察内部而不损坏物体，因此在广泛应用于安全检测。滨松在X射线方面所具有的成像能力，大家可以点击此篇文章如何获得一张满意的X射线图像（收藏就等于会了来了解技术原理解析，接下来从产品层面为大家进一步说明。X射线源对于要求高精度检测技术的X射线无损检测市场，例如越来越精细的电子设备和越来越多样化的食品，滨松通过提供广泛的X射线源和探测器来满足各种需求，在X射线无损检测中发挥关键作用。以下只是滨松部分线源的型号，如有需求可以在评论区留言，会有工程师与您联系。详解：无损检测中的微焦点X射线源（MFX）X射线探测器(一维成像)适用于需要高速工作和高灵敏度在线成像用途的相机。传统的线阵传感器相机在高分辨率成像下具有低辉度，而 X 射线 TDI 相机则提高了图像辉度，从而增强了图像。最适用于线性移动物体成像或宽高比显著不对称的成像。另提供可在狭小空间内安装的垂直 X 射线 TDI 相机。X射线平板传感器(二维成像)将大面阵 CMOS 图像传感器和微光纤板与闪烁体 (FOS) 结合在一起的 X 射线平板传感器。可以采集百万像素级的高清数字视频和静态图像，而不会失真。平板传感器外形薄、重量轻，可轻松安装到其他设备中。产品特点：■ 高速成像；■ 高X射线电阻；■ 低噪音，低缺陷。以上关于部分热门应用的相关介绍就到此结束，如果还有其他问题，欢迎评论区留言或者直接联系相关工程师获取技术支持。编辑：又又&▼

3月15日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）刊登《发行安排及初步询价公告》《招股意向书》等公告文件，这意味着该公司已经启动发行，即将登陆科创板，将成为A股第一家半导体激光芯片上市公司。 长光华芯本次IPO发行募集资金重点投向科技创新领域的项目为“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。 其中，高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目总投资5.99亿元，包括购置厂房、MOCVD （外延生长）、流片、巴条上盘预排机、激光划片、自动粘片机等相关设备，整体扩大公司高功率半导体激光芯片、器件、模块产品的产能规模。VCSEL及光通讯激光芯片产业化项目投资3.05亿元，项目有利于实现VCSEL芯片和光通讯芯片产业化，拓展至消费电子、汽车雷达、光通讯等更多应用领域，该项目的实施能够丰富公司原有产品结构，为公司提供新的增长点。借助登陆资本市场的契机，长光华芯将进一步加大研发投入，对半导体激光芯片及高效泵浦技术、光纤耦合半导体激光器泵浦源模块技术和大功率高可靠性半导体激光器封装技术等激光领域前沿技术进行研究，打造可持续领先的研发能力和新方向拓展能力，助力高功率激光技术的创新发展。据悉，长光华芯聚焦半导体激光行业，始终专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。得益于前期大量的研发投入，2021年长光华芯实现营业收入4.29亿元、净利润1.15亿元，较2020年增长率分别达到73.59%和340.49%。

深紫外全固态激光源指输出波长在200纳米以下的固体激光器，与同步辐射和气体放电光源等现有光源相比具有高的光子流通量/密度、好的方向性和相干性。 　　中科院自上世纪90年代初开始研究深紫外非线性光学晶体和激光技术，经过20多年努力，在国际上首次生长出可直接倍频产生深紫外激光非线性光学晶体，并发明棱镜耦合技术，率先发展出实用化的深紫外固态激光源，使中国成为当今世界上唯一掌握深紫外全固态激光技术的国家。 　　中国科学家利用独创、独有的深紫外技术和深紫外激光非线性光学晶体，已成功研制出深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光发射电子显微镜等8台深紫外固态激光源前沿装备，均为当今世界所独有的科研利器，居深紫外领域国际领先地位。 　　总投资1.8亿元人民币的深紫外固态激光源前沿装备研制项目，2008年启动实施以来进展顺利，现已研制成功的8台前沿装备还包括深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪等国际领先水平的仪器设备，另外1台光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪研制工作也已基本完成，正在调试之中，多台仪器设备已初步用于前沿科学研究，并表现出优异的性能。 　　中科院整合麾下理化技术研究所、物理研究所、大连化学物理研究所、半导体研究所科研资源，在财政部专项资金支持下，设立深紫外固态激光源前沿装备研制项目，设计出从“材料-器件-装备-科学研究”完整研发体系。在成功研制8台重大仪器设备的同时，还搭建有深紫外非线性晶体和器件研制平台、深紫外固态激光器研发平台和深紫外应用仪器开发平台，核心器件深紫外晶体及器件已实现小批量生产，为仪器设备后续发展尤其是产业化工作奠定了基础。 　　深紫外固态激光技术突破是中国新型科学仪器研发的难得机遇。中科院在前期工作基础上，正组织专家进一步调研，一方面，将研制成功的8台仪器设备中技术成熟、具有市场潜力的发展为商品化仪器设备，推动中国高端科学仪器产业化 另一方面，进一步整合人才、技术力量，继续研发新型深紫外科学仪器和设备。

4月9日，南京镭芯光电半导体产业基地投产仪式在南京江北新区研创园举办。据悉，南京镭芯光电有限公司致力于开发和制造最先进的半导体激光器件、应用于通讯、材料加工和激光雷达等领域。镭芯光电CEO卢波介绍，目前，项目一期投资已超4亿元，办公区域占地面积约1000平方米，在建实验室、厂房面积约4800平方米，项目达产后预计产能可达年产百万颗芯片。此次产业基地正式投产，致力于在高端半导体激光领域提供更多解决方案，填补国内高端光电子器件的空白。图片来源：南京江北新区产业技术研创园企查查显示，南京镭芯光电有限公司成立日期为2019年9月5日。南京江北新区产业技术研创园消息显示，镭芯光电从落户新区，到现在开工投产，仅用时18个月。该产业基地的正式投产，将助力南京江北新区成为国内光电芯片领域的开拓者和引领者，为新区光电子产业发展带来新的机遇。2019年10月21日，镭芯光电项目落户南京江北新区研创园签约仪式举行。据当时报道，该项目团队在光电芯片研究领域早有建树。同时报道称，镭芯光电聚焦半导体光电器件在工业、生物医药等方面的应用，计划用3-5年左右时间，规模化生产芯片、泵浦、光纤和其他相关产品，8-10年左右形成百亿级业务规模。10-15年进入全球光电子行业领先地位。此前，南京江北产业技术研创园发布了2020年度集成电路新锐企业奖，南京镭芯光电有限公司也位列其中。